JP5349432B2 - 電子部品装置の製法およびそれに用いる電子部品封止用樹脂組成物シート - Google Patents

電子部品装置の製法およびそれに用いる電子部品封止用樹脂組成物シート Download PDF

Info

Publication number
JP5349432B2
JP5349432B2 JP2010198623A JP2010198623A JP5349432B2 JP 5349432 B2 JP5349432 B2 JP 5349432B2 JP 2010198623 A JP2010198623 A JP 2010198623A JP 2010198623 A JP2010198623 A JP 2010198623A JP 5349432 B2 JP5349432 B2 JP 5349432B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sheet
electronic component
length
resin composition
axis direction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2010198623A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012059743A (ja
Inventor
英志 豊田
茂富 木戸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2010198623A priority Critical patent/JP5349432B2/ja
Priority to EP20110180025 priority patent/EP2426707A1/en
Priority to CN201110270558.8A priority patent/CN102386111B/zh
Priority to US13/225,681 priority patent/US8938878B2/en
Priority to KR20110090033A priority patent/KR20120024507A/ko
Priority to TW100132150A priority patent/TW201218288A/zh
Publication of JP2012059743A publication Critical patent/JP2012059743A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5349432B2 publication Critical patent/JP5349432B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49146—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]

Description

本発明は、簡便にオーバーモールドおよびアンダーフィルが可能な電子部品装置の製法およびそれに用いる電子部品封止用樹脂組成物シートに関するものである。
従来、実装基板上に設置した半導体素子、コンデンサおよび抵抗素子等の電子部品の封止は、粉末状エポキシ樹脂組成物によるトランスファー封止や、液状エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂等によるポッティング、ディスペンス、印刷等によって行われている。また、近年、より安価で簡便な封止方法として、樹脂組成物シートを用いたシート封止も提案されている（特許文献１〜３参照）。
特開２００４−３２７６２３公報 特開２００３−１７９７９公報 特開２００６−１９７１４公報
これら樹脂組成物シートを用いた封止では、電子部品上にシート材を設置して加熱プレスすることにより、オーバーモールドおよびアンダーフィルを行う。しかし、封止条件によっては、溶融した樹脂組成物が漏れ出して、実装基板やプレス機等の汚染が生じたり、アンダーフィルの充填不良が起こることがある。このような場合の対処法として、例えば、漏れ出しを防ぐための治具を装着するといったことが行われる。しかしながら、この対処法では、電子部品のサイズや形状により治具を変更する必要があり、生産性に問題があった。
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、溶融した樹脂組成物の漏れ出しを防ぐ治具を必要とすることなく、簡便にオーバーモールドおよびアンダーフィルが可能な電子部品装置の製法およびそれに用いる電子部品封止用樹脂組成物シートの提供をその目的とする。
上記の問題を解決するために、本発明は、実装基板上に複数の電子部品を並べて設置した後、上記実装基板における電子部品搭載エリア上に、下記（Ｂ）に示す熱硬化性樹脂組成物シート〔シートＢ〕、およびその上に下記（Ａ）に示す熱硬化性樹脂組成物シート〔シートＡ〕を積載し、かつ上記電子部品搭載エリアの中心および平面ＸＹ方向と、両シートＡ，Ｂの中心および平面ＸＹ方向とが略合致するよう設置する工程と、この設置状態を保持した上記実装基板を、減圧状態のチャンバー内で７０〜１５０℃から選ばれる成形温度に加熱し、上記シートＡの全周の端部を軟化により実装基板に接するまで垂れ下がらせ、シートＡの全周で囲われた空間を密閉する工程と、この垂れ下がり状態においてシートＢおよび電子部品を被覆した上記シートＡをプレスする工程と、上記チャンバー内の圧力を開放し、上記シートＡと実装基板との間に形成された密閉空間内で、シートＢの溶融物による電子部品のアンダーフィルを行う工程と、上記アンダーフィルを行った後、両シートＡ，Ｂの樹脂組成物を熱硬化させ、実装基板上の複数の電子部品が樹脂封止されてなる電子部品装置集合体を得る工程と、この電子部品装置集合体をダイシングし、個々の電子部品装置を得る工程とを備えた電子部品装置の製法を第１の要旨とする。
（Ａ）上記成形温度における粘度が２０００〜５００００Ｐａ・ｓであり、かつ、その寸法が下記の条件（１）を満たす熱硬化性樹脂組成物シート。
＜条件（１）＞
Ａｘ＞Ｐ＋８
Ａｙ＞Ｑ＋８
〔Ａｘ：シートＡのＸ軸方向長さ（ｍｍ），Ａｙ：シートＡのＹ軸方向長さ（ｍｍ），Ｐ：電子部品搭載エリアのＸ方向の長さ（ｍｍ），Ｑ：電子部品搭載エリアのＹ方向の長さ（ｍｍ）〕
（Ｂ）上記成形温度における粘度が２０〜２５０Ｐａ・ｓであり、かつ、その寸法が下記の条件（２）を満たす熱硬化性樹脂組成物シート。
＜条件（２）＞
Ａｘ≧Ｂｘ＞Ｐ×０．８
Ａｙ≧Ｂｙ＞Ｑ×０．８
〔Ｂｘ：シートＢのＸ軸方向長さ（ｍｍ），Ｂｙ：シートＢのＹ軸方向長さ（ｍｍ），Ｐ：電子部品搭載エリアのＸ方向の長さ（ｍｍ），Ｑ：電子部品搭載エリアのＹ方向の長さ（ｍｍ），Ａｘ：シートＡのＸ軸方向長さ（ｍｍ），Ａｙ：シートＡのＹ軸方向長さ（ｍｍ）〕
また、本発明は、上記第１の要旨の製法に用いられる樹脂組成物シートであって、上記シートＡとシートＢとからなるシートセットである電子部品封止用樹脂組成物シートを第２の要旨とし、上記シートＡとシートＢとが積層一体化されてなる電子部品封止用樹脂組成物シートを第３の要旨とする。
すなわち、本発明者らは、前記課題を解決するため鋭意研究を重ねた。その結果、上記のように、電子部品封止用の熱硬化性樹脂組成物シートとして、７０〜１５０℃から選ばれる成形温度（加熱温度）において、その粘度、および寸法が、互いに異なる二枚のシートＡ，Ｂ（もしくは、シートＡ，Ｂが積層一体化されたもの）を用いることを想起した。すなわち、実装基板上の電子部品搭載エリアに合わせ、上記エリアよりもやや小さいか、若干大きいシートＢを積載し、さらにその上に、上記エリアよりも大きいシートＡを積載し、減圧状態のチャンバー内で上記成形温度に加熱すると、シートＡの全周の端部が軟化により実装基板に接するまで垂れ下がって、シートＡがシートＢおよび電子部品を被覆した状態となる（図３（iv）参照）。このとき、上記シートＡは、その被覆により、実装基板との間に密閉空間を形成し、その密閉空間内で、シートＢは低粘度のゲル状となっている。この状態で、上記シートＡの上からプレス板でプレスし、さらにチャンバー内の圧力を開放すると、上記密閉空間内で、シートＢが溶融物となって、実装基板と電子部品のギャップに入り込み、電子部品のアンダーフィルがなされるようになる。また、シートＡは、上記被覆により、シートＢの溶融物の漏れ出しを防ぐ治具の役割を果たしつつ、オーバーモールドとしての役割も果たす。これにより、樹脂組成物の漏れ出しを防ぐ治具を必要とすることなく、簡便にオーバーモールドおよびアンダーフィルが達成できることを見いだし、本発明に到達した。
以上のように、本発明の電子部品装置の製法は、実装基板上の電子部品搭載エリアに合わせ、上記エリアよりもやや小さいか、若干大きい、成形温度（７０〜１５０℃から選ばれる温度）における粘度が２０〜２５０Ｐａ・ｓのシートＢを積載し、さらにその上に、上記エリアよりも大きく、上記成形温度における粘度が２０００〜５００００Ｐａ・ｓのシートＡを積載した後、減圧状態のチャンバー内で上記成形温度に加熱し、上記シートＡがシートＢおよび電子部品を被覆した状態となるまで垂れ下がらせ、その後、上記チャンバー内の圧力を開放し、上記シートＡの被覆により実装基板との間に形成された密閉空間内で、シートＢの溶融物による電子部品のアンダーフィルを行っている。そのため、樹脂組成物の漏れ出しを防ぐ治具を使用しなくとも、簡便にオーバーモールドおよびアンダーフィルを達成することができる。これにより、溶融した樹脂組成物の漏れ出しによる実装基板やプレス機等の汚染や、アンダーフィルの充填性不良を解消することができる。
そして、電子部品封止用樹脂組成物シートが、上記シートＡとシートＢとが積層一体化されてなるものであると、取り扱い等の観点から、上記製法において、より好ましく用いることができる。
本発明において長さ等が規定された箇所を具体的に示すための説明図であり、（ｉ）はシートＡの斜視図、（ii）はシートＢの斜視図、（iii）は電子部品の側面図、（iv）はｎ個の電子部品を並べて設置した実装基板の平面図である。 本発明の電子部品装置の製法における樹脂封止工程を示す説明図であり、（ｉ）は実装基板に電子部品を搭載した状態、（ii）は電子部品上にシートＡ，Ｂを積載した状態、（iii）は減圧状態のチャンバー内で成形温度に加熱を行っている状態を示す図である。 本発明の電子部品装置の製法における樹脂封止工程を示す説明図であり、（iv）は図２（iii）の減圧および加熱によりシートＡの端部が実装基板に接するまで垂れ下がった状態、（ｖ）はシートＡの上からプレス板でプレスした状態、（vi）はチャンバー内の圧力を開放し、電子部品のアンダーフィルがなされ、更に熱硬化がなされた状態、（vii）はプレス板が外され、電子部品装置集合体が製造された状態を示す図である。
つぎに、本発明の実施の形態について詳しく説明する。
本発明の電子部品装置の製法は、先に述べたように、実装基板上に複数の電子部品を並べて設置した後、上記実装基板における電子部品搭載エリア上に、シートＢ、およびその上にシートＡを積載し、かつ上記電子部品搭載エリアの中心および平面ＸＹ方向と、両シートＡ，Ｂの中心および平面ＸＹ方向とが略合致するよう設置する工程と、この設置状態を保持した上記実装基板を、減圧状態のチャンバー内で７０〜１５０℃から選ばれる成形温度に加熱し、上記シートＡの全周の端部を軟化により実装基板に接するまで垂れ下がらせ、シートＡの全周で囲われた空間を密閉する工程と、この垂れ下がり状態においてシートＢおよび電子部品を被覆した上記シートＡをプレスする工程と、上記チャンバー内の圧力を開放し、上記シートＡと実装基板との間に形成された密閉空間内で、シートＢの溶融物による電子部品のアンダーフィルを行う工程と、上記アンダーフィルを行った後、両シートＡ，Ｂの樹脂組成物を熱硬化させ、実装基板上の複数の電子部品が樹脂封止されてなる電子部品装置集合体を得る工程と、この電子部品装置集合体をダイシングし、個々の電子部品装置を得る工程とを備えている。なお、上記電子部品搭載エリアの平面ＸＹ方向とは、電子部品搭載エリア平面上で任意に決められるＸ方向と、上記平面上でこれに直行するＹ方向とを示すものである。両シートＡ，Ｂの平面ＸＹ方向も、同様の趣旨である。また、「上記電子部品搭載エリアの中心および平面ＸＹ方向と、両シートＡ，Ｂの中心および平面ＸＹ方向とが略合致するよう設置」と規定されていることから、本発明はこの設置に関し、中心および平面ＸＹ方向の若干のずれも含める趣旨である。
そして、上記シートＡとしては、先述のようにして選ばれた成形温度（７０〜１５０℃）における粘度が、２０００〜５００００Ｐａ・ｓであり、かつ、その寸法が下記の条件（１）を満たす熱硬化性樹脂組成物シートが用いられる。上記寸法条件は、生産性よく封止できるという観点から、好ましくは、下記の条件（１′）である。すなわち、このような特定の粘度およびサイズを有するシートＡを、先に述べた本発明の電子部品装置の製法に示すように用いると、シートＡが上記のように垂れ下がってシートＢの溶融物の漏れ出しを防ぐ機能を果たし、それにより、漏れ出しを防ぐ治具を必要とすることなく、電子部品の封止が可能となる。なお、上記シートＡの、上記成形温度における粘度が、２０００Ｐａ・ｓ未満であると、シートＡ自体が溶融して樹脂漏れを起こすおそれがあり、５００００Ｐａ・ｓを超えると、シートＢの溶融物の漏れ出しを防ぐ治具としての機能の果たせず、アンダーフィル充填不良の傾向がみられる。そのため、上記のように粘度を規定している。また、上記温度条件における粘度は、一般的なレオメーターを用いて測定すればよいが、例えば、回転型粘度計（ＨＡＫＫＥ社製、レオストレスＲＳ１）を用い、ギャップ１００μｍ、回転コーン直径２０ｍｍ、回転速度１０ｓ-1という条件で測定することにより導き出すことができる。
＜条件（１）＞
Ａｘ＞Ｐ＋８
Ａｙ＞Ｑ＋８
〔Ａｘ：シートＡのＸ軸方向長さ（ｍｍ），Ａｙ：シートＡのＹ軸方向長さ（ｍｍ），Ｐ：電子部品搭載エリアのＸ方向の長さ（ｍｍ），Ｑ：電子部品搭載エリアのＹ方向の長さ（ｍｍ）〕
＜条件（１′）＞
ｔ１＋ｔ２＋４０＋Ｐ＞Ａｘ＞ｔ１＋ｔ２＋８＋Ｐ
ｔ１＋ｔ２＋４０＋Ｑ＞Ａｙ＞ｔ１＋ｔ２＋８＋Ｑ
（ｔ１＋０．５）−〔（ｎ×Ｖｃ）／（Ｐ×Ｑ）〕＞Ａｚ＞ｔ１−〔（ｎ×Ｖｃ）／（Ｐ×Ｑ）〕
〔Ａｘ：シートＡのＸ軸方向長さ（ｍｍ），Ａｙ：シートＡのＹ軸方向長さ（ｍｍ），Ａｚ：シートＡの厚み（ｍｍ），ｔ１：電子部品の厚み（ｍｍ），ｔ２：電子部品の接続用電極部高さ（ｍｍ），Ｐ：電子部品搭載エリアのＸ方向の長さ（ｍｍ），Ｑ：電子部品搭載エリアのＹ方向の長さ（ｍｍ），Ｖｃ：電子部品１個あたりの体積（ｍｍ3），ｎ：封止する電子部品の個数〕
また、上記シートＢとしては、先述のようにして選ばれた成形温度（７０〜１５０℃）における粘度が、２０〜２５０Ｐａ・ｓであり、かつ、その寸法が下記の条件（２）を満たす熱硬化性樹脂組成物シートが用いられる。上記寸法条件は、生産性よく封止できるという観点から、好ましくは、下記の条件（２′）である。すなわち、このような特定の粘度およびサイズを有するシートＢを、先に述べた本発明の電子部品装置の製法に示すように用いると、実装基板と電子部品の狭ギャップにもシートＢの溶融物が入り込み、アンダーフィルが容易となる。なお、上記シートＢの、上記成形温度における粘度が、２０Ｐａ・ｓ未満であると、シートＢがタック性を有するようになるため取扱いが困難になる傾向がみられ、２５０Ｐａ・ｓを超えると、アンダーフィル充填が因難となる傾向がみられる。そのため、上記のように粘度を規定している。また、上記温度条件における粘度は、シートＡのときと同様にして測定することにより導き出すことができる。
＜条件（２）＞
Ａｘ≧Ｂｘ＞Ｐ×０．８
Ａｙ≧Ｂｙ＞Ｑ×０．８
〔Ｂｘ：シートＢのＸ軸方向長さ（ｍｍ），Ｂｙ：シートＢのＹ軸方向長さ（ｍｍ），Ｐ：電子部品搭載エリアのＸ方向の長さ（ｍｍ），Ｑ：電子部品搭載エリアのＹ方向の長さ（ｍｍ），Ａｘ：シートＡのＸ軸方向長さ（ｍｍ），Ａｙ：シートＡのＹ軸方向長さ（ｍｍ）〕
＜条件（２′）＞
Ａｘ≧Ｂｘ＞Ｐ×０．８
Ａｙ≧Ｂｙ＞Ｑ×０．８
｛〔Ｐ×Ｑ×（ｔ１＋ｔ２）−ｎ（Ｖｃ＋Ｖｂ）〕／（Ｐ×Ｑ）｝＋０．１＞Ｂｚ＞（ｔ２×Ｐ×Ｑ−Ｖｂ×ｎ）／（Ｐ×Ｑ）
〔Ｂｘ：シートＢのＸ軸方向長さ（ｍｍ），Ｂｙ：シートＢのＹ軸方向長さ（ｍｍ），Ｂｚ：シートＢの厚み（ｍｍ），ｔ１：電子部品の厚み（ｍｍ），ｔ２：電子部品の接続用電極部高さ（ｍｍ），Ｐ：電子部品搭載エリアのＸ方向の長さ（ｍｍ），Ｑ：電子部品搭載エリアのＹ方向の長さ（ｍｍ），Ｖｂ：電子部品１個に搭載されているバンプ（接続用電極部）の総体積（ｍｍ3），Ｖｃ：チップ１個あたりの体積（ｍｍ3），ｎ：封止する電子部品の個数），Ａｘ：シートＡのＸ軸方向長さ（ｍｍ），Ａｙ：シートＡのＹ軸方向長さ（ｍｍ）〕
ここで、図１は、上記条件（１）〜（２′）において長さ等が規定された箇所を具体的に示すための説明図であり、（ｉ）はシートＡの斜視図、（ii）はシートＢの斜視図、（iii）は電子部品の側面図、（iv）はｎ個の電子部品を並べて設置した実装基板の平面図である。なお、図における各符号は、上記条件（１）〜（２′）の記載に対応している。また、図において、３は実装基板、５は電子部品、６は電子部品の接続用電極部（バンプ）、７はシートＡ、８はシートＢを示す。
ところで、上記シートＡは、先に述べたように、７０〜１５０℃から選ばれる成形温度
における粘度が特定の範囲であり、かつそのサイズが特定の条件を満たす熱硬化性樹脂組成物シートであれば、その材料は、特に限定はないが、好ましくは、下記（ａ）〜（ｄ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物が用いられる。
（ａ）２５℃における粘度が１．０〜１０．０Ｐａ・ｓであるエポキシ樹脂。
（ｂ）硬化剤。
（ｃ）下記の（ｃ１）〜（ｃ３）成分からなり、（ｃ２）および（ｃ３）成分の合計含有量が、（ｃ１）成分１００重量部に対して２〜６０重量部の範囲内である無機質充填剤。
（ｃ１）平均粒径が５〜２０μｍの無機質充填剤。
（ｃ２）平均粒径が１〜３μｍの無機質充填剤。
（ｃ３）平均粒径が０．３〜０．８μｍの無機質充填剤。
（ｄ）可撓性付与剤。
上記（ａ）成分のエポキシ樹脂としては、２５℃における粘度が１．０〜１０．０Ｐａ・ｓである、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂，ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂，グリシジルアミン型エポキシ樹脂，グリシジルエステル型エポキシ樹脂等があげられる。なかでも、樹脂組成物の硬化性の観点から、上記粘度を有する、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂，ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が好ましい。なお、市販品では、ＥＸＡ−８５０ＣＲＰ（ＤＩＣ社製）、ＥＰＯＮ−８２７、ＹＬ−９８３Ｕ（以上、三菱化学社製）等が、上記（ａ）成分のエポキシ樹脂として入手可能である。また、上記（ａ）成分のエポキシ樹脂の粘度は、一般的なレオメーターを用いて測定すればよいが、例えば、回転型粘度計（ＨＡＫＫＥ社製、レオストレスＲＳ１）を用い、ギャップ１００μｍ、回転コーン直径２０ｍｍ、回転速度１０ｓ-1という条件で測定することにより導き出すことができる。
上記シートＡを構成するエポキシ樹脂組成物中の（ａ）成分の含有量は、シートＡの粘度調整およびその樹脂組成物硬化体の信頼性の観点から、上記樹脂組成物の８〜１７重量％が好ましく、より好ましくは９〜１２重量％である。
なお、（ａ）成分以外のエポキシ樹脂を併用する場合は、（ａ）成分が全エポキシ樹脂の８０重量％以上となるようにすることが好ましい。
上記（ｂ）成分の硬化剤には、（ａ）成分のエポキシ樹脂と硬化反応を生起する成分が用いられる。このような硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂、酸無水物、アミン化合物があげられる。なかでも、（ａ）成分との反応性の観点から、フェノール樹脂が好ましく、シートＡの粘度調整の観点から、軟化点が６０〜１３０℃のフェノール樹脂がより好ましく、樹脂組成物硬化体の信頼性の観点から、フェノールノボラック樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹脂がさらに好ましい。
上記（ｂ）成分がフェノール樹脂の場合、その含有量は、樹脂組成物硬化体の信頼性の観点から、（ａ）成分中のエポキシ基１当量に対して、（ｂ）成分中の水酸基の合計が０．８〜１．２当量となるように配合することが好ましく、０．９〜１．１当量がより好ましい。
上記（ａ）および（ｂ）成分とともに用いられる、（ｃ）成分の無機質充填剤としては、先に述べたように、平均粒径が異なる無機質充填剤〔平均粒径が５〜２０μｍの無機質充填剤（ｃ１），平均粒径が１〜３μｍの無機質充填剤（ｃ２），平均粒径が０．３〜０．８μｍの無機質充填剤（ｃ３）〕からなり、（ｃ２）および（ｃ３）成分の合計含有量が、（ｃ１）成分１００重量部に対して、２〜６０重量部の範囲内であるものが用いられる。なお、無機質充填剤の平均粒径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。
そして、上記（ｃ）成分の無機質充填剤には、その材質が、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカ等）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素等の粉末からなるものが用いられる。なかでも、無機質充填剤の分散性およびシートＡの成形性の観点から、シリカが好ましく、樹脂組成物の溶融流動性の観点から、球状溶融シリカがより好ましい。
上記シートＡを構成するエポキシ樹脂組成物中における（ｃ）成分の含有量は、樹脂組成物硬化体の耐湿性の観点から、上記樹脂組成物の７０〜８５重量％が好ましく、７８〜８３重量％がより好ましい。
上記（ａ）〜（ｃ）成分とともに用いられる、（ｄ）成分の可撓性付与剤としては、シートＡに柔軟性および可撓性を付与するものが用いられる。このような作用を奏するものとして、例えば、ポリアクリル酸エステル等の各種アクリル系共重合体、スチレンアクリレート系共重合体、ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、エチレン−酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）、イソプレンゴム、アクリロニトリルゴム等のゴム質重合体を用いることができる。なかでも、（ａ）成分へ分散させやすく、また（ａ）成分との反応性も高いという観点から、アクリル系共重合体を用いることが好ましい。そして、これらの可撓性付与剤は、単独でもしくは二種以上併せて用いられる。
なお、上記アクリル系共重合体は、例えば、所定の混合比にしたアクリルモノマー混合物を、常法によってラジカル重合することにより合成することができる。ここで、ラジカル重合の方法としては、有機溶剤を溶媒に行う溶液重合法や、水中に原料モノマーを分散させながら重合を行う懸濁重合法が行われる。その際に用いる重合開始剤としては、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アソビス−４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル、その他のアゾ系またはジアゾ系重合開始剤、ベンゾイルパーオキサイドおよびメチルエチルケトンパーオキサイド等の過酸化物系重合開始剤等が用いられる。なお、懸濁重合の場合は、例えばポリアクリルアミド、ポリビニルアルコールのような分散剤を加えることが望ましい。
上記シートＡを構成するエポキシ樹脂組成物中における（ｄ）成分の含有量は、シートＡの柔軟性および可撓性ならびに溶融粘度の観点から、上記樹脂組成物の１〜１０重量％であることが好ましい。なお、上記樹脂組成物には、（ａ）〜（ｄ）成分のほか、必要に応じて、硬化促進剤、難燃剤、カーボンブラックをはじめとする顔料等、他の添加剤を適宜配合することができる。
一方、上記シートＡとともに用いられるシートＢは、先に述べたように、７０〜１５０℃から選ばれる成形温度における粘度が特定の範囲であり、かつそのサイズが特定の条件を満たす熱硬化性樹脂組成物シートであれば、その材料は、特に限定はないが、好ましくは、下記（ｅ）〜（ｈ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物が用いられる。
（ｅ）軟化点が６０〜１３０℃のエポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の混合物。
（ｆ）硬化剤。
（ｇ）平均粒径が０．３〜３μｍの無機質充填剤。
（ｈ）可撓性付与剤。
上記（ｅ）成分における、軟化点が６０〜１３０℃のエポキシ樹脂としては、例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂であって、上記軟化点を有するものがあげられる。なお、市販品では、ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ、ＥＯＣＮ−１０２０、ＢＲＥＮ−１０５（以上、日本化薬社製）、ＫＩ−３０００、ＫＩ−５０００、ＥＳＮ−１７５Ｓ（以上、新日鐵化学社製）、ＨＰ−７２００、ＥＸＡ−４７００（以上、ＤＩＣ社製）、ＹＸ−４０００Ｈ、ＹＸ−４０００Ｋ（以上、三菱化学社製）等が、軟化点が６０〜１３０℃のエポキシ樹脂として入手可能である。
また、上記（ｅ）成分における液状エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂であって、２５℃において液状のものがあげられる。なお、市販品では、ＹＬ−９８０、ＪＥＲ−８２７、ＪＥＲ−８２８、ＹＸ−８０００（以上、三菱化学社製）、ＹＤ−８１２５、ＺＸ−１０５９（以上、新日鐵化学社製）、ＥＰＩＣＬＯＮ（登録商標）−８３０、ＥＰＩＣＬＯＮ（登録商標）−８５０（以上、ＤＩＣ社製）等が、上記液状エポキシ樹脂として入手可能である。
そして、上記（ｅ）成分における、軟化点が６０〜１３０℃のエポキシ樹脂の含有量は、シートＢのタック性の観点から、液状エポキシ樹脂１００重量部に対して２０〜１００重量部が好ましく、より好ましくは、３０〜６０重量部の範囲である。
そして、上記シートＢを構成するエポキシ樹脂組成物中における（ｅ）成分の含有量は、シートＢの成形性の観点から、上記樹脂組成物の２０〜３５重量％が好ましく、より好ましくは２５〜３０重量％である。
上記（ｆ）成分の硬化剤には、（ｅ）成分のエポキシ樹脂と硬化反応を生起する成分が用いられる。このような硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂、酸無水物、アミン化合物があげられる。なかでも、（ｅ）成分との反応性の観点から、フェノール樹脂が好ましく、シートＢの成形性の観点から、フェノールノボラック樹脂、フェノールビフェニレン樹脂、フェノールアラルキル樹脂、フェノールナフトール樹脂等のフェノール樹脂がより好ましく、樹脂組成物硬化体の信頼性の観点から、フェノールノボラック樹脂またはフェノールアラルキル樹脂がさらに好ましい。
上記（ｆ）成分がフェノール樹脂の場合、その含有量は、樹脂組成物硬化体の信頼性の観点から、（ｅ）成分中のエポキシ基１当量に対して、（ｆ）成分中の水酸基の合計が０．８〜１．２当量となるように配合することが好ましく、０．９〜１．１当量がより好ましい。
上記（ｅ）および（ｆ）成分とともに用いられる、（ｇ）成分の無機質充填剤には、その平均粒径が０．３〜３μｍのものが用いられる。なお、上記（ｇ）成分の平均粒径は、前記（ｃ）成分の無機質充填剤と同様にして導き出すことができる。上記無機質充填剤には、その材質が、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカ等）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素等の粉末からなるものが用いられる。なかでも、無機質充填剤の分散性およびシートＢの成形性の観点から、シリカが好ましく、樹脂組成物の溶融流動性の観点から、球状溶融シリカがより好ましい。また、無機質充填剤の分散性の観点から、あらかじめシランカップリング剤で表面処理したものを用いることがさらに好ましい。シリカカップリング剤は、通常用いられるものであれば、特に限定されるものではない。
上記シートＢを構成するエポキシ樹脂組成物中における（ｇ）成分の含有量は、樹脂組成物硬化体の信頼性の観点から、上記樹脂組成物の３０〜８０重量％が好ましく、シートＢのタック性および樹脂組成物の流動性の観点から、上記樹脂組成物の５０〜６５重量％がより好ましい。
上記（ｅ）〜（ｇ）成分とともに用いられる、（ｈ）成分の可撓性付与剤としては、シートＢに柔軟性および可撓性を付与するものが用いられる。このような作用を奏するものとしては、前記（ｄ）成分の可撓性付与剤と同様のものが用いられる。すなわち、ポリアクリル酸エステル等の各種アクリル系共重合体、スチレンアクリレート系共重合体、ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、エチレン−酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）、イソブレンゴム、アクリロニトリルゴム等のゴム質重合体を用いることができる。なかでも、（ｅ）成分へ分散させやすく、また（ｅ）成分との反応性も高いという観点から、アクリル系共重合体を用いることが好ましい。そして、これらの可撓性付与剤は、単独でもしくは二種以上併せて用いられる。
上記シートＢを構成するエポキシ樹脂組成物中における（ｈ）成分の含有量は、シートＢの柔軟性および可撓性ならびに溶融粘度の観点から、上記樹脂組成物の４〜９重量％であることが好ましい。なお、上記樹脂組成物には、（ｅ）〜（ｈ）成分のほか、必要に応じて、硬化促進剤、難燃剤、カーボンブラックをはじめとする顔料等、他の添加剤を適宜配合することができる。
上記シートＡおよびシートＢは、例えば、以下のようにして製造することができる。
すなわち、まず、シートＡおよびシートＢの材料である樹脂組成物を、それぞれ、その各配合成分が均一に分散混合されるまで混合し、調製する。そして、上記調製された樹脂組成物を、シート状に形成する。この形成方法としては、例えば、上記調製された樹脂組成物を押出成形してシート状に形成する方法や、上記調製された樹脂組成物を有機溶剤等に溶解または分散してワニスを調製し、このワニスを、ポリエステル等の基材上に塗工し乾燥させることにより樹脂組成物シートを得る方法等があげられる。なかでも、均一な厚みのシートを簡便に得ることができるという観点から、ワニスの塗工による形成方法が好ましい。なお、上記のように形成された樹脂組成物シートの表面には、必要に応じ、樹脂組成物シートの表面を保護するためにポリエステルフィルム等の剥離シートを貼り合わせ、封止時に剥離するようにしてもよい。
上記ワニスを調製する際に用いる有機溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジエチルケトン、トルエン、酢酸エチル等を用いることができる。これらは単独でもしくは二種以上併せて用いられる。また、通常、ワニスの固形分濃度が３０〜６０重量％の範囲となるように有機溶剤を用いることが好ましい。
有機溶剤乾燥後のシートの厚みは、厚みの均一性と残存溶剤量の観点から、５〜１００μｍに設定することが好ましく、より好ましくは２０〜７０μｍである。このようにして得られた樹脂組成物シートは、必要により所望の厚みとなるように積層して使用してもよい。すなわち、上記シートＡおよびシートＢには、単層構造の上記樹脂組成物シートを使用してもよいし、上記樹脂組成物シートを２層以上の多層構造に積層してなる積層体を使用してもよい。ただし、上記シートＡは、そのサイズが、前記条件（１）（好ましくは、前記条件（１′））を満たす必要があり、上記シートＢは、そのサイズが、前記条件（２）（好ましくは、前記条件（２′））を満たす必要があるため、そのサイズに調整する（図１の（ｉ）および（ii）参照）。
そして、上記のように得られたシートＡおよびシートＢを用いた、本発明の電子部品装置の製法における樹脂封止工程は、例えば、図２および図３に示すようにして行われる。
すなわち、まず、図２（ｉ）に示すように、実装基板３上に、電子部品５を、実装基板の接続用電極部（図示せず）と電子部品の接続用電極部６とが接続するように設置する。なお、図において、１はプレス上板、２はチャンバー、４はプレス下板を示す。
つぎに、図２（ii）に示すように、シートＡ（７），シートＢ（８）からなる電子部品封止用樹脂組成物シートを、電子部品５上に積載する。ここで、シートＡ，Ｂは、先に述べた本発明の電子部品装置の製法に示す条件に従い、図示のように、電子部品を覆うように設置する必要がある。このとき、電子部品を覆うようにシートＢを設置した後に、シートＢを覆うようにシートＡを設置してもよいし、あらかじめシートＢとシートＡとを張り合わせた状態で設置してもよい。特に、本発明の製法に用いられる上記電子部品封止用樹脂組成物シートが、あらかじめ上記シートＡとシートＢとを張り合わせた状態で積層一体化されてなるものであると、取り扱い等の観点から、上記製法において、より好ましく用いることができる。
続いて、図２（iii）に示すように、プレス上板１の移動により成形装置のチャンバー２内を密閉した後、チャンバー２内を減圧状態にし（図示の矢印方向に脱気し）、７０〜１５０℃から選ばれる成形温度に加熱する。これにより、上記シートＡ（７）の粘度が２０００〜５００００Ｐａ・ｓとなって、図３（iv）に示すように、シートＡ（７）の端部が実装基板３に接するまで垂れ下がる。この垂れ下がりにより、シートＡ（７）がシートＢ（８）および電子部品５を被覆した状態となる。このとき、図示のように、上記シートＡ（７）は、その被覆により、実装基板３との間に密閉空間を形成し、その密閉空間内で、シートＢ（８）は低粘度（２０〜２５０Ｐａ・ｓ）のゲル状となっている。なお、上記チャンバー２内の減圧を、０．０１〜５ｋＰａの範囲で行うことが、この工程を良好に進行させる観点から好ましい。
この状態で、図３（ｖ）に示すように、上記シートＡの上からプレス上板１でプレスする。上記プレスは、シートＡ（７）と電子部品５とを接着させる観点から、５０〜１０００ｋＰａの圧力で行うことが好ましい。その際、温度は７０〜１５０℃から選ばれる成形温度のままに設定し、プレス時間は１〜５分が好ましい。
ついで、図３（vi）に示すように、チャンバー２内の圧力を開放する（バルブの開放により図示の矢印方向に空気が流入する）と、上記シートＡ（７）と実装基板３との間の密閉空間内で、シートＢ（８）が溶融物となって、実装基板３と電子部品５のギャップに入り込み、接続用電極部（バンプ）６同士の間に中空を形成することなく、電子部品５のアンダーフィルがなされるようになる。このとき、シートＡ（７）は、上記被覆により、シートＢ（８）の溶融物の漏れ出しを防ぐ治具の役割を果たしつつ、オーバーモールドとしての役割も果たす。これにより、樹脂組成物の漏れ出しを防ぐ治具を必要とすることなく、簡便にオーバーモールドおよびアンダーフィルが達成できる。なお、上記アンダーフィルの際、図３（vi）に示すように、プレスした状態のままチャンバー２内の圧力を開放することが、電子部品５の反りを抑制する観点から好ましい。
そして、上記アンダーフィルを行った後、両シートＡ，Ｂが熱硬化する温度（１５０℃を超える温度。好ましくは、１５５〜１８５℃の熱硬化温度）に加熱し、封止用樹脂組成物（両シートＡ，Ｂの溶融物）を熱硬化させ、その硬化体からなる封止樹脂層９を形成する。これにより、実装基板３上の複数の電子部品５が樹脂封止されてなる電子部品装置集合体を得ることができる。なお、上記熱硬化は、図３（vii）に示すように、プレス上板１の圧力から開放した状態で行ってもよいが、図３（vi）のように、プレスした状態のまま熱硬化させると、電子部品装置集合体の反りが抑制されるため、好ましい。また、速やかに、かつ完全に熱硬化を進行させるため、加熱時問は１〜３時間であることが好ましい。
このようにして、樹脂封止工程を経て得られた上記電子部品装置集合体は、最後に、その樹脂封止面にダイシングテープを適宜貼り、ダイシングすることにより、個々の電子部品装置を得ることができる（図示せず）。
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。ただし、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。
まず、下記に示す各成分材料を準備した。
〔エポキシ樹脂Ｉ〕
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ−８５０ＣＲＰ。２５℃における粘度：４．４Ｐａ・ｓ、エポキシ当量：１７１）
〔エポキシ樹脂II〕
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＬ−９８０。液状、エポキシ当量：１８６）
〔エポキシ樹脂III〕
トリフェニルメタン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ。軟化点；６０℃、エポキシ当量：１６９）
〔硬化剤Ｉ〕
フェノールノボラック樹脂（明和化成社製、ＮＤ−５６４。水酸基当量：１０７、軟化点：６５℃）
〔硬化剤II〕
フェノールノボラック樹脂（群栄化学工業社製、ＧＳ−１８０。水酸基当量：１０５、軟化点：８３℃）
〔硬化剤III〕
フェノールアラルキル樹脂（明和化成社製、ＭＥＨＣ−７８００Ｓ。水酸基当量：１７４、軟化点：７６℃）
〔無機質充填剤Ｉ〕
平均粒径５．８μｍ、最大粒径２４μｍの球状溶融シリカ（電気化学工業社製、ＦＢ−７ＳＤＣ）
〔無機質充填剤II〕
平均粒径１．５μｍ、最大粒径５．１μｍの球状溶融シリカ（アドマテックス社製、ＳＯ−３２Ｒ）
〔無機質充填剤III〕
平均粒径０．５μｍ、最大粒径１．５μｍの球状溶融シリカ（アドマテックス社製、ＳＯ−２５Ｒ）
〔無機質充填剤IV〕
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランで表面処理した無機質充填剤III。
〔硬化促進剤Ｉ〕
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート
〔硬化促進剤II〕
２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業社製、２ＰＨＺ−ＰＷ）
〔可撓性付与剤〕
アクリル系共重合体（ブチルアクリレート：アクリロニトリル：グリシジルメタクリレート＝８５：８：７重量％からなる共重合体。重量平均分子量８０万）
なお、上記アクリル系共重合体は、次のように合成した。すなわち、ブチルアクリレート、アクリロニトリル、グリシジルメタクリレートを、８５：８：７の仕込み重量比率で配合し、これに、重合開始剤として２，２’−アゾビスイソブチロニトリルを配合し、メチルエチルケトン中で窒素気流下、７０℃で５時間と８０℃で１時間のラジカル重合を行うことにより、上記アクリル系共重合体を得た。
〔樹脂シート１〜１５の作製〕
上記各成分材料を、下記の表１および表２に示す割合で分散混合し、これに各成分材料の合計量と同量のメチルエチルケトンを加えて、塗工用ワニスを調整した。そして、上記ワニスを、厚み３８μｍのポリエステルフィルム（三菱樹脂社製、ＭＲＦ−３８）の剥離処理面上に、コンマコーターにより塗工し、乾燥することにより、厚みが５０μｍの樹脂組成物シートを得た。ついで、別途用意したポリエステルフィルムの剥離処理面を、上記樹脂組成物シートに貼り合わせて巻き取った。その後、ポリエステルフィルムを適宜剥離しながら、ロールラミネーターにより上記樹脂組成物シートを積層することにより、所望の厚みの樹脂組成物シート（樹脂シート１〜１５）を得た。なお、上記のようにして得られた樹脂組成物シートの粘度を、回転型粘度計（ＨＡＫＫＥ社製、レオストレスＲＳ１）を用い、測定温度１３０℃、ギャップ１００μｍ、回転コーン直径２０ｍｍ、回転速度１０ｓ-1という条件で測定した。この測定結果も、下記の表１および表２に併せて示した。
Figure 0005349432
Figure 0005349432
〔実施例１〜１４、比較例１〜９〕
電子部品であるＳｉチップ（縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚み（ｔ１）０．２ｍｍ。電子部品１個あたりの体積（Ｖｃ）は２０ｍｍ3）に、接続用電極部であるバンプ（直径０．５ｍｍ、高さ（ｔ２）０．１ｍｍ）を５２個設けた（電子部品１個に搭載されているバンプの総体積（Ｖｂ）は、１．０２０５ｍｍ3）。実装基板であるエポキシ基板上（縦７０ｍｍ×横７０ｍｍ）に、このバンプ付きＳｉチップを、１ｍｍ間隔の碁盤目状に４個配列設置した（封止する電子部品の個数（ｎ）は４個であり、電子部品搭載エリアのＸ方向の長さ（Ｐ）は２１ｍｍ、電子部品搭載エリアのＹ方向の長さ（Ｑ）は２１ｍｍである）（図１(iii),(iv)参照）。
続いて、シートＡおよびシートＢに該当する樹脂シートを準備した。なお、上記樹脂シートは、後記の表３〜５に記載のサイズおよび組成のシートであり、表３〜５の「組成」の欄に記載のシート番号は、表１，２に記載のシート番号を指す。また、シートＡに該当する樹脂シートの寸法が、本発明に規定の＜条件（１）＞を満たすものは、表３〜５の「条件（１）」の欄に○、＜条件（１）＞を満たさないものは×と表記した。また、シートＢに該当する樹脂シートの寸法が、本発明に規定の＜条件（２）＞を満たすものは、表３〜５の「条件（２）」の欄に○、＜条件（２）＞を満たさないものは×と表記した。
そして、上記シートＡおよびシートＢに該当する樹脂シートの中心および平面ＸＹ方向と、電子部品搭載エリアの中心および平面ＸＹ方向とを合わせ、電子部品搭載エリアを覆うように電子部品上に配置した。上記配置の際、シートＡおよびシートＢが積層一体化したものを配置し、かつ、そのシートＢ側が電子部品に接するよう配置した。その後、成形装置内のチャンバーを、２ｋＰａまで減圧し、さらに、プレス下板および上板に設置されたヒーターにより１３０℃に加熱した。ついで、チャンバーを減圧状態に保ったまま、プレス上板により、温度１３０℃、圧力９８ｋＰａで３分問プレスし、その後チャンバーの圧力を開放することにより、実装基板と電子部品のギャップに溶融樹脂を充填した（図２、図３（iv）〜（vi）参照）。
その後、プレスの圧力を開放し、樹脂組成物を熱硬化（１７５℃、１時間）させて電子部品を封止（オーバーモールドおよびアンダーフィル）し、常温まで自然冷却させることにより電子部品装置集合体を得た（図３（vii）参照）。
最後に、樹脂封止面にダイシングテープを貼り、電子部品装置集合体をダイシングすることにより、電子部品装置を得た。
このようにして行われた電子部品装置の製造過程において、樹脂漏れ、およびアンダーフィル充填性が、本発明の基準を充分に満足し得るものであったか否かを、下記のようにして評価した。その結果を、後記の表３〜表５に併せて示した。
〔樹脂漏れ〕
得られた電子部品装置集合体について、封止樹脂がエポキシ基板の端まで流れていたものを×、エポキシ基板の端まで流れていなかったものを○とした。なお、封止樹脂がエポキシ基板の端まで流れた場合は、成形装置を汚染する可能性がある。
〔アンダーフィル充填性〕
得られた電子部品装置について、実装基板側から光を透過させた状態でマイクロスコープを用いてアンダーフィル部分を観察し、ボイドが確認されたものを×、ボイドが確認されなかったものを○とした。
Figure 0005349432
Figure 0005349432
Figure 0005349432
上記表の結果より、特定の粘度および特定のサイズ条件を満たすシートＡおよびシートＢを用いた実施例１〜１４は、樹脂漏れがなくアンダーフィル充填性も良好な封止が可能であることがわかる。
これに対し、シートＡの粘度が、本発明に規定の下限未満である比較例１は、シートＡ自体が樹脂漏れを起こした。シートＡの粘度が、本発明に規定の上限を超える比較例２〜４は、シートＡが加熱しても軟化しないために、樹脂漏れを防ぐための治具の役割を果たさず、シートＢによるアンダーフィル充填性が不良となった。シートＢの粘度が、本発明に規定の下限未満である比較例５は、シートＢがタック性を有するために、電子部品上に設置する際にエアーを巻き込みやすく、このエアーが封止時にアンダーフィル部分に移動して不良となった。シートＢの粘度が、本発明に規定の上限を超える比較例６および７は、アンダーフィル部分に樹脂が流れ込めず、アンダーフィル充填性不良であった。また、シートＡおよびシートＢが、本発明に規定の特定の粘度を満たしながらも、そのサイズ条件を満たさない比較例８および比較例９は、アンダーフィル充填性等が不良となった。
Ａｘ シートＡのＸ軸方向長さ（ｍｍ）
Ａｙ シートＡのＹ軸方向長さ（ｍｍ）
Ａｚ シートＡの厚み（ｍｍ）
ｔ１ 電子部品の厚み（ｍｍ）
ｔ２ 電子部品の接続用電極部高さ（ｍｍ）
Ｐ 電子部品搭載エリアのＸ方向の長さ（ｍｍ）
Ｑ 電子部品搭載エリアのＹ方向の長さ（ｍｍ）
ｎ 封止する電子部品の個数
Ｖｃ 電子部品１個あたりの体積（ｍｍ3）
Ｂｘ シートＢのＸ軸方向長さ（ｍｍ）
Ｂｙ シートＢのＹ軸方向長さ（ｍｍ）
Ｂｚ シートＢの厚み（ｍｍ）
Ｖｂ 電子部品１個に搭載されているバンプの総体積（ｍｍ3）
１ プレス上板
２ チャンバー
３ 実装基板
４ プレス下板
５ 電子部品
６ 電子部品の接続用電極部（バンプ）
７ シートＡ
８ シートＢ
９ 封止樹脂層

Claims (10)

  1. 実装基板上に複数の電子部品を並べて設置した後、上記実装基板における電子部品搭載エリア上に、下記（Ｂ）に示す熱硬化性樹脂組成物シート〔シートＢ〕、およびその上に下記（Ａ）に示す熱硬化性樹脂組成物シート〔シートＡ〕を積載し、かつ上記電子部品搭載エリアの中心および平面ＸＹ方向と、両シートＡ，Ｂの中心および平面ＸＹ方向とが略合致するよう設置する工程と、この設置状態を保持した上記実装基板を、減圧状態のチャンバー内で７０〜１５０℃から選ばれる成形温度に加熱し、上記シートＡの全周の端部を軟化により実装基板に接するまで垂れ下がらせ、シートＡの全周で囲われた空間を密閉する工程と、この垂れ下がり状態においてシートＢおよび電子部品を被覆した上記シートＡをプレスする工程と、上記チャンバー内の圧力を開放し、上記シートＡと実装基板との間に形成された密閉空間内で、シートＢの溶融物による電子部品のアンダーフィルを行う工程と、上記アンダーフィルを行った後、両シートＡ，Ｂの樹脂組成物を熱硬化させ、実装基板上の複数の電子部品が樹脂封止されてなる電子部品装置集合体を得る工程と、この電子部品装置集合体をダイシングし、個々の電子部品装置を得る工程とを備えたことを特徴とする電子部品装置の製法。
    （Ａ）上記成形温度における粘度が２０００〜５００００Ｐａ・ｓであり、かつ、その寸法が下記の条件（１）を満たす熱硬化性樹脂組成物シート。
    ＜条件（１）＞
    Ａｘ＞Ｐ＋８
    Ａｙ＞Ｑ＋８
    〔Ａｘ：シートＡのＸ軸方向長さ（ｍｍ），Ａｙ：シートＡのＹ軸方向長さ（ｍｍ），Ｐ：電子部品搭載エリアのＸ方向の長さ（ｍｍ），Ｑ：電子部品搭載エリアのＹ方向の長さ（ｍｍ）〕
    （Ｂ）上記成形温度における粘度が２０〜２５０Ｐａ・ｓであり、かつ、その寸法が下記の条件（２）を満たす熱硬化性樹脂組成物シート。
    ＜条件（２）＞
    Ａｘ≧Ｂｘ＞Ｐ×０．８
    Ａｙ≧Ｂｙ＞Ｑ×０．８
    〔Ｂｘ：シートＢのＸ軸方向長さ（ｍｍ），Ｂｙ：シートＢのＹ軸方向長さ（ｍｍ），Ｐ：電子部品搭載エリアのＸ方向の長さ（ｍｍ），Ｑ：電子部品搭載エリアのＹ方向の長さ（ｍｍ），Ａｘ：シートＡのＸ軸方向長さ（ｍｍ），Ａｙ：シートＡのＹ軸方向長さ（ｍｍ）〕
  2. 上記シートＡの寸法が、下記の条件（１′）を満たす請求項１記載の電子部品装置の製法。
    ＜条件（１′）＞
    ｔ１＋ｔ２＋４０＋Ｐ＞Ａｘ＞ｔ１＋ｔ２＋８＋Ｐ
    ｔ１＋ｔ２＋４０＋Ｑ＞Ａｙ＞ｔ１＋ｔ２＋８＋Ｑ
    （ｔ１＋０．５）−〔（ｎ×Ｖｃ）／（Ｐ×Ｑ）〕＞Ａｚ＞ｔ１−〔（ｎ×Ｖｃ）／（Ｐ×Ｑ）〕
    〔Ａｘ：シートＡのＸ軸方向長さ（ｍｍ），Ａｙ：シートＡのＹ軸方向長さ（ｍｍ），Ａｚ：シートＡの厚み（ｍｍ），ｔ１：電子部品の厚み（ｍｍ），ｔ２：電子部品の接続用電極部高さ（ｍｍ），Ｐ：電子部品搭載エリアのＸ方向の長さ（ｍｍ），Ｑ：電子部品搭載エリアのＹ方向の長さ（ｍｍ），Ｖｃ：電子部品１個あたりの体積（ｍｍ3），ｎ：封止する電子部品の個数〕
  3. 上記シートＢの寸法が、下記の条件（２′）を満たす請求項１または２記載の電子部品装置の製法。
    ＜条件（２′）＞
    Ａｘ≧Ｂｘ＞Ｐ×０．８
    Ａｙ≧Ｂｙ＞Ｑ×０．８
    ｛〔Ｐ×Ｑ×（ｔ１＋ｔ２）−ｎ（Ｖｃ＋Ｖｂ）〕／（Ｐ×Ｑ）｝＋０．１＞Ｂｚ＞（ｔ２×Ｐ×Ｑ−Ｖｂ×ｎ）／（Ｐ×Ｑ）
    〔Ｂｘ：シートＢのＸ軸方向長さ（ｍｍ），Ｂｙ：シートＢのＹ軸方向長さ（ｍｍ），Ｂｚ：シートＢの厚み（ｍｍ），ｔ１：電子部品の厚み（ｍｍ），ｔ２：電子部品の接続用電極部高さ（ｍｍ），Ｐ：電子部品搭載エリアのＸ方向の長さ（ｍｍ），Ｑ：電子部品搭載エリアのＹ方向の長さ（ｍｍ），Ｖｂ：電子部品１個に搭載されているバンプ（接続用電極部）の総体積（ｍｍ3），Ｖｃ：チップ１個あたりの体積（ｍｍ3），ｎ：封止する電子部品の個数），Ａｘ：シートＡのＸ軸方向長さ（ｍｍ），Ａｙ：シートＡのＹ軸方向長さ（ｍｍ）〕
  4. チャンバー内の減圧が、０．０１〜５ｋＰａの範囲である請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品装置の製法。
  5. プレス工程が、５０〜１０００ｋＰａの圧力で行われる請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子部品装置の製法。
  6. 両シートＡ，Ｂが熱硬化する温度が、１５０℃を超える温度である請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子部品装置の製法。
  7. 上記シートＡとして、下記の（ａ）〜（ｄ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物からなる樹脂組成物シートを用いる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子部品装置の製法。
    （ａ）２５℃における粘度が１．０〜１０．０Ｐａ・ｓであるエポキシ樹脂。
    （ｂ）硬化剤。
    （ｃ）下記の（ｃ１）〜（ｃ３）成分からなり、（ｃ２）および（ｃ３）成分の合計含有量が、（ｃ１）成分１００重量部に対して２〜６０重量部の範囲内である無機質充填剤。
    （ｃ１）平均粒径が５〜２０μｍの無機質充填剤。
    （ｃ２）平均粒径が１〜３μｍの無機質充填剤。
    （ｃ３）平均粒径が０．３〜０．８μｍの無機質充填剤。
    （ｄ）可撓性付与剤。
  8. 上記シートＢとして、下記の（ｅ）〜（ｈ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物からなる樹脂組成物シートを用いる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の電子部品装置の製法。
    （ｅ）軟化点が６０〜１３０℃のエポキシ樹脂および液状エポキシ樹脂の混合物。
    （ｆ）硬化剤。
    （ｇ）平均粒径が０．３〜３μｍの無機質充填剤。
    （ｈ）可撓性付与剤。
  9. 請求項１〜８のいずれか一項に記載の製法に用いられる樹脂組成物シートであって、上記シートＡとシートＢとからなるシートセットであることを特徴とする電子部品封止用樹脂組成物シート。
  10. 請求項１〜８のいずれか一項に記載の製法に用いられる樹脂組成物シートであって、上記シートＡとシートＢとが積層一体化されてなることを特徴とする電子部品封止用樹脂組成物シート。
JP2010198623A 2010-09-06 2010-09-06 電子部品装置の製法およびそれに用いる電子部品封止用樹脂組成物シート Expired - Fee Related JP5349432B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010198623A JP5349432B2 (ja) 2010-09-06 2010-09-06 電子部品装置の製法およびそれに用いる電子部品封止用樹脂組成物シート
EP20110180025 EP2426707A1 (en) 2010-09-06 2011-09-05 Method for Manufacturing Electronic Parts Device and Resin Composition for Electronic Parts Encapsulation
CN201110270558.8A CN102386111B (zh) 2010-09-06 2011-09-06 电子部件装置的制造方法和电子部件封装用树脂组合物
US13/225,681 US8938878B2 (en) 2010-09-06 2011-09-06 Method for manufacturing electronic parts device and resin composition for electronic parts encapsulation
KR20110090033A KR20120024507A (ko) 2010-09-06 2011-09-06 전자 부품 장치의 제조 방법 및 전자 부품 밀봉용 수지 조성물 시트
TW100132150A TW201218288A (en) 2010-09-06 2011-09-06 Method for manufacturing electronic parts device and resin composition for electronic parts encapsulation

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010198623A JP5349432B2 (ja) 2010-09-06 2010-09-06 電子部品装置の製法およびそれに用いる電子部品封止用樹脂組成物シート

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012059743A JP2012059743A (ja) 2012-03-22
JP5349432B2 true JP5349432B2 (ja) 2013-11-20

Family

ID=44677611

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010198623A Expired - Fee Related JP5349432B2 (ja) 2010-09-06 2010-09-06 電子部品装置の製法およびそれに用いる電子部品封止用樹脂組成物シート

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8938878B2 (ja)
EP (1) EP2426707A1 (ja)
JP (1) JP5349432B2 (ja)
KR (1) KR20120024507A (ja)
CN (1) CN102386111B (ja)
TW (1) TW201218288A (ja)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013147589A (ja) * 2012-01-20 2013-08-01 Nitto Denko Corp 電子部品封止用樹脂組成物シートおよびそれを用いた電子部品装置の製法
JP6362834B2 (ja) * 2012-07-17 2018-07-25 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 半導体装置の製造方法
JP2014103257A (ja) * 2012-11-20 2014-06-05 Nitto Denko Corp 電子部品装置の製造方法、及び、電子部品装置
JP6050103B2 (ja) * 2012-11-29 2016-12-21 ミカド機器販売株式会社 真空加熱加圧封止成形装置及び真空加熱加圧封止成形方法
CN105264675B (zh) * 2013-06-06 2019-03-08 亮锐控股有限公司 层压有磷光体片的发光二极管及其制造方法
JP2015032648A (ja) * 2013-08-01 2015-02-16 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
JP6066856B2 (ja) * 2013-08-01 2017-01-25 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法、及び、封止用シート
CN105849879A (zh) * 2013-12-26 2016-08-10 日东电工株式会社 半导体装置的制造方法和热固性树脂片
CN105849880A (zh) * 2013-12-26 2016-08-10 日东电工株式会社 半导体装置的制造方法
JP6484061B2 (ja) * 2014-02-26 2019-03-13 日東電工株式会社 電子部品パッケージの製造方法
US20160260049A1 (en) 2015-03-06 2016-09-08 Wal-Mart Stores, Inc. Shopping facility assistance systems, devices, and methods to dispatch and recover motorized transport units that effect remote deliveries
WO2016158760A1 (ja) 2015-03-31 2016-10-06 東レ株式会社 電子部品用樹脂シート、保護フィルム付電子部品用樹脂シートならびに半導体装置およびその製造方法
TWI756181B (zh) * 2015-08-28 2022-03-01 日商昭和電工材料股份有限公司 緩衝片用組成物及緩衝片
JP2018046230A (ja) * 2016-09-16 2018-03-22 イビデン株式会社 プリント配線板
JP2018046231A (ja) * 2016-09-16 2018-03-22 イビデン株式会社 プリント配線板
JPWO2018159619A1 (ja) * 2017-03-03 2019-12-26 リンテック株式会社 封止シート、および半導体装置の製造方法
TW201842008A (zh) * 2017-03-15 2018-12-01 日商住友電木股份有限公司 樹脂片、疊層樹脂片及樹脂組成物
JP6935687B2 (ja) * 2017-06-23 2021-09-15 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法
SG11202002477YA (en) * 2017-09-29 2020-04-29 Nagase Chemtex Corp Manufacturing method of mounting structure, and laminate sheet therefor
CN114207809A (zh) * 2019-08-09 2022-03-18 长濑化成株式会社 模具底部填充密封用的多层片、模具底部填充密封方法、电子部件安装基板以及电子部件安装基板的制造方法
JP6856787B1 (ja) * 2020-01-29 2021-04-14 住友化学株式会社 電子部品の製造方法
JP7436240B2 (ja) 2020-02-21 2024-02-21 デクセリアルズ株式会社 アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法
US20240071781A1 (en) * 2021-02-01 2024-02-29 Nagase Chemtex Corporation Method for sealing electronic component mounting substrate, and heat-curable sheet
WO2023095697A1 (ja) * 2021-11-29 2023-06-01 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 保護シート、電子デバイスパッケージ及びその製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5641997A (en) * 1993-09-14 1997-06-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Plastic-encapsulated semiconductor device
EP0771023A3 (en) * 1995-10-27 1999-03-24 Honeywell Inc. Method of applying a protective coating on a semiconductor integrated circuit
JPH09260433A (ja) * 1996-03-22 1997-10-03 Nitto Denko Corp 半導体装置の製法およびそれによって得られた半導体装置
JP2001510944A (ja) * 1997-07-21 2001-08-07 アギラ テクノロジーズ インコーポレイテッド 半導体フリップチップ・パッケージおよびその製造方法
JP2001107009A (ja) * 1999-09-30 2001-04-17 Three M Innovative Properties Co 熱硬化性接着剤組成物及びそれを用いた接着構造
JP2004523893A (ja) * 2000-11-14 2004-08-05 ヘンケル　ロックタイト　コーポレイション ウェーハ塗布用融剤兼アンダーフィル材、ならびにそれを用いて製造された積層電子組立体
JP5035580B2 (ja) 2001-06-28 2012-09-26 ナガセケムテックス株式会社 弾性表面波デバイスおよびその製法
JP2003249509A (ja) * 2002-02-26 2003-09-05 Asuriito Fa Kk 半導体封止方法および封止された半導体
JP4166997B2 (ja) * 2002-03-29 2008-10-15 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波素子の実装方法及び樹脂封止された弾性表面波素子を有する弾性表面波装置
JP4383768B2 (ja) * 2003-04-23 2009-12-16 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 封止用フィルム接着剤、封止用フィルム積層体及び封止方法
US7495344B2 (en) * 2004-03-18 2009-02-24 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor apparatus
JP4754185B2 (ja) * 2004-05-27 2011-08-24 リンテック株式会社 半導体封止用樹脂シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
JP4730652B2 (ja) 2004-06-02 2011-07-20 ナガセケムテックス株式会社 電子部品の製造方法
US7906860B2 (en) * 2007-10-26 2011-03-15 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
JP5047324B2 (ja) 2010-03-25 2012-10-10 京セラ株式会社 カード固定装置及び携帯端末機

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120024507A (ko) 2012-03-14
EP2426707A1 (en) 2012-03-07
US20120055015A1 (en) 2012-03-08
JP2012059743A (ja) 2012-03-22
TW201218288A (en) 2012-05-01
US8938878B2 (en) 2015-01-27
CN102386111A (zh) 2012-03-21
CN102386111B (zh) 2015-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5349432B2 (ja) 電子部品装置の製法およびそれに用いる電子部品封止用樹脂組成物シート
JP5133598B2 (ja) 封止用熱硬化型接着シート
KR100781040B1 (ko) 액상 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치
JP4989402B2 (ja) 中空型デバイス封止用樹脂組成物シートおよびそれを用いて封止した中空型デバイス
WO2011104996A1 (ja) 熱硬化性樹脂組成物、ｂステージ熱伝導性シート及びパワーモジュール
JP5180162B2 (ja) 電子部品封止用シート状エポキシ樹脂組成物およびそれにより得られた電子部品装置集合体ならびに電子部品装置
CN107210274B (zh) 密封用膜及使用该密封用膜的电子部件装置
WO2014136720A1 (ja) 半導体装置の製造方法及び熱硬化性樹脂シート
JP4656269B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
WO2011013326A1 (ja) 液状樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置
WO2017038941A1 (ja) 樹脂組成物、硬化物、封止用フィルム及び封止構造体
WO2014162951A1 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3695521B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
TWI763877B (zh) 半導體密封用熱硬化性環氧樹脂薄片、半導體裝置及其製造方法
JP3985148B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
WO2018150779A1 (ja) 樹脂組成物、樹脂シート及び半導体装置並びに半導体装置の製造方法
JP4737364B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2008260845A (ja) 封止用熱硬化型接着シート
JP2006316250A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
TW201913918A (zh) 半導體裝置
JP7070559B2 (ja) 封止用フィルム及び封止構造体、並びにこれらの製造方法
TWI824114B (zh) 密封用薄片
JP2006002138A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006299247A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
TW201430966A (zh) 密封體的製造方法、密封體製造用框狀間隔件、密封體及電器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121126

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130711

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130723

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130820

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees