JP2004523893A - ウェーハ塗布用融剤兼アンダーフィル材、ならびにそれを用いて製造された積層電子組立体 - Google Patents

ウェーハ塗布用融剤兼アンダーフィル材、ならびにそれを用いて製造された積層電子組立体 Download PDF

Info

Publication number
JP2004523893A
JP2004523893A JP2002558306A JP2002558306A JP2004523893A JP 2004523893 A JP2004523893 A JP 2004523893A JP 2002558306 A JP2002558306 A JP 2002558306A JP 2002558306 A JP2002558306 A JP 2002558306A JP 2004523893 A JP2004523893 A JP 2004523893A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
integrated circuit
chip
circuit chip
flux
carrier substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002558306A
Other languages
English (en)
Inventor
ローレンス、 エヌ. クレーン、
マーク、 エム. コナースキ、
エリン、 ケー. イエガー、
アフラニオ トレス−フィルホ、
ジェイ.、 ポール クラッグ、
レベッカ ティシュコッフ、
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Henkel Loctite Corp
Original Assignee
Henkel Loctite Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Henkel Loctite Corp filed Critical Henkel Loctite Corp
Publication of JP2004523893A publication Critical patent/JP2004523893A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157Partial encapsulation or coating
    • H01L23/3192Multilayer coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0556Disposition
    • H01L2224/05568Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05573Single external layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • H01L2224/056Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29075Plural core members
    • H01L2224/2908Plural core members being stacked
    • H01L2224/29082Two-layer arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/731Location prior to the connecting process
    • H01L2224/73101Location prior to the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73103Bump and layer connectors
    • H01L2224/73104Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83856Pre-cured adhesive, i.e. B-stage adhesive
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0101Neon [Ne]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01016Sulfur [S]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01027Cobalt [Co]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01032Germanium [Ge]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01049Indium [In]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0105Tin [Sn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01075Rhenium [Re]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress

Abstract

所定のパターンで配列され、担体基板との電気的な接続を与えることが可能な電気接点を有するチップダイを含むフリップチップ型集積回路チップを提供する。チップダイは、電気接点の表面に配置された融剤と、チップダイ上に流動可能な形で配置された、融剤と異なる、硬化可能な熱硬化性アンダーフィル組成物とを含む。チップダイを基板と対合させて加熱すると、電気接点が流動し、熱硬化性アンダーフィル組成物が硬化することで、チップダイを基板に接着して回路組立体を形成する。

Description

【技術分野】
【0001】
(発明の背景)
(発明の分野)
本発明は、回路接続用組立体に関する。本発明は、より詳細には、取付組立体、および電子回路間の電気的な接続を行うための方法に関する。
【0002】
(関連技術の簡単な説明)
近年、カメラ搭載ビデオテープレコーダおよび携帯電話機の如き小形電子機器の普及により、大規模集積の小形化が望まれるようになった。その結果、パッケージのサイズを実質的にベアーチップのサイズまで小さくするために、チップサイズまたはチップスケールのパッケージが使用されている。当該チップスケールパッケージは、担体基板に取り付けられた半導体チップを含み、電子デバイスの特性を向上させながらその動作機能の多くが維持され、従って、半導体ベアーチップを保護するとともにその試験を容易にすることを提供する。
【0003】
一般に「フリップチップ」と呼ばれるアップサイドダウン集積回路(upside down integrated circuits)も現在人気を得ている。フリップチップは、ダイまたはチップ上のハンダ濡れ性を有する金属末端、および基板上のハンダ濡れ性を有する末端のマッチングパターン上にハンダバンプを付着させる、ハンダバンプ技術を用いて製造される。フリップチップでは、チップをウェーハ状にしながらハンダバンプを集積回路末端に配置し、次いで一体化した後にチップをひっくり返して回路板基板に位置を対合させる。融剤を塗布し、加熱することによってハンダバンプをリフローさせてチップと基板を接着し、ハンダを溶融することによって同時にすべての接続を完成させる。
【0004】
得られる回路板組立体を熱サイクルに曝すと、回路板とチップの間のハンダ接続の信頼性が、しばしば低下する。一般に、チップを回路板に取り付けた後に、熱サイクルによって生じる応力に対する耐力を強化するために、チップと回路板基板の間の空間にシール樹脂(しばしばアンダーフィル封止剤と称する)を充填する。当該アンダーフィル封止は電子工業において広く受け入れられ、当該分野ではエポキシ系樹脂材料が最も一般的に使用されている。さらに、例えばガラスやセラミックスの如き熱膨張率の低い充填剤を添加することによってアンダーフィル封止剤の膨張係数を調整することで、基板とアンダーフィル封止剤の間に生じる熱応力のレベルを低減することができる。したがって、アンダーフィル封止剤は構造的な強化に寄与し、熱膨張応力を非局在化することによって、熱衝撃特性を改善するとともに、構造の信頼性を高めている。
【0005】
また、アンダーフィル材料は、基板へのチップの接着にも役立つ。そのように、アンダーフィル材料はダイおよび回路板基板表面に対して高い密着力を示し、例えば、電子機器のオン・オフに伴う加熱/冷却サイクル、ならびに温度および湿度といった気象変化のような、電子デバイスが遭遇する環境内で、高い強度を維持するものでなければならない。
【0006】
アンダーフィル封止剤の塗布は、典型的には、フリップチップ組立体を組立て、基板にハンダバンプを固定した後に、フリップチップ組立体の1つまたは複数の縁部にアンダーフィル材料を供給することを含む。毛管作用によって、チップと基板の間の空隙にアンダーフィル材料を引き込む。当該アンダーフィル技術は時間がかかるとともに、チップと基板の間にアンダーフィル封止剤を完全に充填することが困難で、アンダーフィル封止剤によって確保される保護レベルが低下する可能性がある。
【0007】
これらの問題を克服するとともに、処理工程を除くために、ハンダバンプ接着用のアンダーフィルシーラント含有融剤が提案されている。例えば、米国特許第5,985,043号および5,985,486号には、基板にチップを接着するための接着剤として作用する重合性融剤が開示されている。当該重合性融剤は、その組成物が熱によって硬化する、オレフィン結合を有するポリカルボン酸をベースとする。ここでの考えは、複数のチップを一ピースで製造し、後にそれを個々のチップに切断する、しばしばウェーハ塗布溶融アンダーフィルと称するチップ製造のウェーハ段階で、当該重合性融剤を含有するアンダーフィルシーラントをチップに塗布することが可能である。融剤/アンダーフィルシーラント複合物をウェーハにあらかじめ塗布することにより、チップを基板状に配置するだけで、ハンダがリフローし、アンダーフィルが硬化してチップが基板に固定される。しかし、実際には、単一の組成物に融剤およびアンダーフィルシーラントを含めると、アンダーフィルシーラントの接着性および機械強度が低下する傾向にある。
【0008】
さらに、用途によっては、例えばチップが破損した場合に、成分除去の所望性が問題になりこともある。集積体全体を破壊または解体するのを避けるために、集成プロセスに補修用(reworkable)接着性材料を含めることが提案されている。当該補修用接着性材料をアンダーフィル封入接着剤として使用することにより、補修性を確保して1つまたは複数の欠陥ダイの除去および交換が可能になる。当該補修用アンダーフィル材料は、典型的には、十分高温に曝すと迅速に分解する熱開裂性エポキシ系重合体を含む。例えば、米国特許第5,948,922号(Ober)および5,973,033号(Ober)には、硬化すると、補修用分解性組成物を与える当該組成物をベースとした特定群の化合物および組成物がそれぞれ記載されている。
【0009】
米国特許第5,512,613号(Afzali−Ardakani)、5,560,934号(Afzali−Ardakani)および5,932,682(Buchwalter)には、ジエポキシドの2つのエポキシ基を接続する有機結合部が酸開裂性非環式アセタール基を含むジエポキシド成分をベースとした補修用熱硬化性組成物がそれぞれ記載されている。補修用組成物の基礎を成す当該酸開裂性非環式アセタール基を用いれば、軟化および接着性の著しい低下を達成するために、硬化した熱硬化性樹脂を酸性環境に導入するだけでよい。
【0010】
米国特許第5,872,158号(Kuczynski)には、ジアクリル酸アセテート、および希酸に溶解可能であることが報告されている反応生成物をベースとした、化学線照射により硬化可能な熱硬化組成物が記載されている。
【0011】
米国特許第5,760,337号(Iyer)には、半導体デバイスと、それが取り付けられた基板との間に形成された間隙を埋めるための熱的補修用架橋樹脂が記載されている。これらの樹脂は、(官能価が1より大きい)ジエノフィルと2,5−ジアルキル置換フラン含有重合体を反応させることによって製造される。
【0012】
国際特許公報第PCT/US98/00858号には、担体基板に取り付けられた半導体チップを含む半導体デバイスと、前記半導体デバイスを電気的に接続させた回路板基板との間のシール充填が可能な熱硬化樹脂が記載されている。該組成物は、約100重量部のエポキシ樹脂と、約3から約60重量部の硬化剤と、約1から約90重量部の可塑剤とを含む。ここでは、軟化、および接着性の著しい低下を達成するために、硬化した熱可塑性樹脂の付近の領域を、約10秒から約1分間にわたって約190℃から約260℃の温度で加熱する。
【0013】
しかし、適切な条件のもとで制御可能に分解する能力を与えるために当該補修用重合体に導入される追加的な化学物質は、強度、接着性および透湿抵抗性の点で、アンダーフィル封止剤の全体的な効果をしばしば劣化させる。
【0014】
米国特許第6,121,689号には、重合性融剤を含む半導体フリップチップパッケージが開示されている。ここで、図1および図2は、該米国特許第6,121,689号に記載されているフリップチップ構造を示す図である。ここで明らかなように、図1のフリップチップ構造は、封入剤22を使用することによって基板20のハンダパッド12と電気接続するためのハンダバンプ14がその上にあらかじめ配置されたチップ10を含む。さらなる実施形態では、溶融接着剤を使用して、チップ10を基板20に接着することができる。さらに、図2に示されるように、該構造は、結合部および応力分散層38および40,ならびに熱可塑性補修用層42を含む多層封入材料36をも含みうる。この熱可塑性補修用層は、一般に当該ポリイミドシロキサン共重合体の如き溶融性重合体である。図2に示されるように、チップ10と基板20の間に、チップ10を基板20に取り付けるための溶融接着剤34を供給することができる。融剤および接着剤を単一組成物として導入することにより、アンダーフィルシーラントの接着性および機械強度が低下するおそれがある。また、集積回路チップに、溶融接着剤が導入された封入剤が含まれるときは、溶融接着剤が封入材料に悪影響を与えることにより、保存性または可使時間が低下するおそれがある。また、補修用層として熱可塑性材料を使用すると、組立体の補修用特性が制限される。
【0015】
最新技術とはいえ、優れた接着および熱衝撃特性を提供するアンダーフィルシーラント材料を有する一方、材料または組立体の物理特性を悪化させることなく、それに使用する基板を容易に処理できる集積回路チップが望まれる。
【0016】
(発明の概要)
本発明は、回路板基板の如き担体基板と電気的に接続可能なアップサイドダウンフリップチップ型集積回路チップに関する。該集積回路チップは、所定のパターンで整列し、担体基板表面の電子回路との電気的係合および接続を与えることが可能な、ハンダバンプの如き熱流動性を持つ電気接点を有するチップダイを含む。チップダイを担体基板と対合させるときに、チップダイの電気接点および担体基板の電子回路に効果的な溶融活性を与えることが可能な、電気接点表面の位置に融剤を配置する。また、硬化可能な熱硬化性アンダーフィル組成物は、チップダイ上の電気接点付近に流動可能な形で供給され、融剤とは異なるものである。チップダイと担体基板を対合させて一体の組立体を形成し、電気接点が流動性を有するのに十分な温度まで該一体の組立体を加熱すると、電気接点が流動してチップダイと担体基板の間に電気的な接続がなされ、熱硬化性アンダーフィル組成物が硬化することにより、チップダイが担体基板に接着する。そのようにして、硬化するとチップダイと担体基板の間に誘電層を与える熱硬化性アンダーフィル組成物を有する回路組立体を提供する。
【0017】
電気接点の実質的に全面に融剤を配置し、電気接点の少なくとも一部を熱硬化性アンダーフィル組成物から露出させるのが望ましい。融剤は、望ましくは有機酸で、乾燥して電気接点に融剤の膜を形成することが可能なエポキシ化合物を含みうる。
【0018】
熱硬化性アンダーフィル組成物は、硬化性成分、硬化性成分の硬化を促進する硬化剤、および随意に無機充填剤成分を含みうる。硬化性成分はエポキシ樹脂が望ましい。一実施形態では、熱硬化性アンダーフィル組成物は、硬化すると、適切な条件に曝露したときに制御可能な分解性を示し得る。例えば、熱硬化性アンダーフィル組成物は、少なくとも1つの熱開裂性結合を有する硬化性化合物を含みうる。
【0019】
チップダイは、チップスケールパッケージ、またはパッケージ集積回路として提供することができる。そのように、担体基板の電子回路との電気接続を与えるために、パッケージ集積回路に電気接点が配列される。
【0020】
本発明は、また、当該集積回路チップと担体基板を対合させて一体の組立体を形成することによる、集積回路を組み立てるための方法に関する。次いで、集積回路と担体基板の電気接続を促進させ、熱硬化性アンダーフィル組成物を硬化させるのに、十分な温度に当該一体の組立体を曝すことによって、集積回路チップを担体基板に接着する。
【0021】
そのように、本発明は、担体基板と、その少なくとも一部にあらかじめ融剤が配置されたハンダを使用することにより担体基板と電気的に接続されたチップダイとを含む集積回路チップ組立体をも提供する。融剤は、硬化した熱硬化アンダーフィル配合物を形成する硬化可能な熱硬化性アンダーフィル組成物とは異なるため、実質的に融剤の残留物が存在しない硬化した熱硬化アンダーフィル配合物を介して、チップダイを担体基板に接着する。
【0022】
さらなる実施形態において、本発明は、所定のパターンで配列され、担体基板の表面で電子回路との電気的係合および接続を与えることが可能な、加熱流動性を有する電気接点を有するチップダイと、チップダイを担体基板と対合させるときに、チップダイの電気接点および担体基板の電子回路に効果的な溶融活性を与えることが可能な、電気接点の表面上の位置に配置された融剤とを含む、担体基板と電気的に接続可能な集積回路チップに関する。さらに、集積回路チップは、チップダイ上の電気接点付近に流動可能な状態で供給され、融剤とは異なる第1の硬化可能な熱硬化性アンダーフィル組成物と、第1の熱硬化性アンダーフィル組成物上の電気接点付近に流動可能な状態で供給され、第1の熱硬化性アンダーフィル組成物および融剤とは異なる第2の熱硬化性組成物を含む。チップダイと担体基板を対合させて一体の組立体を形成し、電気接点が流動性を発揮するのに十分な温度まで該一体の組立体を加熱すると、電気接点が流動して、チップダイと担体基板の間に電気的な接続を与え、第1および第2の熱硬化性アンダーフィル組成物が硬化することにより、チップダイが担体基板に接着する。そのように、硬化するとチップダイに接触する第1の誘電層を与えるとともに、チップダイに応じた熱膨張係数を有する第1の熱硬化性アンダーフィル組成物と、硬化すると第1の誘電層および担体基板に接触する第2の誘電層を与えるとともに、担体基板および第1の誘電層に応じた熱膨張係数を有する第2の熱硬化性アンダーフィル組成物を備えた集積回路チップが提供される。
【0023】
第1および第2の熱硬化組成物は、それぞれ、エポキシ樹脂のような硬化性成分、硬化性成分の硬化を促進するための硬化剤、および随意に無機充填剤組成物を含みうる。第1または第2の熱硬化性アンダーフィル組成物の少なくとも一方は、少なくとも1つの熱開裂性結合を有することなどにより、硬化すると、適切な条件に曝されたときに制御可能に分解可能となることが望ましい。
【0024】
本発明を通じて、当該集積回路チップと担体基板を対合させて一体の集成体を形成し、集積回路チップと担体基板の間の電気接続を促進するとともに、第1および第2の熱硬化性アンダーフィル組成物の両方を硬化させるのに十分な温度条件に該一体の組立体を曝すことにより、集積回路チップを担体基板に接着することによって、当該集積回路組立体を組み立てるための方法も提供される。
【0025】
このように作製された集積回路組立体であって、担体基板と、その少なくとも一部にあらかじめ融剤が配置されたハンダを使用することによって担体基板と電気接続されるチップダイとを含み、融剤の残留物が実質的に存在しない硬化した熱硬化性組成物を通じてチップダイが担体基板に接着する集積回路組立体も提供される。硬化した熱硬化性組成物は、チップダイに応じた熱膨張係数を有する第1の誘電層と、回路板基板に応じた熱膨張係数を有する第2の誘電層とを含む。組立てに先立って、ハンダの表面で、誘電層を形成する硬化可能な熱硬化性組成物から区別される箇所に融剤を直接供給した。
【0026】
本発明は、集積回路チップを組み立てるための方法にも関する。当該方法は、表面に所定のパターンで配列された流動可能な電気接点を含むチップダイを設けることを含む。融剤を電気接点の少なくとも一部に塗布し、望ましくは乾燥させる。次いで、熱硬化性アンダーフィル組成物を融剤から区別するようにして、硬化可能な熱硬化性アンダーフィル組成物をチップダイ上の電気接点付近に流動可能な形で供給する。その後、この熱硬化性アンダーフィル組成物の流動性を、乾燥などによって低下させることができる。随意に、第2の熱硬化性アンダーフィル組成物を融剤および第1の熱硬化性アンダーフィル組成物から区別するようにして、第2の熱硬化性アンダーフィル組成物を熱硬化性アンダーフィル組成物上の電気接点付近に流動可能な形で供給することができる。同様に、その後、この第2の熱硬化性アンダーフィル組成物の流動性を、第1の熱硬化性アンダーフィル組成物の場合のように低下させることができる。例えば、スクリーン印刷、ステンシル印刷、ジェット印刷、パッド印刷またオフセット印刷によって、融剤ならびに第1および第2のアンダーフィル組成物を塗布および供給することができる。
【0027】
(発明の詳細な説明)
いくつかの図面を通して同様の参照符号が同様の部品を示す図面を参照すると、集積回路チップ60の形の、アップサイドダウンのフリップチップ型半導体チップと、回路板基板70の如き担体基板とを含む回路組立体50が、図3および図4に示されている。集積回路チップ60は、チップダイ62を含む。チップダイ62は、当該技術分野で知られている任意の材料から構成することができる。例えば、シリコン、ゲルマニウムなどからチップ62を構成することができる。ポリイミド系、ポリベンゾシクロブタン系、または窒化珪素系の材料のような、環境腐食に対して不動態化することが可能な材料でチップダイ62をコーティングすることもできる。
【0028】
基板70も当該技術分野で知られている任意の材料から構成することができる。例えば、Al23、窒化珪素(SiN3)、およびムライト(Al23−SiO2)を含むセラミック基板、ポリイミドの如き耐熱性樹脂の基板またはテープ、ガラス補強エポキシの基板、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン(ABS)の基板、フェノール基板等から基板70を構成することができる。
【0029】
チップダイ62は、当該技術分野で知られている、所定のパターンで配列された金属蒸着導体パッド(不図示)の如き、複数の導電体パッドを含む回路をそのチップ表面64に含む。これらの導電体パッドは、チップダイ62の導体パッドに接続されたハンダバンプ82の形の、複数の対応する電気接点を受け取るように構成されている。さらに、基板70は、ハンダパッド88の如き複数の導電体パッドを含む電子回路を、その基板表面74に含む。後により詳細に説明するように、各々のハンダパッド88およびハンダバンプ82は、ハンダ性および導電性を有するように金属蒸着されるため、集積回路60が基板70に取り付けられたときに、チップダイ62上の回路と基板70上の回路との間の電気接続を与える。これらの図は、本発明を実証する目的で、チップダイ62上の2つのハンダバンプ82および基板70上の2つの対応するハンダパッド88を示しているが、回路チップの具体的な所望の用途および具体的な構成に応じてハンダバンプ82およびハンダパッド88の数を変更することができると解するべきであって、また、ここに示される具体的な構成は本発明を限定するものと見なされるべきではない。
【0030】
当該技術分野で知られている任意の方法でハンダバンプ82をチップダイ62に塗布することができる。ハンダバンプ82は、当該ハンダが加熱流動性を有するのであれば既知の任意のハンダ合金を取り入れることができる。ハンダバンプ82のためのハンダ合金の選択は、一部には、具体的な融点、およびチップおよび基板に使用される材料に依存する。例えば、高鉛ハンダまたは無鉛ハンダの如き高融点のハンダは、アルミナセラミック基板に有用である。スズ/鉛共晶ハンダまたは鉛/インジウム共晶ハンダの如き低融点のハンダは、融点が低いことからポリマー回路板を使用するときに特に有用である。勿論、後により詳細に説明するように、ハンダバンプ82に有用な具体的なハンダは、本発明のアンダーフィル成分に使用される具体的な組成物にも依存することになる。
【0031】
各々のハンダバンプ82は、各ハンダバンプ82の表面に広がる層または膜として配置される融剤85を含む。融剤85は、ハンダ処理のための溶融作用を与える。本発明において特に有用な融剤は、以下の一般式のカルボン酸を含む。
【0032】
【化1】
Figure 2004523893
上式において、Rは水素、アルキル、アリルまたは重合体で、nは1から50の整数である。本発明において有用な融剤の非限定的な例としては、アビエチン酸、アジピン酸、アスコルビン酸、アクリル酸、クエン酸、2−フラン酸、リンゴ酸、サリチル酸、グルタール酸、ピメリン酸、ポリアクリル酸、ならびにフェノールおよびその誘導体、トルエンスルホン酸のようなスルホン酸の如き他の酸性官能基含有物が挙げられる。
【0033】
特に望ましいのは、トール油脂肪酸から誘導される炭素数21の液体単環式ジカルボン酸で、具体的にはウェストバコオレオケミカルズ(Westvaco Oleo Chemicals)社から入手可能な1−n−ヘプチルカルボン酸,2−カルボン酸,4−n−ヘキシルシクロヘキセンが挙げられる。
【0034】
融剤として有用な他の有機酸としては以下の一般式を有するものが挙げられる。
【0035】
【化2】
Figure 2004523893
上式において、Rはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素、硫黄、ニトリル、ヒドロキシルまたはベンジルの如き電子吸引性基である。
【0036】
本発明を通じて、融剤85は、組成物の酸基をブロックする構成成分を放出させる温度を上回ったときに溶融活性を与えることが可能な、熱活性可能なブロック化有機酸の如き潜在性の有機酸であることも考えられる。
【0037】
融剤85は、例えば、ハンダバンプ82にコーティングされる液体組成物の形で提供されうる。当該液体組成物は、好適な溶剤に溶解または分散される融剤を含むのが好ましい。融剤85をハンダバンプ82に塗布する最中に溶剤が組成物から蒸発し、融剤85が塗布膜層として存在することになる。当該塗布膜層は、望ましくは約0.25から約2ミル(約6.35μmから約50.8μm)、より望ましくは約0.5から約1ミル(約12.7から約25.4μm)の膜厚を有する。
【0038】
融剤85は、エポキシ化合物をさらに含みうる。当該エポキシ化合物は融剤用の担体として作用し、融剤がハンダバンプ82の表面に膜として残るための媒体を提供する当該エポキシ化合物と一緒に、ハンダバンプ82の表面に融剤を配置して乾燥することができる。さらに、当該エポキシ化合物は、回路組立体50に供給される熱硬化性アンダーフィル組成物と反応することが可能なものでもよい。
【0039】
チップダイ62と基板70を対合させたときに、ハンダバンプ82をハンダパッド88にハンダ付けするための効果的な溶融活性を与えることが可能なハンダバンプ82上の位置に融剤85を配置する。そのように、ハンダバンプ82の全面を覆う膜として融剤85を配置することができる。あるいは、ハンダパッド88に対合させてハンダ付けするハンダバンプ82の部分として、ハンダバンプ82の小部分のみに融剤85を配置することもできる。
【0040】
ハンダバンプ82に実質的に均一なコーティングを施すことにより、ハンダ付け時に十分な溶融作用を確保することが可能な任意の方法で融剤85をハンダバンプ82にコーティングすることができる。例えば、融剤85をハンダバンプ82にステンシル印刷またはスクリーン印刷法で塗布することができる。あるいは、パッド印刷の如きオフセットグラビア印刷法によって融剤85をハンダバンプ82に塗布することもできる。当該方法では、グラビアまたはクラッチは印刷対象領域のパターン付けをされており、シリコンパッドを使用してクラッチから印刷対象部分にインクを転写する。押出コーティング法およびジェット印刷法を用いて融剤85をハンダバンプ82に塗布することもできる。
【0041】
フリップチップ取付け構成において、チップダイを基板表面に取り付けると、典型的には、集積回路チップ60のチップ表面64と基板70の基板表面74との間のハンダバンプ82付近におけるチップダイ62と基板70の間に間隙55の如き間隙が形成される。間隙55は、チップダイ62と基板70の間のアンダーフィル材料となり、集積回路チップ60を基板70に接着するための、アンダーフィル成分90で埋められている。望ましくは、別々の不連続なハンダバンプ82があらかじめ集成されたチップダイ62は、チップダイ62を基板70と一体化する前に、そのハンダバンプ82上に融剤85およびアンダーフィル成分90をプリコートされており、従来技術の方法に伴うアンダーフィル上の問題を緩和するとともに、接着材、融剤および硬化剤の均一な組合せ物でプリコートした基板の性能上の限界を克服する。したがって、本発明は、一実施形態において、融剤がプリコートされた電気接点を有し、プリコートされたアンダーフィル成分を含む集積回路チップを提供する。
【0042】
より具体的には、上述の米国特許第6,121,689号の如き従来技術のフリップチップ取付け構成の方法において、チップダイは、アンダーフィル材料として作用する、表面に塗布された溶融接着材を通常含み、その溶融接着材には穴があけられ、その穴には基板との電気的な接続を与えるためにハンダの如き導電性材料が充填され、チップダイを基板に対合させ、ハンダをリフローさせる。当該構成では、ハンダをリフローさせるための組立体の加熱時における溶融性を考慮して、接着性アンダーフィル材料に融剤を配置する。しかし、融剤は、エポキシ熱硬化性樹脂および/または当該樹脂に使用される硬化剤の如き、特にアンダーフィル材料として有用な材料には従来適応しない。そのように、アンダーフィル材料に融剤を含むことにより、接着性アンダーフィル材料の保存安定性または可使時間に悪影響が及ぼされる可能性がある。さらに、融剤は接着性アンダーフィル材料内の成分であるため、溶融活性およびハンダのリフローを達成するための組立体の加熱時に、融剤の残留物が接着性アンダーフィル材料全体に分散するおそれがある。当該残留物は、接着性アンダーフィル材料の硬化特性に悪影響を及ぼす可能性があり、不十分な硬化や、チップダイと基板の間の接着性の低下を引き起こす。
【0043】
本発明では、融剤85は、ハンダバンプ82の表面のみに直接配置され、アンダーフィル成分は、融剤から区別される個別の成分となる。よって、融剤がアンダーフィル成分の保存安定性または可使時間に悪影響を与えることはなく、融剤の残留物がアンダーフィル成分の硬化性に悪影響を及ぼすこともない。
【0044】
アンダーフィル成分90は、チップ表面64上チップダイ62に接触している。アンダーフィル成分90は、集積回路として組み立てられた後、チップダイ62を基板70に接着するための高い接着強度、ならびに回路組立体50の信頼性を高めるための低熱膨張性を、回路組立体50に与える。また、アンダーフィル成分90は、硬化すると、チップダイ62と基板70の間に誘電層を与える。
【0045】
上述したように、本発明のアンダーフィル成分は、高い接着強度および低熱膨張性を与える硬化性組成物である。熱硬化樹脂組成物は、硬化性アンダーフィル成分として特に有用である。当該熱硬化樹脂組成物は、主に、(a)硬化性樹脂成分と、(b)随意の無機充填剤成分と、(c)無水物成分、アミン化合物、アミド化合物および/またはイミダゾール化合物の如き窒素含有化合物、および/またはその組合せを含む硬化剤とを含む。
【0046】
典型的には、該組成物は、全組成物の重量に対して、約10から約60重量パーセントの硬化性樹脂成分と、約0から約60重量パーセントの無機充填剤成分と、その約0から約60重量パーセントが無水物化合物から構成され、その0から約5重量パーセントがジシアンジアミドのようなシアノ官能基を有するアミドの如きアミド化合物から構成され、その0から約2重量パーセントがイミダゾール化合物から構成される、0.01から約60重量パーセント硬化剤成分とを含む。
【0047】
勿論、特定の目的に向けられた組成物に対して望まれる具体的な一連の特性に応じて、これらの値は幾分変更されうる。当該変更は、当業者により不必要な実験を行うまでもなく達成できるため、本発明の範囲に含まれるものと考えられる。
【0048】
硬化性樹脂成分は、任意の既知の樹脂から選択することができる。望ましくは、硬化性樹脂成分が、多官能エポキシ樹脂の如き一般的な任意のエポキシ樹脂である。
【0049】
例としては、以下の多官能エポキシ樹脂が挙げられる。ビスフェノールA型エポキシ樹脂(日本化薬株式会社(日本)のRE−310−S、またはシェルケミカル社のEPON1002fなど)、ビスフェノールF型エポキシ(日本化薬株式会社(日本)のRE−404−Sなど)、フェノールノバレク型エポキシ樹脂、およびクレゾールノバレク型エポキシ樹脂(チバスペシャルティケミカルズ(ニューヨーク州ホーソン(Hawthorne))の「ARALDITE」ECN 1871など)。
【0050】
他の好適なエポキシ樹脂としては、N,N,N’,N’−テトラグリシジル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、N−ジグリシジル−4−アミノフェニルグリシジルエーテル、およびN,N,N’,N’−テトラグリシジル−1,3−プロピレンビス−4−アミノベンゾエートの如き、芳香族アミンおよびエピクロロヒドリンをベースとしたポリエポキシ化合物、ならびに、シェルケミカル社の「EPON」828、「EPON」1001、「EPON」1009および「EPON」1031のような「EPON」の商品名で市販されている化合物、ダウケミカル社の「DER」331、「DER」332、「DER」334および「DER」542、および日本化薬株式会社のBREN−Sの如き、フェノール化合物のポリグリシジル誘導体が挙げられる。他の好適なエポキシ樹脂としては、ポリオールなどから調製されるポリエポキシド、フェノールホルムアルデヒドノバレクのポリグリシジル誘導体が挙げられ、後者はダウケミカル社の「DEN」431、「DEN」438および「DEN」439の如き「DEN」の商品名で市販されている。チバスペシャルティケミカルズ社の「ARALDITE」ECN 1235、「ARALDITE」ECN 1273および「ARALDITE」ECN 1299のような「ARALDITE」の商品名でクレゾール類も市販されている。SU−8は、インテレツ社から入手可能なビスフェノールA型エポキシノバレクである。アミン、アミノアルコールおよびポリカルボン酸のポリグリシジル付加物も本発明に有用で、市販されている樹脂としては、F.I.C社の「GLYAMINE」135、「CLYAMINE」125および「GLYAMINE」115、チバスペシャルティケミカルズの「ARALDITE」MY−720、「ARALDITE」0500および「ARALDITE」0510、ならびにシェルウィン−ウィリアムス社のPGA−XおよびPGA−Cが挙げられる。
【0051】
そして、勿論、ここでは異なる硬化性樹脂の組合せも好ましく使用される。
【0052】
無機充填剤成分として、多くの物質が潜在的に有用性を有する。例えば、無機充填剤成分は、溶融シリカの如き強化シリカをしばしば含むことができ、未処理でもよいし、その表面の化学的性質を改変するために処理してもよい。実質的に、任意の強化溶融シリカを使用することができる。
【0053】
特に望ましい物質は、SO−E5の商品名でアドマテクス(日本)から市販されているシリカの如き、イオン濃度が低く、比較的粒径が小さい(例えば約2ミクロンのオーダといった約2から10ミクロンの範囲)ものである。
【0054】
無機充填剤成分として使用される他の望ましい物質としては、酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、シリカコート窒化アルミニウム、窒化ホウ素、およびそれらの組合せが挙げられる。
【0055】
硬化剤成分は、エポキシ樹脂成分の重合の触媒となる物質を含んでいなければならない。望ましい硬化剤としては、無水物成分、アミン化合物、アミド化合物およびイミダゾール化合物の如き窒素含有成分、ならびにそれらの組合せが挙げられる。
【0056】
ここで使用される適切な無水物化合物としては、ヘキサヒドロフタル酸無水物(「HHPA」)およびメチルヘキサヒドロフタル酸無水物(「MHHPA」)(リンドーケミカルズ社(サウスカロライナ州コロンビア)から市販されており、単一または組合せとして使用され、その組合せは「LINDRIDE」62Cの商品名で入手可能である)、ならびに5−(2,5−ジオキソテトラヒドロール)−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物(B−4400の商品名でクリスケヴ(ChrisKev)社(カンザス州リーウッド)から市販されている)の如き、モノおよびポリ無水物が挙げられる。
【0057】
勿論、これらの無水物化合物の組合せも本発明の組成物に好ましく使用される。
【0058】
アミン化合物の例としては、
ジまたはトリアザ化合物:
【0059】
【化3】
Figure 2004523893
1,5−ジアザビシクロ[3.4.0]ノン−エン;
【0060】
【化4】
Figure 2004523893
1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデク−7−エン(「DBU」);
【0061】
【化5】
Figure 2004523893
1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デク−5−エン;
ビシクロモノおよびジアザ化合物:
【0062】
【化6】
Figure 2004523893
キヌクリジン;
【0063】
【化7】
Figure 2004523893
1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン;
アルキルポリアミン:
ジエチレントリアミン、トリエチレントリアミン、ジエチルアミノプロピルアミン、イソホロンジアミンおよびメンセンジアミン;のような脂肪族ポリアミン、および
芳香族ポリアミン:
m−キシレンジアミン、ジアミノジフェニルアミンおよびキノキサリン、
が挙げられる。
【0064】
それらの塩の窒素含有化合物の一部は、通常ジアザ化合物またはトリアザ化合物を含む。
【0065】
勿論、これらのアミン化合物の組合せも本発明の組成物に好ましく使用される。
【0066】
芳香族ポリアミンおよび脂環式ポリアミン、特に4,4’−メチレンジアミン(「MDA」)および4,4’メチレンビス(シクロヘキシルアミン)(「MCA」)、も硬化剤として望ましい。勿論、これらのアミン化合物の組合せも本発明に好ましく使用される。
【0067】
アミド化合物の例としては、ジシアンジアミドの如きシアノ官能基を有するアミドが挙げられる。
【0068】
イミダゾール化合物は、イミダゾール、イソイミダゾール、ならびに、アルキル置換イミダゾール(例えば、一般に各アルキル置換基の炭素数が約17以下、望ましくは約6以下である2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2,4−ジメチルイミダゾール、ブチルイミダゾール、2−ヘプタデセニル−4−メチルイミダゾール、2−ウンデセニルイミダゾール、1−ビニル−2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−プロピル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−グアナミノエチル−2−メチルイミダゾール、およびイミダゾールとトリメリット酸などの付加生成物)、およびアリル置換イミダゾール[例えば、一般に各アリル置換基の炭素数が約10以下、望ましくは約8以下であるフェニルイミダゾール、ベンジルイミダゾール、2−メチル−4,5−ジフェニルイミダゾール、2,3,5−トリフェニルイミダゾール、2−スチリルイミダゾール、1−(ドデシルベンジル)−2−メチルイミダゾール、2−(2−ヒドロキシル−4−t−ブチルフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール、2−(2−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール、2−(3−ヒドロキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール、2−(p−ジメチルアミノフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール、2−(2−ヒドロキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール、ジ(4,5−ジフェニル−2−イミダゾール)−ベンゼン−1,4,2−ナフチル−4,5−ジフェニルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、2−p−メトキシスチリルイミダゾールなど]の如き置換イミダゾールから選択することができる。
【0069】
市販のイミダゾール化合物の例としては、「CUREZOL」1B2MZの商品名でエアプロダクツ社(ペンシルベニア州アレンタウン)から市販されているイミダゾール化合物、「ACTIRON」NXJ−60の商品名でシントロン社(ノースカロライナ州モルガントン)から市販されているイミダゾール化合物、および「CURIMID CN」の商品名でボレガアルドシンセシス社(マサチューセッツ州ニューベリポート)から市販されているイミダゾール化合物などがある。
【0070】
勿論、これらのイミダゾール化合物の組合せも本発明に好ましく使用される。
【0071】
エポキシ樹脂に対して約2%から約40%の量で、硬化剤化合物を使用することができる。
【0072】
さらに、該組成物は、シランおよび/またはチタネートの如き流動性付与剤を含んでいてもよい。
【0073】
ここで使用される適切なシランとしては、オクチルトリメトキシシラン(A−137の商品名でOSIスペシャルティ社(コネチカット州ダンベリ)から市販されている)、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(A−174の商品名でOSIから市販されている)が挙げられる。
【0074】
ここで使用される適切なチタネートとしては、チタニウムIVテトラキス[2,2−ビス[(2−プロペニロキシ)メチル]−1−ブタノラト−0][ビス(ジトリデシルホスフィト−0),ジヒドロゲン]2(KR−55の商品名でケンリッチペトロケミカル社(ニュージャージ州ベヨン)から市販されている)が挙げられる。
【0075】
流動性付与剤を使用するときは、硬化性樹脂に対して0から約2%の量で使用することができる。
【0076】
さらに、シラン、グリシジルトリメトキシシラン(A−187の商品名でOSIから市販されている)、またはガンマアミノプロピルトリエトキシシラン(A−1100の商品名でOSIから市販されている)の如き接着促進剤も使用できる。
【0077】
組成物、硬化反応生成物またはその両方の所望の物理特性を達成するために、本発明のバルクのアンダーフィル成分に従来の添加物を使用することもできる。
【0078】
例えば、特定の場合(特に、大量の無機充填剤成分を使用する場合)において、反応性希釈剤の如きエポキシ樹脂成分用反応性コモノマーを含むことが望ましいこともある。
【0079】
ここで使用される適切な希釈剤としては、単官能または特定の多官能エポキシ樹脂を挙げることができる。反応性希釈剤の粘度は、エポキシ樹脂成分の粘度より低いものとする。通常、反応性希釈剤の粘度は約250cps未満とする。当該単官能エポキシ樹脂を反応性希釈剤として含む場合は、全エポキシ樹脂成分に対して約50部以下の量で当該樹脂を使用するものとする。
【0080】
単官能エポキシ樹脂は、炭素数が約6から約28のアルキル基を有するエポキシ基を有するものとし、その例としては、C6-28のアルキルグリシジルエーテル、C6-28の脂肪酸グリシジルエステルおよびC6-28のアルキルフェノールグリシジルエーテルが挙げられる。
【0081】
市販の単官能エポキシ樹脂反応性希釈剤としては、PEP−6770(ネオデカン酸のグリシジルエステル)、PEP−6740(フェニルグリシジルエーテル)およびPEP−6741(ブチルグリシジルエーテル)の商品名のパシフィックエポキシポリマーズ社(ミシガン州リッチモンド)製品が挙げられる。
【0082】
市販の多官能エポキシ樹脂反応性希釈剤としては、PEP−6752(トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル)およびPEP−6760(ジグリシジルアニリン)の商品名のパシフィックエポキシポリマーズ社製品が挙げられる。
【0083】
本発明に有用な熱硬化性アンダーフィル組成物は、脱泡剤、レベリング剤、染料および色素などの他の添加剤をさらに含みうる。さらに、組成物、または組成物から形成される反応生成物に悪影響を及ぼさないものであれば、光重合開始剤を含有させることもできる。
【0084】
熱硬化アンダーフィル成分は、適切な条件に曝すと、反応生成物が制御可能に分解可能となるような、化合物をさらに含みうる。例えば、必要に応じて、アンダーフィル成分90が、その少なくとも一部に、制御可能に分解可能となる補修用組成物を含むことで、集積回路チップ60/基板70界面に分離点を設けることができる。そのように、回路組立体50は、例えばチップが破損した場合に、集積回路チップ60を基板70から除去できるような構造を含む。したがって、回路組立部品50には、少なくとも一部が動作不能になった組立体からの動作部品の修理、交換、回収および/またはリサイクルを可能とする分離点が設けられる。
【0085】
当該実施形態では、アンダーフィル成分90は、硬化組成物を形成し、チップダイ62を基板70に接着または固定する接着剤となるような硬化性を有するとともに、チップダイ62を基板70から剥がすために接着性が低下するように軟化または分解し、適切な条件で補修することが可能な、任意の組成物を含みうる。例えば、アンダーフィル成分90は、望ましくは、その化学構造に熱開裂性結合の如き開裂性結合を有する化合物を含む。そのように、アンダーフィル成分90は、組成物を硬化させるのに用いられる温度を超える温度条件、望ましくはハンダをリフローさせるのに用いられる温度を超える温度条件の如き、高温度条件のもとで軟化することが可能である。当該温度に曝すことにより、熱開裂性結合の熱開裂を引き起こして、アンダーフィル成分90に当該補修性が与えられる。
【0086】
補修用組成物を含む当該実施形態では、熱硬化アンダーフィル成分は、望ましくは、少なくとも一部が少なくとも1つの熱開裂性結合を含む硬化性樹脂成分と、硬化性成分の硬化を促進するための硬化剤と、随意に無機充填剤成分とを含む。硬化性樹脂成分は、エポキシまたはエピスルフィド樹脂を含むのが望ましい。そのように、熱硬化アンダーフィル成分は、その硬化反応生成物の補修性を与えるエポキシまたはエピスルフィド樹脂を単独に含有してもよいし、熱硬化性アンダーフィル成分を構成する熱硬化エポキシ組成物とともに、当該エポキシまたはエピスルフィド樹脂を含有してもよい。当該実施形態において、熱硬化アンダーフィル成分は、補修用エポキシまたはエピスルフィド樹脂と、熱硬化エポキシ組成物と、硬化剤とを含むのが望ましい。例えば、補修用エポキシまたはエピスルフィド樹脂は、熱硬化アンダーフィル成分の10%から100%、より望ましくは熱硬化アンダーフィル成分の40%から60%とすることができる。
【0087】
熱硬化アンダーフィル成分の補修用組成物は、熱硬化性、接着性およびシール性を与えることが可能であるとともに、硬化温度を上回る温度、特にハンダがリフローする温度を超える温度に曝すことで軟化または分解することが可能な、任意の組成物を含む。熱硬化アンダーフィル成分に含まれる補修用組成物は、アクリルアセタール基を含むジエポキシド、ならびにその完全および部分的エピスルフィド同等物、2級カルボキシル結合またはチオカルボキシル結合を含むジエポキシド、ならびにその完全および部分的エピスルフィド同等物、3級カルボキシル結合を含むジエポキシド、ならびにその完全および部分的エピスルフィド同等物、構造内に芳香族部を含むジエポキシド、ならびにその完全および部分的エピスルフィド同等物、少なくとも1つのエーテル、チオエーテルまたはカーボネート結合を含むコア構造体から伸びる少なくとも2つのヘテロ原子含有炭素環式構造体を有する化合物、それらの混合物および組合せとから選択される、少なくとも1つの熱開裂性結合を有する化合物を含むのが望ましい。
【0088】
例えば、以下の化学式に含まれる化合物から、補修用組成物として有用な、少なくとも1つの熱開裂性結合を有するエポキシ化合物を選択することができる。
【0089】
【化8】
Figure 2004523893
上式において、各々のR1は、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、tert−ブチル、C1-4のアルコキシ、ハロゲン、シアノおよびニトロから個別に選択され、各々のR4は、水素、メチル、エチル、プロピルおよびイソプロピルから個別に選択され、R2およびR3は、R2とR3がともに水素になりえないという前提で、それぞれ水素、メチル、エチル、プロピル、フェニル、トリルおよびベンジルから個別に選択され、XはOおよびSから個別に選択され、mは0または1である。
【0090】
2つのオキシカルボニル基を含み、第1及び第2のオキシカルボニル基が芳香族成分で分離されているエポキシ化合物を、補修用組成物として選択することもできる。当該化合物は、芳香族部が網状構造内に存在する芳香族エステル結合および脂肪族エステル結合から選択することができる。特に望ましいのは、芳香族部を含有するtert−エステル結合である。
【0091】
芳香族成分によって分離される2つのオキシカルボニル基を有する望ましい化合物としては、以下の構造を有する化合物が挙げられる。
【0092】
【化9】
Figure 2004523893
上式において、R5はフェニレンで、R6およびR7は、それぞれメチレン、エチレン、プロピレンまたはフェニレンから個別に選択され、R8およびR9は、R8とR9がともに水素になりえないという前提で、それぞれ水素、メチル、エチルおよびプロピルから個別に選択され、R10およびR11は、それぞれ水素、メチル、エチルおよびプロピルから個別に選択され、XはOおよびSから個別に選択される。特に望ましい化合物において、R5は、オルソ置換フェニル基、メタ置換フェニル基またはパラ置換フェニル基である。追加的な望ましい化合物としては、以下の化学式を有する化合物が挙げられる。
【0093】
【化10】
Figure 2004523893
上式において、R12はフェニレンで、R13およびR14は、2級または3級脂肪族成分から個別に選択され、XはOおよびSから個別に選択される。
【0094】
開裂性化合物を含み、該化合物内に部分的または完全エピスルフィドを含む組成物も、本発明の補修用組成物として有用である。例えば、硬化性組成物は以下の構造を有することができる。
【0095】
【化11】
Figure 2004523893
上式において、各々のR15は、C1からC10のアルキル、シクロアルキル、アリル、アラルキルおよびアルカリルから個別に選択され、R16およびR17は、それぞれ水素、メチル、エチル、プロピル、フェニル、ヒドロキシフェニル、メトキシフェニル、トリルおよびベンジルから個別に選択され、Xは、OおよびSから個別に選択される。例えば、硬化性化合物は以下の構造を有することができる。
【0096】
【化12】
Figure 2004523893
上式において、R16およびR17は、それぞれ水素、メチル、エチル、プロピル、フェニル、ヒドロキシフェニル、メトキシフェニル、トリル、およびベンジルから個別に選択され、各々のR18は、水素、メチル、エチル、プロピルおよびイソプロピルから個別に選択される。各々のR19は、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、t−ブチル、C1からC4のアルコキシ、ハロゲン、シアノおよびニトロから個別に選択され、Xは、OおよびSから個別に選択される。
【0097】
硬化性化合物は、以下の化学式で表すこともできる。
【0098】
【化13】
Figure 2004523893
上式において、各々のR15は、C1からC10アルキル、シクロアルキル、アリル、アラルキルおよびアルカリルから個別に選択され、R16およびR17は、それぞれ水素、メチル、エチル、プロピル、フェニル、ヒドロキシフェニル、メトキシフェニル、トリルおよびベンジルから個別に選択され、mは0または1で、nは0または1で、XはOおよびSから個別に選択される。
【0099】
当該化合物の組合せを使用することもできる。
【0100】
他の有用な補修用組成物としては、エポキシ(またはオキシラン)あるいはエピスルフィド(またはチイラン)基を含む環式炭化水素部、ならびに、やはりオキシランまたはチイラン基を含む芳香族エーテル部、を有する化合物が挙げられる。カルボキシル含有結合またはチオカルボキシル含有結合によって、環式炭化水素部と芳香族エーテル部とは結合されている。
【0101】
該化合物の各部は、個別に、エポキシ基またはエピスルフィド基を含みうる。例えば、本発明の環式炭化水素部は、望ましくは、脂環式エポキシ部の如きオキシラン基を含む。あるいは、環式炭化水素部は、脂環式エピスルフィド部の如きチイラン基を含みうる。また、芳香族エーテル部は、望ましくは、芳香族グリシジルエーテル部の如きオキシラン基を含む。あるいは、芳香族エーテル部は、芳香族チオグリシジルエーテル部の如きチイラン基を含みうる。
【0102】
当該有用な化合物は、以下の化学式で定めることができる。
【0103】
【化14】
Figure 2004523893
上式において、R20は、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、tert−ブチル、C1-4のアルコキシ、ハロゲン、シアノ、ニトロおよびフェニルから選択され、各々のR21は、水素、メチル、エチル、プロピルおよびイソプロピルから個別に選択され、R22およびR23は、水素、メチル、エチル、プロピル、フェニル、トリルおよびベンジルから個別に選択され、R24は、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、tert−ブチル、C1-4のアルコキシ、ハロゲン、シアノ、ニトロおよびフェニルから個別に選択され、pは0から4の整数で、XおよびYはOおよびSから個別に選択される。
【0104】
上記のように、YをOまたはSとし、環式炭化水素部と芳香族エーテル部の間にカルボキシルまたはチオカルボキシル結合を有する構造を与えることができる。Yは、部間にカルボキシル結合を形成する酸素であるのが望ましい。
【0105】
さらに、R22およびR23の少なくとも一方を水素以外の基とし、脂環式部と芳香族エーテル部の間に2級結合を形成することができる。R22もR23も水素ではなく、脂環式部と芳香族部の間に3級結合を形成するのがより望ましい。
【0106】
補修用組成物は、さらに、コア構造体から伸びる少なくとも2つのヘテロ原子含有炭素環式構造を有し、該コア構造体は、エーテル、チオエーテル、カーボネート、およびそれらの組合せから選択される少なくとも1つの結合を含み、その結合は、接着性を低下させるための適切な条件のもとで補修することが可能である部分から選択される硬化性樹脂成分であってもよい。例えば、硬化性樹脂は、以下の構造によって表すことができる。
【0107】
【化15】
Figure 2004523893
四角形は、その例を以下に示す、1つまたは複数のヘテロ原子による割込みまたは置換を伴う、または伴わない芳香族環または環構造を含む、1つまたは複数の構造結合を表すことができる。
【0108】
1、X2、XaおよびXbは同じであっても異なっていてもよく、ヘテロ原子、すなわち酸素および硫黄を表す。文字記号mおよびm’は1から3の範囲の整数を表し、nおよびn’は0から8の範囲の整数を表し、oおよびo’は1から3の範囲の整数を表す。構造式VIIIの硬化性樹脂に含まれる芳香環コア構造の四角形は、単独の芳香環であるか、あるいは、縮合環類、ビアリル(ビフェニルなど)またはビスアリル(ビスフェノールA、ビスフェノールF等、またはヘテロ原子が結合したビスフェノール化合物)類、脂環式−芳香族ハイブリッド環類、またはオリゴマー類(ノバレク型など)に結合した複数の芳香族単位を有する芳香族環類、例えば、特にナフタレン、アントラセン、フェナントラセンおよびフルオレンであってもよい。
【0109】
例えば、四角形は以下の構造結合を表すことができる。
【0110】
【化16】
Figure 2004523893
上式において、Zは存在してもしなくてもよく、存在する場合は、炭素、またはヘテロ原子、すなわち酸素または硫黄である。あるいは、四角形はフェニレン基であってもよい。これらの構造のいずれも、芳香族環の1つまたは複数の部位に置換基を有していてもよく、アルキル、アルケニル、ハロ、ニトロ、カルボキシル、アミノ、ヒドロキシル、チオの如き、芳香環上に通常存在する官能基が挙げられる。
【0111】
例えば、構造VIIIのうちの特に望ましい硬化性樹脂としては、住友精化株式会社(大阪、日本)から市販されているMPG、すなわちビス[4(2,3−エポキシ−プロピルチオ)フェニル]−スルフィド(CAS Reg.No.84697−35−8)、および宇部興産株式会社(東京、日本)から市販されているXBO、すなわちキシレンビスオキセタン(CAS Reg.No.142627−97−2)が挙げられる。
【0112】
補修用組成物は、さらに以下の構造で表される硬化性樹脂であってもよい。
【0113】
【化17】
Figure 2004523893
上式において、X1およびX2は前述と同様で、XcおよびXdは同じであっても異なっていてもよく、存在していてもしていなくてもよく、存在する場合はアルキル、アルケニル、アリルなどで、文字記号mおよびm’は前述と同様である。
【0114】
コア構造体から伸びるヘテロ原子含有炭素環構造体は、ヘテロ原子を酸素および/または硫黄原子とする三、四または五員環であってもよい。これらの環構造体は、適切な条件のもとで架橋結合して、組成物の反応生成物を形成する。
【0115】
カーボネート結合は、酸が存在する、または存在しないで、高温条件に曝すと分解する。この結合は分解が可能であり、二酸化炭素ガスを発生させる。
【0116】
本発明の範囲内において組成物の当該分解を達成するのに用いられる温度は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂またはビスフェノールF型エポキシ樹脂をベースとした組成物の如き、この目的に使用される通常のエポキシ系組成物を分解するのに必要とされる温度、通常は約300℃前後あるいはそれ以上の温度、より50℃低い温度とすることができる。さらに、当該分解を達成するのに用いられる温度は、当該分解時にハンダをリフローさせるようなハンダのリフロー温度より高くなければならない。当該ハンダリフロー温度は、通常約200℃から230℃前後である。
【0117】
構造IXのうちの特に望ましい硬化性樹脂としては、宇部興産株式会社(東京、日本)から市販されているCBO、すなわちカーボネートビスオキセタン(CAS Reg.No.60763−95−3)が挙げられる。
【0118】
硬化性樹脂は、エポキシ樹脂の少なくとも一部が、少なくとも1つの末端エポキシ基に隣接する少なくとも1つの残存アルキレンオキサイド位を有するエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂であってもよい。該エポキシ樹脂は、単官能または多官能性の脂肪族エポキシ、脂環式の構造または構造体を有するエポキシ、あるいは芳香環の構造または構造体を有するエポキシ、およびその組合せをベースとすることができる。
【0119】
以下の化学式の化合物から、少なくとも1つの熱開裂性無水結合を有するエポキシ化合物を選択することができる。
【0120】
【化18】
Figure 2004523893
上式において、R25およびR28は、それぞれ水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、t−ブチル、C1-4のアルコキシ、ハロゲン、シアノおよびニトロから個別に選択され、R26およびR27は、それぞれ存在していてもいなくてもよいが、存在する場合は、それぞれメチレン、エチレン、プロピレンおよびブチレン、ならびに、フェニレン、ベンジレン、フェノキシレン、ベンジオキシレンおよびそれらの誘導体の如きアリレンから個別に選択され、R26およびR27が存在するときは、R25とR26および/またはR27とR28は、ともに、炭素環(例えばシクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチルまたはノルボニル)またはヘテロ環の如き環式または二環式構造体を形成することができ、その環式構造体は同一であっても異なっていてもよく、それ自体ハロゲン、ヒドロキシル、またはC1-4のアルコキシの如きアルコキシ基で置換されうる炭素数が1から約6の直鎖状または分枝状アルキルまたはアルケニル基で置換されていてもよい。
【0121】
補修用組成物は、(a)その少なくとも一部が、それぞれオキシランおよび/またはチイラン炭素上の少なくとも3つの置換可能位置において、1から約12の炭素原子を有し、適宜1つまたは複数のヘテロ原子またはハロゲンによる置換または割込みを伴う、または伴わないアルキル、アルケニルまたはアリル置換基で置換された、オキシラン、チイランおよびそれらの組合せから選択される少なくとも1つの結合を有する化合物であるエポキシ樹脂成分と、(b)無水物化合物、アミン化合物、アミド化合物、イミダゾール化合物およびそれらの組合せから選択される硬化剤成分とを含むこともできる。
【0122】
有用な化合物の具体的な例は、各々の開示内容を本願に引用して援用する、2000年9月28日に公開された「補修用熱硬化樹脂組成物(Reworkable Thermosetting Resin Compositions))という名称の国際特許出願第PCT/US00/07452号、「補修用熱硬化樹脂組成物(Reworkable Thermosetting Resin Compositions))という名称の国際特許出願第PCT/US00/11878号、2000年8月2日に出願された「補修用熱硬化樹脂組成物(Reworkable Thermosetting Resin Compositions))という名称の米国特許暫定出願第60/222,392号、2000年9月15日に出願された「エピスルフィド樹脂含有補修用組成物(Reworkable Compositions Incorporating Episulfide Resins))という名称の米国特許暫定出願第60/232,813号、2000年9月5日に出願された「補修用熱硬化樹脂組成物およびそれに有用な化合物(Reworkable Thermosetting Resin Compositions and Compound Useful Therein))という名称の米国特許暫定出願第60/230,098号、2000年4月21日に出願された「補修用熱硬化樹脂組成物(Reworkable Thermosetting Resin Compositions))という名称の米国特許暫定出願第60/198,747号、および2000年3月31日に出願された「補修用熱硬化樹脂組成物(Reworkable Thermosetting Resin Compositions))という名称の米国特許暫定出願第60/193,547号に見いだすことができる。
【0123】
特に望ましいのは、補修温度がハンダリフロー温度より高い化合物である。
【0124】
前述したように、図3は、集積回路チップ60を作製して基板70に取り付け、回路組立体50を形成する回路組立体50を示す図である。前述のように、本発明は、ここに示される集積回路チップ60の如き、担体基板に電気的に接続可能な集積回路チップに関する。当該集積回路チップ60は、その上に配置された融剤85を含むハンダバンプ82を含み、適切な条件に曝されることにより硬化して、完全に硬化した固体状の熱硬化アンダーフィル材料を形成することが可能な硬化可能な熱硬化性組成物としてのアンダーフィル成分90をさらに含む。さらに、本発明は、チップダイ62を基板70と対合させ、適切な条件に曝して、融剤85をハンダバンプ82とハンダパッド88の間の接合面で流動させ、ハンダバンプ82を流動させてハンダ付けし、アンダーフィル成分90を硬化させて固体状の熱硬化複合体とした、図4に示す一体形の回路組立体50をさらに提供する。そのように、ハンダバンプ82を使用することにより、チップダイ62を基板70と電気的に接続させる。また、アンダーフィル成分90および融剤85は、均一の溶融接着性組成物として供給される場合とは異なり、集積回路チップ60の個々の部分に区別された成分として供給されているため、融剤85の残留物が実質的に存在しない、硬化した熱硬化アンダーフィル化合物まで硬化するアンダーフィル成分90を通じて、基板70にチップダイ62が固定または接着される。
【0125】
図5および図6は、回路組立体50aが、図3および図4を参照しながら上述した実施形態で述べたように、その表面に融剤85が配置されたハンダバンプ82を含むチップダイ62を有する集積回路チップ60aを含む、本発明のさらなる実施形態を示す図である。しかし、図5および図6の実施形態では、集積回路チップ62aは、第1のアンダーフィル成分としてアンダーフィル成分90を含み、さらに第2のアンダーフィル成分100を含む。そのように、ハンダバンプ82付近のチップダイ62と基板70の間に形成された間隙55は、硬化して、アンダーフィル成分90と第2のアンダーフィル成分100の両方を含む間隙55内のアンダーフィル封剤を与える2つの個別の組成物で埋められている。
【0126】
第2のアンダーフィル成分100は、また、高い接着強度および低熱膨張性を与える硬化性組成物である。アンダーフィル成分90と同様に、第2のアンダーフィル成分100として熱硬化樹脂組成物が特に有用である。よって、第2のアンダーフィル成分100は、アンダーフィル成分90についてここに記載されている任意の組成物とすることができる。例えば、第2のアンダーフィル成分100は、アンダーフィル成分90について前述したように、主に、(a)硬化性樹脂成分と、(b)随意の無機充填剤成分と、(c)無水物成分、アミン化合物、アミド化合物および/またはイミダゾール化合物の如き窒素含有成分、ならびに/もしくはそれらの組合せを含む硬化剤成分とを含むのが望ましい。
【0127】
第2のアンダーフィル成分100は、アンダーフィル成分90と同じ組成物であってもよく、回路組立体50aに別の層として設けることができる。あるいは、第2のアンダーフィル成分100は、アンダーフィル成分90の組成物とは異なる熱硬化樹脂組成物であってもよい。そのように、アンダーフィル成分90および第2のアンダーフィル成分100を含む回路組立体50aは、上述したような熱硬化樹脂組成物の任意の組合せを含みうる。アンダーフィル成分90および第2のアンダーフィル成分100は、望ましくは、それらが接着される回路組立体50aの表面に応じた特性を含むように選択される。例えば、図6に示すように、アンダーフィル成分90をチップダイ62に接着する。そのように、アンダーフィル成分90は、硬化すると、チップダイ62に応じた熱膨張係数を有する熱硬化組成物であってもよい。同様に、第2のアンダーフィル成分100がアンダーフィル成分90と基板70の間に接着される。よって、第2のアンダーフィル成分100は、硬化すると、基板70に応じた熱膨張係数を有する熱硬化組成物であってもよい。
【0128】
望ましい組立体では、アンダーフィル成分90および第2のアンダーフィル成分100の少なくとも一方が、上述のような補修用組成物を含む。例えば、アンダーフィル90をアンダーフィル材料として提供し、第2のアンダーフィル成分100を補修用組成物の個別的かつ区別された成分として提供することができる。アンダーフィル成分90と第2のアンダーフィル成分100の両方が区別されかつ個別的な成分として存在すれば、アンダーフィル成分90が、強度および熱膨張特性をほぼ全面的に分担することになる。そのように、第2のアンダーフィル成分100は、専ら補修特性のみのために用いることができるため、強度および膨張性を付加するための追加的な充填剤を必要とすることなく、単に薄層またはアンダーフィル全体の小部分として存在することができる。したがって、第2のアンダーフィル成分100は、補修性を与えるために必要な成分に限定することができるため、強度および他の物理特性を犠牲にすることなく、高い補修性を達成することが可能になる。
【0129】
図6に示されるように、一体形の回路組立体50aは、基板70と対合させ、適切な条件に曝して、融剤85をハンダバンプ82とハンダパッド88の間の接合面に流動させ、ハンダバンプ82を流動させてハンダ付けし、アンダーフィル成分90および第2のアンダーフィル成分100を硬化させて固体状の熱硬化複合体とした後の、チップダイ62を含む。したがって、チップダイ62は、ハンダバンプ82を使用することにより基板70と電気的に接続され、融剤85の残留物が実質的に存在しないアンダーフィル成分90および第2のアンダーフィル成分100を通じて提供される硬化した熱硬化複合体を通じて基板70に固定または接着される。さらに、アンダーフィル成分90を、チップダイ62に応じた熱膨張係数を有する第1の誘電層とし、第2のアンダーフィル成分100を、基板70に応じた熱膨張係数を有する第2の誘電層とすることができる。
【0130】
適切な層を用いることにより集積回路チップ60を組み立てて様々な成分を形成することで、回路板基板に対して効果的にハンダ付けして固定できる、電気接点、および、1つまたは複数のアンダーフィル成分があらかじめ集成された集積回路チップを形成することができる。流動可能なハンダバンプ82を含む電気接点をチップダイ62に設けることによって、当該組立体を達成することができる。ハンダバンプ82は、任意の既知のハンダバンプ塗布方法によって塗布することが可能である。融剤85は、基板70との電気的な接続を実現するハンダバンプ82の少なくとも一部に塗布され、ハンダバンプ82の表面全体に塗布することができる。当該塗布は、融剤を好適な溶剤系に溶解させて、例えば上述したスクリーン印刷、ステンシル印刷、ジェット印刷、パッド印刷またはオフセット印刷によってハンダバンプ82に印刷することにより達成されうる。融剤85の溶液を塗布した後に、約40℃から150℃の温度で約5から6時間、望ましくは約80℃から100℃の温度で約1から3時間加熱炉で加熱することにより、チップダイ62をBステージ化にした。当該加熱によって、塗布された融剤の溶液から溶剤が蒸発することによりハンダバンプ82上の融剤85が乾燥し、約0.25から2ミル(約6.35から50.8μm)、より望ましくは約0.5から約1ミル(約12.7から約25.4μm)といった所望の膜厚を有する、融剤の粘着性のある膜が残る。
【0131】
その後、アンダーフィル成分90である硬化可能な熱硬化性組成物は、チップダイ62上のハンダバンプ82付近に流動可能な形で供給される。例えば、上述した硬化可能な熱硬化性組成物を、チップダイ62上の融剤85とは異なる所定の領域に印刷することができる。融剤85をハンダバンプ82に印刷する場合と同様に、チップダイ62への硬化可能な熱硬化性組成物の当該印刷も、任意の既知の方法、例えばステンシル印刷、ジェット印刷、パッド印刷またはオフセット印刷によって達成することができる。望ましくは、ステンシル印刷法により、ハンダバンプ82の領域を印刷対象から排除するのが望ましい。そのように、アンダーフィル成分90である硬化可能な熱硬化性組成物が、ハンダバンプ82を除いたチップダイ62の全表面に印刷される。
【0132】
硬化可能な熱硬化性組成物を供給した後に、融剤85の乾燥の場合と同様の方法および同様の条件で、乾燥加熱炉にてチップダイ62を再びBステージ化する。例えば、硬化可能な熱硬化性組成物が流動可能な形で供給されたチップダイ62を、約60から100℃の温度で約1から3時間乾燥させるのが望ましい。当該加熱によって、溶剤が蒸発することによりチップダイ62上の硬化可能な熱硬化性組成物が乾燥し、組成物の流動性が低下し、約1から約10ミル(約25.4から約254μm)、より望ましくは約3から約4ミル(約76.2から約101.6μm)の膜厚を有する、粘着性のある状態の硬化可能な熱硬化固形残留化合物としてのアンダーフィル成分90がチップダイ62上に残る。それにより、基板70に取り付けるための集積回路チップ60が提供される。
【0133】
第2のアンダーフィル成分100を含む実施形態では、次いで、アンダーフィル成分90の場合と同様の方法でアンダーフィル成分90に印刷することなどにより、アンダーフィル成分90上の融剤85とは区別される所定の領域に、流動可能な形で第2の硬化可能な熱硬化性組成物を供給することができる。第2の硬化可能な熱硬化性組成物を供給した後に、そのようにしてコーティングされたチップダイ62を、上述の融剤85およびアンダーフィル成分90の乾燥と同様の方法および同様の条件で、加熱炉にて乾燥することにより再びBステージ化する。アンダーフィル成分90の場合と同様に、当該乾燥によって、溶媒が蒸発することによりバルクなアンダーフィル成分90上の第2の硬化可能な熱硬化性組成物が乾燥し、組成物の流動性が低下し、約0.5から約5ミル(約12.7から約127μm)、より望ましくは約1から約2ミル(約25.4から約50.8μm)の膜厚を有する、粘着性のある状態の第2の硬化可能な熱硬化固形残留化合物としての第2のアンダーフィル成分100がアンダーフィル成分90上に残る。
【0134】
図3および図5に示されるように、その上にコーティングされた融剤85を含むハンダバンプ82の部分を、アンダーフィル成分90から露出させ、さらに、存在する場合には、第2のアンダーフィル成分100から露出させる。これは、好ましくは、ハンダバンプ82付近の所定の領域にアンダーフィル成分90および第2のアンダーフィル成分100を直接印刷することによって達成される。そのように、ハンダバンプ82は、アンダーフィル材料から突き出る。代替的な実施形態では、印刷時に、ハンダバンプ82をアンダーフィル成分90および/または第2のアンダーフィル成分100で覆うことができ、その後にハンダバンプ82を覆うアンダーフィル成分90および/または第2のアンダーフィル成分100の部分を、こすり取る、溶融除去する、削り取る、または他の方法で除去して、基板に取り付ける前にハンダバンプを露出させる。アンダーフィル成分90および/または第2のアンダーフィル成分100が補修用組成物を含む手順においては、ハンダバンプ82からのアンダーフィルの溶融除去は、補修用組成物に溶剤がまだ存在する状態で、補修用組成物を含む適切な層のBステージ化の乾燥に先立って、行われる必要がある。
【0135】
回路組立体50を組み立てるために、集積回路チップ60を基板70と対合させて、図2に示すように、ハンダバンプ82が基板70に対向し、基板70のハンダバンプ88と整列するようにチップダイ62を配置した、一体の組立体を形成する。融剤85でコーティングされたハンダバンプ82がハンダパッド88と接触するように、ハンダバンプ82およびアンダーフィル組成物90を有するチップダイ62も含めて、集積回路チップ60を移動させて基板70に密着させる。次いで、例えば、任意の既知の加熱およびリフロー技術を用いて、ハンダをリフローさせることが可能な温度まで加熱することにより、集積回路チップ60と基板70の間の電気的な接続を促進するのに十分な温度条件に、該組立体を曝す。当該加熱によって融剤85が活性化し、ハンダバンプ82およびハンダパッド88上の酸化物を還元するとともに、ハンダバンプ82をハンダパッド88に接合させる。このリフロープロセスにおける加熱を通じて、アンダーフィル成分90を硬化させて固体状にする。したがって、同一の処理手順で、ハンダバンプ82のリフロー、ならびにアンダーフィル成分90および補修用成分100の硬化が行われる。そのように、図4に示されるようにアンダーフィル成分90によって回路が封止され、環境汚染からその表面を保護するために組立体の周囲が連続的にシールされた、回路組立体50が形成される。したがって、半導体デバイスは様々な電子用途に供される。
【0136】
基板70へ取り付けるために集積回路チップ60aを設けた、図6の回路組立体50aも同様にして組み立てられる。当該実施形態では、アンダーフィル成分90および第2のアンダーフィル成分100の硬化を同一の処理手順で行う。
【0137】
ハンダリフロープロフィルは、ある設定時間にわたってある温度に到達または維持し、あるいはある設定時間にわたって温度が上昇する、いくつかのゾーンから構成される。例えば、当該ゾーンを予備加熱ゾーン、均熱ゾーンおよびリフローゾーンと呼ぶことができる。予備加熱ゾーンでは、一体の組立体を均熱ゾーン温度まで徐々に加熱する。予備加熱ゾーンにおける加熱調整は、30℃から130℃の温度範囲にわたって60秒以下の時間で行われることになる。均熱ゾーンでは、それぞれの成分の熱膨張が起こり、また温度調節をするために、一体の組立体を熱的な平衡状態にする。均熱ゾーンにおける初期加熱時には、リフローゾーンで到達する高温に曝されたときにハンダが最終的に電気的な接続を確保できるように、融剤が活性化して金属表面を洗浄できる温度を上回る温度まで上昇する。均熱ゾーンにおける加熱調整は、150℃から183℃といったような180℃をわずかに上回る温度範囲にわたって、開始後60から175秒で行われることになる。予備加熱および均熱ゾーンでは、アンダーフィル組成物はゲル化していない状態を維持するのが望ましい。
【0138】
リフローゾーンでは、ハンダが溶融することによって、流動して電気的な接続を形成する。アンダーフィル組成物は、ハンダが流動して電気的な接続を形成した後にゲル化する。あるいは、存在する成分が移動することにより、電気切断が生じることもある。リフローゾーンにおける加熱調整は、183℃といった180℃をわずかに上回る温度から約220℃±10℃の温度範囲にわたって、開始後175から205〜265秒間で行われることになる。アンダーフィル組成物は、ハンダが流動して電気的な接続を形成した後に完全に硬化されるのが望ましい。アンダーフィル組成物の硬化によって、半導体デバイスを基板上に封止しながら電気的な接続が確立される。
【0139】
上述したように、アンダーフィル成分90および/または第2のアンダーフィル成分100内に補修用成分を含む実施形態では、少なくとも一部が動作不能になった組立体の動作部分の修理、交換、回収および/またはリサイクルを可能とする開裂性結合をもった回路組立体50が与えられる。したがって、補修用組成物を含む熱硬化アンダーフィル成分を、硬化温度を上回る温度に加熱して、組成物を熱分解させることによって、基板70から集積回路チップ60を除去することができる。例えば、樹脂組成物を軟化させるのに十分な時間にわたって、除去すべき集積回路チップ6付近の領域を、樹脂組成物の硬化温度を上回る温度に加熱する。加熱を行う方法は特に限定されないが、ヒートガンによって故障箇所に熱風を当てるなどの局部加熱が特に望ましい。当該加熱によって、ハンダバンプ82のハンダが溶融し、部分的な分解により補修用組成物の樹脂が軟化し、その結果結合強度が低下する。次いで、ピンセットまたはペンチなどによって、回路チップ60を基板70から除去することができる。
【0140】
集積回路60を基板70から除去した後に、アンダーフィル組成物の硬化反応生成物の残留物およびハンダの残留物が、回路板基板上70に残る。アンダーフィル組成物の硬化生成物の残留物は、例えば、残留物を所定の温度に加熱することによってそれを軟化させた後に、擦り取ることによって除去することができる。ハンダの残留物は、例えば、ハンダ吸収用組線を使用することによって除去することができる。
【0141】
次いで、新しい集積回路チップを上述の方法で回路板基板に取り付けることができる。
【0142】
接着性アンダーフィル材とは別個の異なる成分として融剤を供給することにより、融剤を高濃度有機酸の如き高濃度で使用することができる。融剤は、別個の異なる成分として提供されるため、ハンダ処理に応じた溶融作用を提供する融剤としての目的に向けて効果的に作用することができ、融剤およびアンダーフィル材を単一の組成物に含めた均質溶融アンダーフィル接着剤の場合にしばしば見られるような、アンダーフィル材の強度および接着特性に悪影響を及ぼすことはない。
【0143】
さらに、アンダーフィル組成物の1つが異なる個別的な成分または層として補修用組成物を含む実施形態では、高強度樹脂と、バルクのアンダーフィル成分に対する低膨張充填剤とを併用することができる。したがって、バルクのアンダーフィル層は、融剤の溶融活性に悪影響を及ぼすことなく、または補修用組成物を含有することによる性能の低下を引き起こすことなく、全体としての熱膨張を低く抑えながら優れた物理特性を提供する。また、補修用成分は、回路チップが基板に取り付けられた表面に直接存在する薄層にのみ含まれるため、補修用樹脂組成物をバルクの接着性アンダーフィルに取り入れた組立体のように、強度および溶融活性を犠牲にすることなく、結合点において直接高度な補修性を実現することができる。
【0144】
図7に示すさらなる実施形態では、集積回路チップ60bには、あらかじめその上に組み立てられたハンダバンプ82が設けられ、基板70に取り付ける前に多層構造体があらかじめコーティングされている。多層構造体は、各々が異なる機能を発揮する個別の層を含む。例えば、チップダイ62は、チップダイ62の表面64に直接取り付けられた応力吸収層110である第1の層を含みうる。その上に個別的な層として、上述した方法および配列でアンダーフィル成分90を設ける。当該実施形態では、追加的な応力吸収層110を使用することによって、回路組立体50bの強度が向上した。同様にして、図8に示すように、アンダーフィル成分90と第2のアンダーフィル成分100の両方を含む実施形態においても、当該応力吸収層110を設けて、集積回路チップ60cを提供することができる。当該実施形態では、上述した方法および配列で、応力吸収層110上にアンダーフィル成分90および第2のアンダーフィル成分100を設けることにより、強度が向上した回路組立体50cを提供することができる。
【0145】
ここに記載されているチップダイ62は、個々のチップダイとして提供することもできるし、チップスケールパッケージとしても提供することができることは、注目に値する。よって、図9に示されるさらなる実施形態では、チップスケールパッケージ160を含む形の回路組立体150が提供される。当該技術分野では、回路と回路板基板の電気的な接続に使用されるチップスケールパッケージが知られている。本実施形態では、回路組立体150は、チップダイ62をチップスケールパッケージ160に代えることを除いて、図4に示される実施形態に示される構造と同様の構造を含む。例えば、回路組立体150は、その上にハンダパッド88を含む回路板基板70を含む。しかし、基板70は、図4に示される実施形態のように、集積回路チップに直接取り付けられておらず、その代わり、当該技術分野において知られているように、例えば、個別的な担体基板または介在層に取り付けられたチップダイを含みうるチップスケールパッケージ160に取り付けられる。当該実施形態では、先述の説明において回路チップ60について記載したのと同様の方法で、当該個別的な担体基板または介在層にハンダバンプ82を設けることができる。さらに、ハンダバンプ82上にコーティングされた融剤85、およびアンダーフィル成分90を通じて、前述と同様にして、チップスケールパッケージ160を基板70に取り付ける。図10の回路組立体150aに示されるように、第1のアンダーフィル成分および第2のアンダーフィル成分を通じて、当該チップスケールパッケージ160を基板70に取り付けることもできる。
【0146】
以下に示す実施例を参照すると、本発明がより容易に理解されよう。
【0147】
(実施例)
(実施例I−融剤)
本発明に従って、以下の組成を有する融剤を調製した。
【0148】
【表1】
Figure 2004523893
上記の成分を含んで調製された融剤は、可使時間が4カ月以上の優れた保存安定性を示す。さらに、融剤をBステージまで乾燥すると、粘着性の固形物質になる。ハンダリフロー技術での使用を通じて、融剤は優れた溶融活性を示す。
【0149】
(実施例II−バルクのアンダーフィル組成物)
表II−Aに記載されている成分を含む本発明によるバルクのアンダーフィル組成物を調製することができる。
【0150】
【表2】
Figure 2004523893
表II−Bに記載されている以下の成分によって具体的な調合物を調製した。
【0151】
【表3】
Figure 2004523893
上記成分を含んで調製されたバルクのアンダーフィル組成物は、特に本発明の多層電子組立体と組み合わせて使用すると接着剤としての性質を示す。ハンダリフロー技術において、バルクのアンダーフィル組成物は硬化すると優れた応力補強性を示す。
【0152】
(実施例III−補修用組成物)
以下に示す6つの樹脂組成物を調製した。
【0153】
【表4】
Figure 2004523893
以下に示す成分を有する、エポキシ樹脂AからFの各々を含む補修用組成物を調製することができる。
【0154】
【表5】
Figure 2004523893
表III−Aに示される6つのエポキシ樹脂A〜Fから6つの具体的な補修用組成物を調製して、以下に示す成分を含む組成物A〜Fを製造した。
【0155】
【表6】
Figure 2004523893
上記成分を含んで調製されたバルクのアンダーフィル組成物は、本発明の多層電子組立体とともに使用するのに優れた特性を示す。ハンダリフロー技術において、バルクのアンダーフィル組成物は硬化すると基板表面に対する優れた接着性を示す。組成物を、約270度のようなハンダリフロー温度および硬化温度より高い温度に加熱すると、補修用成分が軟化および分解することによって、多層電子組立体での使用に適した補修用特性を提供する。
【0156】
(実施例IV)
実施例IIIの組成物A〜Fの各々の硬化後における接着性能を評価した。特に、接着剤として組成物A〜Fの各々が少量塗布されたガラス繊維回路板基板に、6つの個別的な試験ダイを取り付けた。次いで、各基板を230℃の最大リフロー温度に曝すことによって加熱すると、当該加熱を通じて組成物A〜Fが硬化した。当該硬化後に、Dage−4000剪断試験装置で試験ダイを剪断することによって、各々の組成物のダイ剪断強度を試験した。この試験の結果を表IVに示す。
【0157】
【表7】
Figure 2004523893
表IVに示されるダイ剪断強度から明らかなように、本発明による補修用組成物として調製された組成物A〜Fの各々は、基板接着に対して良好な強度を示し、特定の調合物は硬化後に優れた剪断強度を達成する。
【0158】
(実施例V)
実施例Vでは、組成物A〜Fの各々を評価して、補修用組成物の洗浄性を判断した。
【0159】
補修用組成物A〜Fの各々をステンシル印刷法によりガラス繊維回路板基板上に塗布し、70℃の温度で2時間にわたって乾燥させてBステージ化した。組成物A〜Fの各々を硬化させた後に、各回路チップを270℃の補修用温度に曝した。当該温度において、組成物A〜Fの各々が軟化して、回路板基板から回路チップが除去された。補修用組成物の残留物を除去するために、各基板に表面の機械ブラシ研磨を施した。表Vは、組成物A〜Fの各々に対して1分間および3分間にわたって該温度に曝した後の洗浄時間を示す。
【0160】
【表8】
Figure 2004523893
表Vに示される結果からわかるように、組成物A〜Fの各々は、組成物補修後に優れた洗浄性を示す。
【0161】
(実施例VI)
実施例VIは、複数の高温リフローサイクルを経た後の本発明による補修用組成物の接着性を示す。
【0162】
上記実施例IIIの組成物Aを基板に塗布して、乾燥させてBステージ化した。次いで、その上に組成物Aを含む基板を、リフローサイクル毎に2分間にわたって、最大リフロー温度が230℃の複数のリフローサイクルにかけた。組成物Aは、1リフローサイクル後に84.4パーセントの基板に対する接着性残留率を示した。2回目のリフローサイクル後は、96.1パーセントの接着性残留率を示した。3回目のリフローサイクル後は、わずかに低下して92.9パーセントの接着性残留率を示した。6リフローサイクル後も88.6パーセントの基板に対する接着性残留率を示した。それらの結果は、本発明の集積回路チップ、およびそれらと一体化された構造体を組み立てるのに使用される組成物が優れた接着性を示すことを実証するものである。
【0163】
(実施例VII)
実施例Iの調合に従って調製された融剤を、ステンシル印刷法により、シリコンから構成された回路チップ上のハンダバンプに印刷することができる。融剤を乾燥させてBステージ化することができる。次いで、実施例IIによるバルクのアンダーフィル組成物を、その上に塗布された融剤を含むハンダバンプ付近の回路チップ上に、ステンシル印刷法により印刷することができる。再び、融剤の場合と同様に、バルクのアンダーフィル成分を乾燥させてチップをBステージ化する。次いで、補修用組成物A〜Fの各々を、ステンシル印刷法により、個々の回路チップのバルクのアンダーフィル成分上のハンダバンプ付近に印刷することができる。再び、融剤およびバルクのアンダーフィル成分の場合と同様に、補修用成分の乾燥させて回路チップの各々をBステージ化する乾燥行うことができる。
【0164】
当該塗布後に、各々のチップを基板に貼りつけ、約2分間にわたって230℃の温度でハンダをリフローさせて、ハンダをリフローさせ、バルクのアンダーフィル組成物および補修用組成物を硬化させることができる。
【0165】
そのようにして製造された回路組立体は、チップと回路板の間に優れた電気的な接続を与える。さらに、先の例で確認されたように、チップと回路板との良好な接着を達成できる。さらに、組立体を270℃の補修温度に曝すことによって、チップの補修可能性を実現することができる。そのようにして補修すると、回路板基板表面から残留物を除去するための機械ブラシ研磨をほとんど必要とせずに、チップを容易に除去することが可能になる。
【0166】
以上、本発明を説明したが、様々な形に変更できることを当業者なら理解するであろう。当該変更は、本発明の主旨および範囲から逸脱しないものと見なされ、すべての当該改造は、請求項の範囲内に含まれるものとする。
【図面の簡単な説明】
【0167】
【図1−2】米国特許第6,121,689号に示されるアンダーフィルフリップチップの構造の概略図である。
【図3】組立て前のフリップチップ回路チップおよび基板を示す本発明による回路組立体の概略図である。
【図4】組立て後の図2の回路組立体の概略図である。
【図5】組立て前のフリップチップ回路チップおよび基板を示す本発明の代替できる実施形態による回路組立体の概略図である。
【図6】組立て後の図5の回路組立体の概略図である。
【図7】本発明のさらなる実施形態における回路組立体の概略図である。
【図8】本発明のさらなる実施形態における回路組立体の概略図である。
【図9】本発明のさらなる実施形態における、基板に組み立てられたチップスケールパッケージを含む回路組立体の概略図である。
【図10】本発明のさらなる実施形態による、基板に組み立てられたチップスケールパッケージを含む回路組立体の概略図である。

Claims (61)

  1. 担体基板と電気的に接続可能な集積回路チップであって、
    a)担体基板の表面上の電子回路と電気的に接続することのできる所定のパターンに配列された電気接点を有し、前記電気接点は加熱により流動可能であるチップダイと、
    b)前記チップダイを担体基板と対合させたときに、前記チップダイの前記電気接点および担体基板の前記電子回路に効果的な溶融活性を与えることが可能な、前記電気接点の表面上の位置に配置される融剤と、
    c)前記チップダイ上の前記電気接点付近で、流動可能な形で供給され、前記融剤とは異なる、硬化可能な熱硬化性アンダーフィル組成物とを備え、
    前記チップダイを前記担体基板と対合させて一体の組立体を形成し、前記電気接点を流動可能とするのに十分な温度まで前記一体の組立体を加熱することで、前記電子接点が流動して前記チップダイと前記担体基板の間に電気的な接続を与え、前記熱硬化性アンダーフィル組成物が硬化し、それによって前記チップダイが前記担体基板に接着する集積回路チップ。
  2. 前記融剤は、前記電気接点の実質的に全表面に配置される、請求項1に記載の集積回路チップ。
  3. 前記電気接点の少なくとも一部が、前記熱硬化性アンダーフィル組成物から露出される、請求項1に記載の集積回路チップ。
  4. 前記熱硬化性アンダーフィル組成物は、硬化性成分と、前記硬化性成分の硬化を促進するための硬化剤と、随意に無機充填剤成分とを含む、請求項1に記載の集積回路チップ。
  5. 前記硬化性成分はエポキシ樹脂を含む、請求項4に記載の集積回路チップ。
  6. 前記エポキシ樹脂は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノバレク型エポキシ樹脂、クレゾールノバレク型エポキシ樹脂、芳香族アミンおよびエピクロロヒドリンをベースとしたポリエポキシ化合物、フェノール化合物のポリグリシジル誘導体、フェノール−ホルムアルデヒドノバレクのポリグリシジル誘導体、アミン、アミノアルコールおよびポリカルボン酸のポリグリシジル付加物、ならびにそれらの組合せよりなる群から選択される、請求項5に記載の集積回路チップ。
  7. 前記硬化剤は、無水化合物、アミン化合物、アミド化合物、イミダゾール化合物、およびそれらの組合せよりなる群から選択される、請求項4に記載の集積回路チップ。
  8. 前記無機充填剤成分は、強化シリカ、酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、シリカ被覆窒化アルミニウム、窒化ホウ素、およびそれらの組合せで構成される、またはそれらを含む物質よりなる群から選択される、請求項4に記載の集積回路チップ。
  9. 前記融剤は有機酸を含む、請求項1に記載の集積回路チップ。
  10. 前記融剤は、アビエチン酸、アジピン酸、アスコルビン酸、アクリル酸、クエン酸、2−フラン酸、リンゴ酸、ポリアクリル酸、およびそれらの組合せよりなる群から選択される物質を含む、請求項1に記載の集積回路チップ。
  11. 前記融剤は潜在性の有機酸を含む、請求項1に記載の集積回路チップ。
  12. 前記融剤は熱活性可能なブロック化有機酸を含む、請求項1に記載の集積回路チップ。
  13. 前記融剤は、乾燥することで前記電気接点上に前記融剤の膜を形成することができ、前記熱硬化性アンダーフィル組成物を硬化させるときに前記熱硬化性アンダーフィル組成物と反応することができるエポキシ化合物をさらに含む、請求項1に記載の集積回路チップ。
  14. 前記チップダイは、シリコンおよびゲルマニウムよりなる群から選択される物質から構成される、請求項1に記載の集積回路チップ。
  15. 前記チップダイは、ポリイミド系物質、ポリベンゾシクロブタン系物質、および窒化珪素系物質よりなる群から選択される物質が塗布されている、請求項1に記載の集積回路チップ。
  16. 前記担体基板は、Al23、窒化珪素、ムライト、ポリイミド、ガラス強化エポキシ、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン、およびフェノールの各基板よりなる群から選択される物質から構成される、請求項1に記載の集積回路チップ。
  17. 前記電気接点はハンダバンプを含む、請求項1に記載の集積回路チップ。
  18. 前記熱硬化性アンダーフィル組成物の反応生成物は、適切な条件に曝すことで制御可能な分解性を示す、請求項1に記載の集積回路チップ。
  19. 前記熱硬化性アンダーフィル組成物は、少なくとも1つの熱開裂性結合を有する硬化性化合物と、前記硬化性化合物の硬化を促進するための硬化剤と、随意に無機充填剤成分とを含む、請求項18に記載の集積回路チップ。
  20. 少なくとも1つの熱開裂性結合を有する前記化合物は、アクリルアセタール基を含むジエポキシドならびにその完全および部分的エピスルフィド同等物、二級カルボニル結合を含むジエポキシドならびにその完全および部分的エピスルフィド同等物、三級カルボニル結合を含むジエポキシドならびにその完全および部分的エピスルフィド同等物、構造内に芳香族部分を含むジエポキシドならびにその完全および部分的エピスルフィド同等物、およびそれらの組合せとからなる群から選択される、請求項19に記載の集積回路チップ。
  21. 前記熱硬化性アンダーフィル組成物は、硬化するとき、前記チップダイと前記担体基板の間に誘電層を与える、請求項1に記載の集積回路チップ。
  22. 前記チップダイはパッケージ集積回路を含み、前記電気接点は、前記パッケージ集積回路上に配列されており、前記担体基板の前記電子回路と電気的に接続される、請求項1に記載の集積回路チップ。
  23. 請求項1に記載の組立体を備えた回路組立体。
  24. a)請求項1に記載の集積回路チップを設けること、
    b)前記集積チップ回路を担体基板と対合させて一体の組立体を形成すること、および
    c)前記集積回路チップと前記担体基板の間の電気的な接続を促進するとともに、前記熱硬化性アンダーフィル組成物を硬化させるのに十分な温度に、前記一体の組立体を曝すことで、前記集積回路チップを前記担体基板に接着すること
    を含む、集積回路組立体の組立て方法。
  25. 担体基板と電気的に接続可能な集積回路チップであって、
    a)担体基板の表面上の電子回路と電気的に接続することのできる所定のパターンに配列された電気接点を有し、前記電気接点は加熱により流動可能であるチップダイと、
    b)前記チップダイを担体基板と対合させたときに、前記チップダイの前記電気接点および担体基板の前記電子回路に効果的な溶融活性を与えることが可能な、前記電気接点の表面上の位置に配置される融剤と、
    c)前記チップダイ上の前記電気接点付近で、流動可能な形で供給され、前記融剤とは異なる、第1の熱硬化性アンダーフィル組成物と、
    d)前記第1の熱硬化性アンダーフィル組成物上の前記電気接点付近に流動可能な形で供給され、前記第1の熱硬化性アンダーフィル組成物および前記融剤とは異なる第2の熱硬化性アンダーフィル組成物とを備え、
    前記チップダイを前記担体基板と対合させて一体の組立体を形成し、前記電気接点を流動可能とするのに十分な温度まで前記一体の組立体を加熱することで、前記電気接点が流動化して前記チップダイと前記担体基板の間に電気的な接続を与え、前記第1および第2の熱硬化性アンダーフィル組成物を硬化し、それによって前記チップダイが前記担体基板に接着する集積回路チップ。
  26. 前記融剤は、前記電気接点の実質的に全表面に配置される、請求項25に記載の集積回路チップ。
  27. 前記電気接点の少なくとも一部が、前記第1および前記第2の熱硬化性組成物から露出される、請求項25に記載の集積回路チップ。
  28. 前記第1および前記第2の熱硬化性組成物は、硬化性成分と、前記硬化性成分の硬化を促進するための硬化剤と、随意に無機充填剤成分とを含む、請求項25に記載の集積回路チップ。
  29. 前記硬化性成分はエポキシ樹脂を含む、請求項28に記載の集積回路チップ。
  30. 前記エポキシ樹脂は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノバレク型エポキシ樹脂、クレゾールノバレク型エポキシ樹脂、芳香族アミンおよびエピクロロヒドリンをベースとしたポリエポキシ化合物、フェノール化合物のポリグリシジル誘導体、フェノール−ホルムアルデヒドノバレクのポリグリシジル誘導体、アミン、アミノアルコールおよびポリカルボン酸のポリグリシジル付加物、ならびにそれらの組合せよりなる群から選択される、請求項29に記載の集積回路チップ。
  31. 前記硬化剤は、無水化合物、アミン化合物、アミド化合物、イミダゾール化合物、およびそれらの組合せよりなる群から選択される、請求項28に記載の集積回路チップ。
  32. 前記無機充填剤成分は、強化シリカ、酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、シリカ被覆窒化アルミニウム、窒化ホウ素、およびそれらの組合せで構成される、またはそれらを含む物質よりなる群から選択される、請求項28に記載の集積回路チップ。
  33. 前記融剤は有機酸を含む、請求項25に記載の集積回路チップ。
  34. 前記融剤は、アビエチン酸、アジピン酸、アスコルビン酸、アクリル酸、クエン酸、2−フラン酸、リンゴ酸、およびポリアクリル酸よりなる群から選択される物質を含む、請求項33に記載の集積回路チップ。
  35. 前記融剤は潜在性の有機酸を含む、請求項25に記載の集積回路チップ。
  36. 前記融剤は熱活性可能なブロック化有機酸を含む、請求項25に記載の集積回路チップ。
  37. 前記融剤は、乾燥することで前記電気接点上に前記融剤の膜を形成することができ、前記第1および第2の熱硬化性アンダーフィル組成物を硬化させるときに、前記第1または前記第2の熱硬化性アンダーフィル組成物の少なくとも一方と反応することができるエポキシ化合物をさらに含む、請求項25に記載の集積回路チップ。
  38. 前記チップダイは、シリコンおよびゲルマニウムよりなる群から選択される物質から構成される、請求項25に記載の集積回路チップ。
  39. 前記チップダイは、ポリイミド系物質、ポリベンゾシクロブタン系物質、および窒化珪素系物質よりなる群から選択される物質が塗布されている、請求項25に記載の集積回路チップ。
  40. 前記担体基板は、Al23、窒化珪素、ムライト、ポリイミド、ガラス強化エポキシ、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン、およびフェノールの各基板よりなる群から選択される物質から構成される、請求項25に記載の集積回路チップ。
  41. 前記電気接点はハンダバンプを含む、請求項25に記載の集積回路チップ。
  42. 前記第1または前記第2の熱硬化性アンダーフィル組成物の少なくとも一方の反応生成物は、適切な条件に曝すことで制御可能な分解性を示す、請求項25に記載の集積回路チップ。
  43. 前記第1または前記第2の熱硬化性アンダーフィル組成物の少なくとも一方は、少なくとも1つの熱開裂性結合を有する硬化性化合物と、前記硬化性化合物の硬化を促進するための硬化剤と、随意に無機充填剤成分とを含む、請求項42に記載の集積回路チップ。
  44. 少なくとも1つの熱開裂性結合を有する前記化合物は、アクリルアセタール基を含むジエポキシドならびにその完全および部分的エピスルフィド同等物、二級カルボニル結合を含むジエポキシドならびにその完全および部分的エピスルフィド同等物、三級カルボニル結合を含むジエポキシドならびにその完全および部分的エピスルフィド同等物、構造内に芳香族部分を含むジエポキシドならびにその完全および部分的エピスルフィド同等物、それらの組合せとからなる群から選択される、請求項43に記載の集積回路チップ。
  45. 前記第1の熱硬化性アンダーフィル組成物は、硬化するとき、前記チップダイに接触し、前記チップダイに応じた熱膨張係数を有する第1の誘電層を与え、前記第2の熱硬化性アンダーフィル組成物は、硬化するとき、前記第1の誘電層および前記担体基板に接触し、前記担体基板および前記第1の誘電層に応じた熱膨張係数を有する第2の誘電層を与える、請求項25に記載の集積回路チップ。
  46. 前記チップダイはパッケージ集積回路を含み、前記電気接点は、前記パッケージ集積回路上に配列されており、前記担体基板の前記電子回路と電気に接続される、請求項25に記載の集積回路チップ。
  47. 請求項25に記載の組立体を備えた回路組立体。
  48. a)請求項25に記載の集積回路チップを設けること、
    b)前記集積チップ回路を担体基板と対合させて一体の組立体を形成すること、および
    c)前記集積回路チップと前記担体基板の間の電気的な接続を促進するとともに、前記第1および前記第2の熱硬化性アンダーフィル組成物を硬化させるのに十分な温度に、前記一体の組立体を曝すことで、前記集積回路チップを前記担体基板に接着すること
    を含む、集積回路組立体の組立て方法。
  49. a)担体基板と、
    b)その少なくとも一部に融剤が配置されたハンダを使用することにより、前記担体基板と電気的に接続され、前記融剤の残留物が実質的に存在しない硬化した熱硬化アンダーフィル配合物によって前記担体基板に接着されており、前記融剤は、前記硬化した熱硬化アンダーフィル配合物を形成するための硬化可能な熱硬化性アンダーフィル組成物とは異なっていたチップダイと
    を含む集積回路チップ組立体。
  50. 前記熱硬化アンダーフィル配合物は、適切な条件に曝すことで制御可能な分解性を示す、請求項49に記載の集積回路チップ組立体。
  51. 前記チップダイと前記担体基板の間に、前記熱硬化アンダーフィル配合物とは異なる第2の熱硬化アンダーフィル配合物をさらに含む、請求項49に記載の集積回路チップ組立体。
  52. 前記第2の熱硬化アンダーフィル配合物は、適切な条件に曝すことで制御可能な分解性を示す、請求項51に記載の集積回路チップ組立体。
  53. 前記チップダイは、パッケージ集積回路を含む、請求項49に記載の集積回路チップ組立体。
  54. a)所定のパターンに配列された流動性電気接点を有するチップダイを設ける工程と、
    b)前記電気接点の少なくとも一部に融剤を塗布する工程と、
    c)前記チップダイ上の前記電気的接点付近に流動可能な形で、硬化可能な熱硬化性アンダーフィル組成物を供給する工程であって、前記熱硬化性アンダーフィル組成物は前記融剤とは異なる工程と
    を含む集積回路チップの組立て方法。
  55. 前記塗布工程b)の後に、前記融剤を乾燥することをさらに含む、請求項54に記載の方法。
  56. 前記供給工程c)の後に、前記熱硬化性アンダーフィル組成物の流動性を低下させることをさらに含む、請求項55に記載の方法。
  57. 前記熱硬化性アンダーフィル組成物上の前記電気接点付近に流動可能な形で、第2の熱硬化性アンダーフィル組成物を供給する工程であって、前記熱硬化性アンダーフィル組成物は、前記融剤および前記第1の熱硬化性アンダーフィル組成物とは異なる工程d)をさらに含む、請求項55に記載の方法。
  58. 前記供給工程d)の後に、前記熱硬化性アンダーフィル組成物および前記第2の熱硬化性組成物の流動性を低下させることをさらに含む、請求項57に記載の方法。
  59. 前記塗布および供給工程b)、c)およびd)のいずれかが、スクリーン印刷すること、ステンシル印刷すること、ジェット印刷すること、パッド印刷すること、またはオフセット印刷することを含む、請求項57に記載の方法。
  60. a)担体基板と、
    b)その少なくとも一部に融剤が配置されたハンダを使用することにより、前記担体基板と電気的に接続され、前記融剤の残留物が実質的に存在しない硬化した熱硬化複合体によって前記担体基板に接着されており、前記硬化した熱硬化複合体は、
    i)前記チップダイに応じた熱膨張係数を有する第1の誘電層と、
    ii)前記回路板基板に応じた熱膨張係数を有する第2の誘電層とを含み、
    前記融剤は、前記ハンダの表面に直接存在し、前記誘電層を形成する硬化可能な熱硬化性組成物とは異なる、チップダイとを備えた集積回路組立体。
  61. 前記チップダイは、パッケージ集積回路を含む、請求項60に記載の回路組立体。
JP2002558306A 2000-11-14 2001-10-31 ウェーハ塗布用融剤兼アンダーフィル材、ならびにそれを用いて製造された積層電子組立体 Pending JP2004523893A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US24841900P 2000-11-14 2000-11-14
PCT/US2001/047963 WO2002058108A2 (en) 2000-11-14 2001-10-31 Wafer applied fluxing and underfill material, and layered electronic assemblies manufactured therewith

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004523893A true JP2004523893A (ja) 2004-08-05

Family

ID=22939034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002558306A Pending JP2004523893A (ja) 2000-11-14 2001-10-31 ウェーハ塗布用融剤兼アンダーフィル材、ならびにそれを用いて製造された積層電子組立体

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7109061B2 (ja)
EP (1) EP1334513A2 (ja)
JP (1) JP2004523893A (ja)
CN (1) CN1276490C (ja)
AU (1) AU2002245103A1 (ja)
TW (1) TW543166B (ja)
WO (1) WO2002058108A2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016207898A (ja) * 2015-04-24 2016-12-08 積水化学工業株式会社 半導体接合用接着剤

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1025587T1 (de) * 1997-07-21 2001-02-08 Aguila Technologies Inc Halbleiter-flipchippackung und herstellungsverfahren dafür
US6642613B1 (en) * 2000-05-09 2003-11-04 National Semiconductor Corporation Techniques for joining an opto-electronic module to a semiconductor package
US6887737B1 (en) * 2001-12-13 2005-05-03 Henkel Corporation Epoxidized acetals and thioacetals, episulfidized acetals and thioacetals, and reworkable thermosetting resin compositions formulated therefrom
FR2838048B1 (fr) * 2002-04-03 2005-05-27 Prod Dentaires Pierre Rolland Produit dentaire reticulable/dereticulable
US20060147719A1 (en) * 2002-11-22 2006-07-06 Slawomir Rubinsztajn Curable composition, underfill, and method
US7022410B2 (en) * 2003-12-16 2006-04-04 General Electric Company Combinations of resin compositions and methods of use thereof
TW578281B (en) * 2002-12-25 2004-03-01 Advanced Semiconductor Eng Bumping process
US20040131970A1 (en) * 2003-01-07 2004-07-08 Meagley Robert P. Photodefinable polymers for semiconductor applications
US20050014313A1 (en) * 2003-03-26 2005-01-20 Workman Derek B. Underfill method
JP2006523760A (ja) * 2003-04-01 2006-10-19 アグイラ テクノロジーズ インコーポレイテッド デバイス取付け用熱伝導性接着剤組成物および取付け方法
US7034064B2 (en) * 2003-05-06 2006-04-25 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Method of attaching a die to a substrate using a hybrid oxetane compound
US6753434B1 (en) * 2003-05-06 2004-06-22 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Oxetane compounds containing cinnamyl functionality
US6982338B2 (en) 2003-05-06 2006-01-03 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Oxetane compounds containing maleimide functionality
US6953862B2 (en) * 2003-05-06 2005-10-11 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Oxetane compounds containing styrenic functionality
US7047633B2 (en) * 2003-05-23 2006-05-23 National Starch And Chemical Investment Holding, Corporation Method of using pre-applied underfill encapsulant
KR100520080B1 (ko) * 2003-07-18 2005-10-12 삼성전자주식회사 반도체칩 표면실장방법
US7213739B2 (en) * 2004-04-02 2007-05-08 Fry's Metals, Inc. Underfill fluxing curative
US7629695B2 (en) * 2004-05-20 2009-12-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Stacked electronic component and manufacturing method thereof
US7135535B2 (en) * 2004-07-29 2006-11-14 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Siloxane resins with oxetane functionality
US7230055B2 (en) * 2004-07-29 2007-06-12 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Compositions containing oxetane compounds for use in semiconductor packaging
US7247683B2 (en) * 2004-08-05 2007-07-24 Fry's Metals, Inc. Low voiding no flow fluxing underfill for electronic devices
US8278751B2 (en) * 2005-02-08 2012-10-02 Micron Technology, Inc. Methods of adhering microfeature workpieces, including a chip, to a support member
US7230333B2 (en) * 2005-04-21 2007-06-12 International Rectifier Corporation Semiconductor package
JP4883996B2 (ja) * 2005-05-24 2012-02-22 四国化成工業株式会社 水溶性プレフラックス及びその利用
US8169090B2 (en) * 2005-05-31 2012-05-01 Sumitomo Bakelite Company, Ltd. Encapsulating resin composition for preapplication, semiconductor device made with the same, and process for producing the same
US7847414B2 (en) * 2005-09-22 2010-12-07 Chipmos Technologies Inc. Chip package structure
US7982290B2 (en) 2006-01-12 2011-07-19 Palo Alto Research Center, Inc. Contact spring application to semiconductor devices
JP5066808B2 (ja) 2006-01-13 2012-11-07 住友化学株式会社 チアゾール化合物の製造方法
CN101038610B (zh) * 2006-03-16 2013-01-23 华为技术有限公司 一种具有版权属性对象更新的方法及装置
US8120168B2 (en) * 2006-03-21 2012-02-21 Promerus Llc Methods and materials useful for chip stacking, chip and wafer bonding
JP4791244B2 (ja) * 2006-05-11 2011-10-12 新光電気工業株式会社 電子部品内蔵基板及びその製造方法
US20070295454A1 (en) * 2006-06-09 2007-12-27 Maury Edwards Reworkable compositions and methods for use thereof
WO2007142654A1 (en) * 2006-06-09 2007-12-13 Advanced Applied Adhesives Reworkable compositions and methods for use thereof
JP2008042077A (ja) * 2006-08-09 2008-02-21 Renesas Technology Corp 半導体装置及びその製造方法
KR100780956B1 (ko) * 2006-08-17 2007-12-03 삼성전자주식회사 이종 언더필 반도체 패키지 및 그의 제조 방법
US7727805B2 (en) * 2007-06-11 2010-06-01 Intel Corporation Reducing stress in a flip chip assembly
US20080308932A1 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor package structures
US7842762B2 (en) * 2007-08-08 2010-11-30 Ppg Industries Ohio, Inc. Electrodepositable coating composition containing a cyclic guanidine
US7745264B2 (en) * 2007-09-04 2010-06-29 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor chip with stratified underfill
DE102007050433B4 (de) * 2007-10-22 2014-01-02 Qimonda Ag Halbleitermodul, Verfahren zum Herstellen eines Halbleitermoduls und Board mit einem Halbleitermodul
US20090108472A1 (en) * 2007-10-29 2009-04-30 International Business Machines Corporation Wafer-level underfill process using over-bump-applied resin
TWI426571B (zh) * 2007-12-20 2014-02-11 Univ Nat Pingtung Sci & Tech 半導體封裝件之晶片替換方法
US8009442B2 (en) * 2007-12-28 2011-08-30 Intel Corporation Directing the flow of underfill materials using magnetic particles
US20090179327A1 (en) * 2008-01-15 2009-07-16 Huang Chung-Er Packaging structure, method for manufacturing the same, and method for using the same
WO2010011899A1 (en) * 2008-07-24 2010-01-28 Inphase Technologies, Inc. Holographic storage medium and method for gated diffusion of photoactive monomer
US20100101845A1 (en) * 2008-10-27 2010-04-29 Arata Kishi Electronic Device and Manufacturing Method for Electronic Device
US8618676B2 (en) * 2008-10-30 2013-12-31 Stmicroelectronics (Malta) Ltd. Method of assembly of a semiconductor package for the improvement of the electrical testing yield on the packages so obtained
CN102047404B (zh) * 2008-12-16 2013-07-10 松下电器产业株式会社 半导体装置和倒装芯片安装方法及倒装芯片安装装置
JP5658436B2 (ja) * 2009-04-16 2015-01-28 株式会社東芝 半導体装置
US8574960B2 (en) 2010-02-03 2013-11-05 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming cavity adjacent to sensitive region of semiconductor die using wafer-level underfill material
US9620934B2 (en) 2010-08-31 2017-04-11 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Flip-chip assembly comprising an array of vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs)
US9188751B2 (en) 2010-08-31 2015-11-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Flip-chip assembly comprising an array of vertical cavity surface emitting lasers (VCSELSs), and an optical transmitter assembly that incorporates the flip-chip assembly
JP5349432B2 (ja) * 2010-09-06 2013-11-20 日東電工株式会社 電子部品装置の製法およびそれに用いる電子部品封止用樹脂組成物シート
JP5831122B2 (ja) * 2010-10-18 2015-12-09 三菱化学株式会社 三次元集積回路用の層間充填材組成物、塗布液及び三次元集積回路の製造方法
US8697492B2 (en) * 2010-11-02 2014-04-15 Tessera, Inc. No flow underfill
US8070043B1 (en) * 2010-12-02 2011-12-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Curable flux composition and method of soldering
US8070045B1 (en) * 2010-12-02 2011-12-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Curable amine flux composition and method of soldering
US8070046B1 (en) * 2010-12-02 2011-12-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Amine flux composition and method of soldering
DE102011000866A1 (de) * 2011-02-22 2012-08-23 Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg Elektrisches Bauelement mit einer elektrischen Verbindungsanordnung und Verfahren zu dessen Herstellung
JP5512580B2 (ja) * 2011-03-16 2014-06-04 信越化学工業株式会社 フィルム状モールド材、モールドされた半導体ウエハ、及び半導体装置
US8963340B2 (en) * 2011-09-13 2015-02-24 International Business Machines Corporation No flow underfill or wafer level underfill and solder columns
WO2013048473A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 Intel Corporation Fluxing-encapsulant material for microelectronic packages assembled via thermal compression bonding process
JP5342034B2 (ja) * 2012-04-17 2013-11-13 株式会社東芝 電子部品および電子機器
US9202714B2 (en) * 2012-04-24 2015-12-01 Micron Technology, Inc. Methods for forming semiconductor device packages
JP6365841B2 (ja) 2012-05-10 2018-08-01 パナソニックIpマネジメント株式会社 実装構造体とその製造方法
US8796049B2 (en) * 2012-07-30 2014-08-05 International Business Machines Corporation Underfill adhesion measurements at a microscopic scale
US8823168B2 (en) * 2012-08-31 2014-09-02 Texas Instruments Incorporated Die underfill structure and method
US9478482B2 (en) * 2012-11-21 2016-10-25 Nvidia Corporation Offset integrated circuit packaging interconnects
US9068089B2 (en) 2013-03-15 2015-06-30 Ppg Industries Ohio, Inc. Phenolic admix for electrodepositable coating composition containing a cyclic guanidine
CN105073846B (zh) 2013-03-22 2019-04-16 汉高知识产权控股有限责任公司 二烯/亲二烯体偶合物和具有可再加工性的热固性树脂组合物
US9688874B2 (en) 2013-10-25 2017-06-27 Ppg Industries Ohio, Inc. Method of making a bicyclic guanidine-cured acrylic coating
CN104078432A (zh) * 2014-07-15 2014-10-01 南通富士通微电子股份有限公司 Pop封装结构
US9337064B2 (en) * 2014-09-15 2016-05-10 Micron Technology, Inc. Methods of protecting peripheries of in-process semiconductor wafers and related in-process wafers and systems
JP6586957B2 (ja) * 2014-09-19 2019-10-09 ソニー株式会社 実装基板の製造方法
JP6593447B2 (ja) * 2015-10-13 2019-10-23 株式会社村田製作所 樹脂基板、部品実装樹脂基板、樹脂基板の製造方法、部品実装樹脂基板の製造方法
US10160066B2 (en) * 2016-11-01 2018-12-25 GM Global Technology Operations LLC Methods and systems for reinforced adhesive bonding using solder elements and flux
US10629557B2 (en) * 2016-12-30 2020-04-21 Intel Corporation Improving mechanical and thermal reliability in varying form factors
CN107451579A (zh) * 2017-08-23 2017-12-08 江西合力泰科技有限公司 一种内嵌于面板的生物识别模组及其生产工艺
US11715928B2 (en) * 2019-08-29 2023-08-01 Intel Corporation Decoupling layer to reduce underfill stress in semiconductor devices
US11817393B2 (en) * 2021-09-01 2023-11-14 Micron Technology, Inc. Semiconductor die assemblies with decomposable materials and associated methods and systems
TWI814612B (zh) * 2022-10-12 2023-09-01 創新服務股份有限公司 基板之電子元件植入方法及裝置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5716663A (en) 1990-02-09 1998-02-10 Toranaga Technologies Multilayer printed circuit
US5948533A (en) 1990-02-09 1999-09-07 Ormet Corporation Vertically interconnected electronic assemblies and compositions useful therefor
JPH05226416A (ja) 1991-07-09 1993-09-03 Oki Electric Ind Co Ltd フリップチップの実装方法
JP2728106B2 (ja) 1991-09-05 1998-03-18 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 電子パッケージングにおける除去可能なデバイス保護のための開裂性ジエポキシド
US5439162A (en) * 1993-06-28 1995-08-08 Motorola, Inc. Direct chip attachment structure and method
JPH0888464A (ja) * 1994-09-20 1996-04-02 Sony Corp フリップチップ実装方法
US5932682A (en) 1995-12-19 1999-08-03 International Business Machines Corporation Cleavable diepoxide for removable epoxy compositions
US5985043A (en) 1997-07-21 1999-11-16 Miguel Albert Capote Polymerizable fluxing agents and fluxing adhesive compositions therefrom
US5760337A (en) 1996-12-16 1998-06-02 Shell Oil Company Thermally reworkable binders for flip-chip devices
JP3613367B2 (ja) 1997-01-17 2005-01-26 ヘンケル コーポレイション 熱硬化性樹脂組成物
US5814401A (en) * 1997-02-04 1998-09-29 Motorola, Inc. Selectively filled adhesive film containing a fluxing agent
US5948922A (en) 1997-02-20 1999-09-07 Cornell Research Foundation, Inc. Compounds with substituted cyclic hydrocarbon moieties linked by secondary or tertiary oxycarbonyl containing moiety providing reworkable cured thermosets
JPH10270496A (ja) * 1997-03-27 1998-10-09 Hitachi Ltd 電子装置、情報処理装置、半導体装置並びに半導体チップの実装方法
US5872158A (en) 1997-06-12 1999-02-16 International Business Machines Corporation Cleavable diacrylate for removable acrylate compositions
DE1025587T1 (de) * 1997-07-21 2001-02-08 Aguila Technologies Inc Halbleiter-flipchippackung und herstellungsverfahren dafür
US6017634A (en) 1997-07-21 2000-01-25 Miguel Albert Capote Carboxyl-containing polyunsaturated fluxing agent and carboxyl-reactive neutralizing agent as adhesive
US5985456A (en) 1997-07-21 1999-11-16 Miguel Albert Capote Carboxyl-containing polyunsaturated fluxing adhesive for attaching integrated circuits
US6335571B1 (en) 1997-07-21 2002-01-01 Miguel Albert Capote Semiconductor flip-chip package and method for the fabrication thereof
US6059894A (en) * 1998-04-08 2000-05-09 Hewlett-Packard Company High temperature flip chip joining flux that obviates the cleaning process
US6265776B1 (en) 1998-04-27 2001-07-24 Fry's Metals, Inc. Flip chip with integrated flux and underfill
US6228678B1 (en) 1998-04-27 2001-05-08 Fry's Metals, Inc. Flip chip with integrated mask and underfill
US6323062B1 (en) 1998-04-27 2001-11-27 Alpha Metals, Inc. Wafer coating method for flip chips
US6399426B1 (en) 1998-07-21 2002-06-04 Miguel Albert Capote Semiconductor flip-chip package and method for the fabrication thereof
US6168972B1 (en) * 1998-12-22 2001-01-02 Fujitsu Limited Flip chip pre-assembly underfill process
US6194788B1 (en) 1999-03-10 2001-02-27 Alpha Metals, Inc. Flip chip with integrated flux and underfill
JP2002540235A (ja) 1999-03-23 2002-11-26 ロックタイト コーポレーション 再処理可能な熱硬化性樹脂組成物
EP1194953A4 (en) 1999-06-17 2002-09-04 Loctite Corp COMPOSITION WITH DEGRADATION ADJUSTABLE, BASED ON EPOXY OR CARBOCYCLIC RESIN OF HETEROATOMA AND BASED ON CURING AGENT

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016207898A (ja) * 2015-04-24 2016-12-08 積水化学工業株式会社 半導体接合用接着剤

Also Published As

Publication number Publication date
WO2002058108A8 (en) 2003-11-13
US7109061B2 (en) 2006-09-19
WO2002058108A2 (en) 2002-07-25
CN1483220A (zh) 2004-03-17
CN1276490C (zh) 2006-09-20
AU2002245103A1 (en) 2002-07-30
US20020089067A1 (en) 2002-07-11
TW543166B (en) 2003-07-21
EP1334513A2 (en) 2003-08-13
WO2002058108A3 (en) 2003-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004523893A (ja) ウェーハ塗布用融剤兼アンダーフィル材、ならびにそれを用いて製造された積層電子組立体
KR100823750B1 (ko) 플럭싱 언더필 조성물
US7253078B1 (en) Method and apparatus for forming an underfill adhesive layer
US4999699A (en) Solder interconnection structure and process for making
US6297560B1 (en) Semiconductor flip-chip assembly with pre-applied encapsulating layers
JP4299140B2 (ja) ウエハレベル用の二重硬化b−ステージ化可能なアンダーフィル
JP5387874B2 (ja) 液状封止樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法
KR100556981B1 (ko) 전자부품
KR20040088569A (ko) B-스테이지 가공 가능한 언더필 캡슐화제 및 그의 적용방법
KR20060009954A (ko) 예비적용된 언더필 캡슐화제의 이용 방법
JP4718070B2 (ja) アンダーフィル封止および補修方法
JP4354823B2 (ja) 非フローアンダーフィルカプセル封止材料
US6492438B1 (en) Electrically connectable adhesive agent for semiconductor
US7279359B2 (en) High performance amine based no-flow underfill materials for flip chip applications
JP2007056070A (ja) フリップチップ型半導体装置用アンダーフィル材、並びにそれを用いたフリップチップ型半導体装置及びその製造方法
US7004375B2 (en) Pre-applied fluxing underfill composition having pressure sensitive adhesive properties
KR20010043524A (ko) 재작업 가능한 열경화성 수지 조성물
JP2002293883A5 (ja)
KR20020046941A (ko) 사용 시 발열량이 적은 새로운 고온 언더필링 물질
JP2004087965A (ja) フリップチップデバイス製造方法及び半導体実装用補強組成物
JP2008189760A (ja) アンダーフィル剤、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20040924

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041029

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070525

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070606

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20071031