TWI823440B - 配線基板集合體、蓋體集合體、封裝組及電子零件之製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 72
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 92
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 69
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 69
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 23
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 10
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 9
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 229910002555 FeNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 235000012149 noodles Nutrition 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00269—Bonding of solid lids or wafers to the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0257—Microphones or microspeakers
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/0061—Packages or encapsulation suitable for fluid transfer from the MEMS out of the package or vice versa, e.g. transfer of liquid, gas, sound
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
- B81C2203/0109—Bonding an individual cap on the substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
本揭示提供一種密封後之電子零件無須藉由切斷而單片化之配線基板集合體、蓋體集合體、以及具備配線基板集合體及蓋體集合體之封裝組。配線基板集合體具備框體、封塞框體之片材、及與片材之單面接著之複數個配線基板。
Description
本揭示係關於一體形成有複數個配線基板之配線基板集合體、一體形成有複數個蓋體之蓋體集合體、具有配線基板集合體及蓋體集合體之封裝組、以及電子零件之製造方法。
專利文獻1中，揭示有一種於包含絕緣體之配線基板之凹部內收容電子元件後，由蓋體密封凹部之電子零件之製造方法。該製造方法中，於排列有配線基板之配線基板之集合體上載置蓋體之集合體，將蓋體與配線基板接合。
[專利文獻1]日本公開專利公報「特開2009-33613號公報」
專利文獻1中，有時因配線基板之集合體之尺寸精度，導致於配線基板之集合體中各配線基板之位置產生偏差，且蓋體或電子元件等之位置偏
離。本揭示之一態樣提供一種可精度良好地進行電子元件之安裝及密封之配線基板集合體、蓋體集合體、以及具備配線基板集合體及蓋體集合體之封裝組。
本揭示中未限定之一例之配線基板集合體具備框體、封塞該框體之片材、及與該片材之單面接著之複數個配線基板。
本揭示中未限定之一例之蓋體集合體具備框體、封塞該框體之片材、及與該片材之單面接著之複數個蓋體。
本揭示中未限定之一例之封裝組具備上述配線基板集合體、與上述蓋體集合體，複數個上述蓋體與複數個上述配線基板對應，位於上述蓋體集合體具有之上述片材之單面。
本揭示中未限定之一例之電子零件之製造方法具有準備配線基板集合體之步驟，該配線基板集合體具備第1框體、封塞該第1框體之第1片材、及與該第1片材之單面接著之複數個配線基板。具有如下步驟：於上述配線基板集合體之複數個上述配線基板之各者安裝電子元件；密封上述電子元件；及自上述第1片材剝離複數個上述配線基板。
本揭示中未限定之一例之電子零件之製造方法具有準備配線基板集合體之步驟，上述配線基板集合體具有第1框體、封塞該第1框體之第1片
材、及與該第1片材之單面接著之複數個配線基板。具有準備蓋體集合體之步驟，該蓋體集合體具備第2框體、封塞該第2框體之第2片材、及與該第2片材之單面接著之複數個蓋體。具有如下步驟：於上述配線基板集合體之複數個上述配線基板之各者安裝電子元件；及以上述蓋體集合體之複數個上述蓋體與安裝有上述電子元件之複數個上述配線基板對向之方式，使上述蓋體集合體與上述配線基板集合體重疊。具有如下步驟：將複數個上述蓋體與複數個上述配線基板接合，密封上述電子元件；自上述第1片材剝離複數個上述配線基板；及自上述第2片材剝離複數個上述蓋體。
根據本揭示之一態樣，可精度良好地進行電子元件對配線基板之安裝及密封。
1:第1集合體
2:第2集合體
3:封裝組
7:載置台
8:治具
11:第1框體
11a:開口
11b:樑部
11c:開口
11D:第1框體
12:第1片材
12a:孔
13:配線基板
14:配線基板
15:配線基板
21:第2框體
21a:開口
21b:樑部
21c:開口
22:第2片材
23:蓋體
24:密封材
25:蓋體
26:蓋體
28:第2片材
29:第2片材
30:第2片材
50:電子零件
52:電子零件
53:電子零件
61:導銷
71:銷
81:突起部
111:缺口
112:對位部
113:對位部
114:對位部
115:對位部
116:對位部
117:對位部
118:對位部
119:定位部
120:露出部
131:絕緣基板
132:配線導體
141:絕緣基板
151:絕緣基板
200:樹脂
212:對位部
213:對位部
214:對位部
215:對位部
216:對位部
217:對位部
218:對位部
219:定位部
261:絕緣基板
501:電子元件
502:導線
521:電子元件
522:導線
531:電子元件
532:導線
A:部分
B:部分
C:部分
D:部分
E:部分
F:部分
N:噴嘴
圖1係顯示本揭示之未限定之實施形態之配線基板集合體(第1集合體)之俯視圖。
圖2係圖1之II-II線切斷剖視圖。
圖3係顯示第1集合體之剖視圖。
圖4係顯示蓋體集合體(第2集合體)之俯視圖。
圖5係顯示第2集合體之剖視圖。
圖6係顯示電子零件之製造方法之剖視圖。
圖7係顯示電子零件之製造方法之剖視圖。
圖8係用以說明第1集合體與第2集合體之重合方法之說明圖。
圖9係用以說明第1集合體與第2集合體之重合方法之說明圖。
圖10係顯示電子零件之製造方法之剖視圖。
圖11係顯示電子零件之製造方法之剖視圖。
圖12係顯示電子零件之製造方法之剖視圖。
圖13係顯示電子零件之製造方法之剖視圖。
圖14係顯示自電子零件剝離第1片材之狀態之剖視圖。
圖15係顯示自第1片材剝離電子零件之狀態之剖視圖。
圖16係顯示自第1片材剝離配線基板之狀態之第1集合體之俯視圖。
圖17係顯示電子零件之變化例之剖視圖。
圖18係顯示電子零件之其他變化例之剖視圖。
圖19係顯示電子零件之製造方法之變化例之剖視圖。
圖20係說明上述製造方法之變化例中，以樹脂密封電子元件之步驟之剖視圖。
圖21係說明上述製造方法之變化例中，以樹脂密封電子元件之其他步驟之剖視圖。
圖22係顯示電子零件之製造方法之其他變化例之剖視圖。
圖23係顯示電子零件之製造方法之進而其他變化例之剖視圖。
圖24係說明上述製造方法之進而其他變化例中，以樹脂密封電子元件之步驟之剖視圖。
以下，針對本揭示之一例即實施形態之配線基板集合體、蓋體集合體、封裝組及電子零件之製造方法，使用圖式詳細說明。但，以下參照之
各圖為了方便說明，僅將說明實施形態所需要之主要構件簡化而顯示。因此，配線基板集合體、蓋體集合體及封裝組可具備參照之各圖未顯示之任意之構成構件。又，各圖中之構件之尺寸未必如實地表示實際之構成零件之尺寸及各構件之尺寸比例等。
本揭示之配線基板為電子零件之封裝之至少一部分。藉由於配線基板安裝電子元件，由蓋體或樹脂等密封電子元件，而可製造電子零件。使用蓋體密封之情形時，於依照本揭示之一態樣中，使排列有複數個配線基板之配線基板集合體(第1集合體)、與排列有複數個蓋體之蓋體集合體(第2集合體)重合，將電子元件密封，藉此製造電子零件。
[第1集合體(配線基板集合體)]
圖1係顯示配線基板集合體(以下，稱為第1集合體1)之俯視圖。圖2係圖1所示之配線基板13之II-II線切斷剖視圖。圖3係顯示第1集合體1之剖視圖。第1集合體1具備矩形狀之第1框體11、封塞第1框體11之第1片材12、及與第1片材12之單面接著之複數個配線基板13。如圖3所示，第1框體11及配線基板13與第1片材12之同一面接著。圖3中，為了簡化，於開口11a顯示2個配線基板13，省略2個配線基板13間之複數個配線基板13。其他剖視圖中，亦省略2個配線基板13間之複數個配線基板13、或2個蓋體23間之複數個蓋體23。又，圖3中，省略配線基板13具備之配線導體132。此對於顯示第1集合體1之剖面之其他圖亦同樣。
(第1框體)
第1框體11例如使用SUS(Steel use stainless：不鏽鋼)、Cu等金屬而構成。又，可使用如包含高強度、高耐熱性之工程塑膠般之合成樹脂者。使用SUS作為第1框體11之材料之情形時，對於電子元件密封時之加熱具有耐熱性，剛性較高，耐腐蝕性亦較高。第1框體11例如呈X軸方向之長度長於Y軸方向之長度之矩形狀。第1框體11之外周緣部及內周緣部於俯視時之形狀皆為矩形。作為第1框體11之外形尺寸，列舉例如X軸方向之長度為100mm~300mm，Y軸方向之長度為40mm~80mm之情形。可配合安裝設備之容許範圍，容易設定第1框體11之外形尺寸。
第1框體11具有開口11a。為了加強強度，第1框體11沿X軸方向大致等間隔具有3個將開口11a之周緣部沿Y軸方向架橋之樑部11b。藉由樑部11b，將開口11a分割成4個開口11c。換言之，第1框體11具有4個開口11c。第1框體11之開口11a未限定於分割為4個之情形，可為不分割之1個，亦可以4個以外之數量分割。當開口11a較大時，第1框體11之強度變低，故第1框體11亦可具有複數個開口。如圖1所示，第1框體11為於X軸方向上較長之形狀之情形時，亦可將複數個開口空出間隔，於X方向排列。亦可根據形狀或大小，於Y軸方向排列複數個。
根據為了貼附第1片材12而確保貼附厚度及確保強度之觀點，第1框體11之寬度(第1框體11之外周緣部與開口11a之外周緣部之間隔)亦可為3mm~10mm。第1框體11之厚度亦可設為配線基板13、與後述之蓋體集合體(以下，稱為第2集合體2)之蓋體23之合計厚度之一半左右，又可為0.2mm~1mm左右。為了製作電子零件之封裝而將配線基板13與蓋體23接合
之情形時，以蓋體23與配線基板13對向之方式，使後述之第2集合體2之第2框體21與第1框體11重合(參照圖7)。因此，配線基板13與蓋體23之合計厚度、與第1框體11及第2框體21之合計厚度亦可為相同程度。若配線基板13與蓋體23之合計厚度、與第1框體11及第2框體21之合計厚度為相同程度，則使第1集合體1與第2集合體2重合時，不易於配線基板13與蓋體23間產生間隙。其結果，可減少配線基板13與蓋體23之接合時產生位置偏離之可能性。
第1框體11亦可具有複數個定位部119。定位部119係排列配線基板13時，輔助設定配線基板13相對於第1框體11之位置者。定位部119例如可由貫通孔、缺口、底面平坦之凹部及標記等構成。藉由將定位部119設為由相機等辨識之指標，可將配線基板13排列於第1框體11之第1片材12時，將配線基板13排列於正確位置。如圖1所示，供配線基板13排列之開口11c有複數個之情形時，更佳為每個開口11c具有定位部119。
第1框體11亦可具有對位部112、113、114、115、116、117、118。該等對位部係使第1集合體1與第2集合體2對向時，輔助使該等之位置對齊者。第1框體11於將圖1之Y軸方向之上側設為上邊，將下側設為下邊之情形時，亦可於上邊之中央部具有對位部112，於下邊之中央部具有對位部114，於對位部112之右斜上具有對位部113。即，第1框體11於上邊與下邊，具有不同構成之對位部。對位部112、113及114例如可由貫通孔、缺口、半球狀之突起部、及標記等構成。對位部由突起部構成之情形時，於第1框體11之上重疊之第2框體21之後述之對位部作為具有與突起部對
應之形狀及深度之孔構成。該情形時，後述之接合台6無須導銷61。
圖1中，顯示對位部112、113及114為貫通孔之情形，對位部112及113於俯視時為圓狀，對位部113較對位部112之貫通孔之徑小。第1框體11亦可於4個角部(自圖1左上之角部逆時針)分別具有對位部115、116、118及117。對位部115，116、117及118例如可由貫通孔、缺口、半球狀之突起部及標記等構成。對位部由突起部構成之情形時，於第1框體11之上重疊之第2框體21之後述之對位部作為具有與突起部對應之形狀及深度之孔構成。該情形時，後述之接合台6無須導銷61。圖1所示之例中，具備定位部及對位部之兩者，但對位部亦可兼備作為定位部之用途。
對位部對於第2集合體之第2框體21，亦可與第1框體11同樣地設置(參照圖4)。第1框體11之對位部112~118及第2框體21之對位部212~218構成為使第2集合體2(第2框體21)與第1集合體1以正確方向重合時，對應之對位部彼此對向。於重合時，弄錯上下方向、左右方向及正背面之情形時，藉由設為對位部不對向之構成，可減少重合之錯誤。亦可以相機辨識對位部之配置，確認第2框體21之方向等。對第1集合體1與第2集合體2之重合方法，於下文敘述(參照圖8及圖9)。
作為圖1所示之例之其他例，第1框體11亦可具有以通過第1框體11之中心，相對於與X軸方向平行之線，上下非對稱之方式設置之對位部。例如，亦可切去1個角部而作為定位部，又可將上下非對稱之貫通孔、顯示方向性之形狀(具有▽等特定方向之三角形狀等)之貫通孔及標記作為對位
部。
為了LOT(批次)管理等，亦可對第1框體11之任一部分附加條碼、2維碼等。第1框體11亦可重複使用。
(第1片材)
第1片材12亦可為於基材附著有黏著劑等接著劑之片材。配線基板13因暫時接著於第1片材12後，自第1片材12剝離，故接著劑亦可為黏著劑。接著劑亦可自一開始藉由塗佈等附著於基材。該情形時，接著劑可附著於第1片材12之整面，亦可僅附著於配線基板13及第1框體11接著之部分。電子零件之製造時，製造者亦可將接著劑附著於第1片材12之基材。根據處理及成本之觀點，較佳為將接著劑附著於第1片材12之單面。
作為第1片材12，例如可使用聚醯亞胺(PI)片材、UV(Ultraviolet：紫外線)剝離片材及熱剝離片材等。PI片材係於PI製之基材附著矽系、丙烯酸系等之黏著劑者。PI例如對於200℃之溫度顯示耐熱性，由於加熱時黏著力易上升，故不易剝離。UV剝離片材係於PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)製之基材附著有黏著劑者。UV剝離片材作為切割步驟中使用之切割片材而廣為人知。由於UV可透過PET製之基材，故當照射UV時黏著力降低，容易剝離。熱剝離(熱發泡)片材係加熱至特定溫度以上時黏著力降低，易剝離之片材。排列有配線基板13之第1集合體1於將電子元件安裝於配線基板13時，加熱至150℃~200℃左右，故亦可使用具有耐熱性之PI片材作為第1片材12。使用熱剝離片材之情形時，亦可使用易剝離之特
定溫度高於安裝時之加熱溫度，例如210℃以上者。第1集合體1中，第1框體11與配線基板13可配置於第1片材12之同一面上，亦可隔著第1片材12配置於相反側。將第1框體11及配線基板13配置於第1片材12之同一面上之情形時，密封步驟中載置於接合台6時，於第1片材12與接合台6之間未產生間隙，因而可不使第1片材12變化地自上側加壓(參照圖7)。於安裝時，亦可以內置於接合台6之加熱器加熱。又，於晶粒接合、引線接合時，可經由設置於接合台6之貫通孔(未圖示)，吸引第1片材12，使配線基板13穩定。
第1片材12以封塞第1框體11之方式貼附。根據強度之觀點，較佳為亦與矩形之開口11c之4邊接著。開口11c為複數個之情形時，可使用複數個第1片材12各自封塞，亦可使用1個第1片材12封塞所有複數個開口11c。
第1片材12亦可於對應於配線基板13之位置具有後述之孔12a(參照圖14)。孔12a之外緣亦可於俯視時位於配線基板13之外緣之內側。換言之，孔12a之面積小於配線基板13之第1片材12之接著面積。可經由孔12a，對配線基板13之絕緣基板131之背面進行雷射標記。又，孔12a可於將第1片材12自絕緣基板131剝離時使用。對於該用途，於下文敘述。如MEMS(Micro Electro Mechanical System：微機電系統)麥克風用基板所示，配線基板為具有貫通孔之基板之情形時，於與該貫通孔對應之位置具有孔12a之第1片材12尤其有利。藉由使用具有孔12a之第1片材12，孔12a作為通氣孔作用。藉此，可減少因加熱時密閉之MEMS麥克風元件內之空
氣膨脹，而使元件剝離或破損之可能性。
(配線基板)
配線基板13例如圖2所示之例，具備上表面具有凹部之絕緣基板131、及自凹部之底面至絕緣基板131之下表面設置之配線導體132。絕緣基板131於俯視時之形狀呈矩形狀，例如可使用氧化鋁質燒結體(氧化鋁陶瓷)、氮化鋁質燒結體、氮化矽質燒結體、莫來石質燒結體或玻璃陶瓷燒結體等陶瓷。配線導體132具有位於凹部底面之電極、位於絕緣基板131之下表面之外部端子、及位於絕緣基板131之內部，連接電極與外部端子之內部配線。配線基板13亦可於凹部內具有段部，於段部上具有電極。於凹部之底面安裝電子元件。由將與複數個配線基板13對應之配線導體132及凹部設置於母材上之配線基板13之母基板(多腔基板)，將各配線基板13藉由拉斷、切割或雷射等切出，藉此將配線基板13單片化。將單片化之複數個配線基板13以特定之間隔與第1片材12接著。作為排列之配線基板13間之間隔，列舉例如0.1mm~1mm等。配線基板13例如藉由利用相機辨識等之可高精度定位之搭載裝置，排列並接著於第1片材12上。配線基板13於單片化後與第1片材12接著。因此，可將單片化後檢查，判定為良品等之配線基板13與第1片材12接著。
又，配線基板13於第1集合體1內，位置精度良好地排列，且與第1片材12接著。先前之複數個配線基板一體形成之配線基板集合體，即多腔陶瓷基板中，存在因0.1~1%左右之焙燒收縮偏差所致之尺寸偏差。因此，100mm角左右之配線基板之集合體中，有產生100μm~1000μm左右之
各配線基板之位置偏差之情形。相對於此，單片化後與第1片材12接著之配線基板13之第1集合體1中之位置精度，可藉由高精度之搭載裝置，以100μm以下之位置精度排列。
根據第1集合體1，於配線基板13安裝電子元件後，1對1將蓋體23與配線基板13接合，或以密封樹脂覆蓋電子元件，藉此可製造密封電子元件之電子零件。單片化之配線基板13與第1片材12接著，第1集合體1中之各配線基板13之位置精度較高，故精度良好地進行電子元件對各配線基板13之安裝及蓋體23之接合。因此，可製造可靠性優異之電子零件。又，由於使用排列有複數個配線基板13之第1集合體1，故與逐個製造相比，電子零件之生產效率更佳。再者，將複數個配線基板13個別密封之情形時，電子元件之密封後，自第1片材12剝離配線基板13，藉此可無切割等切斷操作而單片化。藉由無切斷步驟，可縮短製造時間。配線基板13與蓋體23之材質不同之情形時，有無法高精度切斷之情形，有產生密封性降低者之虞。由於以高精度之對位將蓋體23與單片化並高精度排列之配線基板13接合，故可確保全數之密封性。又，由於第1框體11之形狀可自由設計，故可配合電子元件之安裝裝置，設定第1框體11(第1集合體1)之大小、第1片材12之大小、及第1片材12之配線基板13之排列。藉此，密封步驟之作業效率提高。
[第2集合體(蓋體集合體)]
圖4係顯示第2集合體2之俯視圖。圖5係顯示第2集合體2之剖視圖。第2集合體2具備矩形狀之第2框體21、封塞第2框體21之第2片材22、及與
第2片材22之單面接著之複數個蓋體23。
(第2框體)
第2框體21具有與第1框體11同樣之構成。第2框體21具有開口21a，沿X軸方向大致等間隔具有3個樑部21b，該樑部21b將開口21a之周緣於Y軸方向架橋。藉由樑部21b，將開口21a分割為4個開口21c。將第2框體21之圖4之Y軸方向之上側設為上邊，將下側設為下邊之情形時，第2框體21於上邊及下邊具有複數個排列蓋體23時使用之定位部219。定位部219以相機辨識之方式設置，例如由貫通孔、缺口、底面平坦之凹部及標記等構成。如圖4所示，供蓋體23排列之開口21c有複數個之情形時，較佳為每個開口21c具有定位部219。
為了使第1集合體1與第2集合體2對位，第2框體21亦可於上邊之中央部具有對位部212，於下邊之中央部具有對位部214，於對位部214之右斜下具有對位部213。對位部212、213及214例如可由貫通孔、缺口、半球狀之突起部及標記等構成。對位部由突起部構成之情形時，重疊第2框體21之第1框體11之對位部作為具有與突起部對應之形狀及深度之孔構成。該情形時，後述之接合台6無需導銷61。
圖4中，顯示對位部為貫通孔之情形。該情形時，對位部214及213於俯視時之形狀為圓狀，對位部213較對位部214，貫通孔之徑更小。第2框體21亦可於4個角部(自圖4之左上之角部逆時針)分別具有對位部215、216、218及217。對位部215，216、217及218例如由貫通孔、缺口、半
球狀之突起部及標記等構成。對位部由突起部構成之情形時，重疊第2框體21之第1框體11之對位部作為具有與突起部對應之形狀及深度之孔構成。該情形時，後述之接合台6無需導銷61。
將第2集合體2(第2框體21)與第1集合體1重合時，定位部彼此預先對向，弄錯反轉方向(上下方向或左右方向)之情形時，定位部不對向，藉此可減少重合之錯誤。亦可以相機辨識對位部之配置，確認第2框體21之方向等。
為了可辨識第2框體21之上下方向，第2框體21亦可具有以通過第2框體21之中心，相對於與X軸方向平行之線，上下非對稱之方式設置之對位部。例如，亦可切去1個角部而作為定位部，又可將上下非對稱之貫通孔、顯示方向性之形狀(具有▽等特定方向之三角形狀等)之貫通孔及標記作為對位部。為了可辨識第2框體21之左右方向，第2框體21亦可具有以通過第2框體21之中心，相對於與Y軸方向平行之線，左右非對稱之方式設置之對位部。第2框體21亦可於背面(蓋體23不自開口21c露出之面)具有用以顯示上下或左右方向之突起部或標記。
為了LOT管理等，亦可於第2框體21之任一部分附加條碼、二維碼等。第2框體21亦可重複使用。
(第2片材)
第2片材22具有與第1片材12同樣之構成。第2集合體2之情形時，由
於不暴露於晶片安裝時之高溫中，不要求如第1片材12般之耐熱性，故可使用UV剝離片材或熱剝離片材。
(蓋體)
蓋體23例如俯視時之形狀亦可為矩形狀。蓋體23例如可使用氧化鋁質燒結體(氧化鋁陶瓷)、氮化鋁質燒結體、氮化矽質燒結體、莫來石質燒結體或玻璃陶瓷燒結體等陶瓷、Si、Ge或玻璃材、或FeNiCo合金或FeNi合金等金屬材。蓋體23為陶瓷之情形時，例如可自母材將各蓋體23藉由拉斷、切割或雷射等切出並單片化而製作。蓋體23亦可為不切出，而以衝壓成型逐個(作為單片)製作之陶瓷板、以衝壓(模具沖孔加工)製作成單片狀之金屬板。將單片化之複數個蓋體23與第1片材12上之配線基板13之配置對應，接著於第2片材22。配置於第2片材22上之蓋體23可為良品等選擇之蓋體23。蓋體23於與配線基板13對向之面之周緣部，具有包含環氧樹脂等合成樹脂之密封材24。密封材24亦可為焊料。焊料之情形時，亦可於蓋體23或配線基板13之特定位置，設置將焊料接合之基底金屬。密封材24亦可附著於配線基板13之周緣部而非蓋體23。
蓋體23不限於如圖5所示之例般之平板狀，例如亦可為後述之杯型。又，安裝於配線基板13之電子元件為後述之光學元件之情形時，蓋體23亦可具有用以透過光之窗部。窗部以透光性構件封塞蓋體23本體之開口而構成，透光性構件可為平板狀之玻璃板，亦可為透鏡。透光性構件亦可具備抗反射膜、光學濾光片膜等光學膜。又，如後所述，蓋體23亦可具有配線或外部端子。
根據第2集合體2，於複數個配線基板13安裝電子元件後，可將複數個蓋體23一次與複數個配線基板13接合，製造電子零件。
[封裝組]
封裝組3具備第1集合體1與第2集合體2，複數個蓋體23與複數個配線基板13對應，位於第2片材22之單面。
根據封裝組3，於複數個配線基板13安裝電子元件後，可將複數個蓋體23一併與複數個配線基板13接合，製造電子零件，生產性良好。蓋體23排列於與配線基板13對應之位置，因並非具有尺寸誤差之母基板狀態，將藉由上述相機辨識而精度良好地配置之集合體彼此重疊，故位置精度較高，密封可靠性較高。即，配線基板13對第1片材12之配置(接著)與蓋體23對第2片材22之配置(接著)可基於相同配置之定位部(以相機辨識)進行。又，可以相同之搭載裝置進行各個配置。藉此，配線基板13之位置與蓋體23之位置之對應精度較高。又，亦可辨識以相同模具加工之第1框體11及第2框體21之相同位置之孔，分別搭載配線基板13與蓋體23。
[電子零件之製造方法]
以下，對電子零件之製造方法進行說明。
(第1製造方法)
電子零件50可藉由以下之第1製造方法製造。圖6係顯示電子零件50
之第1製造方法之剖視圖。
(1)準備第1集合體1。
(2)於第1集合體1之複數個配線基板13之各者安裝電子元件501，藉由導線502，將電子元件501之電極與配線基板13之電極連接。
(3)將單片之蓋體23與各配線基板13接合，將電子元件501密封，獲得電子零件50。或，以樹脂200覆蓋電子元件501，將電子元件501密封，獲得電子零件50。
(4)自第1片材12剝離電子零件50(配線基板13)。
根據第1製造方法，使用以高位置精度排列有單片之配線基板13之第1集合體1。因此，可於配線基板13以高位置精度安裝電子元件501，可將蓋體23以高位置精度與配線基板13接合。又，將複數個電子元件501個別密封後，無需密封後之切斷，生產性佳，可製造電子零件50。配線基板13與蓋體23之材質不同時有無法高精度切斷之情形，因此有密封性降低之虞。相對於此，根據第1製造方法，由於可以高精度之對位，將蓋體23與單片化之以高位置精度排列之配線基板13接合，故可提高密封之確實性。
電子元件501並非限定於上述之MEMS麥克風元件。例如，可於配線
基板13安裝水晶振盪器、SAW(Surface Acoustic Wave：表面聲波)元件等壓電元件、發光元件、受光元件、攝像元件等光學元件、加速度感測器等感測器元件、IC(integrated circuit：積體電路)元件等半導體積體電路元件等與製造之電子零件50對應之電子元件501。
(第2製造方法)
電子零件50可藉由以下之第2製造方法製造。圖7係顯示電子零件之第2製造方法之剖視圖。
(1)如圖7所示，準備第1集合體1及第2集合體2。可使用上述之封裝組3。第2集合體2使具有第2片材22之蓋體23之面朝向下側(上下方向反轉)使用。第1集合體1亦可藉由於具有開口11a之第1框體11，以封塞開口11a之方式貼附第1片材12，於第1片材12配置複數個配線基板13而製造。第2集合體2亦可藉由於具有開口21a之第2框體21，以封塞開口21a之方式貼附第2片材22，於第2片材22配置複數個蓋體23而製造。
圖7中，第1集合體1中，第1框體11及配線基板13位於第1片材12之同一面，第2集合體2中，第2框體21及蓋體23位於第2片材22之同一面。接著劑只要僅存在於片材之單面即可。可以1個接著劑將配線基板13或蓋體23與第1框體11或第2框體21接著。因由第1框體11或第2框體21包圍構件，故構件之突出量變少，構件受保護。可使接著有第1集合體1之第1框體11及配線基板13之第1片材12之面、與接著有第2集合體2之第2框體21及蓋體23之第2片材22之面對向，將配線基板13與蓋體23接合。
圖7中，顯示使用封裝組3之情形。由於複數個蓋體23與複數個配線基板13對應，位於第2片材22之單面，故可使第1集合體1之配線基板13側之面及第2集合體2之蓋體23側之面對向，使蓋體23與配線基板13重疊。關於重合方法於下文敘述。
(2)於第1集合體1之複數個配線基板13之各者安裝電子元件501，藉由導線502，將電子元件501之電極與配線基板13之電極(接合墊)連接。或，可藉由覆晶接合而連接。
(3)以安裝有電子元件501之複數個配線基板13與第2集合體2之複數個蓋體23對向之方式，將第1集合體1與第2集合體2重疊。此時，如圖7所示，亦可使用具有複數個導銷61之接合台6。將接合台6之導銷61插通於第1框體11之孔即對位部115、及第2框體21之孔即對位部216。將接合台6之其他導銷61插通於第1框體11之孔即對位部117、及第2框體21之孔即對位部218。藉此，可將配線基板13與蓋體23對位。或，可以相機辨識第1集合體1及第2集合體2之對位部，或以相機辨識第1集合體1之配線基板13及第2集合體2之蓋體23，並對位。
(4)藉由密封材24將複數個蓋體23與複數個配線基板13接合，將電子元件501密封。藉由一面自第2片材22側施加例如1kgf/cm2之載荷，一面以120℃加熱，而由密封材24將蓋體23與配線基板13接合，且將電子元件501密封，獲得電子零件50。
(5)自第1片材12剝離電子零件50之配線基板13側部分。
(6)自第2片材22剝離電子零件50之蓋體23側部分。
根據第2製造方法，於複數個配線基板13安裝電子元件後，可將複數個蓋體23一併與複數個配線基板13接合，製造電子零件50，生產性良好。蓋體23排列於與配線基板13對應之位置，位置精度較高，密封可靠性較高。第1製造方法中，因蓋體作為單片處理，故蓋體23以與第2片材22接著之狀態進行一併密封之第2製造方法之生產性更高。第2製造方法中，自第1片材12剝離複數個配線基板13後，自第2片材22剝離複數個蓋體23，但順序亦可相反。
(第1集合體與第2集合體之重合方法)
圖8係用以說明第1集合體1與第2集合體2之重合方法之說明圖。圖8中，將X軸方向設為左右方向，將Y軸方向設為上下方向。第1集合體1之第1框體11具有位於對位部112之右斜上之對位部113，藉由對位部112~118整體之配置，第1框體11之形狀於上下方向及左右方向非對稱。第2集合體2具有位於對位部214之右斜下之對位部213，藉由對位部212~218整體之配置，第2框體21之形狀於上下方向及左右方向非對稱。如圖8所示，以對位部112及113(以下，稱為C部分)位於上側之方式，將第1集合體1載置於載置台(未圖示)。於對位部212(以下，稱為A部分)位於Y軸方向之上側之狀態下，將第2集合體2於第1集合體1之Z軸方向之上側，載置於載
置台。以第2集合體2之A部分與第1集合體1之對位部114(以下，稱為D部分)重疊，第2集合體2之對位部214及213(以下，稱為B部分)與第1集合體1之C部分重疊之方式，使第2集合體2之上下反轉並翻面，與第1集合體1重疊。正確重疊之情形時，C部分之113與B部分之213重疊並連通，故銷可通過，確認為正確。又，可藉由發光元件與受光元件或相機辨識等，確認光學上表裡連接，判斷重合方法是否正確。如上所述，確認第1集合體1及第2集合體2之載置方向正確，第2集合體2之旋轉方向正確。
第2集合體2以上下相反之狀態(於XY面方向旋轉180度之狀態)載置於載置台，使第2集合體2之上下反轉，與第1集合體1重疊之情形時，第2集合體2之A部分與第1集合體1之C部分對向，第2集合體2之B部分與第1集合體1之D部分對向。該情形時，C部分之113與B部分之213未重疊，銷或光未通過，故確認重合方向錯誤。藉由對位部，使第1集合體1與第2集合體2之位置對齊，藉此可良好地進行蓋體23與配線基板13之對位。
以上，對使第2集合體2上下反轉，與第1集合體1重合之情形進行說明，亦可使第2集合體2左右反轉，與第1集合體1重合。該情形時，使第2集合體2與第1集合體1正確重合時，以可確認對位部之孔重疊並連通之方式，設置對位部。
圖9係用以說明第1集合體1與第2集合體2之重合方法之說明圖。與圖8不同，第1集合體1之第1框體11於右上之角部(以下，稱為E部分)不具有對位部，第2集合體2之第2框體21於右下之角部(以下，稱為F部分)不具有
對位部。第1框體11不具有對位部113，第2框體21不具有對位部213。如圖9所示，以C部分位於上側之方式，將第1集合體1載置於載置台。於第1集合體1之上側，以A部分位於上側之狀態，將第2集合體2載置於載置台。以第2集合體2之A部分與第1集合體1之D部分重疊，第2集合體2之B部分與第1集合體1之C部分重疊之方式，使第2集合體2之上下反轉，與第1集合體1之Z軸方向之上側重疊。此時，第1集合體1之E部分與第2集合體2之F部分重疊。即，第2集合體2之載置方向正確之情形時，A部分與D部分、B部分與C部分中，孔連通。對位部215與116、對位部216與115、對位部217與118分別重疊。銷或光可通過連通之孔，判斷重合方式正確。
第2集合體2以上下相反之狀態(於XY面方向旋轉180度之狀態)載置於載置台，使第2集合體2之上下反轉，與第1集合體1重疊之情形時，第2集合體2之A部分與第1集合體1之C部分對向，第2集合體2之B部分與第1集合體1之D部分對向。不具有第2集合體2之對位部之F部分與第1集合體1之對位部116對向，對位部116由F部分封塞。第2集合體2之對位部215與不具有第1集合體1之對位部之E部分對向，對位部215由E部分封塞。由於對位部217與118未重疊，故孔未連通，銷或光無法通過，故可知重合方法錯誤。使第2集合體2之左右反轉並翻面，與第1集合體1重疊之情形時，第2集合體2以上下相反之狀態載置於載置台，變為與使第2集合體2之上下反轉之情形相同之重合方式，可知重合方法錯誤。
(第1片材及第2片材之種類、與片材自電子零件之剝離順序)
以下，對封裝組之第1片材及第2片材之種類、與電子零件製造時之
第1片材及第2片材之剝離順序進行說明。
圖10係顯示電子零件50之製造方法之一例之剖視圖。圖10中，第1片材12及第2片材22皆為PI片材，第1片材12之接著強度較第2片材22之接著強度更強。如圖7所說明，藉由密封材24，將複數個蓋體23與複數個配線基板13接合，將電子元件501密封，獲得電子零件50。
如圖10所示，將第2片材22自電子零件50(蓋體23)剝離。第1片材12及第2片材22之接著強度相同之情形，先剝離第2片材22時，有產生殘留於第1片材12之電子零件50、與殘留於第2片材22之電子零件50之情形。藉由第1集合體1與第2集合體2使用接著強度不同之片材，所有電子零件50殘留於第1片材12側，生產性良好。
以較電子零件之安裝溫度更低之密封溫度執行密封之情形時，於第2集合體2中，亦可使用易剝離之UV片材作為第2片材22。密封電子元件後，藉由照射UV，而可容易剝離第2片材22。
圖11係顯示電子零件50之製造方法之一例之剖視圖。第1集合體1中，亦可使用耐熱性高之PI片材作為第1片材12。以較電子零件50之安裝溫度更低之大致150℃之密封溫度執行密封之第2集合體2中，亦可使用以150℃進行熱剝離之熱剝離片材，作為第2片材28。電子元件501之密封後，第2片材28自動剝離，省略UV照射等用以剝離之步驟。
圖12係顯示電子零件50之製造方法之一例之剖視圖。第1集合體1中，亦可使用耐熱性高之PI片材作為第1片材12。第2集合體2中，亦可使用接著強度大於第1片材12之UV剝離片材，作為第2片材29。可先剝離接著強度較小之第1片材12。其後，藉由UV照射，可容易剝離第2片材29。作為第2片材29，亦可使用接著強度大於第1片材12之熱剝離片材。該情形時，亦藉由先剝離第1片材12後進行加熱，而可容易剝離第2片材29。如此，藉由使用接著強度大於第1片材12，可以UV照射或加熱等之後處理剝離之第2片材29，可將電子零件50自第1片材12及第2片材29依序剝離。又，將第1片材12及第2片材29自電子零件50剝離時，可減小施加於電子零件50之應力，故可降低因應力致使密封性降低、或電子元件501之安裝可靠性降低之可能性。
圖13係顯示電子零件之製造方法之一例之剖視圖。如圖13之最上之圖所示，蓋體23之厚度與第2框體21之厚度相比較薄之情形時，將第2框體21與蓋體23之兩者與第2片材22之一面接著之情形時，使第1框體11與第2框體21重疊且使蓋體23與配線基板13對向時，於蓋體23與配線基板13間產生間隙，不易將蓋體23與配線基板13接合。亦有因接合時之加壓，而使第2片材22撓曲，產生蓋體23之位置偏離的可能性。相對於此，如圖13之黑色箭頭更下方之圖所示，亦可使用封裝組3，該封裝組3使用雙面接著片材作為第2片材30，將第2片材30之一面貼附於第2框體21後，將蓋體23與第2片材30之另一面接著。如此，將第2集合體2與第1集合體1重合時，消除第2框體21與蓋體23之厚度差，可使蓋體23與配線基板13重疊。因此，可減少位置偏離產生之可能性。
不限定於第2集合體2之第2片材22為雙面接著片材之情形，亦可使第1集合體1之第1片材12為雙面接著片材。或可除第2片材22外，使第1片材12為雙面接著片材。由於第1片材12與載置台相接，故可以載置台之加熱器加熱，根據加壓時第1片材12未變化之觀點，亦可僅將第2片材22設為雙面接著片材。
(電子零件之剝離方法)
以下，對電子零件之剝離方法進行說明。
圖14係顯示自電子零件50剝離第1片材12之狀態之剖視圖。第1片材12於與配線基板13對應之位置具有孔12a。孔12a之面積小於配線基板13之絕緣基板131之面積，確保配線基板13之接著區域。將第2片材22自蓋體23剝離後，將第1集合體1翻轉，載置於載置台7。例如，將具有圓錐台狀之突起部81之治具8之突起部81插入至孔12a，按壓配線基板13，固定電子零件50，提起第1框體11，將第1片材12自配線基板13剝離。第1片材12容易自配線基板13剝離。又，載置台7具有插入電子零件50之凹部，亦可於由凹部之周緣部支持第1框體11之狀態下，將電子零件50以治具8之突起部81按壓，向凹部之底面剝離。
圖15係顯示自第1片材12剝離電子零件50之狀態之剖視圖。將第2片材22自蓋體23剝離後，將電子零件50殘留之第1片材12載置於載置台7。複數個銷71可上下移動地貫通載置台7。於藉由使銷71於上方向移動，將
電子零件50頂起，而減少接著面積之狀態下，藉由自上方吸附或夾持等，可將電子零件50剝離。
(第1框體自第1片材剝離)
圖16係顯示自第1片材12剝離配線基板13之狀態之第1集合體1之俯視圖。如圖16所示，第1框體11於圖16所示之Y軸方向延伸之邊之中央部，具有缺口111。藉由缺口111，第1片材12之周緣部之一部分作為露出部120露出。電子零件之製造時，自第1片材12剝離配線基板13後，最終需要將第1片材12自第1框體11卸下，但例如第1片材12之所有周緣部與第1框體11接著之情形時，不易剝離第1片材12。於第1框體11之周緣部，具有第1片材12之周緣部露出之缺口111之情形時，藉由抓住自缺口111露出之第1片材12之露出部120，可容易剝離第1片材12。
第1框體11亦可於第1框體11之緣部附近具有貫通孔，取代缺口111。第1框體11具有缺口111之情形時，第1片材12之露出部120露出，第1片材12之端部位於缺口111內，故即使無用以按壓第1片材12之治具等，亦可容易抓住第1片材12之周緣部。第1框體11具有貫通孔之情形時，亦有第1片材12之端部不露出(第1片材12覆蓋貫通孔整體)之情形，但藉由經由貫通孔按壓第1片材12，第1片材12之端部上翻，容易剝離。貫通孔之情形時，較佳為第1片材12之端部露出於貫通孔內。
第2框體21亦可於圖5所示之Y軸方向延伸之邊之中央部，具有第2片材22之周緣部之一部分露出之缺口或貫通孔(以上未圖示)。於第2框體21
之周緣部，具有第2片材22之周緣部露出之缺口之情形時，藉由抓住自缺口露出之第2片材22之周緣部，可容易剝離第2片材22。
(電子零件之變化例)
圖17係顯示電子零件之變化例之剖視圖。圖17中，對與圖7同一部分標註同一符號，省略詳細說明。電子零件52包含配線基板14與蓋體25。第1集合體1係將配線基板14與第1片材12接著而成。配線基板14之絕緣基板141為平板狀，與配線基板13之絕緣基板131不同，不具有凹部。第2集合體2係將蓋體25與第2片材22接著而成。蓋體25與蓋體23不同，為杯型，於剖視時呈
字狀。換言之，蓋體25於與配線基板14接合之面(下表面)具有凹部。於配線基板14之各者之中央部安裝電子元件521，藉由導線522，將電子元件521之電極與配線基板14之電極連接。如圖17所示，藉由將杯型之蓋體25與平板狀之配線基板14接合，而獲得電子零件52。
圖18係顯示電子零件之其他變化例之剖視圖。圖18中，對與圖7同一部分標註同一符號，省略詳細說明。第1集合體1係將配線基板15與第1片材12接著而成。配線基板15具備具有凹部之絕緣基板151與配線導體(未圖示)。第2集合體2係將蓋體26與第2片材22接著而成。蓋體26與蓋體23不同，於蓋體26之絕緣基板261具有配線導體(未圖示)。蓋體26之配線導體包含內部配線與外部端子。於配線基板15之中央部安裝電子元件531，藉由導線532將電子元件531之電極與配線基板15之電極連接。如圖18所示，藉由將蓋體26與配線基板15接合，獲得電子零件53。將配線基板15與蓋體26接合時，配線基板15之配線導體與蓋體26之配線導體電性連
接。為了容易將配線基板15之配線導體與蓋體26之配線導體連接，各個配線導體亦可包含連接於內部配線之連接焊墊。連接焊墊(配線導體)彼此以焊料或導電性接著劑等導電性接合材電性連接。又，藉由將該導電性接合材之周圍以密封材接合，而將電子元件531密封。亦可以各向異性導電性接著劑將配線基板15與蓋體26接合，同時進行電性連接與密封。如圖18所示，亦可將第2集合體2載置於接合台6之上，且於其上，重疊第1集合體1。
(第1製造方法之變化例)
圖19係顯示參照圖6上述之電子零件50之第1製造方法之變化例之剖視圖。該變化例相對於第1製造方法，配線基板14、蓋體25及樹脂200之形狀不同。配線基板14之絕緣基板與圖6所示之第1製造方法之配線基板13之絕緣基板不同，亦可為上表面不具有凹部之平板狀。此時之蓋體25與平板狀之蓋體23不同，為杯型，亦可於剖視時呈U字形狀。換言之，蓋體25亦可於與配線基板14接合之面(下表面)具有凹部。於由配線基板14之上表面與蓋體25之凹部包圍之空間，收容有電子元件501。又，以樹脂200密封電子元件501之情形時，樹脂200覆蓋電子元件501及配線基板14之上表面。該例之情形時，亦可於配線基板14以高位置精度安裝電子元件501，可將蓋體25以高位置精度與配線基板14接合。又，可無切斷步驟地製造單片化之電子零件50。
以樹脂200將電子元件501密封之情形時，可如圖20及圖21所示之例，覆蓋複數個電子元件501之各者而密封，亦可如圖22及圖23所示之
例，將複數個電子元件501及配線基板14集中覆蓋而密封。
圖20及圖21所示之例皆為說明圖19所示之電子零件之製造方法中，將電子元件501以樹脂200密封之步驟之圖。顯示將安裝有電子元件501之複數個配線基板14個別樹脂密封之方法。該等圖中之箭頭顯示來自模具D或噴嘴N之樹脂200之流動。
圖20所示之例係藉由使用模具D之鑄模成形而進行樹脂密封之方法。根據模具D之形狀，可將電子零件50之上表面之形狀設為期望之形狀。例如，藉由使電子零件50之上表面平坦，可製造吸附噴嘴等之揀選性良好之電子零件50。亦可以樹脂200覆蓋至配線基板14之側面。亦可以樹脂200僅覆蓋配線基板14之上表面、或僅覆蓋配線基板14之上表面中安裝有電子元件501之中央部。
圖21所示之例係自噴嘴N等滴下液狀之樹脂200，以樹脂200覆蓋電子元件501之藉由澆鑄法進行樹脂密封之方法。亦可藉由使用遮罩之印刷法，對各配線基板14上供給樹脂200。或，可於各配線基板14之周圍，設置用以阻止樹脂200流動之框狀之模型。藉由於樹脂200硬化後去除模具，可製造上表面平坦之電子零件50。亦可以樹脂200覆蓋至配線基板14之側面，或以樹脂200僅覆蓋配線基板14之上表面中安裝有電子元件501之中央部。
圖22及圖23所示之例皆為顯示電子零件之製造方法之其他例之剖視
圖，即圖6及圖19所示之電子零件之製造方法之變化例。該例為第1製造方法中密封電子元件501之步驟以樹脂200覆蓋電子元件501，密封電子元件501時之例。再者，顯示將複數個電子元件501及配線基板14集中以作為密封樹脂之樹脂200覆蓋，而密封電子元件501之方法。
圖22係說明藉由自噴嘴N等滴下液狀之樹脂200，將安裝有電子元件501之複數個配線基板14以樹脂200覆蓋之方法之圖。亦可如該例所示，將第1框體11D作為阻止樹脂200流動之模型使用。第1框體11D與圖6所示之例之第1框體11相比，厚度更厚。第1框體11D之厚度亦可設為電子零件50之高度(厚度)以上之厚度。藉由使用此種第1框體11D，可覆蓋電子元件501，且可使電子零件50之上表面平坦。亦可使用與圖6所示之例同樣之第1框體11，於第1框體11之內側配置與第1框體11D同樣厚度之模型，即，厚度為電子零件50之高度以上且較第1框體11更厚之模型。亦可藉由使用遮罩之印刷法，對各配線基板14上供給樹脂200，取代由噴嘴N供給樹脂200。樹脂200不僅覆蓋至配線基板14上，亦可覆蓋至配線基板14周圍之第1片材12上。樹脂200硬化後，藉由切斷樹脂200，可製造電子零件50。例如，可沿各配線基板14之外緣，以切割等切斷樹脂200。相對於第1製造方法，密封後之切斷步驟增加，但僅切斷配線基板14間之樹脂200。由於僅切斷比較軟質之樹脂200，故可進行高精度切斷。完全切斷樹脂200時，位於其下之第1片材12之一部分亦切斷，但由於第1片材12亦為樹脂製，故可容易進行高精度切斷。又，由於切斷時施加於配線基板14與樹脂200之界面之應力較小，故可減少樹脂200自配線基板14剝落之可能性，製造密封性良好之電子零件50。
圖23與圖22同樣，為將複數個電子元件501集中以樹脂200覆蓋且密封之方法，但樹脂200之供給方法不同。該方法係藉由使用模具D之鑄模成形而進行樹脂密封之方法。樹脂200不僅覆蓋至配線基板14上，亦可覆蓋至配線基板14周圍之第1片材12上。樹脂200硬化後，藉由切斷樹脂200，可製造電子零件50。例如，可沿各配線基板14之外緣，以切割等切斷樹脂200。相對於第1製造方法，密封後之切斷步驟增加，但僅切斷配線基板14間之樹脂200。由於僅切斷比較軟質之樹脂200，故可進行高精度切斷。完全切斷樹脂200時，位於其下之第1片材12之一部分亦切斷，但由於第1片材12亦為樹脂製，故可容易進行高精度切斷。又，由於切斷時施加於配線基板14與樹脂200之界面之應力較小，故可減少樹脂200自配線基板14剝落之可能性，製造密封性良好之電子零件50。
如此，作為電子零件之製造方法之第1製造方法之密封電子元件501之步驟中，亦可包含如下步驟：將複數個電子元件501及配線基板14集中以樹脂200覆蓋，密封電子元件501，進而於配線基板14之周圍切斷樹脂200。關於樹脂200相對於電子元件501及配線基板14之位置精度或量，可不精密地控制噴嘴N之位置、樹脂200自噴嘴N之噴出量、模具D之位置，以樹脂200覆蓋電子元件501而容易密封。尤其，電子零件50(配線基板14及電子元件501)為小型之情形時，容易製造電子零件50。又，根據該製造方法，亦可於配線基板14以高位置精度安裝電子元件501。
使用圖23之模具D之電子零件之製造方法中，具有電子零件50(樹脂
200)之上表面之一部分以凸曲面狀突出之突出部201。根據模具D之形狀，可將電子零件50之上表面之形狀設為期望之形狀。例如，電子元件501為發光元件等光學元件之情形時，可藉由形成於樹脂200之突出部201，形成透鏡等光學構件。此時之樹脂200例如可透過來自發光元件之光，光為可見光之情形時，樹脂200可使用透明者。亦可藉由多色成形，僅於發光元件(電子元件501)之上方配置透明樹脂，於周圍配置不透明樹脂。如此，將第1集合體1之複數個配線基板14使用模具D集中樹脂密封之情形時，除電子元件501之安裝及密封外，亦可位置精度良好地進行光學構件之搭載(形成)。可效率良好地製造光學構件與光學元件(電子元件501)之位置精度良好，光學特性優異之光學零件(電子零件50)。圖23中，顯示突出部201為凸透鏡之例，但並非限定於此。除突出部201外，亦可形成溝槽等凹部。亦可藉由此種凹凸之形成，標記電子零件50之產品編號等。或，可形成顯示切斷時之切斷位置之標記。圖20所示之使用模具D個別樹脂密封複數個配線基板14之方法中，如圖24所示，可根據模具D之形狀，將電子零件50之上表面之形狀設為期望之形狀。
以上，對本揭示之發明，基於多個圖式及實施形態進行說明。但，本揭示之發明並非限定於上述各實施形態者。即，本揭示之發明於本揭示所示之範圍內可進行各種變更，對於適當組合不同實施形態分別揭示之技術性方式而獲得之實施形態，亦包含於本揭示之發明之技術性範圍內。即，應注意，若為熟知本技藝者，當容易基於本揭示進行各種變化或修正。又，應留意，該等變化或修正包含於本揭示之範圍內。
上述實施形態中，對封裝組3具有第1集合體1及第2集合體2之情形進行說明，但不限定於此。亦可使第1集合體1具有平板狀之配線基板13，第2集合體2具有平板狀之蓋體23，封裝組進而具備第3框體、第3片材及矩形之框構件。框構件係介存於配線基板13與蓋體23間之構件。亦可將框構件與第3片材之與配線基板13及蓋體23對應之位置接著。亦可以框構件與配線基板13對向之方式，將第3集合體與第1集合體1重疊，且將框構件與配線基板13接合。接著，亦可以蓋體23與框構件對向之方式，將第2集合體2與第3集合體重疊，將蓋體23與框構件接合。
1:第1集合體
11:第1框體
11a:開口
12:第1片材
13:配線基板
115:對位部
117:對位部
Claims (18)
- 一種配線基板集合體，其具備：框體，其具有開口；片材，其以封塞該框體之開口之方式，貼附於該框體；及複數個配線基板，其在俯視透視時位於該開口之內部，且排列接著於該片材之單面；其中該複數個配線基板之各者具有：包含陶瓷之絕緣基板及配線導體。
- 一種蓋體集合體，其具備：框體，其具有開口；片材，其以封塞該框體之開口之方式，貼附於該框體；及複數個蓋體，其在俯視透視時位於該開口之內部，且排列接著於該片材之單面。
- 一種封裝組，其具備：請求項1之配線基板集合體；及請求項2之蓋體集合體；且複數個上述蓋體與複數個上述配線基板對應，位於上述蓋體集合體具有之上述片材之單面。
- 一種封裝組，其具備：配線基板集合體，其具備：框體、封塞該框體之片材、及與該片材 之單面接著之複數個配線基板；以及蓋體集合體，其具備：框體、封塞該框體之片材、及與該片材之單面接著之複數個蓋體；其中複數個上述蓋體與複數個上述配線基板對應，位於上述蓋體集合體具有之上述片材之單面；上述配線基板集合體具有之上述片材相對於上述配線基板之接合強度、與上述蓋體集合體具有之上述片材相對於上述蓋體之接合強度不同。
- 如請求項4之封裝組，其中上述配線基板集合體及上述蓋體集合體具有之上述片材中，接合強度較強之片材為UV剝離片材、或熱剝離片材。
- 一種封裝組，其具備：配線基板集合體，其具備：框體、封塞該框體之片材、及與該片材之單面接著之複數個配線基板；以及蓋體集合體，其具備：框體、封塞該框體之片材、及與該片材之單面接著之複數個蓋體；其中複數個上述蓋體與複數個上述配線基板對應，位於上述蓋體集合體具有之上述片材之單面；上述配線基板集合體及上述蓋體集合體具有之上述片材中之至少一者為UV剝離片材、或熱剝離片材。
- 如請求項3至6中任一項之封裝組，其中上述蓋體集合體之上述片材為熱剝離片材。
- 如請求項3至6中任一項之封裝組，其中上述配線基板集合體中，上述框體及上述配線基板位於上述片材之同一面，上述蓋體集合體中，上述框體及上述蓋體位於上述片材之同一面。
- 如請求項3至6中任一項之封裝組，其中上述配線基板集合體及上述蓋體集合體之至少一片材中，上述框體位於上述配線基板或上述蓋體之相反側之面。
- 如請求項3至6中任一項之封裝組，其中上述配線基板集合體及上述蓋體集合體之上述框體分別具有使上述配線基板集合體與上述蓋體集合體之位置對齊之對位部。
- 如請求項3至6中任一項之封裝組，其中上述配線基板集合體及上述蓋體集合體之任一片材於與上述配線基板或上述蓋體之各者對應之位置具有孔。
- 如請求項3至6中任一項之封裝組，其中上述框體具有使上述片材之周緣部露出之缺口或貫通孔。
- 一種電子零件之製造方法，其具有以下步驟：準備配線基板集合體，該配線基板集合體具備具有開口之第1框體、以封塞該第1框體之該開口之方式貼附於該框體之第1片材、及在俯視透視 時位於該開口之內部，且排列接著於該第1片材之單面之複數個配線基板，且該配線基板具有：包含陶瓷之絕緣基板及配線導體；於上述配線基板集合體之複數個上述配線基板之各者安裝電子元件；密封上述電子元件；及自上述第1片材剝離複數個上述配線基板。
- 一種電子零件之製造方法，其具有如下步驟：準備配線基板集合體，該配線基板集合體具備第1框體、封塞該第1框體之第1片材、及與該第1片材之單面接著之複數個配線基板；準備蓋體集合體，該蓋體集合體具備第2框體、封塞該第2框體之第2片材、及與該第2片材之單面接著之複數個蓋體；於上述配線基板集合體之複數個上述配線基板之各者安裝電子元件；以上述蓋體集合體之複數個上述蓋體與安裝有上述電子元件之複數個上述配線基板對向之方式，使上述蓋體集合體與上述配線基板集合體重合；將複數個上述蓋體與複數個上述配線基板接合，密封上述電子元件；自上述第1片材剝離複數個上述配線基板；及自上述第2片材剝離複數個上述蓋體。
- 如請求項14之電子零件之製造方法，其中上述第2片材為較上述第1 片材接著強度強之UV剝離片材；自上述第1片材剝離上述配線基板後，照射UV，自上述第2片材剝離上述蓋體。
- 如請求項14或15之電子零件之製造方法，其中上述第1片材或上述第2片材於與複數個上述配線基板或上述蓋體之各者對應之位置具有孔；將治具插入至上述孔，按壓上述配線基板或上述蓋體，自上述第1片材或上述第2片材剝離上述配線基板或上述蓋體。
- 如請求項14或15之電子零件之製造方法，其中上述第1框體或上述第2框體於周緣部具有缺口或貫通孔，以自上述缺口或上述貫通孔露出之方式，將上述第1片材或上述第2片材黏貼於上述第1框體或上述第2框體；且具有如下步驟：自上述第1片材或上述第2片材剝離上述配線基板或上述蓋體後，自上述缺口或上述貫通孔固持上述第1片材或上述第2片材，自上述第1框體或上述第2框體剝離上述第1片材或上述第2片材。
- 一種電子零件之製造方法，其具有以下步驟：準備配線基板集合體，該配線基板集合體具備第1框體、封塞該第1框體之第1片材、及與該第1片材之單面接著之複數個配線基板；於上述配線基板集合體之複數個上述配線基板之各者安裝電子元件；密封上述電子元件；及 自上述第1片材剝離複數個上述配線基板；其中密封上述電子元件之步驟中，將複數個上述電子元件及複數個上述配線基板集中以樹脂覆蓋，密封上述電子元件；且上述電子零件之製造方法包含於上述配線基板之周圍切斷上述樹脂之步驟。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021108104 | 2021-06-29 | ||
| JP2021-108104 | 2021-06-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202315481A TW202315481A (zh) | 2023-04-01 |
| TWI823440B true TWI823440B (zh) | 2023-11-21 |
Family
ID=84691752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111123636A TWI823440B (zh) | 2021-06-29 | 2022-06-24 | 配線基板集合體、蓋體集合體、封裝組及電子零件之製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240253978A1 (zh) |
| JP (1) | JPWO2023276798A1 (zh) |
| CN (1) | CN117378041A (zh) |
| TW (1) | TWI823440B (zh) |
| WO (1) | WO2023276798A1 (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3783299B2 (ja) * | 1996-10-08 | 2006-06-07 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
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| JP2012009850A (ja) * | 2010-05-26 | 2012-01-12 | Panasonic Corp | ハイブリッド基板およびその製造方法 |
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-
2022
- 2022-06-22 JP JP2023531850A patent/JPWO2023276798A1/ja active Pending
- 2022-06-22 US US18/565,918 patent/US20240253978A1/en active Pending
- 2022-06-22 WO PCT/JP2022/024803 patent/WO2023276798A1/ja active Application Filing
- 2022-06-22 CN CN202280037024.7A patent/CN117378041A/zh active Pending
- 2022-06-24 TW TW111123636A patent/TWI823440B/zh active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117378041A (zh) | 2024-01-09 |
| TW202315481A (zh) | 2023-04-01 |
| WO2023276798A1 (ja) | 2023-01-05 |
| US20240253978A1 (en) | 2024-08-01 |
| JPWO2023276798A1 (zh) | 2023-01-05 |
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