JP6483613B2 - 紫外線発光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、紫外線発光装置に関し、特に、紫外線発光素子を封止する封止樹脂として非晶質フッ素樹脂を用いる紫外線発光装置に関する。
従来から、ＬＥＤ（発光ダイオード）や半導体レーザ等の窒化物半導体発光素子は、サファイア等の基板上にエピタキシャル成長により複数の窒化物半導体層からなる発光素子構造を形成したものが多数存在する。窒化物半導体層は、一般式Ａｌ１−ｘ−ｙＧａｘＩｎｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される。
発光素子構造は、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に、単一量子井戸構造（ＳＱＷ：Ｓｉｎｇｌｅ−Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｅｌｌ）或いは多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ−Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｅｌｌ）の窒化物半導体層よりなる活性層が挟まれたダブルへテロ構造を有している。活性層がＡｌＧａＮ系半導体層の場合、ＡｌＮモル分率（Ａｌ組成比とも言う）を調整することにより、バンドギャップエネルギを、ＧａＮとＡｌＮが取り得るバンドギャップエネルギ（約３．４ｅＶと約６．２ｅＶ）を夫々下限及び上限とする範囲内で調整でき、発光波長が約２００ｎｍから約３６５ｎｍまでの紫外線発光素子が得られる。具体的には、ｐ型窒化物半導体層からｎ型窒化物半導体層に向けて順方向電流を流すことで、活性層において上記バンドギャップエネルギに応じた発光が生じる。
窒化物半導体紫外線発光素子は、一般的に、下記の特許文献１の図４，６及び７等、或いは、下記の特許文献２の図２，４及び６等に開示されているように、フッ素系樹脂或いはシリコーン樹脂等の紫外線透過性の樹脂によって封止されて実用に供される。当該封止樹脂は、内部の紫外線発光素子を外部雰囲気から保護して、水分の浸入や酸化等による発光素子の劣化を防いでいる。更に、当該封止樹脂は、集光レンズと紫外線発光素子との間の屈折率差、或いは、紫外線の照射対象空間と紫外線発光素子との間の屈折率差に起因する光の反射損失を緩和して、光の取り出し効率の向上を図るための屈折率差緩和材料として設けられる場合もある。また、当該封止樹脂の表面を球面等の集光性曲面に成形して、照射効率を高めることもできる。
特開２００７−３１１７０７号公報 米国特許出願公開第２００６／０１３８４４３号明細書 特開２００６−３４８０８８号公報 特開２０１１−０１６０７４号公報
上述のように、紫外線発光素子の封止樹脂として、フッ素系樹脂及びシリコーン樹脂等の使用が提案されているが、シリコーン樹脂は、紫外線を多量に被爆すると劣化が進むことが分かっている。特に、紫外線発光素子の高出力化が進められており、出射光のエネルギ密度が上昇する傾向にあり、また、それに伴う消費電力の増加により発熱も増加して、当該発熱や高エネルギ密度の紫外線による封止樹脂の劣化が問題となる。
また、フッ素系樹脂は、耐熱性に優れ、紫外線耐性も高いことが知られているが、ポリテトラフルオロエチレン等の一般的なフッ素樹脂は、不透明である。当該フッ素系樹脂は、ポリマー鎖が直線的で剛直であり、容易に結晶化するため、結晶質部分と非晶質部分が混在し、その界面で光が散乱して不透明となる。
そこで、例えば、上記の特許文献３では、紫外線発光素子の封止樹脂として、非晶質のフッ素樹脂を使用することで、紫外線に対する透明性を高めることが提案されている。非晶質のフッ素樹脂としては、結晶性ポリマーのフッ素樹脂を共重合化してポリマーアロイとして非晶質化させたものや、パーフルオロジオキソールの共重合体（デュポン社製の商品名テフロンＡＦ（登録商標））やパーフルオロブテニルビニルエーテルの環化重合体（旭硝子社製の商品名サイトップ（登録商標））が挙げられる。後者の環化重合体のフッ素樹脂は、主鎖に環状構造を持つため非晶質となり易く、透明性が高い。
例えば、上記の特許文献４に示されるように、非晶質フッ素樹脂は、大別して、金属に対して結合可能な官能基を有する結合性フッ素樹脂と金属に対して難結合性の官能基を有する非結合性フッ素樹脂の２種類がある。そこで、上記の特許文献４では、ＬＥＤチップを搭載する基台表面及びＬＥＤチップを覆う部分に、結合性フッ素樹脂を用いて、基台等とフッ素樹脂間の結合性を高めることが提案されている。同様に、非晶質フッ素樹脂を提供するメーカも、結合性フッ素樹脂の使用を推奨しているところがある。
しかしながら、本願発明者等の鋭意研究により、結合性の非晶質フッ素樹脂を、窒化物半導体の紫外線発光素子のパッド電極を被覆する箇所に使用した場合に、紫外線発光素子のｐ電極及びｎ電極に夫々接続する金属電極配線間に順方向電圧を印加して紫外線発光動作を行うと、紫外線発光素子の電気的特性に劣化の生じることが確認された。具体的には、紫外線発光素子のｐ電極及びｎ電極間に抵抗性のリーク電流経路が形成されることが確認された。ここで、非晶質フッ素樹脂が、金属と結合可能な反応性の末端官能基を有する結合性の非晶質フッ素樹脂であると、高エネルギの紫外線が照射された当該結合性の非晶質フッ素樹脂において、光化学反応により反応性の末端官能基が分離してラジカル化し、パッド電極を構成する金属原子と配位結合を起こして、当該金属原子がパッド電極から分離すると考えられる。更に、発光動作中はパッド電極間に電界が印加される結果、当該金属原子がマイグレーションを起こして、抵抗性のリーク電流経路が形成され、紫外線発光素子のｐ電極及びｎ電極間が短絡するものと考えられる。
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、紫外線発光動作に伴う封止樹脂に起因する電気的特性の劣化を防止し、高品質、高信頼度の紫外線発光装置を提供することにある。
本願発明者は、鋭意研究により、重合体または共重合体で構成され、その末端官能基が反応性官能基である結合性の非晶質フッ素樹脂を使用する場合であっても、紫外線発光素子の発光波長範囲を、当該結合性の非晶質フッ素樹脂の吸収波長範囲より高波長側となるように調整することで、反応性の末端官能基が分離してラジカル化するのが抑制され、紫外線発光動作に伴う封止樹脂に起因する電気的特性の劣化を防止できることを見出し、以下に示す本発明に至った。
更に、本願発明者は、当該反応性官能基がＣＯＯＨ基或いはＣＯＯＲ基（Ｒはアルキル基）である場合、当該結合性の非晶質フッ素樹脂の吸収波長範囲の長波長端が、夫々、２６０〜２８０ｎｍ近傍或いは２５５〜２７５ｎｍ近傍に夫々存在することを見出し、紫外線発光素子の発光スペクトル強度（発光スペクトルの光強度）がピーク値の１％以上となる発光波長範囲の短波長端の波長を、当該反応性官能基がＣＯＯＨ基の場合には２６５ｎｍ以上に、当該反応性官能基がＣＯＯＲ基の場合には２６０ｎｍ以上に制限することで、或いは、発光中心波長を２９０ｎｍ以上、更に好ましくは、３００ｎｍ以上に制限することで、上記電気的特性の劣化を防止できることを見出した。
上記目的を達成するため、本発明では、窒化物半導体からなる紫外線発光素子と前記紫外線発光素子を被覆する紫外線透過性の封止樹脂を備えてなる紫外線発光装置であって、前記封止樹脂の内の少なくとも前記紫外線発光素子のパッド電極と接触する特定部分が、第１タイプの非晶質フッ素樹脂であり、前記第１タイプの非晶質フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基が、前記パッド電極を構成する金属に対して結合性を呈する反応性官能基であるＣＯＯＨ基またはＣＯＯＲ基を備え、但し、前記ＣＯＯＲ中のＲはアルキル基であり、前記紫外線発光素子の発光スペクトル強度がピーク値の１％以上となる発光波長範囲の短波長端の波長が、前記末端官能基が前記ＣＯＯＨ基の場合、２６５ｎｍ以上であり、前記末端官能基が前記ＣＯＯＲ基の場合、２６０ｎｍ以上であることを第１の特徴とする紫外線発光装置が提供される。
更に好ましくは、上記第１の特徴の紫外線発光装置において、前記紫外線発光素子の発光中心波長が２９０ｎｍ以上３６５ｎｍ以下である。
上記目的を達成するため、本発明では、窒化物半導体からなる紫外線発光素子と前記紫外線発光素子を被覆する紫外線透過性の封止樹脂を備えてなる紫外線発光装置であって、前記封止樹脂の内の少なくとも前記紫外線発光素子のパッド電極と接触する特定部分が、第１タイプの非晶質フッ素樹脂であり、前記第１タイプの非晶質フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基が、前記パッド電極を構成する金属に対して結合性を呈する反応性官能基であるＣＯＯＨ基またはＣＯＯＲ基を備え、但し、前記ＣＯＯＲ中のＲはアルキル基であり、前記紫外線発光素子の発光中心波長が２９０ｎｍ以上３６５ｎｍ以下であることを第２の特徴とする紫外線発光装置が提供される。
更に好ましくは、上記第１または第２の特徴の紫外線発光装置において、前記紫外線発光素子の発光中心波長が３００ｎｍ以上３６５ｎｍ以下である。
上記目的を達成するため、本発明では、窒化物半導体からなる紫外線発光素子と前記紫外線発光素子を被覆する紫外線透過性の封止樹脂を備えてなる紫外線発光装置であって、
前記封止樹脂の内の少なくとも前記紫外線発光素子のパッド電極と接触する特定部分が、第１タイプの非晶質フッ素樹脂であり、前記第１タイプの非晶質フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基が、前記パッド電極を構成する金属に対して結合性を呈する反応性官能基であって、前記紫外線発光素子の発光スペクトル強度がピーク値の１％以上となる発光波長範囲の短波長端が、前記第１タイプの非晶質フッ素樹脂の吸収波長範囲の長波長端より長波長側にあることを第３の特徴とする紫外線発光装置が提供される。
更に好ましくは、上記第１乃至第３の特徴の紫外線発光装置において、前記重合体または前記共重合体を構成する構造単位が、含フッ素脂肪族環構造を有する。
更に、上記第１乃至第３の特徴の紫外線発光装置は、金属電極配線が基材の表面の一部に形成された基台を備え、前記紫外線発光素子が前記基台上に載置され、前記紫外線発光素子の前記パッド電極が前記金属電極配線と電気的に接続されていることを第４の特徴とする。
更に好ましくは、上記第４の特徴の紫外線発光装置において、前記パッド電極と前記金属電極配線が互いに対向し、バンプ材料を介して電気的且つ物理的に接続しており、前記紫外線発光素子の前記パッド電極が形成されている側と前記基台の上面との間の空隙に、前記第１タイプの非晶質フッ素樹脂が充填されている。
更に好ましくは、上記第４の特徴の紫外線発光装置において、前記封止樹脂の内の前記金属電極配線と接触する部分が、前記第１タイプの非晶質フッ素樹脂である。
更に、上記第１乃至第４の特徴の紫外線発光装置は、前記封止樹脂の内の前記特定部分以外の部分が、前記第１タイプの非晶質フッ素樹脂、または、前記第１タイプの非晶質フッ素樹脂とは異なる末端官能基を備えた第２タイプの非晶質フッ素樹脂であり、前記第２タイプの非晶質フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基が、前記パッド電極を構成する金属に対して結合性を呈しない非反応性官能基であることを第５の特徴とする。
更に、上記第５の特徴の紫外線発光装置において、前記非反応性官能基がパーフルオロアルキル基であることが好ましく、特に、前記非反応性官能基がＣＦ３であることが好ましい。
上記第１乃至第５の特徴の紫外線発光装置によれば、封止樹脂に使用される第１タイプの非晶質フッ素樹脂の末端官能基が反応性官能基であっても、紫外線発光素子の発光波長範囲の略全域が、第１タイプの非晶質フッ素樹脂の吸収波長範囲外となるので、当該比較的長波長の紫外線を照射されても光化学反応によって当該反応性官能基とパッド電極を構成する金属原子との間で配位結合が発生し難く、パッド電極間の短絡が防止される。その結果、紫外線発光動作に伴う封止樹脂に起因する電気的特性の劣化が防止され、高品質、高信頼度の紫外線発光装置が実現できる。
特に、第１または第２の特徴の紫外線発光装置のように、末端官能基がＣＯＯＨ基或いはＣＯＯＲ基である場合は、第１タイプの非晶質フッ素樹脂の吸収波長範囲の長波長端が、２６０〜２８０ｎｍ近傍或いは２５５〜２７５ｎｍ近傍となるため、紫外線発光素子の発光中心波長を２９０ｎｍ以上、より好ましくは、３００ｎｍ以上に設定することで、上記パッド電極間の短絡が防止される。
更に、当該反応性官能基は金属に対して結合性を呈するため、第１タイプの非晶質フッ素樹脂は、紫外線発光素子のパッド電極や、紫外線発光素子を載置するサブマウント等の基台の金属表面との結合性が、末端官能基が非反応性官能基である第２タイプの非晶質フッ素樹脂より高いため、封止樹脂を安定的に紫外線発光素子の周囲に固定することができる。
本発明に係る紫外線発光装置の一構成例の概略を模式的に示す断面図 図１に示すサブマウントの平面視形状と断面形状を示す平面図と断面図 図１に示す紫外線発光素子の要部の断面構造及びチップ全体の平面視形状を模式的に示す断面図と平面図 本発明に係る紫外線発光装置の作製方法の概略の工程を模式的に示す工程断面図 末端官能基がＣＯＯＨ基の第１タイプの非晶質フッ素樹脂（タイプＡ樹脂）の紫外線透過率の波長依存性の一例を示す特性図 末端官能基がＣＯＯＲ基の第１タイプの非晶質フッ素樹脂（タイプＢ樹脂）の紫外線透過率の波長依存性の一例を示す特性図 末端官能基がＣＦ３の第２タイプの非晶質フッ素樹脂（タイプＣ樹脂）の紫外線透過率の波長依存性の一例を示す特性図 本発明に係る紫外線発光装置の発光出力不良の抑制効果を検証する実験で使用する実験サンプルの内容を纏めた一覧表 検証実験で使用したサンプル＃８，＃１０，＃１４に搭載した各紫外線発光素子の樹脂封止前の発光波長分布を示す発光スペクトル図 第１の検証実験で使用したサンプル＃１〜＃４，＃１１，＃１５の発光出力の経時変化を示す図 第１の検証実験で使用したサンプル＃１の経過時間別のＩＶ特性図 第１の検証実験で使用したサンプル＃２の経過時間別のＩＶ特性図 第１の検証実験で使用したサンプル＃３の経過時間別のＩＶ特性図 第１の検証実験で使用したサンプル＃４の経過時間別のＩＶ特性図 第１の検証実験で使用したサンプル＃１１の経過時間別のＩＶ特性図 本発明に係る紫外線発光装置の発光出力不良の抑制効果を検証する第２の検証実験で使用した発光出力不良を起こした実験サンプル＃５のｐ電極周辺部の観測結果を示す２値化処理を施した光学顕微鏡写真 タイプＡ樹脂を使用したサンプル＃５〜＃８の経過時間別のＩＶ特性図 タイプＢ樹脂を使用したサンプル＃９〜＃１０の経過時間別のＩＶ特性図 タイプＣ樹脂を使用したサンプル＃１２〜＃１４経過時間別のＩＶ特性図
本発明に係る紫外線発光装置（以下、適宜「本発明装置」と称する）の実施の形態につき、図面に基づいて説明する。尚、以下の説明で使用する図面では、説明の理解の容易のために、要部を強調して発明内容を模式的に示しているため、各部の寸法比は必ずしも実際の装置と同じ寸法比とはなっていない。以下、本発明装置に使用される紫外線発光素子が窒化物半導体からなる紫外線発光ダイオードである場合を想定して説明する。
図１は、サブマウント１に紫外線発光素子２を載置してなる本発明装置の一構成例の概略を模式的に示す断面図である。図２は、サブマウント１（基台に相当）の平面視形状を示す平面図（Ａ）と断面形状を示す断面図（Ｂ）である。サブマウント１は、絶縁材料からなる基材１０の表面の一部に、アノード側の第１金属電極配線１１とカソード側の第２金属電極配線１２が夫々形成されてなり、基材１０の側壁部１３の厚みＤ１が、側壁部１３より内側の中央部分の厚みＤ２より大きく、側壁部１３に囲まれた空間内に、紫外線発光素子２を封止する封止樹脂３を収容可能に構成されている。更に、側壁部１３の上面に、紫外線発光素子２から出射される紫外線を透過する半球状の石英ガラスからなる集光レンズ４が固定されている。封止樹脂３は、レンズ４によって覆われることで、側壁部１３に囲まれた空間内に固定される。また、第１及び第２金属電極配線１１，１２は、上記中央部分の基材１０に設けられた貫通電極（図示せず）を介して、基材１０の裏面側に設けられたリード端子１４，１５と接続している。サブマウント１を別のプリント基板等の上に載置する場合に、当該プリント基板上の金属配線とリード端子１４，１５との間で電気的な接続が形成される。尚、レンズ４の紫外線透過特性は使用する紫外線発光素子２の発光波長に適合していれば良い。また、レンズ４は、石英ガラス製以外に、例えば、封止樹脂３の表面を例えば球面等の集光性曲面に成形して構成しても良い。更に、レンズ４は、集光性レンズ以外に、使用目的に応じて光を拡散させるレンズであっても良く、また、必ずしも設ける必要はない。
第１及び第２金属電極配線１１，１２は、図２に示すように、側壁部１３に囲まれた基材１０の中央部分の表面に露出するように形成され、互いに離間して配置され、電気的に分離している。第２金属電極配線１２は、中央部分の中心付近に第１金属電極配線１１側に突出した凸部１２ａを有し、当該凸部１２ａと第１金属電極配線１１間の距離が狭くなっている。紫外線発光素子２は、当該配線間距離の狭くなっている間隙を挟んで、パッド電極１６，１７が形成された上面を下向きにして、パッド電極１６，１７と第１及び第２金属電極配線１１，１２が互いに対向し、金属のバンプ材料５を介して電気的且つ物理的に接続するように、第１及び第２金属電極配線１１，１２上に載置され固定されている。本実施形態では、紫外線発光素子２は、サブマウント１に所謂フリップチップ実装されている。また、封止樹脂３は、バンプ材料５の周囲のサブマウント１と紫外線発光素子２に挟まれた間隙１８にも充填されている。
本実施形態では、サブマウント１の基材１０はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックスで形成され、第１及び第２金属電極配線１１，１２を構成する金属は金（Ａｕ）である。
図３に示すように、紫外線発光素子２は、サファイア（０００１）基板２０上にＡｌＮ層２１とＡｌＧａＮ層２２を成長させた基板をテンプレートとして用い、当該テンプレート上に、ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層２３、単層または多層の量子井戸構造のＡｌＧａＮからなる活性層２４、Ａｌモル分率が活性層２４より大きいｐ型ＡｌＧａＮの電子ブロック層２５、ｐ型ＡｌＧａＮのｐ型クラッド層２６、ｐ型ＧａＮのｐ型コンタクト層２７を順番に積層した積層構造を有している。ｎ型クラッド層２３より上部の活性層２４、電子ブロック層２５、ｐ型クラッド層２６、ｐ型コンタクト層２７からなる積層構造の一部が、ｎ型クラッド層２３の一部表面が露出するまで反応性イオンエッチング等により除去され、ｎ型クラッド層２３上の第１領域（Ａ１）に活性層２４からｐ型コンタクト層２７までの積層構造が形成されている。ｎ型クラッド層２３は、第１領域（Ａ１）以外の第２領域（Ａ２）において表面が露出している。
ｐ型コンタクト層２７の表面に、例えば、ＩＴＯ／Ｎｉ／Ａｕのｐ電極２８が、第２領域（Ａ２）内のｎ型クラッド層２３の露出面に、例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕのｎ電極２９が形成されている。本実施形態では、ｐ電極２８の最上層のＡｕが、アノード側のパッド電極１６となっており、ｎ電極２９の最上層のＡｕが、カソード側のパッド電極１７となっている。尚、ｐ電極２８とｎ電極２９の間の露出面は、ＳｉＯ２等の保護絶縁膜３０で覆われている。
また、本実施形態では、パッド電極１６，１７と第１及び第２金属電極配線１１，１２間を接続するバンプ材料５は、パッド電極１６，１７及び第１及び第２金属電極配線１１，１２と同じ金（Ａｕ）である。
本実施形態では、紫外線発光素子２として、発光中心波長が２９０ｎｍ以上、好ましくは３００ｎｍ以上の紫外線を出力するものを想定する。発光中心波長は、活性層２４のＡｌＮモル分率で調整されるが、その場合の発光中心波長の上限は、活性層２４がＧａＮ（ＡｌＮモル分率が０％）の場合において約３６５ｎｍとなる。尚、活性層２４を構成するＡｌＧａＮにＩｎが添加されることで、ＧａＮと同じバンドギャップエネルギ（約３．４ｅＶ）となることでも、同様の約３６５ｎｍの発光中心波長が得られる。尚、活性層２４を構成するＡｌＧａＮに対して、Ａｌに代えて或いはＡｌに加えてＩｎを添加してＩｎＧａＮまたはＩｎＡｌＧａＮとすることで、３６５ｎｍ以上の発光中心波長を得ることができる。
本実施形態では、封止樹脂３として、非晶質フッ素樹脂を使用する。特に、第１及び第２金属電極配線１１，１２、パッド電極１６，１７、及び、バンプ材料５等の金属が露出した箇所（以下、「金属露出箇所」）を被覆する封止樹脂３の一部（特定部分に相当）には、下記の第１タイプの非晶質フッ素樹脂を使用する。第１タイプの非晶質フッ素樹脂は、上記金属に対して結合性を呈する反応性の末端官能基を備えた重合体または共重合体で構成される非晶質フッ素樹脂である。当該第１タイプの非晶質フッ素樹脂は、より具体的には、重合体または共重合体を構成する構造単位が含フッ素脂肪族環構造を有し、上記反応性の末端官能基がカルボキシル基（ＣＯＯＨ）またはエステル基（ＣＯＯＲ）である。但し、Ｒはアルキル基を表す。
また、含フッ素脂肪族環構造を有する構造単位としては、環状含フッ素単量体に基づく単位（以下、「単位Ａ」）、または、ジエン系含フッ素単量体の環化重合により形成される単位（以下、「単位Ｂ」）が好ましい。
単位Ａの単量体は、含フッ素脂肪族環を構成する炭素原子間に重合性二重結合を有する単量体、または、含フッ素脂肪族環を構成する炭素原子と含フッ素脂肪族環外の炭素原子との間に重合性二重結合を有する単量体である。単位Ａの単量体としては、下記の化１に示す化合物（１）または下記の化２に示す化合物（２）が好ましい。
Figure 0006483613
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化１中のＸ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、及び、化２中のＹ１１、Ｙ１２は、夫々独立に、フッ素原子、パーフルオロアルキル基、または、パーフルオロアルコキシ基である。Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｙ１１及びＹ１２におけるパーフルオロアルキル基としては、炭素数が１〜７であることが好ましく、炭素数１〜４であることがより好ましい。
当該パーフルオロアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状が好ましく、直鎖状がより好ましい。具体的には、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基等が挙げられ、特にトリフルオロメチル基が好ましい。Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３、Ｘ１４、Ｙ１１及びＹ１２におけるパーフルオロアルコキシ基としては、前記パーフルオロアルキル基に酸素原子（−Ｏ−）が結合したものが挙げられる。
Ｘ１１としては、フッ素原子が好ましい。Ｘ１２としては、フッ素原子、トリフルオロメチル基、または、炭素数１〜４のパーフルオロアルコキシ基が好ましく、フッ素原子またはトリフルオロメトキシ基がより好ましい。Ｘ１３及びＸ１４としては、夫々独立に、フッ素原子または炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基が好ましく、フッ素原子またはトリフルオロメチル基がより好ましい。
Ｙ１１及びＹ１２としては、夫々独立に、フッ素原子、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基または炭素数１〜４のパーフルオロアルコキシ基が好ましく、フッ素原子またはトリフルオロメチル基がより好ましい。
化合物（１）においては、Ｘ１３及びＸ１４が相互に結合して、Ｘ１３及びＸ１４が結合した炭素原子とともに、含フッ素脂肪族環を形成していても良い。該含フッ素脂肪族環としては、４〜６員環が好ましい。該含フッ素脂肪族環は、飽和脂肪族環であることが好ましい。該含フッ素脂肪族環は、その環骨格中に、エーテル性酸素原子（−Ｏ−）を有していても良い。この場合、含フッ素脂肪族環中のエーテル性酸素原子の数は、１または２が好ましい。化合物（１）の好ましい具体例としては、下記の化３〜化７に示す化合物（１−１）〜（１−５）が挙げられる。
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化合物（２）においては、Ｙ１１及びＹ１２が相互に結合して、Ｙ１１及びＹ１２が結合した炭素原子とともに、含フッ素脂肪族環を形成していても良い。該含フッ素脂肪族環としては、４〜６員環が好ましい。該含フッ素脂肪族環は、飽和脂肪族環であることが好ましい。該含フッ素脂肪族環は、その環骨格中に、エーテル性酸素原子（−Ｏ−）を有していても良い。この場合、含フッ素脂肪族環中のエーテル性酸素原子の数は、１または２が好ましい。化合物（２）の好ましい具体例としては、下記の化８〜化９に示す化合物（２−１）〜（２−２）が挙げられる。
Figure 0006483613
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第１タイプの非晶質フッ素樹脂は、上記単位Ａの単量体の単独重合体であっても良く、上記単位Ａの単量体と、それ以外の他の単量体との共重合体であっても良い。但し、当該共重合体中、単位Ａの単量体の割合は、当該共重合体を構成する全繰り返し単位の合計に対し、２０モル％以上が好ましく、４０モル％以上がより好ましく、１００モル％であっても良い。当該他の単量体としては、単位Ａの単量体と共重合可能なものであれば良く、特に限定されない。具体的には、後述するジエン系含フッ素単量体、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、パーフルオロ（メチルビニルエーテル）、パーフルオロ（エチルビニルエーテル）、パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）等が挙げられる。
環化重合により上記単位Ｂを形成するジエン系含フッ素単量体とは、２個の重合性二重結合及びフッ素原子を有する単量体である。当該重合性二重結合としては、特に限定されないが、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基が好ましい。ジエン系含フッ素単量体としては、下記の化合物（３）が好ましい。
ＣＦ２＝ＣＦ−Ｑ−ＣＦ＝ＣＦ２ ・・・（３）
式中、Ｑは、エーテル性酸素原子を有していても良く、フッ素原子の一部がフッ素原子以外のハロゲン原子で置換されていても良い炭素数１〜３のパーフルオロアルキレン基である。当該フッ素以外のハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。Ｑがエーテル性酸素原子を有するパーフルオロアルキレン基である場合、該パーフルオロアルキレン基におけるエーテル性酸素原子は、該基の一方の末端に存在していても良く、該基の両末端に存在していても良く、該基の炭素原子間に存在していても良い。環化重合性の点から、該基の一方の末端に存在していることが好ましい。化合物（３）の環化重合により形成される単位Ｂとしては、下記の化１０〜化１３に示す単位（３−１）〜単位（３−４）の繰り返し単位が挙げられる。
Figure 0006483613
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また、化合物（３）の具体例としては、下記化合物等が挙げられる。
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦＣｌＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＣｌ２ＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＯＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣ（ＣＦ３）２ＯＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＯＣＦ３）ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２ＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２、
ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ＝ＣＦ２。
第１タイプの非晶質フッ素樹脂は、上記単位Ｂのみからなる重合体であっても良く、上記単位Ｂとそれ以外の他の単量体とを有する共重合体であっても良い。但し、当該共重合体中、単位Ｂの割合は、当該共重合体を構成する全繰り返し単位の合計に対し、５０モル％以上が好ましく、８０モル％以上がより好ましく、１００モル％が最も好ましい。当該他の単量体としては、上記ジエン系含フッ素単量体と共重合可能なものであれば良く、特に限定されない。具体的には、上述した化合物（１）、化合物（２）等の環状含フッ素単量体、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、パーフルオロ（メチルビニルエーテル）、パーフルオロ（エチルビニルエーテル）、パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）等が挙げられる。
第１タイプの非晶質フッ素樹脂の平均分子量は、３０００〜１００万が好ましく、１万〜３０万がより好ましく、１０万〜２５万が更に好ましい。尚、上記単量体の環化重合方法、単独重合方法及び共重合方法としては、例えば特開平０４−１８９８８０号公報等に開示された公知の方法を適用できる。
尚、重合処理後の非晶質フッ素樹脂の末端官能基には、ＣＯＯＨ基及びＣＯＯＲ基以外の不特定且つ複数種の官能基が形成されている可能性があるため、例えば特開平０４−１８９８８０号公報等に開示された公知の方法を用いて、当該重合処理後の非晶質フッ素樹脂を例えば２５０℃の空気中で８時間熱処理を行い、水中またはメタノール中に浸漬して、重合処理後の非晶質フッ素樹脂の末端官能基をＣＯＯＨ基またはＣＯＯＲ基に置換することで、本発明装置で使用する第１タイプの非晶質フッ素樹脂が得られる。
第１タイプの非晶質フッ素樹脂の市販品の一例として、サイトップ（旭硝子社製）等が挙げられる。尚、末端官能基がＣＯＯＨ基であるサイトップは、下記の化１４に示す上記単位Ｂの重合体である。
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次に、本発明装置の作製方法の概略を、図４を参照しながら、簡単に説明する。先ず、図４（Ａ）に示すように、ダイシングされた紫外線発光素子２のベアチップをサブマウント１の第１及び第２金属電極配線１１，１２上に、バンプ材料５を使用して、周知のフリップチップ実装により固定する（工程１）。具体的には、パッド電極１６と第１金属電極配線１１が物理的且つ電気的にバンプ材料５を介して接続し、パッド電極１７と第２金属電極配線１２が物理的且つ電気的にバンプ材料５を介して接続する。これにより、紫外線発光素子２のｐ電極２８と第１金属電極配線１１が、紫外線発光素子２のｎ電極２９と第２金属電極配線１２が、夫々電気的に接続される。
次に、図４（Ｂ）に示すように、第１タイプの非晶質フッ素樹脂を、含フッ素溶媒、好ましくは、非プロトン性含フッ素溶媒に溶解した塗工液６を、サブマウント１の側壁部１３に囲まれた空間内に、剥離性の良いテフロンニードル等を用いて注入した後、図４（Ｃ）に示すように、塗工液６を徐々に加熱しながら溶媒を揮発させて、サブマウント１の側壁部１３の内壁面、第１及び第２金属電極配線１１，１２の上面、第１及び第２金属電極配線１１，１２の間の基材１０の露出面、紫外線発光素子２の上面及び側面、紫外線発光素子２の下面側のサブマウント１の上面との間の間隙１８内に、夫々、第１タイプの非晶質フッ素樹脂の樹脂膜３ａが形成される（工程２）。尚、工程２における溶媒の揮発に当たっては、樹脂膜３ａ内に気泡が残らないように、溶媒の沸点以下の低温域（例えば、室温付近）から溶媒の沸点以上の高温域（例えば、２００℃付近）まで徐々に加熱して、溶媒を揮発させることが重要である。
次に、図４（Ｄ）に示すように、サブマウント１の側壁部１３に囲まれた空間内の工程２で形成された樹脂膜３ａの内側及び上方の空間内に、固体状の第１タイプの非晶質フッ素樹脂を入れて、例えば、２５０℃〜３００℃の高温で溶融させ、その後徐々に冷却して樹脂膜３ｂを成型する（工程３）。
最後に、レンズ４を側壁部１３の上面に固定して（工程４）、図１に示す本発明装置が作製される。図４に例示する作製方法では、封止樹脂３は、樹脂膜３ａと樹脂膜３ｂで構成される。レンズ４は、例えば、上記特許文献１に開示されているように、接着剤により側壁部１３の上面に固定されるか、或いは、レンズ４と側壁部１３に設けられた嵌合構造により側壁部１３の上面に固定される。尚、レンズ４の固定方法は、上記の例示した方法に限定されるものではない。
工程２で使用される含フッ素溶媒の分子量は、大きすぎると塗工液６の粘度を上昇させるだけでなく、第１タイプの非晶質フッ素樹脂の溶解性も低下するため、１０００以下が好ましい。また、第１タイプの非晶質フッ素樹脂の溶解性を高めるために溶媒のフッ素含有量は６０〜８０重量％が好ましい。
非プロトン性含フッ素溶媒としては、ポリフルオロ芳香族化合物、ポリフルオロトリアルキルアミン、ポリフルオロアルカン、ポリフルオロ環状エーテル、ハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）等が挙げられる。これらの非プロトン性含フッ素溶媒は１種を単独で使用しても良く、２種以上を混合して使用しても良い。
ポリフルオロ芳香族化合物としては、パーフルオロベンゼン、ペンタフルオロベンゼン、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、１，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン等が挙げられる。ポリフルオロトリアルキルアミンとしては、パーフルオロトリブチルアミン、パーフルオロトリプロピルアミン等が挙げられる。ポリフルオロ環状エーテルとしては、パーフルオロ（２−ブチルテトラヒドロフラン）が挙げられる。
ポリフルオロアルカンとしては、パーフルオロヘキサン、パーフルオロオクタン、パーフルオロデカン、パーフルオロドデカン、パーフルオロ（２，７−ジメチルオクタン）、１，１，２−トリクロロ−１，２，２−トリフルオロエタン、１，１，１−トリクロロ−２，２，２−トリフルオロエタン、１，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン、１，１，１，３−テトラクロロ−２，２，３，３−テトラフルオロプロパン、１，１，３，４−テトラクロロ−１，２，２，３，４，４−ヘキサフルオロブタン、パーフルオロ（１，２−ジメチルヘキサン）、パーフルオロ（１，３−ジメチルヘキサン）、パーフルオロシクロヘキサン、パーフルオロ（１，３，５−トリメチルシクロヘキサン）、２Ｈ，３Ｈ−パーフルオロペンタン、１Ｈ−パーフルオロヘキサン、１Ｈ−パーフルオロオクタン、１Ｈ−パーフルオロデカン、１Ｈ，１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロヘキサン、１Ｈ，１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクタン、１Ｈ，１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデカン、３Ｈ，４Ｈ−パーフルオロ−２−メチルペンタン、２Ｈ，３Ｈ−パーフルオロ−２−メチルペンタン、１Ｈ−１，１−ジクロロパーフルオロプロパン、１Ｈ−１，３−ジクロロパーフルオロプロパン等が挙げられる。
ハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）としては、一般式Ｒ１−Ｏ−Ｒ２（Ｒ１はエーテル結合を有しても良い炭素数５〜１２の直鎖状または分岐状のポリフルオロアルキル基であり、Ｒ２は炭素数１〜５の直鎖状または分岐状のアルキル基である。）で表されるＨＦＥが好ましい。Ｒ１の炭素数が４以下であると含フッ素重合体を溶解し難く、Ｒ１の炭素数が１３以上の場合は工業的に入手困難であるため、Ｒ１の炭素数は５〜１２の範囲から選定される。Ｒ１の炭素数は、６〜１０が好ましく、６〜７及び９〜１０がより好ましい。ポリフルオロアルキル基とは、アルキル基の水素原子の２個以上がフッ素原子に置換された基であり、アルキル基の水素原子のすべてがフッ素原子に置換されたパーフルオロアルキル基、及びアルキル基の水素原子の２個以上がフッ素原子に置換されかつアルキル基の水素原子の１個以上がフッ素原子以外のハロゲン原子に置換された基を含む。フッ素原子以外のハロゲン原子としては塩素原子が好ましい。
ポリフルオロアルキル基としては、対応するアルキル基の水素原子の数にして６０％以上がフッ素原子に置換された基が好ましく、より好ましくは８０％以上である。さらに好ましいポリフルオロアルキル基はパーフルオロアルキル基である。Ｒ１がエーテル結合を有する場合、エーテル結合の数が多すぎると溶解性を阻害するため、Ｒ１中のエーテル結合は１〜３個が好ましく、１〜２個がより好ましい。Ｒ２の炭素数が６以上であると含フッ素環構造含有重合体の溶解性を著しく阻害する。Ｒ２の好ましい例はメチル基またはエチル基である。
ＨＦＥとしては、Ｆ（ＣＦ２）５ＯＣＨ３、Ｆ（ＣＦ２）６ＯＣＨ３、Ｆ（ＣＦ２）７ＯＣＨ３、Ｆ（ＣＦ２）８ＯＣＨ３、Ｆ（ＣＦ２）９ＯＣＨ３、Ｆ（ＣＦ２）１０ＯＣＨ３、Ｈ（ＣＦ２）６ＯＣＨ３、（ＣＦ３）２ＣＦ（ＯＣＨ３）ＣＦＣＦ２ＣＦ３、Ｆ（ＣＦ２）３ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＨ３、Ｆ（ＣＦ２）３ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＨ３、Ｆ（ＣＦ２）８ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３、（ＣＦ３）２ＣＦＣＦ２ＣＦ２ＯＣＨ３、Ｆ（ＣＦ２）２Ｏ（ＣＦ２）４ＯＣＨ２ＣＨ３が挙げられる。ＨＦＥとしては、特に（ＣＦ３）２ＣＦ（ＯＣＨ３）ＣＦＣＦ２ＣＦ３が好適である。また、上記以外の含フッ素溶媒としては、フッ素含有低分子量ポリエーテル等が挙げられる。
尚、上記説明では、工程２における塗工液６の注入と溶媒の揮発は夫々１回ずつの場合を例示したが、塗工液６の注入と溶媒の揮発を複数回繰り返して、樹脂膜３ａを形成するようにしても良い。
図４に例示する作製方法では、樹脂膜３ｂを工程３の溶融成型により形成したが、工程２と同様の塗工液６を用いて溶媒を揮発させる方法を繰り返して行い、樹脂膜３ｂを形成するようにしても良い。
また、樹脂膜３ｂに使用する非晶質フッ素樹脂は、樹脂膜３ａに使用する第１タイプの非晶質フッ素樹脂であっても良く、或いは、第１及び第２金属電極配線１１，１２、パッド電極１６，１７、及び、バンプ材料５を構成する金属に対して結合性を呈しない非反応性の末端官能基を備えた重合体または共重合体で構成される第２タイプの非晶質フッ素樹脂であっても良い。尚、第２タイプの非晶質フッ素樹脂における重合体または共重合体を構成する構造単位としては、第１タイプの非晶質フッ素樹脂の構造単位と同じものを使用できる。また、第２タイプの非晶質フッ素樹脂の非反応性の末端官能基は、ＣＦ３等のパーフルオロアルキル基である。更に、樹脂膜３ｂに使用する第１タイプの非晶質フッ素樹脂の反応性の末端官能基としては、ＣＯＯＨ基、ＣＯＯＲ基以外にも、ＮＨ２基、Ｓｉ（ＯＲ）ｎ基、ＣＯＦ基、ＳｉＣｌ３基、Ｎ＝Ｃ＝Ｏ基、ＯＨ基、ＣＦ＝ＣＦ２基、ＯＲ基、ＣＦ２Ｈ基等が挙げられる。尚、Ｒはアルキル基を表す。
本発明装置は、上記金属露出箇所を被覆する封止樹脂３の一部（図４に示す例では、樹脂膜３ａ）として、当該金属に対して結合性を呈する反応性官能基を末端官能基として備えた重合体または共重合体で構成される第１タイプの非晶質フッ素樹脂を使用し、紫外線発光素子としてＡｌＧａＮ系半導体層で構成された発光波長範囲の短波長端の波長が、当該第１タイプの非晶質フッ素樹脂の吸収波長範囲の長波長端より長波長側にある点に特徴がある。尚、以下に例示する実施例では、第１タイプの非晶質フッ素樹脂は、吸収波長範囲の長波長端が２６０〜２８０ｎｍ近傍にあるＣＯＯＨ基を末端官能基として備えたものと、吸収波長範囲の長波長端が２５５〜２７５ｎｍ近傍にあるＣＯＯＲ基を末端官能基として備えたものを想定する。尚、本実施形態では、紫外線発光素子の発光波長範囲は、発光スペクトル強度がピーク値（最大値）の１％以上となる発光波長範囲として定義する。尚、紫外線発光素子の発光スペクトル強度は、分光放射照度（単位：Ｗ／ｍ３）として測定されるものを使用する。
次に、上記金属露出箇所を被覆する樹脂膜３ａに、第１タイプの非晶質フッ素樹脂を用いた実施例における、紫外線発光素子の発光波長範囲の短波長端及び発光中心波長と、非晶質フッ素樹脂の吸収波長範囲の長波長端との間の関係、及び、紫外線発光素子の発光波長範囲の短波長端を非晶質フッ素樹脂の吸収波長範囲の長波長端より長波長側に調整することの効果を検証した実験結果について説明する。
先ず、本発明装置に使用する末端官能基が反応性末端基のＣＯＯＨ基とＣＯＯＲ基の２種類の第１タイプの非晶質フッ素樹脂と、比較例として、末端官能基が非反応性末端基のＣＦ３の第２タイプの非晶質フッ素樹脂の夫々について、吸収波長範囲の長波長端を導出するために、当該各非晶質フッ素樹脂の紫外線透過率を測定した結果を、図５〜図７に示す。図５に、末端官能基がＣＯＯＨ基の第１タイプの非晶質フッ素樹脂（以下、「タイプＡ樹脂」と称す）の２つのサンプル＃Ａ１，＃Ａ２の紫外線透過率の波長依存性を、図６に、末端官能基がＣＯＯＲ基の第１タイプの非晶質フッ素樹脂（以下、「タイプＢ樹脂」と称す）の２つのサンプル＃Ｂ１，＃Ｂ２の紫外線透過率の波長依存性を、図７に、末端官能基がＣＦ３の第２タイプの非晶質フッ素樹脂（以下、「タイプＣ樹脂」と称す）の２つのサンプル＃Ｃ１，＃Ｃ２の紫外線透過率の波長依存性を、夫々示す。
紫外線透過率の透過率は、測定対象の非晶質フッ素樹脂を両面研磨したサファイア基板上に形成し、光源として重水素ランプ（λ＝２００ｎｍ〜３６０ｎｍ）とハロゲンランプ（λ＝３６０ｎｍ〜４００ｎｍ）を用い、分光器により特定波長の光を取り出して、測定対象のサファイア基板上の非晶質フッ素樹脂に入射させて、透過光を検出器で受光して信号処理して受光強度をディジタル値で出力し、受光強度のスペクトルデータを取得し、同様に、測定対象の非晶質フッ素樹脂を形成する前のサファイア基板に、同様に、分光器を通過した光を入射させて、サファイア基板を透過した光を検出器で受光して信号処理して受光強度をディジタル値で出力し、受光強度のスペクトルデータを取得し、前者の非晶質フッ素樹脂のスペクトルデータを後者のサファイア基板のスペクトルデータで除して、上記３種類の非晶質フッ素樹脂の紫外線透過率のスペクトルデータを導出した。図５〜図７に示す各スペクトルデータは、０．２ｎｍ刻みの測定波長の各透過率に対して±１ｎｍの幅の移動平均を計算してスムージング処理を施した後の透過率をプロットしたものである。
図５〜図７に示すように、導出された透過率は２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長範囲の大部分で１００％を超過しているが、リファレンスとして使用したサファイア基板の表面と、サファイア基板上に形成した測定対象の非晶質フッ素樹脂の表面の性状（平滑さ、粗さ等）の差によるものと考えられる。また、波長２０４ｎｍ近傍より短波長側で透過率が急峻に上昇しているのは、当該波長域で大気中の酸素による吸収の影響が顕著となるため、サファイア基板及び測定対象の非晶質フッ素樹脂の各測定データの誤差が大きくなっていることに起因するものと考えられる。従って、図５〜図７の各スペクトルデータは波長２１０ｎｍ以上を利用するものとする。また、上述のように、上記要領で導出された透過率が２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長範囲の大部分で１００％を超過するので、当該透過率が１００％未満の波長範囲を、各非晶質フッ素樹脂の吸収波長範囲として規定することはできない。また、図５〜図７の各実測データは、測定誤差を含むため、測定波長が２１０ｎｍ付近から長波長側に移動するにつれて、当該透過率が単調に増加するスペクトルデータとはなっていない。従って、当該データから直接、吸収波長範囲の長波長端を特定することは困難である。尚、図５及び図６の各スペクトルデータを目視観察すると、タイプＡ樹脂の吸収波長範囲の長波長端は、２６０〜２８０ｎｍ近傍に、タイプＢ樹脂の吸収波長範囲の長波長端は、２５５〜２７５ｎｍ近傍に、夫々存在していると推定される。また、タイプＣ樹脂の吸収波長範囲については、図７のスペクトルデータから特定することは困難であるが、２２０ｎｍ近傍より長波長側には存在しないものと推定される。また、当該推定は、後述する紫外線発光素子の発光動作に伴う封止樹脂に起因する電気的特性の劣化の検証実験より、裏付けられる。
次に、紫外線発光動作に伴う封止樹脂の末端官能基に起因する電気的特性の劣化を検証した実験結果について、説明する。当該検証実験用のサンプルとして、以下の１５種類のサンプル＃１〜＃１５を準備した。各サンプル＃１〜＃１５に使用したサブマウント１は、図２に示す側壁部１３の外形寸法Ｌ（４隅の切り欠き部を含む）が５ｍｍ角で、側壁部１３の内側の円形空間の直径φが４ｍｍで、側壁部１３の厚みＤ１が１ｍｍで中央部分の基材の厚みＤ２が０．２ｍｍのものを使用した。また、紫外線発光素子２のダイサイズは、０．８ｍｍ角である。また、各サンプル＃１〜＃１５は、夫々、１５ｍｍ角のプリント基板上に半田付けして、プリント基板上の電極端子から、サブマウント１に載置された紫外線発光素子２のｐ電極及びｎ電極間に発光動作に必要な順方向電圧を印加するようにした。尚、バンプは、ｐ電極２８側のパッド電極１６に９個、ｎ電極２９側のパッド電極１７に４個、夫々形成した。
サンプル＃１〜＃８は、何れも封止樹脂３（樹脂膜３ａ）として、末端官能基が反応性末端基のＣＯＯＨ基であるタイプＡ樹脂を使用している。サンプル＃９及び＃１０は、何れも封止樹脂３（樹脂膜３ａ）として、末端官能基が反応性末端基のＣＯＯＲ基であるタイプＢ樹脂を使用している。サンプル＃１１〜＃１４は、何れも封止樹脂３（樹脂膜３ａ）として、末端官能基が非反応性末端基のＣＦ３のタイプＣ樹脂を使用している。サンプル＃１５は、封止樹脂３（樹脂膜３ａ）を設けていない。尚、サンプル＃１〜＃１４は、樹脂膜３ａのみを形成し、樹脂膜３ｂは形成しておらず、レンズ４も取り付けていない。サンプル＃１〜＃１４に使用したタイプＡ樹脂、タイプＢ樹脂、及び、タイプＣ樹脂は、何れも、旭硝子社製のサイトップである。
サンプル＃１〜＃１５に搭載した紫外線発光素子２の発光中心波長は、約２６０ｎｍから約３０７ｎｍの範囲に分布している。本実施形態では、各サンプルの発光中心波長は、発光スペクトル強度がピーク値の２分の１（−３ｄＢ）以上となる波長範囲の中心値（当該波長範囲の上限値と下限値の平均値）であり、概ねピーク発光波長に等しく、図８の一覧表に示す通りである。尚、各サンプルの発光波長分布の半値全幅は約１２ｎｍ〜１９ｎｍである。一例として、サンプル＃８，＃１０，＃１４に搭載した紫外線発光素子２の樹脂封止前に測定した発光波長分布を夫々図９に示す。図９に示す発光波長分布の縦軸は、分光放射照度（単位：μＷ／ｃｍ２／ｎｍ）である。
サンプル＃８の発光波長分布では、発光中心波長は約３０６．７ｎｍで、半値全幅は約１９．０ｎｍで、発光スペクトル強度がピーク値の１００分の１（−２０ｄＢ）以上となる発光波長範囲は、約２６５．７ｎｍ〜３４２．５ｎｍである。サンプル＃１０の発光波長分布では、発光中心波長は約３０４．８ｎｍで、半値全幅は約１７．３ｎｍで、発光スペクトル強度がピーク値の１００分の１（−２０ｄＢ）以上となる発光波長範囲は、約２６５．４ｎｍ〜３３７．７ｎｍである。サンプル＃１４の発光波長分布では、発光中心波長は約３０４．０ｎｍで、半値全幅は約１７．８ｎｍで、発光スペクトル強度がピーク値の１００分の１（−２０ｄＢ）以上となる発光波長範囲は、約２６４．１ｎｍ〜３１２．９ｎｍである。また、図９に示す各発光波長分布では、当該発光波長範囲の短波長端（約２６５．７ｎｍ、約２６５．４ｎｍ、約２６４．１ｎｍ）と発光中心波長（約３０６．７ｎｍ、約３０４．８ｎｍ、約３０４．０ｎｍ）の間隔は、夫々、約４０．９ｎｍ、約３９．４ｎｍ、約３９．２ｎｍである。
尚、サンプル＃８，＃１０，＃１４における当該発光波長範囲の短波長端より短波長側の波長領域の総放射照度の全波長領域のおける総放射照度に対する比率は、夫々、０．７７％、０．７３％、０．７３％と当該サンプル間で略同じ値である。更に、サンプル＃８，＃１０，＃１４における発光スペクトル強度がピーク値の１００分の２以上となる発光波長範囲の短波長端及び上記比率は、夫々、約２７２．３ｎｍ及び１．１６％、約２７１．６ｎｍ及び１．１８％、約２７０．４ｎｍ及び１．２１％と当該サンプル間で略同じ値である。更に、サンプル＃８，＃１０，＃１４における発光スペクトル強度がピーク値の１００分の３以上となる発光波長範囲の短波長端及び上記比率は、夫々、約２７６．７ｎｍ及び１．７９％、約２７５．８ｎｍ及び１．６５％、約２７５．１ｎｍ及び１．８１％と当該サンプル間で略同じ値である。
また、サンプル＃１〜＃１４の金属露出箇所を被覆する樹脂膜３ａの膜厚は、薄い箇所で約３０μｍである。尚、サブマウント１と紫外線発光素子２に挟まれた間隙１８の高さは、当該膜厚より薄く、間隙１８内には、各サンプル＃１〜＃１４に対応するタイプＡ〜タイプＣの何れかの非晶質フッ素樹脂が充填されている。
第１の検証実験として、実験サンプル＃１〜＃４，＃１１，＃１５に対して、発光動作状態を維持しながら、その発光出力を紫外線発光素子と対向して配置したフォトダイオードで連続的に測定することで、発光出力の経時変化を検出する発光出力測定と、樹脂封止前、樹脂封止後の発光開始前、及び、発光開始からサンプルに応じた時間経過後の３つの時点でのＩＶ特性を測定するＩＶ特性測定を行った。
図１０に、サンプル＃１〜＃４，＃１１，＃１５の各発光出力の経時変化を示す。図１０の縦軸はフォトダイオードの検出電圧を、横軸は経過時間を夫々示す。尚、各サンプルに印加する順方向電流は２０ｍＡとした。図１０に示す測定結果より、発光中心波長が約２６０〜２７０ｎｍの紫外線発光素子をタイプＡ樹脂で樹脂封止したサンプル＃１〜＃３は、発光開始後１０時間以内に、発光出力が急激に低下する不良が発生していることが分かる。これに対して、発光中心波長が約２９０ｎｍの紫外線発光素子をタイプＡ樹脂で樹脂封止したサンプル＃４、発光中心波長が約２６０ｎｍの紫外線発光素子をタイプＣ樹脂で樹脂封止したサンプル＃１１、樹脂封止していないサンプル＃１５では、発光開始後３００時間以上経過しても発光出力の急激な低下は観測されていない。
図１０に示す測定結果より、タイプＡ樹脂を用いて樹脂封止したサンプルでは、搭載している紫外線発光素子の発光中心波長が２７０ｎｍ以下の場合に、何らかの原因で発光出力不良が生じることが分かる。
次に、図１１〜図１５に、サンプル＃１〜＃４，＃１１の上記３つの時点での各ＩＶ特性を示す。尚、ＩＶ特性の電圧は、正極性が順方向バイアス、負極性が逆方向バイアスを示しており、電流は各バイアス時の電流値の絶対値を示している。
図１１（Ａ）は、サンプル＃１の樹脂封止前、樹脂封止後の発光開始前、及び、発光開始後１０５時間経過時点での各ＩＶ特性であり、図１１（Ｂ）は、印加電圧０Ｖ付近を拡大したサンプル＃１の発光開始後１０５時間経過時点でのＩＶ特性である。図１２（Ａ）は、サンプル＃２の樹脂封止前、樹脂封止後の発光開始前、及び、発光開始後３２時間経過時点での各ＩＶ特性であり、図１２（Ｂ）は、印加電圧０Ｖ付近を拡大したサンプル＃２の発光開始後３２時間経過時点でのＩＶ特性である。図１３（Ａ）は、サンプル＃３の樹脂封止前、樹脂封止後の発光開始前、及び、発光開始後３０６時間経過時点での各ＩＶ特性であり、図１３（Ｂ）は、印加電圧０Ｖ付近を拡大したサンプル＃３の発光開始後３０６時間経過時点でのＩＶ特性である。図１４は、サンプル＃４の樹脂封止前、樹脂封止後の発光開始前、及び、発光開始後３０６時間経過時点での各ＩＶ特性である。図１５は、サンプル＃１１の樹脂封止前、樹脂封止後の発光開始前、及び、発光開始後６６０時間経過時点での各ＩＶ特性である。尚、図１１〜図１５では、樹脂封止前の各ＩＶ曲線は「Ｍｏｌｄ前０ｈ」と表記し、樹脂封止後の発光開始前の各ＩＶ曲線は「Ｍｏｌｄ後０ｈ」と表記し、樹脂封止後且つ発光開始後でサンプル別の通電時間経過時点での各ＩＶ曲線は「Ｍｏｌｄ後ＭＭｈ」（ＭＭはサンプル別の各通電時間）と表記する。
図１０に示す発光出力不良が発生したサンプル＃１〜＃３では、図１１〜図１３に示すように、発光動作用の通電を継続した後にＩＶ特性に大きな変化が生じており、アノード・カソード間（ｐ電極とｎ電極間）で短絡の生じていることが分かる。短絡後のＩＶ特性が、図１１（Ｂ）〜図１３（Ｂ）に夫々共通するように、極めて直線性が高い点、発光出力不良が、当該短絡が金属との結合性の高い反応性の末端官能基を備えたタイプＡ樹脂を使用したサンプルで生じており、金属との結合性を呈しない非反応性の末端官能基を備えたタイプＣ樹脂を使用したサンプルでは生じていない点、等を、総合的に判断すると、当該発光出力不良が、アノード・カソード間（ｐ電極とｎ電極間）の短絡により生じており、また、当該短絡がタイプＡ樹脂の反応性の末端官能基に起因して生じていることが、明らかである。
一方、同じ反応性の末端官能基を備えたタイプＡ樹脂を使用した発光中心波長が２９０ｎｍのサンプル＃４では、経過時間３００時間程度では、サンプル＃１〜＃３と同様の発光出力不良が生じていない点を考慮すると、サンプル＃１〜＃３より長波長の紫外線照射では、光化学反応の程度が弱く、反応性の末端官能基と金属原子との配位結合が起こり難いと考えられる。
次に、第２の検証実験として、サンプル＃５及び＃１２に対して、サンプル＃１〜＃４，＃１１，＃１５と同様に発光動作を行い、第１の検証実験と同じ発光出力測定とＩＶ特性測定を行い、更に、サンプル＃５及び＃１２のｐ電極２８とｎ電極２９間に異常がないかを目視観測した。
タイプＣ樹脂を使用したサンプル＃１２は、サンプル＃１１と同様に、発光動作を２８３時間継続した後も発光出力不良を起こさず、ＩＶ特性も正常であった。タイプＡ樹脂を使用して作製されたサンプル＃５は、他のサンプル＃１〜＃３と同様に発光出力不良を起こし、発光動作開始２４時間経過後からＩＶ特性に変化が生じ、９２時間経過後には、アノード・カソード間に短絡症状が確認された。
更に、目視観測では、図１６の光学顕微鏡写真に示すように、発光出力不良を起こしたサンプル＃５では、ｐ電極２８の周辺部に金属がマイグレーションを起こしていると思われる痕跡（矢印Ａ）が見られ、短絡箇所と思われる形跡（矢印Ｂ）も確認された。これに対して、発光出力不良を起こしていないサンプル＃１２では、ｐ電極２８の周辺部に金属がマイグレーションを起こしている痕跡は見当たらなかった。
図１６に示す観測結果は、図１０に示す発光出力測定結果、及び、図１１〜図１５に示すＩＶ特性測定結果と符合するものであり、タイプＡ樹脂の反応性の末端官能基によってｐ電極２８とｎ電極２９間に短絡が生じて、発光動作に必要な順方向電圧がｐ電極２８とｎ電極２９間に印加できずに、発光出力不良を起こしていることが分かる。
更に、図１７に、タイプＡ樹脂を使用したサンプル＃５〜＃８の、樹脂封止前、樹脂封止後の発光開始前、及び、発光開始からサンプルに応じた時間経過後の３つの時点でのＩＶ特性を、図１８に、タイプＢ樹脂を使用したサンプル＃９〜＃１０の上記３つの時点でのＩＶ特性を、図１９に、タイプＣ樹脂を使用したサンプル＃１２〜＃１４の上記３つの時点でのＩＶ特性を、夫々示す。図１７〜図１９における表記方法は、図１１〜図１５と同じであり、上記サンプルに応じた時間経過は、各図に示す通りである。
図１７に示すＩＶ特性より、タイプＡ樹脂を使用したサンプル＃５〜＃８においても、図１１〜図１４に示すサンプル＃１〜＃４と同様に、発光中心波長が約２６８ｎｍ、約２６３ｎｍ及び約２６５ｎｍのサンプル＃５，＃６，＃７では、発光出力が急激に低下する不良が発生しているのに対して、発光中心波長が約３０７ｎｍのサンプル＃８では、当該不良は発生していない。
図１８に示すＩＶ特性より、タイプＡ樹脂を使用したサンプルと同様に、反応性の末端官能基を備えたタイプＢ樹脂を使用したサンプル＃９〜＃１０においても、発光中心波長が約２６５ｎｍのサンプル＃９では、発光出力が急激に低下する不良が発生しているのに対して、発光中心波長が約３０５ｎｍのサンプル＃１０では、当該不良は発生していない。
図１９に示すＩＶ特性より、タイプＣ樹脂を使用した発光中心波長が約２６５ｎｍ〜３０４ｎｍのサンプル＃１２〜＃１４においても、図１５に示す発光中心波長が約２６０ｎｍサンプル＃１１と同様に、サンプルでは、発光出力が急激に低下する不良が発生していない。
以上のタイプＡ樹脂、タイプＢ樹脂、タイプＣ樹脂を使用した各サンプルのＩＶ特性より、反応性の末端官能基を備えたタイプＡ樹脂及びタイプＢ樹脂を使用したサンプルでは、搭載する紫外線発光素子の発光中心波長が約２６０〜２７０ｎｍの範囲では、上述の発光出力が急激に低下する不良が発生するのに対して、当該発光中心波長が約２９０〜３０７ｎｍでは、同様の不良が発生しないことが明らかである。次に、この点を、図５及び図６に示したタイプＡ樹脂及びタイプＢ樹脂の紫外線透過率のスペクトルデータと、図９に示すサンプル＃８及び＃１０の各発光波長分布とを対比させて考察する。
先ず、タイプＡ樹脂のサンプル＃８（発光中心波長が約３０７ｎｍ）については、上述の発光波長範囲（発光スペクトル強度がピーク値の１００分の１以上）の短波長端が２６５．７ｎｍであるので、図５に示すタイプＡ樹脂の吸収波長範囲の長波長端（２６０〜２８０ｎｍ近傍）と一致している。サンプル＃８において上述の不良が発生していないことから、搭載する紫外線発光素子の発光波長範囲が、封止樹脂であるタイプＡ樹脂の吸収波長範囲と重複していない、或いは、重複していても、発光スペクトル強度がピーク値の１％程度以下の波長域が、吸収率が極めて小さい吸収波長範囲の長波長端側の裾野部分と重複しているに過ぎず、実用上問題ないと、判断できる。この点は、発光中心波長が更に２９０ｎｍと短いサンプル＃４において上述の不良が発生していないことから、更に裏付けられる。尚、サンプル＃４は、半値全幅が約１２ｎｍで、サンプル＃８の半値全幅の約１９．０ｎｍの約３分の２であるので、発光スペクトル強度がピーク値の１００分の１以上の波長範囲と定義した場合の発光波長範囲の短波長端は、約２６５ｎｍ近傍と推定される。以上より、タイプＡ樹脂の吸収波長範囲の長波長端が２６０〜２８０ｎｍ近傍に存在するという上述の目視観察による推定は、サンプル＃４及び＃８のＩＶ特性から得られる結果より妥当である。更に具体的には、封止樹脂としてタイプＡ樹脂を使用する紫外線発光装置では、搭載する紫外線発光素子の発光波長範囲（発光スペクトル強度がピーク値の１００分の１以上）の短波長端を２６０〜２６５ｎｍ以上に設定すれば良く、発光中心波長では、２９０ｎｍ以上、より好ましくは３００ｎｍ以上の紫外線発光素子を使用することで、上述の不良を回避することが可能となる。また、搭載する紫外線発光素子の発光波長範囲が、封止樹脂であるタイプＡ樹脂の吸収波長範囲と重複していないことを前提とした場合、上述の発光波長範囲（発光スペクトル強度がピーク値の１００分の１以上）の定義に対しては、タイプＡ樹脂の吸収波長範囲の長波長端は約２６０〜２６５ｎｍとなる。発光波長範囲の定義を、発光スペクトル強度がピーク値の１００分の２以上、或いは、１００分の３以上と変更した場合は、夫々の発光波長範囲の短波長端が、約２６５ｎｍ近傍から、約２７０〜２７２ｎｍ近傍、或いは、約２７５〜２７７ｎｍ近傍へと、約５ｎｍ程度ずつ上昇するので、タイプＡ樹脂の吸収波長範囲の長波長端は、約２６５〜２７０ｎｍ近傍、或いは、約２７０〜２７５ｎｍ近傍へとシフトする。以上より、タイプＡ樹脂の吸収波長範囲の長波長端を厳密に規定すること自体はそれほど重要ではなく、発光波長範囲の定義との関係で、目視観察による推定範囲内で合目的的に柔軟に規定すれば十分であることが分かる。本実施形態では、一例として、発光波長範囲を、発光スペクトル強度がピーク値の１００分の１以上となる波長範囲と定義し、タイプＡ樹脂の吸収波長範囲の長波長端を２６５ｎｍと設定する。尚、他の一例として、発光波長範囲を、発光スペクトル強度がピーク値の１００分の２以上となる波長範囲と定義し、タイプＡ樹脂の吸収波長範囲の長波長端を２７０ｎｍと設定しても良く、更には、発光波長範囲を、発光スペクトル強度がピーク値の１００分の３以上となる波長範囲と定義し、タイプＡ樹脂の吸収波長範囲の長波長端を２７５ｎｍと設定しても良い。
一方、タイプＡ樹脂のサンプル＃１〜＃３，＃５〜＃７では、搭載する紫外線発光素子の発光中心波長が約２６０ｎｍ〜約２７０ｎｍであり、半値全幅が約１２ｎｍであるので、発光波長範囲（発光スペクトル強度がピーク値の１００分の１以上）の短波長端は、約２４５ｎｍ〜２５５ｎｍであると推定され、また、発光中心波長がタイプＡ樹脂の吸収波長範囲の長波長端と概ね一致していることから、図５に示したタイプＡ樹脂の紫外線透過率のスペクトルデータと対比して、明らかに、発光波長域の半分程度の光がタイプＡ樹脂に吸収され、上述の不良に至っていることが分かる。
次に、タイプＢ樹脂のサンプル＃１０（発光中心波長が約３０５ｎｍ）については、上述の発光波長範囲（発光スペクトル強度がピーク値の１００分の１以上）の短波長端が２６５．４ｎｍであるので、図６に示すタイプＢ樹脂の吸収波長範囲の長波長端（２５５〜２７５ｎｍ近傍）と一致している。サンプル＃１０において上述の不良が発生していないことから、搭載する紫外線発光素子の発光波長範囲が、封止樹脂であるタイプＢ樹脂の吸収波長範囲と重複していない、或いは、重複していても、発光スペクトル強度がピーク値の１％程度以下の波長域が、吸収率が極めて小さい吸収波長範囲の長波長端側の裾野部分と重複しているに過ぎず、実用上問題ないと、判断できる。以上より、タイプＢ樹脂の吸収波長範囲の長波長端が２５５〜２７５ｎｍ近傍に存在するという上述の目視観察による推定は、サンプル＃１０のＩＶ特性から得られる結果より妥当である。更に具体的には、封止樹脂としてタイプＢ樹脂を使用する紫外線発光装置では、搭載する紫外線発光素子の発光波長範囲（発光スペクトル強度がピーク値の１００分の１以上）の短波長端を２５５〜２６５ｎｍ以上に設定すれば良く、発光中心波長では、２９０ｎｍ以上、より好ましくは３００ｎｍ以上の紫外線発光素子を使用することで、上述の不良を回避することが可能となる。これは、搭載する紫外線発光素子の発光波長範囲が、封止樹脂であるタイプＢ樹脂の吸収波長範囲と重複していないことを前提とした場合、上述の発光波長範囲（発光スペクトル強度がピーク値の１００分の１以上）の定義に対しては、タイプＢ樹脂の吸収波長範囲の長波長端は約２５５〜２６５ｎｍとなる。発光波長範囲の定義を、発光スペクトル強度がピーク値の１００分の２以上、或いは、１００分の３以上と変更した場合は、夫々の発光波長範囲の短波長端が、約２６５ｎｍ近傍から、約２７０〜２７２ｎｍ近傍、或いは、約２７５〜２７７ｎｍ近傍へと、約５ｎｍ程度ずつ上昇するので、タイプＢ樹脂の吸収波長範囲の長波長端は、約２６０〜２７０ｎｍ近傍、或いは、約２６５〜２７５ｎｍ近傍へとシフトする。以上より、タイプＢ樹脂の吸収波長範囲の長波長端を厳密に規定すること自体はそれほど重要ではなく、発光波長範囲の定義との関係で、目視観察による推定範囲内で合目的的に柔軟に規定すれば十分であることが分かる。本実施形態では、図５及び図６に示されるように、タイプＢ樹脂の吸収波長範囲が、タイプＡ樹脂の吸収波長範囲より、僅かに短波長側に存在すると認められるので、一例として、発光波長範囲を、発光スペクトル強度がピーク値の１００分の１以上となる波長範囲と定義し、タイプＢ樹脂の吸収波長範囲の長波長端を２６０ｎｍと設定する。尚、他の一例として、発光波長範囲を、発光スペクトル強度がピーク値の１００分の２以上となる波長範囲と定義し、タイプＢ樹脂の吸収波長範囲の長波長端を２６５ｎｍと設定しても良く、更には、発光波長範囲を、発光スペクトル強度がピーク値の１００分の３以上となる波長範囲と定義し、タイプＢ樹脂の吸収波長範囲の長波長端を２７０ｎｍと設定しても良い。
一方、タイプＢ樹脂のサンプル＃９では、搭載する紫外線発光素子の発光中心波長が約２６５ｎｍであり、半値全幅が約１２ｎｍであるので、発光波長範囲（発光スペクトル強度がピーク値の１００分の１以上）の短波長端は、約２５０ｎｍであると推定され、また、発光中心波長がタイプＢ樹脂の吸収波長範囲の長波長端より更に短波長側に位置することから、図６に示したタイプＢ樹脂の紫外線透過率のスペクトルデータと対比して、明らかに、発光波長域の半分程度の光がタイプＢ樹脂に吸収され、上述の不良に至っていることが分かる。
次に、タイプＣ樹脂のサンプル＃１１〜＃１４（発光中心波長が約２６０〜３０５ｎｍ）については、発光波長範囲（発光スペクトル強度がピーク値の１００分の１以上）の短波長端は、約２４５ｎｍ〜約２６４ｎｍと推定されるが、何れのサンプルも上述の不良に至っていないことから、タイプＣ樹脂の吸収波長範囲の長波長端は、仮に２００ｎｍ以上の波長域に存在するとしても、２４０ｎｍ近傍より短波長であると考えられる。この点は、図７に示すタイプＣ樹脂のスペクトルデータから目視観察によって推定される吸収波長範囲が２２０ｎｍ近傍より長波長側には存在しない点と符合する。
次に、反応性の末端官能基であるＣＯＯＨ基を備えたタイプＡ樹脂に対して、発光中心波長が約２６０ｎｍの紫外線を照射して、当該照射によりタイプＡ樹脂から発生したガスの成分を分析した実験結果を説明する。実験方法は、溶媒に溶解したタイプＡ樹脂を２００℃で１時間乾燥させて、溶媒を除去した後、上記紫外線を４７９時間照射したタイプＡ樹脂と、上記紫外線を照射しないタイプＡ樹脂の２つのサンプルを準備し、夫々に対してＴＰＤ／ＭＳ（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍｅｄ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ／Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：昇温脱離／質量分析）測定を行い、発生ガスを分析した。当該２つのサンプルに対するＴＰＤ／ＭＳ測定より、上記紫外線を照射したサンプルから発生したガス中に、Ｈ２Ｏ、ＣＯ２及びＣＯが含まれること、特に、Ｈ２ＯとＣＯが顕著に含まれることが確認された。一方、上記紫外線を照射していないサンプルからは、上記紫外線を照射したサンプルと比較してＣＯ２及びＣＯの発生は確認できなかった。両サンプルを対比するとＣＯ発生の有無において大きく相違していることが確認できた。以上の測定結果より、タイプＡ樹脂の反応性の末端官能基であるＣＯＯＨ基が、上記紫外線の照射により分解して、Ｈ２Ｏ、ＣＯ２及びＣＯが発生したことが明らかである。よって、これらの発生ガス、特に、ＣＯがラジカル化して、パッド電極を構成する金属原子と配位結合を起こして、当該金属原子がパッド電極から分離する結果、当該金属原子がマイグレーションを起こして、紫外線発光素子のｐ電極及びｎ電極間に抵抗性のリーク電流経路が形成されて短絡し、上述の発光出力が急激に低下する不良が発生するものと考えられる。
ところで、ｐ電極２８とｎ電極２９間（パッド電極１６，１７間）は、第１及び第２金属電極配線１１，１２間の離間距離より短いため、第１及び第２金属電極配線１１，１２間より電界が大きくなっていて、当該短絡が生じ易いと考えられる。しかし、第１及び第２金属電極配線１１，１２間の離間距離が、紫外線発光素子２のパッド電極１６，１７間と同程度に短いと、同様の短絡現象は起こり得ると考えられる。
以上より、本発明装置では、少なくとも上記金属露出箇所を被覆する封止樹脂３の一部（樹脂膜３ａ）が、反応性の末端官能基であるＣＯＯＨ基或いはＣＯＯＲ基を備えた第１タイプの非晶質フッ素樹脂（タイプＡ樹脂、タイプＢ樹脂）であっても、紫外線発光素子２の発光波長範囲を、当該第１タイプの非晶質フッ素樹脂の吸収波長範囲より長波長側に位置するように設定することで、上述の反応性の末端官能基に起因する発光出力不良の発生が効果的に抑制されることが、上記各検証実験により確認された。
〈別実施形態〉
上記実施形態では、本発明装置の好適な実施形態の一例を詳細に説明した。本発明装置の構成は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変形実施が可能である。以下に、本発明装置の別の態様につき説明する。
〈１〉上記実施形態では、紫外線発光素子２として、図３に例示する構造の紫外線発光ダイオードを想定したが、紫外線発光素子２は、窒化物半導体発光素子であれば、図３に示す構造のものに限定されるものではなく、発光ダイオードの他、半導体レーザも含まれる。
〈２〉上記実施形態では、図１に例示する形状のサブマウント１に１つの紫外線発光素子２のベアチップを載置して、本発明装置を構成する場合を例示した。しかし、サブマウント１を使用する場合において、その形状、構造及び材料は、上記実施形態で例示したものに限定されるものではない。例えば、サブマウント１の側壁部１３の内壁を傾斜面とし、紫外線を反射する金属面を設けても良い。更に、１つのサブマウント１に紫外線発光素子２を１つずつに載置せず、複数の紫外線発光素子２のベアチップを別の基板に直接載置し、個々の紫外線発光素子２を封止樹脂３で個別に封止するようにしても良い。
更に、上記実施形態では、紫外線発光素子２のパッド電極１６，１７は、サブマウント１の表面に形成された第１及び第２金属電極配線１１，１２に夫々接続する場合を例示したが、パッド電極１６，１７と接続する第１及び第２金属電極配線１１，１２は、サブマウント１やプリント基板上に形成された薄膜状の金属配線ではなく、リードフレームのようなパッド電極１６，１７と接する金属部材であって、当該金属部材が、サブマウント１やプリント基板等の絶縁部材と接触せず、紫外線発光素子２とともに封止樹脂により封止される構造であっても構わない。
また、上記実施形態では、紫外線発光素子２をサブマウント１上に、所謂フリップチップ実装する場合を例示したが、紫外線発光素子２の発光をチップ上面から取り出す場合等において、紫外線発光素子２のベアチップの裏面を、サブマウント１、プリント基板、或いは、リードフレーム上に載置し、パッド電極１６，１７と第１及び第２金属電極配線１１，１２等との接続を、ワイヤーボンディングにより行っても構わない。
〈３〉上記実施形態では、金属露出箇所を被覆する樹脂膜３ａを、第１タイプの非晶質フッ素樹脂で１００％構成される場合を例示したが、非反応性の末端官能基を備えた第２タイプの非晶質フッ素樹脂を含んでいても良い。
〈４〉上記実施形態では、第１タイプの非晶質フッ素樹脂の末端官能基が反応性官能基であるＣＯＯＨ基またはＣＯＯＲ基を備える場合を例示し、その場合の紫外線発光素子の発光波長範囲及び発光中心波長について具体的に説明したが、第１タイプの非晶質フッ素樹脂の末端官能基、ＣＯＯＨ基とＣＯＯＲ基に限定されるものではない。末端官能基がＣＯＯＨ基とＣＯＯＲ基以外の反応性官能基である非晶質フッ素樹脂の吸収波長範囲の長波長端が、例えば、２００ｎｍ〜３６５ｎｍの範囲内であれば、紫外線発光素子の発光波長範囲の短波長端を当該２００ｎｍ〜３６５ｎｍの範囲内の長波長端より長波長側に設定することで、紫外線発光素子から出力される紫外線により反応性官能基が分解され、その分解物質がラジカル化して、パッド電極を構成する金属原子と配位結合を起こすことが未然に防止される。この結果、末端官能基がＣＯＯＨ基或いはＣＯＯＲ基である上記実施形態の本発明装置と同様に、当該金属原子がマイグレーションを起こして、紫外線発光素子のｐ電極及びｎ電極間に抵抗性のリーク電流経路が形成されて短絡し、上述の発光出力が急激に低下する不良が発生することが抑制される。
〈５〉上記実施形態では、タイプＡ樹脂及びタイプＢ樹脂の吸収波長範囲の長波長端を、紫外線透過率のスペクトルデータを目視観察することで、大まかに推定した。そして、実際に紫外線発光素子から出力される紫外線によって、反応性の末端官能基が分解され、発光出力に不良が発生するか否かを判断基準として、当該紫外線発光素子の発光波長範囲の短波長端との関係に基づいて、目視観測によって推測した長波長端を更に限定し、当該限定した吸収波長範囲の長波長端に対して、当該紫外線発光素子の発光波長範囲の短波長端を長波長側に設定するという設計指針を確立した。ここで、紫外線発光素子の発光波長範囲の定義の一例として、発光スペクトル強度がピーク値の１％以上となる波長範囲を採用した。
しかし、使用する第１タイプの非晶質フッ素樹脂の紫外線透過率のスペクトルデータが、図５或いは図６に示すような測定誤差によるバラツキを含まず、吸収波長範囲において波長の変化に対して透過率が単調に変化する特性を示す場合は、或いは、測定誤差によるバラツキ（図５及び図６に示すような波長の変化に対して透過率が上下に変化する場合等）を含む場合であっても、当該スペクトルデータに対して、周知のカーブフィッティング処理やスムージング処理を施すことで、波長の変化に対して透過率が単調に変化する特性カーブが得られる場合には、当該スペクトルデータから或る程度正確な長波長端を直接抽出し、実際に紫外線発光素子から出力される紫外線によって、反応性の末端官能基が分解され、発光出力に不良が発生するか否かを判断せずに、紫外線発光素子の発光波長範囲の短波長端を当該抽出された長波長端より長波長側に設定するようにしても良い。
本発明に係る紫外線発光装置は、紫外線発光素子を封止する封止樹脂として非晶質フッ素樹脂を用いる紫外線発光装置に利用可能である。
１： サブマウント（基台）
２： 紫外線発光素子
３： 封止樹脂
３ａ，３ｂ： 樹脂膜
４： 集光レンズ
５： バンプ材料
６： 塗工液
１０： 基材
１１： 第１金属電極配線
１２： 第２金属電極配線
１２ａ： 第２金属電極配線の凸部
１３： 側壁部
１４，１５： リード端子
１６，１７： パッド電極
１８： 間隙
２０： サファイア基板
２１： ＡｌＮ層
２２： ＡｌＧａＮ層
２３： ｎ型クラッド層（ｎ型ＡｌＧａＮ）
２４： 活性層
２５： 電子ブロック層（ｐ型ＡｌＧａＮ）
２６： ｐ型クラッド層（ｐ型ＡｌＧａＮ）
２７： ｐコンタクト層（ｐ型ＧａＮ）
２８： ｐ電極
２９： ｎ電極
３０： 保護絶縁膜
Ａ１： 第１領域
Ａ２： 第２領域

Claims (9)

  1. 窒化物半導体からなる紫外線発光素子と前記紫外線発光素子を被覆する紫外線透過性の封止樹脂を備えてなる紫外線発光装置であって、
    前記紫外線発光素子のパッド電極が、ｐ電極側の第１パッド電極とｎ電極側の第２パッド電極を備えて構成され、
    第１及び第２金属電極配線が基材の表面の一部に形成された基台を備え、
    前記紫外線発光素子が前記基台上にフリップチップ実装により載置され、
    前記紫外線発光素子の前記第１パッド電極と前記基台の前記第１金属電極配線が、前記紫外線発光素子の前記第２パッド電極と前記基台の前記第２金属電極配線が、夫々、互いに対向し、バンプ材料を介して電気的且つ物理的に接続しており、
    前記封止樹脂の内の少なくとも前記紫外線発光素子の前記第１パッド電極と前記第２パッド電極の間に存在し、前記第１パッド電極と前記第２パッド電極の両方と接触する特定部分が、第１タイプの非晶質フッ素樹脂であり、
    前記紫外線発光素子の前記第１及び第２パッド電極が形成されている側と前記基台の上面との間の空隙に、前記第１タイプの非晶質フッ素樹脂が充填されており、
    前記第１タイプの非晶質フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基が、前記パッド電極を構成する金属に対して結合性を呈する反応性官能基であるＣＯＯＨ基またはＣＯＯＲ基を備え、但し、前記ＣＯＯＲ中のＲはアルキル基であり、
    前記紫外線発光素子の発光スペクトル強度がピーク値の１％以上となる発光波長範囲の短波長端の波長が、前記末端官能基が前記ＣＯＯＨ基の場合、２６５ｎｍ以上であり、前記末端官能基が前記ＣＯＯＲ基の場合、２６０ｎｍ以上であり、
    前記封止樹脂の内の前記特定部分以外の部分が、前記第１タイプの非晶質フッ素樹脂とは異なる末端官能基を備えた第２タイプの非晶質フッ素樹脂であり、
    前記第２タイプの非晶質フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基が、前記パッド電極を構成する金属に対して結合性を呈しない非反応性官能基であることを特徴とする紫外線発光装置。
  2. 前記紫外線発光素子の発光中心波長が２９０ｎｍ以上３６５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の紫外線発光装置。
  3. 窒化物半導体からなる紫外線発光素子と前記紫外線発光素子を被覆する紫外線透過性の封止樹脂を備えてなる紫外線発光装置であって、
    前記紫外線発光素子のパッド電極が、ｐ電極側の第１パッド電極とｎ電極側の第２パッド電極を備えて構成され、
    第１及び第２金属電極配線が基材の表面の一部に形成された基台を備え、
    前記紫外線発光素子が前記基台上にフリップチップ実装により載置され、
    前記紫外線発光素子の前記第１パッド電極と前記基台の前記第１金属電極配線が、前記紫外線発光素子の前記第２パッド電極と前記基台の前記第２金属電極配線が、夫々、互いに対向し、バンプ材料を介して電気的且つ物理的に接続しており、
    前記封止樹脂の内の少なくとも前記紫外線発光素子の前記第１パッド電極と前記第２パッド電極の間に存在し、前記第１パッド電極と前記第２パッド電極の両方と接触する特定部分が、第１タイプの非晶質フッ素樹脂であり、
    前記紫外線発光素子の前記第１及び第２パッド電極が形成されている側と前記基台の上面との間の空隙に、前記第１タイプの非晶質フッ素樹脂が充填されており、
    前記第１タイプの非晶質フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基が、前記パッド電極を構成する金属に対して結合性を呈する反応性官能基であるＣＯＯＨ基またはＣＯＯＲ基を備え、但し、前記ＣＯＯＲ中のＲはアルキル基であり、
    前記紫外線発光素子の発光中心波長が２９０ｎｍ以上３６５ｎｍ以下であり、
    前記封止樹脂の内の前記特定部分以外の部分が、前記第１タイプの非晶質フッ素樹脂とは異なる末端官能基を備えた第２タイプの非晶質フッ素樹脂であり、
    前記第２タイプの非晶質フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基が、前記パッド電極を構成する金属に対して結合性を呈しない非反応性官能基であることを特徴とする紫外線発光装置。
  4. 前記紫外線発光素子の発光中心波長が３００ｎｍ以上３６５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２または３に記載の紫外線発光装置。
  5. 窒化物半導体からなる紫外線発光素子と前記紫外線発光素子を被覆する紫外線透過性の封止樹脂を備えてなる紫外線発光装置であって、
    前記紫外線発光素子のパッド電極が、ｐ電極側の第１パッド電極とｎ電極側の第２パッド電極を備えて構成され、
    第１及び第２金属電極配線が基材の表面の一部に形成された基台を備え、
    前記紫外線発光素子が前記基台上にフリップチップ実装により載置され、
    前記紫外線発光素子の前記第１パッド電極と前記基台の前記第１金属電極配線が、前記紫外線発光素子の前記第２パッド電極と前記基台の前記第２金属電極配線が、夫々、互いに対向し、バンプ材料を介して電気的且つ物理的に接続しており、
    前記封止樹脂の内の少なくとも前記紫外線発光素子の前記第１パッド電極と前記第２パッド電極の間に存在し、前記第１パッド電極と前記第２パッド電極の両方と接触する特定部分が、第１タイプの非晶質フッ素樹脂であり、
    前記紫外線発光素子の前記第１及び第２パッド電極が形成されている側と前記基台の上面との間の空隙に、前記第１タイプの非晶質フッ素樹脂が充填されており、
    前記第１タイプの非晶質フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基が、前記パッド電極を構成する金属に対して結合性を呈する反応性官能基であって、
    前記紫外線発光素子の発光スペクトル強度がピーク値の１％以上となる発光波長範囲の短波長端が、前記第１タイプの非晶質フッ素樹脂の吸収波長範囲の長波長端より長波長側にあり、
    前記封止樹脂の内の前記特定部分以外の部分が、前記第１タイプの非晶質フッ素樹脂とは異なる末端官能基を備えた第２タイプの非晶質フッ素樹脂であり、
    前記第２タイプの非晶質フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基が、前記パッド電極を構成する金属に対して結合性を呈しない非反応性官能基であることを特徴とする紫外線発光装置。
  6. 前記重合体または前記共重合体を構成する構造単位が、含フッ素脂肪族環構造を有することを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の紫外線発光装置。
  7. 前記封止樹脂の内の前記第１及び第２金属電極配線と接触する部分が、前記第１タイプの非晶質フッ素樹脂であることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の紫外線発光装置。
  8. 前記非反応性官能基がパーフルオロアルキル基であることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の紫外線発光装置。
  9. 前記非反応性官能基がＣＦ３であることを特徴とする請求項８に記載の紫外線発光装置。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016219505A (ja) * 2015-05-15 2016-12-22 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置
JP6622032B2 (ja) * 2015-08-27 2019-12-18 日機装株式会社 発光装置
KR20170139924A (ko) * 2016-06-10 2017-12-20 엘지전자 주식회사 투명 발광다이오드 필름
WO2018003228A1 (ja) * 2016-07-01 2018-01-04 創光科学株式会社 紫外線発光装置及びその製造方法
WO2018084446A1 (en) * 2016-11-01 2018-05-11 Lg Electronics Inc. Transparent light-emitting diode film
US20180182939A1 (en) * 2016-12-22 2018-06-28 Rayvio Corporation Package for an ultraviolet emitting device
JP2019012755A (ja) * 2017-06-29 2019-01-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
WO2019087348A1 (ja) * 2017-11-02 2019-05-09 創光科学株式会社 紫外線発光装置、紫外線発光装置の製造方法及び紫外線発光モジュールの製造方法
JP6899412B2 (ja) * 2018-07-27 2021-07-07 住友化学株式会社 Ｌｅｄデバイスの製造方法
CN112368850B (zh) 2018-12-14 2021-06-22 新唐科技日本株式会社 半导体装置
WO2021141063A1 (ja) * 2020-01-08 2021-07-15 ダイキン工業株式会社 封止樹脂
CN113140660A (zh) * 2020-01-20 2021-07-20 光宝光电(常州)有限公司 封装结构与封装结构的制作方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003008073A (ja) * 2001-06-26 2003-01-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光素子
US6921929B2 (en) * 2003-06-27 2005-07-26 Lockheed Martin Corporation Light-emitting diode (LED) with amorphous fluoropolymer encapsulant and lens
US20060138443A1 (en) * 2004-12-23 2006-06-29 Iii-N Technology, Inc. Encapsulation and packaging of ultraviolet and deep-ultraviolet light emitting diodes
JP5020480B2 (ja) * 2005-06-14 2012-09-05 電気化学工業株式会社 蛍光体組成物とその用途
JP2007311707A (ja) 2006-05-22 2007-11-29 Ushio Inc 紫外線発光素子パッケージ
CN101466744B (zh) * 2006-06-12 2011-01-05 旭硝子株式会社 固化性组合物及含氟固化物
JPWO2010074038A1 (ja) 2008-12-24 2012-06-14 旭硝子株式会社 発光素子モジュールおよびその製造方法
JP5374697B2 (ja) * 2009-07-09 2013-12-25 ユーヴィックス株式会社 紫外線殺菌浄水装置とそれに使用する紫外線ｌｅｄユニット
JP2011035236A (ja) * 2009-08-04 2011-02-17 U-Vix Corp 白色ｌｅｄ光源ユニット
WO2011099384A1 (ja) * 2010-02-09 2011-08-18 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP5525356B2 (ja) * 2010-07-12 2014-06-18 株式会社ヴィーネックス 紫外光光源及びこれを用いた光学読取装置
EP2907845A4 (en) * 2012-10-12 2016-07-27 Ccs Inc SEALANT COMPOSITION FOR ELECTRICAL AND ELECTRONIC COMPONENTS, COATING MATERIALS FOR ELECTRICAL AND ELECTRONIC COMPONENTS AND LED DEVICE
KR101539206B1 (ko) * 2013-04-30 2015-07-23 소코 가가쿠 가부시키가이샤 자외선 발광 장치

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