CN106003385B - 一种高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具，包括同轴设置的上模和下模，上模的高度能够升降。上模上设有圆环上凹部和圆盘上凸部；下模上设有圆环下凹部和圆盘下凸部。圆盘上凸部上设置有竖向槽，竖向槽的底部设置有相贯通的横向槽；竖向槽内设置有弹簧，横向槽内设置有卸料板；弹簧的一端固定在竖向槽内，弹簧的另一端与卸料板固定连接；当弹簧压缩时，卸料板的底部能与圆盘上凸部的底部相平齐。圆盘下凸部内设置有高度能够升降的顶料杆。采用上述结构后，能自动冲压高压陶瓷电容器瓷介质芯片，冲压效率高，成型好，所冲压出的瓷介质芯片体积小，电容量大且不易产生裂纹或毛刺，耐压强度高。
Description
技术领域
本发明涉及陶瓷电容器生产领域，特别是一种高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具。
背景技术
传统的分立元件—陶瓷电容器以圆片形为主，这种结构成型简单、工艺成熟、操作简便，便于批量化、规模化生产。但是对于高压陶瓷电容器来说，主要考虑的是耐压强度和标称电容器尽可能高。而这两者之间，恰恰是相互矛盾的。同等条件下：介质越薄，电容量越大，耐压强度越低，反之亦然。传统的圆盘式陶瓷电容器体积相对大，不利于电力器件的组装。
另外，陶瓷电容器成型时，容易产生毛刺或裂纹。后续绝缘涂覆时，当在相同涂覆下，由于毛刺或裂纹的存在，将使得陶瓷电容器的绝缘厚度差异大，也使得陶瓷电容器的耐压强度降低。
发明内容
本发明要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，而提供一种高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具，该高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具能自动冲压高压陶瓷电容器瓷介质芯片，冲压效率高，成型好，所冲压出的瓷介质芯片体积小，电容量大且不易产生裂纹或毛刺，耐压强度高。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：
一种高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具，瓷介质芯片包括同轴设置的圆盘凹部和圆环凸部，圆盘凹部位于圆环凸部的内部，圆环凸部的厚度为圆盘凹部厚度1.2～3倍，圆盘凹部的直径为瓷介质芯片的2/3～4/5；圆盘凹部和圆环凸部的交接处设置有圆弧，瓷介质芯片为整体压制成型。
冲压模具包括同轴设置的上模和下模，上模的高度能够升降。
上模上设置有圆环上凹部和向下凸起的圆盘上凸部；下模上设置有圆环下凹部和向上凸起的圆盘下凸部。
圆盘上凸部和圆盘下凸部均与瓷介质芯片的圆盘凹部相对应；圆环上凹部和圆环下凹部均与瓷介质芯片的圆环凸部相对应。
圆环下凹部与圆盘下凸部的交接处、以及圆环上凹部和圆盘上凸部的交接处设置有与圆弧相对应的倒角。
圆盘上凸部上设置有竖向槽，竖向槽的底部设置有相贯通的横向槽；竖向槽内设置有弹簧，横向槽内设置有卸料板；弹簧的一端固定在竖向槽内，弹簧的另一端与卸料板固定连接；当弹簧压缩时，卸料板的底部能与圆盘上凸部的底部相平齐。
圆盘下凸部内设置有高度能够升降的顶料杆。
上模固定在上压板上，下模固定在下压板上，上压板和下压板之间设置有若干根升降导柱。
所述升降导柱上设置有位移传感器。
所述下压板上设置有能对上模下降位移进行限位的限位块。
所述下压板内设置有能驱动顶料杆高度升降的电机。
本发明采用上述结构后，能自动冲压高压陶瓷电容器瓷介质芯片，冲压效率高，成型好，所冲压出的瓷介质芯片体积小，电容量大且不易产生裂纹或毛刺，耐压强度高。
附图说明
图1是本发明一种高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具的结构示意图。
图2显示了瓷介质芯片的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体较佳实施方式对本发明作进一步详细的说明。
如图1和图2所示，一种高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具，包括上模1、圆环上凹部11、圆盘上凸部12、竖向槽121、弹簧122、横向槽123、卸料板124、下模2、圆环下凹部21、圆盘下凸部22、顶料杆221、机架3、升降导柱31、位移传感器32、上压板33、下压板34、瓷介质芯片4、圆环凸部41、圆盘凹部42和圆弧43等主要技术特征。
如图2所示，瓷介质芯片包括同轴设置的圆盘凹部和圆环凸部，圆盘凹部位于圆环凸部的内部。
圆环凸部的厚度为圆盘凹部厚度1.2～3倍，优选为1.2～2倍，进一步优选为1.2～1.6倍。
圆盘凹部的直径为瓷介质芯片的2/3～4/5。
圆盘凹部和圆环凸部的交接处设置有圆弧，圆弧的角度优选为15-60°，进一步优选为45°。该圆弧的设置，能防止成型毛刺及裂纹的产生，压制合格率高。
上述瓷介质芯片为整体压制成型。
圆盘凹部上能用于设置内电极，圆环凸部上能用于设置外电极。
如图1所示，一种高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具，包括同轴设置的上模和下模，上模的高度能够升降。
上模上设置有圆环上凹部和向下凸起的圆盘上凸部；下模上设置有圆环下凹部和向上凸起的圆盘下凸部。
圆盘上凸部和圆盘下凸部均与瓷介质芯片的圆盘凹部相对应；圆环上凹部和圆环下凹部均与瓷介质芯片的圆环凸部相对应。
圆环下凹部与圆盘下凸部的交接处、以及圆环上凹部和圆盘上凸部的交接处设置有与圆弧相对应的倒角。
圆盘上凸部上设置有竖向槽，竖向槽的底部设置有相贯通的横向槽；竖向槽内设置有弹簧，横向槽内设置有卸料板；弹簧的一端固定在竖向槽内，弹簧的另一端与卸料板固定连接；当弹簧压缩时，卸料板的底部能与圆盘上凸部的底部相平齐。
圆盘下凸部内设置有高度能够升降的顶料杆。
上模固定在上压板上，下模固定在下压板上，上压板和下压板之间设置有若干根升降导柱。
所述升降导柱上设置有位移传感器。
所述下压板上设置有能对上模下降位移进行限位的限位块。
所述下压板内设置有能驱动顶料杆高度升降的电机。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种等同变换，这些等同变换均属于本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具，其特征在于：瓷介质芯片包括同轴设置的圆盘凹部和圆环凸部，圆盘凹部位于圆环凸部的内部，圆环凸部的厚度为圆盘凹部厚度1.2～3倍，圆盘凹部的直径为瓷介质芯片的2/3～4/5；圆盘凹部的和圆环凸部的交接处设置有圆弧，瓷介质芯片为整体压制成型；
冲压模具包括同轴设置的上模和下模，上模的高度能够升降；
上模上设置有圆环上凹部和向下凸起的圆盘上凸部；下模上设置有圆环下凹部和向上凸起的圆盘下凸部；
圆盘上凸部和圆盘下凸部均与瓷介质芯片的圆盘凹部相对应；圆环上凹部和圆环下凹部均与瓷介质芯片的圆环凸部相对应；
圆环下凹部与圆盘下凸部的交接处、以及圆环上凹部和圆盘上凸部的交接处设置有与圆弧相对应的倒角；
圆盘上凸部上设置有竖向槽，竖向槽的底部设置有相贯通的横向槽；竖向槽内设置有弹簧，横向槽内设置有卸料板；弹簧的一端固定在竖向槽内，弹簧的另一端与卸料板固定连接；当弹簧压缩时，卸料板的底部能与圆盘上凸部的底部相平齐；
圆盘下凸部内设置有高度能够升降的顶料杆。
2.根据权利要求1所述的高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具，其特征在于：上模固定在上压板上，下模固定在下压板上，上压板和下压板之间设置有若干根升降导柱。
3.根据权利要求2所述的高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具，其特征在于：所述升降导柱上设置有位移传感器。
4.根据权利要求2所述的高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具，其特征在于：所述下压板上设置有能对上模下降位移进行限位的限位块。
5.根据权利要求2所述的高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具，其特征在于：所述下压板内设置有能驱动顶料杆高度升降的电机。
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