JP2016036028A - リフレクター、リフレクター付きリードフレーム、半導体発光装置、及び樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】要求される耐熱性、反射率等の基本性能を少なくとも維持したままで、基板との優れた密着性を有するリフレクターを提供すること。【解決手段】本発明に係るリフレクターは、樹脂と、白色顔料及び繊維状フィラーを含む無機フィラーを含有する樹脂組成物から成形されてなる光反射面を有するリフレクターであって、該繊維状フィラーの径方向の断面積が１μｍ２以上１００μｍ２以下であり、ＴＧ−ＤＴＡ法に基づく熱重量／示差熱同時分析装置を用いて、該リフレクターの加熱前の質量を測定した後、大気雰囲気下において、１０℃／分で６００℃まで昇温した後に６００℃で３０分間加熱して残る灰分量が加熱前の該リフレクターの全質量基準で７０質量％以上９０質量％以下である。【選択図】なし

Description

本発明は、リフレクター、リフレクター付きリードフレーム、半導体発光装置、及び樹脂組成物に関する。

従来、電子部品を基板等に実装させる方法として、所定の場所に予め半田が点着された基板上に電子部品を仮固定した後、この基板を赤外線、熱風等の手段により加熱して半田を溶融させて電子部品を固定する方法（リフロー法）が採用されている。この方法により基板表面における電子部品の実装密度を向上させることができる。

また、半導体発光装置の一つであるＬＥＤ素子は、小型で長寿命であり、省電力性に優れることから、表示灯等の光源として広く利用されている。そして近年では、より輝度の高いＬＥＤ素子が比較的安価に製造されるようになったことから、蛍光ランプ及び白熱電球に替わる光源としての利用が検討されている。このような光源に適用する場合、大きな照度を得るために、表面実装型ＬＥＤパッケージ、即ち、アルミニウム等の金属製の基板（ＬＥＤ実装用基板）上に複数のＬＥＤ素子を配置し、各ＬＥＤ素子の周りに光を所定方向に反射させるリフレクター（反射体）を配設する方式が多用されている。

しかし、ＬＥＤ素子は発光時に発熱を伴うため、このような方式のＬＥＤ照明装置では、ＬＥＤ素子の発光時の温度上昇によりリフレクターが劣化してその反射率が低下することで輝度が低下し、ＬＥＤ素子の短寿命化等を招くこととなる。従って、リフレクターには耐熱性が要求されることとなる。

上記耐熱性の要求に応えるべく、特許文献１では、発光ダイオードのリフレクターに用いるポリマー組成物を提案し、具体的には、ポリフタルアミド、カーボンブラック、二酸化チタン、ガラス繊維、及び酸化防止剤を含むポリマー組成物を開示している。そして、当該組成物について熱老化後の反射率を測定し、カーボンブラックを含有しないポリマー組成物に比べて、当該組成物では良好な反射率が得られ、黄変も少ないことを示している。しかし、特許文献１に記載のポリマー組成物の熱老化試験は１７０℃で３時間という短時間での評価であり、より長時間の実用的な条件での耐熱耐久性で良好な結果が得られるかどうかは不明である。
また、特許文献２では、光半導体素子と蛍光体等の波長変換手段とを組み合わせた光半導体装置に用いる熱硬化性光反射用樹脂組成物が開示されている。この特許文献２に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物の熱老化試験は１５０℃で５００時間というより実用的な条件で検証しているが、成形時間が９０秒と熱可塑性樹脂に比べ長く、またポストキュアとして１５０℃で２時間が必要なため、生産性に問題があった。

これらの問題点を解決するために、特許文献３では、オレフィン樹脂と、分子量が１０００以下であるアリル系置換基を有する架橋処理剤と、球状溶融シリカ、ガラス繊維等の無機粒子と、白色顔料とを含む樹脂組成物が記載されている。また、このような樹脂組成物は、優れた耐熱性を有するために、リフロー工程を経てリフレクター等の成形体を作製する場合に有用であることが記載されている。

しかし、上述した樹脂組成物に、無機粒子としてガラス繊維を用いて、例えば、リフレクターを作製した場合、リフレクターの要求厚みが薄くなるにつれて、リフレクターの変形が顕著になり、リフレクターと基板との密着性が悪化することが明らかになってきた。この場合、パッケージされたＬＥＤ素子の封止が不完全になり、発光装置としての寿命が短くなると推定される。
そこで、無機粒子としてガラス繊維を用いた場合に、要求される耐熱性等の基本性能を少なくとも維持したままで、基板との優れた密着性を有するリフレクターが求められている。

特表２００６−５０３１６０号公報 特開２００９−１４９８４５号公報 特開２０１３−１６６９２６号公報

本発明は、要求される耐熱性、反射率等の基本性能を少なくとも維持したままで、基板との優れた密着性を有するリフレクターを提供することを課題とする。

本発明者等は、径方向において特定の断面積を有する繊維状フィラーを用いることにより、前記課題を解決した。すなわち、本発明は、下記のものを提供することである。

樹脂と、白色顔料及び繊維状フィラーを含む無機フィラーとを含有する樹脂組成物から成形されてなる光反射面を有するリフレクターであって、該繊維状フィラーの径方向の断面積が１μｍ^２以上１００μｍ^２以下であり、ＴＧ−ＤＴＡ法に基づく熱重量／示差熱同時分析装置を用いて、該リフレクターの加熱前の質量を測定した後、大気雰囲気下において、１０℃／分で６００℃まで昇温した後に６００℃で３０分間加熱して残る灰分量が加熱前の該リフレクターの全質量基準で７０％以上９０％以下である。

本発明によれば、要求される耐熱性、反射率等の基本性能を少なくとも維持したままで、基板との優れた密着性を有するリフレクターを提供することができる。

本発明の実施形態に係る半導体発光装置の一例を示す概略断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体発光装置の一例を示す概略断面図である。

以下に、本発明の実施形態について、添付した図面を参照して説明するが、本発明は、この実施形態により限定されるものではない。なお、本明細書において、好ましいとされている規定は任意に採用することができ、好ましいもの同士の組み合わせはより好ましいと言える。
［１．リフレクター］
本発明の実施形態に係るリフレクターは、樹脂と、白色顔料及び繊維状フィラーを含む無機フィラーとを含有する樹脂組成物（以下では、リフレクター用樹脂組成物ということがある）から成形されてなる光反射面を有するリフレクターであって、該繊維状フィラーの径方向の断面積が１μｍ^２以上１００μｍ^２以下であり、ＴＧ−ＤＴＡ法に基づく熱重量／示差熱同時分析装置を用いて、該リフレクターの加熱前の質量を測定した後、大気雰囲気下において、１０℃／分で６００℃まで昇温した後に６００℃で３０分間加熱して残る灰分量が加熱前の該リフレクターの全質量基準で７０質量％以上９０質量％以下である。
本実施形態に係るリフレクターの灰分量が７０質量％未満であると、リフロー工程において要求される耐熱性を満足することができない。また、灰分量が９０質量％を超えると、リフレクターの成形性が低下する。
上述の観点から、上記灰分量の下限値は、７２質量％であることが好ましく、７５質量％であることがより好ましい。また、上記灰分量の上限値は、８８質量％であることが好ましく、８５質量％であることがより好ましい。
本発明の実施形態に係るリフレクターは、主として、半導体発光装置のＬＥＤ素子からの光をレンズ（出光部）の方へ反射させる作用を有するものである。
本実施形態に係るリフレクターは、後述する半導体発光装置と組み合わせて用いてよいし、他の材料からなる半導体発光装置、ＬＥＤ実装用基板等と組み合わせて用いてもよい。リフレクターの詳細については、図１及び図２を用いて後述する半導体発光装置に適用されるリフレクター（図１及び図２におけるリフレクター１２）と同じであるため、ここでは省略する。
本実施形態に係るリフレクターは、種々の用途に適用することができる。例えば、耐熱性絶縁膜、耐熱性離型シート、太陽電池の光反射シートやＬＥＤを始めとした照明、テレビ用の光源のリフレクター等に適用することができる。特に、ＬＥＤの場合には、光半導体素子の密封性が、該半導体素子の寿命に影響を与えるが、本実施形態に係るリフレクターは、密着性が良好で、高い密封性が得られるため、ＬＥＤに好ましく適用できる。さらには、リードフレームをエッチング及びハーフエッチングで加工して作成され、素子の設置部の裏面を電極として利用するメタルサブストレート型ＬＥＤに、より好適に適用できる。

次に、リフレクターの構成要素について、詳細に説明する。
［２．リフレクター用樹脂組成物］
本発明の実施形態に係るリフレクターの光反射面の成形に用いることのできるリフレクター用樹脂組成物は、少なくとも、樹脂と、白色顔料及び繊維状フィラーを含む無機フィラーとを含有する。

＜樹脂＞
本実施形態で使用可能な樹脂としては、光反射面の成形に用いることのできる樹脂であればよく、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリスチレン等が挙げられる。なかでも、ポリオレフィン樹脂を用いることが好ましい。樹脂は単独で用いてもよいし、異なる樹脂をブレンドして使用することも可能である。さらには、異なるモノマーから得られたブロックポリマー、コポリマー、ターポリマーを利用してもよい。
ポリオレフィン樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、ノルボルネン誘導体を開環メタセシス重合させた樹脂あるいはその水素添加樹脂等が挙げられる。中でも、ポリオレフィン樹脂として、ポリエチレン、ポリプロピレン、環状構造を含むポリエチレン、環状構造を含むポリプロピレン、及びポリメチルペンテンから選択される少なくとも１つが好ましい。
ポリメチルペンテンは、融点が２３０〜２４０℃と高く、成形温度が２８０℃程度でも分解せず、耐薬品性及び電気絶縁性に優れているという特性を有する。このような特性を考慮すると、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン樹脂は、例えば、半導体発光装置のリフレクターに好適に使用できる。

ポリメチルペンテン樹脂としては、４−メチルペンテン−１の単独重合体が好ましいが、４−メチルペンテン−１と他のα−オレフィン、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−オクタデセン、１−エイコセン、３−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ペンテン等の炭素数２〜２０のα−オレフィンとの共重合体であって、４−メチル−１−ペンテンを主体とした共重合体でもよい。

本実施形態において、リフレクター用樹脂組成物に使用可能なポリオレフィン樹脂は、重量平均分子量が２２０，０００〜８００，０００であることが好ましい。
ポリオレフィン樹脂の重量平均分子量が上記範囲にあると、ポリオレフィン樹脂を含むリフレクター用樹脂組成物を成形して得られるリフレクター等の成形体のクラック発生を抑えることができ、例えば、リフロー工程におけるリフレクターの破壊等を防止できる。
また、ポリオレフィン樹脂を含むリフレクター用樹脂組成物の成形性の観点から、重量平均分子量の下限値は、好ましくは２３０，０００以上、より好ましくは２４０，０００以上である。また、重量平均分子量の上限値は、好ましくは７００，０００以下、より好ましくは６５０，０００以下である。
なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエイションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算の重量平均分子量が好ましい。ただし、再現性よく重量平均分子量を測定することができる手法であれば、これに限定されない。例えば、適切な溶媒で抽出した材料を例示した方法で重量平均分子量を測定することができる。
ＧＰＣによる重量平均分子量の測定条件の一例は、下記のとおりである。
溶離液：ｏ−ジクロロベンゼン
温度：１４０〜１６０℃
流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
試料濃度：１．０ｇ／Ｌ
注入量：３００μＬ

＜無機フィラー＞
本実施形態において、リフレクター用樹脂組成物に使用可能な無機フィラーは、白色顔料と、繊維状フィラーとを含む。以下、無機フィラーについて説明する。
（白色顔料）
本実施形態において、リフレクター用樹脂組成物に使用可能な白色顔料としては、酸化チタン、硫化亜鉛、酸化亜鉛、硫化バリウム、チタン酸カリウム等を単独もしくは混合して用いることが可能である。
白色顔料は、当該樹脂組成物から得られる成形体に白色系の色調を付与するために用いられるものであり、特にその色調を高度の白色とすることにより、成形体の光線反射率を向上させることができる。成形体がリフレクターである場合には、良好な光線反射率が要求されるため、白色顔料としては、入手が容易で、光線反射率にも優れる酸化チタンを用いることが好ましい。
白色顔料の平均粒径は、成形性を考慮し、かつ高い反射率を得る観点からは、一次粒度分布において０．１０μｍ以上０．５０μｍ以下であることが好ましく、０．１０μｍ以上０．４０μｍ以下であることがより好ましく、０．２１μｍ以上０．２５μｍ以下であることがさらに好ましい。平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における質量平均値Ｄ５０として求めることができる。

（繊維状フィラー）
本実施形態において、リフレクター用樹脂組成物に使用可能な無機フィラーは、繊維状フィラーを含むことを要し、繊維状フィラーの径方向の断面積が１μｍ^２以上１００μｍ^２以下であることを要する。繊維状フィラーの径方向の断面積が１μｍ^２未満であると、フィラー強度低下により加工時に繊維長方向で破損、折れやすくなり、長さが短くなる結果、十分な補強効果が得られず、耐熱性が低下する。
繊維状フィラーの断面積を測定する方法は、いくつかあるが、本実施形態における繊維状フィラーの断面積は、半導体発光装置のリフレクターを破断し、その破断面をＳＥＭ観察して得られた実測値から算出するものとする。
すなわち、ＳＥＭ像において、リフレクターの断面に現れている繊維状フィラーの径長を測定する。フィラーの断面が楕円形状であった場合には、この楕円の長径と短径とを測定し、長径と短径の比が０．８以上１．２以下のものを対象とし、少なくとも１０個の断面についての平均値を繊維状フィラーの断面積とする。
測定により得られた径長から繊維状フィラーの断面積を算出する際には、径長は、有効数字３桁まで測定するものとする。また、断面積は、繊維状フィラーの断面のうち、断面積の小さいものから測定総数の５０％のものについての平均値として算出し、算出後の数値の３桁目を四捨五入して測定値とする。

繊維状フィラーの径方向の断面積が１００μｍ^２を超えると、樹脂中での流動性が低下することにより、リフレクターと基板の界面付近まで均一に充填されにくくなり、繊維状フィラーが界面近傍に存在しなくなることにより界面付近の強度が低下、半導体発光装置等に用いた場合にリフレクターと基板との密着性が低下する。
上記観点から、繊維状フィラーの径方向の断面積の下限値は、好ましくは、３０μｍ^２であり、より好ましくは、３５μｍ^２である。また、繊維状フィラーの径方向の断面積の上限値は、好ましくは、８５μｍ^２であり、より好ましくは、５０μｍ^２である。
繊維状フィラーとしては、アスベスト繊維、炭素繊維、グラファイト繊維、金属繊維、スラグ繊維、石膏繊維、シリカ繊維、シリカ−アルミナ繊維、ジルコニア繊維、窒化ホウ素繊維、窒化珪素繊維、ホウ素繊維、ガラス繊維等が挙げられる。
これらのなかでも、リフレクターの光反射面を形成し、光線反射率を向上させる観点から、繊維状フィラーが二酸化ケイ素を６０質量％以上含むガラス繊維であることが好ましい。繊維状フィラーにおける二酸化ケイ素の割合は、６５質量％以上であることがより好ましく、７０質量％以上であることがさらに好ましい。
繊維状フィラーの断面形状は、一般的な、略円形状であってもよいし、扁平形状等の異形断面であってもよい。さらに断面形状、断面積が一定の繊維でなくともよい。この場合の断面績は長さ方向に異なる断面積を平均して得られた断面積として規定される。
一例として、繊維状フィラーがガラス繊維の場合には、断面のサイズとしては、上述の断面積の規定を満足し、かつ断面の短径Ｄ１が０．５μｍ以上２５μｍ以下、長径Ｄ２が０．５μｍ以上３００μｍ以下、Ｄ１に対するＤ２の比Ｄ２／Ｄ１が１．０以上３０以下であることが好ましい。また、ガラス繊維の平均繊維長は、０．７５μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましい。このようなガラス繊維は、ミルドファイバーとも呼ばれ、長繊維を粉砕して得ることができる。

（その他の無機フィラー）
本実施形態においては、リフレクター用樹脂組成物に、白色顔料及び繊維状フィラーのほか、通常、熱可塑樹脂組成物；エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂のような熱硬化樹脂組成物に無機フィラーとして配合可能なものであって、リフレクターとしての反射特性を阻害しないものであれば、単独若しくは混合して使用することができる。
一例としては、ホウ酸アルミニウムウィスカー、マグネシウム系ウィスカー、珪素系ウィスカー、ワラストナイト、イモゴライト、セピオライト、ゾノライト、シリカ粒子、層状珪酸塩、有機オニウムイオンで交換された層状珪酸塩、ガラスフレーク、非膨潤性雲母、グラファイト、金属箔、セラミックビーズ、クレイ、マイカ、セリサイト、ゼオライト、ベントナイト、ドロマイト、カオリン、粉末珪酸、長石粉、シラスバルーン、石膏、ノバキュライト、ドーソナイト及び白土フラーレン等のカーボンナノ粒子等の板状や粒子状の無機フィラーが挙げられる。

＜架橋処理剤＞
本実施形態において、リフレクター用樹脂組成物は、さらに架橋処理剤を含有していてもよい。樹脂組成物が架橋処理剤を含む場合には、リフレクターの形状に成形した後、電子線を照射させてリフレクターを得る。これにより、本実施形態に係るリフレクターに、より優れた耐熱性を付与できる。
架橋処理剤は、飽和もしくは不飽和の少なくとも１つの環構造を有し、環構造を形成する原子のうち少なくとも１つの原子に、アリル基、メタリル基、連結基を介したアリル基、及び連結基を介したメタリル基のいずれかのアリル系置換基が結合した構造を有する。
本実施形態における樹脂組成物は、かかる構造を有する架橋処理剤を含有することにより、良好な電子線硬化性を発揮し、優れた耐熱性を有する。
飽和もしくは不飽和の環構造としては、シクロ環、ヘテロ環、芳香環等が挙げられる。環構造を形成する原子の数は、３〜１２であることが好ましく、５〜８であることがより好ましく、６員環であることがさらに好ましい。環構造の数は１〜３であることが好ましく、１又は２であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。

架橋処理剤の分子量は、１０００以下であることが好ましく、５００以下であることがより好ましく、３００以下であることがさらに好ましい。分子量が１０００以下であることで、樹脂組成物中において良好な分散性が得られ、電子線照射による有効な架橋反応を起こすことが可能となる。
架橋処理剤の融点は、使用するポリオレフィン樹脂の融点以下であることが好ましく、例えば、２００℃以下であることが好ましい。

上述した架橋処理剤であれば、成形時の流動性に優れるため、樹脂組成物の成形温度を低下させ熱負荷を軽減したり、成形時の摩擦を軽減したり、白色顔料を含む無機フィラーの含有率を増やすことができる。

架橋処理剤における連結基としては、エステル結合、エーテル結合、アルキレン基、（ヘテロ）アリーレン基等が挙げられる。環を形成する原子のうちアリル系置換基と結合しない原子は、水素、酸素、窒素等が結合した状態、又は種々の置換基が結合した状態となっている。

本実施形態において、リフレクター用樹脂組成物に使用可能な架橋処理剤としては、当該架橋処理剤の１つの環を形成する原子のうち少なくとも２つの原子に、それぞれ独立に、アリル系置換基が結合されていることが好ましい。また環構造が６員環である場合、当該環を形成する原子のうちの少なくとも２つの原子に、それぞれ独立に、アリル系置換基が結合されていることが好ましく、１つのアリル系置換基が結合された原子のメタ位に他のアリル系置換基が結合されていることが好ましい。
さらに、架橋処理剤は、下記式（１）又は（２）で表されることが好ましい。

（式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^３はそれぞれ独立に、アリル基、メタリル基、エステル結合を介したアリル基、及びエステル結合を介したメタリル基のいずれかのアリル系置換基である。）

（式（２）中、Ｒ^１〜Ｒ^３はそれぞれ独立に、アリル基、メタリル基、エステル結合を介したアリル基、及びエステル結合を介したメタリル基のいずれかのアリル系置換基である。）

上記式（１）で表される架橋処理剤としてはトリアリルイソシアヌレート、メチルジアリルイソシアヌレート、ジアリルモノグリシジルイソシアヌル酸、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、トリメタリルイソシアヌレート等が挙げられる。
上記式（２）で表される架橋処理剤としてはオルトフタル酸のジアリルエステル、イソフタル酸のジアリルエステル等が挙げられる。

また、本実施形態においては、ポリオレフィン樹脂に対して、成形性、リフレクターとしての物性値を改善する目的で、必要に応じてエラストマーをブレンドしてもよい。
エラストマーは、ガラス転移温度が４０℃以下の重合体であって、通常のゴム質重合体及び熱可塑性エラストマーが含まれる。なお、ブロック共重合したゴム質重合体等でガラス転移温度が２点以上ある場合は、最も低いガラス転移温度が４０℃以下であれば本発明のガラス転移温度が４０℃以下のゴム質重合体として用いることができる。

エラストマーの例としては、イソプレンゴム、その水素添加物；クロロプレンゴム、その水素添加物；エチレン・プロピレン共重合体、エチレン・α−オレフィン共重合体、プロピレン・α−オレフィン共重合体等の飽和ポリオレフィンゴム；エチレン・プロピレン・ジエン共重合体、α−オレフィン・ジエン共重合体、イソブチレン・イソプレン共重合体、イソブチレン・ジエン共重合体等のジエン系共重合体、これらのハロゲン化物、ジエン系重合体又はそのハロゲン化物の水素添加物；アクリロニトリル・ブタジエン共重合体、その水素添加物；フッ化ビニリデン・三フッ化エチレン共重合体、フッ化ビニリデン・六フッ化プロピレン共重合体、フッ化ビニリデン・六フッ化プロピレン・四フッ化エチレン共重合体、プロピレン・四フッ化エチレン共重合体等のフッ素ゴム；ウレタンゴム、シリコーンゴム、ポリエーテル系ゴム、アクリルゴム、クロルスルホン化ポリエチレンゴム、エピクロルヒドリンゴム、プロピレンオキサイドゴム、エチレンアクリルゴム等の特殊ゴム；ノルボルネン系単量体とエチレン又はα−オレフィンの共重合体、ノルボルネン系単量体とエチレンとα−オレフィンの三元共重合体、ノルボルネン系単量体の開環重合体、ノルボルネン系単量体の開環重合体水素添加物等のノルボルネン系ゴム質重合体；乳化重合又は溶液重合したスチレン・ブタジエン・ゴム、ハイスチレンゴム等のランダム又はブロック・スチレン・ブタジエン系共重合体、これらの水素添加物；スチレン・ブタジエン・スチレン・ゴム、スチレン・イソプレン・スチレン・ゴム、スチレン・エチレン・ブタジエン・スチレン・ゴム等の芳香族ビニル系モノマー・共役ジエンのランダム共重合体、これらの水素添加物；スチレン・ブタジエン・スチレン・ゴム、スチレン・イソプレン・スチレン・ゴム、スチレン・エチレン・ブタジエン・スチレン・ゴム等の芳香族ビニル系モノマー・共役ジエンの直鎖状又は放射状ブロック共重合体、それらの水素添加物等のスチレン系熱可塑性エラストマーをはじめ、ウレタン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系熱可塑性エラストマー、１，２−ポリブタジエン系熱可塑性エラストマー、塩化ビニル系熱可塑性エラストマー、フッ素系熱可塑性エラストマー等の熱可塑性エラストマー；等のうち、主成分となる脂環構造含有熱可塑性樹脂と非相溶のものが挙げられる。

これらの中でも、芳香族ビニル系モノマーと共役ジエン系モノマーの共重合体、及びその水素添加物が、脂環構造含有熱可塑性樹脂との分散性がよいため、好ましい。芳香族ビニル系モノマーと共役ジエン系モノマーの共重合体はブロック共重合体でもランダム共重合体でも良い。耐候性の点から芳香環以外の部分を水素添加しているものがより好ましい。具体的には、スチレン・ブタジエンブロック共重合体、スチレン・ブタジエン・スチレン・ブロック共重合体、スチレン・イソプレン・ブロック共重合体、スチレン・イソプレン・スチレン・ブロック共重合体、及びこれらの水素添加物、スチレン・ブタジエン・ランダム共重合体及びこれらの水素添加物等が挙げられる。

本実施形態において、リフレクター用樹脂組成物には、該リフレクター用樹脂組成物から成形されてなるリフレクターの機能を損なわない限りにおいて、種々の添加剤を含有させることができる。例えば、樹脂組成物の性質を改善する目的で、種々のウィスカー、シリコーンパウダー、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、脂肪酸エステル、グリセリン酸エステル、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム等の内部離型剤や、ベンゾフェノン系、サリチル酸系、シアノアクリレート系、イソシアヌレート系、シュウ酸アニリド系、ベンゾエート系、ヒンダートアミン系、ベンゾトリアゾール系、フェノール系等の酸化防止剤や、ヒンダードアミン系、ベンゾエート系等の光安定剤といった添加剤を配合することができる。

また、リフレクター用樹脂組成物には、上述した添加剤のほかにも、シランカップリング剤のような分散剤を配合することができる。シランカップリング剤としては、例えば、ヘキサメチルジシラザン等のジシラザン；環状シラザン；トリメチルシラン、トリメチルクロルシラン、ジメチルジクロルシラン、メチルトリクロルシラン、アリルジメチルクロルシラン、トリメトキシシラン、ベンジルジメチルクロルシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、及びビニルトリアセトキシシラン等のアルキルシラン化合物；γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、及びＮ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン等のアミノシラン化合物；等が挙げられる。

本実施形態において、リフレクター用樹脂組成物は、上述したポリオレフィン樹脂と、白色顔料及び繊維状フィラーを含む無機フィラーとを溶融混練し、ペレット等の造粒物に成形されていてもよい。溶融混練方法としては、溶融混練押出機、２本ロールあるいは３本ロール、ホモジナイザー、プラネタリーミキサー等の撹拌機、ポリラボシステムやラボプラストミル等の溶融混練機等の公知の溶融混練方法を用いることができる。

＜リフレクター用樹脂組成物中の各成分の含有率＞
本実施形態において用いられるリフレクター用樹脂組成物において、樹脂の含有率は、リフレクター用樹脂組成物の全質量基準で７質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。樹脂の含有率の下限値は、より好ましくは１０質量％であり、さらに好ましくは１１質量％である。また、樹脂の含有率の上限値は、より好ましくは２８質量％であり、さらに好ましくは２５質量％以下である。樹脂の含有率が上記範囲であれば、樹脂組成物を成形する際の成形性を保ちながら、耐熱性の優れた成形体とすることができる。
本実施形態において、リフレクター用樹脂組成物中における無機フィラー含有率は、リフレクター用樹脂組成物の全質量基準で、７０質量％以上が好ましく、より好ましくは、７２質量％以上であり、さらに好ましくは７５質量％以上である。無機フィラー含有率の上限値は、成形性の観点から９０質量％程度である。無機フィラー含有率が７０質量％以上であれば、リフロー工程において要求される耐熱性を満足することができる。
また、白色顔料の含有量は、リフレクターの光反射率、強度、成形反り等の製品性能の観点から、樹脂１００質量部に対し、２００質量部超、５００質量部以下とすることが好ましい。また、３００質量部以上４８０質量部以下であることがより好ましく、３５０質量部以上４５０質量部以下であることがさらに好ましい。
白色顔料の含有量が樹脂１００質量部に対して２００質量部超であれば、リフレクターの光反射率、強度、成形反り等において十分な製品性能が得られる。また、５００質量部以下であれば、無機成分が多く含まれることによる加工性の悪化、或いは、成形状態の悪化を防止することができる。
また、無機フィラー中の白色顔料の含有量を上記範囲にすることで、該リフレクター用樹脂組成物から成形されてなるリフレクターの色調を白色系とすることができ、リフレクターとして好適な光線反射率が得られる。
無機フィラー中の繊維フィラーの含有量は、樹脂１００質量部に対し、１０質量部以上３００質量部以下であることが好ましく、３０質量部以上２００質量部以下であることがより好ましく、５０質量部以上１８０質量部以下であることがさらに好ましい。
無機フィラー中の繊維フィラーの含有量を上記範囲にすることで、リフレクターとして好適な光線反射率を阻害することなく、リフロー工程において要求される耐熱性を満足することができる。
本実施形態において、リフレクター用樹脂組成物に架橋処理剤を含有する場合には、架橋処理剤の含有量は、樹脂１００質量部に対して、１５質量部以上４０質量部以下、好ましくは１５質量部以上３０質量部以下、より好ましくは１６質量部以上２０質量部以下とすることができる。架橋処理剤が上記範囲内であれば、架橋前の成形体から架橋処理剤をブリードアウトさせることなく、架橋を効果的に行うことができる。

＜リフレクター用樹脂組成物の燃焼後の灰分量＞
本実施形態において、リフレクター用樹脂組成物の、ＴＧ−ＤＴＡ法に基づく灰分量が加熱前のリフレクター用樹脂組成物の全質量基準で７０質量％以上９０質量％以下であることを要する。
ここで、ＴＧ−ＤＴＡ法に基づく灰分量とは、上述した条件と同様に、熱重量／示差熱同時分析装置を用いて、該リフレクター用樹脂組成物の加熱前の質量を測定した後、大気雰囲気下において、１０℃／分で６００℃まで昇温した後に６００℃で３０分間加熱して残る灰分量である。
リフレクター用樹脂組成物の灰分が７０質量％未満であると、リフロー工程において要求される耐熱性、及び必要な反射率を満足することができない。また、灰分量が９０質量％を超えると、リフレクターの成形性が低下する。
上述の観点から、上記灰分量の下限値は、７２質量％であることが好ましく、７５質量％であることがより好ましい。また、上記灰分量の上限値は、８８質量％であることが好ましく、８５質量％であることがより好ましい。

本実施形態において、リフレクター用樹脂組成物からリフレクターを成形するには、トランスファー成形、圧縮成形、射出成形等の成形方法を用いることができる。例えば、射出成形方法を用いる場合、シリンダー温度２００〜４００℃、金型温度２０〜１５０℃で射出成形してリフレクターの形状の成形体を得ることができる。架橋処理剤を使用した場合には、得られた成形体に電子線照射処理を施すことにより、より硬化されたリフレクターを得ることができる。このように、電子線照射処理を行うことによりリフレクターの耐熱性を一層高めることができる。
なお、電子線照射処理は、成形前のリフレクター用樹脂組成物に施してもよく、その電子線照射処理後のリフレクター用樹脂組成物をリフレクターとして所望の形状に成形してもよい。

電子線の加速電圧については、リフレクター用樹脂組成物の大きさや、成形後のリフレクターの厚みに応じて適宜選定し得る。例えば、厚みが１ｍｍ程度のリフレクターの場合、通常、２５０〜３０００ｋＶ程度の加速電圧で、使用した架橋処理剤を架橋し、硬化させることができる。なお、電子線の照射においては、加速電圧が高いほど透過能力が増加するため、基材として電子線により劣化する基材を使用する場合には、電子線の透過深さと成形体の厚みが実質的に等しくなるように、加速電圧を選定することにより、成形体への余分の電子線の照射を抑制することができ、過剰電子線による成形体の劣化を最小限にとどめることができる。また、電子線を照射する際の吸収線量は樹脂組成物の組成により適宜設定されるが、成形体中の架橋密度が飽和する量が好ましく、照射線量は５０〜６００ｋＧｙであることが好ましい。
さらに、電子線源としては、特に制限はなく、例えばコックロフトワルトン型、バンデグラフト型、共振変圧器型、絶縁コア変圧器型、あるいは直線型、ダイナミトロン型、高周波型等の各種電子線加速器を用いることができる。

［３．リフレクター付きリードフレーム］
本発明の実施形態に係るリフレクター付きリードフレームは、上述した光反射面を有するリフレクターを備えるリフレクター付きリードフレームであって、該光反射面が、上述した樹脂と、白色顔料及び繊維状フィラーを含む無機フィラーとを含有する樹脂組成物から成形されてなり、該繊維状フィラーの径方向の断面積が１μｍ^２以上１００μｍ^２以下であり、ＴＧ−ＤＴＡ法に基づく熱重量／示差熱同時分析装置を用いて、該リフレクターの加熱前の質量を測定した後、大気雰囲気下において、１０℃／分で６００℃まで昇温した後に６００℃で３０分間加熱して残る灰分量が加熱前の該リフレクターの全質量基準で７０質量％以上９０質量％以下である。
本実施形態に係るリフレクター付きリードフレームは、リードフレームに、上述したリフレクター用樹脂組成物を射出成形によって所望のリフレクター形状に成形することで製造することができる。
ここで、リードフレームとは、リフレクターを載置するための基板を示す。リードフレームは、半導体発光装置の分野で基板として用いられるものあればいかなるものであっても使用可能である。リードフレームの材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライト、ガラス等の焼結体から構成されるセラミック等を挙げることができる。これ以外にも、ポリイミド樹脂等のフレキシブル性を有する樹脂材料等を挙げることができる。特に金属で形成されたリフレクター用基板をリードフレームと称する。なお、リードフレームに形成された端子部等の形状は、ハーフエッチングにより形成されていてもよい。
リフレクター用基板を形成する金属材料としては、アルミニウム、銅及び銅の合金が用いられる。また、反射率の向上のため、銀等の反射率が高い貴金属によりめっきされていてもよい。
また、本実施形態に係るリフレクター付リードフレームの厚さは、０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であることが好ましい。

［４．半導体発光装置］
本発明の実施形態に係る半導体発光装置を、図１に例示する。本実施形態に係る半導体発光装置は、光半導体素子１０と、この光半導体素子１０の周りに設けられ、光半導体素子１０からの光を所定方向に反射させる光反射面を有するリフレクター１２とを基板１４上に有する。光半導体素子１０は、ＬＥＤ素子又はＬＥＤパッケージであることが好ましい。半導体発光装置において、リフレクター１２は、上述のリフレクターに相当し、光反射面の少なくとも一部（図１の場合は全部）は、上述したリフレクター用樹脂組成物からなる成形体で構成されている。

光半導体素子１０は、放射光（一般に、白色光ＬＥＤにおいてはＵＶ又は青色光）を放出する、例えば、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＰ又はＧａＮからなる活性層を、ｎ型及びｐ型のクラッド層により挟んだダブルヘテロ構造を有する半導体チップ（発光体）であり、例えば、一辺の長さが０．５ｍｍ程度の六面体の形状をしている。そして、ワイヤーボンディング実装の形態の場合には、リード線１６を介して不図示の電極（接続端子）に接続されている。

リフレクター１２の形状は、レンズ１８の端部（接合部）の形状に準じており、通常、角形、円形、楕円形等の筒状又は輪状である。図１の概略断面図においては、リフレクター１２は、筒状体（輪状体）であり、リフレクター１２のすべての端面が基板１４の表面に接触、固定されている。
なお、リフレクター１２の内面は、光半導体素子１０からの光の指向性を高めるために、テーパー状に上方に広げられていてもよい（図１参照）。
また、リフレクター１２は、レンズ１８側の端部を、当該レンズ１８の形状に応じた形に加工された場合には、レンズホルダーとしても機能させることができる。

リフレクター１２は、図２に示すように、光反射面側だけを本発明の樹脂組成物からなる光反射層１２ｂとしてもよい。この場合、光反射層１２ｂの厚さは、熱抵抗を低くする等の観点から、５００μｍ以下とすることが好ましく、３００μｍ以下とすることがより好ましい。光反射層１２ｂが形成される部材１２ａは、公知の耐熱性樹脂で構成することができる。

既述のようにリフレクター１２上にはレンズ１８が設けられているが、これは通常樹脂製であり、目的、用途等により様々な構造が採用され、着色されることもある。

基板１４とリフレクター１２とレンズ１８とで形成される空間部は、透明封止部であってよいし、必要により空隙部であってもよい。この空間部は、通常、透光性及び絶縁性を与える材料等が充填された透明封止部であり、ワイヤーボンディング実装において、リード線１６に直接接触することにより加わる力、及び、間接的に加わる振動、衝撃等により、光半導体素子１０との接続部、及び／又は、電極との接続部からリード線１６が外れたり、切断したり、短絡したりすることによって生じる電気的な不具合を防止することができる。また、同時に、湿気、塵埃等から光半導体素子１０を保護し、長期間に渡って信頼性を維持することができる。

この透光性及び絶縁性を与える材料（透明封止剤組成物）としては、通常、シリコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート樹脂等が挙げられる。これらのうち、耐熱性、耐候性、低収縮性及び耐変色性の観点から、シリコーン樹脂が好ましい。

以下に、図１に示す半導体発光装置の製造方法の一例について説明する。
まず、上記本発明の実施形態に係る反射材樹脂組成物を用いて、所定形状のキャビティ空間を備える金型を用いたトランスファー成形、圧縮成形、射出成形等により、基板１４上において、所定形状のリフレクター１２に成形する。金型に基板を入れて樹脂をその上に成形するためにアウトサート成形とも呼ばれる。その後、別途準備した光半導体素子１０及び電極を、接着剤又は接合部材により基板１４に固定し、リード線１６によりＬＥＤ素子と電極を接続する。
次いで、基板１４及びリフレクター１２により形成された凹部に、シリコーン樹脂等を含む透明封止剤組成物を注入し、加熱、乾燥等により硬化させて透明封止部とする。その後、透明封止部上にレンズ１８を配設して、図１に示す半導体発光装置が得られる。
なお、透明封止剤組成物が未硬化の状態でレンズ１８を載置してから、組成物を硬化させてもよい。
本実施形態に係るリフレクター用樹脂組成物は、該リフレクター用樹脂組成物を成形してなる成形体において優れた密着性により、封止性の改善、ひいては半導体素子の寿命を改善する効果が得られるため、厚みが３．０ｍｍ以下、好ましくは１．０ｍｍ以下、より好ましくは０．８ｍｍ以下であるリフレクター付きリードフレームや、薄型半導体発光装置パッケージ用のリフレクターの製造に好適に用いることができる。

本発明の実施形態に係るリフレクターを、実施例を用いて詳細に説明する。本発明はこれら実施例に限定されない。
［リフレクター用樹脂組成物］
実施例及び比較例のリフレクター用樹脂組成物を下記の方法により作製し、成形性と灰分量を評価した。結果を第１表に示す。
＜リフレクター用樹脂組成物の作製＞
下記の各種材料を、第１表に示す配合処方により、押出機（日本プラコン株式会社 ＭＡＸ３０：ダイス径３．０ｍｍ）とペレタイザー（株式会社東洋精機製作所 ＭＰＥＴＣ１）を用いて混合し、リフレクター用樹脂組成物を得た。
・ポリオレフィン樹脂…ポリメチルペンテン樹脂、重量平均分子量＝４９７，０００）
・白色顔料…酸化チタン粒子：平均粒径０．２１μｍ
・繊維状フィラー１…ガラス繊維：ＰＦ７０Ｅ−００１（日東紡株式会社製、平均繊維長６２μｍ、平均断面積１０４．２μｍ^２、断面形状は丸形のガラス繊維）
・繊維状フィラー２…ガラス繊維：ＳＳ０５ＤＥ−４１３ＳＰ（日東紡株式会社製、平均繊維長６５μｍ、平均断面積４１．６μｍ^２、断面形状は丸形のガラス繊維）
・繊維状フィラー３・・・ガラス繊維：ＥＦＤＥ５０−０１（セントラルグラスファイバー株式会社製、平均繊維長５５μｍ、平均断面積３３．２μｍ^２）
・繊維状フィラー４・・・ガラス繊維：ＭＦ０３ＪＢ１−２０（旭ファイバーグラス株式会社製、平均繊維長３４μｍ、平均断面積８１．７μｍ^２）
・繊維状フィラー５・・・ガラス繊維：ＭＦ０３ＪＢ１−２０（旭ファイバーグラス株式会社製、平均繊維長７１μｍ、平均断面積８１．７μｍ^２）
・架橋処理剤…トリアリルイソシアヌレート
・シランカップリング剤…ヘキシルトリメトキシシラン
・酸化防止剤１…ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０（ＢＡＳＦジャパン株式会社製）
・酸化防止剤２…ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト
・離型剤…ステアリン酸亜鉛
なお、上述した繊維状フィラー１〜５において、平均繊維長及び平均断面積は、リフレクター樹脂組成物に混合する前のものを、カーボンテープを用いＳＥＭ観察用の試料台に固定し、ＳＥＭ（株式会社日立ハイテクノロジーズ Ｓ−４８００）により、観察して測定された値である。少なくとも１０個の繊維状フィラーの平均値として算出した。
＜ペレット作成＞
上記の樹脂組成物を得る工程は押出し機のスクリューを用いて混練されるが、この工程において安定してペレット化された樹脂組成物が得られた場合は可、押出し機のスクリューにかかる負荷が大きく、連続運転が不可能な状態で安定してペレット化された樹脂組成物が得られない場合を不可とした。

＜成形性＞
リフレクター用樹脂組成物を用いて、以下の条件でリフレクター付きリードフレームを作製した。
射出成形機ソディックＴＲ４０ＥＲソディック（プリプラ式）を用いて、銀めっきフレーム（厚み：２５０μｍ）に樹脂組成物（厚み：７００μｍ、外形寸法：３５ｍｍ×３５ｍｍ、開口部：２．９ｍｍ×２．９ｍｍ）を成形し、リフレクター付きリードフレームを得た。射出成形機条件は、シリンダー温度：２７０℃、金型温度：８０℃、射出速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ、保圧力：８０ＭＰａ、保圧時間：１ｓｅｃ、冷却時間：８ｓｅｃとした。
成形後に、金型内にリフレクター用樹脂組成物が完全に充填されていない場合はショートとした。また、リフレクター付きリードフレームの開口部のバリを顕微鏡を用いて計測し、最大幅が１００μｍ以上をバリ発生有りとした。いずれにも該当しない場合を成形性良とした。
＜灰分量＞
ＴＧ−ＤＴＡ法に基づく熱重量／示差熱同時分析装置を用いて、リフレクター用樹脂組成物の加熱前の質量を測定した後、アルミパン中で大気雰囲気下において、１０℃／分で６００℃まで昇温した後、６００℃で３０分間加熱して残る灰分の重量を測定して、加熱後の質量の加熱前の質量に対する割合を求めた。

［リフレクター用樹脂組成物の硬化物］
実施例及び比較例のリフレクター用樹脂組成物の硬化物を下記の方法により作製し、荷重たわみ温度を評価した。結果を第１表に示す。
＜リフレクター用樹脂組成物硬化物の作製＞
射出成形機ソディックＴＲ４０ＥＲソディック（プリプラ式）を用いて、ＡＳＴＭ用ダンベル金型を用いて成形し、リフレクター用樹脂成形物を得た。射出成形機条件は、シリンダー温度：２６０℃、金型温度：４５℃、射出速度：１５ｍｍ／ｓｅｃ、保圧力：５５ＭＰａ、保圧時間：７ｓｅｃ、冷却時間：１５ｓｅｃとした。この成形物を加速電圧８００ｋＶ、照射線量４００ｋＧｙにて電子線を照射して硬化させて、リフレクター用樹脂組成物硬化物を得た。
＜熱変形温度＞
供試体をＡＳＴＭ Ｄ６４８に準拠し、規定たわみ量に達した温度を荷重たわみ温度（熱変形温度）とした。

［リフレクター付きリードフレーム］
実施例及び比較例のリフレクター付きリードフレームを下記の方法により作製し、密着度、反射率、及び耐久性Ａを評価した。結果を第１表に示す。
＜リフレクター付きリードフレームの作製＞
以下の評価は、上述した成形性の評価に用いたものと同条件で作製したリフレクター用樹脂組成物を成形し、加速電圧８００ｋＶ、照射線量４００ｋＧｙにて電子線を照射して硬化させてリフレクター付きリードフレームを得た。
＜密着度＞
リフレクター付きリードフレームの各供試体と基板との密着度を、レッドチェック試験により測定し、可否を判定した。すなわち、リフレクターのキャビティにレッドインキ（株式会社パイロットコーポレーション製「ＩＮＫ３０Ｒ」）を０．８μＬ滴下し、６時間経過後の裏面へのインキの漏れ具合を５０倍の光学顕微鏡で観察した。評価基準は、以下の通りとした。
６時間経過後でも漏れが観察されない場合を合格とした。
６時間経過前に漏れが観察された場合を不合格とした。
＜反射率＞
得られたリフレクター付きリードフレームの供試体の波長２３０〜７８０ｎｍにおける光反射率を、反射率測定装置ＭＣＰＤ９８００（大塚電子株式会社製）を使用して測定した。波長４５０ｎｍの反射率にて比較した。
＜耐久性Ａ＞
リフレクター付きリードフレームの供試体を、２００℃で４５時間放置した後の、反射率を測定した。反射率の測定には、上記反射率測定装置を用い、同一の条件にて測定した。波長４５０ｎｍの反射率にて比較した。

［発光装置］
実施例及び比較例のリフレクター付きリードフレームを用いて発光装置を作製し、初期光束、ガラス繊維の直径を評価した。結果を第１表に示す。
第１表に示す配合処方により作製したリフレクター用樹脂組成物を、リフレクター形状に成形し、該成形体に、加速電圧８００ｋＶ、照射線量４００ｋＧｙにて電子線を照射して硬化させた。硬化後にリフレクター付きリードフレームを得た。得られたリフレクター付きリードフレームと、別途準備したＬＥＤ素子及び電極を、接着剤により基板上に固定し、リード線によりＬＥＤ素子と電極を接続した後、ダイシングして個片化し、半導体発光装置（ＬＥＤパッケージ）を得た。配線基板上に半田を設けておき、その半田上に該半導体発光装置を載せ、リフロー炉により２４０℃に加熱し、半田を溶融させて配線基板上に半導体発光装置を実装した。
＜初期光束＞
定電流２００ｍＡで発光させた際の光束を瞬間マルチ測光システム（広ダイナミックレンジタイプ） ＭＣＰＤ−９８００（大塚電子株式会社製）にて測定し初期光束とした。

＜繊維状フィラーの断面積＞
繊維状フィラーの断面積は、下記の通り測定した。
半導体発光装置のリフレクターを破断し、その破断面を、ＳＥＭ（株式会社日立ハイテクノロジーズ Ｓ−４８００）により観察した。破断面を金属製の試料台に略平行に固定した後に、破断面の垂直方向から倍率２５００倍で観察を行った。
得られたＳＥＭ像において、リフレクターの断面に現れている繊維状フィラーの径長を測定した。フィラーの断面が楕円形状であった場合には、この楕円の長径と短径とを測定し、長径と短径の比が０．８以上１．２以下のものを対象とした。
測定により得られた径長から繊維状フィラーの断面積を算出する際には、径長は、有効数字３桁まで測定した。また、断面積は、繊維状フィラーの断面のうち、断面積の小さいものから測定総数の５０％のものについての平均値として算出した。少なくとも１０個の断面の平均値が得られるようにサンプリングした。
すなわち、測定総数が２０個であれば、断面積の小さいものから１０個についての平均値を算出した。算出後の数値の３桁目を四捨五入して、断面積の値とした。

第１表に示すように、実施例１−４の配合処方により作製したリフレクター用樹脂組成物を用いたものは、発光装置の作成に必要な特性を損なわずに、密着度を改善できることがわかった。特に、繊維状フィラーの断面積のサイズが大きいものほど、良好な反射率を示した。繊維状フィラーの断面積が８１．７μｍ^２のものを用いた場合には、比較例のものに比べて、反射率と耐久性Ａのいずれの特性も顕著に高めることができた。
灰分量が７０％以下である比較例３、比較例４、比較例５は耐久性Ａの悪化が著しく、発光装置への使用は好ましくない。一方、比較例６は成形に使用する樹脂組成物を得ることができなかったことから、リフレクター樹脂組成物としての使用は不可能である。

１０…光半導体素子、 １２…リフレクター、 １４…基板、 １６…リード線、 １８…レンズ

Claims (19)

1. 樹脂と、白色顔料及び繊維状フィラーを含む無機フィラーとを含有する樹脂組成物から成形されてなる光反射面を有するリフレクターであって、
   該繊維状フィラーの径方向の断面積が１μｍ^２以上１００μｍ^２以下であり、
   ＴＧ−ＤＴＡ法に基づく熱重量／示差熱同時分析装置を用いて、該リフレクターの加熱前の質量を測定した後、大気雰囲気下において、１０℃／分で６００℃まで昇温した後に６００℃で３０分間加熱して残る灰分量が加熱前の該リフレクターの全質量基準で７０質量％以上９０質量％以下であるリフレクター。
2. 前記繊維状フィラーの径方向の断面積が３０μｍ^２以上８５μｍ^２以下である請求項１に記載のリフレクター。
3. 前記繊維状フィラーが二酸化ケイ素を６０質量％以上含むガラス繊維である請求項１又は２に記載のリフレクター。
4. 前記灰分量が加熱前のリフレクターの全質量基準で７２質量％以上８８質量％以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載のリフレクター。
5. 前記白色顔料の含有量が、前記樹脂１００質量部に対し、２００質量部超５００質量部以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載のリフレクター。
6. 前記白色顔料の含有量が、前記樹脂１００質量部に対し、３００質量部以上４８０質量部以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載のリフレクター。
7. 前記樹脂がポリオレフィン樹脂である請求項１〜６のいずれか１項に記載のリフレクター。
8. 前記ポリオレフィン樹脂がポリエチレン、ポリプロピレン、環状構造を含むポリエチレン、環状構造を含むポリプロピレン、及びポリメチルペンテンから選択される少なくとも１つである請求項７に記載のリフレクター。
9. 前記白色顔料が酸化チタンである請求項１〜８のいずれか１項に記載のリフレクター。
10. 前記樹脂組成物が、さらに架橋処理剤を含有する請求項１〜９のいずれか１項に記載のリフレクター。
11. 前記樹脂組成物を該リフレクターの形状に成形した後に、電子線を照射してなる請求項１０に記載のリフレクター。
12. 光反射面を有するリフレクターを備えるリフレクター付きリードフレームであって、
    該光反射面が、樹脂と、白色顔料及び繊維状フィラーを含む無機フィラーとを含有する樹脂組成物から成形されてなり、
    該繊維状フィラーの径方向の断面積が１μｍ^２以上１００μｍ^２以下であり、
    ＴＧ−ＤＴＡ法に基づく熱重量／示差熱同時分析装置を用いて、該リフレクターの加熱前の質量を測定した後、大気雰囲気下において、１０℃／分で６００℃まで昇温した後に６００℃で３０分間加熱して残る灰分量が加熱前の該リフレクターの全質量基準で７０質量％以上９０質量％以下であるリフレクター付きリードフレーム。
13. 厚さが０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である請求項１２に記載のリフレクター付きリードフレーム。
14. 前記樹脂がポリオレフィン樹脂である請求項１２又は１３に記載のリフレクター付きリードフレーム。
15. 前記ポリオレフィン樹脂がポリエチレン、ポリプロピレン、環状構造を含むポリエチレン、環状構造を含むポリプロピレン、及びポリメチルペンテンから選択される少なくとも１つである請求項１４に記載のリフレクター付きリードフレーム。
16. 光半導体素子と、該光半導体素子の周りに設けられており該光半導体素子からの光を所定方向に反射させるリフレクターと、基板とを備え、該光半導体素子と該リフレクターとが該基板上に配置された半導体発光装置であって、
    該リフレクターが請求項１〜１１のいずれか１項に記載のリフレクターである半導体発光装置。
17. 樹脂と、白色顔料及び繊維状フィラーを含む無機フィラーとを含有する樹脂組成物であって、
    該繊維状フィラーの径方向の断面積が１μｍ^２以上１００μｍ^２以下であり、
    ＴＧ−ＤＴＡ法に基づく熱重量／示差熱同時分析装置を用いて、該樹脂組成物の加熱前の質量を測定した後、大気雰囲気下において、１０℃／分で６００℃まで昇温した後に６００℃で３０分間加熱して残る灰分量が加熱前の該リフレクターの全質量基準で７０質量％以上９０質量％以下である樹脂組成物。
18. 前記樹脂がポリオレフィン樹脂である請求項１７に記載の樹脂組成物。
19. 前記ポリオレフィン樹脂がポリエチレン、ポリプロピレン、環状構造を含むポリエチレン、環状構造を含むポリプロピレン、及びポリメチルペンテンから選択される少なくとも１つである請求項１８に記載の樹脂組成物。