JP2014187081A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014187081A JP2014187081A JP2013059280A JP2013059280A JP2014187081A JP 2014187081 A JP2014187081 A JP 2014187081A JP 2013059280 A JP2013059280 A JP 2013059280A JP 2013059280 A JP2013059280 A JP 2013059280A JP 2014187081 A JP2014187081 A JP 2014187081A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- emitting element
- white resist
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 FR-4 Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
- H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【課題】 従来の発光装置では、発光素子から出射される光を十分に反射できないという問題があった。
【解決手段】 本発明の発光装置１００は、金属部材１４と、金属部材１４の上に接して配置された白色レジスト２０と、を有し、接合面が絶縁性の部材からなる発光素子１０が、白色レジスト２０の上に接合部材２８を介して配置されることを特徴とする。
【選択図】図１
【解決手段】 本発明の発光装置１００は、金属部材１４と、金属部材１４の上に接して配置された白色レジスト２０と、を有し、接合面が絶縁性の部材からなる発光素子１０が、白色レジスト２０の上に接合部材２８を介して配置されることを特徴とする。
【選択図】図１
Description
本発明は、発光装置に関する。
発光ダイオードのような発光素子を用いた発光装置は、室内照明灯の一般照明、車載照明、液晶ディスプレイのバックライト等を含む多くの分野で用いられている。
そして、これらの発光装置で求められる性能は日増しに高まっており、更なる高出力（高輝度）化が要求されている。
そして、これらの発光装置で求められる性能は日増しに高まっており、更なる高出力（高輝度）化が要求されている。
上述したような高出力化に対応して、発光素子からの光を効率良く反射させるために、特許文献１及び特許文献２に例示されるように、発光素子の近傍に白色レジスト層を形成して光を反射させることにより、発光効率を向上させる構成が知られている。
具体的には、基板上に形成された電極を白色レジストで被覆し、発光素子が載置される部分において白色レジスト層に開口部を設けることで、電極と発光素子とを電気的に接続している。
しかしながら、従来の発光装置では、発光素子から出射される光を十分に反射できないという問題があった。
そこで、本発明は、発光素子の下にも白色レジストを設けることで、発光素子からの光を反射し、光取り出し効率を向上することが可能な発光装置を提供することを目的とする。
本発明によれば、上記課題は、次の手段により解決される。すなわち、本発明の発光装置は、金属部材と、前記金属部材の上に接して配置された白色レジストと、を有し、接合面が絶縁性の部材からなる発光素子が、前記白色レジストの上に接合部材を介して配置されることを特徴とする。
以下に、添付した図面を参照しつつ、本発明を実施するための形態について説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の実施形態に係る発光装置１００の模式的断面図である。図１に示すように、本発明の実施形態に係る発光装置１００は、金属部材１４と、金属部材１４の上に接して配置された白色レジスト２０と、発光素子１０と、を有している。
図１は、本発明の実施形態に係る発光装置１００の模式的断面図である。図１に示すように、本発明の実施形態に係る発光装置１００は、金属部材１４と、金属部材１４の上に接して配置された白色レジスト２０と、発光素子１０と、を有している。
金属部材１４は、絶縁性基板１２の上面に配置されており、絶縁性基板１２の下面に配置された外部電極１６とビア１８により導通されている。白色レジスト２０は、少なくとも発光素子１０が載置される部分（以下、ダイアタッチ部ともいう）に配置されており、発光素子１０の下面から出射される光を光取り出し面側、すなわち、発光素子１０の上面側に反射させる役割を持つ。
白色レジスト２０は、金属部材１４の上に接して配置されているため、この金属部材１４を介して白色レジスト２０に伝わる熱を金属部材１４に逃がすことができる。従来、一般的に使用されている白色レジストはエポキシ樹脂を含んでおり、樹脂材料内部に多数の炭素−炭素２重結合を含むため、光や熱による劣化によって白色レジストの反射率が低下する。このため、ダイアタッチ部においては白色レジストに開口部を設け、発光素子と白色レジストは直接接しないように形成されていた。
本実施形態においては、発光素子１０の下面は、絶縁性の部材（例えば、サファイア基板など）とされており、この絶縁性の部材側を接合面として白色レジスト２０の上に接合部材２８を介して接合されている。発光素子から出射された光は、接合面において白色レジスト２０により反射されて、発光素子の上面側に光が取り出される。
白色レジスト２０は、その厚みによっては発光素子１０からの光を透過する。そのため、発光素子からの光がそのまま絶縁性基板１２側に透過若しくは吸収されないように、金属部材１４を発光素子からの光に対して反射率の高い材料で形成することが好ましい。これにより、白色レジスト２０のみならず金属部材１４によっても光を反射させて光取り出し効率を向上させることができる。
そのため金属部材１４は、最表面にＡｇを含有することが好ましい。Ａｇは発光素子からの光の反射率が高い一方で、硫化による変色やそれに伴う光取り出し効率の低下の問題があるが、本実施形態のように白色レジスト２０で表面を被覆することによりガスバリア性が向上し、硫化を抑制することができる。
白色レジスト２０の材料は、例えば、ＴｉＯ２等の反射性粒子と有機物ないし無機物のバインダーとを混錬したものである。いわゆる白色レジストや白色インク、セラミックスインク等が該当する。
有機物のバインダーとしては、好ましくは耐熱性・耐光性に優れたシリコーン樹脂やフッ素樹脂等が用いられ、フッ素樹脂を用いることが特に好ましい。反射性粒子は、発光素子１０からの光を吸収しにくく、かつ母体となる樹脂に対する屈折率差の大きい反射部材（例えばＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２，ＭｇＯ等の無機材料）等の粉末を分散することで、効率よく光を反射させることができる。
有機物のバインダーとしては、好ましくは耐熱性・耐光性に優れたシリコーン樹脂やフッ素樹脂等が用いられ、フッ素樹脂を用いることが特に好ましい。反射性粒子は、発光素子１０からの光を吸収しにくく、かつ母体となる樹脂に対する屈折率差の大きい反射部材（例えばＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２，ＭｇＯ等の無機材料）等の粉末を分散することで、効率よく光を反射させることができる。
白色レジスト２０の厚みは、５μｍ〜５０μｍであることが好ましい。白色レジスト２０は２層以上の積層により形成されていてもよい。
金属部材１４の厚みは、５μｍ〜１００μｍであることが好ましい。特に、３０μｍ〜４０μｍ程度が適している。厚みが熱いほど放熱性向上に寄与するが、１００μｍ以下とすることにより、従来から用いられているリードフレームよりも薄く形成することができるため、発光装置の薄型化に寄与することができる。
白色レジスト２０は、発光素子１０の接合面の全面に対応するように形成されていることが好ましく、さらに発光素子１０の接合面の周囲にまで及んで形成されていることが特に好ましい。発光素子１０の下面の全部が白色レジスト２０に接していることで、発光素子１０からの光を効率良く反射することができる。また、発光素子１０の光は発光素子の下面のみならず、側面や上面など、発光素子の全周から出射されるため、接合面の周囲に白色レジスト２０が形成されることにより、これらの光を効率良く反射させることができる。
一方、白色レジスト２０は金属部材１４よりも熱伝導率が悪いため、図４に示すように、白色レジスト２０と発光素子１０との接合面のうち、一部の白色レジスト２０を開口して金属部材１４が白色レジスト２０から露出されるようになっていてもよい。（図４では白色レジスト２０と発光素子１０との接合面のうち、中央付近の一部の前記白色レジストが開口されて金属部材１４が露出されている）なお、白色レジスト２０が開口された部分は、接合部材２８が充填されていることが好ましい。
白色レジスト２０に発光素子１０が載置されるため、白色レジストは発光素子１０の電極にワイヤボンドするのに適した硬さを備えていることが好ましい。具体的には塗膜硬度が５Ｈ以上であることが好ましい。柔らかすぎるとワイヤボンド時の超音波が伝わりにくく、ボンディング不良が生じるためである。
発光素子１０は、封止部材２６で被覆されていることが好ましい。本実施形態においては、絶縁性基板１２の上面に光反射性部材からなる枠体２２を設け、絶縁性基板１２の上に、上面視が円形の開口を有する凹部が形成されている。言い換えると、凹部の側壁が枠体２２により形成されている。発光素子１０は、この凹部の底面に載置されている。上述のとおり、少なくとも発光素子１０の接合面においては白色レジスト２０が配置されるが、凹部の底面の全てが白色レジスト２０で被覆されていることが好ましい。
本実施形態において、発光素子１０の上面に形成された電極と、導電部材１４とはワイヤ２４によって電気的に接続されている。導電部材１４のワイヤ接続領域は白色レジスト２０が開口されている。導電部材１４とワイヤ２４とを接続した後、白色レジスト２０の開口部を埋めるように枠体２２を形成する。これにより、ワイヤ２４は導電部材１４との接続領域において枠体２２に埋設される。このように白色レジスト２０の開口を光反射部材で覆うことにより、導電部材１４の反射率が高くない場合であっても光取り出し効率の低下を抑制することができる。
なお、本実施形態においては１つの発光素子が載置されているが、複数載置されたマルチチップタイプとされていても良いことは言うまでもない。
なお、本実施形態においては１つの発光素子が載置されているが、複数載置されたマルチチップタイプとされていても良いことは言うまでもない。
以下、各部材について詳細に説明する。
［絶縁性基板］
絶縁性基板１２には、ある程度の強度を有する材料を好ましく用いることができる。このような絶縁性部材としては、例えば、ＦＲ−４、セラミックス（Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮなど）、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴレジン、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）などの樹脂を一例として挙げることができる。これらの樹脂に、ガラス繊維や、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの無機フィラーを混合すれば、機械的強度の向上、熱膨張率の低減、及び光反射率の向上などを図ることができる。
絶縁性基板１２には、ある程度の強度を有する材料を好ましく用いることができる。このような絶縁性部材としては、例えば、ＦＲ−４、セラミックス（Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮなど）、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴレジン、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）などの樹脂を一例として挙げることができる。これらの樹脂に、ガラス繊維や、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの無機フィラーを混合すれば、機械的強度の向上、熱膨張率の低減、及び光反射率の向上などを図ることができる。
絶縁性基板１２の形状は、特に限定されない。図１では、平面板状のものを一例として示したが、例えば絶縁性基板自体が凹部（キャビティ）を有しているなど、平面板状以外にも様々な形状をした絶縁性基板を用いることができる。
なお、絶縁性基板１２の放熱性を高めるために、絶縁性基板の表面に金属（例えばＣｕ箔等）のめっきを施したり、導通用のビアのみならず放熱用のビアやスルーホールを形成したりしてもよい。
［金属部材］
金属部材１４は、絶縁性基板１２の表面に形成されており、配線としても用いられる。そのため、アノードとカソードの２つに離間して少なくとも一対形成される。金属部材１４は発光装置の実装面となる外部電極１６と、ビア１８等によって導通される。
金属部材１４は、絶縁性基板１２の表面に形成されており、配線としても用いられる。そのため、アノードとカソードの２つに離間して少なくとも一対形成される。金属部材１４は発光装置の実装面となる外部電極１６と、ビア１８等によって導通される。
金属部材１４の材料は、絶縁性基板１２として用いられる材料や製造方法等によって適宜選択することができる。例えば、絶縁性基板１４の材料としてセラミックを用いる場合は、金属部材１４の材料は、セラミックスシートの焼成温度にも耐え得る高融点を有する材料が好ましく、例えば、タングステン、モリブデンのような高融点の金属を用いるのが好ましい。さらに、その上にめっき等により、別の金属材料を被覆してもよい。例えば、銀、金、ニッケル、パラジウム、銅、錫等より選択される金属めっきまたはこれらを組み合わせた合金めっきである。好ましくは、白色レジスト２０を介して発光素子の周辺に配置される部分には反射率の高い銀を用いる。また、ワイヤ２４と接続される領域では、ワイヤと良好な密着性を有する材料を選択してもよい（例えば、金）。
［発光素子］
発光素子１０には、例えば発光ダイオードを用いることができる。発光素子１０は、サファイアなどの絶縁性の成長基板（絶縁性の部材）に半導体層（例えば窒化物半導体層）が積層された発光素子が好適に用いられ、絶縁性の部材を白色レジスト側に配置し、接合部材２８を介して実装する。本実施形態において、発光素子１０は絶縁性の白色レジスト２０の上に載置されるため、発光素子１０の電極は白色レジストとの接合面となる面の反対側の面に、正負一対以上の電極を有することが好ましい。この電極にワイヤボンドすることにより、導電部材１４と発光素子１０とが電気的に接続される。複数の発光素子を使用する場合にあっては、発光素子の電極同士をワイヤ２４で接合してもよい。ワイヤ２４は、電気伝導性を有する金属等の各種材料であってよい。好ましくは、金、銅、アルミニウム、銀、または金合金、銀合金などからなる。
発光素子１０には、例えば発光ダイオードを用いることができる。発光素子１０は、サファイアなどの絶縁性の成長基板（絶縁性の部材）に半導体層（例えば窒化物半導体層）が積層された発光素子が好適に用いられ、絶縁性の部材を白色レジスト側に配置し、接合部材２８を介して実装する。本実施形態において、発光素子１０は絶縁性の白色レジスト２０の上に載置されるため、発光素子１０の電極は白色レジストとの接合面となる面の反対側の面に、正負一対以上の電極を有することが好ましい。この電極にワイヤボンドすることにより、導電部材１４と発光素子１０とが電気的に接続される。複数の発光素子を使用する場合にあっては、発光素子の電極同士をワイヤ２４で接合してもよい。ワイヤ２４は、電気伝導性を有する金属等の各種材料であってよい。好ましくは、金、銅、アルミニウム、銀、または金合金、銀合金などからなる。
発光素子１０の絶縁性の部材は透光性であることが好ましい。例えば、サファイア等の透光性基板である。透光性とすることにより、半導体層から出る光を下方向に伝搬して発光素子１０の直下において白色レジスト２０に光を照射して、効率良く反射させることができるからである。
［接合部材］
接合部材２８は、発光素子１０を白色レジスト２０に接合する部材である。本実施形態においては、接合部材が導電性である必要はなく、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂や不飽和ポリエステルなどの樹脂などが好適に挙げられる。これらは、単独又は２種類以上混合して使用することもできる。また、金、銀、銅やカーボンなどの導電性材料を含有させても良い。
接合部材２８は、発光素子１０を白色レジスト２０に接合する部材である。本実施形態においては、接合部材が導電性である必要はなく、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂や不飽和ポリエステルなどの樹脂などが好適に挙げられる。これらは、単独又は２種類以上混合して使用することもできる。また、金、銀、銅やカーボンなどの導電性材料を含有させても良い。
［枠体］
枠体２２は、発光素子１０からの光を反射させるリフレクタとして、また、後述する封止部材２６を充填する凹部として、任意に形成されていてもよい。
具体的な材料としては、上述したようにリフレクタ若しくは凹部として用いることができるものであれば特に限定されないが、透光性の樹脂に光反射性物質を高充填したものを使用することが好ましい。樹脂材料としては、熱可塑性樹脂、または熱硬化性樹脂を用いるが熱硬化性樹脂を用いるのが好ましく、そのうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種により形成することが好ましい。
枠体２２は、発光素子１０からの光を反射させるリフレクタとして、また、後述する封止部材２６を充填する凹部として、任意に形成されていてもよい。
具体的な材料としては、上述したようにリフレクタ若しくは凹部として用いることができるものであれば特に限定されないが、透光性の樹脂に光反射性物質を高充填したものを使用することが好ましい。樹脂材料としては、熱可塑性樹脂、または熱硬化性樹脂を用いるが熱硬化性樹脂を用いるのが好ましく、そのうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種により形成することが好ましい。
枠体２２の形成方法としては、金型を用いた射出成形やトランスファー成形、成形済の枠体を貼り付ける、樹脂吐出装置から液体樹脂を吐出して枠体を描く、等の種々の方法を採ることができる。ワイヤの一部を枠体２２で埋設する場合は、樹脂吐出装置を用いる方法が簡便であるため好ましい。
［封止部材］
発光素子１０は、任意に封止部材２６に被覆される。封止部材２６の材質は、例えば熱可塑性樹脂、または熱硬化性樹脂である。熱硬化性樹脂のうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂からなる群から選択される少なくとも１種により形成することが好ましく、特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。
発光素子１０は、任意に封止部材２６に被覆される。封止部材２６の材質は、例えば熱可塑性樹脂、または熱硬化性樹脂である。熱硬化性樹脂のうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂からなる群から選択される少なくとも１種により形成することが好ましく、特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。
封止部材２６は、所定の機能を持たせるため、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質からなる群から選択される少なくとも１種を混合することもできる。封止部材２６中には拡散剤を含有させてもよい。具体的な拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等を好適に用いることができる。また、所望外の波長をカットする目的で、封止部材２６に有機や無機の着色染料や着色顔料を含有させることができる。さらに、封止部材２６は、発光素子１０からの光を吸収し、波長変換する蛍光物質を含有させることもでき、青色の発光素子と黄色の蛍光物質を用いて白色に発光可能な発光装置とすることができる。
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。図２に示すように、本実施形態に係る発光装置２００は、白色レジスト２０を２層の積層により形成している。また、枠体２２として、金型を使用して成形した樹脂リフレクタを形成している。その他の点については第１実施形態と同様であり、本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
次に、第２実施形態について説明する。図２に示すように、本実施形態に係る発光装置２００は、白色レジスト２０を２層の積層により形成している。また、枠体２２として、金型を使用して成形した樹脂リフレクタを形成している。その他の点については第１実施形態と同様であり、本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
具体的には、発光素子１０の下部に形成されている白色レジスト２０は、２０ａと２０ｂが積層されてなる。白色レジストは２０μｍ程度では透過する光も存在するため、厚く形成することが好ましいが、光反射材を高充填しているために印刷等の方法では厚く形成するのが困難であるため、２層以上に積層して形成することが好ましい。
なお、白色レジストの熱伝導率は導電部材よりも悪いため、厚く形成すると熱抵抗の上昇を招く。そのため、白色レジストを２層以上に形成する場合は、例えば１Ｗ程度以下で駆動させることが好ましい。
さらに、白色レジストを積層した部分、とりわけダイス直下においては、金属部材が埋め込まれたビア１８等を形成し、実装面に位置する絶縁性基板１２の裏面に設けた放熱端子３０と接続させることで熱抵抗の上昇を抑制することが好ましい。
さらに、白色レジストを積層した部分、とりわけダイス直下においては、金属部材が埋め込まれたビア１８等を形成し、実装面に位置する絶縁性基板１２の裏面に設けた放熱端子３０と接続させることで熱抵抗の上昇を抑制することが好ましい。
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。図３に示すように、本実施形態に係る発光装置３００は、絶縁性基板としてセラミックスを使用しており、外部電極１６はセラミックス基板の上面にめっき等で形成されている。その他の点については第１実施形態と同様であり、本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
次に、第３実施形態について説明する。図３に示すように、本実施形態に係る発光装置３００は、絶縁性基板としてセラミックスを使用しており、外部電極１６はセラミックス基板の上面にめっき等で形成されている。その他の点については第１実施形態と同様であり、本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。
＜実施例１＞
（集合基板の準備）
絶縁性基板として、板厚が１．６ｍｍの板状のＦＲ−４基板を用いる。
図５に示すように、発光装置１００は、隣接する発光装置１００同士が縦方向（Ｙ方向）に繋がった状態で形成されており、横方向（Ｘ方向）に隣接する発光装置１００同士が開口３２によって離間されている。開口３２は、絶縁性基板の縦方向（Ｙ方向）に延在されている。
（集合基板の準備）
絶縁性基板として、板厚が１．６ｍｍの板状のＦＲ−４基板を用いる。
図５に示すように、発光装置１００は、隣接する発光装置１００同士が縦方向（Ｙ方向）に繋がった状態で形成されており、横方向（Ｘ方向）に隣接する発光装置１００同士が開口３２によって離間されている。開口３２は、絶縁性基板の縦方向（Ｙ方向）に延在されている。
本実施例において、開口３２は、縦方向の発光装置同士の連結部Ｂに接するように第１の孔３４が形成されており、発光装置の電極とされる部分の端部に接するように２つの第２の孔３６が形成されている。これらの第１の孔３４及び第２の孔３６を繋ぐように基板を切削等することで開口３２が形成される。
次に、絶縁性基板１２全体に、無電解のＰｄメッキ（０．０５μｍ程度）を施す。これにより、第２の孔３６の内側面にメッキ層が形成される。その上から、絶縁性基板１２全体にＣｕメッキ（２０μｍ程度）を施す。その後、不要な部分の金属をエッチングにより除去し、ダイアタッチ部及びその裏面にＣｕ箔が形成され、第２の孔３６部分で表面と裏面のＣｕパターンが電気的に接続された絶縁性基板１２を形成する。
次に、Ｃｕ箔の上にメッキを施す。図５においてハッチングされている部分がメッキ部を示す。本実施例では、Ｎｉ（３μｍ）、Ｐｄ（０．０５μｍ）、Ａｇ（１μｍ）の順で積層する。このように形成されたメッキ部のうち、ダイアタッチ部に位置する部分及び基板の表面に、フッ素樹脂からなる白色レジスト２０を２０μｍの厚さで形成する。
（発光素子の実装）
上記のように形成された絶縁性基板１２のダイアタッチ部に発光素子１０を、接合部材を介して実装し、ワイヤ２４により金属部材１４と電気的に接続して外部電極１６と導通する。その後、金属部材１４とワイヤ２４との接続部分を被覆し、かつダイアタッチ部を囲むように、光反射材を含有するシリコーン樹脂で反射枠体２２を形成し、硬化する。枠体内の底面は、その全面が白色レジスト２０により被覆される。
上記のように形成された絶縁性基板１２のダイアタッチ部に発光素子１０を、接合部材を介して実装し、ワイヤ２４により金属部材１４と電気的に接続して外部電極１６と導通する。その後、金属部材１４とワイヤ２４との接続部分を被覆し、かつダイアタッチ部を囲むように、光反射材を含有するシリコーン樹脂で反射枠体２２を形成し、硬化する。枠体内の底面は、その全面が白色レジスト２０により被覆される。
（発光素子の封止）
形成された枠体２２に、封止部材２６として蛍光体が含有されたシリコーン樹脂を充填し、発光素子１０を封止する。
形成された枠体２２に、封止部材２６として蛍光体が含有されたシリコーン樹脂を充填し、発光素子１０を封止する。
（発光装置の個片化）
縦方向に連結された発光装置を図５の点線の位置でダイシングして、平面視の外形が６．５ｍｍ×５ｍｍの個々の発光装置４００とする。（図５において枠内Ａで示すのが１つの発光装置となる部分となる）
縦方向に連結された発光装置を図５の点線の位置でダイシングして、平面視の外形が６．５ｍｍ×５ｍｍの個々の発光装置４００とする。（図５において枠内Ａで示すのが１つの発光装置となる部分となる）
このようにして作成された発光装置４００を図６に示す。図６（Ａ）は発光装置の上面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。発光装置４００は、発光素子１０の下部に白色レジスト２０を有しているため、光取り出し効率の高い発光装置とすることができる。この発光装置を測定したところ、発光効率が１８５ｌｍ／Ｗであった。
＜比較例＞
実施例１において、白色レジスト２０を形成しない以外は同様にして発光装置を作成した。つまり、ダイアタッチ部にはＡｇが露出されている。この発光装置の発光効率を測定したところ、１６５ｌｍ／Ｗであった。
実施例１において、白色レジスト２０を形成しない以外は同様にして発光装置を作成した。つまり、ダイアタッチ部にはＡｇが露出されている。この発光装置の発光効率を測定したところ、１６５ｌｍ／Ｗであった。
＜実施例２＞
ダイアタッチ部に位置する部分に白色レジストを２層重ね、ダイアタッチ部の下部に放熱用のビアを形成する以外は実施例１と同様にして発光装置を形成する。
本実施例によれば、実施例１よりも光取り出し効率の高い発光装置とすることができる。
ダイアタッチ部に位置する部分に白色レジストを２層重ね、ダイアタッチ部の下部に放熱用のビアを形成する以外は実施例１と同様にして発光装置を形成する。
本実施例によれば、実施例１よりも光取り出し効率の高い発光装置とすることができる。
＜実施例３＞
絶縁性基板としてＦＲ−４の代わりに板厚１ｍｍのアルミナからなる基板を用いる以外は実施例１と同様にして発光装置を形成する。このアルミナ基板は、熱導電率が３５Ｗ／ｍ・Ｋ程度のものを使用し、上面に外部電極が形成されている。
本実施例では、無機材料の基板を用いるために、熱や光による劣化が少なく、信頼性の高い発光装置とすることができる。
絶縁性基板としてＦＲ−４の代わりに板厚１ｍｍのアルミナからなる基板を用いる以外は実施例１と同様にして発光装置を形成する。このアルミナ基板は、熱導電率が３５Ｗ／ｍ・Ｋ程度のものを使用し、上面に外部電極が形成されている。
本実施例では、無機材料の基板を用いるために、熱や光による劣化が少なく、信頼性の高い発光装置とすることができる。
１００、２００、３００、４００ 発光装置
１０ 発光素子
１２ 絶縁性基板
１４ 金属部材
１６ 外部電極
１８ ビア
２０ 白色レジスト
２０ａ 第１レジスト層
２０ｂ 第２レジスト層
２２ 枠体
２４ ワイヤ
２６ 封止部材
２８ 接合部材
３０ 放熱端子
３２ 開口
３４ 第１の孔
３６ 第２の孔
１０ 発光素子
１２ 絶縁性基板
１４ 金属部材
１６ 外部電極
１８ ビア
２０ 白色レジスト
２０ａ 第１レジスト層
２０ｂ 第２レジスト層
２２ 枠体
２４ ワイヤ
２６ 封止部材
２８ 接合部材
３０ 放熱端子
３２ 開口
３４ 第１の孔
３６ 第２の孔
Claims (8)
- 金属部材と、
前記金属部材の上に接して配置された白色レジストと、を有し、
接合面が絶縁性の部材からなる発光素子が、前記白色レジストの上に接合部材を介して配置されることを特徴とする発光装置。 - 前記発光素子は、透光性基板上に半導体層を有していることを特徴とする発光装置。
- 前記金属部材は、絶縁性基板上に配置された金属層であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
- 前記白色レジストの厚みは５μｍ〜５０μｍであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の発光装置。
- 前記金属部材の厚みは、５μｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の発光装置。
- 前記金属部材は少なくともその表面がＡｇであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の発光装置。
- 前記白色レジストは、前記発光素子の接合面の全面に対応するように形成されている請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の発光装置。
- 前記白色レジストと前記発光素子との接合面のうち、中央付近の一部の前記白色レジストが開口されて前記金属部材が露出されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013059280A JP2014187081A (ja) | 2013-03-22 | 2013-03-22 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013059280A JP2014187081A (ja) | 2013-03-22 | 2013-03-22 | 発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014187081A true JP2014187081A (ja) | 2014-10-02 |
| JP2014187081A5 JP2014187081A5 (ja) | 2016-04-21 |
Family
ID=51834408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013059280A Pending JP2014187081A (ja) | 2013-03-22 | 2013-03-22 | 発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2014187081A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016100385A (ja) * | 2014-11-19 | 2016-05-30 | パイオニア株式会社 | 光半導体デバイスおよび光半導体デバイスの製造方法 |
| JP2016162972A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 実装基板及びそれを用いたｌｅｄモジュール |
| JP2017017162A (ja) * | 2015-06-30 | 2017-01-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2017034137A (ja) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Ｌｅｄモジュール |
| JP2017163058A (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Ｌｅｄモジュール |
| JP2018032689A (ja) * | 2016-08-23 | 2018-03-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光装置、及び照明装置 |
| US10096747B2 (en) | 2016-03-10 | 2018-10-09 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Lumen maintenance factor deterioration suppressing LED module |
| JP2019050425A (ja) * | 2018-12-14 | 2019-03-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2019087763A (ja) * | 2019-03-01 | 2019-06-06 | パイオニア株式会社 | 光半導体デバイスおよび光半導体デバイスの製造方法 |
| JP7483182B1 (ja) | 2023-01-11 | 2024-05-14 | シチズン電子株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009194052A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Panasonic Corp | 電子装置 |
| WO2010150880A1 (ja) * | 2009-06-26 | 2010-12-29 | 株式会社朝日ラバー | 白色反射材及びその製造方法 |
| JP2011238902A (ja) * | 2010-04-16 | 2011-11-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
-
2013
- 2013-03-22 JP JP2013059280A patent/JP2014187081A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009194052A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Panasonic Corp | 電子装置 |
| WO2010150880A1 (ja) * | 2009-06-26 | 2010-12-29 | 株式会社朝日ラバー | 白色反射材及びその製造方法 |
| JP2011238902A (ja) * | 2010-04-16 | 2011-11-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016100385A (ja) * | 2014-11-19 | 2016-05-30 | パイオニア株式会社 | 光半導体デバイスおよび光半導体デバイスの製造方法 |
| JP2016162972A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 実装基板及びそれを用いたｌｅｄモジュール |
| JP2017017162A (ja) * | 2015-06-30 | 2017-01-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2017034137A (ja) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Ｌｅｄモジュール |
| JP2017163058A (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Ｌｅｄモジュール |
| US10014458B2 (en) | 2016-03-10 | 2018-07-03 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | LED module |
| US10096747B2 (en) | 2016-03-10 | 2018-10-09 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Lumen maintenance factor deterioration suppressing LED module |
| JP2018032689A (ja) * | 2016-08-23 | 2018-03-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光装置、及び照明装置 |
| JP2019050425A (ja) * | 2018-12-14 | 2019-03-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP2019087763A (ja) * | 2019-03-01 | 2019-06-06 | パイオニア株式会社 | 光半導体デバイスおよび光半導体デバイスの製造方法 |
| JP7483182B1 (ja) | 2023-01-11 | 2024-05-14 | シチズン電子株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4989614B2 (ja) | 高出力ｌｅｄパッケージの製造方法 | |
| JP2014187081A (ja) | 発光装置 | |
| JP4279388B2 (ja) | 光半導体装置及びその形成方法 | |
| EP2264797B1 (en) | Light-emitting device | |
| JP5262054B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| US8421088B2 (en) | Surface mounting type light emitting diode | |
| JP5106094B2 (ja) | 表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JP4910220B1 (ja) | Ｌｅｄモジュール装置及びその製造方法 | |
| JP2009295892A (ja) | 発光装置 | |
| JP2008071955A (ja) | 発光装置 | |
| JP2008235827A (ja) | 発光装置 | |
| JP2015008237A (ja) | 発光装置 | |
| JP2008235867A (ja) | 表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JP5583051B2 (ja) | 発光素子搭載用基板および発光装置 | |
| JP2011258991A (ja) | 高出力ｌｅｄパッケージ及びその製造方法 | |
| JP5724573B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2008251664A (ja) | 照明装置 | |
| JP2009231397A (ja) | 照明装置 | |
| JP5936885B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| KR101173398B1 (ko) | 발광다이오드 수납용 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP4129169B2 (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
| JP6627490B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| JP5359662B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| JP2008205395A (ja) | 表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JP5849691B2 (ja) | 発光素子の実装方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160229 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160229 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161019 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161108 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170110 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170404 |