JP2018113399A - 回路部品の製造方法および回路部品 - Google Patents

回路部品の製造方法および回路部品 Download PDF

Info

Publication number
JP2018113399A
JP2018113399A JP2017004186A JP2017004186A JP2018113399A JP 2018113399 A JP2018113399 A JP 2018113399A JP 2017004186 A JP2017004186 A JP 2017004186A JP 2017004186 A JP2017004186 A JP 2017004186A JP 2018113399 A JP2018113399 A JP 2018113399A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
mold
mounted substrate
inter
circuit component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017004186A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018113399A5 (ja
Inventor
竹内 慎
Shin Takeuchi
慎 竹内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Towa Corp
Original Assignee
Towa Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Towa Corp filed Critical Towa Corp
Priority to JP2017004186A priority Critical patent/JP2018113399A/ja
Priority to TW106138419A priority patent/TWI658518B/zh
Priority to KR1020170166503A priority patent/KR20180083789A/ko
Priority to CN201810032382.4A priority patent/CN108321092B/zh
Publication of JP2018113399A publication Critical patent/JP2018113399A/ja
Publication of JP2018113399A5 publication Critical patent/JP2018113399A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0652Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】基板の位置合わせを容易にする。【解決手段】回路部品の製造方法は、第1型(1)に第1実装済基板(10)を設置する工程と、第2型(2)に第2実装済基板(20)を設置する工程と、第1型(1)と第2型(2)とを含む成形型に封止材(41,49)を設置する工程と、第1型(1)と第2型(2)との型締めをする工程と、を含む。第1実装済基板(10)を設置する工程において第1型(1)の凹部または凸部(11a)と第1実装済基板(10)の凸部または凹部(11b)とを嵌め合わせること、および第2実装済基板(20)を設置する工程において第2型(2)の凹部または凸部(21a)と第2実装済基板(20)の凸部または凹部(21b)とを嵌め合わせること、の少なくとも一方を行なう。【選択図】図1

Description

本発明は、回路部品の製造方法および回路部品に関する。
たとえば特許文献1には、電子部品が搭載された第1基板の接続部と金属棒状の端子の一端部とを電気的に接続するとともに、電子部品が搭載された第2基板の接続部と金属棒状の端子の他端部とを電気的に接続した後に、電子部品をモールド樹脂で封止することによって電子装置を製造する方法が記載されている。
特開2015−76547号公報
しかしながら、特許文献1に記載の方法においては、第1基板と第2基板との位置合わせが困難であるという課題があった。
ここで開示された実施形態によれば、一方の面に第1電子部品が実装された第1実装済基板と、一方の面に第2電子部品が実装された第2実装済基板とを有する回路部品の製造方法であって、第1実装済基板の他方の面が第1型の型面に配置されるように、第1型の型面に第1実装済基板を設置する工程と、第2実装済基板の他方の面が第2型の型面に配置されるように、第1型の型面に相対向する第2型の型面に第2実装済基板を設置する工程と、第1型と第2型とを含む成形型に封止材を供給する工程と、第1型と第2型との型締めをする工程と、第1型と第2型との型締めをする工程の後に、第1実装済基板の一方の面と第2実装済基板の一方の面との間の空間において、封止材から生成された流動性樹脂を硬化させて硬化樹脂を成形する工程と、硬化樹脂によって第1電子部品と第2電子部品とを樹脂封止する工程と、第1電子部品と第2電子部品とが樹脂封止された封止済部材を取り出す工程とを含み、第1実装済基板と第2実装済基板との少なくとも一方には、回路部品と回路部品の外部との間において電気信号の授受を行う信号授受部が設けられ、第1実装済基板を設置する工程において第1型の凹部または凸部と第1実装済基板の凸部または凹部とを嵌め合わせることによる位置決め、および、第2実装済基板を設置する工程において第2型の凹部または凸部と第2実装済基板の凸部または凹部とを嵌め合わせることによる位置決め、の少なくとも一方を行う、回路部品の製造方法を提供することができる。
ここで開示された実施形態の回路部品の製造方法においては、型締めをする工程の前に、封止材を供給する工程を行ない、型締めをする工程の後であって硬化樹脂を成形する工程の前に、第1実装済基板の一方の面と第2実装済基板の一方の面との間の空間に空間の外部から流動性樹脂を流し込んでもよい。
ここで開示された実施形態の回路部品の製造方法において、型締めをする工程の前に、封止材を供給する工程を行ない、封止材を供給する工程において、第1実装済基板の一方の面の上と第2実装済基板の一方の面の上とのうち少なくともいずれか一方に封止材を供給してもよい。
ここで開示された実施形態の回路部品の製造方法は、封止済部材を追加工する工程をさらに含んでいてもよい。
ここで開示された実施形態の回路部品の製造方法は、第1実装済基板の一方の面が持つ第1基板間接続用パッドに第1実装済基板の一方の面から突出する接続用部材が設けられた、第1実装済基板を準備する工程と、第2実装済基板の一方の面が持つ第2基板間接続用パッドに導電性材料が設けられた、第2実装済基板を準備する工程とを含み、第1型と第2型との型締めをする工程において、接続用部材と第2基板間接続用パッドとが接触し、流動性樹脂が硬化する温度において導電性材料は軟化する特性を持ち、硬化樹脂を成形する工程において導電性材料が軟化した後に硬化するものであってもよい。
ここで開示された実施形態の回路部品の製造方法は、第1実装済基板の一方の面が持つ第1基板間接続用パッドに第1実装済基板の一方の面から突出する接続用部材が設けられた、第1実装済基板を準備する工程と、第2実装済基板の一方の面に第2基板間接続用パッドが設けられた、第2実装済基板を準備する工程とを含み、硬化樹脂を成形する工程において、流動性樹脂を硬化させて硬化樹脂を成形する際に発生する圧縮応力が接続用部材を第2基板間接続用パッドに押し付けることによって、接続用部材と第2基板間接続用パッドとを電気的に接続するものであってもよい。
ここで開示された実施形態によれば、第1実装済基板と第2実装済基板とを有する回路部品であって、一方の面を持つ前記第1実装済基板と、第1実装済基板の一方の面に相対向する一方の面を持つ第2実装済基板と、第1実装済基板の一方の面に実装された第1電子部品と、第2実装済基板の一方の面に実装された第2電子部品と、第1実装済基板の一方の面に設けられた第1基板間接続用パッドと、第1実装済基板の一方の面において、第1基板間接続用パッドから突出して設けられた接続用部材と、第2実装済基板の一方の面に設けられた、第1基板間接続用パッドに相対向する第2基板間接続用パッドと、第1実装済基板と第2実装済基板との少なくとも一方に設けられた、回路部品と回路部品の外部との間において電気信号の授受を行う信号授受部と、第1実装済基板の一方の面と第2実装済基板の前記一方の面との間の空間において、流動性樹脂を硬化させて成形された硬化樹脂と、第1実装済基板の他方の面と第2実装済基板の他方の面との少なくとも一方に設けられた、硬化樹脂を成形する際に使用される第1型と第2型との少なくとも一方に対する位置決めに使用される凸部または凹部を有する、封止済部材の少なくとも一部分が加工されることによって形成された被加工面とを含み、少なくとも第1電子部品と第2電子部品と第1基板間接続用パッドと接続用部材と第2基板間接続用パッドとが、硬化樹脂によって樹脂封止され、第1基板間接続用パッドと第2基板間接続用パッドとが接続用部材によって電気的に接続される、回路部品を提供することができる。
ここで開示された実施形態の回路部品においては、接続用部材と第2基板間接続用パッドとが直接的に接触することによって、または、接続用部材と第2基板間接続用パッドとが導電性材料を介して間接的に接触することによって、第1基板間接続用パッドと第2基板間接続用パッドとが電気的に接続されてもよい。
ここで開示された実施形態の回路部品においては、接続用部材と第2基板間接続用パッドとが直接的に接触した状態において、流動性樹脂を硬化させて硬化樹脂を成形する際に発生する圧縮応力が接続用部材を第2基板間接続用パッドに押し付けることによって、第1基板間接続用パッドと接続用部材と第2基板間接続用パッドとが電気的に接続されてもよい。
ここで開示された実施形態の回路部品は、第1実装済基板の他方の面と第2実装済基板の他方の面との少なくとも一方に設けられ特定の機能を有する機能部を含んでいてもよい。
ここで開示された実施形態の回路部品において、信号授受部はコネクタおよびケーブルの少なくとも一方を含んでいてもよい。
ここで開示された実施形態の回路部品において、信号授受部は無線通信用ICを含んでいてもよい。
ここで開示された実施形態によれば、特許文献1に記載の方法と比べて、基板の位置合わせを容易にすることが可能な回路部品の製造方法および回路部品を提供することができる。
(a)〜(d)は、実施形態1の回路部品の製造方法および回路部品について図解する模式的な断面図である。 (a)〜(e)は、実施形態2の回路部品の製造方法および回路部品について図解する模式的な断面図である。 (a)〜(c)は、実施形態3の回路部品の製造方法および回路部品について図解する模式的な断面図である。
以下、実施形態について説明する。なお、実施形態の説明に用いられる図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。本出願書類におけるすべての図は、わかりやすくするために適宜省略し又は誇張して模式的に描かれている。
<実施形態1>
図1(a)〜(d)に、実施形態1の回路部品の製造方法および回路部品について図解する模式的な断面図を示す。以下、図1(a)〜(d)を参照して、実施形態1の回路部品の製造方法について説明する。実施形態1では、トランスファ成形により、回路部品を製造している点に特徴がある。
まず、図1(a)に示すように、下型1と、下型1に相対向する上型2とを設ける。下型1と上型2とは併せて成形型に含まれる。
下型1に第1実装済基板10を設置するとともに、上型2に第2実装済基板20を設置する。実施形態1において、下型1への第1実装済基板10の設置は、下型1の位置決めピン(凸部)11aと第1実装済基板10の位置決め穴(凹部)11bとを嵌め合わせることにより行なわれる。実施形態1において、上型2への第2実装済基板20の設置は、上型2の位置決めピン(凸部)21aと第2実装済基板20の位置決め穴(凹部)21bとを嵌め合わせることにより行なわれる。位置決めピン11aと位置決め穴11bとによって位置決め部11が構成され、位置決めピン21aと位置決め穴21bとによって位置決め部21が構成される。下型1に第1実装済基板10を設置する工程と、上型2に第2実装済基板20を設置する工程との順序は特に限定されず、これらの工程は同時に行なわれてもよい。
下型1は、窪みであるキャビティ41を備えている。後述するように、空間であるキャビティ41に存在する流動性樹脂が硬化することによって、硬化樹脂が成形される。下型1は、キャビティ41につながるゲート43、ランナ44およびカル45をこの順に備える。カル45の下方にポット46が設けられている。ポット46は、下型1と上型2との間に(本実施例では下型1に)設けられた、樹脂材料(封止材)が供給される空間である。ポット46の内部には、封止材として、熱硬化性樹脂を含む樹脂タブレット47が設置される。下型1は、図1の上下方向に沿って見たとき(「平面視したとき」という。他の図においても同じ。)におけるキャビティ41の周縁部に、下型1の凸部としての位置決めピン11aを備えている。
下型1におけるキャビティ41の底部1aには、底部1aを貫通する複数の吸引穴31aが設けられている。第1実装済基板10は、複数の吸引穴31aにおいて吸引されることによって、下型1の型面に、具体的にはキャビティ41の内底面(キャビティ41の底を形成する型面)に、一時的に固定される。
第1実装済基板10は、基板10aの一方の面(図1では上面)の上に基板間接続用パッド37とチップ用パッド38とを備えているとともに、基板間接続用パッド37上に接続用部材35を備え、さらにはチップ用パッド38上にバンプ39を介して実装されたチップ(第1電子部品)40を備えている。第1実装済基板10は、基板10aの他方の面(図1では下面)上に機能部42を備えている。第1実装済基板10の基板10aには、第1実装済基板10の凹部としての位置決め穴11bが設けられている。接続用部材35の形状は、たとえば、図1(a)に示すような突出したループ状の形状とすることができるが、円弧状であってもよく、放物線状であってもよく、長方形の一部分のような形状であってもよい。接続用部材35の材料としては、たとえば、銅、金、またはアルミニウム等の金属線(ワイヤ)を用いることができる。接続用部材35の上端は、平面視したときに下型1のキャビティ41の周辺における下型1の型面(上面)よりも、上側に突き出している。
上型2には、上型2を貫通する複数の吸引穴31bが設けられている。第2実装済基板20は、複数の吸引穴31bにおいて吸引されることによって上型2の型面(下面)に一時的に固定される。上型2は、平面視したときに複数の吸引穴31bの外側に、上型2の凸部としての位置決めピン21aを備えている。
第2実装済基板20は、基板20aの一方の面(下面)上に基板間接続用パッド26とチップ用パッド28とを備えているとともに、基板間接続用パッド26上に導電性ペースト(導電性材料)27を備え、さらにはチップ用パッド28上にバンプ28aを介して実装されたチップ(第2電子部品)29を備えている。第2実装済基板20は、基板20aの他方の面(上面)上に機能部30を備えている。第2実装済基板20は、また、基板20aの上面上にコネクタ用パッド22aを備えるとともに、コネクタ用パッド22a上にバンプ23を介して実装されたコネクタ24を備えている。第2実装済基板20は、さらに、基板20aの上面上にセンサ用パッド22bを備えるとともに、センサ用パッド22b上にバンプ33を介して実装されたセンサチップ32を備え、基板20aの上面とセンサチップ32との間にアンダーフィル剤34を備えている。コネクタ24は、上型2の凹部25a内に収容され、センサチップ32は、上型2の凹部25b内に収容されている。第2実装済基板20の基板20aには、第2実装済基板20の凹部としての位置決め穴21bが設けられている。
次に、図1(b)に示すように、下型1と上型2との型締めを行なう。これにより、第1実装済基板10の接続用部材35の上端が導電性ペースト27を介して第2実装済基板20の基板間接続用パッド26に電気的に接続される。接続用部材35の上端が基板間接続用パッド26に直接に接触して、その接触部の周囲が導電性ペースト27によって覆われてもよい。接続用部材35が撓むように変形して、接続用部材35と基板間接続用パッド26とが電気的に接続されてもよい。いずれの場合においても、基板間接続用パッド37と基板間接続用パッド26とが接続用部材35によって電気的に接続される。
導電性ペースト27としては、たとえば、導電性樹脂ペースト、または低温溶融はんだペーストなどを使用することができる。導電性ペースト27は、たとえば、樹脂材料(本実施形態では樹脂タブレット47)が溶融する温度および硬化する温度において流動性を有するものとすることができる。導電性ペースト27は、樹脂材料が溶融する温度および硬化する温度において軟化し、樹脂材料の温度が溶融する温度から常温に戻る過程において硬化すればよい。本出願書類において「軟化すること」は「溶融すること」を含む。
次に、図1(b)〜(c)に示すように、型締めされた下型1と上型2との間に、溶融樹脂からなる液状の流動性樹脂49を流し込むことによって供給する。液状の流動性樹脂49は、樹脂タブレット47を加熱して溶融することによって生成される。流動性樹脂49は、プランジャ48によって押し出されることによって、ランナ44およびゲート43を通って、下型1のキャビティ41に流し込まれる。この場合において、流動性樹脂49の流動性(粘性)の程度は問わない。流動性樹脂49の流動性は、プランジャ48によって押し出されることによって移動できる程度であればよい。トランスファ成形によって、第1実装済基板10の上面と第2実装済基板20の下面との間の空間を含むキャビティ41に、キャビティ41の外側から流動性樹脂49が流し込まれる。
その後、図1(c)〜(d)に示すように、流動性樹脂49をさらに加熱することにより、流動性樹脂49を硬化させた固体状の硬化樹脂51によって電子部品(チップ29,40)を封止する。具体的には、少なくともチップ29,40と基板間接続用パッド37と接続用部材35と導電性ペースト27と基板間接続用パッド26とが、硬化樹脂51によって覆われる。硬化樹脂51は、電子部品(チップ29,40)などを樹脂封止する封止樹脂として機能する。
その後、下型1と上型2との型開きを行なう。これにより、第1実装済基板10と第2実装済基板20とが硬化樹脂51によって接合された封止済部材(封止済基板、成形品)50を外部に取り出すことができる。その後、封止済部材50の硬化樹脂51におけるゲート43に相当する位置において、不要部分53に外力を加える。例えば、不要部分53に対して図1における時計回りの方向に外力を加えることにより、硬化樹脂51から不要部分53を切断(分離)して除去する。ここまでの工程により、製品(完成品)としての回路部品を得ることができる(ゲートカット(gate cutting)による第1の方法)。
第1の方法によれば、不要部分53に外力が加えられることによって不要部分53が分離されたことによる加工痕(破断の痕)が、被加工面に形成される。加えて、不要部分53に外力が加えられることによって、第1実装済基板に含まれる基板10aの下面から不要部分53が引き剥がされたことによる加工痕(不要部分53が引き剥がされた痕)が、被加工面に相当する基板10aの下面に形成される。
図1の手前から奥の方向に沿って延びる仮想線36(図1では便宜上縦に沿って延びる線として示される)に沿って、切断手段を使用して封止済部材50を切断する。例えば、砥粒を有する切断手段(回転刃、ワイヤソーなど)、熱を使用する切断手段(レーザ光の照射など)を使用することにより、製品としての回路部品を得ることもできる(封止済部材50における厚さのすべてを切断すること(フルカット(full cutting))による第2の方法)。
第2の方法によれば、砥粒を有する切断手段を使用する場合には、砥粒に起因する第1の加工痕(研磨痕)が被加工面に形成される。熱による切断手段を使用する場合には、熱に起因する第2の加工痕が被加工面に形成される。第2の加工痕は、切断対象物である封止済部材50が熱によって部分的に溶融した後に硬化した痕である場合がある。第2の加工痕は、封止済部材50における厚さ方向の内部において熱膨張することによって封止済部材50が破断した痕である場合がある。
ゲートカットする工程による第1の方法とフルカットする工程による第2の方法とのいずれの方法を使用する場合においても、回路部品の一部分には、切断されることによって形成された被加工面(被切断面)が含まれる。第2の方法は、平面視したときに回路部品の占有面積を小さくすることができる点で、第1の方法よりも好ましい。ゲートカットする工程とフルカットする工程とは、それぞれ、封止済部材50を追加工する工程に相当する。
製品としての回路部品において、機能部30、42は、例えば、金属膜、金属箔または金属板からなる放熱板として機能することができる。信号系パターンに電気的に接続された機能部30、42は、例えば、アンテナとして機能することができる。
製品としての回路部品において、グラウンドパターンに対して電気的に接続された機能部30、42は、金属膜、金属箔、金属板または導電性樹脂層からなる電磁遮へい板として機能することができる。第1実装済基板10と第2実装済基板20との間の空間において、平面視したときに外縁部付近の全周にわたる囲い状の金属板を設けて、その金属板をグラウンドパターンに電気的に接続する構成が採用されてもよい。第1実装済基板10と第2実装済基板20との間の間隔を金属板がすべて塞ぐことが、好ましい。平面視したときに電子部品(チップ29,40)を金属板が切れ目なく取り囲むことが、好ましい。回路部品におけるこれらの構成は、電磁遮へい板による電磁遮へいの能力を向上させる。
機能部30、42は、例えば、太陽電池などの光電池、振動による発電機構、熱による発電機構(Seebeck素子など )であってもよい。機能部30、42は蓄電素子であってもよい。これらの場合には、回路部品が外部から電源の供給を受けることなく機能することができる。
機能部30、42のうち、放熱板および光電池は、第1実装済基板10の他方の面(図1では下面)と、第2実装済基板20の他方の面(図1では上面)とのうち、少なくとも一方に設けられる。機能部30、42のうち、放熱板および光電池以外のものは、第1実装済基板10および第2実装済基板20のどの面にも設けられる。
実施形態1の回路部品の製造方法においては、下型1の位置決めピン11aと第1実装済基板10の位置決め穴11bとを嵌め合わせるとともに、上型2の位置決めピン21aと第2実装済基板20の位置決め穴21bとを嵌め合わせることによって、第1実装済基板10と第2実装済基板20との位置決めを行なっている。
一方、特許文献1に記載の方法においては、互いに間隔を空けて配置された第1基板の接続部と第2基板の接続部の双方に対してそれぞれ金属棒状の端子を位置合わせした後に接触させるという非常に緻密な作業をする必要がある。また、特許文献1に記載の方法においては、第1基板の接続部と第2基板の接続部との金属棒状の端子との接続は、通常1箇所のみではなく、複数箇所行なう必要がある。さらに、特許文献1に記載の第1基板の接続部および第2基板の接続部は、それぞれ通常非常に小さい面積しか有していない。
以上の理由により、実施形態1の回路部品の製造方法は、特許文献1に記載の方法と比較して、第1実装済基板10と第2実装済基板20との位置合わせを容易にすることを可能にする。
実施形態1の方法により製造された回路部品においては、第2実装済基板20の上面に実装されたコネクタ24(および/またはケーブル)を使用して、回路部品と回路部品の外部との電気的接続を行なうことができる。「回路部品の外部」という文言は、その回路部品が電気的に接続される電子機器、他の回路基板などを意味する。加えて、「回路部品と回路部品の外部との電気的接続」という文言は、回路部品と回路部品の外部との間における電気信号(電源系信号と制御系信号とデータ信号とを含む)の授受が可能であることを意味する。したがって、コネクタ24(および/またはケーブル)は回路部品と回路部品の外部との間において電気信号の授受を行う信号授受部として機能する。
実施形態1の方法により製造された回路部品においては、第2実装済基板20の上面にフリップチップボンディングによって光電素子(CMOSカメラ等)等のセンサチップ32を実装することができる。実装する方式はフリップチップボンディング以外でもよい。複数のチップを第2実装済基板20の上面に実装してもよい。第2実装済基板20の上面に実装されたセンサチップ32が樹脂封止されてもよい。第1実装済基板10の下面に、第2実装済基板20の上面に実装されたセンサチップ32等の様々な構成を採用してもよい。実施形態1で説明された回路部品の構成を、他の実施形態においても採用することができる。
センサチップ32が検出する物理量は、光の他に変位、加速度、振動、圧力(気圧を含む)、温度、湿度などであってもよい。センサチップ32に代えて、メモリ、コントローラ、CPU(Central Processing Unit)、ECU(Electronic Control Unit)、トランジスタなどのチップでもよい。
なお、実施形態1においては、下型1の位置決めピン11aと第1実装済基板10の位置決め穴11bとを嵌め合わせることと、上型2の位置決めピン21aと第2実装済基板20の位置決め穴21bとを嵌め合わせることの双方が行なわれているが、そのいずれか一方のみが行なわれてもよい。
実施形態1においては、下型1に凸部としての位置決めピン11aを設けるとともに第1実装済基板10に凹部としての位置決め穴11bを設けてこれらを嵌め合わせたが、この構成に限定されず、下型1に凹部としての位置決め穴11bを設け、第1実装済基板10に凸部としての位置決めピン11aなどを設けてこれらを嵌め合わせてもよい。
実施形態1においては、上型2に凸部としての位置決めピン21aを設けるとともに第2実装済基板20に凹部としての位置決め穴21bを設けてこれらを嵌め合わせたが、この構成に限定されず、上型2に凹部としての位置決め穴21bを設け、第2実装済基板20に凸部としての位置決めピン21aなどを設けてこれらを嵌め合わせてもよい。
位置決めの変形例として、次の構成が採用される。第1の変形例においては、下型1の型面(上面)または上型2の型面(下面)の少なくとも一方に、平面視して”L”字状の凹部を設ける構成が採用される。平面視して”L”字状の凹部における右上側の型面に、実装済基板を配置する。平面視して”L”字状の凹部における左下の角部に、実装済基板の左下の角部を押し当てることによって、下型1の型面において実装済基板を位置決めする。
第2の変形例においては、下型1に設けられたキャビティ41の平面形状を、第1実装済基板10の平面形状よりもわずかに大きくする構成が採用される。第1実装済基板10は、キャビティ41を構成する下型1の内壁面に沿ってキャビティ41の内底面に配置される。
上述した2つの変形例においては、第1に、下型1に形成された凹部(キャビティ41を含む)が、成形型における位置決め用の凹部として機能する。第2に、第1実装済基板10自体が、第1実装済基板10における位置決め用の凸部として機能する。
実施形態1においては、下型1と上型2との型締めを行なった後に下型1と上型2との間に流動性樹脂49を流し込んだが、たとえば以下の実施形態2および3に示すように、下型1と上型2との間に流動性樹脂49が存在する状態になった後に下型1と上型2との型締めを行なってもよい。
実施形態1においては、第1実装済基板として、基板10aの上面上にチップ40が実装された第1実装済基板10が用いられているとともに、第2実装済基板として、基板20aの下面上にチップ29が実装された第2実装済基板20が用いられている。第1実装済基板および第2実装済基板はこれらの構成には限定されない。第1実装済基板および第2実装済基板としては、基板の少なくとも一方の面上に何らかの部品が実装されたものが用いられればよい。
実施形態1においては、トランスファ成形を使用した。射出成形によって、第1実装済基板10の上面と第2実装済基板20の下面との間の空間を含むキャビティ41に、キャビティ41の外側から流動性樹脂49を流し込んでもよい。
実施形態1においては、ワイヤ状の接続用部材35を使用した。接続用部材35を流れる電流の値に応じて、接続用部材35の直径を定めればよい。接続用部材35として金属箔、金属板を使用してもよい。接続用部材35を流れる電流の値に応じて、接続用部材35の厚さを定めればよい。基板間接続用パッド37の上に導電性樹脂を吐出させて、柱状の接続用部材35を形成してもよい。
実施形態1においては、図1に示された下型1におけるポット46の左側に、1個のキャビティ41が設けられた。下型1として、ポット46の中心線に関して線対称の位置にカル45、ランナ44、ゲート43およびキャビティ41が設けられる構成が採用されてもよい。下型1として、ポット46、カル45、ランナ44、ゲート43およびキャビティ41を含む1系統の樹脂流路が、図1の手前〜奥の方向に沿って2系統以上並んで設けられる構成が採用されてもよい。成形型におけるこれらの構成は、1個の封止済部材50から複数個の回路部品を製造すること(多数個取り)を可能にする。
<実施形態2>
図2(a)〜(e)に、実施形態2の回路部品の製造方法および回路部品について図解する模式的な断面図を示す。以下、図2(a)〜(e)を参照して、実施形態2の回路部品の製造方法について説明する。実施形態2では、圧縮成形により、複数個の回路部品を製造している点に特徴がある。
まず、図2(a)に示すように、下型1に第1実装済基板10を設置するとともに、上型2に第2実装済基板20を設置した後に、下型1のキャビティ41に固体状の粒状樹脂61を供給する。接続用部材35の上端は、平面視したときに下型1におけるキャビティ41の周囲の型面(図では下型1の上面)よりも、上に突き出している。
下型1は、実施形態1とは異なり、図1に示されたゲート43、ランナ44およびカル45を備えていない。
第2実装済基板20は、基板20aの下面上に、チップ用パッド28と、チップ29とを備えているが、実施形態1とは異なり、チップ用パッド28とチップ29のパッドとの接続はワイヤ62により行なわれている。また、実施形態1とは異なり、基板20aの上面上にはコネクタ24およびセンサチップ32が実装されていない。実施形態2においては、コネクタ24等を使用しないので、回路部品を小型化することができる。
チップ用パッド28とチップ29とを接続する部材としてワイヤを使用し、封止材としての樹脂材料として粒状樹脂または粉状樹脂を使用する場合には、樹脂材料が供給される際にワイヤに加わる外力が増加する傾向がある。この場合には、当該部材に加わる外力に耐えるという観点から、図1に示されるように、フリップチップボンディングを使用してチップ用パッド28とチップ29のパッドとを接続することが好ましい。ワイヤを使用する場合には、大径を有する金属製ワイヤを使用することが好ましい。金属製リボン等を使用する場合には、大きい厚さを有する金属製リボン等を使用することが好ましい。したがって、大電力を扱う回路部品(たとえば、電力制御用モジュール等)を製造する場合に、粒状樹脂または粉状樹脂を使用することが適している。
小径を有する金属製ワイヤまたは小さい厚さを有する金属製リボン等を使用する場合には、液状樹脂(常温で流動性を有する樹脂材料)を使用することが好ましい。この場合には、液状樹脂の流動性は大きいほうが好ましい。
次に、図2(a)〜(b)に示すように、下型1のキャビティ41に供給された粒状樹脂61を加熱して溶融させることによって溶融樹脂からなる液状の流動性樹脂49を形成する。
次に、図2(c)に示すように、下型1と上型2との型締めを行なう。下型1と上型2との型締めの過程においては、まず、第1実装済基板10の接続用部材35の上端が第2実装済基板20の基板間接続用パッド26と接触する。次に、第2実装済基板20の下面(一方の面)に実装されたチップ29と第2実装済基板20の下面とが、下型1のキャビティ41に存在する流動性樹脂49に順次浸漬される。その後、下型1と上型2との型締めが完了した状態において、撓むように変形した接続用部材35の上端と、第2実装済基板20の下面に形成された基板間接続用パッド26とが、直接押し当てられて接触した状態(圧接された状態)で密着する。
接続用部材35としては、金または金めっきされた金属を使用することが好ましい。第2実装済基板20の下面に形成された基板間接続用パッド26は、金めっきされた銅箔とすることが好ましい。これら2つの構成とすることによって、第2実装済基板20の下面に形成された基板間接続用パッド26と接続用部材35との電気的な接続を確実に実現することができる。
次に、図2(d)に示すように、流動性樹脂49をさらに加熱することによって、流動性樹脂49を硬化させた固体状の硬化樹脂51によって電子部品(チップ29,40)を封止した後に、下型1と上型2との型開きを行なう。これにより、第1実装済基板10と第2実装済基板20とが硬化樹脂51によって接合された封止済部材(封止済基板)50を外部に取り出すことができる。流動性樹脂49が硬化する際に発生する圧縮応力が、第2実装済基板20の下面上に形成された基板間接続用パッド26に接続用部材35の上端を押し付ける。これにより、第2実装済基板20の上面に形成された基板間接続用パッド26と接続用部材35とが、互いに圧接された状態で電気的に接続される。図2(d)において、流動性樹脂49が硬化する際に発生する圧縮応力が、封止済部材50の側方にそれぞれ描かれた2つの向かい合う太い矢印によって示される。
基板間接続用パッド26と接続用部材35との電気的な接続が流動性樹脂49が硬化する際に発生する圧縮応力によって実現される構成とした場合には、導電性ペースト等の材料を必要としない。第1に、この構成は、導電性ペースト等の溶融開始温度以上の温度において回路部品を動作できるようにするので、回路部品の耐熱性を向上させる。第2に、この構成は、基板間接続用パッド26と接続用部材35との間の接触抵抗を低下させるので、大電力を扱う回路部品およびその回路部品を製造する場合に適する。第3に、この構成は、回路部品の材料費を低減させる。
実施形態2に示された第2実装済基板20の下面に形成された基板間接続用パッド26と接続用部材35との電気的な接続が、流動性樹脂49が硬化する際に発生する圧縮応力によって実現される構成を、他の実施形態においても採用することができる。この構成によれば、導電性ペースト等の導電性材料を必要としない。したがって、他の実施形態においても、この構成は回路部品の耐熱性を向上させ、大電力を扱う回路部品およびその回路部品を製造する場合に適し、回路部品の材料費を低減させる。
その後、図2(e)に示すように、ステージ71に設けられた溝72に切断箇所(仮想線36)が位置するように封止済部材50をステージ71上に設置する。溝72には、回転刃63の外縁が収容される。そして、ステージ71に設けられた吸引穴31cを通して空気を吸引して封止済部材50をステージ71に吸着して一時的に固定する。その後、回転刃63を用いて、封止済部材50を仮想線36に沿って切断して、不要部分53を除去する。このことにより、製品としての複数個の回路部品73を得ることができる。実施形態2の場合においても、回路部品73の一部分には、切断されることによって形成された被加工面(被切断面)が含まれる。各仮想線36に沿って封止済部材50を切断する工程は、封止済部材50を追加工する工程に相当する。
実施形態2の方法により製造された回路部品と外部との電気的接続は、第2実装済基板20の下面に実装されたチップ(図2(e)には4個が示される)のうち、無線通信用ICのチップによって実現される。図2に示された例では、4個のチップのうち左から1番目のチップ29と3番目のチップ29とが無線通信用ICのチップである。無線通信用ICのチップ29は、回路部品と回路部品の外部との間において電気信号の授受を行う信号授受部として機能する。
図2に示された実施例に記載された、回路部品と外部との電気的接続を、第2実装済基板20の下面に実装された無線通信用ICのチップ29によって実現される構成は、他の実施形態においても採用することができる。この構成を採用した場合には、他の実施形態においても、コネクタ等を使用しないので、回路部品を小型化することができる。
第1実装済基板10と第2実装済基板20との間の信号の授受を、これら2枚の実装済基板のいずれかの面に実装された無線通信用ICのチップによって行なうこともできる。この構成は、大きい厚さを有する回路部品、たとえば、電力制御用モジュール等について適用されることが好ましい。無線通信用ICのチップが実装される面は実装済基板における樹脂封止される面であることが好ましい。この場合には、その無線通信用ICのチップが接続用部材35に代わる、または、接続用部材35と同様の、接続用部材として機能する。この場合においても、基板間接続用パッド37と基板間接続用パッド26とが、実装済基板のいずれかの面に設けられた接続用部材(無線通信用ICのチップ)によって電気的に接続される。
図2(e)に示されるように、図2(e)の手前から奥の方向に沿って延びる複数本(3本)の仮想線36が、図2(e)の左右方向に沿って並んでいる。加えて、通常は、それぞれ図2(e)の左右方向に沿って延びる複数本(たとえば、4本)の仮想線が、図2(e)の手前から奥の方向に沿って並んでいる。この場合には、1個の回路部品に相当する領域が、図2(e)の手前から奥の方向に沿って複数個延びる列(column)であって、かつ、図2(e)の左右方向に並ぶ列として、2列設けられる。1個の回路部品に相当する領域が、図2(e)の左右方向に沿って複数個延びる行(row)であって、かつ、図2(e)の手前から奥の方向に並ぶ行として、3行設けられる。したがって、上述した例によれば、6(=2×3)個の回路部品が製造されることになる。
実施形態2によれば、図2(d)に、第1実装済基板10と第2実装済基板20とが硬化樹脂51によって接合された封止済部材50が示される。封止済部材50においては、チップ(第1電子部品)40とチップ(第2電子部品)29とが樹脂封止される。この封止済部材50が製品としての1個の回路部品に相当する構成を採用することもできる。図2(d)に示された封止済部材50を、両端の仮想線36に沿って切断してもよい。両端の仮想線36に沿って封止済部材50を切断する工程は、封止済部材50を追加工する工程に相当する。
実施形態2における上記以外の説明は、実施形態1と同様であるため、その説明については省略する。
<実施形態3>
図3(a)〜(c)に、実施形態3の回路部品の製造方法および回路部品について図解する模式的な断面図を示す。以下、図3(a)〜(c)を参照して、実施形態3の回路部品の製造方法について説明する。実施形態3では、第1実装済基板10の基板10aに平板状ではない基板を用いている点に特徴がある。
まず、図3(a)に示すように、下型1に第1実装済基板10を設置するとともに、上型2に第2実装済基板20を設置した後に、下型1のキャビティ41に溶融樹脂からなる液状の流動性樹脂49を供給する。
下型1は、実施形態1および実施形態2とは異なり、平面視したときにキャビティ41の外側に流路84および余剰樹脂の収容部83をこの順に備えている。
第1実装済基板10は、基板10aの一端がキャビティ41に沿って斜め上方に延在した後に下型1に沿って水平に延在しており、平板状ではない形状を有している。このような基板10aとしては、たとえば、フレキシブル回路基板、または金属ベース基板等を使用することができる。図3(a)においては、フレキシブル回路基板からなる基板10aを下型1に吸着することによって、下型1の型面に沿って密着させた例が開示されている。第1実装済基板10は、基板10aの一端が斜め上方に延在した後に水平に延在している箇所に基板間接続用パッド37を有している。
第2実装済基板20は、基板20aの位置決め穴21bの外側の基板間接続用パッド82と、基板間接続用パッド82上の導電性ペースト27とを備えている。
次に、図3(a)〜(b)に示すように、下型1と上型2との型締めを行なう。下型1と上型2との型締めが完了した状態において、第2実装済基板20の基板間接続用パッド82と、第1実装済基板10の基板間接続用パッド37とが導電性ペースト27を介して電気的に接続された基板間接続部85が構成される。
その後、図3(b)〜(c)に示すように、流動性樹脂49をさらに加熱することによって、流動性樹脂49を硬化させた固体状の硬化樹脂51によって電子部品(チップ29,40)を封止した後に、下型1と上型2との型開きを行なう。これにより、第1実装済基板10と第2実装済基板20とが硬化樹脂51によって接合された封止済部材(封止済基板)50を外部に取り出すことができる。
その後、たとえば、回転刃を使用して、図3(c)の右側に破線で示された仮想線36に沿って封止済部材50を切断する。封止済部材50のうち不要部分53が除去された部分(仮想線36の左側の部分)が、回路部品として得られる。図3(c)の左端の回路部品の部分が外部接続部87を構成している。図3(c)の右側に破線で示された仮想線36に沿って封止済部材50を切断する工程は、封止済部材50を追加工する工程に相当する。
実施形態2と同様に実施形態3においても、封止済部材50が製品としての1個の回路部品に相当する構成が採用される。圧縮成形を使用して樹脂封止する工程において、図3(a)に示された余剰樹脂の流路84と余剰樹脂の収容部83とが形成されていない成形型を使用する。このことによって、図3(c)に示された不要部分53を持たない封止済部材(図3(c)に示された封止済部材50において不要部分53が存在しないもの)が製造される。この封止済部材が製品としての1個の回路部品に相当する。この場合には、図3に示された第2実装済基板20の右端の部分が不要になるので、封止済部材を小型にすることができる。
実施形態3における上記以外の説明は、実施形態1および実施形態2と同様であるため、その説明については省略する。
以上のように実施形態について説明を行なったが、上述の各実施形態の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。
各実施形態において、2枚の実装済基板の間を樹脂封止することにより、1枚の実装済基板の一方の面(チップなどが実装された実装面)を樹脂封止する場合に比較して、チップなどを実装する密度を2倍にすることができる。例えば、図2(a)〜(d)に示された第1実装済基板10の上面と第2実装済基板20の下面との間の空間を樹脂封止することにより、第1実装済基板10を使用してその一方の面を樹脂封止する場合に比較して、チップなどを実装する密度を2倍にすることができる。図1に示されたように、第2実装済基板20の上面にチップなどを実装する場合には、1枚の実装済基板の一方の面を樹脂封止する場合に比較して、チップなどを実装する密度を3倍にすることができる。加えて第1実装済基板10の下面にもチップなどを実装する場合には、1枚の実装済基板の一方の面を樹脂封止する場合に比較して、チップなどを実装する密度を4倍にすることができる。
各実施形態において、2枚の実装済基板における他方の面(2枚の実装済基板が互いに対向する面ではない非対向面)に、機能部を設けることができる。これにより、回路部品を多機能化することができる。
各実施形態において、封止材としての樹脂材料として、樹脂タブレット、粒状樹脂および粉状樹脂などの固形樹脂を使用する場合と液状樹脂を使用する場合とを説明した。これらの樹脂材料の他に、ゲル(gel)状樹脂またはペースト(paste)状樹脂を使用してもよい。樹脂材料として、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂を含む樹脂材料、ポリアミド樹脂などの熱可塑性樹脂を含む樹脂材料が使用される。
各実施形態において、キャビティ41における内側面と硬化樹脂51とを容易に離型させるために、下型1において流動性樹脂49が満たされる部分の型面に離型フィルムを吸着してもよい。この離型フィルムは、キャビティ41の内底面と第1実装済基板10の下面との間の隙間に流動性樹脂49が回り込んでその隙間に硬化樹脂の樹脂ばりが発生することを、抑制する。上型2の型面(図では下面)に離型フィルムを吸着してもよい。この離型フィルムは、上型2の型面と第2実装済基板20の上面との間の隙間に流動性樹脂49が回り込んでその隙間に硬化樹脂の樹脂ばりが発生することを、抑制する。離型フィルムを使用する場合には、各位置決めピン11a、21aを尖らせることが好ましい。これにより、離型フィルムを吸着する過程で各位置決めピン11a、21aの先端が離型フィルムを突き破って、第1実装済基板10、第2実装済基板20を位置決めできる。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
ここで開示された実施形態は、回路部品の製造方法および回路部品に利用することができ、特に、2枚の基板の互いに向かい合うそれぞれの面上に電子部品等の部品が実装された回路部品の製造方法および回路部品に好適に利用することができる。
1 下型、1a 底部、2 上型、10 第1実装済基板、10a 基板、11 位置決め部、11a 位置決めピン(凸部)、11b 位置決め穴(凹部)、20 第2実装済基板、20a 基板、21 位置決め部、21a 位置決めピン(凸部)、21b 位置決め穴(凹部)、22 位置決め部、22a コネクタ用パッド、22b センサ用パッド、23 バンプ、24 コネクタ(信号授受部)、25a,25b キャビティ、26 基板間接続用パッド(第2基板間接続用パッド)、27 導電性ペースト(導電性材料)、28 チップ用パッド、28a バンプ、29 チップ、30 機能部、31a,31b,31c 吸引穴、32 センサチップ、33 バンプ、34 アンダーフィル剤、35 接続用部材、36 仮想線、37 基板間接続用パッド(第1基板間接続用パッド)、38 チップ用パッド、39 バンプ、40 チップ、41 キャビティ、42 機能部、43 ゲート、44 ランナ、45 カル、46 ポット、47 樹脂タブレット、48 プランジャ、49 流動性樹脂、50 封止済部材、51 硬化樹脂、53 不要部分、61 粒状樹脂、62 ワイヤ、63 回転刃、71 ステージ、72 溝、73 回路部品、82 基板間接続用パッド、83 収容部、84 流路、85 基板間接続部、87 外部接続部。

Claims (12)

  1. 一方の面に第1電子部品が実装された第1実装済基板と、一方の面に第2電子部品が実装された第2実装済基板とを有する回路部品の製造方法であって、
    前記第1実装済基板の他方の面が第1型の型面に配置されるように、前記第1型の型面に前記第1実装済基板を設置する工程と、
    前記第2実装済基板の他方の面が第2型の型面に配置されるように、前記第1型の前記型面に相対向する前記第2型の前記型面に前記第2実装済基板を設置する工程と、
    前記第1型と前記第2型とを含む成形型に封止材を供給する工程と、
    前記第1型と前記第2型との型締めをする工程と、
    前記第1型と前記第2型との型締めをする工程の後に、前記第1実装済基板の前記一方の面と前記第2実装済基板の前記一方の面との間の空間において、前記封止材から生成された流動性樹脂を硬化させて硬化樹脂を成形する工程と、
    前記硬化樹脂によって前記第1電子部品と前記第2電子部品とを樹脂封止する工程と、
    前記第1電子部品と前記第2電子部品とが樹脂封止された封止済部材を取り出す工程とを含み、
    前記第1実装済基板と前記第2実装済基板との少なくとも一方には、前記回路部品と前記回路部品の外部との間において電気信号の授受を行う信号授受部が設けられ、
    前記第1実装済基板を設置する工程において前記第1型の凹部または凸部と前記第1実装済基板の凸部または凹部とを嵌め合わせることによる位置決め、および、前記第2実装済基板を設置する工程において前記第2型の凹部または凸部と前記第2実装済基板の凸部または凹部とを嵌め合わせることによる位置決め、の少なくとも一方を行なう、回路部品の製造方法。
  2. 前記型締めをする工程の前に、前記封止材を供給する工程を行ない、
    前記型締めをする工程の後であって前記硬化樹脂を成形する工程の前に、前記第1実装済基板の前記一方の面と前記第2実装済基板の前記一方の面との間の空間に前記空間の外部から前記流動性樹脂を流し込む、請求項1に記載の回路部品の製造方法。
  3. 前記型締めをする工程の前に、前記封止材を供給する工程を行ない、
    前記封止材を供給する工程において、前記第1実装済基板の前記一方の面の上と前記第2実装済基板の前記一方の面の上とのうち少なくともいずれか一方に前記封止材を供給する、請求項1に記載の回路部品の製造方法。
  4. 前記封止済部材を追加工する工程をさらに含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の回路部品の製造方法。
  5. 前記第1実装済基板の前記一方の面が持つ第1基板間接続用パッドに前記第1実装済基板の前記一方の面から突出する接続用部材が設けられた、前記第1実装済基板を準備する工程と、
    前記第2実装済基板の前記一方の面が持つ第2基板間接続用パッドに導電性材料が設けられた、前記第2実装済基板を準備する工程とを含み、
    前記第1型と前記第2型との型締めをする工程において、前記接続用部材と前記第2基板間接続用パッドとが接触し、
    前記流動性樹脂が硬化する温度において前記導電性材料は軟化する特性を持ち、
    前記硬化樹脂を成形する工程において前記導電性材料が軟化した後に硬化する、請求項1に記載の回路部品の製造方法。
  6. 前記第1実装済基板の前記一方の面が持つ第1基板間接続用パッドに前記第1実装済基板の前記一方の面から突出する接続用部材が設けられた、前記第1実装済基板を準備する工程と、
    前記第2実装済基板の前記一方の面に第2基板間接続用パッドが設けられた、前記第2実装済基板を準備する工程とを含み、
    前記硬化樹脂を成形する工程において、前記流動性樹脂を硬化させて前記硬化樹脂を成形する際に発生する圧縮応力が前記接続用部材を前記第2基板間接続用パッドに押し付けることによって、前記接続用部材と前記第2基板間接続用パッドとを電気的に接続する、請求項1に記載の回路部品の製造方法。
  7. 第1実装済基板と第2実装済基板とを有する回路部品であって、
    一方の面を持つ前記第1実装済基板と、
    前記第1実装済基板の前記一方の面に相対向する一方の面を持つ前記第2実装済基板と、
    前記第1実装済基板の前記一方の面に実装された第1電子部品と、
    前記第2実装済基板の前記一方の面に実装された第2電子部品と、
    前記第1実装済基板の前記一方の面に設けられた第1基板間接続用パッドと、
    前記第1実装済基板の前記一方の面において、前記第1基板間接続用パッドから突出して設けられた接続用部材と、
    前記第2実装済基板の前記一方の面に設けられた、前記第1基板間接続用パッドに相対向する第2基板間接続用パッドと、
    前記第1実装済基板と前記第2実装済基板との少なくとも一方に設けられた、前記回路部品と前記回路部品の外部との間において電気信号の授受を行う信号授受部と、
    前記第1実装済基板の前記一方の面と前記第2実装済基板の前記一方の面との間の空間に設けられた硬化樹脂と、
    前記第1実装済基板の他方の面と前記第2実装済基板の他方の面との少なくとも一方に設けられた、前記硬化樹脂を成形する際に使用される第1型と第2型との少なくとも一方に対する位置決めに使用される凸部または凹部を有する封止済部材における、少なくとも一部分に形成された被加工面とを含み、
    少なくとも前記第1電子部品と前記第2電子部品と前記第1基板間接続用パッドと前記接続用部材と前記第2基板間接続用パッドとが、前記硬化樹脂によって樹脂封止され、
    前記第1基板間接続用パッドと前記第2基板間接続用パッドとが前記接続用部材によって電気的に接続される、回路部品。
  8. 前記接続用部材と前記第2基板間接続用パッドとが直接的に接触することによって、または、前記接続用部材と前記第2基板間接続用パッドとが導電性材料を介して間接的に接触することによって、前記第1基板間接続用パッドと前記第2基板間接続用パッドとが電気的に接続される、請求項7に記載の回路部品。
  9. 前記接続用部材と前記第2基板間接続用パッドとが直接的に接触した状態において、前記流動性樹脂を硬化させて前記硬化樹脂を成形する際に発生する圧縮応力が前記接続用部材を前記第2基板間接続用パッドに押し付けることによって、前記第1基板間接続用パッドと前記接続用部材と前記第2基板間接続用パッドとが電気的に接続される、請求項7に記載の回路部品。
  10. 前記第1実装済基板の前記他方の面と前記第2実装済基板の前記他方の面との少なくとも一方に設けられ特定の機能を有する機能部を含む、請求項7に記載の回路部品。
  11. 前記信号授受部はコネクタおよびケーブルの少なくとも一方を含む、請求項7に記載の回路部品。
  12. 前記信号授受部は無線通信用ICを含む、請求項7に記載の回路部品。
JP2017004186A 2017-01-13 2017-01-13 回路部品の製造方法および回路部品 Pending JP2018113399A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017004186A JP2018113399A (ja) 2017-01-13 2017-01-13 回路部品の製造方法および回路部品
TW106138419A TWI658518B (zh) 2017-01-13 2017-11-07 電路零件的製造方法及電路零件
KR1020170166503A KR20180083789A (ko) 2017-01-13 2017-12-06 회로 부품의 제조 방법 및 회로 부품
CN201810032382.4A CN108321092B (zh) 2017-01-13 2018-01-12 电路部件的制造方法和电路部件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017004186A JP2018113399A (ja) 2017-01-13 2017-01-13 回路部品の製造方法および回路部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018113399A true JP2018113399A (ja) 2018-07-19
JP2018113399A5 JP2018113399A5 (ja) 2019-04-11

Family

ID=62893671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017004186A Pending JP2018113399A (ja) 2017-01-13 2017-01-13 回路部品の製造方法および回路部品

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2018113399A (ja)
KR (1) KR20180083789A (ja)
CN (1) CN108321092B (ja)
TW (1) TWI658518B (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11621181B2 (en) * 2020-05-05 2023-04-04 Asmpt Singapore Pte. Ltd. Dual-sided molding for encapsulating electronic devices
CN111883516A (zh) * 2020-07-24 2020-11-03 青岛歌尔智能传感器有限公司 集成模组的封装结构及其封装方法、以及电子设备
JP2022046921A (ja) * 2020-09-11 2022-03-24 セイコーエプソン株式会社 電子デバイスの製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005004563A1 (ja) * 2003-07-03 2005-01-13 Hitachi, Ltd. モジュール装置及びその製造方法
JP2010045315A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Denso Corp 電子制御装置の製造方法及び電子制御装置
JP2010192810A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Epson Toyocom Corp 電子デバイスの製造方法および電子デバイス
JP2015076547A (ja) * 2013-10-10 2015-04-20 株式会社デンソー 電子装置およびその製造方法
WO2016056387A1 (ja) * 2014-10-07 2016-04-14 株式会社村田製作所 高周波通信モジュール及び高周波通信装置
JP2016103616A (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 Towa株式会社 電子部品、その製造方法及び製造装置
JP2016162840A (ja) * 2015-02-27 2016-09-05 Towa株式会社 電子部品、その製造方法及び製造装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201138582A (en) * 2010-04-23 2011-11-01 Meiko Electronics Co Ltd Substrate with built-in components, multilayer substrate using the same, and manufacturing method of substrate with built-in components

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005004563A1 (ja) * 2003-07-03 2005-01-13 Hitachi, Ltd. モジュール装置及びその製造方法
JP2010045315A (ja) * 2008-08-18 2010-02-25 Denso Corp 電子制御装置の製造方法及び電子制御装置
JP2010192810A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Epson Toyocom Corp 電子デバイスの製造方法および電子デバイス
JP2015076547A (ja) * 2013-10-10 2015-04-20 株式会社デンソー 電子装置およびその製造方法
WO2016056387A1 (ja) * 2014-10-07 2016-04-14 株式会社村田製作所 高周波通信モジュール及び高周波通信装置
JP2016103616A (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 Towa株式会社 電子部品、その製造方法及び製造装置
JP2016162840A (ja) * 2015-02-27 2016-09-05 Towa株式会社 電子部品、その製造方法及び製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN108321092B (zh) 2021-04-06
TWI658518B (zh) 2019-05-01
KR20180083789A (ko) 2018-07-23
TW201826411A (zh) 2018-07-16
CN108321092A (zh) 2018-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3277996B2 (ja) 回路装置、その製造方法
JP4699353B2 (ja) 代替のflmpパッケージ設計およびそのパッケージ製造方法
TW418511B (en) Packaged device of exposed heat sink
KR101847691B1 (ko) 전자 부품의 제조 방법 및 제조 장치
EP2565913B1 (en) Method for encapsulating of a semiconductor
CN100568498C (zh) 半导体器件及其制造方法
KR101928681B1 (ko) 전력용 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN105762084B (zh) 倒装芯片的封装方法及封装装置
TW200901435A (en) Apparatus for packaging semiconductor devices, packaged semiconductor components, methods of manufacturing apparatus for packaging semiconductor devices, and methods of manufacturing semiconductor components
JP2001094020A (ja) ストリップ形状のヒート・スプレッダを備えたフリップ・チップ・パッケージおよび製造方法
US20170365518A1 (en) Semiconductor packages with sub-terminals and related methods
JP6400509B2 (ja) 電子部品の製造方法
JPH09252065A (ja) 半導体装置及びその製造方法及び基板フレーム
KR20170016550A (ko) 반도체 패키지의 제조 방법
JP2011187574A (ja) 半導体装置及びその製造方法並びに電子装置
CN108321092B (zh) 电路部件的制造方法和电路部件
CN108538728B (zh) 制造半导体器件的方法
JP2005303251A (ja) 集積回路のパッケージ方法
US7602060B2 (en) Heat spreader in a flip chip package
US10784224B2 (en) Semiconductor devices with underfill control features, and associated systems and methods
CN108400218B (zh) 一种基于csp型式的led封装方法
JP2002093982A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR20080074468A (ko) 초음파를 이용한 반도체 칩의 표면실장방법
JP3398580B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び基板フレーム
US20070273010A1 (en) Design and Method for Attaching a Die to a Leadframe in a Semiconductor Device

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190225

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190225

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190913

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190924

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191105

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20200107