JP2021118336A - 電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】より簡便な手法で封止樹脂層と電子素子との密着性が優れた電子部品を製造する方法を提供する。【解決手段】配線基材に取り付けられた電子素子の上方に樹脂シートを設置する第１工程と、前記樹脂シートを加熱変形温度以上に加熱する第２工程と、樹脂の加熱変形温度以上の温度を保ちながら第２工程よりも雰囲気の圧力を上げる第３工程とをこの順に備えることを特徴とする電子部品の製造方法。前記第２工程で、前記樹脂シートで電子素子の上方を覆った状態で樹脂シートを配線基材と融着させることが好ましい。【選択図】図８

Description

本発明は電子部品の製造方法および電子部品に関する。

ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の電子素子を備えた電子部品では、電子素子の劣化を防ぐために該電子素子をエポキシ樹脂やシリコーン樹脂により封止することが多く、フッ素樹脂により封止する例もある。

特許文献１には、被覆層（封止層）によって封止されたＬＥＤ素子が記載されており、前記被覆層は、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）及びビニリデンフルオライド（ＶｄＦ）を少なくとも含むフッ素ポリマー（ＴＨＶ）を溶媒に溶解して塗布に適した粘度の溶液を作製し、前記溶液を塗布、乾燥することによって作製できると記載されている。また、塗布膜の透明性を維持しつつ厚みを厚くするために、フッ素樹脂からなるフィラーを用いて、溶液の固形分濃度を高くすることが記載されている。

一方、特許文献２では、非晶質フッ素樹脂溶液を紫外線発光素子の周囲の空間に注入し、溶媒を揮発して樹脂膜を形成した後、さらに該空間に非晶質フッ素樹脂を入れて溶融成形し、最後に上面にレンズを固定することで紫外線発光装置を製造している（段落００６３〜００６６）。この特許文献２は、結晶性のフッ素樹脂は不透明化の原因であるとして、非晶性フッ素樹脂のみを使用している（段落０００７）。

特開２００９−５１８７６号公報 国際公開第２０１４／１７８２８８号公報

本発明はより簡便な手法で封止樹脂層と電子素子との密着性が優れた電子部品を製造する方法を提供すること、及び封止樹脂層と電子素子との密着性が優れかつ簡便に製造可能な電子部品を提供することにある。

上記課題を解決することのできた本発明の製造方法および電子部品は、以下の構成からなる。
［１］ 配線基材に取り付けられた電子素子の上方に樹脂シートを設置する第１工程と、
前記樹脂シートを加熱変形温度以上に加熱する第２工程と、
樹脂の加熱変形温度以上の温度を保ちながら第２工程よりも雰囲気の圧力を上げる第３工程とをこの順に備えることを特徴とする電子部品の製造方法。
［２］ 前記第２工程で、前記樹脂シートで電子素子の上方を覆った状態で樹脂シートを配線基材と融着させる前記［１］に記載の製造方法。
［３］ 第２工程で大気圧から圧力を下げ、第３工程で大気圧に向けて圧力を上げる前記［１］又は［２］に記載の製造方法。
［４］ 第２工程と第３工程での圧力差が０．０１ＭＰａ以上である前記［１］〜［３］のいずれかに記載の製造方法。
［５］ 前記第３工程の後、樹脂シートが電子素子の上面でレンズ状に盛り上がるまで加熱を継続する前記［１］〜［４］のいずれかに記載の製造方法。
［６］ 前記樹脂シートが結晶性フッ素樹脂を含み、かつ実質的に揮発成分を含まない前記［１］〜［５］のいずれかに記載の製造方法。
［７］ 前記結晶性フッ素樹脂の加熱変形温度が２７８℃以下である前記［６］に記載の製造方法。
［８］ 前記結晶性フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン−フッ化ビニリデン共重合体である前記［６］又は［７］に記載の製造方法。
［９］ 前記樹脂シートの厚さが、０．０１〜２．０ｍｍである前記［１］〜［８］のいずれかに記載の製造方法。
［１０］ 配線基材と、この配線基板の片面に取り付けられた発光素子と、前記配線基板と発光素子とを被覆して発光素子を封止する樹脂層とを有する電子部品であって、
前記配線基材の底面と直交する断面であって、前記部品の重心と発光素子とを通り、かつ発光素子以外の半導体を通らない断面において、配線基材の底面と直交する方向から観察される配線基材と発光素子の封止前露出面と、前記直交方向と平行な配線基材の面であって発光素子側に向いている面と、前記直交方向と平行な発光素子の面との合計に相当する断面での長さを１００％としたとき、配線基材及び発光素子と樹脂層との接触部の断面での長さが６０％以上１００％以下であることを特徴とする電子部品。
［１１］ 前記発光素子が配線基材の底面と直交する側面を有しており、この側面の半分の高さの位置での樹脂層の厚みが、発光素子上面での樹脂層の厚みに対して、３０〜３００％である前記［１０］に記載の電子部品。
［１２］ 前記樹脂層が結晶性フッ素樹脂を含み、かつ実質的に揮発成分及びフィラーを含まず、厚みが０．０１ｍｍ以上である前記［１０］又は［１１］に記載の電子部品。
［１３］ 前記樹脂層が、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン−フッ化ビニリデン共重合体から構成される前記［１０］〜［１２］のいずれかに記載の電子部品。

本発明によれば、封止樹脂層と電子素子との密着性が優れた電子部品を簡便な手法で得ることができる。

図１は従来の紫外線発光素子を示す概略断面図である。 図２は本発明の電子部品の一例を示す概略断面図である。 図３は図２の電子部品の密着性を説明するための概略断面図である。 図４は本発明の電子部品の他の例を示す概略断面図である。 図５は図４の電子部品の密着性を説明するための概略断面図である。 図６は本発明の電子部品の別の例を示す概略断面図である。 図７は図６の電子部品の密着性を説明するための概略断面図である。 図８は本発明の電子部品の製造方法の一例を示すフロー図である。 図９は本発明の電子部品の製造方法の他の例を示すフロー図である。 図１０は本発明の電子部品の製造方法の別の例を示すフロー図である。 図１１は実施例で得られた電子部品のＸ線ＣＴ画像である。 図１２は比較例で得られた電子部品のＸ線ＣＴ画像である。

［電子部品］
本発明の電子部品は、配線基材の片面に取り付けられた電子素子（好ましくは発光素子）が、該電子素子を被覆する樹脂層で封止されたものである。

（１）電子素子
前記電子素子（好ましくは発光素子）としては、一般的に半導体でありトランジスタ、ダイオードなどが挙げられ、半導体ダイオードが好ましい。半導体ダイオードとしては、発光ダイオードが好ましく、特に紫外線発光ダイオード（以下、紫外線発光素子という場合もある）が好ましい。

図１は前記紫外線発光素子の一例を示す概略断面図である。電子素子としての紫外線発光素子１はフリップチップタイプの素子であり、下側面の一部にアノード側のｐ電極１０を備え、該ｐ電極１０の上にｐ層１２が形成されている。更に紫外線発光素子１の下側面の別の一部に、カソード側のｎ電極１１を備え、ｎ電極１１の上にｎ層１４が形成されている。これらｎ電極１１とｎ層１４は、前記ｐ電極１０とｐ層１２よりも上方にシフトして形成されており、上方に存在するｎ層１４と下方に存在するｐ層１２との間に活性層１３が形成されている。加えて上方に存在するｎ層１４のさらに上に素子基板１５が存在する。

紫外線発光素子１におけるｎ層１４は、例えばＳｉ含有ＡｌＧａＮ層が挙げられる。ｐ層１２は、例えばＭｇ含有ＧａＮ層が挙げられる。このｐ層１２は、必要に応じて電子ブロック層などと積層構造にしてもよい。活性層１３は、例えばＡｌＧａＮ層が挙げられる。

ｐ電極１０、ｐ層１２からｎ層１４、ｎ電極１１に向けて順方向電流を流すことにより活性層１３におけるバンドギャップエネルギーに応じた発光が生じる。バンドギャップエネルギーは、活性層１３の例えばＡｌＮモル分率を調整することにより、ＧａＮとＡｌＮが取り得るバンドギャップエネルギー（約３．４ｅＶと約６．２ｅＶ）の範囲内で制御することができ、発光波長が約２００ｎｍから約３６５ｎｍまでの紫外線発光を得ることができる。

なお素子基板１５には、サファイア基板、窒化アルミニウム基板等が使用可能である。ｐ電極１０の素材としてＮｉ／Ａｕ、ｎ電極１１の素材としてＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ等が使用できる。またｐ電極１０とｎ電極１１の間の露出面は、短絡を防止するためにＳｉＯ₂等の保護絶縁膜（図示せず）により被覆されていてもよい。

紫外線発光素子１の発光ピーク波長は２００〜３６５ｎｍの範囲で適宜設定でき、３００ｎｍ以下であることが好ましい。発光ピーク波長が３００ｎｍ以下であることにより殺菌効果が発揮され易くなるため、殺菌用の発光装置に紫外線発光素子１を用いることができる。発光ピーク波長は、より好ましくは２８０ｎｍ以下である。

（２）配線基材
配線基材は、表面に電極配線が形成された基材であり、パッケージと称されることがある。この配線基材に電子素子部品が取り付けられる。表面実装型、複数の電子素子が表面実装されたチップオンボード型のいずれでもよい。また分割することで複数の表面実装型電子部品を製造するための連結型配線基材あってもよい。さらに表面実装型、連結型、チップオンボード型などに使用される配線基材の形状は、キャビティ型であってもよく、平板型であってもよい。また表面実装型、連結型、及びチップオンボード型において、前記電子素子は、配線基材上にバンプを介して直接設置されていてもよいし、電子素子をサブマウント上にバンプを介して取り付けて電子素子部品とし、該電子素子部品を配線基材に設置してもよい。
なお前記バンプには、Ａｕ、Ａｕ−Ｓｎ（２０質量％）合金等の金属が使用可能である。またサブマウントには、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等のセラミックスが使用できる。

（３）樹脂層
樹脂層を構成する樹脂としては、封止樹脂として使用される公知の樹脂を含むことが好ましい。当該樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などが挙げられる。前記樹脂は、結晶性樹脂であってもよく、非晶性樹脂であってもよい。紫外線発光ダイオードをエポキシ樹脂やシリコーン樹脂で封止すると、紫外線によって樹脂の劣化が大きくなる場合があるのに対して、フッ素樹脂で封止すると樹脂の劣化を抑制できるため、前記樹脂層はフッ素樹脂を含むことが好ましい。前記樹脂は、１種で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。なお、本明細書で「フッ素樹脂」とは、フッ素を含むオレフィンの重合体又はその変性物を意味し、前記変性物には、例えば、主鎖末端に−ＯＨや−ＣＯＯＨなどの極性基が結合するものが含まれる。

フッ素樹脂としては、−ＳＯ₃Ｈ基などの極性基を側鎖に有さないフッ素樹脂が電子部品の性能維持の観点から好ましく、例えば、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、クロロトリフルオロエチレン重合体（ＰＣＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン−フッ化ビニリデン共重合体（ＴＨＶ）などの結晶性フッ素樹脂；テフロンＡＦ（商標；三井・ケマーズフロロプロダクツ社製）、サイトップ（商標；ＡＧＣ社製）などの非晶質フッ素樹脂などが挙げられ、これらフッ素樹脂は、１種で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

前記フッ素樹脂としては、結晶性フッ素樹脂がより好ましく、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン−フッ化ビニリデン共重合体（ＴＨＶ）がよりさらに好ましい。結晶性フッ素樹脂、特にテトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン−フッ化ビニリデン共重合体（ＴＨＶ樹脂）は、基材や電子素子に対する密着性が優れている。

前記ＴＨＶ樹脂としては、テトラフルオロエチレン由来の構成単位Ｔ、ヘキサフルオロプロピレン由来の構成単位Ｈ、及びフッ化ビニリデン由来の構成単位Ｖを含み、構成単位Ｔ、構成単位Ｈ、及び構成単位Ｖの合計に対する構成単位Ｔのモル比（Ｔ）が０．２５以上であり、構成単位Ｔ、構成単位Ｈ、及び構成単位Ｖの合計に対する構成単位Ｖのモル比（Ｖ）が０．６０以下である樹脂が好ましい。これにより紫外線発光素子の発熱に対する耐熱性、および紫外線発光装置の基材等に対する密着性を向上することができる。

構成単位Ｔ、構成単位Ｈ、及び構成単位Ｖの合計に対する構成単位Ｔのモル比（Ｔ）は０．２５以上であることが好ましい。これにより密着性が向上する傾向となる。そのため構成単位Ｔのモル比（Ｔ）の下限は、より好ましくは０．３５以上、更に好ましくは０．４０以上である。一方、構成単位Ｔのモル比（Ｔ）の上限は、透明性の観点から好ましくは０．７５以下、より好ましくは０．６０以下、更に好ましくは０．５０以下である。

構成単位Ｔ、構成単位Ｈ、及び構成単位Ｖの合計に対する構成単位Ｖのモル比（Ｖ）は０．６０以下であることが好ましい。これにより密着性が向上する傾向となる。そのため構成単位Ｖのモル比（Ｖ）の上限は、好ましくは０．５６以下、より好ましくは０．５２以下である。一方、構成単位Ｖのモル比（Ｖ）の下限は、例えば、０．２０以上、好ましくは０．３０以上、より好ましくは０．４０以上、更により好ましくは０．５０以上である。

構成単位Ｔ、構成単位Ｈ、及び構成単位Ｖの合計に対する構成単位Ｈのモル比（Ｈ）は０．０５以上、０．５０以下であることが好ましい。構成単位Ｈのモル比（Ｈ）の下限はより好ましくは０．０７以上、更に好ましくは０．０９以上である。一方、構成単位Ｈのモル比（Ｈ）の上限は、耐熱性の観点からより好ましくは０．４０以下、更に好ましくは０．３０以下、更により好ましくは０．２０以下である。

モル比（Ｖ）のモル比（Ｔ）に対する比（モル比（Ｖ）／モル比（Ｔ））は、０．２０以上、３．５０以下であることが好ましい。モル比（Ｖ）／モル比（Ｔ）を上記範囲に制御することによって、密着性が向上する傾向となる。また、高温加熱時の樹脂の着色を防止できる。モル比（Ｖ）／モル比（Ｔ）の下限は、より好ましくは０．５０以上、更に好ましくは１．００以上である。一方、モル比（Ｖ）／モル比（Ｔ）の上限は、より好ましくは２．５０以下、更に好ましくは１．５０以下、更により好ましくは１．３０以下である。

モル比（Ｈ）のモル比（Ｔ）に対する比（モル比（Ｈ）／モル比（Ｔ））は、０．１０以上、０．８０以下であることが好ましい。モル比（Ｈ）／モル比（Ｔ）を上記範囲に制御することにより、密着性が向上する傾向となる。モル比（Ｈ）／モル比（Ｔ）の下限は、より好ましくは０．２０以上、更に好ましくは０．２２以上である。一方、モル比（Ｈ）／モル比（Ｔ）の上限は、より好ましくは０．６０以下、更に好ましくは０．４０以下、更により好ましくは０．３０以下である。

フッ素樹脂の各構成単位のモル比は、ＮＭＲ測定により求めることができる。モル比の算出に当たっては、例えば Eric B. Twum et al., “Multidimensional 19F NMR Analyses of Terpolymers from Vinylidene Fluoride (VDF)-Hexafluoropropylene(HFP)-Tetrafluoroethylene (TFE)”, Macromolecules、2015年, 48巻, 11号, p.3563-3576を参照することができる。

前記ＴＨＶ樹脂は、構成単位Ｔ、構成単位Ｈ、及び構成単位Ｖ以外の他の構成単位を含む樹脂であってもよい。他の構成単位としては、例えばエチレン由来の構成単位、パーフルオロアルキルビニルエーテル由来の構成単位、クロロトリフルオロエチレン由来の構成単位等が挙げられる。

前記ＴＨＶ樹脂の全構成単位に対する構成単位Ｔ、構成単位Ｈ、及び構成単位Ｖの合計モル比は、好ましくは０．７０以上、より好ましくは０．８０以上、更に好ましくは０．９０以上、特に好ましくは０．９５以上、最も好ましくは１である。即ち変性されていないＴＨＶ樹脂であることが最も好ましい。これにより耐熱変形性を向上し易くすることができる。

樹脂にテトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン−フッ化ビニリデン共重合体又はその変性物（ＴＨＶ樹脂）を用いる好ましい形態において、樹脂層は、ＴＨＶ樹脂以外のフッ素樹脂（以下、フッ素樹脂Ｘという場合がある）を含有していてもよい。

フッ素樹脂Ｘとして、結晶性フッ素樹脂が挙げられ、具体的には、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、クロロトリフルオロエチレン重合体（ＰＣＴＦＥ）等が挙げられる。これらフッ素樹脂Ｘは、１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

ＴＨＶ樹脂とフッ素樹脂Ｘとを併用する場合、ＴＨＶ１００質量部に対するフッ素樹脂Ｘの量は、好ましくは１０質量部以下、より好ましくは５質量部以下、更に好ましくは２質量部以下、特に好ましくは１質量部以下、最も好ましくは０質量部である。即ち、樹脂層に含まれるフッ素樹脂は、ＴＨＶ樹脂からなることが最も好ましい。これにより樹脂間の屈折率差が低減されて光取出し効率を向上することができる。

前記樹脂の重量平均分子量は５０，０００以上、１，０００，０００以下であることが好ましい。重量平均分子量を５０，０００以上とすることにより融解時の粘度を高くすることができるため、ＬＥＤ点灯時の封止樹脂の形状変化を抑制することができる。前記樹脂の重量平均分子量の下限は、より好ましくは１００，０００以上、更に好ましくは２００，０００以上、更により好ましくは２５０，０００以上、特に好ましくは３００，０００以上である。一方、樹脂の重量平均分子量は、例えば、１，０００，０００以下、好ましくは８００，０００以下、より好ましくは５００，０００以下、更により好ましくは４５０，０００以下、特に好ましくは４００，０００以下である。なお、重量平均分子量は標準ポリスチレン換算値である。

前記樹脂が共重合体である場合、該共重合体は、ランダム共重合体、またはブロック共重合体のいずれであってもよいが、ランダム共重合体であることが好ましい。特にＴＨＶ樹脂をランダム共重合体樹脂にすることにより、構成単位Ｔや構成単位Ｖの結晶化度を抑制することができ、透明性を確保しやすい。

前記樹脂の屈折率は、好ましくは１．３４超、より好ましくは１．３５以上、更に好ましくは１．３６以上である。これにより、発光素子（好ましくは紫外線発光素子）と樹脂層（封止部）の屈折率の差を小さくすることができ、発光素子と封止部との界面における全反射を低減して、光取出し効率を向上させることができる。なお光取出し効率とは、発光素子で発生した光が発光素子の外部に取り出される効率のことである。一方、前記樹脂の屈折率の上限は、例えば１．４５以下、好ましくは１．４０以下であってもよい。屈折率は、カタログ値や一般的な物性表に記載の数値を使用しても良いし、アッベ屈折率計、エリプソメーターなどにより測定することができる。

前記樹脂の加熱変形温度は、９０℃以上、２７８℃以下であることが好ましい。加熱変形温度が９０℃以上であることにより、電子素子の発熱による封止部材の溶融を防止できる。前記樹脂の加熱変形温度の下限は、より好ましくは１００℃以上、更に好ましくは１１０℃以上、更により好ましくは１１５℃以上、特に好ましくは１３０℃以上である。一方、一般的なハンダ材であるＡｕ−Ｓｎ（２０質量％）の融点が２７８℃であることから、樹脂の加熱変形温度が２７８℃以下であることにより、樹脂の加熱溶融による電子素子の封止を容易にできる。また加熱溶融で封止するときの後述のバンプの溶融を防止できる。樹脂の加熱変形温度の上限は、より好ましくは２００℃以下、更に好ましくは１７０℃以下、更により好ましくは１５０℃以下である。

ここで、加熱変形温度とは、結晶性樹脂の場合には融点であり、非晶性樹脂の場合にはガラス転移温度である。加熱溶融による電子素子の封止では、実質的に（質量基準で、例えば、８０％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上が）非晶性樹脂からなる樹脂シートの場合はガラス転移温度以上、実質的に（質量基準で、例えば、８０％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上が）結晶性樹脂からなる樹脂シートの場合には、融点以上に樹脂シートを加熱することが好ましい。本発明の樹脂のガラス転移温度又は融点は、例えば示差走査熱量計（ＤＳＣ、株式会社日立ハイテクサイエンス製）を用いて、昇温速度１０℃／分で−５０℃から２００℃の温度まで変化させ、これにより得られるＤＳＣ曲線（融点の場合は融解曲線）から中間ガラス温度又は融解ピーク温度（Ｔｍ）を測定することにより求めることができる。例えば、３Ｍ社製の「ＴＨＶ５００ＧＺ」の加熱変形温度（融点）は１６５℃程度、３Ｍ社製の「ＴＨＶ２２１ＡＺ」の加熱変形温度（融点）は１１５℃程度であり、ＡＧＣ社製の「サイトップ（商標）」の加熱変形温度（ガラス転移温度）は１０８℃程度である。また、本発明で好適に用いられる結晶性フッ素樹脂は、室温で固体であり、封止後の表面にタック性が無く、硬度も十分であり、さらには加熱変形温度（融点）以上への加熱により適度な流動性を発現できることから、単層であっても電子素子を封止することができる。

前記樹脂層は実質的に揮発成分を含まないことが好ましい。樹脂層中に含まれる揮発成分が５質量％以下であることが好ましく、より好ましくは３質量％以下であり、さらに好ましくは１質量％以下である。

揮発成分の含有率は、熱分析により測定できる。樹脂層中に含まれる揮発成分の含有率は、示差熱熱重量同時測定装置等を用いて測定することができ、樹脂層を昇温して、３０℃時点での樹脂層の質量と３００℃時点での樹脂層の質量を測定し、３０℃時点での樹脂層の質量と３００℃時点での樹脂層との質量差を３０℃時点での樹脂層の質量で除することにより求めることができる。また、揮発成分として、水、溶媒等が挙げられるが、揮発成分を特定したい場合には、ガス質量分析機を併用して当該揮発成分を分析すればよい。

前記樹脂層は、必要に応じて、更にフィラー、及びその他の成分を含んでいてもよい。樹脂層がフィラーを含有することによって樹脂の熱分解を防止できる。なお、樹脂層のマトリックス成分又は主成分は樹脂であり、樹脂層中の前記樹脂の含有量は、例えば、４０質量％以上、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上であり、より更に好ましくは７０質量％以上、特に好ましくは９０質量％以上であり、１００質量％であってもよい。

フィラーとしては、例えば、金属フッ化物、金属酸化物、金属リン酸塩、金属炭酸塩、金属スルホン酸塩、金属硝酸塩、金属窒化物、窒化ホウ素等の無機フィラーが挙げられる。フィラーは、１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。好ましいフィラーは、金属フッ化物である。金属フッ化物は、本発明で好適に用いられるフッ素樹脂との屈折率差が小さく、発光素子を封止する際に、光の取り出し効率を高めることができる。

金属フッ化物としては、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化ナトリウム、氷晶石等が挙げられ、フッ化マグネシウムが好ましい。これら金属フッ化物は１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

フィラーの粒径は３００μｍ以下であることが好ましい。フィラーが３００μｍ以下であることにより樹脂の温度上昇に伴う変色を低減することができる。フィラーの粒径は、より好ましくは２００μｍ以下、更に好ましくは１００μｍ以下、更により好ましくは５０μｍ以下、殊更好ましくは３０μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以下である。一方、フィラーの粒径は０．５μｍ以上であることが好ましい。フィラーの粒径を０．５μｍ以上とすることにより樹脂とフィラー間での光の散乱を抑えることができ、樹脂の透明性が優れる。フィラーの粒径の下限は、より好ましくは１μｍ以上、更に好ましくは５μｍ以上である。このフィラーの粒径とは、レーザー回析法による体積累積頻度５０％の粒子径Ｄ₅₀である。

前記樹脂とフィラーとの屈折率の差は、０．０５以下であることが好ましい。このように屈折率の差を低減することにより、フィラーの表面（組成物中における、フィラーの表面と樹脂との界面）での光の散乱を抑制できるため、光取出し効率を向上することができる。前記樹脂とフィラーとの屈折率の差は、より好ましくは０．０４以下、更に好ましくは０．０３以下であることが更により好ましい。一方、前記樹脂とフィラーとの屈折率の差の下限は特に限定されないが例えば０．００１以上であってもよい。前記フィラーの屈折率は、カタログ値や一般的な物性表に記載の数値を使用しても良いし、アッベ屈折率計、エリプソメーターなどにより測定することができる。

樹脂層がフィラーを含有する場合、樹脂及びフィラーの合計１００質量部に対するフィラーの量は１質量部以上、６０質量部以下であることが好ましい。フィラーの量が１質量部以上であることにより、樹脂の熱分解を防止し易くできる。フィラー量の下限は、より好ましくは１０質量部以上、更に好ましくは１５質量部以上である。一方、フィラーの量が６０質量部以下であることにより、樹脂の密着性が発揮され易くなる。フィラーの量の上限は、より好ましくは５０質量部以下、更に好ましくは４５質量部以下である。

本発明の電子部品では、樹脂層が実質的にフィラーを含まないことが好ましい。これにより、樹脂層の厚みを厚くすることが容易になる。樹脂層の厚みが厚くなると、ガスバリア性や外部からの力学的な衝撃に対する電子素子の保護性能が向上する。またフィラーを実質的に含まないことから、フィラーを含む場合と比べて樹脂層の透明性を維持することができ、レンズの集光性を高めることができる。ここで、実質的にフィラーを含まないとは、樹脂層に含まれるフィラー濃度が、５質量％以下、好ましくは３質量％以下、より好ましくは１質量％以下、さらに好ましくは０質量％であることを意味する。

（４）電子部品
本発明の電子部品は、封止樹脂層と電子素子との密着性が優れている。以下、電子素子として発光素子を用いた場合を例にとって説明するが、発光素子以外の電子素子を用いた発明に本発明を適用してもよい。

電子部品は、配線基材の種類、すなわち表面実装型（キャビティ型、平板型など）、連結型、チップオンボード型などに応じて分類できる。図２は、キャビティ形状の表面実装型の配線基材７１にバンプ２を介して発光素子１が直接取り付けられ、該発光素子１が樹脂層８１で封止されている表面実装型の電子部品の例を示す。この図示例の様に、樹脂層８１と発光素子１及び配線基材７１との間には空隙が少なく、これらは良好に密着している。

樹脂層８１と発光素子１及び配線基材７１との密着性は、電子部品の断面において樹脂層８１と発光素子１及び配線基材７１との接触部の長さによって評価できる。図２の封止後の電子部品２１と図３の封止前の電子部品を参照しながら評価方法を具体的に説明する。まず、電子部品２１の配線基材７１の底面７１ａと直交する断面であって、前記電子部品２１の重心と発光素子１とを通り、かつ発光素子１以外の半導体を通らない断面を観察する。この断面において、配線基材７１の底面７１ａと直交する方向（図３中、Ｘの方向）から観察される配線基材７１と電子素子１の封止前露出面（図３中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ）と、前記直交方向（Ｘ）と平行な配線基材７１の面であって電子素子１側に向いている面（図３中、Ｈ、Ｉ）と、前記直交方向（Ｘ）と平行な電子素子１の面（図３中、Ｐ、Ｑ）との合計（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＋Ｅ＋Ｈ＋Ｉ＋Ｐ＋Ｑ）に相当する断面での長さ（以下、「基準長さ」という）を基準とする。そして、配線基材７１及び発光素子１と樹脂層８１との接触部（図２中、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｈ＋ｉ＋ｐ＋ｑ）での断面での長さ（以下、「接触部長さ」という）を求め、前記基準長さに対する割合（以下、「密着率」という）によって密着性を評価する。本発明の電子部品では、密着率が６０％以上であり、好ましくは７０％以上であり、より好ましくは８０％以上である。また密着率は１００％以下であり、好ましくは９８％以下であり、より好ましくは９５％以下である。なお、密着率が１００％を超える場合とは、例えば、基準長さに相当する面の全てで樹脂層と接触し、さらに配線基板の側面や裏面などでも樹脂層と接触している場合である。密着率が上記範囲内であると、封止後の電子部品の製造における後工程において、パッケージの取り扱い性が向上する。

図４は、平板形状の表面実装型の配線基材７２に発光素子１が取り付けられ、該発光素子１が樹脂層８１で封止されている表面実装型の電子部品３１の例を示す。この図示例でも、樹脂層８１と発光素子１及び配線基材７２との間には空隙が少なく、これらは良好に密着している。

樹脂層８１と発光素子１及び配線基材７２の密着性の評価方法は上記図２、図３の電子部品２１の例と同じである。すなわち配線基材７２の底面７２ａと直交する方向（図５中、Ｘの方向）から観察される配線基材７２と電子素子１の封止前露出面は、図５中、Ａ、Ｂ、Ｃとなる。また前記直交方向（Ｘ）と平行な配線基材７２の面であって電子素子１側に向いている面は、図５の例では存在しない。前記直交方向（Ｘ）と平行な電子素子１の面は、図５中、Ｈ、Ｉとなる。図４の電子部品３１においても、基準長さ１００％に対する接触部長さ（密着率）はその好ましい範囲も含め、図２の電子部品２１と同じである。なお、サブマウントを有する電子部品においては、サブマウントを発光素子１の一部と見なし、密着性を評価する。

図６は、平板の配線基材７３に複数の発光素子１が取り付けられ、該複数の発光素子１が樹脂層８１で封止されている連結型またはチップオンボード型の電子部品４１の例である。この図示例でも、樹脂層８１と発光素子１及び配線基材７３との間には空隙が少なく、これらは良好に密着している。

樹脂層８１と発光素子１及び配線基材７３の密着性の評価方法は上記図４の電子部品３１の例と同じである。電子部品４１では、配線基材７３の底面７３ａと直交する方向（図７中、Ｘの方向）から観察される配線基材７３と電子素子１の封止前露出面は、図７中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇとなる。また前記直交方向（Ｘ）と平行な配線基材７３の面であって電子素子１側に向いている面は、図７の例では存在しない。前記直交方向（Ｘ）と平行な電子素子１の面は、図７中、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６となる。図６の電子部品４１においても、基準長さ１００％に対する接触部長さ（密着率）はその好ましい範囲も含め、図４の電子部品３１と同じである。

なお電子部品の密着性を評価するための前記条件、すなわち部品の重心と発光素子とを通り、かつ発光素子以外の半導体を通らないという条件を満足する断面を複数とることが可能な場合、少なくとも１つの断面で前記密着率を満足していればよい。

前記電子部品の配線基材には、発光素子以外の半導体として、テナーダイオードなどが取り付けられていてもよい。

前記電子部品では、樹脂層が発光素子を封止している限り、樹脂層は種々の形状をとることができ、例えば、レンズ状（半凸レンズ状、ドーム状などともいう）、板状、円錐台状、円柱状、半球状、半楕円球状などの形状が挙げられるが、発光素子の上面をレンズ状にして（発光素子の上面を凸状の曲面として）集光レンズとして使用することが好ましい。図２、図４、図６の電子部品２１、３１、４１は、発光素子１の上面で樹脂層が盛り上がって凸状の曲面（レンズ）８２を形成している。

配線基材に取り付けられた発光素子を覆う樹脂層の厚みは、０．０１ｍｍ以上であることが好ましく、より好ましくは０．１０ｍｍ以上、更に好ましくは０．１５ｍｍ以上、特に好ましくは０．２０ｍｍ以上、最も好ましくは０．３０ｍｍ以上であり、また、２．００ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１．００ｍｍ以下、更に好ましくは０．８０ｍｍ以下である。樹脂層の厚みを上記範囲とすることにより、樹脂層がレンズ形状となり易く、光取出し効率をより向上することができる。なお、ここでいう厚みとは、発光素子の上面から樹脂層の最大高さ（樹脂層が凸状レンズの場合、その頂点）までの距離（図２、図４、図６におけるｈ１）のことを意味する。樹脂層の厚みは、例えば、Ｘ線デジマイクロ（Ｎｉｋｏｎ社製）などを用いて測定することができる。なお、配線基材に複数の発光素子が取り付けられている場合、各発光素子上面の樹脂層の厚みの平均値を電子部品での樹脂層の厚みとする。

発光素子の側面が配線基材の底面と直交しているとき、発光素子側面の半分の高さの位置での樹脂層の厚み（図２、図４、図６におけるｈ２の平均を意味する）は、発光素子上面での樹脂層の厚み（ｈ１）に対して、例えば、３０％以上、好ましくは４０％以上、より好ましくは５０％以上であり、例えば、３００％以下、好ましくは２５０％以下、より好ましくは２００％以下である。なお、配線基材に複数の発光素子が取り付けられている場合、各発光素子での厚み（ｈ１）に対する厚み（ｈ２）の割合を算出し、その平均値を電子部品の厚み（ｈ１）に対する厚み（ｈ２）の割合とする。また発光素子がサブマウントと共に配線基材にとりつけられている場合、サブマウントは発光素子の一部に含めて半分の高さの位置を決定する。言い換えれば、サブマウントと発光素子の合計高さに対して半分の位置で、樹脂層の厚み（ｈ２の平均）の割合を決定する。

［電子部品の製造方法］
前記電子部品は、図８、図９、図１０などに示す方法によって製造できる。具体的には、配線基材７１、７２、７３に取り付けられた電子素子（好ましくは発光素子）１の上方に樹脂シート８３を設置する第１工程（図８、図９、図１０中、２２、３２、４２の状態にする工程）と、
前記樹脂シート８３を加熱変形温度以上に加熱する第２工程（図８、図９、図１０中、２３、３３、４３の状態にする工程）と、
樹脂の加熱変形温度以上の温度を保ちながら第２工程よりも雰囲気の圧力を上げる第３工程（図８、図９、図１０中、２４、３４、４４の状態にする工程）とをこの順に行うことによって製造できる。樹脂シート８３の加熱変形温度以上で雰囲気の圧力を上げることによって、樹脂シート８３を配線基材７１、７２、７３及び電子素子１に向けて押しつけることができ、封止樹脂層８１と電子素子との密着性を高くすることができる。

（１）第１工程
前記第１工程において、樹脂シート８３は、上述した樹脂層と同じ組成を有する樹脂組成物を予めシート状に成形することによって製造される。樹脂シート８３の成形方法は公知の種々の成形方法を採用することができ、プレス成形法、押出成形法、射出成形法、ブロー成形法、コーティング法などの、溶融樹脂又は溶解樹脂を用いる成形方法が採用できる。
樹脂シート８３は、図９及び図１０の状態３２又は状態４２の様に電子素子１に接するようにしながら電子素子１の上方に設置してもよいし、図８の状態２２の様に電子素子１とは接しない状態で電子素子１の上方に設置してもよい。

樹脂シート８３は、電子素子１の上面及び側面の合計面積よりも十分に広いことが好ましい。樹脂シート８３を十分広くすることによって、電子素子１全体と配線基材７１、７２、７３をまとめて被覆して電子素子１を封止できる。また配線基材７３に複数の電子素子１が取り付けられている場合、複数の電子素子１を含むエリア全体の面積よりも十分に広いことが好ましい。このことによって複数の電子素子１をまとめて封止することができる。

前記樹脂シート８３の厚みは０．０１ｍｍ以上であることが好ましく、より好ましくは０．０５ｍｍ以上、更に好ましくは０．１０ｍｍ以上であり、また、２．０ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１．０ｍｍ以下、更に好ましくは０．８ｍｍ以下、特に好ましくは０．６ｍｍ以下である。
樹脂シート８３の他の特性（組成、物性など）は前記樹脂層と同じである。

（２）第２工程、第３工程
（２．１）加熱・融着
第２工程での加熱温度は、樹脂シート８３の加熱変形温度以上であればよい。樹脂シート８３を加熱変形温度以上に加熱することにより、樹脂シート８３が柔軟になり、自重により撓んだり、電子素子１や配線基材７１、７２、７３に接触したりする。そして雰囲気の圧力を上げることで柔軟になった樹脂シート８３を配線基材７１、７２、７３及び電子素子１に向けて押しつけることができ、封止樹脂層８１と電子素子１との密着性を高くすることができる。

樹脂シート８３の加熱温度（Ｔ１）は、樹脂シート８３の加熱変形温度＋１０℃以上が好ましく、加熱変形温度＋２０℃以上がより好ましい。加熱温度の上限（Ｕ１）は、例えば、２７８℃以下であり、より好ましくは２５０℃以下である。また加熱温度の上限（Ｕ２）は、例えば、加熱変形温度＋１００℃以下であり、好ましくは加熱変形温度＋７０℃以下である。加熱温度の上限は、Ｕ１及びＵ２の両方を満足する範囲であることがより好ましい。

第２工程での樹脂シート８３の加熱時間（第３工程の圧力上昇を開始するまでの時間）は、例えば、５分以上、好ましくは１０分以上、より好ましくは１５分以上であり、例えば、５時間以下、好ましくは２時間以下、より好ましくは１時間以下である。

第２工程では、前記加熱によって樹脂シート８３が電子素子１の上方を覆った状態で樹脂シート８３を配線基材７１、７２、７３に融着させてもよい。このとき、電子素子１の上面と樹脂シート８３は接触することが好ましく、融着してもよい。樹脂シート８３と配線基材７１、７２、７３との融着は、第２工程で減圧にする場合に行うことが好ましく、特に減圧度が最大（雰囲気圧が最小）になった後に行うことが好ましい。減圧後に融着させると、樹脂シート８３と配線基材７１、７２、７３との間の空間の減圧状態が保たれるため、その後、大気圧に向けて圧力を上げるだけで（復圧するだけで）樹脂シート８３を配線基材７１、７２、７３及び電子素子１に向けて押しつけることができ、簡便である。

（２．２）圧力
第２工程と第３工程での圧力差は、例えば、０．０１ＭＰａ以上、好ましくは０．０５ＭＰａ以上、より好ましくは０．０８ＭＰａ以上である。圧力差の上限は特に限定されないが、例えば、０．５ＭＰａ以下、好ましくは０．３ＭＰａ以下、より好ましくは０．２ＭＰａ以下である。

第２工程で大気圧から圧力を下げ、第３工程で大気圧に向けて圧力を上げることが好ましい。大気圧から圧力を下げること、すなわち減圧にすることで樹脂シート８３と配線基材７１、７２、７３及び電子素子１との間の空気が排除され、第３工程で圧力を上げたときの樹脂シート８３の密着がより容易になる。減圧するときの第２工程での圧力は、例えば、ゲージ圧で−０．０５ＭＰａ以下程度、好ましくは−０．０７ＭＰａ以下程度、より好ましくは−０．０９ＭＰａ以下程度、特に好ましくは−０．１０ＭＰａ程度である。大気圧に向けて圧力を上げるときの第３工程での圧力は、例えば、ゲージ圧で−０．０４ＭＰａ以上、好ましくは−０．０２ＭＰａ以上である。第３工程の圧力の上限は、ゲージ圧で０．００ＭＰａ（すなわち大気圧）であることが工程の簡便さの観点から好ましいが、０．１０ＭＰａ（ゲージ圧）などの大気圧よりも大きな値でもよい。

第３工程での圧力上昇は、樹脂シート８３の加熱変形温度以上の温度（Ｔ２）で実施すれば足り、第２工程での加熱による温度上昇の途中で第３工程の圧力上昇を開始してもよく、加熱の最高温度で圧力上昇を開始してもよく、加熱後の冷却中に圧力上昇を開始してもよい。圧力上昇開始時の温度（Ｔ２）の好ましい範囲は、前述の加熱温度（Ｔ１）の好ましい範囲と同じである。

圧力上昇に要する時間は特に限定されないが、例えば、３０分以下、好ましくは２０分以下、より好ましくは１０分以下、よりさらに好ましくは５分以下であり、例えば、３０秒以上、より好ましくは１分以上である。

（３）第４工程、冷却工程
前記第１〜第３工程によって得られる電子部品２４、３４、４４は、その後、樹脂の加熱変形温度未満に冷却してもよく、樹脂の加熱変形温度以上の温度（Ｔ３）での加熱を継続する第４工程を行ってから樹脂の加熱変形温度未満に冷却してもよい。第４工程を行うと、電子素子１上面の樹脂層を張力によってレンズ状（半凸レンズ状、ドーム状などともいう）に盛り上げることができ、レンズ８２が形成された電子部品２１、３１、４４を得ることができる（図８、図９、図１０参照）。

第４工程での加熱温度（Ｔ３）の範囲は、前記加熱温度（Ｔ１）の範囲と同じである。また加熱時間（第３工程での圧力上昇が終了してから加熱変形温度未満の温度に冷却されるまでの時間）は、例えば、１０秒以上、好ましくは１分以上、より好ましくは２分以上であり、例えば、３０分以下、好ましくは２０分以下、より好ましくは１０分以下である。

以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
［電子部品素子断面画像］
実施例及び比較例で得られた電子部品の断面をＸ線ＣＴによって撮影した。撮影条件は以下の通りである。
１）装置
三次元計測Ｘ線ＣＴ装置：ＴＤＭ１０００−ＩＳ／ＳＰ（ヤマト科学社製）
三次元ボリュームレンダリングソフト：ＶＧ−Ｓｔｕｄｉｏ ＭＡＸ（Ｖｏｌｕｍｅ Ｇｒａｐｈｉｃｓ社製）
２）測定条件
管電圧 ：７７ｋＶ
管電流 ：２０μＡ
画素数 ：５１２×５１２ｐｉｘｅｌ
視野サイズ：５．０ｍｍφ×５．０ｍｍｈ

製造例１
厚さ５ｍｍ、１５ｃｍ角のＳＵＳ板の上に、離型フィルムとしての厚さ０．１ｍｍ、１５ｃｍ角のポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム（株式会社フロンケミカル社製、型番０５３２−００３）を積層し、このＰＴＦＥフィルムの上に、中心に５ｃｍ角の貫通孔を備える厚さ０．２ｍｍ、１５ｃｍ角のＳＵＳ板を積層した。次いでフッ素樹脂（商品名「ＴＨＶ５００ＧＺ」、３Ｍ社製、融点範囲１６５℃）を、上記５ｃｍ角の貫通孔の中に０．９９ｇ入れた。更に厚さ０．１ｍｍ、１５ｃｍ角のＰＴＦＥフィルム（離型フィルム）と、厚さ５ｍｍ、１５ｃｍ角のＳＵＳ板とを順に積層して金型を組立てた。次いで、プレス機の温度を２２０℃に設定し、加圧せずにプレス機の上下板を金型の上下の上記ＳＵＳ板に接触させた状態で５分保持してフッ素樹脂（ＴＨＶ）を溶融させた。その後、５０ＭＰａの圧力で２分間加圧した。加圧後に金型を取り出して、別途、水を通した２枚のＳＵＳ板で金型を挟んで十分に冷却して、金型を分解してフッ素樹脂（ＴＨＶ）シートＡを得た。

実施例１
フッ素樹脂シートＡを３．５ｍｍ角にカットし、深紫外線ＬＥＤランプ（ナイトライド・セミコンダクター社製の型番ＮＳ２７５Ｌ−３ＤＦＧのランプから、その上面を覆う封止ガラスをアセトンで外したもの、フッ素樹脂シートＡの設置面のサイズは３．５ｍｍ×３．５ｍｍ）の上面に置いた。深紫外ＬＥＤランプを真空乾燥機の中に入れ、大気圧から０．１ＭＰａ以上減圧した状態で、２２０℃まで加熱した。２２０℃に達してから３０分後に、真空引きを止め、真空乾燥器の中を２分かけて大気圧に戻した。大気圧に戻してから、５分間、２２０℃を保持した後、自然降温した。真空乾燥器の温度が５０℃に下がった時点で、扉を開け、サンプルを取り出した。
得られたサンプルのＸ線ＣＴ画像を撮影した。結果を図１１に示す。なおこの断面は深紫外線ＬＥＤランプの配線基板の底面７１ａと直交しており、ランプの重心とＬＥＤ素子１とを通っており、かつＬＥＤ素子１以外の半導体は通っていない。実施例１のサンプルの密着率は９５．６％であった。

比較例１
フッ素樹脂シートＡを３．５ｍｍ角にカットし、深紫外線ＬＥＤランプ（ナイトライド・セミコンダクター社製の型番ＮＳ２７５Ｌ−３ＤＦＧのランプから、その上面を覆う封止ガラスをアセトンで外したもの、フッ素樹脂シートＡの設置面のサイズは３．５ｍｍ×３．５ｍｍ）の上面に置いた。深紫外ＬＥＤランプを真空乾燥機の中に入れ、大気圧から０．１ＭＰａ以上減圧した状態で、２２０℃まで加熱した。２２０℃を３５分間保持した後、加熱を止め、自然降温した。真空乾燥器の温度が５０℃に下がった時点で、真空乾燥器の中を２分かけて大気圧に戻してから扉を開け、サンプルを取り出した。
得られたサンプルのＸ線ＣＴ画像を撮影した。結果を図１２に示す。なおこの断面は深紫外線ＬＥＤランプの配線基板の底面７１ａと直交しており、ランプの重心とＬＥＤ素子１とを通っており、かつＬＥＤ素子１以外の半導体は通っていない。比較例１のサンプルの密着率は２９．６％であった。

本発明は電子素子を備えた電子部品の製造に利用でき、好ましくは発光素子、より好ましくは紫外線発光素子を備えた電子部品に利用できる。

１ 電子素子（発光素子）
２ バンプ
１０ ｐ電極
１１ ｎ電極
１２ ｐ層
１３ 活性層
１４ ｎ層
１５ 素子基板
２１、２４、３１、３４、４１、４４ 電子部品
７１、７２、７３ 配線基材
８１ 樹脂層
８２ レンズ
８３ 樹脂シート

Claims (13)

1. 配線基材に取り付けられた電子素子の上方に樹脂シートを設置する第１工程と、
   前記樹脂シートを加熱変形温度以上に加熱する第２工程と、
   樹脂の加熱変形温度以上の温度を保ちながら第２工程よりも雰囲気の圧力を上げる第３工程とをこの順に備えることを特徴とする電子部品の製造方法。
2. 前記第２工程で、前記樹脂シートで電子素子の上方を覆った状態で樹脂シートを配線基材と融着させる請求項１に記載の製造方法。
3. 第２工程で大気圧から圧力を下げ、第３工程で大気圧に向けて圧力を上げる請求項１又は２に記載の製造方法。
4. 第２工程と第３工程での圧力差が０．０１ＭＰａ以上である請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
5. 前記第３工程の後、樹脂シートが電子素子の上面でレンズ状に盛り上がるまで加熱を継続する請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
6. 前記樹脂シートが結晶性フッ素樹脂を含み、かつ実質的に揮発成分を含まない請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法。
7. 前記結晶性フッ素樹脂の加熱変形温度が２７８℃以下である請求項６に記載の製造方法。
8. 前記結晶性フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン−フッ化ビニリデン共重合体である請求項６又は７に記載の製造方法。
9. 前記樹脂シートの厚さが、０．０１〜２．０ｍｍである請求項１〜８のいずれかに記載の製造方法。
10. 配線基材と、この配線基板の片面に取り付けられた発光素子と、前記配線基板と発光素子とを被覆して発光素子を封止する樹脂層とを有する電子部品であって、
    前記配線基材の底面と直交する断面であって、前記部品の重心と発光素子とを通り、かつ発光素子以外の半導体を通らない断面において、配線基材の底面と直交する方向から観察される配線基材と発光素子の封止前露出面と、前記直交方向と平行な配線基材の面であって発光素子側に向いている面と、前記直交方向と平行な発光素子の面との合計に相当する断面での長さを１００％としたとき、配線基材及び発光素子と樹脂層との接触部の断面での長さが６０％以上１００％以下であることを特徴とする電子部品。
11. 前記発光素子が配線基材の底面と直交する側面を有しており、この側面の半分の高さの位置での樹脂層の厚みが、発光素子上面での樹脂層の厚みに対して、３０〜３００％である請求項１０に記載の電子部品。
12. 前記樹脂層が結晶性フッ素樹脂を含み、かつ実質的に揮発成分及びフィラーを含まず、厚みが０．０１ｍｍ以上である請求項１０又は１１に記載の電子部品。
13. 前記樹脂層が、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン−フッ化ビニリデン共重合体から構成される請求項１０〜１２のいずれかに記載の電子部品。

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