CN105643855B - 电子部件、其制造方法及制造装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于，提供一种以较高的生产率制造良好地遮蔽电磁波且具有良好散热性的电子部件。将在主面安装有多个电子元件的安装完成基板配置在上模，将形成有突出的导电性构件的带导电体的板状构件配置在下模的空腔的内底面。使导电性构件的上部从注入至空腔内的液状树脂露出。将上模与下模合模，使导电性构件弯曲并使其与接地布线图案接触，将金属细线、电子元件及安装完成基板的主面等浸泡于液状树脂，并使液状树脂硬化而使密封树脂成型，从而完成已密封的基板。对已密封的基板进行单片化而制造电子部件。导电性构件被液状树脂硬化时的压缩应力而按压至接地布线图案，从而使导电性构件确切地与接地布线图案电连接。

Description

电子部件、其制造方法及制造装置
技术领域
本发明涉及一种电子部件的制造装置及制造方法。
背景技术
在现有技术中，电子部件使用于移动电话等通信设备等中的高频电路等。该电子部件的制造方法，例如具有以下三个工序。第一工序是，在具有信号布线图案(pattern)、接地布线图案等表面布线图案的布线基板的上表面，载置集成电路(IC，IntegratedCircuit)等半导体元件等的电子元件的工序。接着，第二工序是，经由金属细线将设置于电子元件的上表面的连接电极与表面布线图案电连接的工序。接着，第三工序是，通过具有绝缘性的密封树脂来包覆电子元件的工序。
对于以往的电子部件而言，在组装至移动电话等通信设备内之后，由于受到配置在电子部件周围的其他电子部件的电磁影响或电子部件周围的热量等，存在误操作的可能性。特别是，电子部件使用于高频电路时误操作的可能性较高。因此，为了消除误操作的可能性，有一种具有用于从周围的电磁场、热量等保护电子部件的屏蔽(shield)部件的电子部件(专利文献1等)。作为这种电子部件的制造方法，例如，提出了包括以下工序的制造方法。首先是在布线基板上形成金属端子的工序。接着是，经由金属线(金属细线)将设置于芯片(chip)部件(电子元件)上表面的电极端子(连接电极)与基板上的衬垫(pad)部(表面布线图案)电连接的工序。其次是，在金属端子的上表面，形成由比在进行树脂密封时所使用的成型模更柔软的材料而制成的金属线的工序。接着，在使成型模与金属线接触并合模的状态下，通过密封树脂来对芯片部件及金属端子进行树脂密封的工序。之后是，以各设备为单位，通过切割机等来切割先前工序中所得到的树脂密封后的结构体，使其单片化的工序。接着是，对单片化了的结构体安装金属制屏蔽罩(shield case)的工序。通过该工序，使从密封树脂露出的金属线与金属制屏蔽罩电连接。
现有技术文献：
专利文献
专利文献1:日本国特开2009-289926号公报(参照段落[0005]、[0006]、[0007])
发明内容
发明要解决的课题
根据专利文献1所记载的使用屏蔽构件的电子部件的制造方法，分别需进行实施树脂密封的工序和安装屏蔽构件的工序。因此，电子部件的组装作业变得复杂。另外，必须设置至少两个与信号布线图案和接地布线图案的布线高度不同的金属线。因此，由此也使组装作业变得复杂。
本发明是鉴于上述课题而提出的，其目的在于提供一种在制造具有板状构件的电子部件时的生产率高，且通过所述板状构件，例如能够良好地遮蔽电磁波且具有良好的散热性的电子部件、其制造装置及制造方法。
解决课题的方法
本发明中的电子部件，
是包括安装完成基板、密封树脂、及带导电体的板状构件的电子部件，其特征在于，
所述安装完成基板包括：
电子元件、与所述电子元件的连接电极电连接的接合片(bonding pad)、及接地(ground)布线图案，
所述密封树脂用于覆盖并密封所述电子元件、所述接合片、及所述接地布线图案，
所述带导电体的板状构件包括导电性的板状构件、及安装在所述导电性的板状构件的导电性构件，
所述带导电体的板状构件固定在与所述密封树脂中的所述安装完成基板相反的一侧的面，
所述导电性构件与所述接地布线图案电连接，并且，由所述密封树脂覆盖并密封。
本发明中的第一电子部件的制造方法，
是使用压缩成型来制造电子部件的方法，其特征在于，具备：
准备安装完成基板的工序，所述安装完成基板包括电子元件、与所述电子元件的连接电极电连接的接合片、及接地布线图案；
准备带导电体的板状构件的工序，所述带导电体的板状构件包括导电性的板状构件、及安装在所述导电性的板状构件且从所述导电性的板状构件的主面突出的导电性构件；
将所述安装完成基板暂时固定在第一模的规定位置的工序；
将所述带导电体的板状构件配置在设置于第二模的空腔(cavity)的内底面的工序；
通过流动性树脂使所述空腔处于充满状态的工序；
将所述导电性构件的至少一部分浸渍于所述流动性树脂的工序；
在所述空腔被所述流动性树脂充满的状态下，通过使所述第一模与所述第二模合模，使所述接地布线图案与所述导电性构件接触的工序；
通过使所述第一模与所述第二模合模，将所述电子元件、所述接合片、及所述接地布线图案浸渍于所述流动性树脂的工序；
通过使所述流动性树脂硬化或凝固来形成密封树脂的工序；及
通过使所述第一模与所述第二模开模，将包括所述安装完成基板、所述带导电体的板状构件及所述密封树脂的电子部件从所述第二模分离的工序。
本发明中的第二电子部件的制造方法，
是使用传递模塑(transfer)成型或注射模塑成型来制造电子部件的方法，其特征在于，所述制造方法具备：
准备安装完毕基板的工序，所述安装完成基板包括电子元件、与所述电子元件的连接电极电连接的接合片、及接地布线图案；
准备带导电体的板状构件的工序，所述带导电体的板状构件包括导电性的板状构件、及安装在所述导电性的板状构件且从所述导电性的板状构件的主面突出的导电性构件；
将所述安装完成基板暂时固定在第一模的规定位置的工序；
将所述带导电体的板状构件配置在设置于第二模的空腔的内底面的工序；
通过使所述第一模与所述第二模合模，使所述接地布线图案与所述导电性构件接触的工序；
在所述第一模与所述第二模合模的状态下，通过向所述空腔注入流动性树脂，使所述导电性构件的至少一部分、所述电子元件、所述接合片及所述接地布线图案浸渍于所述流动性树脂的工序；
通过使所述流动性树脂硬化或凝固来形成密封树脂的工序；及
通过使所述第一模与所述第二模开模，使包括所述安装完成基板、所述带导电体的板状构件及所述密封树脂的电子部件从所述第二模分离的工序。
此外，以下，将本发明中的所述第一电子部件的制造方法和本发明中的所述第二电子部件的制造方法，合称为“本发明中的电子部件的制造方法”或“本发明的电子部件的制造方法”。另外，在本发明的电子部件的制造方法中，对进行所述各工序的顺序无特别限定。即，只要可以进行所述各工序，就可以在其他任意工序之前或之后进行，也可以与其他任意工序同时进行。
本发明中的电子部件的制造装置，是通过所述本发明的电子部件的制造方法制造电子部件的、电子部件的制造装置，其特征在于，具备：
暂时固定所述安装完成基板的所述第一模、及
具有空腔的所述第二模，其中：
可以在所述空腔的内底面配置所述带导电体的板状构件，并且，通过在所述空腔的内底面配置所述带导电体的板状构件，同时通过所述流动性树脂使所述空腔充满，由此可以使所述导电性构件的至少一部分浸渍于所述流动性树脂，
在所述第一模与所述第二模合模的状态下，可以使所述接地布线图案与所述导电性构件接触，并且，可以使所述电子元件、所述接合片、及所述接地布线图案浸渍于所述流动性树脂，
在所述第一模与所述第二模合模的状态下，可以使充满所述空腔的所述流动性树脂硬化或凝固，由此形成所述密封树脂，
通过使所述第一模与所述第二模开模，可以使包括所述安装完成基板、所述带导电体的板状构件及所述密封树脂的电子部件从所述第二模分离，
所述空腔设置有对位部，
通过设置在所述带导电体的板状构件的对位部、及所述空腔的对位部，可以使所述带导电体的板状构件与所述空腔对位。
发明的效果
根据本发明能够提供一种，制造具有板状部材的电子部件时的生产率高，并且通过所述板状构件，例如良好地遮蔽电磁波且具有良好的散热性的电子部件、其制造装置及制造方法。
附图说明
图1是示出本发明中的电子部件的结构的示意剖视图。
图2是示出用于制造本发明中的电子部件的工序的一部分的示意剖视图；图2(a)示出准备安装完成基板和带导电体的板状构件的工序；图2(b)示出将安装完成基板暂时固定在上模的工序；图2(c)示出将带导电体的板状构件配置在下模的工序。
图3是示出用于制造本发明中的电子部件的工序的一部分的示意剖视图；图3(a)示出向下模的空腔部注入液状树脂的工序；图3(b)示出将上模与下模进行合模，并使密封树脂硬化而进行成型的工序；图3(c)示出将上模与下模进行开模，并使下模与成型品(电子部件)分离的工序。
图4是示出本发明中的电子部件的制造方法的实施例2中的工序的一部分的示意剖视图；图4(a)示出将安装完成基板暂时固定在上模，并将带导电体的板状构件设置于下模的空腔部后，注入液状树脂的工序；图4(b)示出将上模与下模进行合模，并使密封树脂硬化而进行成型的工序；图4(c)将上模与下模进行开模，并使下模与成型品(电子部件)分离的工序。
图5是示出本发明中的成型品的单片化的示意剖视图；图5(a)示出使成型品(已密封的基板)单片化的工序；图5(b)示出在实施例2的工序中制造的电子部件。
附图标记说明
1 电子部件
2 布线基板
3 电子元件
4 密封树脂
5 板状构件
6 导电性构件
7 布线基板的主面
8 接合片
9 接地布线图案
10 连接电极
11 金属细线
12 安装完成基板
13 成型模
14 上模(第一模)
15 下模(第二模)
16 空腔
17 突起(第二对位部)
18 带导电体的板状构件
19 切口(第一对位部)
20 液状树脂
21 导电性构件
22 安装完成基板
23 安装完成基板的主面
24 带导电体的板状构件
25 带导电体的板状构件的主面
26 已密封的基板
27 旋转刀具
28 切割线
29 单片区域
具体实施方式
以下，举例进一步具体地说明本发明。但是，本发明并非通过以下说明进行限定。
在本发明的电子部件中，例如，所述密封树脂可以是通过流动性树脂的硬化或凝固来形成的树脂。另外，该情况下的本发明的电子部件例如可以是，在所述安装完成基板朝向所述带导电体的板状构件按压所述导电性构件的状态下，通过所述流动性树脂的硬化或凝固，使所述导电性构件与所述接地布线图案电连接的电子部件。另外，该情况下的本发明的电子部件例如也可以是，在所述流动性树脂硬化或凝固时的压缩应力将所述导电性构件朝向所述接地布线图案按压的状态下，通过所述流动性树脂的硬化或凝固，使所述导电性构件与所述接地布线图案电连接的电子部件。
在本发明的电子部件的制造方法中，例如，在形成所述密封树脂的工序中，也可以在所述安装完成基板朝向所述带导电体的板状构件按压所述导电性构件的状态下，使所述流动性树脂硬化或凝固。
在本发明的电子部件的制造方法中，例如，在形成所述密封树脂的工序中，也可以在所述流动性树脂硬化时的压缩应力使所述导电性构件朝向所述接地布线图案按压的状态下，使所述流动性树脂硬化或凝固。
在本发明的电子部件的制造装置中，如前所述，在所述空腔设置有对位部，并且通过设置在所述带导电体的板状构件的对位部和所述空腔的对位部，可使所述带导电体的板状构件与所述空腔对位。例如，所述带导电体的板状构件的对位部可以是形成在所述板状构件的凹部或孔，所述空腔的对位部可以是，具有与所述板状构件的凹部或孔相对应的形状且可嵌合于所述凹部或孔的凸部。另外，例如，所述带导电体的板状构件的对位部可以是形成在所述板状构件的凸部，所述空腔的对位部可以是，具有与所述板状构件的凸部相对应的形状且可嵌合于所述凸部的凹部。
以下，对本发明的具体实施例进行说明。但是，以下实施例并非限定本发明。
【实施例1】
基于附图对本发明的实施例1进行详细说明。为了使本申请文件中的所有附图便于理解，采用适当省略或夸张的方式示意性地示出。
图1表示本实施例中的电子部件的结构。图1所示的电子部件1具有：布线基板2、电子元件3、密封树脂4、作为电磁屏蔽板或散热板而发挥功能的板状构件5、及使布线基板2与板状构件5电连接的导电性构件6。
布线基板2是，层叠多个绝缘层和布线层而成的、具有矩形的平面形状的层叠体。在布线基板2的两面和绝缘层之间形成有电路布线，这些电路布线经由通路孔(via hole)导体等相互电连接。作为布线基板2例如可以例举，以环氧玻璃(epoxy glass)基板为基底(base)基板且分别具有由铜而成的布线、层间布线、通路孔导体的印刷电路板。布线基板2的主面7具有电源系统图案、信号系统、及电源系统的接合片8。电源系统图案包括“+”电源图案(未图示)和接地布线图案9。“+”电源图案、接地布线图案9和接合片8，经由布线基板2内部的通路孔导体等，与形成于布线基板2的下表面或侧面的外部连接导体(未图示)电连接。
由集成电路(IC，Integrated Circuit)等半导体元件而成的电子元件3，例如使用芯片焊接材料、导电性树脂来安装在布线基板2的主面7。在电子元件3的上表面形成有多个连接电极10。连接电极10通过呈环形的金属细线11与接合片8电连接。金属细线11例如由Au、Al、Cu等构成，并且对其直径没有特别限定，通常为18μm-35μm。
作为电磁屏蔽板或散热板而发挥功能的板状构件5由黄铜、铜、铝、软钎料、导电性树脂等导电性构件构成，并且具有长方形或正方形状。板状构件5面向布线基板2的主面7而配置。作为板状构件5可以使用以如下方式形成的构件：在具有绝缘性的板状构件的至少一侧的表面，通过非电解镀层、蒸镀、网板印刷(screen printing)等方法来使黄铜、铜、铝、软钎料、导通性树脂等形成为膜状。板状构件5的形状也可以呈壁部设置于板的箱状。在这种情况下，如图1所示，优选板状构件5的壁部从板状构件5的两端或中间部向下方延伸，并且其壁部的下端与接地布线图案9电连接。
在板状构件5的一侧的表面(与布线基板2的主面7面向的面)形成有导电性构件6。导电性构件6用于使布线基板2的接地布线图案9与板状构件5电连接。作为导电性构件6的材料，例如使用金、黄铜、铜、铝、软钎料及导电性树脂等。图1是示出作为导电性构件6使用通过引线接合(wire bonding)来形成的环状金属细线的例子。导电性构件6优选具有比金属细线11更大的直径。导电性构件6具有从板状构件5的一侧表面突出的环状、拱状、柱状、螺旋状、球体状、带状、箔状，丝带状及壁状等形状。
密封树脂4作为用于密封电子元件3、连接电极10、金属细线11、“+”电源图案(未图示)、接地布线图案9、接合片8、布线基板2的主面7及导电性构件6的密封树脂而发挥功能。作为密封树脂4，例如使用如环氧树脂、硅酮树脂等的热固性树脂、或热塑性树脂。
对本实施例中的电子部件的制造方法进行说明。图2、图3是按照工序顺序示出制造方法的概要图。
电子部件通过树脂密封如图2(a)所示安装完成基板12来制造。图2(b)所示的用于树脂密封的成型模13具有上模14及下模15。上模14至少具有用于固定安装完成基板12的固定件(未图示)或吸附机构(未图示)之一。下模15具有空腔16。在空腔16内的底面的角落，设置有用于使带导电体的板状构件(后述)相对于空腔16进行对位的突起17。
首先，如图2(a)所示，准备以下两个构件(中间体)。第一构件是安装完成基板12。安装完成基板12安装有电子元件3。电子元件3的连接电极10与布线基板2的电源系统图案及接合片8，通过金属细线11电连接。
第二构件是，在板状构件5形成有导电性构件6的带导电体的板状构件18。由环状金属细线而成的导电性构件6通过引线接合来形成(安装)在带导电体的板状构件18的平面部。导电性构件6例如可以与板状构件5直接接触。另外，导电性构件6例如也可以不与板状构件5直接接触，而经由某种导体与板状构件5电连接。在带导电体的板状构件18的角落预先形成有用于进行对位的切口19。
接着，如图2(b)所示，通过固定件或吸附机构，在上模14中的规定位置暂时固定安装完成基板12。规定位置是指，在俯视时空腔16包括在安装完成基板12的主面7内的位置。
接着，如图2(c)所示，在构成空腔16的下模15的内底面(以下称作“空腔16的内底面”)，空腔16和带导电体的板状构件18通过空腔16的突起17和带导电体的板状构件18的切口19(参照图2(a))来进行对位。
接着，如图3(a)所示，注入常温下为液状的绝缘性的液状树脂(流动性树脂)20，使其覆盖配置在空腔16(参照图3(c))的内底面的带导电体的板状构件18。作为液状树脂20，例如使用热固性树脂。在该工序中，使液状树脂20不附着在导电性构件6的上部。使导电性构件6的上部从注入至空腔16的液状树脂20的上表面露出。换言之，将导电性构件6预先设定成其上部从注入至空腔16(参照图3(c))的液状树脂20的上表面露出，并进行引线接合。
接着，如从图3(a)所示的状态至图3(b)所示那样，将上模14与下模15进行合模。由此，首先，安装于板状构件5的主面(在图中为上表面)的导电性构件6弯曲的同时与接地布线图案9接触。接着，将安装完成基板12的主面7中的电子元件3、接合片8、“+”电源图案(未图示)、接地布线图案9及金属细线11浸渍(浸泡)于液状树脂20。最后，使注入至空腔16的液状树脂20与安装完成基板12的主面7接触。以合模的状态保持一定时间(至少20秒以上)。其间，对液状树脂20进行加压的同时使用设置在下模15的加热器(未图示)，从而以规定的硬化温度对液状树脂20进行加热。由此，如图3(a)、图3(b)所示，使液状树脂20硬化而使由硬化树脂构成的密封树脂4成型。
接着，如图3(c)所示，将上模14与下模15进行开模。由此，使下模15与所成型的电子部件1分离。通过至此为止的工序，完成了由成型品构成的电子部件1。
根据本实施例，使带导电体的板状构件18所具有的导电性构件6的上部，从注入有液状树脂4的上表面露出。由此，能够使导电性构件6确切地与接地布线图案9接触，从而能够在导电性构件6被安装完成基板12的主面7(具体为接地布线图案9)按压的状态下使液状树脂20硬化。因此，通过导电性构件6能够确切地使板状构件5与接地布线图案9电连接。换言之，被液状树脂20硬化时的压缩应力按压的导电性构件6与接地布线图案9接触。因此，能够将导电性构件6更加确切且强有力地按压在接地布线图案9。
根据本实施例，在进行树脂密封的工序中，并行进行：板状构件5与接地布线图案9的电连接；和板状构件5的固定。因此，制造电子部件时的生产率提高。特别是，在使板状构件5的形状为箱状的情况下，能够得到具有良好地遮蔽电磁波的特性与良好的散热性的电子部件。
【实施例2】
基于图4、图5详细说明本发明的实施例2。本实施例中的电子部件的制造方法是，使用与实施例1不同的导电性构件来制造电子部件的方法。并且，根据本实施例，在布线基板安装至少两个以上的电子元件2，而且通过使已树脂密封的成型品单片化来能够制造多个电子部件。
如图4(a)所示，作为导电性构件21，将通过软钎料来固定在与板状构件5的平面部相垂直的方向上的铜板作为一例进行说明。图4、图5示出本实施例的制造方法。
首先，如图4(a)所示，配置以下两个构件(中间体)。第一构件是安装完成基板22。在安装完成基板22安装有多个电子元件3。在上模14中的规定位置配置安装完成基板22。规定位置是指，在俯视时空腔16包括在安装完成基板22的主面23内(参照图4(c))的位置。第二构件是，在板状构件5形成有导电性构件21的、带导电体的板状构件24。在下模15的空腔16的内底面配置带导电体的板状构件24。另外，在下模15的空腔16内注入液状树脂20，使其覆盖板状构件5。使导电性构件21的上部从注入至空腔16的液状树脂20的上表面露出。换言之，将导电性构件21预先设定成其上部从注入至空腔16的液状树脂20的上表面露出，并通过软钎料将导电性构件21固定在板状构件5。
接着，如从图4(a)所示的状态至图4(b)所示那样，将上模14与下模15进行合模。由此，首先，安装于带导电体的板状构件24的主面25的导电性构件21弯曲的同时与接地布线图案9接触。接着，将安装完成基板22的主面23中的电子元件3、接合片8、接地布线图案9、“+”电源图案(未图示)及金属细线11浸渍(浸泡)于液状树脂20。最后，使注入至空腔16的液状树脂20与安装完成基板22的主面23接触。以合模的状态保持一定时间(至少20秒以上)。其间，对液状树脂20进行加压的同时使用设置在下模15的加热器(未图示)加热。由此，如图4(a)、图4(b)所示，使液状树脂20硬化而使由硬化树脂构成的密封树脂4成型。
接着，如图4(c)所示，将上模14与下模15进行开模。由此，使下模15与所成型的已密封的基板26分离。
接着，如图5(a)所示，将已密封的基板26临时固定在工作台(未图示)。使用旋转刀具27，沿着已密封的基板26中的假想切割线28，以Y方向(图中的前-后方向)和X方向(图中的左右方向)切割已密封的基板26。由此，以单片区域29为单位分离已密封的基板26，并使其单片化。如图5(b)所示，已密封的基板26被单片化，从而完成电子部件1。
根据本实施例，能够得到与实施例1相同的效果。并且，制造电子部件时的生产率进一步提高。
在各实施例中，以进行树脂密封时的压缩成型为例子。作为成型方法可以使用传递模塑成型或注射模塑成型。也可以在成型模的上模或下模中的一个或两者设置空腔。
在各实施例中，使导电性构件6、21的上部从液状树脂20露出。但并不限定于此，也可在导电性构件6、21完全浸泡于液状树脂20的状态下使上模14与下模15合模。此时，在结束合模的状态下，预先设定导电性构件6、21的高度，以使导电性构件6、21被安装完成基板12的主面7(具体而言，为接地布线图案9)按压。可以将钎焊电镀后的导线、钎焊膏等用作导电性构件6、21。由此，通过导电性构件能够使板状构件5确切地与接地布线图案9电连接。
在将软钎料(包括钎焊膏、钎焊电镀后的金属)用作导电性构件6的情况下，优选使用在使液状树脂20硬化的规定硬化温度下熔化的软钎料。由此，在被液状树脂20硬化时的压缩应力按压的导电性构件6与接地布线图案9接触的状态下，软钎料熔化，并且在树脂密封后通过电子部件1的冷却来使软钎料硬化。因此，通过硬化的软钎料能够使板状构件5确切地与接地布线图案9电连接。
为了使带导电体的板状构件18、24与空腔16对位，例如可以使用如下三个方法。第一，使空腔16的内底面的形状与带导电体的板状构件18的平面形状相同，并略大于其平面形状。第二，通过冲压加工等预先在板状构件形成凹部或孔，并在空腔16的内底面预先设置具有与该凹部或孔相对应的形状的销或突起等。第三，通过冲压加工等预先在板状构件形成突出部，并在空腔16的内底面预先设置具有与该突出部相对应的形状的凹部。
作为树脂材料，可列举液状树脂的例子。本发明中所使用的树脂材料可以为，使用颗粒、粉末及小块(tablet)状等固体树脂并对其加热使之熔化，由此所形成的流动性树脂。另外，作为树脂材料虽列举了热固性树脂的一例，但也可使用热塑性树脂来替代热固性树脂。另外，在使用热塑性树脂以替代热固性树脂的情况下，也可以冷却熔化树脂(流动性树脂)使其凝固来取代基于加热而使液状树脂硬化的情况。
密封树脂4的平面形状也可以为长方形以外的形状。配合密封树脂4的平面形状，板状构件5或带导电体的板状构件19的形状也可以为长方形以外的形状。例如，板状构件5或带导电体的板状构件19的形状为，圆形、或设置有在圆形平面的平行方向上突出的部分的形状、或设置有在圆形平面的平行方向上切开的部分的形状。
作为电子元件3，可以使用功率晶体管、功率二极管、CMOS传感器等。
作为电子元件3的电连接方法，列举引线接合的一例。作为连接方法也可采用倒装式接合(flip chip bonding)等。
列举由半导体元件构成的电子元件3的一例。电子元件3也可以是电阻器、电容器、电感器(inductor)等无源元件。并且，也可以组合电子元件3和无源元件。
也可以使用导电性粘结剂，将由Cu、Al等而成且具有适当的基部和立起部的箔、或薄板粘贴于接地布线图案9。也可以使用导电性粘结剂，将由Cu、Al等而成的导线粘贴于接地布线图案9。也可以使用喷嘴，将钎焊膏等导电性的流动性材料喷至接地布线图案9之上。
列举印刷电路板的一例。布线基板2也可以是陶瓷基板、金属基底基板及引线框等。
在实施例2中，列举了在与板状构件的平面部垂直的方向上，通过钎焊膏粘合铜板的导电性构件21的一例。作为导电性构件21，可以使用包围电子部件的产品区域的框状的导电性构件。另外，作为导电性构件21也可以使用：在电子部件区域具有将电子元件3一部分包围的板状(壁状)的形状的金属板等。
应当认为此次所公开的实施方案在所有方面均为示例，并非限制性的内容。本发明的范围通过权利要求书进行表示并非通过上述说明表示，意在包括与权利要求书均等的意义及范围内的所有变更。例如，如图2(b)、图2(c)所示，即使将通过固定件或吸附机构来暂时地将布线基板安装在上模14的规定位置的工序、与将具有预先形成的所述导电性构件6的板状构件5安装在下模15的密封区域内的工序调换，也可以制造相同的电子部件。

Claims (6)

1.一种电子部件的制造方法，其是使用压缩成型制造电子部件的方法，其特征在于，所述电子部件的制造方法具备：
准备安装完成基板的工序，所述安装完成基板包括电子元件、与所述电子元件的连接电极电连接的接合片、及接地布线图案；
准备带导电体的板状构件的工序，所述带导电体的板状构件包括导电性的板状构件、及安装在所述导电性的板状构件且从所述导电性的板状构件的主面突出的导电性构件；
将所述安装完成基板暂时固定在第一模的规定位置的工序；
将所述带导电体的板状构件配置在设置于第二模的空腔的内底面的工序；
通过流动性树脂使所述空腔处于充满状态的工序；
将所述导电性构件的至少一部分浸渍于所述流动性树脂并且使所述导电性构件的上部从所述流动性树脂的上表面露出的工序；
在所述空腔被所述流动性树脂充满的状态下，通过使所述第一模与所述第二模合模，使所述接地布线图案与所述导电性构件接触的工序；
通过使所述第一模与所述第二模合模，使所述电子元件、所述接合片、及所述接地布线图案浸渍于所述流动性树脂的工序；
在使所述导电性部件在横向方向上弯曲的状态下，使所述流动性树脂硬化或凝固来形成密封树脂的工序；及
通过使所述第一模与所述第二模开模，将包括所述安装完成基板、所述带导电体的板状构件及所述密封树脂的电子部件从所述第二模分离的工序。
2.根据权利要求1所述的电子部件的制造方法，其特征在于：
在形成所述密封树脂的工序中，在所述安装完成基板将所述导电性构件朝向所述带导电体的板状构件按压的状态下，使所述流动性树脂硬化或凝固。
3.根据权利要求1所述的电子部件的制造方法，其特征在于：
在形成所述密封树脂的工序中，在所述流动性树脂硬化时的压缩应力将所述导电性构件朝向所述接地布线图案按压的状态下，使所述流动性树脂硬化或凝固。
4.一种电子部件的制造装置，其是通过权利要求1至3中任一项所述的制造方法制造电子部件的、电子部件的制造装置，其特征在于，所述电子部件的制造装置具备：
暂时固定所述安装完成基板的所述第一模；及
具有空腔的所述第二模，其中：
可以在所述空腔的内底面配置所述带导电体的板状构件，并且，通过在所述空腔的内底面配置所述带导电体的板状构件，同时通过所述流动性树脂使所述空腔充满，从而可以使所述导电性构件的至少一部分浸渍于所述流动性树脂，并且使所述导电性构件的上部从所述流动性树脂的上表面露出；
在所述第一模与所述第二模合模的状态下，可以在使所述导电性部件在横向方向上弯曲的状态下，使所述接地布线图案与所述导电性构件接触，并且，可以使所述电子元件、所述接合片、及所述接地布线图案浸渍于所述流动性树脂；
在所述第一模与所述第二模合模的状态下，可以使充满所述空腔的所述流动性树脂硬化或凝固，由此形成所述密封树脂；
通过使所述第一模与所述第二模开模，可以使包括所述安装完成基板、所述带导电体的板状构件及所述密封树脂的电子部件从所述第二模分离；
在所述空腔设置有对位部；
通过设置在所述带导电体的板状构件的对位部、和所述空腔的对位部，可以使所述带导电体的板状构件与所述空腔对位。
5.根据权利要求4所述的电子部件的制造装置，其特征在于：
所述带导电体的板状构件的对位部是形成在所述导电性的板状构件的凹部或孔；
所述空腔的对位部是，具有与所述导电性的板状构件的凹部或孔对应的形状、且可与所述凹部或孔嵌合的凸部。
6.根据权利要求4所述的电子部件的制造装置，其特征在于：
所述带导电体的板状构件的对位部是形成在所述导电性的板状构件的凸部；
所述空腔的对位部是，具有与所述导电性的板状构件的凸部对应的形状、且可与所述凸部嵌合的凹部。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106003385B (zh) * 2016-07-12 2018-09-11 苏州宏泉高压电容器有限公司 一种高压陶瓷电容器瓷介质芯片成型用冲压模具
JP6672113B2 (ja) * 2016-09-09 2020-03-25 Ｔｏｗａ株式会社 電子回路装置及び電子回路装置の製造方法
JP2018113399A (ja) * 2017-01-13 2018-07-19 Ｔｏｗａ株式会社 回路部品の製造方法および回路部品
TWI667745B (zh) * 2018-02-05 2019-08-01 南茂科技股份有限公司 半導體封裝結構
TWI655891B (zh) * 2018-03-08 2019-04-01 綠點高新科技股份有限公司 電子模組及其製造方法及電子裝置的殼體及其製造方法
US11239179B2 (en) 2018-11-28 2022-02-01 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package and fabrication method thereof
US10896880B2 (en) 2018-11-28 2021-01-19 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and fabrication method thereof
US10923435B2 (en) 2018-11-28 2021-02-16 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and improved heat-dissipation performance
JP6802314B2 (ja) * 2018-11-28 2020-12-16 宗哲 蔡 半導体パッケージ及びその製造方法
TWI744572B (zh) 2018-11-28 2021-11-01 蔡憲聰 具有封裝內隔室屏蔽的半導體封裝及其製作方法
US11211340B2 (en) 2018-11-28 2021-12-28 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and active electro-magnetic compatibility shielding
CN112750796A (zh) 2019-10-30 2021-05-04 新光电气工业株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法
EP4184566A1 (en) * 2021-11-19 2023-05-24 Nexperia B.V. A semiconductor device and a method of manufacturing such semiconductor device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1441489A (zh) * 2002-02-26 2003-09-10 精工爱普生株式会社 半导体装置及其制造方法、电路板和电子仪器
CN101404277A (zh) * 2007-10-03 2009-04-08 夏普株式会社 多芯片模块
CN101617400A (zh) * 2007-01-31 2009-12-30 富士通微电子株式会社 半导体器件及其制造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6580167B1 (en) * 2001-04-20 2003-06-17 Amkor Technology, Inc. Heat spreader with spring IC package
JP4519398B2 (ja) * 2002-11-26 2010-08-04 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止方法及び半導体装置の製造方法
JP5248918B2 (ja) 2008-05-28 2013-07-31 新光電気工業株式会社 電子部品装置及びその製造方法
JP6071216B2 (ja) * 2012-02-28 2017-02-01 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂封止用材料の製造方法及び樹脂封止装置
JP6362834B2 (ja) * 2012-07-17 2018-07-25 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1441489A (zh) * 2002-02-26 2003-09-10 精工爱普生株式会社 半导体装置及其制造方法、电路板和电子仪器
CN101617400A (zh) * 2007-01-31 2009-12-30 富士通微电子株式会社 半导体器件及其制造方法
CN101404277A (zh) * 2007-10-03 2009-04-08 夏普株式会社 多芯片模块

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