JPH1154668A - ボールグリッドアレイ半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

ボールグリッドアレイ半導体パッケージの製造方法

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JPH1154668A
JPH1154668A JP10030663A JP3066398A JPH1154668A JP H1154668 A JPH1154668 A JP H1154668A JP 10030663 A JP10030663 A JP 10030663A JP 3066398 A JP3066398 A JP 3066398A JP H1154668 A JPH1154668 A JP H1154668A
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flexible circuit
grid array
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Ikken Chin
一 權 沈
Eikyoku Kyo
榮 旭 許
Darveaux Robert
ダビーウクス ロバート
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 可撓性回路基板に形成されている回路パター
ンの変形または損傷を最大に防止する。 【解決手段】 複数個の回路パターン部４２を設けた可
撓性回路基板ストリップ４０形成段階、両面接着テープ
を使用して、通孔を設けたキャリアフレーム８０を、回
路パターン部４２を露出するように接着する段階、回路
パターン部４２中央に複数の入出力パッドを有する半導
体チップ２０を接着する段階、半導体チップ２０の入出
力パッドと回路パターン部４２のボンドフィンガーを電
気的に連結する段階、半導体チップ２０及び電気的接続
手段を保護するための樹脂封止部６０を形成する段階、
複数の伝導性ボール７０を融着する段階および可撓性回
路基板部分の底面にパンチ７により可撓性樹脂フィルム
４１及び両面接着テープ９０にノッチを形成した後、キ
ャリアフレーム８０を脱落させ、一つの半導体パッケー
ジに分離する段階とから構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はボールグリッドアレ
イ（Ball Grid Array:ＢＧＡ）半導体パッケージの製造
方法に係り、さらに詳しくは可撓性回路基板を用いたボ
ールグリッドアレイ半導体パッケージの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】通常、‘半導体パッケージ’は各種の電
子回路及び／または配線の設けられた単一素子及び／ま
たは集積回路などの半導体チップを埃、湿気、外部衝
撃、或いは電気的負荷や機械的負荷などのような各種の
有害な外部環境から保護すると共に、半導体チップ性能
の最適化を実現するために、リードフレーム(Lead Fram
e)または印刷回路基板（ＰＣＢ:Printed Circuit Boar
d）や可撓性回路基板などを用いてメインボード(Main B
oard)への信号入出力端子を形成し、封止手段(Encapsul
ant) で封止させた電子装置を成す。
【０００３】このような半導体パッケージは電子機器の
高性能化及び軽薄短小化の傾向によって急速に高集積
化、小型化、高機能化されている。このため、リードフ
レームを用いた樹脂封止型半導体パッケージはＳＯＪ(S
mall Outline J-leaded Package)やＱＦＰ(Quad Flat P
ackage) などの表面実装型半導体パッケージが主流を成
してきた。最近は、印刷回路基板または可撓性回路基板
を用いることにより、入出力端子の数を極大化すると同
時にメインボードへの実装密度を増大させることのでき
るボールグリッドアレイ(Ball Grid Array) 半導体パッ
ケージが開発されて半導体パッケージの軽量薄型短小化
及び高機能化に供している。
【０００４】一般に、ボールグリッドアレイ半導体パッ
ケージは、通常ＰＣＢ基板の上面に一つまたはそれ以上
の半導体チップが装着され、メインボードのような導電
性材料に対する電気的接続が半導体チップの付着してい
るＰＣＢ基板面の対向面上に位置するソルダボールのア
レイによってなされる構造の半導体パッケージであっ
て、ボールグリッドアレイ半導体パッケージは２００ピ
ン以上の多ピンデバイスまたは高集積化された大規模集
積回路ＶＬＳＩやマイクロプロセッサなどの用途で脚光
を浴びている。
【０００５】しかし、このようなボールグリッドアレイ
半導体パッケージにおいては、ＰＣＢ基板の厚さが少な
くとも数百ミクロンであるので熱抵抗率が高くて、実装
された半導体チップの作動時に発生する熱の放出性が劣
り、軽量薄型化において充分な満足を得難く、封止部の
外部に露出される回路パターンを絶縁させるために全体
ＰＣＢ基板及びその回路パターン上にソルダマスクを形
成させることとなり、ＰＣＢ基板が多層構造の場合に上
下の回路パターンを相互電気的に接続させるためのバイ
アホール(Via Hole)を形成させることとなるので、工程
が複雑となりコストの高い短所が生ずる。
【０００６】従って、最近は比較的大きい厚さを有する
ＰＣＢ基板の代わりに厚さの非常に薄い可撓性樹脂フィ
ルム上に回路パターンを形成させた可撓性回路基板を用
いたボールグリッドアレイ半導体パッケージが好まれる
趨勢にある。通常の可撓性回路基板を用いた半導体パッ
ケージの構造は図５に示した構造と本質的に同一なの
で、図５を用いて簡単に考察してみる。図５によれば、
各種の電子回路及び／または配線が積層されており、そ
の表面に複数の入出力パッド２０ａが形成されている半
導体チップ２０と、半導体チップ２０の底面に接着剤３
０が介在したまま可撓性樹脂フィルム４１上にボンドフ
ィンガー４３及び入出力端子としての伝導性ボールラン
ド４４を有する複数の伝導性トレースから構成される回
路パターン４２が形成されている。前記半導体チップ２
０がその中央部に接着層３０を介して実装される可撓性
回路基板４０’と、半導体チップ２０の入出力パッド２
０ａと可撓性回路基板４０’のボンドフィンガー４３を
電気的に接続する伝導性ワイヤ５０と、半導体チップ１
０及び伝導性ワイヤ５０などを外部環境から保護するた
めの樹脂封止部６０と、可撓性回路基板４０’の回路パ
ターン４２に電気的に連結された伝導性ボールランド４
４にメインボードへの入出力端子として融着される伝導
性ボール７０とから構成される。
【０００７】しかし、このような可撓性回路基板を用い
たボールグリッドアレイ半導体パッケージの従来の製造
方法においては、製造工程効率上、一つのストリップ上
に形成される複数のボールグリッドアレイ半導体パッケ
ージを１個単位で分離させるシングレーション時にパン
チやカッターなどを用いて可撓性回路基板の付着してい
る金属キャリアフレームを切断するので、可撓性回路基
板上に形成された回路パターンの外郭に位置する微細な
伝導性トレースが切断時の衝撃によって変形または損傷
されて相互間にショートされるおそれの高い問題点があ
った。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の第１
目的は、可撓性回路基板を用いたボールグリッドアレイ
半導体パッケージの製造方法におけるシングレーション
時、可撓性回路基板に形成されている回路パターン外郭
の微細な伝導性トレースの変形または損傷を最大に防止
することにより、ショートされる可能性を最小化するこ
とのできる製造方法を提供することにある。
【０００９】本発明の第２目的は、可撓性回路基板を用
いたボールグリッドアレイ半導体パッケージの製造方法
におけるシングレーション時、樹脂封止部の側壁に発生
するおそれのあるクラック現象を防止すると共に、完成
された半導体パッケージの撓み現象を効率的に抑制する
ことのできる製造方法を提供することにある。本発明の
第３目的は、可撓性回路基板を用いたボールグリッドア
レイ半導体パッケージの製造方法におけるシングレーシ
ョンにおいて、シングレーションによる半導体パッケー
ジの打撥時に樹脂封止部に対する瞬間的な打撥圧力の伝
達による集中凝力の発生による樹脂封止部へのクラック
発生を防止することのできる製造方法を提供することに
ある。
【００１０】本発明の第４目的は、可撓性回路基板を用
いたボールグリッドアレイ半導体パッケージの製造方法
において、樹脂封止部形成のためのモールディング時の
上下部モールドの継合力によって可撓性回路基板とキャ
リアフレームとの間に介在した両面接着テープが延伸さ
れることによるこの部分におけるモールディング不良に
起因した樹脂封止部下端外周縁部の外観不良及び可撓性
回路基板に対する樹脂封止部の接着強度弱化を防止する
ことのできる製造方法を提供することにある。
【００１１】本発明の第５目的は、可撓性回路基板を用
いたボールグリッドアレイ半導体パッケージの製造方法
において、比較的大きい延性をもつ可撓性回路基板スト
リップに対するキャリアフレームの押圧接着時可撓性回
路基板ストリップの延伸による回路パターン部の正位置
離脱及びこれから引き起こされる生産歩留まり低下のお
それを除去すると共に、比較的高価の可撓性回路基板の
浪費を最小化することのできる製造方法を提供すること
にある。
【００１２】本発明の第６目的は、可撓性回路基板を用
いたボールグリッドアレイ半導体パッケージの製造方法
において、可撓性回路基板に対する半導体チップの実装
時に接着剤がブリードアウトされてボンドフィンガー部
を汚染させるによるワイヤボンディング不良のおそれを
取り除くことのできる製造方法を提供することにある。
【００１３】本発明の第７目的は、可撓性回路基板を用
いたボールグリッドアレイ半導体パッケージの製造方法
において、製造工程中の可撓性回路基板の正位置方向の
取違え及びシングレーションによって１個の半導体パッ
ケージに分離された後、母板などへの実装時正位置方向
の取違えによる不良発生問題を解消することのできる製
造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明によるボールグリッドアレイ半導体パッケー
ジの製造方法は、可撓性樹脂フィルムストリップ上にボ
ンドフィンガー及び伝導性ボールランドを有する複数の
伝導性トレースからなる複数個の回路パターン部の設け
られた可撓性回路基板ストリップ形成段階と、前記可撓
性回路基板ストリップ上の複数個の回路パターン部に対
応する領域に複数個の通孔の設けられた両面接着テープ
を使用して、前記複数個の回路パターン部に対応する領
域に複数個の通孔の設けられたキャリアフレームを、前
記回路パターン部が露出されるように前記可撓性回路基
板ストリップ上に接着させるキャリアフレーム付着段階
と、前記複数個の回路パターン部それぞれの中央に複数
の入出力パッドを有する半導体チップを接着させる半導
体チップ実装段階と、前記半導体チップの入出力パッド
と前記回路パターン部のボンドフィンガーを電気的に連
結させる電気的接続段階と、前記半導体チップ及び電気
的接続手段を外部環境から保護するための樹脂封止部を
形成させるモールディング段階と、前記可撓性回路基板
の底面の伝導性ボールランドに入出力端子としての複数
の伝導性ボールを融着させる伝導性ボール融着段階と、
前記樹脂封止部の側端に隣接した可撓性回路基板部分の
底面にパンチを用いて前記可撓性樹脂フィルム及び前記
両面接着テープにノッチを形成させた後、前記樹脂封止
部の上方から押圧して、前記キャリアフレームを脱落さ
せると同時に、一つの半導体パッケージに分離させるシ
ングレーション(singulation) 段階と、から構成される
ことを特徴とする。
【００１５】ここで、また、本発明は、前記シングレー
ション段階でノッチを金属キャリアフレームの底面にも
形成させることを特徴とする。
【００１６】また、本発明は、前記シングレーション段
階で金属キャリアフレームの脱落時にノッチの外側で上
方に加圧することを特徴とする。
【００１７】また、本発明は、前記シングレーション段
階でノッチによる切断面と樹脂封止部との間の伝導性ト
レース長さが、１個単位で分離された半導体パッケージ
の機能検査を行うことのできる最小限の長さをもつよう
に形成されることを特徴とする。
【００１８】また、本発明は、前記シングレーション段
階でノッチを正方形の４辺に直線状、正方形の４つの角
面を取る形状、或いはその組合せ形状に形成させること
を特徴とする。
【００１９】また、本発明は、前記キャリアフレーム付
着段階において通孔が上狭下広形の傾斜内壁を有するキ
ャリアフレームを用いて行われ、これにより前記モール
ディング段階で形成される樹脂封止部の側壁が多段傾斜
面をもつように形成されることを特徴とする。
【００２０】また、本発明は、前記シングレーション段
階において、樹脂封止部の上方からの押圧が傾斜底面を
もつシングレーションツールによって行われることを特
徴とする。
【００２１】また、本発明は、前記キャリアフレーム付
着段階において、両面接着テープに形成される通孔の幅
をキャリアフレームに形成される通孔の幅より大きく形
成させた両面接着テープ及びキャリアフレームを用いて
行われることを特徴とする。
【００２２】ここで、また、本発明は、前記両面接着テ
ープの通孔の幅をキャリアフレームの通孔の幅より２５
〜７００μｍ程度大きく形成させることを特徴とする。
【００２３】また、本発明は、前記可撓性回路基板スト
リップ形成段階の代わりに、可撓性樹脂フィルム上にボ
ンドフィンガー及び伝導性ボールランドを有する複数の
伝導性トレースからなる回路パターン部の設けられた可
撓性回路基板ユニット形成段階を行った後、前記可撓性
回路基板ユニット上の回路パターン部のサイズと少なく
とも同じサイズの複数個の通孔が設けられた両面接着テ
ープ及びキャリアフレームを使用して、前記回路パター
ン部が前記両面接着テープの通孔及びそれに対応する前
記キャリアフレームの前記通孔を通して露出されるよう
に前記可撓性回路基板ユニットに前記キャリアフレーム
を接着させるキャリアフレーム付着段階を行うことを特
徴とする。
【００２４】ここで、また、本発明は、前記可撓性回路
基板ユニットの回路パターン部の外郭の三つの角に位置
確認用小ピンホールを形成させることを特徴とする。
【００２５】また、本発明は、前記キャリアフレーム付
着段階と半導体チップ実装段階との間に、可撓性回路基
板上の半導体チップ実装領域とボンドフィンガーとの間
の領域に接着剤氾濫防止用ダムを形成させるダム形成段
階を行うことを特徴とする。
【００２６】ここで、また、本発明は、前記接着剤氾濫
防止用ダムが非伝導性素材から形成され、高さが２０〜
１００μｍであることを特徴とする。
【００２７】また、本発明は、前記可撓性回路基板スト
リップ形状段階中或いはその後に可撓性回路基板上のそ
れぞれの回路パターン部の底面に位置確認用標識を形成
させる位置確認用標識表示段階を行うことを特徴とす
る。
【００２８】ここで、また、本発明は、前記位置確認用
標識が伝導性ボールランドの直径より小さい直径のラン
ドから形成され、アレイされた伝導性ボールランドの一
方の側コーナ部の内側または外側に位置することを特徴
とする。
【００２９】ここで、また、本発明は、前記位置確認用
標識が内側または最外側にアレイされた伝導性ボールラ
ンドのうちいずれか一つのランドを形成させないことに
より標識として機能するようにすることを特徴とする。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照してさらに詳しく説明する。
【００３１】本発明の第１目的は図１，図２，図３，図
４に示した方法によって達成されることができ、次にこ
れについて説明する。
【００３２】図１は本発明の実施例の製造方法における
可撓性回路基板ストリップ４０に対するキャリアフレー
ム８０の付着段階を説明する説明図であり、図１上段の
図面符号８０はキャリアフレームを示し、図１第２段の
図面符号９０はエポキシ樹脂などの樹脂接着剤のコーテ
ィングされた両面接着テープを示し、図１第３段の図面
符号４０は可撓性回路基板を示し、図１下段の図面符号
１３０及び１２０はそれぞれ加圧歯溝及びジグを示す。
【００３３】まず、可撓性回路基板ストリップ形状段階
について説明すると、図１の第３段の可撓性回路基板ス
トリップ４０は厚さ２０〜１５０ミクロン、好ましくは
３０〜８０ミクロン範囲のポリイミド(polyimide) など
のような可撓性樹脂フィルム４１上に伝導性金属薄膜を
積層した後、エッチングなどのような通常の方法を用い
て回路パターン部４２を形成させて構成され、両端部に
は固定用ピンホール４９が形成される。回路パターン部
４２は後述のボンドフィンガー（図示せず）及び伝導性
ボールランド（図示せず）を有する複数の伝導性トレー
ス（図示せず）から構成され、その中央部には半導体チ
ップ実装用ダイパッド（図示せず）を形成させることも
できるが、これは制限的なものではない。可撓性回路基
板ストリップ４０には複数個の回路パターン部４２が形
成されており、それぞれの回路パターン部４２は相互隔
離している。
【００３４】可撓性回路基板ストリップ４０は図示した
ようなストリップ形態或いはリール形態に製作されるこ
とができ、且つ１個単位で製作することもできる。両面
接着テープ９０には同一の形態及びサイズの相互隔離し
た複数個の通孔９１及びピンホール９９が形成され、こ
の通孔９１及びピンホール９９は可撓性回路基板ストリ
ップ４０の回路パターン部４２及びピンホール４９にそ
れぞれ一致するように形成される。通孔９１は可撓性回
路基板ストリップ４０上の複数個の回路パターン部４２
に対応する領域にそれぞれ形成され、通孔９１の幅は回
路パターン部４２の幅と同一か、或いは回路パターン部
４２の幅よりやや大きい。
【００３５】キャリアフレーム８０は銅、銅合金、アル
ミニウム、或いはステンレスなどのような金属材が主に
用いられ、表面保護のために酸化被膜処理(Anodizing)
して薄膜を形成させるか、或いはモールディング時にエ
ポキシモールディングコンパウンドからの円滑なデゲー
ティング(degating)を可能にすると同時に、シングレー
ション時の円滑な分離のためにニッケル（Ｎｉ）やクロ
ム（Ｃｒ）などを用いて表面処理を行うこともできる。
キャリアフレーム８０には両面接着テープ９０の場合と
同様に同一の形態及びサイズの相互隔離した複数個の通
孔８１及びピンホール８９が形成され、この通孔８１及
びピンホール８９は可撓性回路基板ストリップ４０の回
路パターン部４２及びピンホール４９にそれぞれ一致す
るように形成される。また、キャリアフレーム８０には
ピンホール８９の他に移送及び位置選定を容易にするた
めのガイドホール８３が形成される。
【００３６】また、加圧歯溝１３０にはピンホールのみ
が形成され、ジグ１２０にはピン１２１が設置されてい
る。図１の最下段に示したのはキャリアフレーム付着段
階を示すものであり、ジグ１２０上に下から順次、選択
的な下部平板（図示せず）、可撓性回路基板ストリップ
４０、両面接着テープ９０、キャリアフレーム８０を載
せた後、ピン１２１をピンホール４９、９９、８９を順
次挿入して固定させ、加圧歯溝１３０で押圧して、可撓
性回路基板ストリップ４０の回路パターン部４２を除い
た部分にキャリアフレーム８０を接着させ、このような
キャリアフレーム８０の付着方法は例示的なもので、こ
の他にも多様な方法が用いられる。このようなキャリア
フレーム８０への接着によって可撓性回路基板ストリッ
プ４０はリジッド(rigid) な状態に保持されることがで
きるので、パッケージ製造時の効率性を高めることがで
きる。
【００３７】図２は図１に示したキャリアフレーム付着
段階後の可撓性回路基板ストリップ４０の付着状態を示
す断面図であり、キャリアフレーム８０の底面には両面
接着テープ９０を介して可撓性回路基板ストリップ４０
が付着する。この時、可撓性回路基板ストリップ４０上
の複数個の回路パターン部４２のそれぞれは両面接着テ
ープ９０の通孔９１及びキャリアフレーム８０の通孔８
１を通して露出された状態に保持される。
【００３８】図３（ａ）〜（ｃ），図４（ａ）〜（ｄ）
は本発明の好ましい一実施例によるボールグリッドアレ
イ半導体パッケージの製造方法を説明する逐次断面図で
あり、次にこれらを説明する。図３（ａ）はキャリアフ
レーム付着段階直後の状態を示す部分断面図であり、可
撓性樹脂フィルム４１上に回路パターン部４２が形成さ
れている可撓性回路基板ストリップ４０の上面には両面
接着テープ９０によってキャリアフレーム８０が付着
し、キャリアフレーム８０の通孔（図１における図面符
号８１）及び両面接着テープ９０の通孔（図１における
図面符号９１）を通して回路パターン部４２が上方に露
出される。半導体チップの実装される露出された中央部
にはダイパッド（図示せず）を形成させることもできる
が、これは選択的である。
【００３９】回路パターン部４２には半導体チップとの
ワイヤボンディングによる電気的接続のためのボンドフ
ィンガー４３が形成され、且つ回路パターン部４２の底
面の所定位置には可撓性樹脂フィルム４１がパンチング
などによる機械的手段またはエッチングなどのような化
学的手段によって穿孔しているため回路パターンの底面
が下方に露出された伝導性ボールランド４４が形成され
ている。ボンドフィンガー４３の上面は後述のワイヤボ
ンディング時の付着性向上のために銀鍍金されることが
望ましく、伝導性ボールランド４４には後述の伝導性ボ
ールとの付着性向上のために金及びニッケル層（図示せ
ず）を形成させることが望ましい。
【００４０】図３（ｂ）は半導体チップ実装段階を示す
部分断面図である。半導体チップ２０は接着層３０を介
してキャリアフレーム８０の通孔（図１における図面符
号８１）及び両面接着テープ９０の通孔（図１における
図面符号９１）を通して可撓性回路基板ストリップ４０
の露出された回路パターン部４２の中央に実装される。
接着層３０はエポキシなどのような樹脂接着剤の硬化に
よって形成され、熱伝導性に優れた銀充填エポキシ樹脂
を使用することが好ましい。
【００４１】図３（ｃ）は電気的接続段階を示す部分断
面図であり、実装された半導体チップ２０の上面の入出
力パッド２０ａと回路パターン部２４のボンドフィンガ
ー４３を伝導性ワイヤ５０またはバンプ（図示せず）の
ボンディングによって電気的に連結させる。通常、伝導
性ワイヤ５０としては金セションまたはアルミニウムセ
ション、バンプとしては金またはソルダが一般に用いら
れるが、これは制限的なものではない。
【００４２】図４（ａ）は樹脂封止部６０の形成のため
のモールディング段階を示す部分断面図である。図４
（ａ）によれば、半導体チップ２０、伝導性ワイヤ５０
のような電気的接続手段、回路パターン４２などを湿気
や埃、または外部的衝撃や振動などのような有害な外部
環境から保護するためにモールドを用いて当該分野に慣
用されているエポキシモールディングコンパウンドまた
は液状エポキシなどのような封止材でモールディングさ
れる。樹脂封止部６０はキャリアフレーム８０の通孔の
内部側壁によって限定される領域の回路パターン部４２
の上面に封止される。従って、樹脂封止部６０の側壁は
前記通孔の内部側壁と当接する。樹脂封止部６０は完成
されたパッケージの半導体チップ２０の作動時に半導体
チップ２０と可撓性回路基板４０との間の熱膨張係数差
異に起因する凝力及び変形力を緩和させると同時に、半
導体チップ２０のコーナー部に集中する凝力及び変形力
を半導体チップ２０の全体に分散させる役割を果たす。
【００４３】図４（ｂ）は伝導性ボール融着段階を示す
部分断面図であり、ソルダのような伝導性ボール７０を
回路パターン４２と電気的に連結された伝導性ボールラ
ンド４４に融着させる。伝導性ボール７０はメインボー
ド（図示せず）などに対する入出力端子として機能す
る。図４（ｃ）及び図４（ｄ）はシングレーション段階
を示す部分断面図であり、便宜上一緒に説明すると、樹
脂封止部６０の側端に隣接した可撓性回路基板ストリッ
プ４０部分の底面にパンチ１００を用いて可撓性回路基
板ストリップ４０及び両面接着テープ９０にノッチ１０
１を形成させた後、樹脂封止部６０の上方から圧力を加
えることにより、キャリアフレーム８０が脱落すると同
時に、一枚のボールグリッドアレイ半導体パッケージ１
０に分離される。この時、樹脂封止部６０の外部の両面
接着テープ９０の部分も一緒に脱落する。
【００４４】ノッチ１０１の深さをキャリアフレーム８
０が押圧力によって打撥されることのできる最小限の深
さでキャリアフレーム８０の底面にも形成させることが
シングレーションを容易にすることができるので望まし
く、キャリアフレーム８０は再活用することができる。
また、キャリアフレーム８０の打撥時に樹脂封止部６０
の上方から下方に押圧すると同時に、ノッチ１０１の外
側で下方から上方に加圧すると、シングレーションの効
率を高めることができる。
【００４５】一方、ノッチ１０１は半導体パッケージ１
０の最終的な形状による警戒線上に形成されるべきなの
で、正方形の４辺に直線状に形成させるか、正方形の４
つの角面を取る形状の直線状に形成させるか、或いは正
方形の４辺及び４つの角面を取る形状の直線状に形成さ
せることができるが、これに限定されるのではなく任意
的である。図５は本発明の好ましい一実施例による製造
方法によって製造されたボールグリッドアレイ半導体パ
ッケージ１０の側断面図であり、これについては予め前
述したので、それ以上の説明は略する。
【００４６】図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ線にそっ
た部分側面図であり、可撓性樹脂フィルム４１上には回
路パターン４２から延長される伝導性トレース４３’が
整列した状態で露出されている。キャリアフレーム８０
の脱落及び可撓性回路基板ストリップ４０′の切断によ
る結果として、ノッチ１０１による切断面と樹脂封止部
６０との間の外部に露出された伝導性トレース４３’の
長さは、１個単位で分離された半導体パッケージ１０の
機能検査を行うことのできる最小限の長さをもつように
する位置に形成させることが望ましい。前述したよう
に、本発明の第１目的を達成するための好ましい一実施
例によるボールグリッドアレイ半導体パッケージの製造
方法によれば、可撓性回路基板に形成されている回路パ
ターンの外郭の微細な伝導性トレースの変形または損傷
を防止してショートのおそれを最小化することができ
る。
【００４７】本発明の第２目的は図６，図７に示した方
法によって達成されることができ、次にこれについて説
明する。図６，図７は上狭下広形傾斜内壁８１ａを有す
る通孔（図１における図面符号８１）の設けられたキャ
リアフレーム８０を用いた本発明の別の好ましい一実施
例によるボールグリッドアレイ半導体パッケージの製造
方法を説明する逐次断面図であり、次にこれらを説明す
る。
【００４８】図６（ａ）はキャリアフレーム付着段階完
了後の状態を示す部分断面図であり、キャリアフレーム
８０の通孔８１が下方の幅Ｈ２より小さい上方の幅Ｈ１
をもつ上狭下広形の傾斜内壁８１ａを有する点を除いて
は図２ａの場合と完全に同一なので、重なる部分に対す
る説明は略する。図６（ｂ）及び図７はシングレーショ
ン段階を示す部分断面図であり、樹脂封止部６０の側端
に隣接した可撓性回路基板ストリップ４０部分の底面に
パンチ１００を用いて可撓性回路基板ストリップ４０及
び両面接着テープ９０にノッチ１０１を形成させた後、
樹脂封止部６０の上方から押圧して、キャリアフレーム
８０を脱落させて１個のボールグリッドアレイ半導体パ
ッケージ１０に分離させる点は図４（ｃ）及び図４
（ｄ）の場合と完全に同一である。
【００４９】但し、留意すべき点はキャリアフレーム８
０の通孔８１の内壁が上狭下広形の傾斜内壁８１ａから
形成されているので、モールディング段階で形成される
樹脂封止部６０の下方側壁が図４（ｃ）の場合のように
垂直でなく、鉛直方向に対して角度βだけ傾斜した第２
傾斜面６０ｂをもっていることである。従って、樹脂封
止部６０側壁の全体的な形状は、上部モールド（図示せ
ず）のキャビティ形状によって限定される上方の鉛直方
向に対して角度αだけ傾斜した第１傾斜面６０ａと上狭
下広形の傾斜内壁８１ａによって限定される下方の鉛直
方向に対して角度βだけ傾斜した第２傾斜面６０ｂによ
る２段傾斜面をもつ。
【００５０】一方、キャリアフレーム８０の通孔８１は
通常エッチングなどによって形成されるので、その内壁
８１ａの表面は微細であるが、数多くの凸凹があり、従
ってシングレーション段階における打撥時にそれに当接
する樹脂封止部６０の側壁にクラックを発生させるおそ
れがある。ところが、キャリアフレーム８０の通孔８１
の内壁が上狭広形の傾斜内壁８１ａから形成される本発
明の好ましい本実施例においては、シングレーション段
階で樹脂封止部６０の上部からの打撥時に樹脂封止部６
０へのクラック発生のおそれなくキャリアフレーム８０
を容易で円滑に分離させることができる。従って、本実
施例におけるキャリアフレーム８０の通孔８１は機械的
手段によるスタンピングまたは化学的手段によるエッチ
ングなどいずれの方法で形成させても構わないが、スタ
ンピング法によって形成させることが平滑面を作り易い
という点から望ましいと言える。
【００５１】図８は図６，図７に示した本発明の製造方
法によって製造されるボールグリッドアレイ半導体パッ
ケージ１０ａの側断面図であり、樹脂封止部６０が上段
から下段を向かって２段で傾斜面６０ａ，６０ｂが形成
されているため、上段面積が下段面積より小さく形成さ
れた上狭下広形に形成された点を除いては図５に示した
半導体パッケージ１０の構造と本質的に同一である。樹
脂封止部６０の側面に形成される多段傾斜面６０ａ，６
０ｂは伝導性ボール融着段階で加えられる高温またはメ
インボード（図示せず）に実装させた完成したパッケー
ジ１０ａの作動時に発生する高熱によるパッケージ１０
ａの湾曲現象が効率的に防止されるとともに、このよう
な湾曲現象に起因する樹脂封止部６０と可撓性回路基板
４０との間の界面剥離現象も大きく抑制させることがで
きる。
【００５２】前述したように、本発明の第２目的を達成
するための好ましい一実施例によるボールグリッドアレ
イ半導体パッケージの製造方法によれば、シングレーシ
ョン時に樹脂封止部の側面に対するクラック誘発のおそ
れなくキャリアフレームを樹脂封止部の側壁から容易で
円滑に分離させることができると同時に、半導体パッケ
ージ製造時の高温工程及び完成した半導体パッケージの
作動時においても高熱による半導体パッケージの湾曲現
象による樹脂封止部へのクラック発生または界面剥離発
生のおそれを著しく緩和させることができる。
【００５３】本発明の第３目的は図９に示した方法によ
って達成されることができる。図９は本発明の製造方法
におけるシングレーション段階を示す側断面図である。
このようなシングレーション段階は前記図４（ｃ）及び
図４（ｄ）における説明と本質的に同一なので、重なる
部分に対する説明は略する。シングレーション段階は連
続的に行われ、例えば図９では矢印で表れたように左か
ら右に移動しながら行われる。従って、パッケージユニ
ット１０内の左側に示した位置ではパンチ１００による
ノッチ１０１の形成がなされ、右側に示した位置ではシ
ングレーションツール１１０による押圧が行われる。
【００５４】通常、１個の半導体パッケージ１０に分離
するためのシングレーション段階における樹脂封止部６
０の上方からの押圧は平坦な底面をもつシングレーショ
ンツールの打撃によってなされるが、シングレーション
ツールの底面が樹脂封止部６０の上面に瞬間的に全体的
に接触する場合には打撃による衝撃が一時に伝達されて
樹脂封止部６０にクラックが発生するおそれがあるの
で、本実施例においてはシングレーション時の樹脂封止
部６０に対する押圧力が順次漸増できるように傾斜底面
１１１をもつシングレーションツール１１０を用いてシ
ングレーション段階を行う。従って、本実施例による製
造方法におけるシングレーション段階ではシングレーシ
ョンツール１１０の傾斜底面１１１によって半導体パッ
ケージ１０の一方の側が瞬間的に先に分離された後、他
方の側が分離される。
【００５５】前述したように、本発明の第３目的を達成
するための好ましい一実施例によるボールグリッドアレ
イ半導体パッケージの製造方法によれば、シングレーシ
ョン時のシングレーションツールによる樹脂封止部への
打撃が樹脂封止部に対するクラック誘発のおそれなく安
全に行われることができる。本発明の第４目的は図１
０、図１１に示した方法によって達成されることがで
き、次にこれらを説明する。
【００５６】図１０は本発明の製造方法における別の好
ましい一実施例による、可撓性回路基板ストリップ４０
に対するキャリアフレーム付着段階を示した説明図であ
り、キャリアフレーム８０に形成される通孔８１の幅Ｗ
２より両面接着テープ９０に形成される通孔９１の幅Ｗ
１をややさらに大きく形成させた点を除いては、図１に
示した実施例と本質的に同一なので、図１に対する説明
を参照されたい。図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は図１
０に示したキャリアフレーム付着段階を用いた本発明の
好ましい一実施例によるボールグリッドアレイ半導体パ
ッケージの製造方法においてモールディング段階及びモ
ールディング段階完了後の状態を示す側断面図である。
【００５７】通孔９１の幅Ｗ１が通孔８１の幅Ｗ２より
やや大きく形成されるので、両面接着テープ９０に形成
される通孔９１の面積はキャリアフレーム８０に形成さ
れる通孔８１の面積よりさらに大きい。通孔９１の幅Ｗ
１は通孔８１の幅Ｗ２より約２５〜７００μｍさらに大
きく形成することが望ましい。このような幅差が２５μ
ｍ未満の場合には上部モールド１４０ａ及び下部モール
ド１４０ｂの継合時に適用される継合力によって上部モ
ールド１４０ａ及び下部モールド１４０ｂの継合によっ
て形成されるモールディング領域であるキャビティ内に
両面接着テープ９０が延伸されて端部が突出し、このよ
うな突出部分の占有領域にはモールディングがなされな
いので、樹脂封止部６０の下端外周縁部に内側に湾入し
た凹込溝（図示せず）が形成され、よって樹脂封止部６
０の下端の外観不良及び可撓性回路基板４０に対する樹
脂封止部６０の面積減少による接着強度弱化をもたらす
おそれがあるので、望ましくない。一方、このような幅
差が７００μｍを超過する場合には上部モールド１４０
ａ及び下部モールド１４０ｂの継合時の継合力による両
面接着テープ９０の延伸量が極めて不充分になってモー
ルディング時に溶融された封止用樹脂がキャリアフレー
ム８０と回路パターン４２との間に過度に流入し、よっ
て硬化後比較的長いブリージング痕跡が残って外観上望
ましくなく、且つこのような比較的長いブリージング部
分から界面剥離などが発生するおそれがあり、このよう
な場合に界面剥離などが樹脂封止部６０の本体に容易に
伝播するおそれがあるので、望ましくない。
【００５８】従って、通孔９１の幅Ｗ１を通孔８１の幅
Ｗ２より約２５〜７００μｍさらに大きく形成すること
が、上部モールド１４０ａ及び下部モールド１４０ｂの
継合時に適用される継合力による両面接着テープ９０の
延伸量を補償するにおいて適切であり、このような範囲
の差異を置くことにより上部モールド１４０ａ及び下部
モールド１４０ｂの継合時に両面接着テープ９０の端部
がキャリアフレーム８０の端部とほとんど一致する位置
に位置することができる。これにより、図１１（ｂ）に
示すように、モールディング段階済みの樹脂封止部６０
の垂直側壁６１の下端には極めて微細なサイズのフラン
ジ部６１’のみが形成されるので、樹脂封止部６０の側
面の外観が良好であり、且つ側面下端部に接着強度を弱
化させる凹溝も生成されない長所がある。
【００５９】前述したように、本発明の第４目的を達成
するための好ましい一実施例によるボールグリッドアレ
イ半導体パッケージの製造方法によれば、モールディン
グ段階における樹脂封止部形成時に両面接着テープがキ
ャリアフレームの通孔内部に延伸されなくなるので、樹
脂封止部の外周縁が綺麗に形成されて外観が良好になる
のみならず、可撓性回路基板と樹脂封止部の接着力弱化
をもたらすことがなくなるため、半導体パッケージの信
頼性を向上させることができる。
【００６０】本発明の第５目的は図１２及び図１３に示
した方法によって達成されることができる。図１２は本
発明の製造方法における好ましい別の一実施例による、
複数の可撓性回路基板ユニット４０’に対するキャリア
フレーム付着段階を説明する説明図であり、可撓性回路
基板ストリップ４０を使用する代わりに可撓性回路基板
ユニット４０’を使用する点を除いては、図１の場合と
実質的に同一なので、その上記点に対してのみ主に説明
する。
【００６１】可撓性回路基板ユニット４０’はキャリア
フレーム８０の通孔８１及び両面接着テープ９０の通孔
９１の面積よりやや大きく形成され、可撓性回路基板ユ
ニット４０’上の回路パターン部４２のサイズは前記通
孔８１、９１のサイズと同一か、或いはさらに小さく形
成される。可撓性回路基板ユニット４０’が可撓性樹脂
フィルム４１上にボンドフィンガー（図示せず）及び伝
導性ボールランド４４を有する複数の伝導性トレース４
３’から構成される回路パターン部を形成させてなされ
るのは図１の場合と同一であり、キャリアフレーム付着
段階も実質的にそれと同一である。
【００６２】可撓性回路基板ユニット４０’の回路パタ
ーン部４２の外郭の三つの角には小さいピンホール４
９’が形成され、キャリアフレーム８０及び両面接着テ
ープ９０にもこれに対応する位置に三つの小さいピンホ
ール８９’及び９９’がそれぞれ形成される。これら小
さいピンホール４９’、８９’、９９’はキャリアフレ
ーム付着段階で可撓性回路基板ユニット４０’が正確に
所望する位置に位置するようにすることができる。この
ように可撓性回路基板ユニット４０’の回路パターン部
４２の外郭の三つの角に三つの小さいピンホール４９’
を形成させることは付着位置の取違えによる問題を防止
するためであり、このような位置取違えのおそれを除去
することができるなら、その位置または数は任意的であ
る。
【００６３】本実施例におけるキャリアフレーム付着段
階で、可撓性回路基板ユニット４０’上に形成された回
路パターン部４２は両面接着テープ９０の通孔９１及び
キャリアフレーム８０の通孔８１を通して露出されるよ
うに位置し、回路パターン４２部の外周縁領域に延長さ
れた可撓性樹脂フィルム４１は両面接着テープ９０の通
孔９１に隣接した底面外郭領域に接着される。図１３は
図１２に示したキャリアフレーム付着段階後の可撓性回
路基板ユニット４０’の付着状態を示す断面図であり、
複数個の可撓性回路基板ユニット４０’が両面接着テー
プ９０を介してキャリアフレーム８０のそれぞれの通孔
８１の下端領域に独立的に付着することを示している。
【００６４】このように一枚の独立的な可撓性回路基板
ユニット４０’をキャリアフレーム８０のそれぞれの通
孔８１に隣接した周辺領域に個別的に接着させることに
より、キャリアフレーム付着段階で加圧歯溝１３０によ
って可撓性回路基板ユニット４０’が押圧されても、押
圧される部分は回路パターン部４２を除いた極めて一部
の領域に限定されるので、可撓性樹脂フィルム４１の押
圧延伸による誤差発生のおそれなく所望する位置に正確
に位置させることが可能になる。前述したように、本発
明の第５目的を達成するための好ましい一実施例による
ボールグリッドアレイ半導体パッケージの製造方法によ
れば、一枚単位の可撓性回路基板ユニット形成段階を行
った後、これを用いてキャリアフレーム付着段階を行う
ことにより、回路パターンをキャリアフレームのそれぞ
れの通孔内に正確に位置させることができると同時に、
比較的高価の可撓性回路基板の消費を減らすことができ
るのでコストダウンが可能であり、これによって製造効
率及び生産の歩留まりを向上させることができる。
【００６５】本発明の第６目的は図１４及び図１５に示
した方法によって達成されることができる。図１４及び
図１５はそれぞれ、半導体チップ２０実装時に接着剤氾
濫防止用ダム３５を形成させた可撓性回路基板ユニット
４０’の平面図、及びこれを用いた本発明の別の好まし
い一実施例による製造方法によるボールグリッドアレイ
半導体パッケージ１０ｂの断面図であり、これらについ
て一緒に説明する。本実施例においては前述した他の実
施例におけるキャリアフレーム付着段階と半導体チップ
実装段階との間に、可撓性回路基板ユニット４０’上の
半導体チップ実装領域４６と伝導性トレース４３’の一
端のボンドフィンガー４３との間の領域に接着剤氾濫防
止用ダム３５を形成させるダム形成段階を行うことを特
徴とする。回路パターン部４２は伝導性ボールランド４
４及びボンドフィンガー４３を有する複数の伝導性トレ
ース４３’から構成され、伝導性ボールランド４４の底
面は可撓性樹脂フィルム４１上の微細貫通孔（図面符号
未付与）を通して露出されている。
【００６６】前記接着剤氾濫防止用ダム３５は可撓性樹
脂フィルム４１上の回路パターン部４２を成す伝導性ボ
ールランド４４または伝導性トレース４３’が互いに導
通されないようにエポキシなどのような樹脂接着剤に無
機シリカなどを添加させた非伝導性の物質を使用し、そ
の高さは約２０〜１００μ範囲に形成させる。また、接
着剤氾濫防止用ダム３５の占有位置は全てのボンドフィ
ンガー４３から一定距離離隔した内側に位置設定され、
少なくとも接着層３０によって接着される半導体チップ
２０の底面外周縁のサイズより大きく形成することによ
り、多様なサイズの半導体チップ２０が接着剤氾濫防止
用ダム３５の形成領域の内部に接着されることができる
ようにすることが望ましい。ここで、接着剤氾濫防止用
ダム３５の高さが約１００μｍを超過する場合には後続
の電気的接続段階で伝導性ワイヤ５０が接触して不良を
誘発することができるので望ましくなく、２０μｍ未満
の場合には接着層３０を成す接着剤が氾濫してブリード
されるおそれがあるのでやはり望ましくない。このよう
なブリージング現象が発生して回路パターン部４２のボ
ンドフィンガー４３部分を汚染させると、後続の電気的
接続段階における伝導性ワイヤ５０などのボンディング
がなされないか、或いはボンディングされたとしても伝
導性ワイヤ５０などの前端凝力が低下して完成製品の信
頼性を低下させるので望ましくない。
【００６７】図１６は図１４及び図１５に示した本発明
の製造方法によって製造されるボールグリッドアレイ半
導体パッケージ１０ｂの側断面図であり、硬化して接着
層３０を成す接着剤を印刷回路基板４０’の半導体チッ
プ実装領域に塗布して半導体チップ２０を実装する時、
前記接着剤が半導体チップ実装領域４６の外側に染み出
るブリードアウト現象を防止することができるように接
着剤氾濫防止用ダム３５をもっている点を除いては、図
５に示した半導体パッケージ１０の構造と実質的に同一
なので、これに対する説明は略する。前述したように、
本発明の第６目的を達成するための好ましい一実施例に
よるボールグリッドアレイ半導体パッケージの製造方法
によれば、キャリアフレーム付着段階後半導体チップ実
装段階前に接着層を成す接着剤氾濫防止用ダムを形成さ
せるダム形成段階を付加的に行うことによって後続の電
気的接続段階を高い信頼性で行うことができる。
【００６８】本発明の第７目的は図１７〜図１９に示し
た方法によって達成されることができる。図１７〜図１
９は本発明の製造方法において好ましい別の一実施例に
よる選択的な位置確認用標識（４４’）の表示位置を例
示する底面図であり、このような位置確認用標識表示段
階は可撓性回路基板ストリップ（またはユニット）形成
段階中或いは段階後に形成させることができる。本実施
例においては可撓性回路基板４０’の底面にアレイ形態
に配列される複数の伝導性ボールランド４４に基準ラン
ドの位置を確認することのできる位置確認用標識４４’
を形成させる。このような位置確認は半導体パッケージ
製造工程中或いは完成パッケージのメインボード（図示
せず）への実装時の位置取違えによる不良発生可能性を
排除させる点において重要である。
【００６９】このような位置確認用標識４４’は可撓性
回路基板４０’の底面にアレイ形態に配列される伝導性
ボールランド４４の直径より小さいサイズの直径からな
るランドに形成されるか、或いは既存の伝導性ボールラ
ンド４４のアレイのうち一つのランド４４を形成させい
ないことによってなされることができる。このような位
置確認用標識４４’のサイズは制限的でない。このよう
な位置確認用標識４４’の位置は制限的でないが、アレ
イされた伝導性ボールランド４４’の一方の側コーナ部
の内側に位置させるか（図１７）、一方の側コーナ部の
外側に位置させる（図１９）ことが容易な確認のために
望ましい。また、内側或いは最外側にアレイされた伝導
性ボールランド４４のうちいずれか一つのランド４４を
形成させないこと（図１８）も前記標識４４’として機
能することができる。
【００７０】前述したように、本発明の第７目的を達成
するための好ましい一実施例によるボールグリッドアレ
イ半導体パッケージの製造方法によれば、可撓性回路基
板ストリップ（またはユニット）形成段階中或いはその
段階後に位置確認用標識表示段階をまた行うことによ
り、半導体パッケージの製造中或いは１個の完成パッケ
ージに分離された後にも基準ランドによって正位置方向
を容易に認識することができるので、製造工程中の不良
発生を未然に防止することができる。
【００７１】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明のボール
グリッドアレイ半導体パッケージの製造方法によれば、
工程効率性及び製造の歩留まりを高めることができると
同時に、完成した半導体パッケージの信頼性を高めるこ
とのできる新規有用な発明である。
【００７２】発明の効果を上げると以下のようになる。 (1) 可撓性回路基板に形成されている回路パターンの外
郭の微細な伝導性トレースの変形または損傷を防止して
ショートのおそれを最小化できる。 (2) シングレーション時に樹脂封止部の側面に対するク
ラック誘発のおそれなくキャリアフレームを容易に分離
させられる。また高熱による半導体パッケージの湾曲現
象による樹脂封止部へのクラック発生や界面剥離発生の
おそれを著しく緩和させることができる。 (3) シングレーション時のシングレーションツールによ
る樹脂封止部への打撃によるクラック誘発のおそれなく
安全に行うことができる。 (4) モールディング段階における樹脂封止部形成時に両
面接着テープがキャリアフレームの通孔内部に延伸され
なくなり、接着力弱化の原因がなくなり半導体パッケー
ジの信頼性を向上させることができる。 (5) 一枚単位の可撓性回路基板ユニット形成段階を行っ
た後、キャリアフレーム付着段階を行うときは、回路パ
ターンをキャリアフレームにそれぞれ正確に通孔内に位
置させることができ、比較的高価の可撓性回路基板の消
費を減らし、製造効率及び生産の歩留りを向上させるこ
とができる。 (6) キャリアフレーム付着段階後半導体チップ実装段階
前に接着層を成す接着剤氾濫防止用ダムを形成させるダ
ム形成段階を設けて後続の電気的接続段階を高い信頼性
で行うことができる。 (7) 可撓性回路基板ストリップまたはユニット形成段階
中、或いはその段階後に位置確認用標識表示段階を行い
半導体パッケージの製造中あるいは分離された後にも基
準ランドによって正位置方向を容易に認識できるので製
造工程中の不良発生を未然に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法における可撓性回路基板スト
リップに対するキャリアフレーム付着段階を説明する説
明図である。
【図２】図１に示したキャリアフレーム付着段階後の可
撓性回路基板ストリップの付着状態を示す断面図であ
る。
【図３】本発明の好ましい一実施例によるボールグリッ
ドアレイ半導体パッケージの製造方法を説明する逐次断
面図である。
【図４】本発明の好ましい一実施例によるボールグリッ
ドアレイ半導体パッケージの製造方法を説明する逐次断
面図である。
【図５】（ａ）は図１〜図４に示した製造方法によって
製造されるボールグリッドアレイ半導体パッケージの側
断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿った部分
側面図である。
【図６】上狭下広形傾斜内壁を有する通孔の設けられた
キャリアフレームを用いた本発明の別の好ましい一実施
例によるボールグリッドアレイ半導体パッケージの製造
方法を説明する断面図である。
【図７】上狭下広形傾斜内壁を有する通孔の設けられた
キャリアフレームを用いた本発明の別の好ましい一実施
例によるボールグリッドアレイ半導体パッケージの製造
方法を説明する断面図である。
【図８】図６、図７に示した製造方法によって製造され
るボールグリッドアレイ半導体パッケージの側断面図で
ある。
【図９】本発明の製造方法におけるシングレーション段
階を示す側断面図である。
【図１０】本発明の製造方法における別の好ましい一実
施例による、可撓性回路基板ストリップに対するキャリ
アフレーム付着段階を示す説明図である。
【図１１】図１０に示したキャリアフレーム付着段階を
用いた本発明の好ましい一実施例によるボールグリッド
アレイ半導体パッケージの製造方法を説明する側断面図
である。
【図１２】本発明の製造方法における好ましい別の一実
施例による、複数の可撓性回路基板ユニットに対するキ
ャリアフレーム付着段階を説明する説明図である。
【図１３】図１２に示したキャリアフレーム付着段階後
の可撓性回路基板ユニットの付着状態を示す断面図であ
る。
【図１４】本発明の別の一実施例であり、半導体チップ
実装時接着剤氾濫防止用ダムを形成させた可撓性回路基
板の平面図である。
【図１５】図１４の製造方法によるボールグリッドアレ
イ半導体パッケージの側断面図である。
【図１６】図１４及び図１５に示した本発明の製造方法
によって製造されるボールグリッドアレイ半導体パッケ
ージの側断面図である。
【図１７】本発明の製造方法における好ましい別の一実
施例による選択的な位置確認用標識の表示位置を例示す
る底面図である。
【図１８】本発明の製造方法における好ましい別の一実
施例による選択的な位置確認用標識の表示位置を例示す
る底面図である。
【図１９】本発明の製造方法における好ましい別の一実
施例による選択的な位置確認用標識の表示位置を例示す
る底面図である。
【符号の説明】
１０，１０ａ，１０ｂ 本発明の製造方法によるボール
グリッドアレイ半導体パッケージ ２０ 半導体チップ ２０ａ 入出力パッド ３０ 接着層 ３５ ダム ４０ 可撓性回路基板ストリップ ４０’ 可撓性回路基板ユニット ４１ 可撓性樹脂フィルム ４２ 回路パターン（部） ４３ ボンドフィンガー ４３’ 伝導性トレース ４４ 伝導性ボールランド ４４’ 位置確認用標識 ４５ ダイパッド ４６ 半導体チップ接着領域 ４９ ピンホール ５０ 伝導性ワイヤ ６０ 樹脂封止部 ６１ 垂直側壁 ６０ａ 第１傾斜面 ６０ｂ 第２傾斜面 ７０ 伝導性ボール ８０ キャリアフレーム ８１ 通孔 ８１ａ 上狭下広形傾斜内壁 ８３ ガイドホール ８９ ピンホール ９０ 両面接着テープ ９１ 通孔 ９９ ピンホール １００ パンチ １０１ ノッチ １１０ シングレーションツール １１１ 傾斜底面 １２０ ジグ １２１ ピン １３０ 加圧歯溝 １４０ａ 上部モールド １４０ｂ 下部モールド
フロントページの続き (72)発明者 ロバート ダビーウクス アメリカ合衆国 アリゾナ 85224 チャ ンドール スート100 ノース アルマ スクール ロード 1347

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 可撓性樹脂フィルムストリップ上にボン
    ドフィンガー及び伝導性ボールランドを有する複数の伝
    導性トレースからなる複数個の回路パターン部の設けら
    れた可撓性回路基板ストリップ形成段階と、 前記可撓性回路基板ストリップ上の複数個の回路パター
    ン部に対応する領域に複数個の通孔の設けられた両面接
    着テープを使用して、前記複数個の回路パターン部に対
    応する領域に複数個の通孔の設けられたキャリアフレー
    ムを、前記回路パターン部が露出されるように前記可撓
    性回路基板ストリップ上に接着させるキャリアフレーム
    付着段階と、 前記複数個の回路パターン部それぞれの中央に複数の入
    出力パッドを有する半導体チップを接着させる半導体チ
    ップ実装段階と、 前記半導体チップの入出力パッドと前記回路パターン部
    のボンドフィンガーを電気的に連結させる電気的接続段
    階と、 前記半導体チップ及び電気的接続手段を外部環境から保
    護するための樹脂封止部を形成させるモールディング段
    階と、 前記可撓性回路基板の底面の伝導性ボールランドに入出
    力端子としての複数の伝導性ボールを融着させる伝導性
    ボール融着段階と、 前記樹脂封止部の側端に隣接した可撓性回路基板部分の
    底面にパンチを用いて前記可撓性樹脂フィルム及び前記
    両面接着テープにノッチを形成させた後、前記樹脂封止
    部の上方から押圧して、前記キャリアフレームを脱落さ
    せると同時に、一つの半導体パッケージに分離させるシ
    ングレーション(singulation) 段階と、から構成される
    ことを特徴とするボールグリッドアレイ（Ball Grid Ar
    ray:ＢＧＡ）半導体パッケージの製造方法。
  2. 【請求項２】 前記シングレーション段階でノッチを金
    属キャリアフレームの底面にも形成させることを特徴と
    する請求項１記載のボールグリッドアレイ半導体パッケ
    ージの製造方法。
  3. 【請求項３】 前記シングレーション段階で金属キャリ
    アフレームの脱落時にノッチの外側で上方に加圧するこ
    とを特徴とする請求項１または請求項２記載のボールグ
    リッドアレイ半導体パッケージの製造方法。
  4. 【請求項４】 前記シングレーション段階でノッチによ
    る切断面と樹脂封止部との間の伝導性トレース長さが、
    １個単位で分離された半導体パッケージの機能検査を行
    うことのできる最小限の長さをもつように形成されるこ
    とを特徴とする請求項１または請求項２記載のボールグ
    リッドアレイ半導体パッケージの製造方法。
  5. 【請求項５】 前記シングレーション段階でノッチを正
    方形の４辺に直線状、正方形の４つの角面を取る形状、
    或いはその組合せ形状に形成させることを特徴とする請
    求項１または請求項２記載のボールグリッドアレイ半導
    体パッケージの製造方法。
  6. 【請求項６】 前記キャリアフレーム付着段階において
    通孔が上狭下広形の傾斜内壁を有するキャリアフレーム
    を用いて行われ、これにより前記モールディング段階で
    形成される樹脂封止部の側壁が多段傾斜面をもつように
    形成されることを特徴とする請求項１記載のボールグリ
    ッドアレイ半導体パッケージの製造方法。
  7. 【請求項７】 前記シングレーション段階において、樹
    脂封止部の上方からの押圧が傾斜底面をもつシングレー
    ションツールによって行われることを特徴とする請求項
    １記載のボールグリッドアレイ半導体パッケージの製造
    方法。
  8. 【請求項８】 前記キャリアフレーム付着段階におい
    て、両面接着テープに形成される通孔の幅をキャリアフ
    レームに形成される通孔の幅より大きく形成させた両面
    接着テープ及びキャリアフレームを用いて行われること
    を特徴とする請求項１記載のボールグリッドアレイ半導
    体パッケージの製造方法。
  9. 【請求項９】 前記両面接着テープの通孔の幅をキャリ
    アフレームの通孔の幅より２５〜７００μｍ程度大きく
    形成させることを特徴とする請求項８記載のボールグリ
    ッドアレイ半導体パッケージの製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記可撓性回路基板ストリップ形成段
    階の代わりに、可撓性樹脂フィルム上にボンドフィンガ
    ー及び伝導性ボールランドを有する複数の伝導性トレー
    スからなる回路パターン部の設けられた可撓性回路基板
    ユニット形成段階を行った後、 前記可撓性回路基板ユニット上の回路パターン部のサイ
    ズと少なくとも同じサイズの複数個の通孔が設けられた
    両面接着テープ及びキャリアフレームを使用して、前記
    回路パターン部が前記両面接着テープの通孔及びそれに
    対応する前記キャリアフレームの前記通孔を通して露出
    されるように前記可撓性回路基板ユニットに前記キャリ
    アフレームを接着させるキャリアフレーム付着段階を行
    うことを特徴とする請求項１記載のボールグリッドアレ
    イ半導体パッケージの製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記可撓性回路基板ユニットの回路パ
    ターン部の外郭の三つの角に位置確認用小ピンホールを
    形成させることを特徴とする請求項１０記載のボールグ
    リッドアレイ半導体パッケージの製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記キャリアフレーム付着段階と半導
    体チップ実装段階との間に、可撓性回路基板上の半導体
    チップ実装領域とボンドフィンガーとの間の領域に接着
    剤氾濫防止用ダムを形成させるダム形成段階を行うこと
    を特徴とする請求項１記載のボールグリッドアレイ半導
    体パッケージの製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記接着剤氾濫防止用ダムが非伝導性
    素材から形成され、高さが２０〜１００μｍであること
    を特徴とする請求項１２記載のボールグリッドアレイ半
    導体パッケージの製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記可撓性回路基板ストリップ形状段
    階中或いはその後に可撓性回路基板上のそれぞれの回路
    パターン部の底面に位置確認用標識を形成させる位置確
    認用標識表示段階を行うことを特徴とする請求項１記載
    のボールグリッドアレイ半導体パッケージの製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記位置確認用標識が伝導性ボールラ
    ンドの直径より小さい直径のランドから形成され、アレ
    イされた伝導性ボールランドの一方の側コーナ部の内側
    または外側に位置することを特徴とする請求項１４記載
    のボールグリッドアレイ半導体パッケージの製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記位置確認用標識が内側または最外
    側にアレイされた伝導性ボールランドのうちいずれか一
    つのランドを形成させないことにより標識として機能す
    るようにすることを特徴とする請求項１４記載のボール
    グリッドアレイ半導体パッケージの製造方法。
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