JP6444707B2 - 電子部品、その製造方法及び製造装置 - Google Patents

電子部品、その製造方法及び製造装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6444707B2
JP6444707B2 JP2014242572A JP2014242572A JP6444707B2 JP 6444707 B2 JP6444707 B2 JP 6444707B2 JP 2014242572 A JP2014242572 A JP 2014242572A JP 2014242572 A JP2014242572 A JP 2014242572A JP 6444707 B2 JP6444707 B2 JP 6444707B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold
resin
wiring pattern
electronic component
ground wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014242572A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016103616A (ja
Inventor
竹内 慎
慎 竹内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Towa Corp
Original Assignee
Towa Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Towa Corp filed Critical Towa Corp
Priority to JP2014242572A priority Critical patent/JP6444707B2/ja
Priority to KR1020150153774A priority patent/KR101847691B1/ko
Priority to TW104136866A priority patent/TWI575617B/zh
Priority to CN201510791707.3A priority patent/CN105643855B/zh
Publication of JP2016103616A publication Critical patent/JP2016103616A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6444707B2 publication Critical patent/JP6444707B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/18Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. compression moulding around inserts or for coating articles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561Batch processing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/18Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. compression moulding around inserts or for coating articles
    • B29C2043/181Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. compression moulding around inserts or for coating articles encapsulated
    • B29C2043/182Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. compression moulding around inserts or for coating articles encapsulated completely
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

本発明は、電子部品の製造装置及び製造方法に関し、より詳細には電磁シールド板又は放熱板として機能する板状部材と配線基板と封止性樹脂とを有する電子部品、その製造装置及び製造方法に関する。
従来、電子部品は携帯電話機等の通信機器等における高周波回路に用いられている。この電子部品の製造方法は、次の3つの工程を有する。まず、信号配線パターンやグラウンド配線パターン等の表面配線パターンを有する配線基板の上面に、IC(Integrated Circuit)等の半導体素子等の電子素子を載置させる工程である。次に、電子素子の上面に設けられている接続電極と表面配線パターンとを、金属細線を介して電気的に接続する工程である。次に、絶縁性を有する封止樹脂によって電子素子を被覆する工程である。
従来の電子部品は、携帯電話などの通信機器内に組み込まれた後に、電子部品の周囲に配置される他の電子部品からの電磁的な影響によって、誤動作するおそれを有する。特に、電子部品が高周波回路に用いられる際に誤作動する可能性が高い。そこで、誤作動するおそれを解消するために、次の工程を有する電子部品の製造方法が提案されている(特許文献1参照)。まず配線基板上に金属ポストを形成する工程である。次に、チップ部品(電子素子)の上面に設けられている電極端子(接続電極)と基板上のパッド部(表面配線パターン)とを、金属ワイヤ(金属細線)を介して電気的に接続する工程である。次に、金属ポストの上面に、樹脂封止の際に用いる成形型よりも柔らかい材料からなる金属ワイヤを形成する工程である。次に成形型を金属ワイヤに接触させて型締めした状態で、チップ部品及び金属ポストを封止樹脂によって樹脂封止する工程である。次に、前の工程で得られた樹脂封止後の構造体を、ダイサー等により、各デバイス単位に切断して個片化する工程である。次に、個片化された構造体に対し、金属製シールドケースを装着する工程である。この工程によって、封止樹脂から露出した金属ワイヤと金属製シールドケースを電気的に接続する。
特開2009−289926号公報(段落[0005]、[0006]、[0007]参照)
上述したシールド部材を用いる電子部品の製造方法によれば、樹脂封止する工程とシールド部材を装着する工程とを別々に要するので、電子部品の組立作業が複雑になる。また、信号配線パターンとグラウンド配線パターンとの少なくとも2つの異なった配線高さを有する金属ワイヤを設けなければならないので、このことからも組立作業が複雑になる。
本発明は上記課題に鑑み案出されたもので、電子部品を製造する際の生産性が高く、電磁波を良好に遮蔽し、良好な放熱性を有する電子部品、その製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る電子部品は、電子素子と、電子素子の接続電極に電気的に接続されたボンディングパッドと、グラウンド配線パターンとを有する実装済基板と、流動性樹脂が硬化することによって形成され電子素子とグラウンド配線パターンとを少なくとも覆う封止樹脂とを備える電子部品であって、封止樹脂における実装済基板とは反対側の面に固着され、導電性を有する導電体付板状部材と、導電体付板状部材に予め形成され、グラウンド配線パターンに電気的に接続された導電性部材とを備え、導電性部材が封止樹脂によって覆われていることを特徴とする。
本発明に係る電子部品は、上述した電子部品において、実装済基板が導電性部材を導電体付板状部材に向かって押圧した状態において流動性樹脂が硬化することによって、導電性部材がグラウンド配線パターンに電気的に接続されたことを特徴とする。
本発明に係る電子部品は、上述した電子部品において、流動性樹脂が硬化する際の圧縮応力が導電性部材を前記グラウンド配線パターンに向かって押圧した状態において流動性樹脂が硬化することによって、導電性部材がグラウンド配線パターンに電気的に接続されたことを特徴とする。
本発明に係る電子部品の製造方法は、電子素子と、電子素子の接続電極に電気的に接続されたボンディングパッドと、グラウンド配線パターンとを有する実装済基板を準備する工程と、主面から突出する導電性部材を有する導電体付板状部材を準備する工程と、第1の型の所定の位置に実装済基板を一時的に固定する工程と、第2の型に設けられたキャビティの内底面に導電体付板状部材を配置する工程と、流動性樹脂によってキャビティを満たされた状態にする工程と、第1の型と第2の型とを型締めすることによって、前記導電性部材の少なくとも一部を流動性樹脂に浸漬する工程と、第1の型と第2の型とを型締めすることによって、グラウンド配線パターンと導電性部材とを接触させる工程と、第1の型と第2の型とを型締めすることによって、少なくとも電子素子とグラウンド配線パターンとを流動性樹脂に浸漬する工程と、流動性樹脂を硬化させて硬化樹脂からなる封止樹脂を形成する工程と、第1の型と第2の型とを型開きすることによって、電子素子とグラウンド配線パターンと導電性部材と封止樹脂を含む電子部品を第2の型から分離する工程とを備えることを特徴とする。
本発明に係る電子部品の製造方法は、上述した電子部品の製造方法において、封止樹脂を成形する工程では、実装済基板が導電性部材を導電体付板状部材に向かって押圧した状態において前記流動性樹脂を硬化させることを特徴とする。
本発明に係る電子部品の製造方法は、上述した電子部品の製造方法において、封止樹脂を成形する工程では、流動性樹脂が硬化する際の圧縮応力が導電性部材を前記グラウンド配線パターンに向かって押圧した状態において流動性樹脂を硬化させることを特徴とする。
本発明に係る電子部品の製造装置は、電子素子と、電子素子の接続電極に電気的に接続されたボンディングパッドと、グラウンド配線パターンとを有する実装済基板と、流動性樹脂が硬化することによって形成され電子素子とグラウンド配線パターンとを少なくとも覆う封止樹脂と、封止樹脂に固着し導電性を有する導電体付板状部材と、前記導電体付板状部材に予め形成されグラウンド配線パターンに電気的に接続された導電性部材とを備える電子部品を製造する電子部品の製造装置であって、実装済基板が一時的に固定される第1の型と、キャビティを有する第2の型とを備え、キャビティの内底面に導電体付板状部材が配置され、第1の型と第2の型とが型締めされる際に、キャビティに満たされた流動性樹脂が導電体付板状部材と導電性部材とを覆い、第1の型と前記第2の型とが型締めした状態において導電性部材とグラウンド配線パターンとが電気的に接触し、第1の型と第2の型とが型締めした状態においてキャビティに満たされた流動性樹脂が硬化して封止樹脂が形成されることを特徴とする。
本発明に係る電子部品の製造装置は、上述した電子部品の製造装置において、実装済基板に設けられた第1の位置合わせ部と、キャビティに設けられた第2の位置合わせ部とを備え、第1の位置合わせ部と第2の位置合わせ部とによって実装済基板とキャビティとが位置合わせされることを特徴とする。
本発明によれば、電子部品を製造する際の生産性が高く、電磁波を良好に遮蔽し、良好な放熱性を有する電子部品、その製造装置及び製造方法を提供することが可能となる。
本発明に係る電子部品の構成を示す概略断面図である。 本発明に係る電子部品を製造する工程の一部を示す概略断面図であり、図2(a)は実装済基板と導電体付板状部材とを準備する工程、図2(b)は実装済基板を上型に一時的に固定する工程、図2(c)は導電体付板状部材を下型に配置する工程を示す。 本発明に係る電子部品を製造する工程の一部を示す概略断面図であり、図3(a)は下型のキャビティ部に液状樹脂を注入する工程、図3(b)は上型と下型とを型締めして封止樹脂を硬化させて成形する工程、図3(c)は上型と下型とを型開きして下型と成形品(電子部品)とを分離する工程を示す。 本発明に係る電子部品の製造方法の実施例2において工程の一部を示す概略断面図であり、図4(a)は実装済基板を上型に一時的に固定し、下型のキャビティ部に導電体付板状部材を設置した後に液状樹脂を注入する工程、図4(b)上型と下型とを型締めして封止樹脂を硬化させて成形する工程、図3(c)は上型と下型とを型開きして下型と成形品(電子部品)とを分離する工程を示す。 本発明に係る成形品の個片化を示す概略断面図であり、図5(a)は、成形品(封止済基板)を個片化する工程、図5(b)は実施例2の工程で製造された電子部品を示す。
本発明の実施例1を、添付図面に基づいて詳細に説明する。本出願書類におけるいずれの図についても、わかりやすくするために、適宜省略し又は誇張して模式的に描かれている。
図1は、本実施例に係る電子部品の構造を示す。図1に示される電子部品1は、配線基板2と、電子素子3と、封止樹脂4と、電磁シールド板又は放熱板として機能する板状部材5と、配線基板2と板状部材5とを電気的に接続させる導電性部材6とを有する。
配線基板2は、複数の絶縁層と配線層とを積層してなる、矩形状の平面形状を有する積層体である。配線基板2の両面と絶縁層間とには回路配線が形成され、それらの回路配線はビアホール導体等を経由して相互に電気的に接続される。配線基板2としては、例えば、ガラス・エポキシ基板をベース基板として、それぞれ銅からなる配線、層間配線、ビアホール導体を有するプリント基板が挙げられる。配線基板2の主面7は、電源系パターンと信号系及び電源系のボンディングパッド8とを有する。電源系パターンには、+電源パターン(図示なし)とグラウンド配線パターン9とが含まれる。+電源パターンとグラウンド配線パターン9とボンディングパッド8とは、配線基板2内部のビアホール導体等を経由して、配線基板2の下面又は側面に形成される外部接続導体(図示せず)に電気的に接続される。
IC(Integrated Circuit)等の半導体素子からなる電子素子3が、配線基板2の主面7に、例えばダイボンド材や導電性樹脂を使用して装着される。電子素子3の上面には、複数の接続電極10が形成される。接続電極10は、ループ形状をなす金属細線11によってボンディングパッド8に電気的に接続される。金属細線11は、例えばAuAlCu等からなり、その直径は通常18μm35μmである。
電磁シールド板又は放熱板として機能する板状部材5は、黄銅、銅,アルミニウム、半田、導電性樹脂等の導電性部材からなり、長方形状又は正方形状を有する。板状部材5は、配線基板2の主面7に対して向かい合うように配置される。板状部材5として、絶縁性を有する板状部材の少なくとも一方の面に、無電解めっき、蒸着、スクリーン印刷等の方法によって、黄銅、銅、アルミニウム、半田、導通性樹脂等が膜状に形成された部材を使用してもよい。板状部材5の形状を、板に壁部が設けられた箱状にしてもよい。この場合には、図1において、板状部材5の両端又は中間部から壁部が下方に伸び、壁部の下端とグラウンド配線パターン9とが電気的に接続されることが好ましい。
板状部材5の一方の面(配線基板2の主面7に対して向かい合う面)には、導電性部材6が形成される。導電性部材6は、配線基板2のグラウンド配線パターン9と板状部材5とを電気的に接続させるために使用される。導電性部材6の材料としては、例えば、金、黄銅、銅、アルミニウム、半田、導電性樹脂等を使用する。図1は、導電性部材6として、ワイヤボンディングによって形成されたループ状の金属細線を使用する例を示す。導電性部材6は金属細線11よりも太い直径を有することが好ましい。導電性部材6は、板状部材5の一方の面から突出するループ状、アーチ状、柱状、螺旋状、球体状、帯状、箔状、リボン状、壁状等の形状を有する。
封止樹脂4は、電子素子3、接続電極10、金属細線11、+電源パターン(図示なし)、グラウンド配線パターン9、ボンディングパッド8、配線基板2の主面7及び導電性部材6を封止するための封止樹脂として機能する。封止樹脂4としては、例えば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂や、熱可塑性樹脂を使用する。
本実施例に係る電子部品の製造方法を説明する。図2,図3は製造方法を工程順に示す概要図である。
電子部品は、図2(a)に示す実装済基板12を樹脂封止することによって製造される。図2(b)に示す樹脂封止用の成形型13は、上型14と下型15とを有する。上型14は、実装済基板12を固定する固定具(図示せず)又は吸着機構(図示せず)の少なくとも一方を有する。下型15は、キャビティ16を有する。キャビティ16内の底面の隅には、キャビティ16に対して導電体付板状部材(後述)を位置合わせするための突起17を設ける。
まず、図2(a)に示すように、次の2つの部材(中間体)を準備する。第1の部材は実装済基板12である。実装済基板12には電子素子3が装着される。電子素子3の接続電極10と配線基板2の電源系パターン及びボンディングパッド8とが、金属細線11によって電気的に接続される。
第2の部材は、板状部材5に導電性部材6が形成された導電体付板状部材18である。導電体付板状部材18の平面部には、ループ状の金属細線からなる導電性部材6が、ワイヤボンディングによって形成される。導電体付板状部材18の隅には、位置合わせ用の切り欠き19が予め形成される。
次に、図2(b)に示すように、上型14における所定の位置に、固定具や吸着機構によって実装済基板12を一時的に固定する。所定の位置とは、平面視して実装済基板12の主面7内にキャビティ16が含まれる位置である。
次に、図2(c)に示すように、キャビティ16を構成する下型15の内底面(以下「キャビティ16の内底面」という。)に導電体付板状部材18をキャビティ16の突起17と導電体付板状部材18の切り欠き19(図2(a)参照)によってキャビティ16と導電体付板状部材18とが位置合わせされる。
次に、図3(a)に示すように、キャビティ16(図3(c)参照)の内底面に配置した導電体付板状部材18を覆うようにして、常温において液状である絶縁性の液状樹脂(流動性樹脂)20を注入する。液状樹脂20として、例えば熱硬化性樹脂を使用する。この工程では、導電性部材6の上部に液状樹脂20が付着しないようにする。キャビティ16に注入された液状樹脂20の上面から、導電性部材6の上部を露出させる。言い換えれば、導電性部材6は、キャビティ16(図3(c)参照)に注入された液状樹脂20の上面から導電性部材6の上部が露出するように予め設定して、ワイヤボンディングされる。
次に、図3(a)に示された状態から図3(b)に示されるように、上型14と下型15とを型締めする。このことによって、最初に、板状部材5の主面(図では上面)に装着された導電性部材6がたわみながらグラウンド配線パターン9に接触する。次に、実装済基板12の主面7における電子素子3,ボンディングパッド8、+電源パターン(図示なし)、グラウンド配線パターン9、及び、金属細線11を液状樹脂20に浸漬する(漬ける)。最後に、キャビティ16に注入された液状樹脂20を、実装済基板12の主面7に接触させる。型締めした状態を一定時間(少なくとも20秒以上)保つ。この間、液状樹脂20を加圧しながら下型15に設けられたヒータ(図示なし)を使用して、所定の硬化温度によって液状樹脂20を加熱する。このことにより、図3(a)、(b)に示すように、液状樹脂20を硬化させて硬化樹脂からなる封止樹脂4を成形する。
次に、図3(c)に示すように、上型14と下型15とを型開きする。このことによって下型15と成形された電子部品1とを分離する。ここまでの工程によって成形品からなる電子部品1を完成させる。
本実施例によれば、導電体付板状部材18が有する導電性部材6の上部を、注入された液状樹脂4の上面から露出させる。このことにより、グラウンド配線パターン9に導電性部材6を確実に接触させて、実装済基板12の主面7(具体的にはグラウンド配線パターン9)によって導電性部材6が押圧された状態において、液状樹脂20を硬化させることができる。したがって、導電性部材6によって板状部材5とグラウンド配線パターン9とを確実に電気的に接続することができる。言い換えれば、液状樹脂20が硬化する際の圧縮応力によって押圧された導電性部材6がグラウンド配線パターン9に接触する。したがってグラウンド配線パターン9に導電性部材6をいっそう確実に強く押圧できる。
本実施例によれば、樹脂封止する工程において、板状部材5とグラウンド配線パターン9との電気的な接続と、板状部材5の固定とを並行して行う。したがって、電子部品を製造する際の生産性が向上する。特に、板状部材5の形状を箱状にした場合には、電磁波を良好に遮蔽する特性と良好な放熱性とを有する電子部品が得られる。
本発明の実施例2を、図4、図5に基づいて詳細に説明する。本実施例における電子部品の製造方法は、実施例1と異なる導電性部材を使用して電子部品を製造する方法である。加えて、本実施例によれば、配線基板に少なくとも2つ以上の電子素子2を装着し、樹脂封止された成形品を個片化することによって複数の電子部品を製造することができる。
図4(a)に示すように、導電性部材21として、板状部材5の平面部に対して垂直方向に半田によって固定された銅板を例に挙げて説明する。図4、図5は本実施例の製造方法を示す。
まず、図4(a)に示すように、次の2つの部材(中間体)を配置する。第1の部材は、実装済基板22である。実装済基板22には複数の電子素子3が装着される。上型14における所定の位置に実装済基板22を配置する。所定の位置とは、平面視して実装済基板22の主面23内にキャビティ16(図4(c)参照)が含まれる位置である。第2の部材は、板状部材5に導電性部材21が形成された、導電体付板状部材24である。下型15のキャビティ16の内底面に導電体付板状部材24を配置する。また下型15のキャビティ16内に、板状部材5を覆うように液状樹脂20を注入する。キャビティ16に注入された液状樹脂20の上面から、導電性部材21の上部を露出させる。言い換えれば、キャビティ16に注入された液状樹脂20の上面から導電性部材21の上部が露出するように予め設定して、半田によって板状部材5に導電性部材21が固定される。
次に、図4(a)に示された状態から図4(b)に示されるように、上型14と下型15とを型締めする。このことによって、最初に、導電体付板状部材24の主面25に装着された導電性部材21がたわみながらグラウンド配線パターン9に接触する。次に、実装済基板22の主面23における電子素子3,ボンディングパッド8、グラウンド配線パターン9、+電源パターン(図示なし)、及び、金属細線11液状樹脂20に浸漬する(漬ける)。最後に、キャビティ16に注入された液状樹脂20を、実装済基板22の主面23に接触させる。型締めた状態を一定時間(少なくとも20秒以上)保つ。この間、液状樹脂20を加圧しながら下型15に設けられたヒータ(図示なし)によって加熱する。このことにより、図4(a)、(b)に示すように、液状樹脂20を硬化させて硬化樹脂からなる封止樹脂4を成形する。
次に、図4(c)に示すように、上型14と下型15とを型開きする。このことによって下型15と成形された封止済基板26とを分離する。
次に、図5(a)に示すように、封止済基板26をステージ(図示なし)に仮固定する。回転刃27を使用して、封止済基板26において仮想的に設けられたダイシングライン28に沿って、Y方向(図の手前−奥方向)とX方向(図の左右方向)とに封止済基板26を切断する。これにより、封止済基板26を個片領域29単位に分離して個片化する。図5(b)に示すように、封止済基板26が個片化されて電子部品1が完成する。
本実施例によれば、実施例1と同様の効果が得られる。加えて、電子部品を製造する際の生産性がいっそう向上する。
各実施例では、樹脂封止する際に圧縮成形を例として挙げている。成形方法としてトランスファー成形や射出成形を使用してもよい。成形型の上型又は下型の一方又は双方にキャビティを設けてもよい。
各実施例では、導電性部材6、21の上部を液状樹脂20から露出させる。これに限らず、導電性部材6、21を液状樹脂20に完全に漬けた状態で上型14と下型15とを型締めしてもよい。この場合には、型締めが完了した状態において、実装済基板12の主面7(具体的にはグラウンド配線パターン9)によって導電性部材6、21が押圧されるように、導電性部材6、21の高さを予め定める。導電性部材6、21として、半田めっきされた導線、半田ペースト等を使用できる。これらのことによって、導電性部材によって板状部材5とグラウンド配線パターン9とを確実に電気的に接続することができる。
導電性部材6として半田(半田ペースト、半田めっきされた金属を含む)を使用する場合には、液状樹脂20を硬化させるための所定の硬化温度において溶融する半田を使用することが好ましい。これにより、液状樹脂20が硬化する際の圧縮応力によって押圧された導電性部材6がグラウンド配線パターン9に接触した状態で半田が溶融し、樹脂封止後に電子部品1が冷えることによって半田が硬化する。したがって、硬化した半田によって板状部材5とグラウンド配線パターン9とを確実に電気的に接続することができる。
導電体付板状部材18、24とキャビティ16とを位置合わせするために、例えば、次の3つの手段を使用できる。第1に、キャビティ16の内底面の形状を、導電体付板状部材18の平面形状と同じにしてその平面形状よりもわずかに大きくすることである。第2に、板状部材にプレス加工などで凹部又は穴を予め形成し、その凹部又は穴に対応する形状を有するピン又は突起等をキャビティ16の内底面に予め設けることである。第3に、板状部材にプレス加工などで突出部を予め形成し、その突出部に対応する形状を有する凹部をキャビティ16の内底面に予め設けることである。
樹脂材料として、液状樹脂を例として挙げている。本発明において使用する樹脂材料は、顆粒、粉末、タブレット等の固形状の樹脂を使用してこれを加熱して溶融させて、流動性樹脂としてもよい。
封止樹脂4の平面形状は、長方形以外でもよい。封止樹脂4の平面形状に合わせて板状部材5や導電体付板状部材19の形状は、長方形以外でもよい。例えば、円形や円形平面の平行方向に突出した部分が設けられた形状や円形平面の平行方向に切り欠かれた部分が設けられた形状である。
電子素子3としては、パワートランジスター、パワーダイオード、CMOSセンサ等を使用してもよい。
電子素子3の電気的な接続方法として、ワイヤボンディングを例として挙げている。接続方法としてフリップチップボンディング等を使用してもよい。
半導体素子からなる電子素子3を例として挙げている。電子素子3は、抵抗器、キャパシタ、インダクタ等の受動素子でもよい。加えて、電子素子3と受動素子とを組み合わせてもよい。
導電性接着剤を使用して、Cu、Al等からなり適当な基部と立ち上がり部とを有する箔又は薄板をグラウンド配線パターン9に貼り付けてもよい。導電性接着剤を使用して、Cu、Al等からなる導線を、グラウンド配線パターン9に貼り付けてもよい。ノズルを使用して、半田ペースト等の導電性の流動性材料を、グラウンド配線パターン9の上に吐出してもよい。
プリント基板を例として挙げている。配線基板2は、セラミック基板、金属ベース基板、リードフレーム等でもよい。
実施例2においては、板状部材の平面部に対して垂直方向に半田ペーストによって銅板を接着した導電性部材21を例として挙げている。導電性部材21として、電子部品の製品領域を取り囲む枠形状のものを使用してもよい。また導電性部材21として、電子部品領域において電子素子3を部分的に取り囲む板状(壁状)の形状を有する金属板等を使用してもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。例えば、図2(b)、(c)に示すように上型14の所定の位置に配線基板を固定具や吸着機構によって一時的に取り付ける工程と予め形成された前記導電性部材6を有する板状部材5を下型15の封止領域内に取り付ける工程とを入れ替えても同様の電子部品を製造することができる。
1 電子部品
2 配線基板
3 電子素子
4 封止樹脂
5 板状部材
6 導電性部材
7 配線基板の主面
8 ボンディングパッド
9 グラウンド配線パターン
10 接続電極
11 金属細線
12 実装済基板
13 成形型
14 上型(第1の型)
15 下型(第2の型)
16 キャビティ
17 突起(第2の位置合わせ部)
18 導電体付板状部材
19 切り欠き(第1の位置合わせ部)
20 液状樹脂
21 導電性部材
22 実装済基板
23 実装済基板の主面
24 導電体付板状部材
25 導電体付板状部材の主面
26 封止済基板
27 回転刃
28 ダイシングライン
29 個片領域

Claims (5)

  1. 電子素子と、前記電子素子の接続電極に電気的に接続されたボンディングパッドと、グラウンド配線パターンとを有する実装済基板を準備する工程と、
    主面から突出する導電性部材を有する導電体付板状部材を準備する工程と、
    第1の型の所定の位置に前記実装済基板を一時的に固定する工程と、
    第2の型に設けられたキャビティの内底面に前記導電体付板状部材を配置する工程と、
    流動性樹脂によって前記キャビティを満たされた状態にする工程と、
    前記第1の型と前記第2の型とを型締めすることによって、前記導電性部材の少なくとも一部を前記流動性樹脂に浸漬する工程と、
    前記第1の型と前記第2の型とを型締めすることによって、前記導電部材が、前記導電体付板状部材に対する取り付け位置と前記グラウンド配線パターンに対する接続位置との間において、前記導電体付板状部材の平面部に対して平行な方向で両側に広がるようにたわみながら前記グラウンド配線パターンと前記導電性部材とを接触させる工程と、
    前記第1の型と前記第2の型とを型締めすることによって、少なくとも前記電子素子と前記グラウンド配線パターンとを前記流動性樹脂に浸漬する工程と、
    前記流動性樹脂を硬化させて硬化樹脂からなる封止樹脂を形成する工程と、
    前記第1の型と前記第2の型とを型開きすることによって、前記電子素子と前記グラウンド配線パターンと前記導電性部材と前記封止樹脂を含む電子部品を前記第2の型から分離する工程とを備えることを特徴とする電子部品の製造方法。
  2. 請求項1に記載された電子部品の製造方法において、
    前記封止樹脂を成形する工程では、前記実装済基板が前記導電性部材を前記導電体付板状部材に向かって押圧した状態において前記流動性樹脂を硬化させることを特徴とする電子部品の製造方法。
  3. 請求項1に記載された電子部品の製造方法において、
    前記封止樹脂を成形する工程では、前記流動性樹脂が硬化する際の圧縮応力が前記導電性部材を前記グラウンド配線パターンに向かって押圧した状態において前記流動性樹脂を硬化させることを特徴とする電子部品の製造方法。
  4. 電子素子と、前記電子素子の接続電極に電気的に接続されたボンディングパッドと、グラウンド配線パターンとを有する実装済基板と、流動性樹脂が硬化することによって形成され前記電子素子と前記グラウンド配線パターンとを少なくとも覆う封止樹脂と、前記封止樹脂に固着し導電性を有する導電体付板状部材と、前記導電体付板状部材に予め形成され前記グラウンド配線パターンに電気的に接続された導電性部材とを備える電子部品を製造する電子部品の製造装置であって、
    前記実装済基板が一時的に固定される第1の型と、
    キャビティを有する第2の型とを備え、
    前記キャビティの内底面に前記導電体付板状部材が配置され、
    前記第1の型と前記第2の型とが型締めされる際に、前記キャビティに満たされた前記流動性樹脂が前記導電体付板状部材と前記導電性部材とを覆い、
    前記第1の型と前記第2の型とが型締めした状態において前記導電部材が、前記導電体付板状部材に対する取り付け位置と前記グラウンド配線パターンに対する接続位置との間において、前記導電体付板状部材の平面部に対して平行な方向で両側に広がるようにたわみながら前記導電性部材と前記グラウンド配線パターンとが電気的に接触し、
    前記第1の型と前記第2の型とが型締めした状態において前記キャビティに満たされた前記流動性樹脂が硬化して前記封止樹脂が形成されることを特徴とする電子部品の製造装置。
  5. 請求項4に記載された電子部品の製造装置において、
    前記実装済基板に設けられた第1の位置合わせ部と、
    前記キャビティに設けられた第2の位置合わせ部とを備え、
    前記第1の位置合わせ部と前記第2の位置合わせ部とによって前記実装済基板と前記キャビティとが位置合わせされることを特徴とする電子部品の製造装置。
JP2014242572A 2014-11-28 2014-11-28 電子部品、その製造方法及び製造装置 Active JP6444707B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014242572A JP6444707B2 (ja) 2014-11-28 2014-11-28 電子部品、その製造方法及び製造装置
KR1020150153774A KR101847691B1 (ko) 2014-11-28 2015-11-03 전자 부품의 제조 방법 및 제조 장치
TW104136866A TWI575617B (zh) 2014-11-28 2015-11-09 An electronic component, an electronic component manufacturing method, and an electronic component manufacturing apparatus
CN201510791707.3A CN105643855B (zh) 2014-11-28 2015-11-17 电子部件、其制造方法及制造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014242572A JP6444707B2 (ja) 2014-11-28 2014-11-28 電子部品、その製造方法及び製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016103616A JP2016103616A (ja) 2016-06-02
JP6444707B2 true JP6444707B2 (ja) 2018-12-26

Family

ID=56089650

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014242572A Active JP6444707B2 (ja) 2014-11-28 2014-11-28 電子部品、その製造方法及び製造装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6444707B2 (ja)
KR (1) KR101847691B1 (ja)
CN (1) CN105643855B (ja)
TW (1) TWI575617B (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106003385B (zh) * 2016-07-12 2018-09-11 苏州宏泉高压电容器有限公司 一种高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具
JP6672113B2 (ja) * 2016-09-09 2020-03-25 Towa株式会社 電子回路装置及び電子回路装置の製造方法
JP2018113399A (ja) * 2017-01-13 2018-07-19 Towa株式会社 回路部品の製造方法および回路部品
TWI667745B (zh) * 2018-02-05 2019-08-01 南茂科技股份有限公司 半導體封裝結構
TWI655891B (zh) * 2018-03-08 2019-04-01 綠點高新科技股份有限公司 電子模組及其製造方法及電子裝置的殼體及其製造方法
US10896880B2 (en) 2018-11-28 2021-01-19 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and fabrication method thereof
TWI744572B (zh) 2018-11-28 2021-11-01 蔡憲聰 具有封裝內隔室屏蔽的半導體封裝及其製作方法
US11211340B2 (en) 2018-11-28 2021-12-28 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and active electro-magnetic compatibility shielding
JP6802314B2 (ja) * 2018-11-28 2020-12-16 宗哲 蔡 半導体パッケージ及びその製造方法
US10923435B2 (en) 2018-11-28 2021-02-16 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and improved heat-dissipation performance
US11239179B2 (en) 2018-11-28 2022-02-01 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package and fabrication method thereof
CN112750796A (zh) 2019-10-30 2021-05-04 新光电气工业株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法
EP4184566A1 (en) * 2021-11-19 2023-05-24 Nexperia B.V. A semiconductor device and a method of manufacturing such semiconductor device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6580167B1 (en) * 2001-04-20 2003-06-17 Amkor Technology, Inc. Heat spreader with spring IC package
JP2003249607A (ja) * 2002-02-26 2003-09-05 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP4519398B2 (ja) * 2002-11-26 2010-08-04 Towa株式会社 樹脂封止方法及び半導体装置の製造方法
KR101057368B1 (ko) * 2007-01-31 2011-08-18 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2009094095A (ja) * 2007-10-03 2009-04-30 Sharp Corp マルチチップモジュール
JP5248918B2 (ja) 2008-05-28 2013-07-31 新光電気工業株式会社 電子部品装置及びその製造方法
JP6071216B2 (ja) * 2012-02-28 2017-02-01 Towa株式会社 樹脂封止用材料の製造方法及び樹脂封止装置
JP6362834B2 (ja) * 2012-07-17 2018-07-25 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105643855A (zh) 2016-06-08
CN105643855B (zh) 2018-09-18
TWI575617B (zh) 2017-03-21
KR20160064970A (ko) 2016-06-08
JP2016103616A (ja) 2016-06-02
TW201620050A (zh) 2016-06-01
KR101847691B1 (ko) 2018-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6444707B2 (ja) 電子部品、その製造方法及び製造装置
JP6400509B2 (ja) 電子部品の製造方法
JP3679786B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR100384260B1 (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
JP6654994B2 (ja) 回路部品の製造方法
JP4614586B2 (ja) 混成集積回路装置の製造方法
KR101643332B1 (ko) 초음파 웰딩을 이용한 클립 본딩 반도체 칩 패키지 및 그 제조 방법
CN104779217A (zh) 具有翘曲控制结构的半导体器件封装件
JP2011124251A (ja) 半導体装置およびその製造方法
CN108231702B (zh) 半导体封装的形成方法
JP2004158753A (ja) リードフレーム材及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法
JP4614584B2 (ja) 混成集積回路装置およびその製造方法
JP2017174837A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN113272953A (zh) 半导体封装
CN108321092B (zh) 电路部件的制造方法和电路部件
KR101301782B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US9691697B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP2009135391A (ja) 電子装置およびその製造方法
JP2002093982A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US11227813B2 (en) Electronic apparatus
KR100487135B1 (ko) 볼그리드어레이패키지
JP4614585B2 (ja) 混成集積回路装置の製造方法
JP2004165525A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH08306721A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP6421432B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170922

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180517

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180529

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180726

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180814

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180914

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181030

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181128

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6444707

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250