TW201826411A - 電路零件的製造方法及電路零件 - Google Patents

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Abstract

電路零件的製造方法，包括在第1型(1)中設置第1裝配完成基板(10)的步驟；在第2型(2)中設置第2裝配完成基板(20)的步驟；在包含第1型(1)與第2型(2)的成形型中設置密封材(41,49)；以及進行第1型(1)與第2型(2)閉模的步驟。進行設置第1裝配完成基板(10)的工程中嵌合第1型(1)的凹部或凸部(11a)與第1裝配完成基板(10)的凸部或凹部(11b)以及設置第2裝配完成基板(20)的工程中嵌合第2型(2)的凹部或凸部(21a)與第2裝配完成基板(20)的凸部或凹部(21b)其中至少一方。

Description

電路零件的製造方法及電路零件
本發明係關於電路零件的製造方法及電路零件。
例如專利文件1中記載，裝載電子零件的第1基板的連接部與金屬棒狀的端子的一端部電性連接的同時，裝載電子零件的第2基板的連接部與金屬棒狀的端子的另一端部電性連接後，電子零件以成型樹脂密封，製造電子裝置。
[先行技術文件]
[專利文件]
[專利文件1]專利第2015-76547號公開公報
但是，專利文件1中記載的方法中，有第1基板與第2基板位置相合困難的課題。
根據在此揭示的實施形態，可以提供電路零件的製造方法，係具有在一面裝配第1電子零件的第1裝配完成基板以及在一面裝配第2電子零件的第2裝配完成基板的電路零件的製造方法，包括下列步驟：為了在第1型的型面上配置第1裝配完成基板的另一面，在第1型的型面上設置第1裝配完 成基板；為了在第2型的型面上配置第2裝配完成基板的另一面，在與第1型的型面相對向的第2型的型面上設置第2裝配完成基板；供給密封材給包含第1型與第2型的成形型；進行第1型與第2型閉模；進行第1型與第2型閉模的步驟之後，第1裝配完成基板的一面與第2裝配完成基板的一面之間的空間中，使密封材產生的流動性樹脂硬化成形硬化樹脂；以硬化樹脂樹脂密封第1電子零件與第2電子零件；以及取出樹脂密封第1電子零件與第2電子零件的密封完成構件；第1裝配完成基板與第2裝配完成基板其中至少一方，在電路零件與電路零件的外部之間設置進行電氣信號授受的信號授受部，進行設置第1裝配完成基板的步驟中根據嵌合第1型的凹部或凸部與第1裝配完成基板的凹部或凸部產生的位置決定，以及設置第2裝配完成基板的步驟中根據嵌合第2型的凹部或凸部與第2裝配完成基板的凸部或凹部產生的位置決定其中至少一方。
在此揭示的實施形態的電路零件的製造方法中，閉模步驟之前，進行供給密封材的步驟，閉模步驟之後成形硬化樹脂步驟前，第1裝配完成基板的一面與第2裝配完成基板的一面之間的空間內從空間的外部流入流動性樹脂也可以。
在此揭示的實施形態的電路零件的製造方法中，閉模步驟前，進行供給密封材的步驟，供給密封材的步驟中，第1裝配完成基板的一面的上方與第2裝配完成基板的一面的上方其中至少一方供給密封材也可以。
在此揭示的實施形態的電路零件的製造方法，更包含再加工密封完成構件的步驟也可以。
在此揭示的實施形態的電路零件的製造方法，包括下列步驟：準備在第1裝配完成基板的一面具有的第1基板間連接用墊上設置從第1裝配完成基板的一面突出的連接用構件的第1裝配完成基板；以及準備在第2裝配完成基板的一面具有的第2基板間連接用墊上設置導電性材料的第2裝配完成基板；進行第1型與第2型閉模的步驟中，連接用構件與第2基板間連接用墊接觸，在流動性樹脂硬化的溫度中具有導電性材料軟化的特性，成形硬化樹脂的步驟中導電性材料軟化後硬化也可以。
在此揭示的實施形態的電路零件的製造方法，包括下列步驟：準備在第1裝配完成基板的一面具有的第1基板間連接用墊上設置從第1裝配完成基板的一面突出的連接用構件的第1裝配完成基板；以及準備在第2裝配完成基板的一面上設置第2基板間連接用墊的第2裝配完成基板；在成形硬化樹脂的步驟中，使流動性樹脂硬化成形硬化樹脂之際產生的壓縮應力往第2基板間連接用墊壓上連接用構件，藉此電性連接連接用構件與第2基板間連接用墊也可以。
根據在此揭示的實施形態，可以提供電路零件，係具有第1裝配完成基板與第2裝配完成基板的電路零件，包括：上述第1裝配完成基板，具有一面；第2裝配完成基板，具有與第1裝配完成基板的一面相對向的一面；第1電子零件，裝配在第1裝配完成基板的一面上；第2電子零件，裝配在第2裝配完成基板的一面上；第1基板間連接用墊，設置在第1裝配完成基板的一面上；連接用構件，在第1裝配完成基 板的一面，設置從第1基板間連接用墊突出；第2基板間連接用墊，設置在第2裝配完成基板的一面上，與第1基板間連接用墊相對向；信號授受部，設置在第1裝配完成基板與第2裝配完成基板其中至少一方，在電路零件與電路零件的外部之間進行電氣信號的授受；硬化樹脂，在第1裝配完成基板的一面與第2裝配完成基板的上述一面之間的空間，使流動性樹脂硬化成形；以及被加工面，設置在第1裝配完成基板的另一面與第2裝配完成基板的另一面其中至少一方，具有對於成形硬化樹脂之際使用的第1型與第2型其中至少一方位置決定使用的凸部或凹部，以加工至少一部分密封構件形成；至少第1電子零件、第2電子零件、第1基板間連接用墊、連接用構件以及第2基板間連接用墊，以硬化樹脂樹脂密封，第1基板間連接用墊與第2基板間連接用墊以連接用構件電性連接。
在此揭示的實施形態的電路零件中，藉由連接用構件與第2基板間連接用墊直接接觸，或者，藉由連接用構件與第2基板間連接用墊以導電性材料介於其間間接接觸，電性連接第1基板間連接用墊與第2基板間連接用墊也可以。
在此揭示的實施形態的電路零件中，在連接用構件與第2基板間連接用墊直接接觸的狀態下，藉由使流動性樹脂硬化成形硬化樹脂之際產生的壓縮應力往第2基板間連接用墊壓上連接用構件，電性連接第1基板間連接用墊、連接用構件以及第2基板間連接用墊也可以。
在此揭示的實施形態的電路零件，也可以包含機能部，設置在第1裝配完成基板的另一面與第2裝配完成基板 的另一面其中至少一方，具有特定的機能。
在此揭示的實施形態的電路零件中，信號授受部包含連接器及纜線其中至少一方也可以。
在此揭示的實施形態的電路零件中，信號授受部包含無線通訊用IC也可以。
根據在此揭示的實施形態，相較於專利文件1中記載的方法，可以提供能使基板的位置相合變得容易的電路零件的製造方法及電路零件。
1‧‧‧下型(第1型)
1a‧‧‧底部
2‧‧‧上型(第2型)
10‧‧‧第1裝配完成基板
10a‧‧‧基板
11‧‧‧位置決定部
11a‧‧‧位置決定接腳(凸部)
11b‧‧‧位置決定穴(凹部)
20‧‧‧第2裝配完成基板
20a‧‧‧基板
21‧‧‧位置決定部
21a‧‧‧位置決定接腳(凸部)
21b‧‧‧位置決定穴(凹部)
22a‧‧‧連接器用墊
22b‧‧‧感應器用墊
23‧‧‧凸塊
24‧‧‧連接器(信號授受部)
25a、25b‧‧‧洞穴
26‧‧‧基板間連接用墊
27‧‧‧導電性膏材
28‧‧‧晶片用墊
28a‧‧‧凸塊
29‧‧‧晶片
30‧‧‧機能部
31a、31b、31c‧‧‧吸引穴
32‧‧‧感應晶片
33‧‧‧凸塊
34‧‧‧底部填充劑
35‧‧‧連接用構件
36‧‧‧假想線
37‧‧‧基板間連接用墊(第1基板間連接用墊)
38‧‧‧晶片用墊
39‧‧‧凸塊
40‧‧‧晶片
41‧‧‧洞穴
42‧‧‧機能部
43‧‧‧閘
44‧‧‧滑行道
45‧‧‧挑除
46‧‧‧坑洞
47‧‧‧樹脂板
48‧‧‧活塞
49‧‧‧流動性樹脂
50‧‧‧密封完成構件
51‧‧‧硬化樹脂
53‧‧‧不要部分
61‧‧‧粒狀樹脂
62‧‧‧金屬線
63‧‧‧旋轉刀
71‧‧‧台階
72‧‧‧溝
73‧‧‧電路零件
82‧‧‧基板間連接用墊
83‧‧‧收納部
84‧‧‧流路
85‧‧‧基板間連接部
87‧‧‧外部連接部
[第1圖](a)~(d)係圖解關於第一實施形態的電路零件的製造方法以及電路零件的模式剖面圖；[第2圖](a)~(e)係圖解關於第二實施形態的電路零件的製造方法以及電路零件的模式剖面圖；以及[第3圖](a)~(c)係圖解關於第三實施形態的電路零件的製造方法以及電路零件的模式剖面圖。
以下，說明關於實施形態。又，實施形態的說明中使用的圖面中，相同的參照符號，表示相同的部分或相當部分。本申請文件中全部的圖，為了容易了解，適當省略或誇張模式描繪。
<第一實施形態>
第1(a)~(d)圖係圖解關於第一實施形態的電路零件的製 造方法以及電路零件的模式剖面圖。以下，參照第1(a)~(d)圖，說明關於第一實施形態的電路零件的製造方法。第一實施形態中，具有以轉移成形製造電路零件的特徵點。
首先，如第1(a)圖所示，設置下型1以及與下型1相對向的上型2。下型1與上型2同時包含在成形型內。
在下型1設置第1裝配完成基板10的同時，在上型2設置第2裝配完成基板20。第一實施形態中，對下型1的第1裝配完成基板10的設置，藉由嵌合下型1的位置決定接腳(凸部)11a與第1裝配完成基板10的位置決定穴(凹部)11b進行。第一實施形態中，對上型2的第2裝配完成基板20的設置，藉由嵌合上型2的位置決定接腳(凸部)21a與第2裝配完成基板20的位置決定穴(凹部)21b進行。以位置決定接腳11a與位置決定穴11b構成位置決定部11，以位置決定接腳21a與位置決定穴21b構成位置決定部21，在下型1設置第1裝配完成基板10的步驟與在上型2設置第2裝配完成基板20的步驟的順序不特別限定，同時進行這些步驟也可以。
下型1，備置窪凹的洞穴41。如後述，存在於空間的洞穴41中的流動性樹脂硬化，成形硬化脂樹。下型1，依此順序備置連結洞穴41的閘43、滑行道44以及挑除45。挑除45的下方設置坑洞46。坑洞46，係設置在下型1與上型2間(本實施例中為下型1中)之供給樹脂材料(密封材)的空間。坑洞46的內部，設置包含熱硬化性樹脂的樹脂板47作為密封材。下型1，沿著第1圖的上下方向看時(稱「平面視」時。其它圖中也相同。)在洞穴41的周緣部，備置作為下型1的凸部 的位置決定接腳11a。
在下型1中的洞穴41的底部1a，設置貫通底部1a的複數的吸引穴31a。第1裝配完成基板10，由於在複數的吸引穴31a中被吸引，暫時固定至下型1的型面，具體而言，洞穴41的內底面(形成洞穴41的底的型面)。
第1裝配完成基板10，在基板10a的一面(第1圖中上面)上備置基板間連接用墊37和晶片用墊38的同時，在基板間連接用墊37上備置連接用構件35，更配置在晶片用墊38上以凸塊39介於其間裝配的晶片(第1電子零件)40。第1裝配完成基板10，在基板10a的另一面(第1圖中下面)上備置機能部42。第1裝配完成基板10的基板10a中，設置作為第1裝配完成基板10的凹部的位置決定穴11b。連接用構件35的形狀，例如，可以形成如第1(a)圖所示的突出環狀的形狀，但圓弧狀也可以，拋物線狀也可以，像長方形的一部分的形狀也可以。作為連接用構件35的材料，例如，可以使用銅、金或鋁等的金屬線(wire)。連接用構件35的上端，平面視時比起在下型1的洞穴41的周邊的下型1的型面(上面)，更往上側突出。
上型2中，設置貫通上型2的複數的吸引穴31b。第2裝配完成基板20，由於在複數的吸引穴31b中被吸引，暫時固定至上型2的型面(下面)。上型2，平面視時在複數的吸引穴31b的外側，備置作為上型2的凸部的位置決定接腳21a。
第2裝配完成基板20，在基板20a的一面(下面)上備置基板間連接用墊26與晶片用墊28的同時，在基板間連接用墊26上備置導電性膏材(導電性材料)27，更在晶片用墊 28上備置以凸塊28a介於其間裝配的晶片(第2電子零件)29。第2裝配完成基板20，在基板20a的另一面(上面)上備置機能部30。第2裝配完成基板20，還有在基板20a的上面上備置連接器用墊22a的同時，在連接器用墊22a上備置以凸塊23介於其間裝配的連接器24。第2裝配完成基板20，更在基板20a的上面上備置感應器用墊22b的同時，在感應器用墊22b上備置以凸塊33介於其間裝配的感應晶片32，在基板20a的上面與感應晶片32之間備置底部填充(Underfill)劑34。連接器24，收納在上型2的凹部25a內，感應晶片32，收納在上型2的凹部25b內。第2裝配完成基板20的基板20a中，設置作為第2裝配完成基板20的凹部的位置決定穴21b。
其次，如第1(b)圖所示，進行下型1與上型2的閉模。藉此，第1裝配完成基板10的連接用構件35的上端以導電性膏材27介於其間電性連接至第2裝配完成基板20的基板間連接用墊26。連接用構件35的上端直接接觸基板間連接用墊26，其接觸部的周圍以導電性膏材27覆蓋也可以。連接用構件35彎曲變形，連接用構件35與基板間連接用墊26電性連接也可以。任一情況下，基板間連接用墊37與基板間連接用墊26都以連接用構件35電性連接。
作為導電性膏材27，例如，可以使用導電性樹脂膏材或低溫熔融錫膏等。導電性膏材27，例如可以在樹脂材料(本實施形態中為樹脂板47)熔融的溫度以及硬化的溫度中具有流動性。導電性膏材27，只要在樹脂材料熔融的溫度以及硬化的溫度中軟化，在樹脂材料的溫度從熔融的溫度回到常溫的 過程中硬化即可。本申請文件中「軟化」包含「熔融」。
其次，如第1(b)~(c)圖所示，閉模的下型1與上型2之間，經由流入熔融樹脂構成的液狀的流動性樹脂49供給。液狀的流動性樹脂49經由加熱熔融樹脂板47而產生。由於流動性樹脂49以活塞48擠出，通過滑行道44及閘43，流入下型1的洞穴41。在此情況下，不拘流動性樹脂49的流動性(黏性)程度。流動性樹脂49的流動性，只要以活塞48擠出可以移動的程度即可。根據轉移成形，包含第1裝配完成基板10的上面與第2裝配完成基板20的下面之間的空間之洞穴41內，從洞穴41的外側流入流動性樹脂49。
之後，如第1(c)~(d)圖所示，藉由更加熱流動性樹脂49，利用使流動性樹脂49硬化的固狀體的硬化樹脂51密封電子零件(晶片29、40)。具體而言，至少晶片29、40、基板間連接用墊37、連接用構件35、導電性膏材27以及基板間連接用墊26以硬化樹脂51覆蓋。硬化樹脂51，作用為樹脂密封電子零件(晶片29、40)等的密封樹脂。
之後，進行下型1與上型2的開模。藉此，可以取出以硬化樹脂51接合第1裝配完成基板10與第2裝配完成基板20的密封完成構件(密封完成基板、成形品)50至外部。之後，在相當於密封完成構件50的硬化樹脂51中的閘43的位置中，對不要部分53施加外力。例如，對於不要部分53往第1圖中的順時針方向施加外力，從硬化樹脂51切斷(分離)除去不要部分53。到此為止的步驟，可以得到作為製品(完成品)的電路零件(根據閘切除(gate cutting)的第1方法)。
根據第1方法，由於對不要部分53施加外力，分離不要部分53引起的加工痕(破裂痕)在被加工面上形成。再加上，由於對不要部分53施加外力，從第1裝配完成基板內包含的基板10a的下面，剝下不要部分53引起的加工痕(剝下不要部分53的痕跡)在相當於被加工面的基板10a的下面形成。
沿著從第1圖的前方沿著深處方向延伸的假想線36(第1圖中為了方便顯示沿著縱向延伸的線)，使用切斷裝置切斷密封完成構件50。例如，具有磨粒的切斷裝置(旋轉刀、線鋸等)，使用利用熱的切斷裝置(雷射光的照射等)，也可以得到作為製品的電路零件(根據切斷密封完成構件50中的全部厚度(全切(full cutting)的第2方法)。
根據第2方法，使用具有磨粒的切斷裝置時，起因於磨粒的第1加工痕(研磨痕)在被加工面上形成。使用利用熱的切斷裝置時，起因於熱的第2加工痕在被加工面上形成。第2加工痕，切斷對象物的密封完成構件50因熱部分熔融後有時候是硬化的痕跡。第2加工痕，在密封完成構件50中的厚度方向的內部由於熱膨脹密封完成構件50有時候是破裂的痕跡。
使用根據閘切步驟的第1方法與根據全切步驟的第2方法的任一方法時，電路零件的一部分內都包含因切斷形成的被加工面(被切斷面)。第2方法，平面視時可以縮小電路零件的佔有面積的點，比第1方法理想。閘切步驟與全切步驟，分別相當於再加工密封完成構件50的步驟。
作為製品的電路零件中，機能部30、42，例如可以作用為金屬膜、金屬箔或金屬板構成的散熱板。電性連接至 信號系列圖案的機能部30、42，例如可以作用為天線。
作為製品的電路零件中，對於接地圖案電性連接的機能部30、42，可以作用為金屬膜、金屬箔、金屬板或導電性樹脂層構成的電磁遮蔽板。第1裝配完成基板10與第2裝配完成基板20之間的空間中，在平面視時外緣附近的全周設置圍繞狀的金屬板，採用電性連接其金屬板至接地圖案的構成也可以。金屬板最好完全塞住第1裝配完成基板10與第2裝配完成基板20之間的間隔。平面視時金屬板最好無切痕圍繞電子零件(晶片29、40)。電子零件中的這些構成使電磁遮蔽板產生的電磁遮蔽能力提高。
機能部30、42，例如是利用太陽電池等的光電池、振動的發電機構，利用熱的發電機構(Seebeck元件等)也可以。機能部30、42是蓄電元件也可以。這些情況下，電路零件可以不用從外部接受電源供給而作用。
機能部30、42中，至少設置散熱板及光電池在第1裝配完成基板10的另一面(第1圖中下面)與第2裝配完成基板20的另一面(第1圖中上面)其中的一方。機能部30、42中，散熱板及光電池以外之物，也能設置在第1裝配完成基板10及第2裝配完成基板20的任一面。
第一實施形態的電路零件的製造方法中，嵌合下型1的位置決定接腳11a與第1裝配完成基板10的位置決定穴11b的同時，嵌合上型2的位置決定接腳21a與第2裝配完成基板20的位置決定穴21b，藉此進行第1裝配完成基板10與第2裝配完成基板20的位置決定。
另一方面，專利文件1中記載的方法中，對於互相空出間隔配置的第1基板的連接部與第2基板的連接部雙方，分別位置相合金屬棒狀的端子後需要接觸之非常精密的作業。又，專利文件1中記載的方法中，第1基板的連接部與第2基板的連接部的金屬棒狀的端子的連接，通常不只1處，需要進行複數處。又，專利文件1中記載的第1基板的連接部與第2基板的連接部，分別通常只有非常小的面積。
根據以上的理由，第一實施形態的電路零件的製造方法，相較於專利文件1中記載的方法，可以使第1裝配完成基板10與第2裝配完成基板20的位置相合變得容易。
根據第一實施形態製造的電路零件中，使用第2裝配完成基板20的上面裝配的連接器24(以及/或纜線)，可以進行電路零件與電路零件外部的電性連接。所謂「電路零件外部」的文言，意味其電路零件電性連接的電子機器、其它電路基板等。再加上，所謂「電路零件與電路零件外部的電性連接」的文言，意味可以授受電路零件與電路零件外部之間的電氣信號(包含電源系列信號、控制系列信號與資料信號)。所以，連接器24(以及/或纜線)在電路零件與電路零件外部之間作用為進行電氣信號的授受的信號授受部。
根據第一實施形態製造的電路零件中，第2裝配完成基板20的上面可以以倒裝晶片黏接(flip chip bonding)裝配光電元件(COMS攝影機)等的感應晶片32。裝配方式是倒裝晶片黏接以外也可以。裝配複數的晶片在第2裝配完成基板20的上面也可以。樹脂密封裝配在第2裝配完成基板20的上面 的感應晶片32也可以。第1裝配完成基板10的下面，採用裝配在第2裝配完成基板20的上面的感應晶片32等的各種構成也可以。其它實施形態中也可以採用第一實施形態中說明的電路零件的構成。
感應晶片32檢出的物理量，除了光以外變位、加速度、振動、壓力(包含氣壓)、溫度、溼度等也可以。取代感應晶片32，記憶體、控制器、CPU(中央控制單元)、ECU(電子控制單元)、電晶體等的晶片也可以。
又，第一實施形態中，雖然進行嵌合下型1的位置決定接腳11a與第1裝配完成基板10的位置決定穴11b以及嵌合位置決定接腳21a與第2裝配完成基板20的位置決定穴21b雙方，但只進行其中一方也可以。
第一實施形態中，下型1中設置作為凸部的位置決定接腳11a的同時，第1裝配完成基板10中設置作為凹部的位置決定穴11b，將這些嵌合，但不限於此構成，下型1中設置作為凹部的位置決定穴11b，第1裝配完成基板10中設置作為凸部的位置決定接腳11a等，將這些嵌合也可以。
第一實施形態中，上型2中設置作為凸部的位置決定接腳21a的同時，第2裝配完成基板20中設置作為凹部的位置決定穴21b，將這些嵌合，但不限於此構成，上型2中設置作為凹部的位置決定穴21b，第2裝配完成基板20中設置作為凸部的位置決定接腳21a等，將這些嵌合也可以。
作為位置決定的變形例，採用其次的構成。第一變形例中，下型1的型面(上面)或上型2型面(下面)其中至少 一方，採用設置平面視”L”字狀的凹部的構成。平面視”L”字狀的凹部中的右上側的型面中，配置裝配完成基板。對平面視”L”字狀的凹部中的左下角部，壓上裝配完成基板左下的角部，藉此在下型1的型面中位置決定裝配完成基板。
第二變形例中，下型1中設置的洞穴41的平面形狀，採用比第1裝配完成基板10的平面形狀稍加大的構成。第1裝配完成基板10，沿著構成洞穴41的下型1的內壁面配置在洞穴41的內底面。
上述2個變形例中，第1，下型1中形成的凹部(包含洞穴41)，作用為成形型中的位置決定用的凹部。第2，第1裝配完成基板10本身，作用為第1裝配完成基板10中的位置決定用的凸部。
第一實施形態中，進行下型1與上型2的閉模後，下型1與上型2之間流入流動性樹脂49，例如以下的第二及三實施形態所示，下型1與上型2之間成為流入流動性樹脂49存在的狀態後，進行下型1與上型2的閉模也可以。
第一實施形態中，作為第1裝配完成基板，使用基板10a的上面上裝配晶片40的第1裝配完成基板10的同時，作為第2裝配完成基板，使用基板20a的下面上裝配晶片29的第2裝配完成基板20。第1裝配完成基板以及第2裝配完成基板不限定於這些構成。作為第1裝配完成基板以及第2裝配完成基板，只要使用基板的至少一方的面上裝配某種零件即可。
第一實施形態中，使用轉移成形。利用射出成形，包含第1裝配完成基板10的上面與第2裝配完成基板20 的下面之間的空間之洞穴41中，從洞穴41外側流入流動性樹脂49也可以。
第一實施形態中，使用線狀的連接用構件35。根據流過連接用構件35的電流值，只要決定連接用構件35的直徑即可。作為連接用構件35，使用金屬箔、金屬板也可以。只要根據流過連接用構件35的電流值，決定連接用構件35的厚度即可。基板間連接用墊37的上方吐出導電性樹脂，形成柱狀的連接用構件35也可以。
第一實施形態中，第1圖所示的下型1中的坑洞46的左側，設置1個洞穴41。作為下型1，關於坑洞46的中心線線對稱的位置上採用設置挑除45、滑行道44、閘43以及洞穴41的構成也可以。作為下型1，包含坑洞46、挑除45、滑行道44、閘43以及洞穴41的1系統的樹脂流路，採用沿著第1圖的前面~深處的方向排列設置2系統以上的構成也可以。成形型中的這些構成，能夠從1個密封完成構件50製造複數個電路零件(取得多數個)。
<第2實施形態>
第2(a)~(e)圖中，顯示圖解關於第二實施形態的電路零件的製造方法及電路零件的模式剖面圖。以下，參照第2(a)~(e)圖，說明關於第二實施形態的電路零件的製造方法。第二實施形態中，根據壓縮成形，有製造複數個電路零件的特徵點。
首先，如第2(a)圖所示，在下型1設置第1裝配完成基板10的同時，在上型2設置第2裝配完成基板20後，供給下型1的洞穴41固體狀的粒狀樹脂61。連接用構件35 的上端，平面視時，比下型1中的洞穴41周圍的型面(圖中下型1的上面)，更往上突出。
下型1，不同於第一實施形態，不備置第1圖所示的閘43、滑行道44以及挑除45。
第2裝配完成基板20，在基板20a的下面上，備置晶片用墊28以及晶片29，但與第一實施例不同，晶片用墊28以及晶片29的焊墊之間的連接以金屬線62進行。又，與第一實施例不同，基板20a的上面上未裝配連接器24以及感應晶片32。第二實施形態中，因為未使用連接器24等，可以小型化電路零件。
使用金屬線作為連接晶片用墊28與晶片29的構件，使用粒狀樹脂或粉狀樹脂作為密封材的樹脂材料時，供給樹脂材料之際，施加至金屬線的外力有增加的傾向。在此情況下，從承受施加至上述構件的外力的觀點來看，如第1圖所示，最好使用倒裝晶片黏接(flip chip bonding)連接晶片用墊28與晶片29的焊墊。使用金屬線時，最好使用具有大徑的金屬製線。使用金屬製帶(ribbon)等時，最好使用具有大厚度的金屬製帶等。所以，製造處理大電力的電路零件(例如，電力控制用模組等)時，適合使用粒狀樹脂或粉狀樹脂。
使用具有小徑的金屬製線或具有小厚度的金屬製帶等時，最好使用液狀樹脂(常溫下具有流動性的樹脂材料)。在此情況下，最好是液狀樹脂的流動性較大。
其次，如第2(a)~(b)圖所示，經由加熱熔融供給至下型1的洞穴41的粒狀樹脂61，形成熔融樹脂構成的液狀 的流動性樹脂49。
其次，如第2(c)圖所示，進行下型1與上型2的閉模。下型1與上型2的閉模過程中，首先，第1裝配完成基板10的連接用構件35的上端與第2裝配完成基板20的基板間連接用墊26接觸。其次，在第2裝配完成基板20的下面(一方的面)裝配的晶片29與第2裝配完成基板20的下面，依序浸泡在存在於下型1的洞穴41的流動性樹脂49中。之後，下型1與上型2的閉模結束的狀態中，彎曲變形的連接用構件35的上端與在第2裝配完成基板20的下面形成的基板間連接用墊26，以直接壓上接觸的狀態(壓接的狀態)密合。
作為連接用構件35，最好使用金或鍍金的金屬。在第2裝配完成基板20的下面形成的基板間連接用墊26，最好形成鍍金的銅箔。藉由形成這2個構成，可以確實實現在第2裝配完成基板20的下面形成的基板間連接用墊26與連接用構件35的電性連接。
其次，如第2(d)圖所示，藉由更加熱流動性樹脂49，以硬化流動性樹脂49的固體狀的硬化樹脂51密封電子零件(晶片29、40)後，進行下型1與上型2的開模。因此，可以取出以硬化樹脂51接合第1裝配完成基板10與第2裝配完成基板20的密封完成構件(密封完成基板)50至外部。流動性樹脂49硬化之際產生的壓縮應力，對第2裝配完成基板20的下面上形成的基板間連接用墊26壓上連接用構件35的上端。因此，在第2裝配完成基板20的上面形成的基板間連接用墊26與連接用構件35，在互相壓接的狀態下電性連接。在第2(d) 圖中，流動性樹脂49硬化之際產生的壓縮硬力，在密封完成構件50的側方以分別描繪的2個相對的粗箭頭表示。
形成基板間連接用墊26與連接用構件35的電性連接以動性樹脂49硬化之際產生的壓縮硬力實現的構成時，不需要導電性膏等的材料。第1，此構成，因為導電性膏材等在熔融開始溫度以上的溫度中電路零件變得可以動作，使電路零件的耐熱性提高。第2，此構成，因為使基板間連接用墊26與連接用構件35之間的接觸電阻下降，適於處理大電力的電路零件及製造其電路零件的情況。第3，此構成降低電路零件的材料費。
在第二實施形態所示的第2裝配完成基板20的下面形成的基板間連接用墊26與連接用構件35的電性連接，在其它實施形態中也可以採用由流動性樹脂49硬化之際產生的壓縮應力實現的構成。根據此構成，不需要導電性膏材等的導電性材料，所以，其它實施形態中，此構成也使電路零件的耐熱性提高，適於製造處理大電力的電路零件以及製造其電路零件的情況，降低電路零件的材料費。
之後，如第2(e)圖所示，切斷處(假想線36)位於台階71中設置的溝72內，設置密封完成構件50在台階71上。溝72內，收納旋轉刀63的外緣。於是，通過台階71中設置的吸引穴31c，吸引空氣吸附密封完成構件50至台階71暫時固定。之後，使用旋轉刀63，沿著假想線36切斷密封完成構件50，除去不要部分53。藉此，可以得到作為製品的複數個電路零件73。在第二實施形態的情況下，電路零件73的一部分，包 含切斷形成的被加工面(被切斷面)。沿著各假想線36切斷密封完成構件50的步驟，相當於再加工密封完成構件50的步驟。
根據第二實施形態製造的電路零件與外部的電性連接，在第2裝配完成基板20的下面裝配的晶片(第2(e)圖顯示4個)中，以無線通訊用IC晶片實現。第2圖所示的範例中，4個晶片中從左開始第1個晶片29與第3個晶片29係無線通訊用IC晶片。無線通訊用IC的晶片29，在電路零件與電路零件的外部之間作用為進行電氣信號的授受的信號授受部。
第2圖所示的實施例中記載之電路零件與外部之間的電性連接以裝配在第2裝配完成基板20的下面的無線通訊用IC的晶片29實現的構成，在其它實施形態中也可以採用。採用此構成時，因為其它實施形態中也不使用連接器等，可以小型化電路零件。
第1裝配完成基板10與第2裝配完成基板20之間的信號授受，也可以由這2枚裝配完成基板其一的面上裝配的無線通訊用IC晶片進行。此構成，最好應用於有關具有大厚度的電路零件，例如，電力控制用模組等。裝配無線通訊用IC晶片的面最好是裝配完成基板中的樹脂密封的面。在此情況下，其無線通訊用IC晶片作用為取代連接用構件35或者與連接用構件35相同之連接用構件。在此情況下，基板間連接用墊37與基板間連接用墊26以設置在裝配完成基板其一的面上的連接用構件(無線通訊用IC晶片)電性連接。
如第2(e)圖所示，從第2(e)圖的前方沿著深處方向延伸的複數條(3條)假想線36，沿著第2(e)圖的左右方向排 列。再加上，通常，分別沿著第2(e)圖的左右方向延伸的複數條(例如，4條)的假想線，從第2(e)圖的前方沿著深處方向排列。在此情況下，相當於1個電路零件的區域，係從第2(e)圖的前方沿著深處方向複數個延伸的行(column)，而且，作為往第2(e)圖的左右方向排列的行，設置2行。相當於1個電路零件的區域，係沿著第2(e)圖的左右方向複數個延伸的列(row)，而且，作為從第2(e)圖的前方沿著深處方向排列的列，設置3列。所以，根據上述的範例，將製造6(2×3)個電路零件。
根據第二實施形態，第2(d)圖中，顯示由硬化樹脂51接合第1裝配完成基板10與第2裝配完成基板20的密封完成構件50。密封完成構件50中，樹脂密封晶片(第1電子零件)40與晶片(第2電子零件)29。也可以採用相當於此密封完成構件50作為製品的1個電路零件的構成。沿著兩端的假想線36切斷第2(d)圖所示的密封完成構件50也可以。沿著兩端的假想線36切斷密封完成構件50的步驟，相當於再加工密封完成構件50的步驟。
第二實施形態中的上述以外的說明，因為與第一實施形態相同，省略關於其說明。
<第三實施形態>
第3(a)~(c)圖中，顯示係圖解關於第三實施形態的電路零件的製造方法以及電路零件的模式剖面圖。以下，參照第3(a)~(c)圖，說明關於第三實施形態的電路零件的製造方法。第三實施形態中，第1裝配完成基板10的基板10a中具有使用非平板狀的基板的特徵點。
首先，如第3(a)圖所示，在下型1設置第1裝配完成基板10的同時，在上型2中設置第2裝配完成基板20後，對下型1的洞穴41供給熔融樹脂構成的液狀流動性樹脂49。
下型1，與第一及二實施形態不同，平面視時在洞穴41的外側依此順序備置流路84以及剩餘樹脂的收納部83。
第1裝配完成基板10，其基板10a的一端沿著洞穴41往斜上方延伸後沿著下型1水平延伸，具有非平板狀的形狀。作為如此的基板10a，例如，可以使用可撓性電路基板或金屬基板等。第3(a)圖中揭示，吸附以可撓性電路基板構成的基板10a至下型1，沿著下型1的型面密合的範例。第1裝配完成基板10，當基板10a的一端往斜上方延伸之後在水平延伸之處具有基板間連接用墊37。
第2裝配完成基板20，備置基板20a的位置決定穴21b的外側的基板間連接用墊82以及基板間連接用墊82上的導電性膏材27。
其次，如第3(a)~(b)圖所示，進行下型1與上型2的閉模。下型1與上型2閉模完成的狀態中，構成基板間連接部85，以導電性膏材27介於其間電性連接第2裝配完成基板20的基板間連接用墊82以及第1裝配完成基板10的基板間連接用墊37。
之後，如第3(b)~(c)圖所示，經由更加熱流動性樹脂49，以硬化流動性樹脂49的固體狀的硬化樹脂51密封電子零件(晶片29、40)後，進行下型1與上型2的開模。藉此， 可以取出以硬化樹脂51接合第1裝配完成基板10與第2裝配完成基板20的密封完成構件(密封完成基板)50至外部。
之後，例如，使用旋轉刀，沿著第3(c)圖的右側以虛線所示的假想線36切斷密封完成構件50，除去密封完成構件50中不要部分53的部分(假想線36的左側部分)，得到電路零件。第3(c)圖的左端的電路零件的部分構成外部連接部87。沿著第3(c)圖的右側以虛線所示的假想線36切斷密封完成構件50的步驟，相當於再加工密封完成構件50的步驟。
與第二實施形態相同，第三實施形態中也採用相當於密封完成構件50作為製品的1個電路零件的構成。使用壓縮成形樹脂密封的步驟中，使用第3(a)圖所示的剩餘樹脂的流路84與剩餘樹脂的收納部83未成形的成形型。藉此，製造不具有第3(c)圖所示的不要部分53的密封完成構件(第3(c)圖所示的密封完成構件50中不存在不要部分53)。相當於此密封完成構件作為製品的1個電路零件。在此情況下，因為不要第3圖所示的第2裝配完成基板20的右端部分，可以小型化密封完成構件。
第三實施形態中的上述以外的說明，因為與第一實施形態以及第二實施形態相同，省略關於其說明。
如上述關於實施形態進行了說明，也從當初開始預定適當組合上述各實施形態的構成。
各實施形態中，藉由樹脂密封2枚裝配完成基板之間，相較於樹脂密封1枚裝配完成基板的一面(裝配晶片等的裝配面)的情況，可以形成2倍裝配晶片等的密度。例如，藉由樹脂密封第2(a)~(d)圖所示的第1裝配完成基板10的上 面與第2裝配完成基板20的下面之間的空間，相較於使用第1裝配完成基板10樹脂密封其一方的面的情況，可以形成2倍裝配晶片等的密度。如第1圖所示，第2裝配完成基板20的上面裝配晶片等的情況下，相較於樹脂密封1枚的裝配完成基板的一面的情況，可以形成3倍裝配晶片等的密度。再加上，第1裝配完成基板10的下面也裝配晶片等的情況下，較於樹脂密封1枚的裝配完成基板的一面的情況，可以形成4倍裝配晶片等的密度。
各實施形態中，在2枚裝配完成基板中的另一面(非2枚裝配完成基板互相對向的面之非對向面)，可以設置機能部。藉此，可多機能化電路零件。
各實施形態中，作為密封材的樹脂材料，說明使用樹脂板、粒狀樹脂以及粉狀樹脂等的固形樹脂的情況與使用液狀樹脂的情況。這些樹脂材料之外，使用膠(gel)狀樹脂或膏(paste)狀樹脂也可以。作為樹脂材料，使用包含環氧樹脂、矽樹脂等的熱硬化樹脂的樹脂材料、包含聚胺樹脂等的熱可塑性樹脂的樹脂材料。
各實施形態中，為了使洞穴41中的內側面與硬化樹脂51容易脫模，下型1中填滿流動性樹脂49的部分的型面上吸附脫模膜也可以。此脫模膜，抑制洞穴41的內底面與第1裝配完成基板10的下面之間的間隙內流動性樹脂49旋轉進入而其間隙產生硬化樹脂的樹脂強度。上型2的型面(圖中下面)上吸附脫模膜也可以。此脫模膜，抑制上型2的型面與第2裝配完成基板20的上面之間的間隙內流動性樹脂49旋轉 進入而其間隙產生硬化樹脂的樹脂強度。使用脫模膜時，最好弄尖各位置決定接腳11a、21a。藉此，吸附脫模膜的過程中各位置決定接腳11a、21a的前端捅破脫模膜，位置決定第1裝配完成基板10、第2裝配完成基板20。
這次揭示的實施形態全部的點為例示，應考慮為沒有限制。本發明的範圍不以上述的說明而以申請的範圍表示，意圖包含與申請範圍均等的意義及範圍內的全部變更。
在此揭示的實施形態，可以利用於電路零件的製造方法及電路零件，尤其，可以適當利用於2枚基板互為相對的各個面上裝配電子零件等的零件之電路零件的製造方法及電路零件。

Claims (12)

  1. 一種電路零件的製造方法，上述電路零件具有在一面裝配第1電子零件的第1裝配完成基板以及在一面裝配第2電子零件的第2裝配完成基板，包括下列步驟：為了在第1型的型面上配置上述第1裝配完成基板的另一面，在上述第1型的型面上設置上述第1裝配完成基板；為了在第2型的型面上配置上述第2裝配完成基板的另一面，在與上述第1型的上述型面相對向的上述第2型的上述型面上設置上述第2裝配完成基板；供給密封材給包含上述第1型與上述第2型的成形型；進行上述第1型與上述第2型的閉模；進行上述第1型與上述第2型閉模的步驟之後，上述第1裝配完成基板的上述一面與上述第2裝配完成基板的上述一面之間的空間中，使上述密封材產生的流動性樹脂硬化成形硬化樹脂；以上述硬化樹脂樹脂密封上述第1電子零件與上述第2電子零件；以及取出樹脂密封上述第1電子零件與上述第2電子零件的密封完成構件；其中，上述第1裝配完成基板與上述第2裝配完成基板其中至少一方，在上述電路零件與上述電路零件的外部之間設置進行電氣信號授受的信號授受部；進行設置上述第1裝配完成基板的步驟中根據嵌合上述第1型的凹部或凸部與上述第1裝配完成基板的凸部或凹部產 生的位置決定，以及設置上述第2裝配完成基板的步驟中根據嵌合上述第2型的凹部或凸部與上述第2裝配完成基板的凸部或凹部產生的位置決定其中至少一方。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電路零件的製造方法，其中，上述閉模步驟之前，進行供給上述密封材的步驟；上述閉模步驟之後成形上述硬化樹脂的步驟前，上述第1裝配完成基板的上述一面與上述第2裝配完成基板的上述一面之間的空間內從上述空間的外部流入上述流動性樹脂。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的電路零件的製造方法，其中，上述閉模步驟前，進行供給上述密封材的步驟；供給上述密封材的步驟中，上述第1裝配完成基板的上述一面的上方與上述第2裝配完成基板的上述一面的上方其中至少一方供給上述密封材。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述的電路零件的製造方法，更包括以下步驟：再加工步驟，再加工上述密封完成構件。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的電路零件的製造方法，包括下列步驟：準備在上述第1裝配完成基板的上述一面具有的第1基板間連接用墊上設置從上述第1裝配完成基板的上述一面突出的連接用構件的上述第1裝配完成基板；以及準備在上述第2裝配完成基板的上述一面具有的第2基板間連接用墊上設置導電性材料的上述第2裝配完成基板； 其中，進行上述第1型與上述第2型閉模的步驟中，上述連接用構件與上述第2基板間連接用墊接觸；在上述流動性樹脂硬化的溫度中具有上述導電性材料軟化的特性；成形上述硬化樹脂的步驟中上述導電性材料軟化後硬化。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的電路零件的製造方法，包括下列步驟：準備在上述第1裝配完成基板的上述一面具有的第1基板間連接用墊上設置從上述第1裝配完成基板的上述一面突出的連接用構件的上述第1裝配完成基板；以及準備在上述第2裝配完成基板的上述一面上設置第2基板間連接用墊的上述第2裝配完成基板；其中，在成形上述硬化樹脂的步驟中，使上述流動性樹脂硬化成形上述硬化樹脂之際產生的壓縮應力往上述第2基板間連接用墊壓上上述連接用構件，藉此電性連接上述連接用構件與上述第2基板間連接用墊。
  7. 一種電路零件，具有第1裝配完成基板與第2裝配完成基板，包括：上述第1裝配完成基板，具有一面；上述第2裝配完成基板，具有與上述第1裝配完成基板的上述一面相對向的一面；第1電子零件，裝配在上述第1裝配完成基板的上述一面上；第2電子零件，裝配在上述第2裝配完成基板的上述一面 上；第1基板間連接用墊，設置在上述第1裝配完成基板的上述一面上；連接用構件，在上述第1裝配完成基板的上述一面，設置從上述第1基板間連接用墊突出；第2基板間連接用墊，設置在上述第2裝配完成基板的上述一面上，與上述第1基板間連接用墊相對向；信號授受部，設置在上述第1裝配完成基板與上述第2裝配完成基板其中至少一方，在上述電路零件與上述電路零件的外部之間進行電氣信號的授受；硬化樹脂，設置在上述第1裝配完成基板的上述一面與上述第2裝配完成基板的上述一面之間的空間；以及被加工面，設置在上述第1裝配完成基板的另一面與上述第2裝配完成基板的另一面其中至少一方，在具有對於成形上述硬化樹脂之際使用的第1型與第2型其中至少一方位置決定使用的凸部或凹部的密封完成構件中至少形成一部分；其中，至少上述第1電子零件、上述第2電子零件、上述第1基板間連接用墊、上述連接用構件以及上述第2基板間連接用墊，以上述硬化樹脂樹脂密封；上述第1基板間連接用墊與上述第2基板間連接用墊以上述連接用構件電性連接。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的電路零件，其中，藉由上述連接用構件與上述第2基板間連接用墊直接接觸，或者， 藉由上述連接用構件與上述第2基板間連接用墊以導電性材料介於其間間接接觸，電性連接上述第1基板間連接用墊與上述第2基板間連接用墊。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的電路零件，其中，在上述連接用構件與上述第2基板間連接用墊直接接觸的狀態下，藉由使上述流動性樹脂硬化成形上述硬化樹脂之際產生的壓縮應力往上述第2基板間連接用墊壓上上述連接用構件，電性連接上述第1基板間連接用墊、上述連接用構件以及上述第2基板間連接用墊。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的電路零件，包括：機能部，設置在上述第1裝配完成基板的上述另一面與上述第2裝配完成基板的上述另一面其中至少一方，具有特定的機能。
  11. 如申請專利範圍第7項所述的電路零件，其中，上述信號授受部包含連接器及纜線其中至少一方。
  12. 如申請專利範圍第7項所述的電路零件，其中，上述信號授受部包含無線通訊用IC。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11621181B2 (en) * 2020-05-05 2023-04-04 Asmpt Singapore Pte. Ltd. Dual-sided molding for encapsulating electronic devices
CN111883516A (zh) * 2020-07-24 2020-11-03 青岛歌尔智能传感器有限公司 集成模组的封装结构及其封装方法、以及电子设备
JP2022046921A (ja) * 2020-09-11 2022-03-24 セイコーエプソン株式会社 電子デバイスの製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2005004563A1 (ja) * 2003-07-03 2006-08-24 株式会社日立製作所 モジュール装置及びその製造方法
JP5187065B2 (ja) * 2008-08-18 2013-04-24 株式会社デンソー 電子制御装置の製造方法及び電子制御装置
JP2010192810A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Epson Toyocom Corp 電子デバイスの製造方法および電子デバイス
TW201138582A (en) * 2010-04-23 2011-11-01 Meiko Electronics Co Ltd Substrate with built-in components, multilayer substrate using the same, and manufacturing method of substrate with built-in components
JP2015076547A (ja) * 2013-10-10 2015-04-20 株式会社デンソー 電子装置およびその製造方法
JP6299878B2 (ja) * 2014-10-07 2018-03-28 株式会社村田製作所 高周波通信モジュール及び高周波通信装置
JP6444707B2 (ja) * 2014-11-28 2018-12-26 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品、その製造方法及び製造装置
JP6400509B2 (ja) * 2015-02-27 2018-10-03 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の製造方法

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