KR102019656B1 - 이형 필름 및 이것을 사용한 반도체 디바이스의 제조 방법 - Google Patents

이형 필름 및 이것을 사용한 반도체 디바이스의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

금형이 대형화, 복잡화되어도, 이형 필름을 늘렸을 때에 이형 필름의 두께에 불균일이 생기기 어려운 이형 필름, 및 수지 봉지부가 대형화, 복잡화되어도, 수지 봉지부의 표면의 변형이 억제된 반도체 디바이스를 제조할 수 있는 방법을 제공한다. 반도체 디바이스 (발광 다이오드 (1) 등) 의 반도체 소자 (발광 소자 (12) 등) 를 경화성의 봉지 수지로 봉지하여 수지 봉지부 (렌즈부 (14) 등) 를 형성하는 금형의 캐비티면 (26) 에 배치되는 이형 필름 (30) 으로서, JIS K 7127 에 준거하여 측정한 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률이 10 ∼ 24 MPa 이며, 박리력이 0.8 N/25 mm 이하인 이형 필름 (30) 을 사용한다.

Description

이형 필름 및 이것을 사용한 반도체 디바이스의 제조 방법{RELEASE FILM AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME }
본 발명은, 반도체 디바이스의 반도체 소자를 봉지 수지로 봉지하여 수지 봉지부를 형성하는 금형의 캐비티면에 배치되는 이형 필름, 및 그 이형 필름을 사용한 반도체 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 (발광 다이오드를 포함한다.) 는, 반도체 소자 (발광 소자를 포함한다.) 를 보호하기 위해서, 반도체 소자를 봉지 수지로 봉지한 수지 봉지부를 갖는다. 또, 발광 다이오드에 있어서는, 그 수지 봉지부는, 발광 소자로부터 방사되는 광의 방향을 발광 다이오드의 정면 방향으로 일치시켜, 정면 휘도를 향상시키는 렌즈부로서의 기능도 갖는다.
최근에는, 종래보다 고광속인 조명 용도 (가정용 천정 조명, 자동차용 헤드라이트, 옥외등 등) 에 발광 다이오드를 전개하는 움직임이 확산되고 있다. 발광 다이오드의 고광속을 달성하기 위해서는, 필연적으로 발광 소자를 집적할 필요가 있고, 그것에 따라, 렌즈부가 대형화, 렌즈부의 구조도 복잡화되어 간다.
발광 다이오드의 제조 방법으로서는, 예를 들어, 발광 소자가 실장된 기판을, 그 발광 소자가 금형의 캐비티 내의 소정의 장소에 위치하도록 배치하고, 캐비티 내에 봉지 수지를 충전하여 렌즈부를 형성하는, 이른바 압축 성형법 또는 트랜스퍼 성형법에 의한 방법이 알려져 있다. 그 방법에 있어서는, 통상적으로, 봉지 수지와 금형의 고착을 방지하기 위해, 금형의 캐비티면에 이형 필름이 배치된다 (특허문헌 1).
국제 공개 제2011/037034호
그러나, 종래의 방법에 사용되는 이형 필름은, 렌즈부의 대형화나 복잡화에 대응하여 금형이 대형 또는 그 구조가 복잡한 경우, 이형 필름을 넓은 면적으로 인장하면서 금형의 캐비티를 덮도록 배치할 때나 이형 필름을 넓은 면적 또는 복잡한 구조의 캐비티면에 추종시킬 때에, 이형 필름 전체가 균일하게 늘어나지 않기 때문에, 이형 필름의 두께에 불균일이 생긴다. 그리고, 이형 필름의 두께의 불균일이, 렌즈부의 표면에 전사되어 렌즈부의 표면의 변형으로서 나타난다. 종래와 같이 렌즈부가 소형이고 또한 형상이 복잡하지 않은 경우에는, 이형 필름의 두께의 불균일이 렌즈부의 표면에 전사되기 어려워, 큰 문제는 되지 않지만, 렌즈부가 대형 또는 그 구조가 복잡한 경우에는, 이형 필름의 두께의 불균일이 렌즈부의 표면에 전사되기 쉬워, 렌즈부의 표면의 변형은, 발광 다이오드의 발광 효율의 저하, 배광의 편차 등의 원인이 된다.
본 발명은, 금형의 캐비티가 대형화, 복잡화되어도, 이형 필름을 늘렸을 때에 이형 필름의 두께에 불균일이 생기기 어려운 이형 필름, 및 수지 봉지부가 대형화, 복잡화되어도, 수지 봉지부의 표면의 변형이 억제된 반도체 디바이스를 제조할 수 있는 방법을 제공한다.
본 발명은, 하기 [1］∼ [14］의 구성을 갖는 이형 필름 및 이것을 사용한 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공한다.
[1］반도체 디바이스의 반도체 소자를 경화성의 봉지 수지로 봉지하여 수지 봉지부를 형성하는 금형의 캐비티면에 배치되는 이형 필름으로서,
JIS K 7127 에 준거하여 측정한 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률이, 10 ∼ 24 MPa 이며,
박리력의 최대치가, 0.8 N/25 mm 이하인, 이형 필름.
[2］불소 수지로 이루어지는, [1］의 이형 필름.
[3］상기 불소 수지가, 테트라플루오로에틸렌에 기초하는 단위와 에틸렌에 기초하는 단위와 그것들 이외의 제 3 모노머에 기초하는 단위를 갖는 공중합체인, [2］의 이형 필름.
[4］상기 제 3 모노머가, (퍼플루오로부틸)에틸렌인, [3］의 이형 필름.
[5］상기 공중합체가, 테트라플루오로에틸렌에 기초하는 반복 단위와 에틸렌에 기초하는 반복 단위의 몰비 (테트라플루오로에틸렌/에틸렌) 가 80/20 ∼ 40/60 이며,
(퍼플루오로부틸)에틸렌에 기초하는 반복 단위의 비율이 전체 반복 단위 (100 몰％) 중 5 ∼ 10 몰％ 인,
공중합체인, [4］의 이형 필름.
[6］금형을 사용하여 반도체 소자를 경화성의 봉지 수지로 봉지하여 반도체 디바이스를 제조하는 방법에 있어서, 금형의 봉지 수지가 접하는 캐비티면에, JIS K 7127 에 준거하여 측정한 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률이 10 ∼ 24 MPa 이며, 또한 박리력의 최대치가 0.8 N/25 mm 이하인 이형 필름을 배치하고, 상기 봉지 수지를 상기 이형 필름에 접한 상태에서 경화시켜 수지 봉지부를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
[7］상기 반도체 디바이스가 발광 다이오드이며, 상기 반도체 소자가 발광 소자이며, 상기 수지 봉지부가 렌즈부인, [6］의 반도체 디바이스의 제조 방법.
[8］상기 렌즈부의, 외측에 노출된 부분의 면적이, 56 ㎟ 이상인, [7］의 반도체 디바이스의 제조 방법.
[9］봉지 수지가 열경화성 수지이며, 그 봉지 수지를 상기 이형 필름에 접한 상태에서 열 경화시키는, [6］∼ [8］중 어느 반도체 디바이스의 제조 방법.
[10］금형을 사용하여 수지 봉지부를 형성하는 방법이 압축 성형법인, [6］∼ [9］중 어느 반도체 디바이스의 제조 방법.
[11］금형을 사용하여 수지 봉지부를 형성하는 방법이 트랜스퍼 성형법인, [6］∼ [9］중 어느 반도체 디바이스의 제조 방법.
[12］하기의 공정 (α1) ∼ (α5) 를 갖는, 반도체 디바이스의 제조 방법.
(α1) [1］∼ [5］중 어느 이형 필름을, 금형의 캐비티를 덮도록 배치하는 공정.
(α2) 상기 이형 필름을 상기 금형의 캐비티면의 측에 진공 흡인하는 공정.
(α3) 상기 캐비티 내에 봉지 수지를 충전하는 공정.
(α4) 반도체 소자를 상기 캐비티 내의 소정 위치에 배치하고, 상기 봉지 수지에 의해 상기 반도체 소자를 봉지하여 수지 봉지부를 형성하여, 반도체 디바이스를 얻는 공정.
(α5) 상기 금형 내로부터 상기 반도체 디바이스를 꺼내는 공정.
[13］하기의 공정 (β1) ∼ (β5) 를 갖는, 반도체 디바이스의 제조 방법.
(β1) [1］∼ [5］중 어느 이형 필름을, 금형의 캐비티를 덮도록 배치하는 공정.
(β2) 상기 이형 필름을 상기 금형의 캐비티면의 측에 진공 흡인하는 공정.
(β3) 반도체 소자를 상기 캐비티 내의 소정의 위치에 배치하는 공정.
(β4) 상기 캐비티 내에 봉지 수지를 충전하고, 그 봉지 수지에 의해 상기 반도체 소자를 봉지하여 수지 봉지부를 형성하여, 반도체 디바이스를 얻는 공정.
(β5) 상기 금형 내로부터 상기 반도체 디바이스를 꺼내는 공정.
[14］상기 반도체 디바이스가 발광 다이오드이고,
상기 반도체 소자가 발광 소자이고,
상기 수지 봉지부가 렌즈부이며,
그 렌즈부의 외측에 노출된 부분의 면적이, 56 ㎟ 이상인, [12］또는 [13］ 의 반도체 디바이스의 제조 방법.
본 발명의 이형 필름은, 금형의 캐비티가 대형화, 복잡화되어도, 이형 필름을 늘렸을 때에 이형 필름의 두께에 불균일이 생기기 어렵다.
본 발명의 반도체 디바이스의 제조 방법에 의하면, 수지 봉지부가 대형화, 복잡화되어도, 수지 봉지부의 표면의 변형이 억제된 반도체 디바이스를 제조할 수 있다.
도 1 은, 발광 다이오드의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2 는, 발광 다이오드의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 3 은, 발광 다이오드의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 4 는, 발광 다이오드의 다른 예를 나타내는 사시도이다.
도 5 는, 발광 다이오드의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 6 은, 발광 다이오드의 제조 방법에 있어서의 공정 (α1) 을 나타내는 단면도이다.
도 7 은, 발광 다이오드의 제조 방법에 있어서의 공정 (α2) 를 나타내는 단면도이다.
도 8 은, 발광 다이오드의 제조 방법에 있어서의 공정 (α3) 을 나타내는 단면도이다.
도 9 는, 발광 다이오드의 제조 방법에 있어서의 공정 (α4) 를 나타내는 단면도이다.
도 10 은, 발광 다이오드의 제조 방법에 있어서의 공정 (α5) 를 나타내는 단면도이다.
도 11 은, 발광 다이오드의 제조 방법에 사용하는 금형의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 12 는, 발광 다이오드의 제조 방법에 있어서의 공정 (β1) 을 나타내는 단면도이다.
도 13 은, 발광 다이오드의 제조 방법에 있어서의 공정 (β2) 를 나타내는 단면도이다.
도 14 는, 발광 다이오드의 제조 방법에 있어서의 공정 (β3) 을 나타내는 단면도이다.
도 15 는, 발광 다이오드의 제조 방법에 있어서의 공정 (β4) 를 나타내는 단면도이다.
도 16 은, 발광 다이오드의 제조 방법에 있어서의 공정 (β5) 를 나타내는 단면도이다.
＜이형 필름＞
본 발명의 이형 필름은, 반도체 디바이스 (발광 다이오드를 포함한다.) 의 반도체 소자 (발광 소자를 포함한다.) 를 경화성의 봉지 수지로 봉지하여 수지 봉지부 (렌즈부를 포함한다.) 를 형성하는 금형의 캐비티면에 배치되는 이형 필름이다. 예를 들어, 본 발명의 이형 필름은, 발광 다이오드의 렌즈부를 형성할 때에, 그 렌즈부의 형상에 대응하는 형상의 캐비티를 갖는 금형의 캐비티면을 덮도록 배치되고, 형성된 렌즈부와 캐비티면의 사이에 위치됨으로써, 얻어진 발광 다이오드의 금형으로부터의 이형성을 높이는 필름이다.
(인장 탄성률)
본 발명의 이형 필름의, JIS K 7127 에 준거하여 측정한 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률은, 10 ∼ 24 MPa 이며, 12 ∼ 20 MPa 가 바람직하다.
경화성의 봉지 수지를 경화시킬 때의 금형 온도는 통상적으로 100 ∼ 140 ℃ 이며, 이형 필름의 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률이 상기 범위 내이면, 이 금형 온도 범위에 있어서 이형 필름은 양호한 물성을 나타낸다. 즉, 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률이 24 MPa 이하이면, 이형 필름이 균일하게 늘어나기 때문에, 이형 필름의 두께에 불균일이 생기기 어렵다. 그 결과, 이형 필름의 두께의 불균일이 수지 봉지부의 표면에 전사되는 것에 의한, 수지 봉지부의 표면의 외관 불량 (변형) 을 억제할 수 있다. 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률이 10 MPa 이상이면, 이형 필름을 인장하면서 금형의 캐비티를 덮도록 배치할 때에, 이형 필름이 너무 유연하지 않기 때문에, 이형 필름에 장력이 균일하게 가해져, 주름이 발생하기 어렵다. 그 결과, 이형 필름의 주름이 수지 봉지부의 표면에 전사되는 것에 의한, 수지 봉지부의 표면의 외관 불량을 억제할 수 있다.
이형 필름의 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률은, 구체적으로는, 이형 필름을 단책 형상 (시험편 타입 5) 으로 잘라낸 시험 시트에 대해, 시트 온도 ： 132 ℃, 인장 속도 ： 1 mm/분의 조건으로 인장 시험을 실시함으로써 측정된다.
본 발명의 이형 필름의 인장 탄성률은, 이형 필름용 수지의 결정화도를 조정함으로써 조정할 수 있다. 구체적으로는, 이형 필름용 수지의 결정화도가 낮을수록, 이형 필름의 인장 탄성률은 낮아진다. 이형 필름용 수지의 결정화도는, 예를 들어, 에틸렌/테트라플루오로에틸렌 공중합체 (이하, ETFE 라고 기재한다.) 의 경우, 테트라플루오로에틸렌 (이하, TFE 라고 기재한다.) 및 에틸렌 (이하, E 라고 기재한다.) 이외의 모노머인 제 3 모노머에 기초하는 단위의 종류나 비율을 조정함으로써 조정할 수 있다.
(박리력)
본 발명의 이형 필름의 박리력의 최대치는, 0.8 N/25 mm 이하이며, 0.5 N/25 mm 이하가 바람직하다. 박리력의 최대치가 0.8 N/25 mm 이하이면, 실생산시, 렌즈형으로 경화된 봉지 수지와의 박리가 보다 한층 용이해지기 때문에, 이형 필름과 경화된 봉지 수지가 잘 떨어지지 않아 장치가 정지하는 것과 같은 경우가 발생하기 어려워져, 연속 생산성이 우수하다.
본 발명에 있어서의 이형 필름의 박리력은, JIS K 6854-2 에 준거하여, 이하와 같이, 이형 필름과 경화된 봉지 수지의 180 °박리 시험에서 측정되는 박리력이다. 또한, 경화성의 봉지 수지로서 열경화성 실리콘 수지를 예로 설명한다.
(a) 이형 필름과 알루미늄판의 사이에 열경화성 실리콘 수지를 적량 도포한다.
(b) 열경화성 실리콘 수지를 사이에 둔 이형 필름과 알루미늄판을 130 ℃, 1 MPa 로 5 분간 프레스하여 열경화성 실리콘 수지를 경화시킨다. 또한, 경화된 실리콘 수지층의 두께가 100 ㎛ 가 되도록 상기 열경화성 실리콘 수지의 도포량을 조절한다.
(c) 이형 필름과 경화된 실리콘 수지층과 알루미늄판으로 이루어지는 적층판을 25 mm 폭으로 절단하여 시험편으로 한다.
(d) 인장 시험기를 사용하여, 시험편에 있어서의 경화된 실리콘 수지층에 대한 박리 필름의 상온에 있어서의 180 °박리력을 100 mm/분의 박리 속도로 측정한다.
(e) 힘 (N) - 파지 이동 거리 곡선에 있어서의, 파지 이동 거리 25 mm 내지 125 mm 까지의 박리력의 최대치 (단위는 N/25 mm) 를 구한다.
(f) 5 개의 시험편을 사용하여, 각 이형 필름의 박리력의 최대치의 산술 평균을 구한다.
(두께)
본 발명의 이형 필름의 두께는, 16 ∼ 75 ㎛ 가 바람직하고, 25 ∼ 50 ㎛ 가 보다 바람직하다. 두께가 16 ㎛ 이상이면, 이형 필름의 취급이 용이하고, 이형 필름을 인장하면서 금형의 캐비티를 덮도록 배치할 때에, 주름이 발생하기 어렵다. 두께가 75 ㎛ 이하이면, 이형 필름을 용이하게 변형할 수 있고, 금형의 캐비티의 형상으로의 추종성이 향상되기 때문에, 이형 필름이 견고하게 캐비티면에 밀착될 수 있어, 고품질인 수지 봉지부를 안정적으로 형성할 수 있다. 또, 본 발명의 이형 필름의 두께는, 금형의 캐비티가 클수록, 상기 범위 내에 있어서 얇은 것이 바람직하다. 또, 다수의 캐비티를 갖는 복잡한 금형일수록, 상기 범위 내에 있어서 얇은 것이 바람직하다.
(표면 평활성)
본 발명의 이형 필름의 표면은, 평활한 것이 바람직하다. 표면이 평활한 이형 필름을 사용함으로써, 고품질인 수지 봉지부를 형성하기 쉽고, 예를 들어, 광 학 특성이 우수한 발광 다이오드의 제조가 용이해진다. 또한, 이형 필름의 일방의 표면을 이지 (梨地) 로 하고, 그 표면을 금형의 캐비티측으로 하여 이용하면, 캐비티에의 진공 흡착이 용이해지지만, 그 필름의 사용은 수지 봉지부의 표면에 요철을 생기게 하여, 예를 들어 렌즈부의 경우, 렌즈 정밀도를 저하시킬 우려가 있다.
본 발명의 이형 필름의 표면의 10 점 평균 조도 (Rz) 는, 경면의 경우, 0.01 ∼ 0.1 ㎛ 가 바람직하다. 이지 표면의 경우에는, 0.15 ∼ 3.5 ㎛ 가 바람직하다. Rz 가 0.15 ㎛ 이상이면, 이형 필름의 캐비티에의 진공 흡착이 촉진된다. 또, Rz 가 3.5 ㎛ 이하이면, 수지 봉지부의 표면에 요철이 형성되는 것이 억제된다. Rz 는, JIS B 0601 에 준거하여 측정된다.
(이형 필름용 수지)
이형 필름에는, 이형성, 표면 평활성, 성형시의 금형의 온도인 100 ∼ 140 ℃ 정도에 견딜 수 있는 내열성, 봉지 수지의 유동이나 가압력에 견딜 수 있는 강도가 요구된다. 본 발명의 이형 필름으로서는, 이형성, 내열성, 강도, 고온에 있어서의 신장의 점에서, 폴리올레핀 및 불소 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 수지로 이루어지는 필름이 바람직하고, 불소 수지로 이루어지는 필름이 보다 바람직하다. 본 발명의 이형 필름은, 불소 수지와 비불소 수지를 병용한 필름이어도 되고, 무기 첨가제, 유기 첨가제 등이 배합된 필름이어도 된다.
폴리올레핀으로서는, 이형성 및 금형 추종성의 점에서, 폴리메틸펜텐이 바람직하다. 폴리올레핀은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
불소 수지로서는, ETFE, 폴리테트라플루오로에틸렌, 퍼플루오로 (알킬비닐에테르)/테트라플루오로에틸렌 공중합체 등을 들 수 있고, 고온에서의 신장이 큰 점에서, ETFE 가 특히 바람직하다. 불소 수지는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 또, ETFE 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
ETFE 로서는, 이형 필름용 수지의 결정화도, 즉 이형 필름의 인장 탄성률을 조정하기 쉬운 점에서, 제 3 모노머에 기초하는 단위를 갖는 것이 바람직하고, 소량으로 인장 탄성률의 조정을 실시할 수 있는 점에서, TFE 에 기초하는 단위와 E 에 기초하는 단위와 (퍼플루오로부틸)에틸렌에 기초하는 단위를 갖는 공중합체가 특히 바람직하다.
제 3 모노머로서는, 불소 원자를 갖는 모노머와, 불소 원자를 갖지 않는 모노머를 들 수 있다.
불소 원자를 갖는 모노머의 구체예로서는, 하기의 모노머 (a1) ∼ (a5) 를 들 수 있다.
모노머 (a1) ： 탄소수 3 이하의 플루오로올레핀류.
모노머 (a2) ： X(CF2)nCY=CH2 (단, X, Y 는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 불소 원자이며, n 은 2 ∼ 8 의 정수이다.) 로 나타내는 퍼플루오로알킬에틸렌.
모노머 (a3) ： 플루오로비닐에테르류.
모노머 (a4) ： 관능기 함유 플루오로비닐에테르류.
모노머 (a5) ： 지방족 고리 구조를 갖는 함불소 모노머.
모노머 (a1) 로서는, 플루오로에틸렌류 (트리플루오로에틸렌, 불화비닐리덴, 불화비닐, 클로로트리플루오로에틸렌 등), 플루오로프로필렌류 (헥사플루오로프로필렌 (이하, HFP 라고 기재한다.), 2-하이드로펜타플루오로프로필렌 등) 등을 들 수 있다.
모노머 (a2) 로서는, n 이 2 ∼ 6 의 모노머가 바람직하고, 2 ∼ 4 의 모노머가 보다 바람직하다. 또, X 가 불소 원자, Y 가 수소 원자인 모노머, 즉, (퍼플루오로알킬)에틸렌이 보다 바람직하다. 구체예로서는, 하기의 것을 들 수 있다.
CF3CF2CH=CH2,
CF3CF2CF2CF2CH=CH2((퍼플루오로부틸)에틸렌. 이하, PFBE 라고 기재한다.),
CF3CF2CF2CF2CF=CH2,
CF2HCF2CF2CF=CH2,
CF2HCF2CF2CF2CF=CH2 등.
모노머 (a3) 으로서는, 하기의 것을 들 수 있다. 또한, 하기 중 디엔인 모노머는 고리화 중합할 수 있는 모노머이다.
CF2=CFOCF3,
CF2=CFOCF2CF3,
CF2=CF(CF2)2CF3 (퍼플루오로(프로필비닐에테르). 이하, PPVE 라고 기재한다.),
CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3,
CF2=CFO(CF2)3O(CF2)2CF3,
CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)2(CF2)2CF3,
CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3,
CF2=CFOCF2CF=CF2,
CF2=CFO(CF2)2CF=CF2 등.
모노머 (a4) 로서는, 하기의 것을 들 수 있다.
CF2=CFO(CF2)3CO2CH3,
CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)3CO2CH3,
CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2SO2F 등.
모노머 (a5) 로서는, 퍼플루오로(2,2-디메틸-1,3-디옥솔), 2,2,4-트리플루오로-5-트리플루오로메톡시-1,3-디옥솔, 퍼플루오로(2-메틸렌-4-메틸-1,3-디옥소란) 등을 들 수 있다.
불소 원자를 갖지 않는 모노머의 구체예로서는, 하기의 모노머 (bl) ∼ (b4) 를 들 수 있다.
모노머 (b1) ： 올레핀류.
모노머 (b2) ： 비닐에스테르류.
모노머 (b3) ： 비닐에테르류.
모노머 (b4) ： 불포화 산무수물.
모노머 (b1) 로서는, 프로필렌, 이소부텐 등을 들 수 있다.
모노머 (b2) 로서는, 아세트산비닐 등을 들 수 있다.
모노머 (b3) 으로서는, 에틸비닐에테르, 부틸비닐에테르, 시클로헥실비닐에테르, 하이드록시부틸비닐에테르 등을 들 수 있다.
모노머 (b4) 로서는, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 시트라콘산, 무수 하이믹산(5-노르보르넨-2,3-디카르복실산 무수물) 등을 들 수 있다.
제 3 모노머는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
제 3 모노머로서는, 결정화도의 조정 즉 인장 탄성률의 조정이 하기 쉬운 점에서, 모노머 (a2), HFP, PPVE, 아세트산비닐이 바람직하고, HFP, PPVE, CF3CF2CH=CH2, PFBE 가 보다 바람직하고, PFBE 가 특히 바람직하다.
TFE 에 기초하는 반복 단위와 E 에 기초하는 반복 단위의 몰비 (TFE/E) 는, 80/20 ∼ 40/60 이 바람직하고, 70/30 ∼ 45/55 가 보다 바람직하고, 65/35 ∼ 50/50 이 특히 바람직하다. TFE/E 가 상기 범위 내이면, ETFE 의 내열성 및 기계 물성이 양호해진다.
제 3 모노머에 기초하는 반복 단위의 비율은, 전체 반복 단위 (100 몰％) 중 0.01 ∼ 20 몰％ 가 바람직하고, 0.10 ∼ 15 몰％ 가 보다 바람직하고, 0.20 ∼ 10 몰％ 가 특히 바람직하다. 제 3 모노머에 기초하는 반복 단위의 비율이 상기 범위 내이면, ETFE 의 내열성 및 기계 물성이 양호해진다.
제 3 모노머가 PFBE 인 경우, PFBE 에 기초하는 반복 단위의 비율은, 전체 반복 단위 (100 몰％) 중 5 ∼ 10 몰％ 가 바람직하고, 5 ∼ 7 몰％ 가 특히 바람직하다. PFBE 에 기초하는 반복 단위의 비율이 상기 범위 내이면, 이형 필름의 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률을 상기 범위 내로 조정할 수 있다.
또한, PFBE 에 기초하는 반복 단위의 비율을 많게 하면, (i) 필름이 너무 유연해져 취급이 곤란, (ii) 올리고머가 많아져 필름 제조의 롤이 오염되기 쉽고, (iii) 내열성이 낮아 이형 필름으로서 사용하기 어려운, 등의 문제가 있기 때문에, 종래의 이형 필름용 ETFE 에 있어서는, PFBE 에 기초하는 반복 단위를 5 몰％ 이상으로 하는 경우는 없었다. 즉, 종래의 이형 필름용 ETFE 에서는, 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률을 24 MPa 이하로 하는 경우는 없었다.
ETFE 의 용융 유량 (MFR) 은, 2 ∼ 40 g/10 분이 바람직하고, 5 ∼ 30 g/10 분이 보다 바람직하고, 10 ∼ 20 g/10 분이 특히 바람직하다. ETFE 의 MFR 이 상기 범위 내이면, ETFE 의 성형성이 향상되고, 이형 필름의 기계 특성이 향상된다.
ETFE 의 MFR 은, ASTM D3159 에 준거하여, 5 kg 부하를 사용하여 297 ℃ 에서 측정되는 값이다.
(이형 필름의 제조 방법)
본 발명의 이형 필름은, 예를 들어, 이형 필름용 수지를 사용하여, 소정의 립폭을 갖는 T 다이를 구비하는 압출기에 의한 용융 성형 등에 의해 제조할 수 있다.
(작용 효과)
이상 설명한 본 발명의 이형 필름에 있어서는, 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률이 10 ∼ 24 MPa 이기 때문에, 이형 필름에 주름을 발생시키는 일 없이 이형 필름을 균일하게 늘릴 수 있다. 따라서, 이형 필름을 넓은 면적으로 인장하면서 금형의 캐비티를 덮도록 배치할 때나 이형 필름을 넓은 면적 또는 복잡한 구조의 캐비티면에 추종시킬 때에, 이형 필름의 두께에 불균일이 생기기 어렵다. 그 결과, 이형 필름의 두께의 불균일이 수지 봉지부의 표면에 전사됨으로써 나타나는, 수지 봉지부의 표면의 변형이 억제된다. 수지 봉지부가 발광 다이오드의 렌즈부이면, 양호한 렌즈부를 가지며, 우수한 광학 특성을 나타내는 발광 다이오드를 안정적으로 제조할 수 있다.
＜반도체 디바이스＞
후술하는 본 발명의 반도체 디바이스의 제조 방법에 의해 제조되는 반도체 디바이스로서는, 트랜지스터, 다이오드 등의 반도체 소자를 집적한 집적 회로 ； 발광 소자를 갖는 발광 다이오드 등을 들 수 있다.
(발광 다이오드)
이하, 반도체 디바이스의 일례로서 발광 다이오드에 대해 설명한다.
발광 다이오드는, 예를 들어, 기판과, 기판 상에 실장된 발광 소자와, 발광 소자를 봉지하는 렌즈부를 갖는다.
발광 다이오드를 백색 발광 다이오드로 하는 경우에는, 형광체를 분산시킨 수지로 발광 소자를 봉입한 상태에서, 그 주위를 봉지 수지로 봉지하여 렌즈부를 형성한다.
렌즈부의, 외측에 노출된 부분의 면적 (이하, 표면적이라고 기재한다.) 은, 56 ㎟ 이상이 바람직하다. 종래의 이형 필름을 사용한 경우에, 렌즈부의 표면에 변형이 발생하기 쉬운 표면적이 56 ㎟ 이상의 렌즈부여도, 본 발명의 이형 필름을 사용함으로써, 렌즈부의 표면에 변형이 발생하기 어렵다. 렌즈부의 표면적은, 56 ∼ 628 ㎟ 가 보다 바람직하고, 56 ∼ 353 ㎟ 가 특히 바람직하다.
렌즈부의 형상으로서는, 대략 반구형 ； 원주 형상의 수지 봉지부와 그 위의 대략 반구 형상의 렌즈부로 이루어지는 포탄형 ； 프레넬 렌즈형 ； 원주를 축방향으로 이등분한 형상의 반원주형 ； 복수의 대략 반구 형상의 렌즈부가 연속해서 일체가 되어 늘어선 대략 반구 렌즈 어레이형 등을 들 수 있다.
도 1 은, 발광 다이오드의 일례를 나타내는 단면도이다.
발광 다이오드 (1) 는, 기판 (10) 과, 기판 (10) 상에 실장된 발광 소자 (12) 와, 발광 소자 (12) 를 봉지하는 대략 반구형의 렌즈부 (14) 를 갖는다.
도 2 는, 발광 다이오드의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
발광 다이오드 (1) 는, 기판 (10) 과, 기판 (10) 상에 실장된 발광 소자 (12) 와, 발광 소자 (12) 를 봉지하는 포탄형의 렌즈부 (14) 를 갖는다.
도 3 은, 발광 다이오드의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
발광 다이오드 (1) 는, 기판 (10) 과, 기판 (10) 상에 실장된 발광 소자 (12) 와, 발광 소자 (12) 를 봉지하는 프레넬 렌즈형의 렌즈부 (14) 를 갖는다.
도 4 는, 발광 다이오드의 다른 예를 나타내는 사시도이다.
발광 다이오드 (1) 는, 기판 (10) 과, 기판 (10) 상에 실장된 발광 소자 (12) 와, 발광 소자 (12) 를 봉지하는 반원주형의 렌즈부 (14) 를 갖는다.
도 5 는, 발광 다이오드의 다른 예를 나타내는 사시도이다.
발광 다이오드 (1) 는, 기판 (10) 과, 기판 (10) 상에 실장된 복수의 발광 소자 (12) 와, 복수의 발광 소자 (12) 를 통합하여 봉지하는 대략 반구 렌즈 어레이형의 렌즈부 (14) 를 갖는다.
＜경화성의 봉지 수지＞
경화성의 봉지 수지로서는, 열경화성 수지나 광경화성 수지 등을 들 수 있고, 금형 내에서 경화되어 경화된 수지가 된다. 경화성의 봉지 수지는 유동성을 가지며, 성형시에 금형의 캐비티의 내면 형상에 추종하여, 그 상태로 경화되어 성형물이 된다. 경화성의 봉지 수지는 통상적으로 상온에서 유동성을 갖는 것이 사용되지만, 금형에 충전될 때에 가열되어 유동화되는, 상온에서 고체의 수지여도 된다. 또한, 고체 상태 (예를 들어, 분말 상태) 로 금형에 충전되고, 금형 내에서 가열되어 일단 유동 상태가 된 후에 경화되는 수지여도 된다. 또한, 경화성의 봉지 수지는 첨가제 등의 임의 성분이 함유되어 있어도 된다. 예를 들어, 충전제나 안료 등의 고체 분말이 배합되어 있어도 된다.
경화성의 봉지 수지로서는, 열경화성 수지가 바람직하다. 열경화성 수지로서는, 경화시에 저분자량물이 부생되지 않는 타입의 열경화성 수지가 바람직하다. 구체적으로는, 하이드로 실릴레이션 반응에서 경화되는 열경화성 실리콘 수지, 에폭시 수지, 중합성 불포화기를 2 이상 갖는 가교 경화성 화합물 (아크릴로일옥시기를 2 이상 갖는 화합물 등) 을 들 수 있다. 예를 들어, 비닐기를 갖는 오르가노폴리실록산과 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖는 오르가노폴리실록산의 조합으로 이루어지는 열경화성 실리콘 수지, 폴리에폭시드로 이루어지는 주제와 경화제 내지 가교제와의 조합으로 이루어지는 에폭시 수지, 아크릴로일옥시기를 2 이상 갖는 화합물과 라디칼 발생제와의 조합으로 이루어지는 열경화성 아크릴 수지 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 열경화성 실리콘 수지의 시판품으로서는, 신에츠 화학 공업사 제조의 LPS-3412AJ, LPS-3412B 등을 들 수 있고, 에폭시 수지의 시판품으로서는, 닛폰 화약사 제조의 SEJ-01R 등을 들 수 있다.
＜반도체 디바이스의 제조 방법＞
본 발명의 반도체 디바이스의 제조 방법은, 금형을 사용하여 반도체 소자를 경화성의 봉지 수지로 봉지하여 반도체 디바이스를 제조하는 방법에 있어서, 본 발명의 이형 필름을 사용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 반도체 디바이스의 제조 방법으로서는, 본 발명의 이형 필름을 사용하는 것 이외에는, 공지된 제조 방법을 채용할 수 있다. 수지 봉지부의 형성 방법으로서는, 압축 성형법 또는 트랜스퍼 성형법을 들 수 있다. 장치로서는, 공지된 압축 성형 장치 또는 트랜스퍼 성형 장치를 사용할 수 있다. 제조 조건도, 공지된 반도체 디바이스의 제조 방법에 있어서의 조건과 동일한 조건으로 하면 된다.
경화성의 봉지 수지를 금형의 캐비티 내에서 경화시키고, 경화된 봉지 수지로 이루어지는 수지 봉지부를 형성하는 방법으로서는, 압축 성형법 및 트랜스퍼 성형법이 바람직하다. 이들 성형법에 있어서, 금형 온도, 즉, 봉지 수지를 경화시킬 때의 금형 내면의 온도는, 봉지 수지의 종류에 따라 다르기도 하지만, 통상적으로 100 ∼ 140 ℃ 이다. 경우에 따라서는, 봉지 수지의 종류에 따라 더욱 높은 금형 온도가 필요한 경우가 있고, 또, 봉지 수지가 경화될 때의 발열에 의해 금형 온도가 상승하는 경우도 있다. 본 발명의 이형 필름은 금형 온도가 185 ℃ 정도가 되는 경우까지 충분히 사용할 수 있다.
본 발명의 이형 필름은, 금형의 봉지 수지가 접하는 캐비티면에 배치된다. 캐비티에 충전된 봉지 수지는 이형 필름을 개재하여 금형 내면에 접하고, 그 금형에 접한 상태에서 봉지 수지가 경화되어 경화된 수지가 된다. 봉지 수지가 경화된 후, 경화된 봉지 수지로 이루어지는 수지 봉지부를 갖는 반도체 디바이스가 금형으로부터 꺼내진다.
본 발명의 반도체 디바이스의 제조 방법으로서, 보다 구체적으로는, 봉지 수지의 충전의 타이밍에 의해 하기 방법 (α) 와 방법 (β) 의 2 종류를 들 수 있다. 하기 방법 (α) 는 압축 성형법의 일례이며, 하기 방법 (β) 는 트랜스퍼 성형법의 일례이다.
방법 (α) ： 하기의 공정 (α1) ∼ (α5) 를 갖는 방법.
(α1) 본 발명의 이형 필름을, 금형의 캐비티를 덮도록 배치하는 공정.
(α2) 이형 필름을 금형의 캐비티면의 측에 진공 흡인하는 공정.
(α3) 캐비티 내에 봉지 수지를 충전하는 공정.
(α4) 반도체 소자를 캐비티 내의 소정의 위치에 배치하고, 봉지 수지에 의해 반도체 소자를 봉지하여 수지 봉지부를 형성하여, 반도체 디바이스를 얻는 공정.
(α5) 금형 내로부터 반도체 디바이스를 꺼내는 공정.
방법 (β) ： 하기의 공정 (β1) ∼ (β5) 를 갖는 방법.
(β1) 본 발명의 이형 필름을, 금형의 캐비티를 덮도록 배치하는 공정.
(β2) 이형 필름을 금형의 캐비티면의 측에 진공 흡인하는 공정.
(β3) 반도체 소자를 캐비티 내의 소정의 위치에 배치하는 공정.
(β4) 캐비티 내에 봉지 수지를 충전하고, 그 봉지 수지에 의해 반도체 소자를 봉지하여 수지 봉지부를 형성하여, 반도체 디바이스를 얻는 공정.
(β5) 금형 내로부터 반도체 디바이스를 꺼내는 공정.
(발광 다이오드의 제조 방법)
이하, 반도체 디바이스의 제조 방법의 일례로서 발광 다이오드의 제조 방법에 대해 설명한다.
(방법 (α))
발광 다이오드의 제조 방법 중 방법 (α) 의 일례로서, 발광 다이오드를 압축 성형법에 의해 제조하는 경우에 대해 상세하게 설명한다. 압축 성형법은, 일본 공개특허공보 2005-305954호에 기재되어 있는 바와 같은, 복수의 발광 다이오드를 일괄적으로 대량으로 생산할 수 있는 제조 방법이다.
압축 성형법에 사용하는 금형은, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 상형 (20) 과 중형 (도시 생략) 과 하형 (22) 을 갖는다. 상형 (20) 에는, 기판 (10) 을 흡착하는 진공 벤트 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 발광 소자 (12) 를 탑재한 기판 (10) 을 상형 (20) 에 흡착시킬 수 있다. 하형 (22) 에는, 발광 다이오드 (1) 의 렌즈부 (14) 의 형상에 대응하는 형상의 캐비티 (24) 가 형성되어 있다. 또, 하형 (22) 에는, 이형 필름 (30) 과 하형 (22) 사이의 공기를 흡인함으로써 이형 필름 (30) 을 하형 (22) 에 흡착하기 위한 진공 벤트 (도시 생략) 가 형성되어 있다.
하형 (22) 의 캐비티면 (26) 은, 고품질인 렌즈부 (14) 가 형성되기 쉽고, 광학 특성이 우수한 발광 다이오드 (1) 를 얻기 쉬운 점에서, 평활한 것이 바람직하다. 캐비티면 (26) 을 이지로 하면, 이형 필름 (30) 을 보다 효율적으로 캐비티면 (26) 에 진공 흡착할 수 있지만, 얻어지는 발광 다이오드 (1) 의 렌즈부 (14) 의 표면에 요철이 생겨, 렌즈 정밀도가 악화될 우려가 있다.
공정 (α1) ：
도 6 에 나타내는 바와 같이, 하형 (22) 의 캐비티 (24) 를 덮도록 이형 필름 (30) 을 배치한다. 이형 필름 (30) 은, 권출롤 (도시 생략) 로부터 이송되어, 권취롤 (도시 생략) 로 권취된다. 이형 필름 (30) 은, 권출롤 및 권취롤에 의해 인장되기 때문에, 잡아 늘어진 상태로 하형 (22) 의 캐비티 (24) 를 덮도록 배치된다.
공정 (α2) ：
도 7 에 나타내는 바와 같이, 하형 (22) 의 캐비티 (24) 의 외부에 형성한 진공 벤트 (도시 생략) 를 통해서 진공 흡인하고, 이형 필름 (30) 과 캐비티면 (26) 사이의 공간을 감압하고, 이형 필름 (30) 을 잡아늘여서 변형시켜, 하형 (22) 의 캐비티면 (26) 에 진공 흡착시킨다. 또한, 하형 (22) 의 둘레 가장자리에 배치된 프레임상의 중형 (도시 생략) 을 죄어, 이형 필름 (30) 을 전체 방향으로부터 인장하여, 긴장 상태로 하게 한다.
또한, 고온 환경하에서의 이형 필름 (30) 의 강도, 두께, 또 캐비티 (24) 의 형상에 의해, 이형 필름 (30) 은, 캐비티면 (26) 에 밀착된다고는 할 수 없다. 도 7 에 나타내는 바와 같이, 공정 (α2) 의 진공 흡착의 단계에서는, 이형 필름 (30) 과 캐비티면 (26) 의 사이에는, 공극이 조금 남는 경우가 있다.
공정 (α3) ：
도 8 에 나타내는 바와 같이, 경화성의 봉지 수지 (40) 를 어플리케이터 (도시 생략) 에 의해, 캐비티 (24) 내의 이형 필름 (30) 상에 적량 충전한다.
봉지 수지 (40) 로서는, 통상적으로, 투명한 경화 수지가 되는 경화성 수지가 사용된다. 또한, 광 확산성을 목적으로서, 유백색의 투명한 경화 수지가 되는, 첨가제 등을 포함하는 경화성 수지를 사용하는 경우도 있다.
공정 (α4) ：
도 9 에 나타내는 바와 같이, 캐비티 (24) 내의 이형 필름 (30) 상에 봉지 수지 (40) 를 충전한 하형 (22) 과, 발광 소자 (12) 를 탑재한 기판 (10) 을 흡착한 상형 (20) 을 형 체결하고, 금형을 가열하여, 봉지 수지 (40) 를 경화시켜 경화 수지로 하고, 발광 소자 (12) 를 봉지하는 렌즈부 (14) 를 형성한다.
공정 (α4) 에 있어서는, 캐비티 (24) 내에 충전된 봉지 수지 (40) 가 형 체결 압력에 의해, 더욱 캐비티 (24) 에 밀어넣어져, 이형 필름 (30) 이 길게 늘어져 변형됨으로써 캐비티면 (26) 에 밀착된다. 그 때문에, 캐비티 (24) 의 형상에 대응한 형상의 렌즈부 (14) 가 형성된다.
금형 온도, 즉 금형 내의 봉지 수지 (40) 를 경화시키는 온도는, 100 ∼ 185 ℃ 가 바람직하고, 100 ∼ 140 ℃ 가 보다 바람직하다. 금형 온도가 100 ℃ 이상이면, 발광 다이오드 (1) 의 생산성이 향상된다. 금형 온도가 185 ℃ 이하이면, 봉지 수지 (40) 의 경화시의 열화가 억제된다. 또, 봉지 수지 (40) 의 경화물이 금형으로부터 꺼내질 때의 금형 내외의 온도차에 의한 열수축에서 기인하는 렌즈부 (14) 의 형상 변화를 보다 억제하기 위해서, 또 발광 다이오드 (1) 의 보호가 특별히 요구되는 경우에는, 금형 온도는 140 ℃ 이하로 하는 것이 바람직하다.
형 체결시의 이형 필름 (30) 의 두께는, 75 ㎛ 이하가 바람직하다. 두께가 75 ㎛ 이하이면, 캐비티면 (26) 에의 추종성이 충분해져, 균일한 형태의 렌즈부 (14) 를 형성하기 쉽다.
공정 (α5) ：
도 10 에 나타내는 바와 같이, 상형 (20) 과 하형 (22) 을 형 개방하여, 발광 다이오드 (1) 를 꺼낸다. 박리력의 최대치가 0.8 N/25 mm 이하라면, 발광 다이오드 (1) 를 금형으로부터 용이하게 이형할 수 있다. 이형하는 동시에, 이형 필름 (30) 의 사용이 끝난 부분을 권취롤 (도시 생략) 에 이송하고, 이형 필름 (30) 의 미사용 부분을 권출롤 (도시 생략) 로부터 송출한다.
권출롤로부터 권취롤에 반송할 때의 이형 필름 (30) 의 두께는 16 ㎛ 이상이 바람직하다. 두께가 16 ㎛ 미만에서는, 이형 필름 (30) 의 반송시에 주름이 생기기 쉽다. 이형 필름 (30) 에 주름이 생기면, 주름이 렌즈부 (14) 에 전사되어 제품 불량이 된다. 두께가 16 ㎛ 이상이면, 이형 필름 (30) 에 장력을 충분히 가함으로써, 주름의 발생을 억제할 수 있다.
권출롤로부터 권취롤에 반송할 때의 이형 필름 (30) 의 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률은 10 MPa 이상이 바람직하다. 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률이 10 MPa 미만에서는, 이형 필름 (30) 이 매우 유연하기 때문에, 이형 필름 (30) 에 장력을 균일하게 가할 수 없어, 이형 필름 (30) 의 반송시에 주름이 생기기 쉽다. 이형 필름 (30) 에 주름이 생기면, 주름이 렌즈부 (14) 에 전사되어 제품 불량이 된다. 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률이 10 MPa 이상이면, 이형 필름 (30) 에 장력을 충분히 가함으로써, 주름의 발생을 억제할 수 있다.
(방법 (β))
발광 다이오드의 제조 방법 중 방법 (β) 의 일례로서, 발광 다이오드를 트랜스퍼 성형법에 의해 제조하는 경우에 대해 상세하게 설명한다. 트랜스퍼 성형법은, 발광 다이오드의 제조에 통상적으로 사용되는 방법이다.
트랜스퍼 성형법에 사용하는 금형은, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 상형 (50) 과 하형 (52) 을 갖는다. 상형 (50) 에는, 발광 다이오드 (1) 의 렌즈부 (14) 의 형상에 대응하는 형상의 캐비티 (54) 와, 캐비티 (54) 에 경화성의 봉지 수지 (40) 를 유도하는 오목상의 수지 도입부 (60) 가 형성되어 있다. 하형 (52) 에는, 발광 소자 (12) 를 탑재한 기판 (10) 을 설치하는 기판 설치부 (58) 와, 봉지 수지 (40) 를 배치하는 수지 배치부 (62) 가 형성되어 있다. 또, 수지 배치부 (62) 내에는, 봉지 수지 (40) 를 상형 (50) 의 수지 도입부 (60) 로 밀어내는 플런저 (64) 가 설치되어 있다.
상형 (50) 의 캐비티면 (56) 은, 고품질인 렌즈부 (14) 가 형성되기 쉽고, 광학 특성이 우수한 발광 다이오드 (1) 를 얻기 쉬운 점에서, 평활한 것이 바람직하다. 캐비티면 (56) 을 이지로 하면, 이형 필름 (30) 을 보다 효율적으로 캐비티면 (56) 에 진공 흡착할 수 있지만, 얻어지는 발광 다이오드 (1) 의 렌즈부 (14) 의 표면에 요철이 생겨, 렌즈 정밀도가 악화될 우려가 있다.
공정 (β1) ：
도 12 에 나타내는 바와 같이, 상형 (50) 의 캐비티 (54) 를 덮도록 이형 필름 (30) 을 배치한다. 이형 필름 (30) 은, 캐비티 (54) 및 수지 도입부 (60) 의 전체를 덮도록 배치하는 것이 바람직하다. 이형 필름 (30) 은, 권출롤 (도시 생략) 및 권취롤 (도시 생략) 에 의해 인장되기 때문에, 잡아 늘어진 상태로 상형 (50) 의 캐비티 (54) 를 덮도록 배치된다.
공정 (β2) ：
도 13 에 나타내는 바와 같이, 상형 (50) 의 캐비티 (54) 의 외부에 형성한 홈 (도시 생략) 을 통해서 진공 흡인하고, 이형 필름 (30) 과 캐비티면 (56) 사이의 공간, 및 이형 필름 (30) 과 수지 도입부 (60) 의 내벽 사이의 공간을 감압하고, 이형 필름 (30) 을 잡아늘여서 변형시켜, 상형 (50) 의 캐비티면 (56) 에 진공 흡착시킨다.
또한, 고온 환경하에서의 이형 필름 (30) 의 강도, 두께, 또 캐비티 (54) 의 형상에 의해, 이형 필름 (30) 은, 캐비티면 (56) 에 밀착된다고는 할 수 없다. 도 13 에 나타내는 바와 같이, 공정 (β2) 의 진공 흡착의 단계에서는, 이형 필름 (30) 과 캐비티면 (56) 의 사이에는, 공극이 조금 남는 경우도 있다.
공정 (β3) ：
도 14 에 나타내는 바와 같이, 발광 소자 (12) 를 실장한 기판 (10) 을, 기판 설치부 (58) 에 설치하고, 또, 수지 배치부 (62) 의 플런저 (64) 상에는, 경화성의 봉지 수지 (40) 를 배치한다. 그 후, 상형 (50) 과 하형 (52) 을 형 체결하고, 발광 소자 (12) 를 캐비티 (54) 내의 소정의 위치에 배치한다.
경화성의 봉지 수지 (40) 로서는, 방법 (α) 에서 사용한 봉지 수지 (40) 와 동일한 것을 들 수 있다.
공정 (β4) ：
도 15 에 나타내는 바와 같이, 하형 (52) 의 플런저 (64) 를 밀어 올려, 수지 도입부 (60) 를 통해서 캐비티 (54) 내에 봉지 수지 (40) 를 충전한다. 이어서, 금형을 가열하고, 봉지 수지 (40) 를 경화시켜, 발광 소자 (12) 를 봉지하는 렌즈부 (14) 를 형성한다.
공정 (β4) 에 있어서는, 캐비티 (54) 내에 봉지 수지 (40) 가 충전됨으로써, 수지 압력에 의해 이형 필름 (30) 이 더욱 캐비티면 (56) 측으로 밀어넣어져, 잡아 늘어져 변형됨으로써 캐비티면 (56) 에 밀착된다. 그 때문에, 캐비티 (54) 의 형상에 대응한 형상의 렌즈부 (14) 가 형성된다.
금형 온도, 즉 봉지 수지 (40) 를 경화시키는 온도는, 방법 (α) 에 있어서의 온도 범위와 동일한 범위로 하는 것이 바람직하다.
봉지 수지 (40) 의 충전시의 수지압은, 2 ∼ 30 MPa 가 바람직하고, 3 ∼ 10 MPa 가 보다 바람직하다. 수지압이 2 MPa 이상이면, 봉지 수지 (40) 의 충전 부족 등의 결점이 생기기 어렵다. 수지압이 30 MPa 이하이면, 양호한 품질의 발광 다이오드 (1) 를 얻기 쉽다. 봉지 수지 (40) 의 수지압은, 플런저 (646) 에 의해 조정할 수 있다.
공정 (β5) ：
도 16 에 나타내는 바와 같이, 수지 도입부 (60) 내에서 봉지 수지 (40) 가 경화된 경화물 (16) 이 부착된 상태의 발광 다이오드 (1) 를 금형으로부터 꺼내, 경화물 (16) 을 절제한다.
렌즈부 (14) 형성 후의 금형 내에서, 형성된 렌즈부 (14) 와 캐비티면 (56) 의 사이에 이형 필름 (30) 이 배치되어 있고, 박리력의 최대치가 0.8 N/25 mm 이하이면, 발광 다이오드 (1) 를 금형으로부터 용이하게 이형할 수 있다.
본 발명의 제조 방법은, 상기 서술한 대략 반구형의 렌즈부 (14) 를 갖는 발광 다이오드 (1) 의 제조와 동일하게 하여, 다른 형상의 렌즈부 (14) 를 갖는 발광 다이오드 (1) 의 제조에도 적용할 수 있다. 이 경우, 각각의 렌즈부 (14) 의 형상에 대응하는 캐비티를 가지며, 발광 소자 (12) 를 소정의 위치에 설치할 수 있는 금형을 사용하여, 상기 서술한 공정을 실시하면 된다.
(작용 효과)
이상 설명한 본 발명의 반도체 디바이스의 제조 방법에 있어서는, 이형 필름을 늘렸을 때에 이형 필름의 두께에 불균일이 생기기 어려운 본 발명의 이형 필름을 사용하고 있기 때문에, 이형 필름의 두께의 불균일이 수지 봉지부의 표면에 전사됨으로써 나타나는, 수지 봉지부의 표면의 변형이 억제된다. 따라서, 수지 봉지부가 대형화, 복잡화되어도, 수지 봉지부의 표면의 변형이 억제된 반도체 디바이스를 제조할 수 있다.
실시예
이하, 실시예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들의 예로 한정되지 않는다.
예 1 ∼ 3 은 실시예이며, 예 4 ∼ 8 은 비교예이다.
(각 반복 단위의 비율)
ETFE 에 있어서의 각 반복 단위의 비율은, 전체 불소량 측정 및 용융 19F-NMR 측정의 결과로부터 산출했다.
(MFR)
ETFE 의 MFR 은, ASTM D3159 에 준거하여, 5 kg 부하를 사용하고, 297 ℃ 에서 측정했다.
(융점)
수지의 융점은, 시차주사 열량계 (SII 사 제조, DSC7020) 를 사용하여, 수지를 10 ℃／분으로 가열했을 때의 흡열 피크로부터 구했다.
(인장 탄성률)
이형 필름의 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률은, JIS K 7127 에 준거하여 측정했다. 그 이형 필름과 동일한 수지를 사용하여 제작한 두께 400 ㎛ 의 프레스 시트를, 단책 형상 (시험편 타입 5) 으로 타발하여, 시험 시트를 제작했다. 그 시험 시트에 대해, 시트 온도 ： 132 ℃, 인장 속도 ： 1 mm/분의 조건에서 인장 시험을 실시하고, 인장 변형 0.05 ％ 내지 0.25 ％ 까지의 응력을 측정하여, 하기 식으로부터 인장 탄성률을 구했다.
인장 탄성률 (MPa) = (변형 0.25 ％ 시의 응력 (MPa) - 변형 0.05 ％ 시의 응력 (MPa))/(변형 0.25 ％ - 변형 0.05％)/100
(박리력)
박리력은, JIS K 6854-2 에 준거하여, 이하와 같이, 이형 필름과 2 액 혼합 형의 열경화성 실리콘 수지와의 180 °박리 시험으로 측정했다.
(a) 이형 필름과 알루미늄판의 사이에 혼합한 열경화성 실리콘 수지 (토레 다우코닝사 제조, OE6630) 를 적량 도포했다.
(b) 열경화성 실리콘 수지를 사이에 둔 이형 필름과 알루미늄판을 130 ℃, 1 MPa 로 5 분간 프레스하여 열경화성 실리콘 수지를 경화시켰다. 또한, 경화된 실리콘 수지층의 두께가 100 ㎛ 가 되도록 상기 열경화성 실리콘 수지의 도포량을 조절했다.
(c) 접착된 이형 필름과 알루미늄판을 25 mm 폭으로 절단했다.
(d) 인장 시험기 (오리엔테크사 제조, RTC-1310A) 를 사용하여, 시험편에 있어서의 경화된 실리콘 수지층에 대한 박리 필름의 상온에 있어서의 180 °박리력을, 100 mm/분의 박리 속도로 측정했다.
(e) 힘 (N) - 파지 이동 거리 곡선에 있어서의, 파지 이동 거리 25 mm 내지 125 mm 까지의 박리력의 최대치 (단위는 N/25 mm) 를 구했다.
(f) 5 개의 시험편을 사용하여, 각 이형 필름의 박리력의 최대치의 산술 평균을 구했다.
(렌즈부의 외관)
발광 다이오드를 제조한 후, 렌즈부의 외관을 육안으로 평가했다.
◎ (매우 양호) ： 렌즈부의 표면은 균일하고, 하자는 보이지 않는다.
○ (양호) ： 렌즈부의 표면에 약간의 변형이 보이지만, 기능에 영향은 없다.
× (불량) ： 렌즈부의 표면에 변형, 주름 등의 하자가 보인다.
〔예 1〕
(ETFE 의 제조)
진공 빼기한 94 ℓ 의 스테인리스제 오토클레이브에, 1-하이드로트리데카플루오로헥산의 87.3 kg, 1,3-디클로로-1,1,2,2,3-펜타플루오로프로판 (아사히 글라스사 제조, AK225cb. 이하, AK225cb 라고 기재한다.) 의 4.21 kg, PFBE 의 2.13 kg 을 주입하여, 교반하면서 66 ℃ 까지 승온하고, TFE/E = 89/11 (몰비) 의 혼합 가스를 1.5 MPaG 가 될 때까지 도입하고, 50 질량％ 의 tert-부틸퍼옥시피발레이트의 AK225cb 용액의 60.4 g 을 주입하여 중합을 개시했다. 중합 중에는, 압력이 1.5 MPaG 가 되도록 TFE/E = 60/40 (몰비) 의 혼합 가스 및 그 혼합 가스에 대해 7.0 몰％ 에 상당하는 양의 PFBE 를 연속적으로 첨가하고, TFE/E 의 혼합 가스의 7.19 kg 을 주입한 후에 오토클레이브를 냉각시키고, 잔류 가스를 퍼지하여, 중합을 종료시켰다. 중합에 필요로 한 시간은 333 분이었다.
얻어진 ETFE 의 슬러리를 220 ℓ 의 조립조에 옮기고, 77 ℓ 의 물을 첨가하여 교반하면서 가열하고, 중합 용매나 잔류 모노머를 제거하여, 입상의 ETFE (1) 의 7.2 kg 을 얻었다.
얻어진 ETFE (1) 는, TFE 에 기초하는 반복 단위/E 에 기초하는 반복 단위/PFBE 에 기초하는 반복 단위 = 54.5/39.0/6.5 (몰비), MFR ： 16.2 g/10 분, 융점 ： 195 ℃ 였다.
(이형 필름의 제조)
두께가 50 ㎛ 가 되도록 립 조정한 압출기에 의해, ETFE (1) 를 300 ℃ 에서 용융 압출하여, 두께 50 ㎛ 의 이형 필름 (1) 을 얻었다. 이형 필름 (1) 의 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률은, 12 MPa 이며, 박리력의 최대치는, 0.6 N/25 mm 였다.
(발광 다이오드의 제조)
발광 소자 (12) 로서는, 백색 발광 소자 (동작 전압 ： 3, 5 V, 소비 전류 ： 10 mA) 를 사용했다.
이형 필름 (30) 으로서는, 이형 필름 (1) 을 사용했다.
봉지 수지 (40) 로서는, 2 액 혼합형의 경화성 실리콘 수지 (신에츠 화학 공업사 제조의 LPS-3412A 및 신에츠 화학 공업사 제조의 LPS-3412B 의 등량 혼합물) 를 사용했다. 또한, 이 경화성 실리콘 수지는 투명한 경화 수지가 된다.
금형으로서는, 도 11 에 나타내는 금형을 사용했다. 상형 (50) 의 캐비티 (54) 의 형상은, 표면적 56 ㎟ 의 대략 반구형의 렌즈부에 대응하는 형상으로 했다.
상형 (50) 의 캐비티 (54) 를 덮도록 이형 필름 (30) 을 배치했다. 캐비티 (54) 의 개구부의 중심에 발광 소자 (12) 가 위치하도록, 하형 (52) 에 발광 소자 (12) 를 실장한 기판 (10) 을 배치하고, 또, 수지 배치부 (62) 의 플런저 (64) 상에 상기 경화성 실리콘 수지를 배치했다. 진공 흡인에 의해 이형 필름 (30) 을 캐비티면 (56) 에 진공 흡착시켜, 형 체결한 후, 캐비티 (54) 내에 봉지 수지 (40) 를 충전했다. 금형을 가열하여 봉지 수지 (40) 를 경화시켜, 대략 반구형의 렌즈부 (14) 를 형성했다. 금형의 가열 온도는, 110 ℃ 로 했다. 또, 경화 시간은, 3 분으로 했다. 그 후, 상형 (50) 과 하형 (52) 을 형 개방하여, 금형으로부터 발광 다이오드 (1) 를 꺼냈다. 렌즈부의 외관을 평가했다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
〔예 2〕
(이형 필름의 제조)
25 ㎛ 의 두께가 되도록 립을 조정한 것 이외에는, 예 1 과 동일하게 하여 이형 필름 (2) 을 얻었다. 이형 필름 (2) 의 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률은, 12 MPa 이며, 박리력의 최대치는, 0.6 N/25 mm 였다.
이형 필름 (2) 을 사용하고, 예 1 과 동일하게 하여 발광 다이오드를 제조했다. 렌즈부의 외관을 평가했다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
〔예 3〕
TFE 에 기초하는 반복 단위/E 에 기초하는 반복 단위/PFBE 에 기초하는 반복 단위 = 56.4/39.6/4.0 (몰비), MFR ： 18 g/10 분, 융점 ： 222 ℃ 인 ETFE (2) 를 준비했다.
예 1 의 ETFE (1) 와, 예 2 의 ETFE (2) 를 1 대 1 (질량비) 로 혼합하고, 15 ㎜ 2 축 압출기로 300 ℃ 에서 용융 혼련하여, 혼련물을 얻었다. 그 혼련물을 사용하여, 예 1 과 동일하게 하여 두께 50 ㎛ 의 이형 필름 (3) 을 얻었다. 이형 필름 (3) 의 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률은, 20 MPa 이며, 박리력의 최대치는, 0.5 N/25 mm 였다.
이형 필름 (3) 을 사용하여, 예 1 과 동일하게 하여 발광 다이오드를 제조했다. 렌즈부의 외관을 평가했다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
〔예 4〕
(ETFE 의 제조)
진공 빼기한 94 ℓ 의 스테인리스제 오토클레이브에, 1-하이드로트리데카플루오로헥산의 85.2 kg, AK225cb 의 6.31 kg, PFBE 의 1.22 kg 을 주입하여, 교반하면서 66 ℃ 까지 승온하고, TFE/E = 89/11 (몰비) 의 혼합 가스를 1.5 MPaG 가 될 때까지 도입하고, 50 질량％ 의 tert-부틸퍼옥시피발레이트의 AK225cb 용액을 30.2 g 주입하여 중합을 개시했다. 중합 중에는, 압력이 1.5 MPaG 가 되도록 TFE/E = 60/40 (몰비) 의 혼합 가스 및 그 혼합 가스에 대해 3.3 몰％ 에 상당하는 양의 PFBE 를 연속적으로 첨가하고, TFE/E 의 혼합 가스의 7.19 kg 을 주입한 후에 오토클레이브를 냉각시키고, 잔류 가스를 퍼지하여, 중합을 종료시켰다. 중합에 필요로 한 시간은 305 분이었다.
얻어진 ETFE 의 슬러리를 220 ℓ 의 조립조에 옮기고, 77 ℓ 의 물을 첨가하여 교반하면서 가열하고, 중합 용매나 잔류 모노머를 제거하여, 입상의 ETFE (3) 의 7.5 kg 을 얻었다.
얻어진 ETFE (3) 는, TFE 에 기초하는 반복 단위/E 에 기초하는 반복 단위/PFBE 에 기초하는 반복 단위 = 56.3/40.7/3.0 (몰비), MFR ： 17.3 g/10 분, 융점 ： 236.9 ℃ 였다.
(이형 필름의 제조)
두께가 50 ㎛ 가 되도록 립 조정한 압출기에 의해, ETFE (3) 를 300 ℃ 에서 용융 압출하고, 두께 50 ㎛ 의 이형 필름 (4) 을 얻었다. 이형 필름 (4) 의 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률은, 40 MPa 이며, 박리력의 최대치는, 0.3 N/25 mm 였다.
(발광 다이오드의 제조)
이형 필름 (4) 을 사용하여, 예 1 과 동일하게 하여 발광 다이오드를 제조했다. 렌즈부의 외관을 평가했다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
〔예 5〕
TFE 에 기초하는 반복 단위/E 에 기초하는 반복 단위/프로필렌에 기초하는 반복 단위 = 54.8/28.7/16.5 (몰비), MFR ： 6 g/10 분, 융점 ： 172 ℃ 인 에틸렌/프로필렌/테트라플루오로에틸렌 공중합체 (이하, PETFE 라고 기재한다.) 를 준비했다.
두께가 50 ㎛ 가 되도록 립 조정한 압출기에 의해, PETFE 를 250 ℃ 에서 용융 압출하여, 두께 50 ㎛ 의 이형 필름 (5) 을 얻었다. 이형 필름 (5) 의 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률은, 4 MPa 이며, 박리력의 최대치는, 0.8 N/25 mm 였다.
이형 필름 (5) 을 사용하여, 예 1 과 동일하게 하여 발광 다이오드를 제조했다. 렌즈부의 외관을 평가했다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
〔예 6〕
ETFE 필름 (아사히 글라스사 제조, Fluon LM-ETFE 필름, 두께 ： 50 ㎛) 을 준비했다. LM-ETFE 필름의 원료 수지로부터 제작한 시험 시트의 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률은, 28 MPa 이며, 박리력의 최대치는, 0.3 N/25 mm 였다.
ETFE 필름을 사용하여, 예 1 과 동일하게 하여 발광 다이오드를 제조했다. 렌즈부의 외관을 평가했다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
〔예 7〕
PP 필름 (후타무라 화학사 제조, 무연신 폴리프로필렌 필름 FPK 그레이드, 두께 ： 25 ㎛) 을 준비했다. PP 필름으로부터 제작한 시험 시트의 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률은, 65 MPa 이며, 박리력의 최대치는, 3.6 N/25 mm 였다.
PP 필름을 사용하여, 예 1 과 동일하게 하여 발광 다이오드를 제조했다. 렌즈부의 외관을 평가했다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
〔예 8〕
예 1 과 동일하게 하여 얻은 두께 50 ㎛ 의 이형 필름의 편방의 표면에, 코로나 방전 처리를 실시하여 (TANTEC 사 제조 Corona Generator HV-05-2 를 사용, 출력 전압 ： 60 V, 출력 주파수 ： 30 kHz.), 이형 필름 (8) 을 얻었다. 이형 필름 (8) 의 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률은, 12 MPa 이며, 박리력의 최대치는 6.5 N/25 mm 였다.
이형 필름 (8) 을 사용하여, 예 1 과 동일하게 하여 발광 다이오드 (8) 를 제조했다. 단, 이형 필름 (8) 은 하형 (52) 측에 코로나 방전 처리한 면이 향하도록 배치했다. 렌즈부의 외관을 평가했다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
Figure 112014055401745-pct00001
예 4 는, 특허문헌 1 의 실시예 1 을 추시(追試)한 것이다. 예 4 에 있어서는, 이형 필름의 인장 탄성률이 높기 때문에, 이형 필름이 불균일하게 늘어나, 금형 추종 후의 이형 필름에 큰 두께의 차 (불균일) 가 생기고, 두께의 차가 렌즈부에 전사되어 외관 불량 (변형) 이 되었다.
예 5 에 있어서는, 이형 필름의 인장 탄성률이 낮기 때문에, 이형 필름의 권취시에 너무 유연하여 균일하게 장력이 가해지지 않아, 용이하게 주름이 발생하고, 주름이 렌즈부에 전사되어 외관 불량이 되었다.
예 6 에 있어서는, ETFE 필름의 인장 탄성률이 높기 때문에, ETFE 필름이 불균일하게 늘어나, 금형 추종 후의 ETFE 필름에 큰 두께의 차 (불균일) 가 생기고, 두께의 차가 렌즈부에 전사되어 외관 불량 (변형) 이 되었다.
예 7 에 있어서는, PP 필름의 박리력이 높기 때문에, 봉지 수지의 경화 후, 금형을 열어 렌즈부와 PP 필름을 박리할 때에 박리되지 않아, 발광 다이오드의 생산을 할 수 없었다.
예 8 에 있어서는, ETFE 필름의 박리력의 최대치가 크기 때문에, 봉지 수지의 경화 후, 금형을 열어 렌즈부와 ETFE 필름을 박리할 때에 박리되지 않아, 발광 다이오드의 생산을 할 수 없었다.
산업상 이용가능성
본 발명의 이형 필름은, 반도체 디바이스의 반도체 소자를 봉지 수지로 봉지하여 수지 봉지부를 형성하는 금형의 캐비티면에 배치되는 이형 필름으로서 유용하다.
또한, 2012 년 1 월 30 일에 출원된 일본 특허 출원 2012-016476호의 명세서, 특허 청구의 범위, 도면 및 요약서의 전체 내용을 여기에 인용하고, 본 발명의 명세서의 개시로서 받아들이는 것이다.
1 : 발광 다이오드
10 : 기판
12 : 발광 소자
14 : 렌즈부
16 : 경화물
20 : 상형
22 : 하형
24 : 캐비티
26 : 캐비티면
30 : 이형 필름
40 : 봉지 수지
50 : 상형
52 : 하형
54 : 캐비티
56 : 캐비티면
58 : 기판 설치부
60 : 수지 도입부
62 : 수지 배치부
64 : 플런저

Claims (14)

  1. 반도체 디바이스의 반도체 소자를 경화성의 봉지 수지로 봉지하여 수지 봉지부를 형성하는 금형의 캐비티면에 배치되는 이형 필름으로서,
    JIS K 7127 에 준거하여 측정한 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률이, 10 ∼ 24 MPa 이며,
    박리력의 최대치가 0.8 N/25 mm 이하이고,
    불소 수지로 이루어지는, 이형 필름.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 불소 수지가, 테트라플루오로에틸렌에 기초하는 단위와 에틸렌에 기초하는 단위와, 상기 테트라플루오로에틸렌 및 상기 에틸렌 이외의 모노머인 제 3 모노머에 기초하는 단위를 갖는 공중합체인, 이형 필름.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 3 모노머가 (퍼플루오로부틸)에틸렌인, 이형 필름.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 공중합체가,
    테트라플루오로에틸렌에 기초하는 반복 단위와 에틸렌에 기초하는 반복 단위의 몰비 (테트라플루오로에틸렌/에틸렌) 가 80/20 ∼ 40/60 이며,
    (퍼플루오로부틸)에틸렌에 기초하는 반복 단위의 비율이 전체 반복 단위 (100 몰％) 중 5 ∼ 10 몰％ 인
    공중합체인, 이형 필름.
  6. 금형을 사용하여 반도체 소자를 경화성의 봉지 수지로 봉지하여 반도체 디바이스를 제조하는 방법에 있어서,
    금형의 봉지 수지가 접하는 캐비티면에, JIS K 7127 에 준거하여 측정한 132 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률이 10 ∼ 24 MPa 이며, 또한 박리력의 최대치가 0.8 N/25 mm 이하이고, 불소 수지로 이루어지는 이형 필름을 배치하고, 상기 봉지 수지를 상기 이형 필름에 접한 상태에서 경화시켜 수지 봉지부를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 반도체 디바이스가 발광 다이오드이며, 상기 반도체 소자가 발광 소자이며, 상기 수지 봉지부가 렌즈부인, 반도체 디바이스의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 렌즈부의 외측에 노출된 부분의 면적이 56 ㎟ 이상인, 반도체 디바이스의 제조 방법.
  9. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    봉지 수지가 열경화성 수지이며, 그 봉지 수지를 상기 이형 필름에 접한 상태에서 열 경화시키는, 반도체 디바이스의 제조 방법.
  10. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    금형을 사용하여 수지 봉지부를 형성하는 방법이 압축 성형법인, 반도체 디바이스의 제조 방법.
  11. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    금형을 사용하여 수지 봉지부를 형성하는 방법이 트랜스퍼 성형법인, 반도체 디바이스의 제조 방법.
  12. 하기의 공정 (α1) ∼ (α5) 를 갖는, 반도체 디바이스의 제조 방법.
    (α1) 제 1 항, 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 이형 필름을, 금형의 캐비티를 덮도록 배치하는 공정.
    (α2) 상기 이형 필름을 상기 금형의 캐비티면의 측에 진공 흡인하는 공정.
    (α3) 상기 캐비티 내에 봉지 수지를 충전하는 공정.
    (α4) 반도체 소자를 상기 캐비티 내의 소정 위치에 배치하고, 상기 봉지 수지에 의해 상기 반도체 소자를 봉지하여 수지 봉지부를 형성하여, 반도체 디바이스를 얻는 공정.
    (α5) 상기 금형 내로부터 상기 반도체 디바이스를 꺼내는 공정.
  13. 하기의 공정 (β1) ∼ (β5) 를 갖는, 반도체 디바이스의 제조 방법.
    (β1) 제 1 항, 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 이형 필름을, 금형의 캐비티를 덮도록 배치하는 공정.
    (β2) 상기 이형 필름을 상기 금형의 캐비티면의 측에 진공 흡인하는 공정.
    (β3) 반도체 소자를 상기 캐비티 내의 소정의 위치에 배치하는 공정.
    (β4) 상기 캐비티 내에 봉지 수지를 충전하고, 그 봉지 수지에 의해 상기 반도체 소자를 봉지하여 수지 봉지부를 형성하여, 반도체 디바이스를 얻는 공정.
    (β5) 상기 금형 내로부터 상기 반도체 디바이스를 꺼내는 공정.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 반도체 디바이스가 발광 다이오드이고,
    상기 반도체 소자가 발광 소자이고,
    상기 수지 봉지부가 렌즈부이며,
    그 렌즈부의 외측에 노출된 부분의 면적이 56 ㎟ 이상인, 반도체 디바이스의 제조 방법.
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