JP2010192810A - 電子デバイスの製造方法および電子デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】ダイシング工程において、信頼性の高い電子デバイスを得ることができる電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子デバイス１００の製造方法は、第１電極１２が形成されている第１表面５０と、樹脂体４０を介して第１表面５０と対向し第２電極２２が形成されている第２表面５２と、を含む、被処理体４８を準備する工程と、第２表面５２側から、少なくとも第２電極２２を切断して、溝部８０を形成する工程と、第１表面５０側から、溝部８０に沿って第１電極１２および樹脂体４０を切断し、被処理体４８を個片化する工程と、を含む。
【選択図】図９

Description

本発明は、電子デバイスの製造方法および電子デバイスに関する。

加速度センサー、ジャイロセンサーまたは慣性センサーのようなセンサー素子には、センシングを行う軸があるため、横置きの素子であっても縦置きにしなければならない場合があり、しかも、正確に立たせる必要がある。特許文献１には、リードフレームを使用して横置きの素子を縦置きにパッケージングすることが開示されている。

このようなセンサー素子は、一般的に、被処理体を個片化するダイシング工程を経て製造される。
特開平１０−２５３６５２号公報

本発明の目的の１つは、ダイシング工程において、信頼性の高い電子デバイスを得ることができる電子デバイスの製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的の１つは、信頼性の高い電子デバイスを提供することにある。

本発明に係る電子デバイスの製造方法は、
第１電極が形成されている第１表面と、樹脂体を介して前記第１表面と対向し第２電極が形成されている第２表面と、を含む、被処理体を準備する工程と、
前記第２表面側から、少なくとも前記第２電極を切断して、溝部を形成する工程と、
前記第１表面側から、前記溝部に沿って前記第１電極および前記樹脂体を切断し、前記被処理体を個片化する工程と、
を含む。

本発明に係る電子デバイスの製造方法によれば、ダイシング工程において、信頼性の高い電子デバイスを得ることができる。

本発明に係る電子デバイスの製造方法において、
前記個片化する工程は、前記被処理体の前記第１表面側をダイシングテープに密着させた状態で行われることができる。

本発明に係る電子デバイスの製造方法によれば、安定して被処理体を個片化することができる。

本発明に係る電子デバイスの製造方法において、
前記個片化する工程で用いるブレードの幅は、前記溝部を形成する工程で用いるブレードの幅より小さいことができる。

本発明に係る電子デバイスの製造方法によれば、切断面を搭載側面として搭載するときに、好都合となる。

本発明に係る電子デバイスの製造方法において、
前記溝部を形成する工程で用いるアライメントマークと、前記個片化する工程で用いるアライメントマークとは、同じスルーホールであることができる。

本発明に係る電子デバイスの製造方法によれば、溝部を形成する工程と、個片化する工程と、による合わせずれを、小さくすることができる。

本発明に係る電子デバイスの製造方法において、
前記被処理体を準備する工程は、
前記第１電極を構成する第１リードフレームと、前記第２電極を構成する第２リードフレームと、の間に、多面体の外形形状を有する電気素子を、最も広い面が前記第１リードフレーム、前記第２リードフレームの一方を向くように配置し、前記第１リードフレームと前記電気素子とを電気的に接続する工程と、
前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとの間で、前記樹脂体によって前記電気素子を封止する工程と、
を含み、
前記第１表面は、前記第１リードフレームの面と、前記樹脂体の面と、から形成し、
前記第２表面は、前記第２リードフレームの面と、前記樹脂体の面と、から形成し、
前記第１表面および前記第２表面に接続する搭載側面は、少なくとも前記樹脂体の切断によって生じる露出面から形成することができる。

本発明に係る電子デバイスの製造方法によれば、電極を構成するリードフレームを用いた信頼性の高い電子デバイスを得ることができる。

なお、本発明に係る記載では、「電気的に接続」という文言を、例えば、「特定の部材（以下「Ａ部材」という）に「電気的に接続」された他の特定の部材（以下「Ｂ部材」という）」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ａ部材とＢ部材とが、直接接して電気的に接続されているような場合と、Ａ部材とＢ部材とが、他の部材を介して電気的に接続されているような場合とが含まれるものとして、「電気的に接続」という文言を用いている。

本発明に係る電子デバイスの製造方法において、
前記被処理体を準備する工程は、
前記第１電極を有する第１基板と、前記第２電極を有する第２基板と、の間に、多面体の外形形状を有する電気素子を、最も広い面が前記第１基板、前記第２基板の一方を向くように配置し、前記第１電極と前記電気素子とを電気的に接続する工程と、
前記第１基板と前記第２基板との間で、前記樹脂体によって前記電気素子を封止する工程と、
を含み、
前記第１表面は、前記第１基板の前記樹脂体とは反対側の面から形成し、
前記第２表面は、前記第２基板の前記樹脂体とは反対側の面から形成し、
前記第１表面および前記第２表面に接続する搭載側面は、少なくとも前記樹脂体の切断によって生じる露出面から形成することができる。

本発明に係る電子デバイスの製造方法によれば、電極を有する基板を用いた信頼性の高い電子デバイスを得ることができる。

本発明に係る電子デバイスは、
相互に反対を向く第１表面および第２表面と、前記第１表面および前記第２表面に接続する搭載側面と、を含む外形形状を有する電子デバイスであって、
樹脂体と、
前記樹脂体の一の面側に形成された第１リードフレームと、
前記樹脂体の前記一の面と対向する他の面側に形成された第２リードフレームと、
前記樹脂体によって封止された電気素子であって、多面体の外形形状を有して最も広い面が前記第１リードフレーム、前記第２リードフレームの一方を向くように配置されている電気素子と、
を含み、
前記第１表面は、前記第１リードフレームの面と、前記樹脂体の前記一の面と、を有し、
前記第２表面は、前記第２リードフレームの面と、前記樹脂体の前記他の面と、を有し、
前記搭載側面は、前記樹脂体の前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとの間の面を有し、
前記第１リードフレームは、前記電気素子に電気的に接続されており、
前記第２リードフレームの側面は、前記搭載側面より内側に位置している。

本発明に係る電子デバイスによれば、第２リードフレームのバリの発生を防止することができる。

本発明に係る電子デバイスは、
相互に反対を向く第１表面および第２表面と、前記第１表面および前記第２表面に接続する搭載側面と、を含む外形形状を有する電子デバイスであって、
樹脂体と、
前記樹脂体の一の面側に形成され、第１電極を有する第１基板と、
前記樹脂体の前記一の面と対向する他の面側に形成され、第２電極を有する第２基板と、
前記樹脂体によって封止された電気素子であって、多面体の外形形状を有して最も広い面が前記第１基板、前記第２基板の一方を向くように配置されている電気素子と、
を含み、
前記第１表面は、前記第１基板の前記樹脂体とは反対側の面を有し、
前記第２表面は、前記第２基板の前記樹脂体とは反対側の面を有し、
前記搭載側面は、前記樹脂体の前記第１基板と前記第２基板との間の面を有し、
前記第１電極は、前記電気素子に電気的に接続されており、
前記第２電極の側面は、前記搭載側面より内側に位置している。

本発明に係る電子デバイスによれば、第２電極のバリの発生を防止することができる。

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。

１． 第１の実施形態
１．１． 第１の実施形態に係る電子デバイス
まず、第１の実施形態に係る電子デバイス１００について、図面を参照しながら説明する。図１（Ａ）は、電子デバイス１００を模式的に示す平面図である。図１（Ｂ）は、電子デバイス１００を模式的に示す側面図である。図１（Ｃ）は、電子デバイス１００を模式的に示す底面図である。図２および図３は、電子デバイス１００を模式的に示す断面図である。図４および図５は、電子デバイス１００の搭載例を模式的に示す断面図である。なお、図２は、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）に示す電子デバイス１００のＩＩ−ＩＩ線断面図であり、図３は、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）に示す電子デバイス１００のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。

電子デバイス１００は、図１に示すように、相互に反対を向く第１表面５０と第２表面５２と、第１表面５０および第２表面５２に接続する搭載側面５４と、を含む外形形状を有する。第１表面５０と第２表面５２とは、対向している。第１表面５０と第２表面５２とは、例えば平行である。第２表面５２、搭載側面５４、および搭載側面５４と反対の搭載上端面５６は、切り欠き部５３を有する。搭載側面５４の切り欠き部５３は、第２表面５２と隣接する部分に設けられ、第２表面５２の一方の切り欠き部５３は、搭載側面５４と隣接する部分に設けられている。すなわち、搭載側面５４と第２表面５２とは、共通の切り欠き部５３を有する。同様に、搭載上端端面５６と第２表面５２とは、共通の切り欠き部５３を有する。搭載側面５４において、切り欠き部５３の厚み（深さ）は、搭載側面５４の厚みの半分より小さい。好ましくは、搭載側面５４において、切り欠き部５３の厚み（深さ）は、後述する第２リードフレーム２０の第３部分２２の厚みと同じ（ほぼ同じ）である。

電子デバイス１００は、図２および図３に示すように、第１リードフレーム１０と、第２リードフレーム２０と、電気素子３０と、樹脂体４０と、を含む。

樹脂体４０は、電気的に絶縁体である。樹脂体４０は、例えば、エポキシ系の熱硬化樹脂である。樹脂体４０の形状は、例えば、直方体（立方体である場合も含む）である。樹脂体４０は、第１面４２と、第１面４２と対向する第２面４４と、第１面４２と第２面４４とに接続する第３面４６と、を有する。例えば、第１面４２と第２面４４とは、平行であり、第３面４６は、第１面４２および第２面４４に対して直角である。第１面４２は、図１（Ｃ）に示すように、第１表面５０を構成している。第２面４４は、図１（Ａ）に示すように、第２表面５２を構成している。第３面４６は、図１（Ｂ）に示すように、搭載側面５４を構成している。第３面４６は、樹脂体４０の第１リードフレーム１０と第２リードフレーム２０との間の面を有することができる。

第１リードフレーム１０は、図２および図３に示すように、樹脂体４０の第１面４２側に形成されている。第１リードフレーム１０の側面の１つは、樹脂体４０の第３側面４６と連続していることができる。第１リードフレーム１０は、例えば、銅合金、鉄にニッケルが４２％含有された合金である４２アロイ、などの金属材料から構成されている。第１リードフレーム１０は、第１部分１２と第２部分１４とを有することができる。第１部分１２の厚みは、第２部分１４の厚みより大きい。第１部分１２の厚みは、例えば、第２部分１４の厚みの２倍程度である。第１部分１２は、図１（Ｃ）に示すように、第１表面５０の一部を構成している。第１部分１２は、第１電極ということもできる。第１表面５０の第１部分１２の面は、第１表面５０の搭載側面５４に隣接する端部に配置されていることができる。第１部分１２の面は、複数設けられることができ、その数は特に限定されない。第１部分１２は、図１（Ｂ）に示すように、搭載側面５４の一部を構成していてもよい。第２部分１４は、第１表面５０において、樹脂体４０に覆われている。第２部分１４は、パッド部１３と配線部１５とを有することができる。パッド部１３の幅は、配線部１５の幅より大きい。パッド部１３は、第１部分１２と連続していてもよいし、配線部１５を介して第１部分１２と連続していてもよい。パッド部１３によって、第１リードフレーム１０は、電気素子３０と電気的に接続されることができる。第２部分１４は、さらに、第１部分１２に隣接する突起部１６を有していてもよい。このように、第１表面５０では、第１リードフレーム１０の第１部分１２のみが露出され、第２部分１４は樹脂体４０によって覆われている。そのため、アンカー効果により、第１リードフレーム１０は、樹脂体４０から剥離し難い。このことは、下記に説明する第２リードフレーム２０についても同じである。

第２リードフレーム２０は、図２および図３に示すように、樹脂体４０の第２面４４側に形成されている。第２リードフレーム２０の側面の１つは、切り欠き部５３によって、樹脂体４０の第３側面４６と連続していない。すなわち、第２リードフレーム２０の第１側面２０ａ（搭載側面５４側の側面）は、図１（Ａ）、図２および図３に示すように、搭載側面５４より内側（搭載上端面５６側）に位置している。同様に、第１側面２０ａと反対側の第２リードフレーム２０の第２側面２０ｂ（搭載上端面５６側の側面）は、搭載上端面５６より内側（搭載側面５４側）に位置している。第２リードフレーム２０は、第１リードフレーム１０の説明で列挙した材料から構成されている。第２リードフレーム２０は、第３部分２２と第４部分２４とを有することができる。第３部分２２の厚みは、第４部分２４の厚みより大きい。第３部分２２の厚みは、例えば、第４部分２４の厚みの２倍程度である。第３部分２２は、図１（Ａ）に示すように、第２表面５２の一部を構成している。第３部分２２は、第２電極ということもできる。第２表面５２の第３部分２２の面は、第２表面５２の少なくとも搭載側面５４（切り欠き部５３）に隣接する端部に配置されていることができる。第３部分２２の面は、複数設けられることができ、その数は特に限定されない。第４部分２４は、第２表面５２において、樹脂体４０に覆われている。第４部分２４は、配線部２５を有することができる。配線部２５は、第３部分２２と連続していてもよい。第４部分２４は、さらに、第３部分２２に隣接する突起部２６を有していてもよい。

電気素子３０は、図２に示すように、樹脂体４０によって封止されている。電気素子３０は、素子片３２（例えば圧電振動片）およびこれを封止するパッケージ３４（例えばセラミックスからなる）を含み、さらにＩＣ３５が封止されていてもよい。図示の例では、パッケージ３４は、ベース３６および蓋３８を含み、ベース３６が端子３１を介して第１リードフレーム１０に固定されている。電気素子３０は、慣性センサー（例えば、直線加速度を測定する加速度センサーまたは角速度を測定するジャイロセンサーなど）である。慣性センサーには方位依存性がある。例えば、加速度センサーでは検出軸の方向に沿った加速度が検出され、ジャイロセンサーでは回転軸を中心とする角速度が検出される。機能を適正に果たすには、これらの軸を正確な方向に向けて電気素子３０を配置する必要がある。そのため、電気素子３０は、多面体の外形形状を有して最も広い面が第１リードフレーム１０および第２リードフレーム２０を向くように配置されている。すなわち、電気素子３０の最も広い面は、第１リードフレーム１０および第２リードフレーム２０と、対向している。なお、素子片３２は、電気素子３０の外形（パッケージ３４の外形）に対して正確に配置されている。例えば、加速度センサーの素子片３２の検出軸が電気素子３０の最も広い面と平行になるように配置されたり、ジャイロセンサーの素子片３２の検出回転軸が電気素子３０の最も広い面と直交するように配置されたりしている。電気素子３０は、端子３１を介して、第１リードフレーム１０（より具体的には図１（Ｃ）に示すパッド部１５）に電気的に接続されている。電気素子３０の端子３１は、複数設けられることができ、その数は特に限定されない。図２に示すように、電気素子３０の端子３１と第１リードフレーム１０とは対向してもよいし、両者が対向しない形態（図示せず）であってもよく、後者の場合はワイヤーによって電気的接続を図ってもよい。第２リードフレーム２０は、電気素子３０に電気的に絶縁されていてもよいし、電気素子３０に電気的に接続されていてもよい。

電子デバイス１００は、図４に示すように、搭載側面５４を回路基板１に向けて、搭載上端面５６を上に向けて、回路基板１に搭載されることができる（縦置き）。第１リードフレーム１０の第１部分１２、および第２リードフレーム２０の第３部分２２は、それぞれ、ろう材３によって、第１ランド５および第２ランド７と接合（電気的に接続）されている。より具体的には、第１部分１２および第３部分２２は、それぞれランド５，７の上で立ち上がっている。そして、樹脂体４０の第３面４６と、第１部分１２および第３部分２２とが、電子デバイス１００の回路基板１に水平な方向（例えば重力方向に直交する方向）に移動しないように支持されている。この支持は、電子デバイス１００の両面（第１表面５０および第２表面５２）にてなされるので安定した支持が可能になる。

電子デバイス１００は、図５に示すように、第１表面５０を回路基板１に向けて、回路基板１に搭載することもできる（横置き）。この場合、第１リードフレーム１０の第１部分１２は、ろう材３によって、回路基板１上の第３ランド９と、接合（電気的に接続）される。

１．２． 第１の実施形態に係る電子デバイスの製造方法
次に、第１の実施形態に係る電子デバイス１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図６〜図９は、電子デバイス１００の製造工程を模式的に示す断面図である。

図６（Ａ）に示すように、上型６０および下型６２を準備する。上型６０には、吸着口６４を介して、エアー吸着によって第２リードフレーム２０を吸着する。第２リードフレーム２０の穴２８に上型６０のピン６６を入れて第２リードフレーム２０の位置合わせをする。下型６２には離型シート６８を配置する。

図６（Ｂ）に示すように、離型シート６８の上に、第１リードフレーム１０を配置する。第１リードフレーム１０の穴１８に下型６２のピン６６を入れて第１リードフレーム１０の位置合わせをする。第１リードフレーム１０の上に、複数の電気素子３０を配置する。電気素子３０は、最も広い面がリードフレーム１０，２０を向くように配置する。また、第１リードフレーム１０と電気素子３０とを電気的に接続する。

図６（Ｃ）に示すように、リードフレーム１０，２０の間に電気素子３０が配置されるように、上型６０および下型６２をクランプする。

図７（Ａ）に示すように、注入口７２からキャビティーに樹脂体４０（厳密にはこの時点は樹脂前駆体）を注入し、リードフレーム１０，２０の間で、電気素子３０を封止する。

図７（Ｂ）に示すように、樹脂体４０をキュアする。

図７（Ｃ）に示すように上型６０および下型６２を開き、図８（Ａ）に示すように、リードフレーム１０，２０の間で複数の電気素子３０が封止された封止体４８を取り出す。

図８（Ｂ）に示すように、封止体４８に一体化している不要な樹脂部分４９を除去する（ゲートブレークまたはランナーブレーク）。

図８（Ｃ）に示すように、封止体４８の第１表面５０側をダイシングテープ８４に密着させて、封止体（被処理体）４８をダイシングテープ８４に固定する。図示はしないが、ダイシングテープの代わりに例えば治具を用いて、封止体４８を固定してもよい。

図９（Ａ）に示すように、ブレード８２（幅Ｗ１）を用いて、第２表面５２側から、リードフレーム２０の第３部分２２（第２電極）を切断し、溝部８０を形成する。溝部８０の深さは、封止体４８の厚みの半分より小さくなるように切断を行う。図示の例では、溝部８０の深さは、第３部分２２の厚みと同じ（ほぼ同じ）である。切断は、第１リードフレーム１０のスルーホール１９をアライメントマークとして行うことができる。

図９（Ｂ）に示すように、封止体４８からダイシングテープ８４を剥離した後、封止体４８を上下反転させ、第２表面５２をダイシングテープ８６に密着させて、封止体４８をダイシングテープ８６に固定する。図示はしないが、ダイシングテープの代わりに例えば治具を用いて、封止体４８を固定してもよい。

図９（Ｃ）に示すように、ブレード８８（幅Ｗ２）を用いて、第１表面５０側から、溝部８０に沿って、リードフレーム１０の第１部分１２（第１電極）、および樹脂体４０を切断し、封止体４８を個片化する。切断は、溝部８０に沿って行われるため、ダイシングテープ８６と密着している第３部分２２は、ブレード８８によって切断されない。ブレード８８の幅Ｗ２は、ブレード８２の幅Ｗ１より小さいことができる。ブレード８８の幅Ｗ２は、例えば、ブレード８２の幅Ｗ１の半分程度である。切断は、第１リードフレーム１０のスルーホール１９をアライメントマークとして行うことができる。切断は、第１リードフレーム１０（第１部分１２）を、第１表面５０の搭載側面５４に隣接して配置するように行うことができる（図１（Ｃ）参照）。また、第２リードフレーム２０（第３部分２２）を、第２表面５２の搭載側面５４（切り欠き部５３）に隣接して配置されるように行うことができる（図１（Ａ）参照）。切断は、切断面が第１表面５０および第２表面５２に対して直角になるように行う。切断によって、複数の電子デバイス１００が、隣同士の電子デバイス１００の切断面が対向した状態で得られる。対向した切断面は、搭載側面５４と搭載上端面５６とであってもよいし、搭載側面５４同士であってもよいし、搭載上端面５６同士であってもよい（図１（Ａ）〜図１（Ｃ）参照）。

図９（Ｄ）に示すように、個片化された封止体４８からダイシングテープ８６を剥離する。なお、図示の例は、図９（Ｃ）の例と上下が反転された状態である。

以上の工程により、電子デバイス１００を製造することができる。

電子デバイス１００の製造方法は、例えば、以下の特徴を有する。

電子デバイス１００の製造方法によれば、第２表面５２側から溝部８０を形成した後、上下を反転させ、第１表面５０側から、溝部８０に沿って樹脂体４０および第３部分２２を切断して、封止体４８を個片化することができる。そのため、封止体４８を個片化するための切断工程では、ダイシングテープ８６と密着している第３部分２２を切断することなく、封止体４８を個片化することができる。したがって、切断面におけるリードフレーム２０（第３部分２２）のバリの発生を防止することができる。すなわち、信頼性の高い電子デバイス１００を得ることができる。

電子デバイス１００の製造方法によれば、封止体４８を個片化するための切断工程で用いるブレード８８の幅Ｗ２は、溝部８０を形成するための切断工程で用いるブレード８２Ｗ１の幅より小さいことができる。また、溝部８０の深さは、封止体４８の厚みの半分より小さいことができ、好ましくは、第３部分２２の厚み程度である。したがって、切断面の大部分を小さい幅のブレード８８で形成するので、溝部８０を形成するための切断工程と、封止体４８を個片化するための切断工程と、によって生じる段差（切り欠き部５３、図９（Ｄ）等参照）を、切断面の端部に配置することができる。すなわち、切断面の大部分を平坦な面とすることができ、図４に示すように、切断面を搭載側面５４として電子デバイス１００を搭載するときに、好都合となる。例えば仮に、溝部８０の深さを、封止体４８の厚みの半分より深くすると、封止体４８の強度が弱くなり、封止体４８を上下反転させるときに不便であるという弊害も生じ得る。

電子デバイス１００の製造方法によれば、溝部８０を形成するための切断工程と、封止体４８を個片化するための切断工程と、において、同じアライメントマークを用いることができる。当該アライメントマークは、例えば、第１リードフレーム１０のスルーホール１９から構成されていることができる。そのため、両切断工程による合わせずれを、小さくすることができる。

１．３． 第１の実施形態に係る電子デバイスの製造方法の変形例
次に、電子デバイス１００の製造方法の変形例について、図面を参照しながら説明する。図１０〜図１２は、電子デバイス１００の製造工程の変形例を模式的に示す断面図である。以下、電子デバイス１００の製造方法の変形例において、上述の電子デバイス１００の製造方法で説明した構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

図１０（Ａ）に示すように、下型１６２に離型シート６８を配置する。次に、第１リードフレーム１０および電子素子３０を、離型シート６８上に配置する。その際、第１リードフレーム１０の穴１８に下型１６２のピン１６６を入れて、第１リードフレーム１０の位置合わせをする。

図１０（Ｂ）に示すように、下型１６２の上方に第２リードフレーム２０を配置する。第２リードフレーム２０の穴２８に下型１６２のピン１６６を入れて、第２リードフレーム２０の位置合わせをする。

図１０（Ｃ）に示すように、第２リードフレーム２０上に上型１６０を配置し、上型１６０および下型１６２をクランプする。次に、注入口１７２を介して、キャビティーの排気を行う。

図１０（Ｄ）に示すように、注入口１７２からキャビティーに樹脂体４０（厳密にはこの時点は樹脂前駆体）を注入し、リードフレーム１０，２０の間で、電気素子３０を封止する。

図１１（Ａ）に示すように、樹脂体４０をキュアする。

図１１（Ｂ）に示すように、上型１６０および下型１６２を開き、図１０（Ｃ）に示すように、リードフレーム１０，２０の間で複数の電気素子３０が封止された封止体４８を取り出す。

図１１（Ｄ）に示すように、封止体（被処理体）４８の第１表面５０側をダイシングテープ８４に密着させて、封止体４８をダイシングテープ８４に固定する。

図１２（Ａ）に示すように、ブレード８２（幅Ｗ１）を用いて、第２表面５２側から、リードフレーム２０の第３部分２２（第２電極）を切断し、溝部８０を形成する。切断は、第２リードフレーム２０のスルーホール２９をアライメントマークとして行うことができる。

図１２（Ｂ）に示すように、封止体４８からダイシングテープ８４を剥離した後、封止体４８を上下反転させ、第２表面５２をダイシングテープ８６に密着させて、封止体４８をダイシングテープ８６に固定する。

図１２（Ｃ）に示すように、ブレード８８（幅Ｗ２）を用いて、第１表面５０側から、溝部８０に沿って、リードフレーム１０の第１部分１２（第１電極）、および樹脂体４０を切断し、封止体４８を個片化する。切断は、第２リードフレーム２０のスルーホール２９をアライメントマークとして行うことができる。

図１２（Ｄ）に示すように、個片化された封止体４８からダイシングテープ８６を剥離する。なお、図示の例は、図１２（Ｃ）の例と上下が反転された状態である。

以上の工程により、電子デバイス１００を製造することができる。

電子デバイス１００の変形例に係る製造方法によれば、樹脂体４０を注入する前に、キャビティーを排気することができる。そのため、確実にキャビティー内に樹脂体４０を充填させることができる。

２． 第２の実施形態
２．１． 第２の実施形態に係る電子デバイス
次に、第２の実施形態に係る電子デバイス２００について、図面を参照しながら説明する。図１３（Ａ）は、電子デバイス２００を模式的に示す平面図である。図１３（Ｂ）は、電子デバイス２００を模式的に示す側面図である。図１３（Ｃ）は、電子デバイス２００を模式的に示す底面図である。図１４および図１５は、電子デバイス２００を模式的に示す断面図である。なお、図１４は、図１３（Ａ）〜図１３（Ｃ）に示す電子デバイス２００のＸＩＶ−ＸＩＶ線断面図であり、図１５は、図１３（Ａ）〜図１３（Ｃ）に示す電子デバイス２００のＸＶ−ＸＶ線断面図である。

電子デバイス２００では、図１３〜図１５に示すように、第１リードフレーム１０および第２リードフレーム２０の変わりに、第１基板２１０および第２基板２２０が設けられている。

第１基板２１０は、図１４および図１５に示すように、樹脂体４０の第１面４２側に形成されている。第１基板２１０の側面の１つは、（配線パターン２１４の側面を介して）樹脂体４０の第３側面４６と連続していることができる。図１３（Ｃ）に示すように、第１基板２１０の樹脂体４０とは反対側の面は、第１表面５０を形成している。第１基板２１０は、例えば、ガラスエポキシ等の有機材料および無機材料の混合材料、樹脂等の有機材料、セラミックス、ガラス等の無機材料などの材料から構成されている。

第１基板２１０は、図１４および図１５に示すように、第１電極２１２を有する。第１電極２１２は、第１基板２１０の樹脂体４０とは反対側の面（第１表面５０）に形成されている。すなわち、第１電極２１２は、図１３（Ｃ）に示すように、第１表面５０に形成されている。第１電極２１２の側面の１つは、第１基板２１０の側面、および樹脂体４０の第３側面４６と連続していることができる。第１電極２１２は、第１表面５０の少なくとも搭載側面５４に隣接する端部に配置されていることができる。第１電極２１２は、複数設けられることができ、その数は特に限定されない。第１電極２１２は、図１３（Ｂ）に示すように、搭載側面５４の一部を構成していてもよい。

第１基板２１０は、図１４および図１５に示すように、配線パターン２１４を有する。配線パターン２１４は、第１基板２１０の第１電極２１２とは反対側の面に形成されている。配線パターン２１４は、電気素子３０の端子３１と電気的に接続されている。配線パターン２１４と第１電極２１２とは、図示せぬ部分で、電気的に接続されていることができる。

第２基板２２０は、樹脂体４０の第２面４４側に形成されている。第２基板２２０の側面の１つは、（配線パターン２２４の側面を介して）樹脂体４０の第３側面４６と連続していることができる。図１３（Ａ）に示すように、第２基板２２０の樹脂体４０とは反対側の面は、第２表面５２を形成している。第２基板２２０は、第１基板２１０の説明で列挙した材料から構成されている。

第２基板２２０は、図１４および図１５に示すように、第２電極２２２を有する。第２電極２２２は、第２基板２２０の樹脂体４０とは反対側の面（第２表面５２）に形成されている。すなわち、第２電極２２２は、図１３（Ａ）に示すように、第２表面５２に形成されている。第２電極２２２の側面の１つは、切り欠き部５３によって、第２基板２２０の側面、および樹脂体４０の第３側面４６と連続していない。すなわち、第２電極２２２の第１側面２２２ａ（搭載側面５４側の側面）は、図１３（Ａ）、図１４および図１５に示すように、搭載側面５４より内側（搭載上端面５６側）に位置している。同様に、第１側面２２２ａと反対側の第２電極２２２の第２側面２２２ｂ（搭載上端面５６側の側面）は、搭載上端面５６より内側（搭載側面５４側）に位置している。第２電極２２２は、第２表面５２の少なくとも搭載側面５４（切り欠き部５３）に隣接する端部に配置されていることができる。第２電極２２２は、複数設けられることができ、その数は特に限定されない。なお、図示はしないが、切り欠き部５３は、第２電極２２２のみならず第２基板２２０にも設けられていてもよい。

第２基板２２０は、図１４および図１５に示すように、配線パターン２２４を有することができる。配線パターン２２４は、第２基板２２０の第２電極２２２とは反対側の面に形成されていることができる。

なお、図示はしないが、電子デバイス２００は、電子デバイス１００と同様に、搭載側面５４を回路基板に向けて、回路基板に搭載されることができる（縦置き）。その場合、第１電極２１０および第２電極２２０は、ろう材によって、回路基板上のランドと接合（電気的に接続）される。また、電子デバイス２００は、電子デバイス１００と同様に、第１表面５０を回路基板に向けて、回路基板に搭載されることもできる（横置き）。

２．２． 第２の実施形態に係る電子デバイスの製造方法
第２の実施形態に係る電子デバイス２００の製造方法は、基本的に、第１の実施形態に係る電子デバイス１００の製造方法と同じである。よって、その説明を省略する。

２．３． 第２の実施形態に係る電子デバイスの製造方法の変形例
次に、電子デバイス２００の製造方法の変形例について、図面を参照しながら説明する。図１６〜図１９は、電子デバイス２００の製造工程の変形例を模式的に示す断面図である。以下、電子デバイス２００の製造方法の変形例において、上述の電子デバイス１００の製造方法で説明した構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。なお、図１６〜図１９では、便宜上、配線パターン２１４，２２４の図示を省略している。

図１６（Ａ）に示すように、下型２６２に離型シート６８をセットし、その上に第１電極２１２を有する第１基板２１０をセットする。第１基板２１０の穴２１８に下型２６２のピン２６６を入れて第１基板２１０の位置合わせをする。第１基板２１０の上に複数の電気素子３０を配置する。電気素子３０は、最も広い面が第１基板２１０を向くように配置する。また、第１電極２１２と電気素子３０とを、図示せぬ部分で、電気的に接続する。

図１６（Ｂ）に示すように、上型２６０および下型２６２をクランプし、通気孔２６４を介してキャビティーの排気を行う。

図１６（Ｃ）に示すように、注入口２７２からキャビティーに樹脂体４０（厳密にはこの時点は樹脂前駆体）を注入し、第１基板２１０上で、電気素子３０を封止する。

図１６（Ｄ）に示すように、樹脂体４０をキュアする。

図１７（Ａ）に示すように上型２６０および下型２６２を開き、図１７（Ｂ）に示すように、第１基板２１０上で複数の電気素子３０が封止された中間体４７を取り出す。

図１７（Ｃ）に示すように、中間体４７に一体化している不要な樹脂部分４９を除去する（ゲートブレークまたはランナーブレーク）。

図１７（Ｄ）に示すように、下プレス型２６３に中間体４７をセットする。中間体４７の一部である第１基板２１０の穴２１８に下プレス型２６３のピン２６６を入れて第１基板２１０の位置合わせをする。

図１８（Ａ）に示すように、中間体４７の上に貼り合せ用シート２７０を配置する。貼り合せ用シート２７０は、例えば、熱可塑性樹脂（エポキシ樹脂等）であって、中間体４７の上に配置した時点では接着力または粘着力が発現していなくてもよい。貼り合せ用シート２７０を介して、中間体４７上に、第２電極２２２を有する第２基板２２０を配置する。第２基板２２０の穴２２８に下プレス型２６３のピン２６６を入れて第２基板２２０の位置合わせを行う。

図１８（Ｂ）に示すように、上プレス型２６１および下プレス型２６３によって、貼り合せ用シート２７０を介して、第２基板２２０と中間体４７の間に圧力を加え、同時に熱を加える。こうして、貼り合せ用シート２７０に接着力を発現させ、第２基板２２０を中間体４７に熱圧着する。

図１８（Ｃ）に示すように、基板２１０，２２０の間で複数の電気素子３０が封止された封止体４８を取り出す。

図１８（Ｄ）に示すように、封止体４８の第１表面５０側をダイシングテープ８４に密着させて、封止体４８をダイシングテープ８４に固定する。

図１９（Ａ）に示すように、ブレード８２（幅Ｗ１）を用いて、第２表面５２側から、第２基板２２０の第２電極２２２を切断し、溝部８０を形成する。切断は、第１基板２１０のスルーホール２１９をアライメントマークとして行うことができる。

図１９（Ｂ）に示すように、封止体４８からダイシングテープ８４を剥離した後、封止体４８を上下反転させ、第２表面５２をダイシングテープ８６に密着させて、封止体４８をダイシングテープ８６に固定する。

図１９（Ｃ）に示すように、ブレード８８（幅Ｗ２）を用いて、第１表面５０側から、溝部８０に沿って、第１基板２１０の第１電極２１２、樹脂体４０、および貼り合せ用シート２７０を切断し、封止体４８を個片化する。切断は、第１基板２１０のスルーホール２１９をアライメントマークとして行うことができる。

図１９（Ｄ）に示すように、個片化された封止体４８からダイシングテープ８６を剥離する。なお、図示の例は、図１９（Ｃ）の例と上下が反転された状態である。

以上の工程により、電子デバイス２００を製造することができる。

上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。

第１の実施形態に係る電子デバイスを模式的に示す平面図、側面図、底面図。 第１の実施形態に係る電子デバイスを模式的に示す断面図。 第１の実施形態に係る電子デバイスを模式的に示す断面図。 第１の実施形態に係る電子デバイスの搭載例を模式的に示す断面図。 第１の実施形態に係る電子デバイスの搭載例を模式的に示す断面図。 第１の実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。 第１の実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。 第１の実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。 第１の実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。 第１の実施形態に係る電子デバイスの製造工程の変形例を模式的に示す断面図。 第１の実施形態に係る電子デバイスの製造工程の変形例を模式的に示す断面図。 第１の実施形態に係る電子デバイスの製造工程の変形例を模式的に示す断面図。 第２の実施形態に係る電子デバイスを模式的に示す平面図、側面図、底面図。 第２の実施形態に係る電子デバイスを模式的に示す断面図。 第２の実施形態に係る電子デバイスを模式的に示す断面図。 第２の実施形態に係る電子デバイスの製造工程の変形例を模式的に示す断面図。 第２の実施形態に係る電子デバイスの製造工程の変形例を模式的に示す断面図。 第２の実施形態に係る電子デバイスの製造工程の変形例を模式的に示す断面図。 第２の実施形態に係る電子デバイスの製造工程の変形例を模式的に示す断面図。

１ 回路基板、３ 第１ランド、５ 第２ランド、７ ろう材、９ 第３ランド、１０ 第１リードフレーム、１２ 第１部分、１３ パッド部、１４ 第２部分、１５ 配線部、１６ 突起部、１８ 穴、１９ スルーホール、２０ 第２リードフレーム、２２ 第３部分、２４ 第４部分、２５ 配線部、２６ 突起部、２８ 穴、２９ スルーホール、３０ 電気素子、３２ 素子片、３４ パッケージ、３６ ベース、３８ 蓋、４０ 樹脂体、４２ 第１面、４４ 第２面、４６ 第３面、４７ 中間体、４８ 封止体、４９ 不要な樹脂部分、５０ 第１表面、５２ 第２表面、５３ 切り欠き部、５４ 搭載側面、５６ 搭載上端面、６０ 上型、６２ 下型、６４ 吸着口、６６ ピン、６８ 離型シート、７２ 注入口、８０ 溝部、８２ ブレード、８４ ダイシングテープ、８６ ダイシングテープ、８８ ブレード、１００ 電子デバイス、１６０ 上型、１６２ 下型、１６６ ピン、１７２ 注入口、２００ 電子デバイス、２１０ 第１基板、２１２ 第１電極、２１４ 配線パターン、２１８ 穴、２１９ スルーホール、２２０ 第２基板、２２２ 第２電極、２２４ 配線パターン、２２８ 穴、２６０ 上型、２６１ 上プレス型、２６２ 下型、２６３ 下プレス型、２６４ 通気孔、２６６ ピン、２７０ 貼り合せ用シート、２７２ 注入口

Claims (8)

1. 第１電極が形成されている第１表面と、樹脂体を介して前記第１表面と対向し第２電極が形成されている第２表面と、を含む、被処理体を準備する工程と、
   前記第２表面側から、少なくとも前記第２電極を切断して、溝部を形成する工程と、
   前記第１表面側から、前記溝部に沿って前記第１電極および前記樹脂体を切断し、前記被処理体を個片化する工程と、
   を含む、電子デバイスの製造方法。
2. 請求項１において、
   前記個片化する工程は、前記被処理体の前記第１表面側をダイシングテープに密着させた状態で行われる、電子デバイスの製造方法。
3. 請求項１または２において、
   前記個片化する工程で用いるブレードの幅は、前記溝部を形成する工程で用いるブレードの幅より小さい、電子デバイスの製造方法。
4. 請求項１ないし３のいずれかにおいて、
   前記溝部を形成する工程で用いるアライメントマークと、前記個片化する工程で用いるアライメントマークとは、同じスルーホールである、電子デバイスの製造方法。
5. 請求項１ないし４のいずれかにおいて、
   前記被処理体を準備する工程は、
   前記第１電極を構成する第１リードフレームと、前記第２電極を構成する第２リードフレームと、の間に、多面体の外形形状を有する電気素子を、最も広い面が前記第１リードフレーム、前記第２リードフレームの一方を向くように配置し、前記第１リードフレームと前記電気素子とを電気的に接続する工程と、
   前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとの間で、前記樹脂体によって前記電気素子を封止する工程と、
   を含み、
   前記第１表面は、前記第１リードフレームの面と、前記樹脂体の面と、から形成し、
   前記第２表面は、前記第２リードフレームの面と、前記樹脂体の面と、から形成し、
   前記第１表面および前記第２表面に接続する搭載側面は、少なくとも前記樹脂体の切断によって生じる露出面から形成する、電子デバイスの製造方法。
6. 請求項１ないし４のいずれかにおいて、
   前記被処理体を準備する工程は、
   前記第１電極を有する第１基板と、前記第２電極を有する第２基板と、の間に、多面体の外形形状を有する電気素子を、最も広い面が前記第１基板、前記第２基板の一方を向くように配置し、前記第１電極と前記電気素子とを電気的に接続する工程と、
   前記第１基板と前記第２基板との間で、前記樹脂体によって前記電気素子を封止する工程と、
   を含み、
   前記第１表面は、前記第１基板の前記樹脂体とは反対側の面から形成し、
   前記第２表面は、前記第２基板の前記樹脂体とは反対側の面から形成し、
   前記第１表面および前記第２表面に接続する搭載側面は、少なくとも前記樹脂体の切断によって生じる露出面から形成する、電子デバイスの製造方法。
7. 相互に反対を向く第１表面および第２表面と、前記第１表面および前記第２表面に接続する搭載側面と、を含む外形形状を有する電子デバイスであって、
   樹脂体と、
   前記樹脂体の一の面側に形成された第１リードフレームと、
   前記樹脂体の前記一の面と対向する他の面側に形成された第２リードフレームと、
   前記樹脂体によって封止された電気素子であって、多面体の外形形状を有して最も広い面が前記第１リードフレーム、前記第２リードフレームの一方を向くように配置されている電気素子と、
   を含み、
   前記第１表面は、前記第１リードフレームの面と、前記樹脂体の前記一の面と、を有し、
   前記第２表面は、前記第２リードフレームの面と、前記樹脂体の前記他の面と、を有し、
   前記搭載側面は、前記樹脂体の前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとの間の面を有し、
   前記第１リードフレームは、前記電気素子に電気的に接続されており、
   前記第２リードフレームの側面は、前記搭載側面より内側に位置している、電子デバイス。
8. 相互に反対を向く第１表面および第２表面と、前記第１表面および前記第２表面に接続する搭載側面と、を含む外形形状を有する電子デバイスであって、
   樹脂体と、
   前記樹脂体の一の面側に形成され、第１電極を有する第１基板と、
   前記樹脂体の前記一の面と対向する他の面側に形成され、第２電極を有する第２基板と、
   前記樹脂体によって封止された電気素子であって、多面体の外形形状を有して最も広い面が前記第１基板、前記第２基板の一方を向くように配置されている電気素子と、
   を含み、
   前記第１表面は、前記第１基板の前記樹脂体とは反対側の面を有し、
   前記第２表面は、前記第２基板の前記樹脂体とは反対側の面を有し、
   前記搭載側面は、前記樹脂体の前記第１基板と前記第２基板との間の面を有し、
   前記第１電極は、前記電気素子に電気的に接続されており、
   前記第２電極の側面は、前記搭載側面より内側に位置している、電子デバイス。

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