JP2006299247A - 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006299247A
JP2006299247A JP2006077020A JP2006077020A JP2006299247A JP 2006299247 A JP2006299247 A JP 2006299247A JP 2006077020 A JP2006077020 A JP 2006077020A JP 2006077020 A JP2006077020 A JP 2006077020A JP 2006299247 A JP2006299247 A JP 2006299247A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
liquid epoxy
resin composition
group
mass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006077020A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Takenaka
博之 竹中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2006077020A priority Critical patent/JP2006299247A/ja
Publication of JP2006299247A publication Critical patent/JP2006299247A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83909Post-treatment of the layer connector or bonding area
    • H01L2224/83951Forming additional members, e.g. for reinforcing, fillet sealant
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01012Magnesium [Mg]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01016Sulfur [S]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01027Cobalt [Co]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01077Iridium [Ir]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01087Francium [Fr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【解決手段】(A)液状エポキシ樹脂、
(B)芳香族アミン系硬化剤、
(C)一般式(2)で表されるフェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体を含有するマイクロカプセル
Figure 2006299247

(R4、R5、R6はそれぞれ独立に水素原子、水酸基、アルコキシ基、又は酸素、窒素、硫黄及びケイ素から選ばれる原子を結合途中に有してもよい一価炭化水素基である。)
を必須成分とする液状エポキシ樹脂組成物。
【効果】本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、保存性を維持しつつ、硬化時間を短縮でき、また、シリコンチップの表面、特に感光性ポリイミド樹脂や窒化膜との密着性に優れた硬化物を与え、吸湿後のリフロー温度が260〜270℃に上昇しても不良が発生せず、更に高温多湿の条件下でも劣化せず、−65℃/150℃の温度サイクルにおいても剥離、クラックが起こらない半導体装置を提供できる。
【選択図】 なし

Description

本発明は、半導体封止用として好適で、シリコンチップの素子表面(特に感光性ポリイミド、窒化膜、酸化膜)との密着性が非常に良好であり、耐湿性の高い硬化物を与え、特にリフロー温度260℃以上の高温熱衝撃に対して優れた封止材となり得る液状エポキシ樹脂組成物、及びこの組成物にて封止された半導体装置に関する。
電気機器の小型化、軽量化、高機能化に伴い、半導体の実装方法もピン挿入タイプから表面実装が主流になっている。また、半導体素子の高集積化に伴い、ダイサイズの一辺が10mmを超えるものもあり、ダイサイズの大型化が進んできている。このような大型ダイを用いた半導体装置では、半田リフロー時にダイと封止材にかかる応力が増大し、封止材とダイ及び基板の界面での剥離、基板実装時にパッケージにクラックが入るといった問題がクローズアップされてきている。
更に、近い将来に鉛含有半田が使用できなくなることから、鉛代替半田が多数開発されている。この種の半田は、溶融温度が鉛含有の半田より高くなることから、リフローの温度も260〜270℃で検討されており、従来の液状エポキシ樹脂組成物の封止材では、より一層の不良が予想される。このようにリフローの温度が高くなると、従来においては何ら問題のなかったフリップチップ型のパッケージもリフロー時にクラックが発生したり、チップ界面、基板界面との剥離が発生したりするという重大な問題が起こるようになった。
これらの要求を満たす材料として、液状エポキシ樹脂/アルキル置換芳香族ジアミン系の液状封止樹脂が提案されている(特許文献1:特開平9−176287号公報、特許文献2:特開平9−176294号公報参照)。この材料は、基板、金属、ソルダーレジスト等との接着性に優れ、更に耐リフロー性、耐温度サイクルクラック性に優れ、高信頼性パッケージを可能としている。
しかし、上記の樹脂系は硬化時間が長く(150℃/3時間)、パッケージ生産性という観点からは問題であった。また、ゲル化時間が長いためにフィラーの沈降、それに伴う表面クラックの発生、可使時間が短い等の欠点があった。また、硬化時間を短くするために硬化促進剤の検討が考えられ、その例としてはフェノール類、サリチル酸のようなフェノール酸が挙げられるが、可使時間が短く、作業性が著しく低下する等の欠点があった。
特開平9−176287号公報 特開平9−176294号公報
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、従来に比べて短時間に硬化が可能であり、シリコンチップの表面、特に感光性ポリイミド樹脂や窒化膜との密着性に優れ、かつ強靭性に優れた硬化物を与え、リフローの温度が従来温度240℃付近から260〜270℃に上昇しても不良が発生せず、更にプレッシャークッカーテスト(以下PCTという)において、120℃/2.1atmなどの高温多湿の条件下でも劣化せず、−65℃/150℃の温度サイクルにおいて数百サイクルを超えても剥離、クラックが発生しない半導体装置の封止材となり得る液状エポキシ樹脂組成物、及びこの組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供することを目的とする。
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、(A)液状エポキシ樹脂、(B)芳香族アミン系硬化剤、特に下記一般式(1)で表される芳香族アミン化合物を5質量%以上含有する芳香族アミン系硬化剤、(C)下記一般式(2)で表されるフェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体を含有するマイクロカプセル、及び好ましくは(D)無機質充填剤を含有する液状エポキシ樹脂組成物を用いることにより、この液状エポキシ樹脂組成物が、低粘度で作業性に優れており、シリコンチップの表面、特に感光性ポリイミド樹脂や窒化膜、とりわけ窒化膜との密着性に優れ、PCT(120℃/2.1atm)などの高温多湿の条件下でも劣化せず、熱衝撃に対して優れており、特に大型ダイサイズの半導体装置の封止材として有効となり得ることを見出した。
即ち、下記一般式(1)で表される芳香族アミン化合物は、従来の芳香族アミン系硬化剤に比べ、特定な置換基を持つことにより、比較的早く熱硬化するにもかかわらず、ポットライフが長く、硬化物の機械特性、電気特性、耐熱特性、耐薬品特性に優れるものであり、この硬化剤を用いることによって、シリコンチップの表面、特に感光性ポリイミド樹脂や窒化膜との密着性に優れ、かつ熱衝撃性が著しく向上し、高温多湿下でも優れた特性を得ることが可能となるものである。また、本発明の芳香族アミン系硬化剤として、特に下記一般式(1)で表されるものを用いた場合、粘度が低いために組成物の低粘度化が可能となり、作業性及び成形性が非常に優れるものとなることを知見し、本発明をなすに至ったものである。
Figure 2006299247
(式中、R1〜R3は独立に炭素数1〜6の一価炭化水素基、CH3S−及びC25S−から選ばれる基である。)
Figure 2006299247
(式中、R4、R5、R6はそれぞれ独立に水素原子、水酸基、炭素数1〜10のアルコキシ基、又は酸素、窒素、硫黄及びケイ素から選ばれる原子を結合途中に有していてもよい炭素数1〜12の非置換もしくは置換一価炭化水素基である。)
従って、本発明は、下記に示す液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置を提供する。
〔1〕 (A)液状エポキシ樹脂、
(B)芳香族アミン系硬化剤、好ましくは上記一般式(1)で表される芳香族アミン化合物を5質量%以上含有する芳香族アミン系硬化剤、
(C)上記一般式(2)で表されるフェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体を含有するマイクロカプセル
を必須成分とすることを特徴とする液状エポキシ樹脂組成物。
〔2〕 (A)液状エポキシ樹脂と(B)芳香族アミン系硬化剤との総量100質量部に対し、(C)フェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体を含有するマイクロカプセルの添加量が0.1〜50質量部であることを特徴とする〔1〕に記載の液状エポキシ樹脂組成物。
〔3〕 上記一般式(2)で表されるフェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体が、サリチル酸、3−ヒドロキシ安息香酸、4−ヒドロキシ安息香酸、3−メチルサリチル酸、4−メチルサリチル酸、5−メチルサリチル酸、3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ安息香酸、2,3−ジヒドロキシ安息香酸、2,4−ジヒドロキシ安息香酸、2,5−ジヒドロキシ安息香酸、2,6−ジヒドロキシ安息香酸及びオクチル−4−ヒドロキシ安息香酸から選ばれるものである〔1〕又は〔2〕に記載の液状エポキシ樹脂組成物。
〔4〕 (C)成分のマイクロカプセルが、平均粒径が0.5〜10μmであり、かつクレゾールにおけるマイクロカプセルからのフェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体の溶出量が30℃、15分でマイクロカプセル中に含まれる全フェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体の70質量%以上であることを特徴とする〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の液状エポキシ樹脂組成物。
〔5〕 更に、(D)成分として平均粒径が2〜20μmで、最大粒径が75μm以下の無機質充填剤を(A)液状エポキシ樹脂と(B)芳香族アミン系硬化剤との総量100質量部に対して50〜1,200質量部配合してなることを特徴とする〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載のポッティング材用液状エポキシ樹脂組成物。
〔6〕 更に、(D)成分としてフリップチップギャップ幅(基板と半導体チップとの隙間)に対して平均粒径が約1/10以下、最大粒径が1/2以下の無機質充填剤を(A)液状エポキシ樹脂と(B)芳香族アミン系硬化剤との総量100質量部に対して50〜400質量部配合してなることを特徴とする〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載のアンダーフィル材用液状エポキシ樹脂組成物。
〔7〕 〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載の液状エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置。
〔8〕 〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載の液状エポキシ樹脂組成物の硬化物をアンダーフィル材として封止したフリップチップ型半導体装置。
本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、保存性を維持しつつ、硬化時間を短縮することができる。また、シリコンチップの表面、特に感光性ポリイミド樹脂や窒化膜との密着性に優れた硬化物を与え、吸湿後のリフローの温度が従来温度240℃付近から260〜270℃に上昇しても不良が発生せず、更にPCT(120℃/2.1atm)等の高温多湿の条件下でも劣化せず、−65℃/150℃の温度サイクルにおいて数百サイクルを超えても剥離、クラックが起こらない半導体装置を提供することができる。
以下、本発明について更に詳しく説明する。
[(A)液状エポキシ樹脂]
本発明の液状エポキシ樹脂組成物において、(A)液状エポキシ樹脂は、好ましくは一分子内に3官能基以下のエポキシ基を含有する常温で液状のエポキシ樹脂であればいかなるものでも使用可能であるが、25℃における粘度が800Pa・s以下、特に500Pa・s以下のものが好ましく、具体的には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェニルグリシジルエーテルなどが挙げられ、これらの中でも室温(25℃)で液状のエポキシ樹脂を使用することが好ましい。また、本発明の液状エポキシ樹脂は、1種を単独で又は2種以上を併用することができる。なお、本発明において、粘度は回転粘度計により25℃における値を測定したものである。
また、本発明のエポキシ樹脂は、下記構造式(3),(4)で示されるエポキシ樹脂を侵入性に影響を及ぼさない範囲で含有していてもよい。
Figure 2006299247
ここで、R7は水素原子又は炭素数1〜20、好ましくは炭素数1〜10、更に好ましくは炭素数1〜3の一価炭化水素基であり、一価炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基等のアルケニル基等が挙げられる。また、xは1〜4の整数、特に1又は2である。
なお、上記式(3)、(4)で示されるエポキシ樹脂を配合する場合、その配合量は、全エポキシ樹脂中25質量%以上、より好ましくは50質量%以上、更に好ましくは75質量%以上であることが推奨される。25質量%未満であると組成物の粘度が上昇したり、硬化物の耐熱性が低下したりするおそれがある。なお、その上限は100質量%でもよい。
上記一般式(4)で示されるエポキシ樹脂の例としては、RE600NM(日本化薬(株)製)等が挙げられる。
上記液状エポキシ樹脂中の全塩素含有量は、1,500ppm以下、望ましくは1,000ppm以下であることが好ましい。また、100℃で50%エポキシ樹脂濃度における20時間での抽出水塩素が10ppm以下であることが好ましい。全塩素含有量が1,500ppmを超え、又は抽出水塩素が10ppmを超えると半導体素子の信頼性、特に耐湿性に悪影響を与えるおそれがある。
[(B)芳香族アミン系硬化剤]
次に、本発明に使用する芳香族アミン系硬化剤(B)は、従来から知られたいずれのものでもよいが、特に下記一般式(1)で表される芳香族アミン化合物を全芳香族アミン系硬化剤中に5質量%以上含有するものが好ましい。
Figure 2006299247
(式中、R1〜R3は独立に炭素数1〜6の一価炭化水素基、CH3S−及びC25S−から選ばれる基である。)
ここで、R1〜R3の一価炭化水素基としては、炭素数1〜6、特に1〜3のものが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、フェニル基などや、これらの炭化水素基の水素原子の一部又は全部を塩素、フッ素、臭素等のハロゲン原子で置換したフロロメチル基、ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換一価炭化水素基などを挙げることができる。
一般式(1)で表される芳香族アミン化合物として、具体的には、ジエチルトルエンジアミン、ジメチルチオトルエンジアミン、ジメチルトルエンジアミンなどが挙げられる。
上記一般式(1)で表される芳香族アミン化合物の配合量は、芳香族アミン系硬化剤全体の5質量%以上、好ましくは10〜100質量%、より好ましくは20〜100質量%である。一般式(1)で表される芳香族アミン化合物が、硬化剤全体の5質量%未満であると、粘度が上昇したり、接着力が低下したり、クラックが発生したりする。
また、上記一般式(1)で表される芳香族アミン化合物以外の芳香族アミン系硬化剤としては、芳香族ジアミノジフェニルメタン化合物、例えば、3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノフェニルメタン、3,3’,5,5’−テトラメチル−4,4’−ジアミノフェニルメタン、3,3’,5,5’−テトラエチル−4,4’−ジアミノフェニルメタン、2,4−ジアミノトルエン、1,4−ジアミノベンゼン、1,3−ジアミノベンゼン等の芳香族アミン化合物であることが好ましい。
上記芳香族アミン系硬化剤において、常温で固体である場合は、そのまま配合すると樹脂粘度が上昇し、作業性が著しく悪くなるため、予めエポキシ樹脂と溶融混合することが好ましく、後述する指定の配合量で、70〜150℃の温度範囲で1〜2時間溶融混合することが望ましい。混合温度が70℃未満であると芳香族アミン系硬化剤が十分に相溶しないおそれがあり、150℃を超える温度であるとエポキシ樹脂と反応して粘度上昇するおそれがある。また、混合時間が1時間未満であると芳香族アミン系硬化剤が十分に相溶せず、粘度上昇を招くおそれがあり、2時間を超えるとエポキシ樹脂と反応し、粘度上昇するおそれがある。
なお、本発明に用いられる芳香族アミン系硬化剤の総配合量は、液状エポキシ樹脂と芳香族アミン系硬化剤との当量比〔(A)液状エポキシ樹脂のエポキシ当量/(B)芳香族アミン系硬化剤のアミン当量〕を0.7以上1.2以下、好ましくは0.7以上1.1以下、更に好ましくは0.85以上1.05以下の範囲とすることが推奨される。上記当量比が0.7未満では、未反応のアミノ基が残存し、ガラス転移温度が低下したり、また密着性が低下したりするおそれがある。逆に1.2を超えると硬化物が硬く脆くなり、リフロー時にクラックが発生するおそれがある。
[(C)硬化触媒]
本発明に用いられる(C)成分は、マイクロカプセル触媒であり、(A)及び(B)成分の硬化剤として作用するもので、下記一般式(2)で表されるフェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体が、マイクロカプセル中に閉じ込められたものである。
Figure 2006299247
(式中、R4、R5、R6はそれぞれ独立に水素原子、水酸基、炭素数1〜10のアルコキシ基、又は酸素、窒素、硫黄及びケイ素から選ばれる原子を結合途中に有していてもよい炭素数1〜12の非置換もしくは置換一価炭化水素基である。)
上記式(2)中、R4、R5、R6のアルコキシ基としては、炭素数1〜10、好ましくは1〜5のものが挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、tert−ブトキシ基等が挙げられる。また、非置換又は置換の一価炭化水素基としては、酸素、窒素、硫黄及びケイ素から選ばれる原子を結合途中に有していてもよい炭素数1〜12、好ましくは1〜10のものが挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基、オクテニル基等のアルケニル基、ジメチルアミノメチル基や、これらの基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、塩素等のハロゲン原子、シアノ基、水酸基等で置換したもの、例えばクロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチル基、トリフロロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基やシアノエチル基、ヒドロキシエチル基等が挙げられる。
このような上記一般式(2)で表されるフェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体としては、例えば、サリチル酸、3−ヒドロキシ安息香酸、4−ヒドロキシ安息香酸、3−メチルサリチル酸、4−メチルサリチル酸、5−メチルサリチル酸、3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ安息香酸、2,3−ジヒドロキシ安息香酸、2,4−ジヒドロキシ安息香酸、2,5−ジヒドロキシ安息香酸、2,6−ジヒドロキシ安息香酸、オクチル−4−ヒドロキシ安息香酸などが挙げられる。
一方、本発明において用いられるマイクロカプセルは、(メタ)アクリル系単量体、例えばアクリル酸エステル、イタコン酸エステル、クロトン酸エステル等の炭素数1〜8のアルキルエステル、このアルキルエステルのアルキル基がアリル基等の置換基を有するもの、スチレン、α−メチルスチレン、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、酢酸ビニル等の単官能性単量体及びエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジビニルベンゼン、ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、メチレンビス(メタ)アクリルアミド等の多官能単量体から選ばれる1種を単独で又は2種以上の単量体を(共)重合することにより得られたポリマーを殻材として、該ポリマー中に触媒としてフェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体が閉じ込められたものである。なお、上記ポリマーの中では、(メタ)アクリレート系単量体の重合物が好ましい。
本発明の上記フェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体を含有するマイクロカプセルの製造方法としては様々な方法が挙げられるが、生産性及び球状度が高いマイクロカプセルを製造するためには、通常、懸濁重合法及び乳化重合法などの従来から公知の方法で製造することができる。例えば、特開平5−247179号公報に、エポキシ樹脂硬化剤用アミン類を主成分とする固体状芯物質を重合性二重結合を有する有機酸を含有するラジカル重合性モノマーでマイクロカプセル化する方法が開示されている。
この場合、一般的に使用されている触媒の分子構造から高濃度マイクロカプセルを得るためには、上記触媒10質量部に対して使用する上記単量体の総量は10〜200質量部程度が好ましく、より好ましくは10〜100質量部、更に好ましくは20〜50質量部である。10質量部未満では潜在性を十分に寄与することが困難となる場合があり、200質量部を超えると、触媒の比率が低くなり、十分な硬化性を得るためには多量に使用しなければならなくなるため、経済的に不利となる場合がある。即ち、マイクロカプセル中に含有される触媒の濃度としては、約5〜50質量%、好ましくは約10〜50質量%程度のものを使用することができる。
このような方法で得られるマイクロカプセルとしては、平均粒径が0.5〜10μm、最大粒径が50μm以下のものを使用することが好ましい。より好ましくは平均粒径が2〜5μm、かつ最大粒径が20μm以下のものが望ましい。マイクロカプセルの平均粒径が小さすぎると、比表面積が大きくなり、混合した時の粘度が高くなるおそれがある。また平均粒径が10μmを超えると、樹脂への分散が不均一になり、信頼性の低下を引き起こすおそれがある。
なお、この平均粒径及び最大粒径は、例えばレーザー光回折法等による粒度分布測定により得ることができ、平均粒径は重量平均値D50(又は、メジアン径)等として求めることができる(以下、同様)。
また、上記マイクロカプセルとしては、下記性能を有するものを使用することが好ましい。即ち、フェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体を含有するマイクロカプセルを1g秤量し、これをo−クレゾール30gに混合した後、30℃で放置し、溶出するフェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体をガスクロマトグラフィーで定量した場合、マイクロカプセルから溶出するフェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体量が30℃、15分でマイクロカプセル中に含まれるフェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体量の70質量%以上(即ち、70〜100質量%)であるものを用いることが好ましい。70質量%未満では、硬化時間が長くかかるおそれがあり、生産性が低下する場合がある。望ましくは、溶出量が75質量%以上である。
上記本発明のマイクロカプセルの配合量は、(A)液状エポキシ樹脂と、(B)芳香族アミン系硬化剤との総量100質量部に対して0.5〜20質量部、特に1〜15質量部であることが好ましい。0.5質量部未満では硬化性が低下するおそれがあり、20質量部を超える量では硬化性に優れるが保存性が低下するおそれがある。
また、マイクロカプセル化しないフェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体を触媒として、上記マイクロカプセル化した触媒と併用添加してもよい。その場合の配合量は、マイクロカプセル中に含まれるフェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体とマイクロカプセル化していないフェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体の合計が、(A)液状エポキシ樹脂と(B)芳香族アミン系硬化剤との総量100質量部に対して0.5〜20質量部、望ましくは0.5〜15質量部であることが好ましい。0.5質量部未満では硬化性が低下するおそれがあり、20質量部を超える量では硬化性に優れるが、保存性が低下するおそれがある。なお、マイクロカプセル化していないフェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体の添加量は、全触媒添加量の1/10以下であることが好ましく、1/10を超える量では硬化性に優れるが保存性が低下するおそれがある。
[(D)無機質充填剤]
本発明においては、膨張係数を小さくする目的から、公知の各種無機質充填剤(D)を添加することができる。無機質充填剤として具体的には、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ボロンナイトライド、窒化アルミニウム、窒化珪素、マグネシア、マグネシウムシリケートなどが挙げられる。中でも真球状の溶融シリカが低粘度化のため望ましい。
無機質充填剤は、樹脂と無機質充填剤との結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤などのカップリング剤で予め表面処理したものを配合することが好ましい。このようなカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、N−β(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプトシランなどのシランカップリング剤を用いることが好ましい。ここで表面処理に用いるカップリング剤の配合量及び表面処理方法については、特に制限されるものではない。
本発明の組成物をポッティング材として使用する場合、無機質充填剤は、平均粒径が2〜20μmで、最大粒径が75μm以下、特に50μm以下のものが望ましい。平均粒径が2μm未満では粘度が高くなり、多量に充填できない場合があり、一方、20μmを超えると粗い粒子が多くなり、リード線につまり、ボイドとなるおそれがある。
この場合、無機質充填剤の充填量は、(A)液状エポキシ樹脂と(B)芳香族アミン系硬化剤との総量100質量部に対して50〜1,200質量部、特に100〜1,200質量部の範囲が好ましい。50質量部未満では、膨張係数が大きく冷熱試験においてクラックの発生を誘発させるおそれがある。1,200質量部を超えると、粘度が高くなり、流動性の低下をもたらすおそれがある。なお、ポッティング材として使用する場合の好ましい粘度としては、25℃で700Pa・s以下、好ましくは500Pa・s以下である。
なお、アンダーフィル材として使用する場合には、無機質充填剤は、侵入性の向上と低線膨張化の両立を図るためフリップチップギャップ幅(基板と半導体チップとの隙間)に対して平均粒径が約1/10以下、最大粒径が1/2以下とすることが好ましい。
この場合の無機質充填剤の配合量としては、(A)液状エポキシ樹脂と(B)芳香族アミン系硬化剤との総量100質量部に対して50〜400質量部で配合することが好ましく、より好ましくは100〜250質量部の範囲で配合する。50質量部未満では、膨張係数が大きく、冷熱試験においてクラックの発生を誘発させるおそれがある。400質量部を超えると、粘度が高くなり、薄膜侵入性の低下をもたらすおそれがある。なお、アンダーフィル材として使用する場合の好ましい粘度としては、25℃で250Pa・s以下、好ましくは100Pa・s以下である。
[その他添加剤]
本発明のエポキシ樹脂組成物には、応力を低下させる目的でシリコーンゴム、シリコーンオイルや液状のポリブタジエンゴム、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレンよりなる熱可塑性樹脂などを配合してもよい。好ましくは、アルケニル基含有エポキシ樹脂又はフェノール樹脂のアルケニル基と下記平均組成式(5)で示される1分子中の珪素原子の数が20〜400であり、珪素原子に結合する水素原子(SiH基)の数が1〜5であるオルガノポリシロキサンのSiH基との付加反応により得られる共重合体を配合することが好ましい。
a8 bSiO(4-a-b) (5)
(式中、R8は非置換又は置換の一価の炭化水素基、aは0.01〜0.1、bは1.8〜2.2、1.81≦a+b≦2.3である。)
なお、R8の一価炭化水素基としては、炭素数1〜10、特に炭素数1〜8のものが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、へキシル基、オクチル基、デシル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、フェニル基、キシリル基、トリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基などや、これらの炭化水素基の水素原子の一部又は全部を塩素、フッ素、臭素等のハロゲン原子で置換したフロロメチル基、ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換一価炭化水素基を挙げることができる。
上記共重合体としては、中でも下記構造式(6)のものが望ましい.
Figure 2006299247
上記式(6)中、R8は上記と同じであり、R9は−CH2CH2CH2−、−OCH2−CH(OH)−CH2−O−CH2CH2CH2−又は−O−CH2CH2CH2−であり、R10は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基である。nは4〜199、好ましくは19〜109の整数、pは1〜10の整数、qは1〜10の整数である。
上記共重合体をジオルガノポリシロキサン量が、(A)、(B)成分の合計100質量部に対して0〜20質量部、特には2〜15質量部含まれるように配合することで応力をより一層低下させることができる。ここで、ジオルガノポリシロキサン量は、下記式で示される。
ジオルガノポリシロキサン量=
(ポリシロキサン部分の分子量/共重合体の分子量)×添加量(質量部)
本発明の液状エポキシ樹脂組成物には、更に必要に応じ、接着向上用炭素官能性シラン、カーボンブラックなどの顔料、染料、酸化防止剤、その他の添加剤を本発明の目的を損なわない範囲で配合することができる。但し、本発明においては、表面処理剤として使用する以外に接着向上用炭素官能性シラン等としてアルコキシ系シランカップリング剤を添加しないことが好ましい。特に、アンダーフィル材として用いる場合、少量でもアルコキシ系シランカップリング剤を配合すると、ボイドの原因となるおそれがある。
[液状エポキシ樹脂組成物の調製等]
本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、例えば、液状エポキシ樹脂、芳香族アミン系硬化剤、マイクロカプセル、必要に応じて無機質充填剤及びその他の添加剤等を同時に又は別々に、必要により加熱処理を加えながら、撹拌、溶解、混合、分散させることにより得ることができる。これらの混合、撹拌、分散等の装置としては、特に限定されるものではないが、撹拌、加熱装置を備えたライカイ機、3本ロール、ボールミル、プラネタリーミキサー等を用いることができる。またこれら装置を適宜組み合わせて使用してもよい。
なお、本発明において、封止材として用いる液状エポキシ樹脂組成物の粘度は、25℃において1,000Pa・s以下、特に500Pa・s以下のものが好ましい。また、この組成物の成形方法、成形条件は、常法とすることができるが、好ましくは、先に100〜120℃、0.5時間以上、その後150〜175℃、0.5時間以上の条件で熱オーブンキュアを行う。100〜120℃での加熱が0.5時間未満では、硬化後にボイドが発生する場合がある。また150〜175℃での加熱が0.5時間未満では、十分な硬化物特性が得られない場合がある。この場合、キュアの時間は加熱温度に応じて適宜選定される。
ここで、本発明に用いるフリップチップ型半導体装置としては、例えば図1に示したように、通常、有機基板1の配線パターン面に複数個のバンプ2を介して半導体チップ3が搭載されているものであり、上記有機基板1と半導体チップ3との隙間(バンプ2間の隙間)にアンダーフィル材4が充填され、その側部がフィレット材5で封止されたものとすることができるが、本発明の封止材は、特にこのようなアンダーフィル材として使用する場合に有効である。
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
[実施例1〜7、比較例1〜5、参考例1〜2]
表1及び2に示す成分をプラネタリーミキサー、3本ロールで均一に混練することにより、7種の樹脂組成物を得た。これらの樹脂組成物を用いて、以下に示す試験を行った。その結果を表1及び2に示す。
[粘度]
BH型回転粘度計を用いて4rpmの回転数で25℃における粘度を測定した。
[保存性]
25℃/60%RHにおいて樹脂組成物を保存し、上記測定条件で20%粘度上昇するのに要した時間の1/2の時間を保存性とした。
[ゲル化時間]
150℃のホットプレートに0.5ccの液状樹脂組成物を滴下し、スパチュラで撹拌して糸引きが切れるところでゲル化時間とした。
[Tg(ガラス転移温度)、CTE1(膨張係数)、CTE2(膨張係数)]
樹脂組成物を120℃/0.5時間+165℃/3時間で硬化させた5mm×5mm×15mmの硬化物試験片を用いて、TMA(熱機械分析装置)により毎分5℃の速さで昇温した時のTgを測定した。また、以下の温度範囲の膨張係数を測定した。
CTE1の温度範囲は50〜80℃、CTE2の温度範囲は200〜230℃である。
[PCT剥離テスト]
ポリイミドコートした10mm×10mmのシリコンチップを30mm×30mmのFR−4基板に約100μmのスペーサを用いて設置し、生じた隙間に組成物を侵入させて120℃/0.5時間+165℃/3時間の条件で硬化させ、30℃/65%RH/192時間後に最高温度265℃に設定したIRリフローにて5回処理した後の剥離、更にPCT(121℃/2.1atm)の環境下に置き、336時間後の剥離をC−SAM(SONIX社製)で確認した。
[熱衝撃テスト]
ポリイミドコートした10mm×10mmのシリコンチップを30mm×30mmのFR−4基板に約100μmのスペーサを用いて設置し、生じた隙間に組成物を侵入させて120℃/0.5時間+165℃/3時間の条件で硬化させ、30℃/65%RH/192時間後に最高温度265℃に設定したIRリフローにて5回処理した後、−65℃/30分、150℃/30分を1サイクルとし、250サイクル、500サイクル、750サイクル、1,000サイクル後の剥離、クラックを確認した。
[侵入性試験]
30mm×70mmの硝子板2枚を用い、約60μmのスペーサを用いてギャップを設置し、120℃において生じた隙間への樹脂組成物の侵入性を確認した。50mm以上侵入したものを○、侵入しないものを×とした。
Figure 2006299247
Figure 2006299247
(A)液状エポキシ樹脂
エポキシ樹脂a ビスフェノールF型エポキシ樹脂(RE303S−L:日本化薬株式会社製)
エポキシ樹脂b 下記式(7)で示される3官能型エポキシ樹脂(エピコート630H:ジャパンエポキシレジン株式会社製)
Figure 2006299247
(B)硬化剤
芳香族アミン系硬化剤A ジエチルジアミノジフェニルメタン(カヤハードA−A:日本化薬株式会社製)
芳香族アミン系硬化剤B テトラエチルジアミノフェニルメタン(C−300S:日本化薬株式会社製)
硬化剤a:ジエチルトルエンジアミン(分子量=178)
硬化剤b:ジメチルチオトルエンジアミン(分子量=214.4)
硬化剤c:ジメチルトルエンジアミン(分子量=150)
(C)硬化触媒
サリチル酸のマイクロカプセル:サリチル酸を20質量%含有したメタクリル酸メチルの重合体、平均粒径が7μm、o−クレゾール中で30℃、15分間の処理でマイクロカプセルから溶出する触媒の量は87質量%。
(D)無機質充填剤
無機質充填剤a:最大粒径24μm、平均粒径6μmの球状シリカ(株式会社龍森製)
無機質充填剤b:最大粒径53μm、平均粒径10μmの球状シリカ(株式会社龍森製)
その他添加剤
シランカップリング剤:γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403:信越化学工業株式会社製)
カーボンブラック:デンカブラック(電気化学工業株式会社製)
共重合体:下記式(8)で示されるSiH基含有オルガノポリシロキサンのSiH基と、下記式(9)で示されるアルケニル基含有エポキシ樹脂のアルケニル基との付加反応により得られる共重合体(オルガノポリシロキサン部分の含有率=81.5質量%)
Figure 2006299247
本発明の封止材を用いたフリップチップ型半導体装置の一例を示す概略図である。
符号の説明
1 有機基板
2 バンプ
3 半導体チップ
4 アンダーフィル材
5 フィレット材

Claims (9)

  1. (A)液状エポキシ樹脂、
    (B)芳香族アミン系硬化剤、
    (C)下記一般式(2)で表されるフェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体を含有するマイクロカプセル
    Figure 2006299247
    (式中、R4、R5、R6はそれぞれ独立に水素原子、水酸基、炭素数1〜10のアルコキシ基、又は酸素、窒素、硫黄及びケイ素から選ばれる原子を結合途中に有していてもよい炭素数1〜12の非置換もしくは置換一価炭化水素基である。)
    を必須成分とすることを特徴とする液状エポキシ樹脂組成物。
  2. (B)成分の芳香族アミン系硬化剤が、下記一般式(1)で表される芳香族アミン化合物を5質量%以上含有する芳香族アミン系硬化剤
    Figure 2006299247
    (式中、R1〜R3は独立に炭素数1〜6の一価炭化水素基、CH3S−及びC25S−から選ばれる基である。)
    であることを特徴とする請求項1記載の液状エポキシ樹脂組成物。
  3. (A)液状エポキシ樹脂と(B)芳香族アミン系硬化剤との総量100質量部に対し、(C)フェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体を含有するマイクロカプセルの添加量が0.1〜50質量部であることを特徴とする請求項1又は2記載の液状エポキシ樹脂組成物。
  4. 上記一般式(2)で表されるフェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体が、サリチル酸、3−ヒドロキシ安息香酸、4−ヒドロキシ安息香酸、3−メチルサリチル酸、4−メチルサリチル酸、5−メチルサリチル酸、3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ安息香酸、2,3−ジヒドロキシ安息香酸、2,4−ジヒドロキシ安息香酸、2,5−ジヒドロキシ安息香酸、2,6−ジヒドロキシ安息香酸及びオクチル−4−ヒドロキシ安息香酸から選ばれるものである請求項1、2又は3記載の液状エポキシ樹脂組成物。
  5. (C)成分のマイクロカプセルが、平均粒径が0.5〜10μmであり、かつクレゾールにおけるマイクロカプセルからのフェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体の溶出量が30℃、15分でマイクロカプセル中に含まれる全フェノール性水酸基を有する安息香酸誘導体の70質量%以上であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の液状エポキシ樹脂組成物。
  6. 更に、(D)成分として平均粒径が2〜20μmで、最大粒径が75μm以下の無機質充填剤を(A)液状エポキシ樹脂と(B)芳香族アミン系硬化剤との総量100質量部に対して50〜1,200質量部配合してなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のポッティング材用液状エポキシ樹脂組成物。
  7. 更に、(D)成分としてフリップチップギャップ幅(基板と半導体チップとの隙間)に対して平均粒径が約1/10以下、最大粒径が1/2以下の無機質充填剤を(A)液状エポキシ樹脂と(B)芳香族アミン系硬化剤との総量100質量部に対して50〜400質量部配合してなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のアンダーフィル材用液状エポキシ樹脂組成物。
  8. 請求項1乃至7のいずれか1項記載の液状エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置。
  9. 請求項7記載の液状エポキシ樹脂組成物の硬化物をアンダーフィル材として封止したフリップチップ型半導体装置。
JP2006077020A 2005-03-25 2006-03-20 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 Pending JP2006299247A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006077020A JP2006299247A (ja) 2005-03-25 2006-03-20 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005087669 2005-03-25
JP2006077020A JP2006299247A (ja) 2005-03-25 2006-03-20 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006299247A true JP2006299247A (ja) 2006-11-02

Family

ID=37467916

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006077020A Pending JP2006299247A (ja) 2005-03-25 2006-03-20 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006299247A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010513628A (ja) * 2006-12-22 2010-04-30 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア カルボジイミド基を有する化合物を含有するマイクロカプセル
JPWO2019004457A1 (ja) * 2017-06-29 2020-05-21 日立化成株式会社 封止用樹脂組成物、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010513628A (ja) * 2006-12-22 2010-04-30 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア カルボジイミド基を有する化合物を含有するマイクロカプセル
JPWO2019004457A1 (ja) * 2017-06-29 2020-05-21 日立化成株式会社 封止用樹脂組成物、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法
JP7231833B2 (ja) 2017-06-29 2023-03-02 株式会社レゾナック 封止用樹脂組成物、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3876965B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US6479167B2 (en) Sealing material for flip-chip semiconductor device, and flip-chip semiconductor device made therewith
US7692318B2 (en) Liquid epoxy resin composition and semiconductor device
JP4656269B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3952143B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4066174B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物、フリップチップ型半導体装置及びその封止方法
JP3695521B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US6733902B2 (en) Liquid epoxy resin composition and semiconductor device
JP3912515B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3997422B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3985148B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2010077234A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5278385B2 (ja) 実装用封止材及びそれを用いて封止した半導体装置
JP4697476B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置
JP2007231146A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3871032B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置
JP4737364B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4221585B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006316250A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006299247A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3867784B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4009853B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置
JP2005350618A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006028250A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006002138A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置