TW202135345A - 電子零件之製造方法及電子零件 - Google Patents

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堀田翔平
西岡宏司
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日商住友化學股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種藉由更簡單之方法而製造密封樹脂層與電子元件之密接性優異之電子零件的方法。 一種電子零件之製造方法，其特徵在於依序包含：第1步驟，其於安裝在配線基材上之電子元件之上方設置樹脂片材；第2步驟，其將上述樹脂片材加熱至加熱變形溫度以上；及第3步驟，其一面保持樹脂之加熱變形溫度以上之溫度，一面較第2步驟進一步提高氣體壓力。 於上述第2步驟中，較佳為在使用上述樹脂片材覆蓋住電子元件上方之狀態下，使樹脂片材與配線基材熔合。

Description

電子零件之製造方法及電子零件
本發明係關於一種電子零件之製造方法及電子零件。
於具備LED(Light Emitting Diode，發光二極體)等電子元件之電子零件中，為了防止電子元件劣化，多數情況下會利用環氧樹脂或聚矽氧樹脂來密封該電子元件，亦有利用氟樹脂來密封電子元件之例。
專利文獻1中記載有一種經被覆層(密封層)密封之LED元件，且記載有上述被覆層可藉由以下方式而製作，即，將至少含有四氟乙烯(TFE)、六氟丙烯(HFP)及偏氟乙烯(VdF)之氟聚合物(THV)溶解於溶劑中，製作其黏度適合塗佈之溶液，而後塗佈上述溶液並使其乾燥。又，據專利文獻1記載，為了保持塗佈膜之透明性並且使其厚度變厚，而使用含有氟樹脂之填料來提高溶液之固形物成分濃度。
另一方面，於專利文獻2中，將非晶質氟樹脂溶液注入至紫外線發光元件周圍之空間內，使溶劑揮發而形成樹脂膜後，進而將非晶質氟樹脂放入至該空間內並使其熔融成形，最後將透鏡固定於上表面，藉此製造紫外線發光裝置(段落0063至0066)。該專利文獻2將不透明之原因歸結於結晶性氟樹脂，因此僅使用非晶性氟樹脂(段落0007)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-51876號公報 [專利文獻2]國際公開第2014/178288號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明提供一種藉由更簡單之方法而製造密封樹脂層與電子元件之密接性優異之電子零件的方法、以及密封樹脂層與電子元件之密接性優異且可簡單地製造之電子零件。 [解決問題之技術手段]
可解決上述問題之本發明之製造方法及電子零件包含以下構成。 [1]一種電子零件之製造方法，其特徵在於依序包括： 第1步驟，其於安裝在配線基材上之電子元件之上方設置樹脂片材； 第2步驟，其將上述樹脂片材加熱至加熱變形溫度以上；及 第3步驟，其一面保持樹脂之加熱變形溫度以上之溫度，一面較第2步驟進一步提高氣體壓力。 [2]如上述[1]之製造方法，其中於上述第2步驟中，在使用上述樹脂片材覆蓋住電子元件上方之狀態下，使樹脂片材與配線基材熔合。 [3]如上述[1]或[2]之製造方法，其中於第2步驟中自大氣壓降低壓力，於第3步驟中向大氣壓提高壓力。 [4]如上述[1]至[3]中任一項之製造方法，其中第2步驟及第3步驟中之壓力差為0.01 MPa以上。 [5]如上述[1]至[4]中任一項之製造方法，其中於上述第3步驟之後，繼續加熱直至樹脂片材在電子元件之上表面呈透鏡狀隆起。 [6]如上述[1]至[5]中任一項之製造方法，其中上述樹脂片材含有結晶性氟樹脂，且實質上不含揮發成分。 [7]如上述[6]之製造方法，其中上述結晶性氟樹脂之加熱變形溫度為278℃以下。 [8]如上述[6]或[7]之製造方法，其中上述結晶性氟樹脂為四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物。 [9]如上述[1]至[8]中任一項之製造方法，其中上述樹脂片材之厚度為0.01～2.0 mm。 [10]一種電子零件，其特徵在於具有配線基材、安裝於該配線基板之單面之發光元件、及被覆上述配線基板與發光元件而將發光元件密封之樹脂層，且 在與上述配線基材之底面正交，通過上述零件之重心與發光元件且不通過除發光元件以外之半導體之剖面中，將與以下三個面之合計相當之在剖面中之長度設為100%時，配線基材及發光元件與樹脂層之接觸部在剖面中之長度為60%以上100%以下，上述三個面分別為自與配線基材之底面正交之方向觀察到之配線基材與發光元件之密封前露出面、與上述正交方向平行且面向發光元件側之配線基材之面、以及與上述正交方向平行之發光元件之面。 [11]如上述[10]之電子零件，其中上述發光元件具有與配線基材之底面正交之側面，且該側面之一半高度位置處之樹脂層之厚度為發光元件上表面之樹脂層之厚度的30～300%。 [12]如上述[10]或[11]之電子零件，其中上述樹脂層含有結晶性氟樹脂，且實質上不含揮發成分及填料，上述樹脂層之厚度為0.01 mm以上。 [13]如上述[10]至[12]中任一項之電子零件，其中上述樹脂層包含四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物。 [發明之效果]
根據本發明，可藉由簡單之方法而獲得密封樹脂層與電子元件之密接性優異之電子零件。
[電子零件] 本發明之電子零件中，安裝於配線基材之單面之電子元件(較佳為發光元件)由被覆該電子元件之樹脂層密封。
(1)電子元件 作為上述電子元件(較佳為發光元件)，一般為半導體，可列舉電晶體、二極體等，較佳為半導體二極體。作為半導體二極體，較佳為發光二極體，尤佳為紫外線發光二極體(以下，有時亦稱為紫外線發光元件)。
圖1係表示上述紫外線發光元件之一例之概略剖視圖。作為電子元件之紫外線發光元件1為覆晶型元件，於下側面之一部分具備陽極側之p電極10，且該p電極10上形成有p層12。進而，於紫外線發光元件1之下側面之另一部分具備陰極側之n電極11，且n電極11上形成有n層14。該等n電極11與n層14係較上述p電極10與p層12更向上方位移而形成，處於上方之n層14與處於下方之p層12之間形成有活性層13。此外，處於上方之n層14之進一步上方形成有元件基板15。
作為紫外線發光元件1中之n層14，例如可列舉含有Si之AlGaN層。作為p層12，例如可列舉含有Mg之GaN層。該p層12可視需要製成電子阻擋層等積層構造。作為活性層13，例如可列舉AlGaN層。
藉由使正向電流自p電極10、p層12朝向n層14、n電極11流動，而於活性層13中產生與帶隙能對應之發光。關於帶隙能，藉由調整活性層13之例如AlN莫耳分率，而可於GaN與AlN能夠獲取之帶隙能(約3.4eV與約6.2eV)之範圍內進行控制，從而可獲得發光波長為約200 nm至約365 nm之紫外線發光。
再者，作為元件基板15，可使用藍寶石基板、氮化鋁基板等。作為p電極10之素材，可使用Ni/Au；作為n電極11之素材，可使用Ti/Al/Ti/Au等。又，p電極10與n電極11之間之露出面可利用SiO2 等保護絕緣膜(未圖示)進行被覆，以防短路。
紫外線發光元件1之發光峰值波長可於200～365 nm之範圍內進行適宜設定，較佳為300 nm以下。藉由使發光峰值波長成為300 nm以下，容易發揮殺菌效果，因此可於殺菌用發光裝置中使用紫外線發光元件1。發光峰值波長更佳為280 nm以下。
(2)配線基材 配線基材係表面形成有電極配線之基材，有時稱其為封裝體。於該配線基材上安裝電子元件零件。該配線基材可為表面安裝型、以及表面安裝有複數個電子元件之晶片板型中之任一種。又，該配線基材亦可為連結型配線基材，其用以藉由分割而製造複數個表面安裝型電子零件。進而，表面安裝型、連結型、晶片板型等中所使用之配線基材之形狀可為空腔型，亦可為平板型。又，於表面安裝型、連結型及晶片板型中，上述電子元件可經由凸塊直接設置於配線基材上，亦可將電子元件經由凸塊安裝於子安裝基板上而製成電子元件零件，從而將該電子元件零件設置於配線基材上。 再者，作為上述凸塊，可使用Au、Au-Sn(20質量%)合金等金屬。又，作為子安裝基板，可使用氮化鋁(AlN)、氧化鋁(Al2 O3 )等陶瓷。
(3)樹脂層 作為構成樹脂層之樹脂，較佳為包含被用作密封樹脂(密封材料)之公知樹脂。作為該樹脂，可列舉環氧樹脂、聚矽氧樹脂、氟樹脂等。上述樹脂可為結晶性樹脂，亦可為非晶性樹脂。若使用環氧樹脂或聚矽氧樹脂來密封紫外線發光二極體，則樹脂之劣化可能會因紫外線而變大，相對於此，若使用氟樹脂進行密封，則可抑制樹脂之劣化，因此上述樹脂層較佳為包含氟樹脂。上述樹脂可使用一種，亦可併用兩種以上。再者，於本說明書中，所謂「氟樹脂」意指包含氟之烯烴之聚合物或其改性物，上述改性物例如包含主鏈末端鍵結有-OH或-COOH等極性基者。
作為氟樹脂，想要維持電子零件之性能，則較佳為側鏈中不具有-SO3 H基等極性基之氟樹脂，例如可列舉：四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)、三氟氯乙烯聚合物(PCTFE)、四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物(THV樹脂)等結晶性氟樹脂；鐵氟龍AF(商標；Chemours-Mitsui Fluoroproducts公司製造)、Cytop(商標；AGC公司製造)等非晶質氟樹脂；等。該等氟樹脂可使用一種，亦可併用兩種以上。
作為上述氟樹脂，更佳為結晶性氟樹脂，進而更佳為THV樹脂。關於結晶性氟樹脂、尤其是THV樹脂，因用作電子零件之密封材料時對基材或電子元件具有優異之密接性，故而較佳。
作為上述THV樹脂，較佳為如下樹脂，其包含源自四氟乙烯之結構單元T、源自六氟丙烯之結構單元H及源自偏二氟乙烯之結構單元V，且相對於結構單元T、結構單元H及結構單元V之合計，結構單元T之莫耳比(T)為0.25以上，相對於結構單元T、結構單元H及結構單元V之合計，結構單元V之莫耳比(V)為0.60以下。藉此，可提高針對紫外線發光元件之發熱之耐熱性、以及對紫外線發光裝置之基材等之密接性。
相對於結構單元T、結構單元H及結構單元V之合計，結構單元T之莫耳比(T)較佳為0.25以上。藉此，密接性呈上升趨勢。因此，結構單元T之莫耳比(T)之下限更佳為0.35以上，進而較佳為0.40以上。另一方面，自透明性方面考慮，結構單元T之莫耳比(T)之上限較佳為0.75以下，更佳為0.60以下，進而較佳為0.50以下。
相對於結構單元T、結構單元H及結構單元V之合計，結構單元V之莫耳比(V)較佳為0.60以下。藉此，密接性呈上升趨勢。因此，結構單元V之莫耳比(V)之上限較佳為0.56以下，更佳為0.52以下。另一方面，結構單元V之莫耳比(V)之下限例如為0.20以上，較佳為0.30以上，更佳為0.40以上，進而更佳為0.50以上。
相對於結構單元T、結構單元H及結構單元V之合計，結構單元H之莫耳比(H)較佳為0.05以上，0.50以下。結構單元H之莫耳比(H)之下限更佳為0.07以上，進而較佳為0.09以上。另一方面，自耐熱性方面考慮，結構單元H之莫耳比(H)之上限更佳為0.40以下，進而較佳為0.30以下，進而更佳為0.20以下。
莫耳比(V)相對於莫耳比(T)之比(莫耳比(V)/莫耳比(T))較佳為0.20以上且3.50以下。藉由將莫耳比(V)/莫耳比(T)控制於上述範圍內，密接性呈上升趨勢。又，可防止高溫加熱時之樹脂之著色。莫耳比(V)/莫耳比(T)之下限更佳為0.50以上，進而較佳為1.00以上。另一方面，莫耳比(V)/莫耳比(T)之上限更佳為2.50以下，進而較佳為1.50以下，進而更佳為1.30以下。
莫耳比(H)相對於莫耳比(T)之比(莫耳比(H)/莫耳比(T))較佳為0.10以上且0.80以下。藉由將莫耳比(H)/莫耳比(T)控制於上述範圍內，密接性呈上升趨勢。莫耳比(H)/莫耳比(T)之下限更佳為0.20以上，進而較佳為0.22以上。另一方面，莫耳比(H)/莫耳比(T)之上限更佳為0.60以下，進而較佳為0.40以下，進而更佳為0.30以下。
氟樹脂之各結構單元之莫耳比可藉由NMR(nuclear magnetic resonance，核磁共振)測定而求出。計算莫耳比時，例如，可參照Eric B. Twum等人,“由偏二氟乙烯(VDF)-六氟丙烯(HFP)-四氟乙烯(TFE)生成之三元共聚物之多維19F NMR分析”, 巨分子，2015年, 48卷, 11號, 3563-3576頁。
上述THV樹脂可為包含除結構單元T、結構單元H及結構單元V以外之其他結構單元之樹脂。作為其他結構單元，例如可列舉：源自乙烯之結構單元、源自全氟烷基乙烯基醚之結構單元、源自三氟氯乙烯之結構單元等。
相對於上述THV樹脂之所有結構單元，結構單元T、結構單元H及結構單元V之總莫耳比較佳為0.70以上，更佳為0.80以上，進而較佳為0.90以上，尤佳為0.95以上，最佳為1。即，最佳為未經改性之THV樹脂。藉此，能夠容易提高耐熱變形性。
於將THV樹脂或其改性物用作樹脂之較佳之形態中，樹脂層亦可含有除THV樹脂以外之氟樹脂(以下，有時稱為氟樹脂X)。
作為氟樹脂X，可列舉結晶性氟樹脂，具體而言，可列舉：四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)、三氟氯乙烯聚合物(PCTFE)等。該等氟樹脂X可使用一種，亦可併用兩種以上。
於併用THV樹脂與氟樹脂X之情形時，相對於100質量份之THV，氟樹脂X之量較佳為10質量份以下，更佳為5質量份以下，進而較佳為2質量份以下，尤佳為1質量份以下，最佳為0質量份。即，樹脂層中所含之氟樹脂最佳為僅由THV樹脂構成。藉此，減少了樹脂間之折射率差，於用作電子零件之密封材料時，可提高光提取效率。
上述樹脂之重量平均分子量較佳為50,000以上且1,000,000以下。藉由將重量平均分子量設為50,000以上，可提高熔解時之黏度，因此，可抑制點亮LED時之密封樹脂之形狀變化。上述樹脂之重量平均分子量之下限更佳為100,000以上，進而較佳為200,000以上，進而更佳為250,000以上，尤佳為300,000以上。另一方面，樹脂之重量平均分子量例如為1,000,000以下，較佳為800,000以下，更佳為500,000以下，進而更佳為450,000以下，尤佳為400,000以下。再者，重量平均分子量為標準聚苯乙烯換算值。
於上述樹脂為共聚物之情形時，該共聚物可為無規共聚物或嵌段共聚物中之任一者，較佳為無規共聚物。尤其是藉由將THV樹脂設為無規共聚物樹脂，可抑制結構單元T或結構單元V之結晶度，從而容易確保透明性。
上述樹脂之折射率較佳為超過1.34，更佳為1.35以上，進而較佳為1.36以上。藉此，可減少發光元件(較佳為紫外線發光元件)與樹脂層(密封部)之折射率之差，可降低發光元件與密封部之界面處之全反射而提高光提取效率。再者，所謂光提取效率係指發光元件所產生之光被提取至發光元件之外部之效率。另一方面，上述樹脂之折射率之上限例如可為1.45以下，較佳為1.40以下。折射率可使用目錄值或一般物性表中所記載之數值，可利用阿貝折射計、橢圓偏光計等進行測定。
上述樹脂之加熱變形溫度較佳為90℃以上且278℃以下。藉由使加熱變形溫度成為90℃以上，可防止因電子元件發熱導致密封構件熔融。上述樹脂之加熱變形溫度之下限更佳為100℃以上，進而較佳為110℃以上，進而更佳為115℃以上，尤佳為130℃以上。另一方面，由於作為一般焊接材料之Au-Sn(20質量%)之熔點為278℃，故而藉由使樹脂之加熱變形溫度成為278℃以下，可容易地藉由樹脂之加熱熔融而密封電子元件。又，可防止藉由加熱熔融進行密封時之下述凸塊之熔融。樹脂之加熱變形溫度之上限更佳為200℃以下，進而較佳為170℃以下，進而更佳為150℃以下。
此處，所謂加熱變形溫度，於結晶性樹脂之情形時係指熔點，於非晶性樹脂之情形時係指玻璃轉移溫度。藉由加熱熔融來密封電子元件時，於實質上(以質量為基準，例如為80%以上，較佳為90%以上，更佳為95%以上)包含非晶性樹脂之樹脂片材之情形時，較佳為將樹脂片材加熱至玻璃轉移溫度以上；於實質上(以質量為基準，例如為80%以上，較佳為90%以上，更佳為95%以上)包含結晶性樹脂之樹脂片材之情形時，較佳為將樹脂片材加熱至熔點以上。本發明之樹脂之玻璃轉移溫度或熔點可藉由以下方法而求出，即，例如使用示差掃描熱量計(DSC，Hitachi High-Tech Science股份有限公司製造)，以升溫速度10℃/分鐘使溫度自-50℃變化至200℃，根據由此獲得之DSC曲線(於熔點之情形時為熔解曲線)而測定中間玻璃溫度或熔解峰值溫度(Tm)。例如，3M公司製造之「THV500GZ」之加熱變形溫度(熔點)為165℃左右，3M公司製造之「THV221AZ」之加熱變形溫度(熔點)為115℃左右，AGC公司製造之「Cytop(商標)」之加熱變形溫度(玻璃轉移溫度)為108℃左右。又，適宜用於本發明中之結晶性氟樹脂在室溫下為固體，密封後之表面無觸黏性，且亦具有足夠之硬度，進而，藉由將其加熱至加熱變形溫度(熔點)以上，可表現出適度之流動性，因此即使為單層，亦可密封電子元件。
上述樹脂層較佳為實質上不含揮發成分。樹脂層中所含之揮發成分較佳為5質量%以下，更佳為3質量%以下，進而較佳為1質量%以下。
揮發成分之含有率可藉由熱分析進行測定。樹脂層中所含之揮發成分之含有率可使用示差熱-熱重量同步測定裝置等進行測定，且可藉由以下方式而求出，即，使樹脂層升溫，測定30℃時間點之樹脂層之質量與300℃時間點之樹脂層之質量，並將30℃時間點之樹脂層之質量與300℃時間點之樹脂層之質量之差除以30℃時間點之樹脂層之質量。又，作為揮發成分，可列舉水、溶劑等，於欲特定出揮發成分之情形時，只要併用氣體質譜儀分析該揮發成分即可。
上述樹脂層可視需要進而包含填料及其他成分。藉由使樹脂層含有填料，可防止樹脂之熱分解。再者，樹脂層之基質成分或主要成分為樹脂，樹脂層中之上述樹脂之含量例如為40質量%以上，較佳為50質量%以上，更佳為60質量%以上，進而更佳為70質量%，尤佳為90質量%以上，亦可為100質量%。
作為填料，例如可列舉金屬氟化物、金屬氧化物、金屬磷酸鹽、金屬碳酸鹽、金屬磺酸鹽、金屬硝酸鹽、金屬氮化物、氮化硼等無機填料。填料可使用一種，亦可併用兩種以上。較佳之填料為金屬氟化物。金屬氟化物與適宜用於本發明中之氟樹脂之折射率差較小，於密封發光元件時，可提高光提取效率。
作為金屬氟化物，可列舉氟化鈣、氟化鋇、氟化鍶、氟化鋰、氟化鎂、氟化鈉、冰晶石等，較佳為氟化鎂。該等金屬氟化物可使用一種，亦可併用兩種以上。
填料之粒徑較佳為300 μm以下。藉由使填料之粒徑成為300 μm以下，可減少隨著樹脂之溫度上升而發生變色。填料之粒徑更佳為200 μm以下，進而較佳為100 μm以下，進而更佳為50 μm以下，尤其更佳為30 μm以下，尤佳為20 μm以下。另一方面，填料之粒徑較佳為0.5 μm以上。藉由使填料之粒徑成為0.5 μm以上，可抑制樹脂與填料之間之光散射，且樹脂之透明性優異。填料之粒徑之下限更佳為1 μm以上，進而較佳為5 μm以上。該填料之粒徑係指藉由雷射繞射法所獲得之體積累積頻度為50%時之粒徑D50 。
上述樹脂與填料之折射率之差較佳為0.05以下。藉由如此減少折射率之差，可抑制填料表面(組合物中之填料表面與樹脂之界面)之光散射，因此，可提高光提取效率。上述樹脂與填料之折射率之差更佳為0.04以下，進而較佳為0.03以下。另一方面，上述樹脂與填料之折射率之差之下限並無特別限定，例如可為0.001以上。上述填料之折射率可使用目錄值或一般物性表中所記載之數值，可利用阿貝折射計、橢圓偏光計等進行測定。
於樹脂層含有填料之情形時，相對於樹脂及填料之合計100質量份，填料之量較佳為1質量份以上且60質量份以下。藉由使填料之量成為1質量份以上，能夠容易防止樹脂之熱分解。填料之量之下限更佳為10質量份以上，進而較佳為15質量份以上。另一方面，藉由使填料之量成為60質量份以下，容易發揮樹脂之密接性。填料之量之上限更佳為50質量份以下，進而較佳為45質量份以下。
本發明之電子零件較佳為樹脂層實質上不含填料。藉此，容易使樹脂層之厚度變厚。若樹脂層之厚度變厚，則可提高阻氣性、或抵抗來自外部之機械衝擊之電子元件之保護性能。又，由於實質上不含填料，故而與包含填料之情形時相比，可維持樹脂層之透明性，可提高透鏡之集光性。此處，所謂實質上不含填料，意指樹脂層中所含之填料之濃度為5質量%以下，較佳為3質量%以下，更佳為1質量%以下，進而較佳為0質量%。
(4)電子零件 關於本發明之電子零件，密封樹脂層與電子元件之密接性優異。以下，以使用發光元件作為電子元件之情形為例進行說明，但本發明亦可應用於使用除發光元件以外之電子元件之發明。
電子零件可根據配線基材之種類，即表面安裝型(空腔型、平板型等)、連結型、晶片板型等進行分類。圖2示出了如下所述之表面安裝型電子零件之例，其係發光元件1經由凸塊2直接安裝於空腔形狀之表面安裝型配線基材71，且該發光元件1經樹脂層81密封。如該圖示例所示，樹脂層81與發光元件1及配線基材71之間之空隙較少，故其等良好地密接在一起。
關於樹脂層81與發光元件1及配線基材71之密接性，可在電子零件之剖面中根據樹脂層81與發光元件1及配線基材71之接觸部分之長度進行評估。參照圖2中之密封後之電子零件21與圖3中之密封前之電子零件來具體地說明評估方法。首先，觀察與電子零件21之配線基材71之底面71a正交，通過上述電子零件21之重心與發光元件1且不通過除發光元件1以外之半導體之剖面。該剖面中，將與以下三個面之合計(A＋B＋C＋D＋E＋H＋I＋P＋Q)相當之在剖面中之長度(以下，稱為「基準長度」)作為基準，上述三個面分別為自與配線基材71之底面71a正交之方向(圖3中之X方向)觀察到之配線基材71與電子元件1之密封前露出面(圖3中之A、B、C、D、E)、與上述正交方向(X)平行且面向電子元件1側之配線基材71之面(圖3中之H、I)、以及與上述正交方向(X)平行之電子元件1之面(圖3中之P、Q)。並且，求出樹脂層81與配線基材71及發光元件1之接觸部分(圖2中之a＋b＋c＋d＋e＋h＋i＋p＋q)在剖面中之長度(以下，稱為「接觸部長度」)，根據其相對於上述基準長度之比率(以下，稱為「密接率」)而評估密接性。於本發明之電子零件中，密接率為60%以上，較佳為70%以上，更佳為80%以上。又，密接率為100%以下，較佳為98%以下，更佳為95%以下。再者，所謂密接率超過100%，例如係指以下情形：與基準長度相當之面之整面與樹脂層接觸，進而配線基板之側面或背面等亦與樹脂層接觸。若密接率為上述範圍內，則於密封後之電子零件之製造中之後續步驟中，封裝體之操作性得到提高。
圖4示出了表面安裝型電子零件31之例，其係發光元件1安裝於平板形狀之表面安裝型配線基材72，且該發光元件1經樹脂層81密封。同樣地，於該圖示例中，樹脂層81與發光元件1及配線基材72之間之空隙較少，故其等良好地密接在一起。
樹脂層81與發光元件1及配線基材72之密接性之評估方法與上述圖2、圖3之電子零件21之示例相同。即，自與配線基材72之底面72a正交之方向(圖5中之X方向)觀察到之配線基材72與電子元件1之密封前露出面係圖5中之A、B、C。又，於圖5之示例中不存在與上述正交方向(X)平行且面向電子元件1側之配線基材72之面。與上述正交方向(X)平行之電子元件1之面係圖5中之H、I。於圖4之電子零件31中，相對於基準長度100%之接觸部長度(密接率)包括其較佳範圍在內均與圖2之電子零件21相同。再者，若是具有子安裝基板之電子零件，則將子安裝基板視為發光元件1之一部分，並評估密接性。
圖6示出了連結型或晶片板型電子零件41之例，其係複數個發光元件1安裝於平板配線基材73，且該複數個發光元件1經樹脂層81密封。同樣地，於該圖示例中，樹脂層81與發光元件1及配線基材73之間之空隙較少，故其等良好地密接在一起。
樹脂層81與發光元件1及配線基材73之密接性之評估方法與上述圖4之電子零件31之例相同。於電子零件41中，自與配線基材73之底面73a正交之方向(圖7中之X方向)觀察到之配線基材73與電子元件1之密封前露出面係圖7中之A、B、C、D、E、F、G。又，於圖7之例中不存在與上述正交方向(X)平行且面向電子元件1側之配線基材73之面。與上述正交方向(X)平行之電子元件1之面係圖7中之P1、P2、P3、P4、P5、P6。同樣地，於圖6之電子零件41中，相對於基準長度100%之接觸部長度(密接率)包括其較佳範圍在內均與圖4之電子零件31相同。
再者，上文所述之剖面滿足用以評估電子零件之密接性之上述條件，即通過零件之重心與發光元件且不通過除發光元件以外之半導體之條件，於能夠獲取複數個該剖面之情形時，只要至少一個剖面滿足上述密接率即可。
於上述電子零件之配線基材，可安裝齊納二極體等作為除發光元件以外之半導體。
關於上述電子零件，只要樹脂層密封發光元件，樹脂層便可採用各種形狀，例如可列舉透鏡狀(亦稱為半凸透鏡狀、圓頂狀等)、板狀、圓錐台狀、圓柱狀、半球狀、半橢圓球狀等形狀，較佳為使發光元件之上表面成為透鏡狀(使發光元件之上表面成為凸狀曲面)而用作集光透鏡。圖2、圖4及圖6之電子零件21、31與41中，樹脂層於發光元件1之上表面隆起而形成凸狀曲面(透鏡)82。
覆蓋安裝於配線基材上之發光元件之樹脂層之厚度較佳為0.01 mm以上，更佳為0.10 mm以上，進而較佳為0.15 mm以上，尤佳為0.20 mm以上，最佳為0.30 mm以上，又，較佳為2.00 mm以下，更佳為1.00 mm以下，進而較佳為0.80 mm以下。藉由將樹脂層之厚度設為上述範圍，樹脂層容易成為透鏡形狀，而可進一步提高光提取效率。再者，此處所述之厚度意指自發光元件之上表面至樹脂層之最大高度處(於樹脂層為凸狀透鏡之情形時，係指其頂點)之距離(圖2、圖4及圖6中之h1)。樹脂層之厚度例如可使用X射線Digimicro(Nikon公司製造)等進行測定。再者，於配線基材上安裝有複數個發光元件之情形時，將各發光元件上表面之樹脂層厚度之平均值作為電子零件中之樹脂層之厚度。
於發光元件之側面與配線基材之底面正交時，發光元件側面之一半高度位置處之樹脂層之厚度(意指圖2、圖4及圖6中h2之平均值)相對於發光元件上表面之樹脂層之厚度(h1)，例如為30%以上，較佳為40%以上，更佳為50%以上，例如300%以下，較佳為250%以下，更佳為200%以下。再者，於配線基材上安裝有複數個發光元件之情形時，算出各發光元件中之厚度(h2)相對於厚度(h1)之比率，將其平均值作為電子零件之厚度(h2)相對於厚度(h1)之比率。又，於將發光元件與子安裝基板一同安裝於配線基材之情形時，將子安裝基板包含於發光元件之一部分內而確定一半高度之位置。換言之，於子安裝基板與發光元件之總高度之一半位置處，決定樹脂層之厚度(h2之平均值)之比率。
[電子零件之製造方法] 上述電子零件可藉由圖8、圖9、圖10等所示之方法而製造。具體而言，可藉由依序進行以下步驟而製造：第1步驟(使成為圖8、圖9、圖10中之22、32、42所示狀態之步驟)，於安裝在配線基材71、72、73上之電子元件(較佳為發光元件)1之上方設置樹脂片材83； 第2步驟(使成為圖8、圖9、圖10中之23、33、43所示狀態之步驟)，將上述樹脂片材83加熱至加熱變形溫度以上；及 第3步驟(使成為圖8、圖9、圖10中之24、34、44所示狀態之步驟)，一面保持樹脂之加熱變形溫度以上之溫度，一面較第2步驟進一步提高氣體壓力。藉由在樹脂片材83之加熱變形溫度以上之溫度下提高氣體壓力，可將樹脂片材83壓抵於配線基材71、72、73及電子元件1，從而可提高密封樹脂層81與電子元件之密接性。
(1)第1步驟 於上述第1步驟中，藉由使樹脂組合物預先成形為片狀而製造樹脂片材83，上述樹脂組合物具有與上述樹脂層相同之組成。樹脂片材83之成形方法可採用公知之各種成形方法，例如可採用加壓成形法、擠出成形法、射出成形法、吹塑成形法、塗佈法等使用熔融樹脂或溶解樹脂之成形方法。 樹脂片材83可如圖9及圖10之狀態32或狀態42所示以與電子元件1相接之方式設置於電子元件1之上方，亦可如圖8之狀態22所示，在不與電子元件1相接之狀態下設置於電子元件1之上方。
樹脂片材83較佳為較電子元件1之上表面及側面之總面積而言足夠大。藉由使樹脂片材83變得足夠大，可將整個電子元件1與配線基材71、72、73統一被覆而密封電子元件1。又，當配線基材73安裝有複數個電子元件1時，樹脂片材83較佳為較包含複數個電子元件1之區域之整體面積而言足夠大。藉此，可將複數個電子元件1統一密封。
上述樹脂片材83之厚度較佳為0.01 mm以上，更佳為0.05 mm以上，進而較佳為0.10 mm以上，又，較佳為2.0 mm以下，更佳為1.0 mm以下，進而較佳為0.8 mm以下，尤佳為0.6 mm以下。 樹脂片材83之其他特性(組成、物性等)與上述樹脂層相同。
(2)第2步驟、第3步驟 (2.1)加熱、熔合 第2步驟中之加熱溫度只要為樹脂片材83之加熱變形溫度以上即可。藉由將樹脂片材83加熱至加熱變形溫度以上，樹脂片材83變軟，從而因自身重量而撓曲，或與電子元件1及配線基材71、72、73接觸。然後，藉由提高氣體壓力，可將變軟之樹脂片材83壓抵於配線基材71、72、73及電子元件1，從而可提高密封樹脂層81與電子元件1之密接性。
樹脂片材83之加熱溫度(T1)較佳為樹脂片材83之加熱變形溫度＋10℃以上，更佳為加熱變形溫度＋20℃以上。加熱溫度之上限(U1)例如為278℃以下，更佳為250℃以下。又，加熱溫度之上限(U2)例如為加熱變形溫度＋100℃以下，較佳為加熱變形溫度＋70℃以下。加熱溫度之上限更佳為滿足U1及U2兩者之範圍。
於第2步驟中，樹脂片材83之加熱時間(直至第3步驟中壓力開始上升為止之時間)例如為5分鐘以上，較佳為10分鐘以上，更佳為15分鐘以上，例如為5小時以下，較佳為2小時以下，更佳為1小時以下。
於第2步驟中，可藉由上述加熱在樹脂片材83覆蓋住電子元件1之上方之狀態下使樹脂片材83與配線基材71、72、73熔合。此時，較佳為電子元件1之上表面與樹脂片材83接觸，電子元件1之上表面與樹脂片材83亦可熔合。樹脂片材83與配線基材71、72、73之熔合較佳為於第2步驟中進行減壓時進行，尤佳為在減壓度達到最大(周圍氣壓最小)後進行。若於減壓後進行熔合，則樹脂片材83與配線基材71、72、73之間之空間的減壓狀態得到維持，因此，然後僅藉由向大氣壓提高壓力(僅藉由復壓)，便可將樹脂片材83壓抵於配線基材71、72、73及電子元件1，故較為簡單。
(2.2)壓力 第2步驟與第3步驟中之壓力差例如為0.01 MPa以上，較佳為0.05 MPa以上，更佳為0.08 MPa以上。壓力差之上限並無特別限定，例如為0.5 MPa以下，較佳為0.3 MPa以下，更佳為0.2 MPa以下。
較佳為於第2步驟中自大氣壓降低壓力，於第3步驟中向大氣壓提高壓力。藉由自大氣壓降低壓力即減壓，而排除樹脂片材83與配線基材71、72、73及電子元件1之間之空氣，從而於第3步驟中提高壓力時更容易使樹脂片材83密接。減壓時之第2步驟中之壓力例如為表壓-0.05 MPa以下左右，較佳為-0.07 MPa以下左右，更佳為-0.09 MPa以下左右，尤佳為-0.10 MPa左右。向大氣壓提高壓力時之第3步驟中之壓力例如為表壓-0.04 MPa以上，較佳為-0.02 MPa以上。自步驟之簡單性方面考慮，第3步驟之壓力之上限較佳為表壓0.00 MPa(即大氣壓)，亦可為大於大氣壓之值，如0.10 MPa(表壓)等。
對於第3步驟中之壓力上升，只要於樹脂片材83之加熱變形溫度以上之溫度(T2)下實施即可，可於第2步驟中之由加熱引起之溫度上升之途中開始第3步驟之壓力上升，亦可於加熱之最高溫度下開始壓力上升，亦可於加熱後之冷卻中開始壓力上升。壓力上升開始時之溫度(T2)之較佳之範圍與上述加熱溫度(T1)之較佳之範圍相同。
壓力上升所需時間並無特別限定，例如為30分鐘以下，較佳為20分鐘以下，更佳為10分鐘以下，進而更佳為5分鐘以下，例如為30秒以上，更佳為1分鐘以上。
(3)第4步驟、冷卻步驟 對於藉由上述第1～第3步驟所獲得之電子零件24、34、44，可在之後冷卻至未達樹脂之加熱變形溫度，亦可於進行以下第4步驟後冷卻至未達樹脂之加熱變形溫度，該第4步驟係以樹脂之加熱變形溫度以上之溫度(T3)繼續進行加熱。若進行第4步驟，則可藉由張力使電子元件1上表面之樹脂層呈透鏡狀(亦稱為半凸透鏡狀、圓頂狀等)隆起，從而可獲得形成有透鏡82之電子零件21、31、44(參照圖8、圖9、圖10)。
第4步驟中之加熱溫度(T3)之範圍與上述加熱溫度(T1)之範圍相同。又，加熱時間(自第3步驟中之壓力上升結束至冷卻至未達加熱變形溫度之溫度為止之時間)例如為10秒以上，較佳為1分鐘以上，更佳為2分鐘以上，例如為30分鐘以下，較佳為20分鐘以下，更佳為10分鐘以下。 [實施例]
以下，將列舉實施例來更具體地說明本發明。但本發明自不必說，並不受以下實施例限制，當然亦可於能夠符合上述及下述主旨之範圍內適當地進行變更而實施，其等均包含在本發明之技術範圍內。 [電子零件元件剖面圖像] 利用X射線CT對實施例及比較例中所獲得之電子零件之剖面進行拍攝。拍攝條件如下所述。 1)裝置 三維計測X射線CT裝置：TDM1000-IS/SP(Yamato Scientific公司製造) 三維立體描繪軟體：VG-Studio MAX(Volume Graphics公司製造) 2)測定條件 管電壓：77 kV 管電流：20 μA 像素數：512×512 pixel 視野尺寸：5.0 mm
Figure 02_image001
×5.0 mmh
製造例1 將0.1 mm厚、15 cm見方之聚四氟乙烯(PTFE)膜(Flon Chemical股份有限公司製造，型號0532-003)作為離型膜積層於5 mm厚、15 cm見方之SUS板上，將中央處具備5 cm見方之貫通孔之0.2 mm厚、15 cm見方之SUS板積層於該PTFE膜上。繼而，將0.99 g之氟樹脂(商品名「THV500GZ」，3M公司製造，熔點範圍165℃)放入至上述5 cm見方之貫通孔中。進而，將0.1 mm厚、15 cm見方之PTFE膜(離型膜)與5 mm厚、15 cm見方之SUS板依序積層而組裝模具。繼而，將壓製機之溫度設為220℃，不加壓而使壓製機之上下板與模具上下之上述SUS板接觸並在該狀態下保持5分鐘，從而使氟樹脂(THV)熔融。然後，於50 MPa之壓力下加壓2分鐘。加壓後，取出模具，另外使用兩塊浸過水之SUS板將模具夾住而使其充分冷卻後，拆分模具而獲得氟樹脂(THV)片材A。
實施例1 將氟樹脂片材A切成3.5 mm見方並放置於深紫外線LED燈(該燈係自Nitride Semiconductors公司製造之型號NS275L-3DFG之燈中，利用丙酮將覆蓋其上表面之密封玻璃加以去除而獲得者，氟樹脂片材A之設置面之尺寸為3.5 mm×3.5 mm)之上表面。將深紫外LED燈放入至真空乾燥機中，於自大氣壓減壓了0.1 MPa以上之狀態下加熱至220℃。於達到220℃後經過30分鐘後，停止抽真空，歷時2分鐘使真空乾燥器內恢復至大氣壓。恢復至大氣壓後，於220℃下保持5分鐘後進行自然降溫。當真空乾燥器之溫度下降至50℃時，打開門取出樣品。 拍攝所獲得之樣品之X射線CT圖像。將結果示於圖11。再者，該剖面與深紫外線LED燈之配線基板之底面71a正交，通過燈之重心與LED元件1，且不通過除LED元件1以外之半導體。實施例1之樣品之密接率為95.6%。
比較例1 將氟樹脂片材A切成3.5 mm見方，放置於深紫外線LED燈(該燈係自Nitride Semiconductors公司製造之型號NS275L-3DFG之燈中，利用丙酮將覆蓋其上表面之密封玻璃加以去除而獲得者，氟樹脂片材A之設置面之尺寸為3.5 mm×3.5 mm)之上表面。將深紫外LED燈放入至真空乾燥機中，於自大氣壓減壓了0.1 MPa以上之狀態下加熱至220℃。於220℃下保持35分鐘後，停止加熱，進行自然降溫。當真空乾燥器之溫度下降至50℃時，歷時2分鐘使真空乾燥器內恢復至大氣壓，然後打開門取出樣品。 拍攝所獲得之樣品之X射線CT圖像。將結果示於圖12。再者，該剖面與深紫外線LED燈之配線基板之底面71a正交，通過燈之重心與LED元件1，且不通過除LED元件1以外之半導體。比較例1之樣品之密接率為29.6%。 [產業上之可利用性]
本發明可用於製造具備電子元件之電子零件，較佳為可用於具備發光元件之電子零件，更佳為可用於具備紫外線發光元件之電子零件。
1:電子元件(發光元件) 2:凸塊 10:p電極 11:n電極 12:p層 13:活性層 14:n層 15:元件基板 21, 24, 31, 34, 41, 44:電子零件 71, 72, 73:配線基材 71a, 72a, 73a:底面 81:樹脂層 82:透鏡 83:樹脂片材
圖1係表示先前之紫外線發光元件之概略剖視圖。 圖2係表示本發明之電子零件之一例之概略剖視圖。 圖3係用以對圖2之電子零件之密接性進行說明之概略剖視圖。 圖4係表示本發明之電子零件之另一例之概略剖視圖。 圖5係用以對圖4之電子零件之密接性進行說明之概略剖視圖。 圖6係表示本發明之電子零件之又一例之概略剖視圖。 圖7係用以對圖6之電子零件之密接性進行說明之概略剖視圖。 圖8係表示本發明之電子零件之製造方法之一例的流程圖。 圖9係表示本發明之電子零件之製造方法之另一例的流程圖。 圖10係表示本發明之電子零件之製造方法之又一例的流程圖。 圖11係實施例中所獲得之電子零件之X射線CT(Computed Tomography，電腦斷層攝影)圖像。 圖12係比較例中所獲得之電子零件之X射線CT圖像。

Claims (13)

  1. 一種電子零件之製造方法，其特徵在於依序包括： 第1步驟，其於安裝在配線基材上之電子元件之上方設置樹脂片材； 第2步驟，其將上述樹脂片材加熱至加熱變形溫度以上；及 第3步驟，其一面保持樹脂之加熱變形溫度以上之溫度，一面較第2步驟進一步提高氣體壓力。
  2. 如請求項1之製造方法，其中於上述第2步驟中，在使用上述樹脂片材覆蓋住電子元件上方之狀態下，使樹脂片材與配線基材熔合。
  3. 如請求項1或2之製造方法，其中於第2步驟中自大氣壓降低壓力，於第3步驟中向大氣壓提高壓力。
  4. 如請求項1至3中任一項之製造方法，其中第2步驟及第3步驟之壓力差為0.01 MPa以上。
  5. 如請求項1至4中任一項之製造方法，其中於上述第3步驟之後，繼續加熱直至樹脂片材在電子元件之上表面呈透鏡狀隆起。
  6. 如請求項1至5中任一項之製造方法，其中上述樹脂片材含有結晶性氟樹脂，且實質上不含揮發成分。
  7. 如請求項6之製造方法，其中上述結晶性氟樹脂之加熱變形溫度為278℃以下。
  8. 如請求項6或7之製造方法，其中上述結晶性氟樹脂為四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物。
  9. 如請求項1至8中任一項之製造方法，其中上述樹脂片材之厚度為0.01～2.0 mm。
  10. 一種電子零件，其特徵在於具有配線基材、安裝於該配線基板之單面之發光元件、及被覆上述配線基板與發光元件而將發光元件密封之樹脂層，且 在與上述配線基材之底面正交，通過上述零件之重心與發光元件且不通過除發光元件以外之半導體之剖面中，將與以下三個面之合計相當之在剖面中之長度設為100%時，配線基材及發光元件與樹脂層之接觸部在剖面中之長度為60%以上100%以下，上述三個面分別為自與配線基材之底面正交之方向觀察到之配線基材與發光元件之密封前露出面、與上述正交方向平行且面向發光元件側之配線基材之面、以及與上述正交方向平行之發光元件之面。
  11. 如請求項10之電子零件，其中上述發光元件具有與配線基材之底面正交之側面，且該側面之一半高度位置處之樹脂層之厚度為發光元件上表面之樹脂層之厚度之30～300%。
  12. 如請求項10或11之電子零件，其中上述樹脂層含有結晶性氟樹脂，且實質上不含揮發成分及填料，上述樹脂層之厚度為0.01 mm以上。
  13. 如請求項10至12中任一項之電子零件，其中上述樹脂層包含四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物。
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