JP2014039017A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014039017A JP2014039017A JP2013133413A JP2013133413A JP2014039017A JP 2014039017 A JP2014039017 A JP 2014039017A JP 2013133413 A JP2013133413 A JP 2013133413A JP 2013133413 A JP2013133413 A JP 2013133413A JP 2014039017 A JP2014039017 A JP 2014039017A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing sheet
- temperature
- recess
- heating
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 163
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 73
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 68
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 52
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 38
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 38
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 28
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 26
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 11
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 14
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 57
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 44
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 27
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 18
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 18
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 18
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 15
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 12
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 12
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 9
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 4
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- DSVRVHYFPPQFTI-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl)-methyl-trimethylsilyloxysilane;platinum Chemical compound [Pt].C[Si](C)(C)O[Si](C)(C=C)C=C DSVRVHYFPPQFTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical group [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910016066 BaSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004709 CaSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004706 CaSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 101100476480 Mus musculus S100a8 gene Proteins 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003668 SrAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004122 SrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004649 discoloration prevention Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- ZYJKUXGOCSWXQO-UHFFFAOYSA-N ethene;silicon Chemical compound [Si].C=C ZYJKUXGOCSWXQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005580 one pot reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001921 poly-methyl-phenyl-siloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】凹部7が形成されている基板2と、凹部7内またはその周辺に配置される端子3と、凹部7内に配置されるLED4とを準備し、端子3と半導体素子4とをワイヤ5で接続し、封止シート6を、減圧雰囲気下において、周辺上面11とは密着し、かつ、凹部上面10とは離間するように、基板2に圧接させ、その後、基板2と封止シート6とを大気圧雰囲気下に解放することにより、LED装置1を製造する。
【選択図】図1
Description
準備工程は、端子3および半導体素子の一例としての発光ダイオード(以下、LED4とする。)が配置された基板2を準備する工程である。
ワイヤボンディング工程は、端子3とLED4とをワイヤ5で接続する工程である。
圧接工程は、封止シート6を、減圧雰囲気下において、周辺上面11とは密着し、かつ、凹部上面10とは離間するように、基板2に圧接させる工程である。
押し込み量がプラスであると、圧接工程後の封止シート6の厚さ(H4−H2)が、圧接工程前の封止シート6の厚さH3より薄くなるまで、封止シート6が過度に押圧され、封止シート6が凹部上面10と密着する。これに対し、押し込み量がマイナスであると、封止シート6が、凹部上面10とは離間するように調整される。
大気解放工程は、基板2と封止シート6とを大気圧雰囲気下に解放する工程である。
LED装置1の製造では、必要により(封止シート6が、熱硬化性樹脂や活性エネルギー線硬化性樹脂である場合)、図2(g)に示すように、封止シート6を硬化させる。
封止シート6が、2段階熱硬化型樹脂を含む封止樹脂組成物から形成されている場合、好ましくは、2段階加熱工程により、封止シート6を硬化させる。
このLED装置1の製造方法によれば、圧接工程において、封止シート6は、凹部上面10と離間するように圧接される。
上記した実施形態では、第1温度を定温に設定しているが、これに限定されず、例えば、第1温度が、温度範囲を有してもよく、具体的には、第1温度が、第2温度まで上昇する昇温温度範囲を有することもできる。
[機械加圧]
上記各実施形態の硬化工程において、封止シート6が、熱硬化性樹脂を含む封止樹脂組成物から形成されている場合には、封止シート6を、加熱しながら、さらに、封止シート6を機械加圧することもできる。具体的には、上記した温度において、封止シート6を加熱および機械加圧する(加熱−機械加圧)。
[加熱流体加圧工程]
上記した実施形態では、図2(g)に示す硬化工程において、加熱−機械加圧装置を用いる2段階加熱工程を実施しているが、封止シート6が、熱硬化性樹脂を含有する封止樹脂組成物から形成されている場合には、加熱流体加圧工程により、封止シート6を硬化させることもできる。
また、上記した実施形態では、基板2を平面視略矩形状に形成しているが、基板2の形状としては、上記した平面視略矩形状に限定されず、例えば、平面視略円形状、平面視略多角形状などでもよい。
[準備工程およびワイヤボンディング工程]
凹部(深さH1 163μm、1辺10mmの平面視正方形状)が形成され、凹部の周辺に6つの端子が配置されている基板を用意し(図1(a)参照)、凹部の上面に9個のLEDを配置した(図1(b)参照)。各LED間の間隔は、1.5mmであった。
[封止シートの形成]
ジメチルビニルシリル末端ポリジメチルシロキサン(ビニルシリル基当量0.071mmol/g)20g(1.4mmolビニルシリル基)、トリメチルシリル末端ジメチルシロキサン−メチルヒドロシロキサン共重合体(ヒドロシリル基当量4.1mmol/g)0.40g(1.6mmolヒドロシリル基)、白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体(ヒドロシリル化触媒)のキシレン溶液(白金濃度2質量%)0.036mL(1.9μmol)、および、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH、硬化遅延剤)のメタノール溶液(10質量%)0.063mL(57μmol)を混合し、20℃で10分間攪拌し、その混合物100質量部に対して、シリコーン微粒子(トスパール2000B、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社社製)を30質量部配合して、均一に攪拌混合することにより、2段階硬化型シリコーン樹脂組成物を得た。
[圧接工程]
LEDが実装された基板と、封止シートとが、厚み方向に対向するように配置し、真空プレス機(型番CV200、ニチゴーモートン社製)の真空チャンバー内に投入した。
[大気解放工程]
次いで、真空ポンプを停止し、真空チャンバー内を大気解放して、減圧空間と大気圧との差圧により、封止シートを凹部に密着させて、LED装置を得た(図2(f)参照)。
[2段階加熱工程]
得られたLED装置を、温風式乾燥機(型番DF610、ヤマト科学社製)に投入し、まず、120℃(第1温度)で10分間加熱した後、次いで、150℃(第2温度)で30分間加熱した(図2(g)参照)。
[評価]
得られたLED装置の外観を観察し、ワイヤ変形や、ボイド発生について評価した。
○:目視でワイヤの変形が確認できなかった。
×:目視でワイヤの変形が確認できた。
○:ボイドの発生が見られなかった。
△:小さなボイドがわずかに発生した。
×:ボイドが多数発生した。
表1に示す硬さの封止シートを用い、表1に示す押し込み量に設定した以外は、実施例1と同様にして、LED装置を得た。ワイヤ変形およびボイド発生を評価した結果を表1に示す。
表2に示す深さの凹部が形成された基板を用い、表2に示す硬さの封止シートを用いた以外は、実施例1と同様にして、LED装置を得た。硬化工程前後のボイド発生を評価した結果を表2に示す。
表1に示す深さの凹部が形成された基板を用い、表2に示す硬さの封止シートを用い、2段階加熱工程に代えて、オートクレーブ(型番TAS−5−J3R、高圧高温雰囲気下処理装置(流体加熱−流体加圧装置)、図2(g)の符号23参照、耐圧硝子工業社製)に投入し、加熱温度150℃、圧力0.6MPaで30分間処理した以外は、実施例1と同様にして、LED装置を得た。硬化工程前後のボイド発生を評価した結果を表2に示す。
2 基板
3 端子
4 LED
5 ワイヤ
6 封止シート
7 凹部
10 凹部上面
11 周辺上面
Claims (8)
- 凹部が形成されている基板と、前記凹部内またはその周辺に配置される端子と、前記凹部内に配置される半導体素子とを準備する準備工程、
前記端子と前記半導体素子とをワイヤで接続するワイヤボンディング工程、
封止シートを、減圧雰囲気下において、前記凹部周辺の上面とは密着し、かつ、前記凹部の上面とは離間するように、基板に圧接させる圧接工程、および、
前記基板と前記封止シートとを大気圧雰囲気下に解放する大気解放工程
を備えることを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - 前記大気解放工程の後に、第1温度で加熱し、その後、前記第1温度より高温の第2温度で加熱する2段階加熱工程をさらに備えることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1温度は、温度が前記第2温度まで上昇する昇温温度範囲を有することを特徴とする、請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記2段階加熱工程において、前記第1温度で加熱されているときに、前記封止シートを機械加圧することを特徴とする、請求項2または3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記封止シートは、2段階熱硬化型樹脂を含む封止樹脂組成物からなり、
前記2段階加熱工程において、前記第1温度で加熱されているとき、前記封止シートは、Bステージの状態であり、前記第2温度で加熱されているとき、前記封止シートは、Cステージの状態となることを特徴とする、請求項2〜4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記大気解放工程の後に、前記封止シートを、加熱および流体加圧する加熱流体加圧工程をさらに備えることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記圧接工程において、前記封止シートの圧縮弾性率が、0.16MPa以下であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記凹部の前記上面から前記凹部周辺の上面までの長さが、500μm以下であることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013133413A JP6362834B2 (ja) | 2012-07-17 | 2013-06-26 | 半導体装置の製造方法 |
US13/943,120 US20140024179A1 (en) | 2012-07-17 | 2013-07-16 | Producing method of semiconductor device |
TW102125648A TW201405677A (zh) | 2012-07-17 | 2013-07-17 | 半導體裝置之製造方法 |
CN201310300974.7A CN103579454A (zh) | 2012-07-17 | 2013-07-17 | 半导体装置的制造方法 |
US13/944,577 US9048401B2 (en) | 2012-07-17 | 2013-07-17 | Producing method of semiconductor device |
EP13176824.4A EP2688113A2 (en) | 2012-07-17 | 2013-07-17 | Producing method of semiconductor device |
KR1020130084217A KR20140010904A (ko) | 2012-07-17 | 2013-07-17 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012158945 | 2012-07-17 | ||
JP2012158945 | 2012-07-17 | ||
JP2013133413A JP6362834B2 (ja) | 2012-07-17 | 2013-06-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014039017A true JP2014039017A (ja) | 2014-02-27 |
JP6362834B2 JP6362834B2 (ja) | 2018-07-25 |
Family
ID=48790292
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013133413A Active JP6362834B2 (ja) | 2012-07-17 | 2013-06-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20140024179A1 (ja) |
EP (1) | EP2688113A2 (ja) |
JP (1) | JP6362834B2 (ja) |
KR (1) | KR20140010904A (ja) |
CN (1) | CN103579454A (ja) |
TW (1) | TW201405677A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015211222A (ja) * | 2014-04-29 | 2015-11-24 | 株式会社ダイナテク | 矯正装置 |
WO2016039442A1 (ja) * | 2014-09-12 | 2016-03-17 | 日東電工株式会社 | 封止層被覆光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法 |
JP2016046491A (ja) * | 2014-08-26 | 2016-04-04 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体装置の封止方法及び該封止方法によって製造された光半導体装置 |
WO2019026267A1 (ja) * | 2017-08-04 | 2019-02-07 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法および積層シート |
JP6856787B1 (ja) * | 2020-01-29 | 2021-04-14 | 住友化学株式会社 | 電子部品の製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6444707B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2018-12-26 | Towa株式会社 | 電子部品、その製造方法及び製造装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0845972A (ja) * | 1994-05-24 | 1996-02-16 | Sharp Corp | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2005175292A (ja) * | 2003-12-12 | 2005-06-30 | Toshiba Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2005340520A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Lintec Corp | 半導体封止用樹脂シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2010238717A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造装置および製造方法 |
JP2012059743A (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Nitto Denko Corp | 電子部品装置の製法およびそれに用いる電子部品封止用樹脂組成物シート |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2505352B1 (en) * | 2006-12-28 | 2013-07-10 | Asahi Glass Company, Limited | A process for producing a transparent laminate |
US7871842B2 (en) * | 2008-10-03 | 2011-01-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Production process for surface-mounting ceramic LED package, surface-mounting ceramic LED package produced by said production process, and mold for producing said package |
JP5190993B2 (ja) | 2008-11-20 | 2013-04-24 | 日東電工株式会社 | 光半導体封止用シート |
CN102548725A (zh) * | 2009-09-24 | 2012-07-04 | 旭硝子株式会社 | 脱模膜及发光二极管的制造方法 |
JP2011219597A (ja) | 2010-04-08 | 2011-11-04 | Nitto Denko Corp | シリコーン樹脂シート |
JP5701523B2 (ja) * | 2010-06-22 | 2015-04-15 | 日東電工株式会社 | 半導体発光装置 |
-
2013
- 2013-06-26 JP JP2013133413A patent/JP6362834B2/ja active Active
- 2013-07-16 US US13/943,120 patent/US20140024179A1/en not_active Abandoned
- 2013-07-17 KR KR1020130084217A patent/KR20140010904A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-07-17 US US13/944,577 patent/US9048401B2/en active Active
- 2013-07-17 EP EP13176824.4A patent/EP2688113A2/en not_active Withdrawn
- 2013-07-17 CN CN201310300974.7A patent/CN103579454A/zh active Pending
- 2013-07-17 TW TW102125648A patent/TW201405677A/zh unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0845972A (ja) * | 1994-05-24 | 1996-02-16 | Sharp Corp | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2005175292A (ja) * | 2003-12-12 | 2005-06-30 | Toshiba Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2005340520A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Lintec Corp | 半導体封止用樹脂シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2010238717A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造装置および製造方法 |
JP2012059743A (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Nitto Denko Corp | 電子部品装置の製法およびそれに用いる電子部品封止用樹脂組成物シート |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015211222A (ja) * | 2014-04-29 | 2015-11-24 | 株式会社ダイナテク | 矯正装置 |
JP2016046491A (ja) * | 2014-08-26 | 2016-04-04 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体装置の封止方法及び該封止方法によって製造された光半導体装置 |
WO2016039442A1 (ja) * | 2014-09-12 | 2016-03-17 | 日東電工株式会社 | 封止層被覆光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法 |
WO2019026267A1 (ja) * | 2017-08-04 | 2019-02-07 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法および積層シート |
JPWO2019026267A1 (ja) * | 2017-08-04 | 2020-06-18 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法および積層シート |
JP7022133B2 (ja) | 2017-08-04 | 2022-02-17 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法および積層シート |
TWI758451B (zh) * | 2017-08-04 | 2022-03-21 | 日商琳得科股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法及積層板片 |
JP6856787B1 (ja) * | 2020-01-29 | 2021-04-14 | 住友化学株式会社 | 電子部品の製造方法 |
JP2021118336A (ja) * | 2020-01-29 | 2021-08-10 | 住友化学株式会社 | 電子部品の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20140010904A (ko) | 2014-01-27 |
US9048401B2 (en) | 2015-06-02 |
CN103579454A (zh) | 2014-02-12 |
US20140024179A1 (en) | 2014-01-23 |
TW201405677A (zh) | 2014-02-01 |
JP6362834B2 (ja) | 2018-07-25 |
US20140024153A1 (en) | 2014-01-23 |
EP2688113A2 (en) | 2014-01-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5680211B2 (ja) | 封止層被覆半導体素子および半導体装置の製造方法 | |
JP6250065B2 (ja) | 圧縮成形又はラミネート用ホットメルト型硬化性シリコーン組成物 | |
JP6362834B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010265437A (ja) | 熱硬化性シリコーン樹脂用組成物 | |
JP6957630B2 (ja) | 封止光半導体デバイスの製造方法 | |
KR20210108990A (ko) | 경화성 실리콘 조성물, 그의 경화물 및 그의 제조 방법 | |
WO2015029664A1 (ja) | 封止半導体素子および半導体装置の製造方法 | |
TW201425554A (zh) | 密封片材 | |
US20130256717A1 (en) | Semiconductor board, semiconductor device, and producing method of semiconductor device | |
JP6987871B2 (ja) | 封止光半導体デバイスの製造方法 | |
CN111574838B (zh) | 晶圆级光半导体装置用树脂组合物及使用了该组合物的晶圆级光半导体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160322 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170926 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20171222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20171222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180329 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20180419 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20180517 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180529 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180627 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6362834 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |