TWI677111B - 配線基板體及基台之製造方法 - Google Patents

配線基板體及基台之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI677111B
TWI677111B TW105124472A TW105124472A TWI677111B TW I677111 B TWI677111 B TW I677111B TW 105124472 A TW105124472 A TW 105124472A TW 105124472 A TW105124472 A TW 105124472A TW I677111 B TWI677111 B TW I677111B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
fluororesin
metal
base material
abutment
Prior art date
Application number
TW105124472A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201719936A (zh
Inventor
平野光
Akira Hirano
青崎耕
Ko Aosaki
Original Assignee
日商創光科學股份有限公司
Soko Kagaku Co., Ltd.
日商Ａｇｃ股份有限公司
AGC Inc.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商創光科學股份有限公司, Soko Kagaku Co., Ltd., 日商Ａｇｃ股份有限公司, AGC Inc. filed Critical 日商創光科學股份有限公司
Publication of TW201719936A publication Critical patent/TW201719936A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI677111B publication Critical patent/TWI677111B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/036—Multilayers with layers of different types
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/015—Fluoropolymer, e.g. polytetrafluoroethylene [PTFE]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674—Flip chip
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
    • H05K2203/0228—Cutting, sawing, milling or shearing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0548—Masks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0756—Uses of liquids, e.g. rinsing, coating, dissolving
    • H05K2203/0759—Forming a polymer layer by liquid coating, e.g. a non-metallic protective coating or an organic bonding layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

防止伴隨紫外線發光動作之起因於電極間被充填的樹脂之電性特性劣化。一種具備絕緣性基材(11)、與在基材(11)的一方的面上被形成的相互地電性地分離之2以上金屬膜(12,13)而成之基台(10)；金屬膜為上面與側壁面被金或白金族金屬所覆蓋，可以搭載1以上氮化物半導體發光元件等、全體而言被形成包含2以上電極墊之指定俯視形狀，在基材(11)的一方的面上，沿著不被金屬膜(12,13)所覆蓋的基材(11)的露出面與金屬膜(12,13)的側壁面之邊界線，至少，與前述邊界線連續的基材(11)的露出面相鄰接的2個電極墊所挾之第1部分、與挾著前述第1部分而相對向的金屬膜(12,13)的側壁面，是由氟樹脂膜(16)所覆蓋，構成金屬膜(12,13)的上面的至少電極墊之處，則不被氟樹脂膜(16)所覆蓋。

Description

配線基板體及基台之製造方法
本發明，係有關被使用於氮化物半導體發光元件，特別是，發光中心波長約為365nm以下的氮化物半導體紫外線發光元件的組裝之副載具及配線基板等之基台及其製造方法。
從前，LED(發光二極體)或半導體雷射等之氮化物半導體發光元件，在藍寶石等基板上利用磊晶成長來形成由複數氮化物半導體層所構成的發光元件構造者為多數存在(例如，參照下述的非專利文獻1、非專利文獻2)。氮化物半導體層，一般可以由式Al1-x-yGaxInyN(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)來表示。
發光元件構造，係在n型氮化物半導體層與p型氮化物半導體層之間，具有挾著由單一量子井構造(SQW：Single-Quantum-Well)或多重量子井構造(MQW：Multi-Quantum-Well)的氮化物半導體層所形成的活性層之雙異質構造。活性層為氮化鋁鎵系半導體層之場合，藉由調整氮化鋁莫耳分率(亦稱鋁組成比)，可以 將能帶間隙能量、在以GaN與AlN取得的能帶間隙能量(約3.4eV與約6.2eV)分別作為下限及上限之範圍內加以調整，得到發光波長從約200nm到約365nm之紫外線發光元件。具體而言，藉由從p型氮化物半導體層向n型氮化物半導體層順方向讓電流流過，在活性層會產生因應上述能帶間隙能量的發光。
作為氮化物半導體紫外線發光元件之組裝型態，一般上採用覆晶組裝(例如，參照下述專利文獻1的圖4等)。在覆晶組裝，來自活性層的發光，會透過能帶間隙能量比活性層大的氮化鋁鎵系氮化物半導體及藍寶石基板等，而被取出到元件外。因而，在覆晶組裝，使藍寶石基板朝上、使朝向晶片上面側被形成的p側及n側的各電極面朝下，晶片側的各電極面與副載具等之封裝零件側的電極墊，則是介著在各電極面上被形成的金屬突起，而被電性地及物理性地接合起來。
此外，在下述專利文獻1揭示的覆晶組裝，係在1個副載具搭載1個氮化物半導體紫外線發光元件的裸晶，但是，在1個副載具或配線基板上搭載複數裸晶，將複數發光元件串聯、並聯、或者串並聯(串聯與並聯之組合)地接續之利用COB(晶片載板接合封裝)形式之組裝型態，也多被採用於LED照明裝置或液晶背光等(例如，參照下述的專利文獻2及3)。
再者，不限於發光元件，在供表面組裝電子零件用之印刷配線板，藉由在絕緣性基板上形成金屬等導 電性材料的配線圖案，在將該配線圖案中的電子零件等予以表面組裝之組裝處(稱為墊片或連接盤等)，將表面組裝零件的端子或電極利用焊接等物理地、電性地予以接續，來進行該電子零件的表面組裝。在此，一般而言，進行在該配線圖案被形成的基板表面，形成抗焊劑層，防止該配線圖案間因焊錫造成的短路。此外，在搭載發光元件的副載具或配線基板，使用被著上白色的抗焊劑，謀求上述防止短路與改善發光特性兩者(例如，參照下述的專利文獻4)。
此外，氮化物半導體紫外線發光元件，一般而言，如下述專利文獻5的圖4,6及7等，或者，下述專利文獻6的圖2,4及6等所揭示之方式，利用氟系樹脂或聚矽氧樹脂等的紫外線透過性樹脂被密封而被供以實用。該密封樹脂，將內部的紫外線發光元件加以保護免於外部氛圍影響，防止因水分的浸入或氧化等造成的發光元件劣化。再者，該密封樹脂，也是有緩和因聚光透鏡與紫外線發光元件之間的折射率差、或者紫外線的照射對象空間與紫外線發光元件之間的折射率差引起之光的反射損失，而被設置作為供謀求提升光的取出效率用之折射率差緩合材料之場合。此外，也可以將該密封樹脂的表面成形成球面等聚光性曲面，來提高照射效率。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2014/178288號公報
[專利文獻2]日本特開2015-023265號公報
[專利文獻3]日本特開2015-503840號公報
[專利文獻4]日本特開2007-249148號公報
[專利文獻5]日本特開2007-311707號公報
[專利文獻6]美國專利申請案公開第2006/0138443號說明書
[專利文獻7]日本特開2006-348088號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1]Kentaro Nagamatsu, etal., “High-efficiency AlGaN-based UV light-emitting diode on laterally overgrown AlN”, Journal of Crystal Growth, 2008, 310, pp.2326-2329
[非專利文獻2]Shigeaki Sumiya, etal., “AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes Grown on Epitaxial AlN/Sapphire Templates”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.47, No.1, 2008, pp.43-46
如上述，作為紫外線發光元件的密封樹脂， 提案使用氟系樹脂及聚矽氧樹脂等，但聚矽氧樹脂方面，已知在多量地暴露在高能量的紫外線時會促進劣化。特別是，紫外線發光元件的高輸出化推進，因被暴露於紫外線所造成的劣化有加速之傾向，此外，由於伴隨高輸出化而來的消耗電力增加導致發熱也會增加，而使因該發熱造成的密封樹脂劣化也成為問題。
此外，氟系樹脂，習知耐熱性優良、紫外線耐性也高，但是聚四氟乙烯等一般性氟樹脂係不透明。該氟系樹脂，由於共聚合物鎖為直線的且剛直、容易結晶化，所以結晶質部分與非晶質部分混合存在，使其介面光散射而成為不透明。
於是，例如，在上述專利文獻7提案，作為紫外線發光元件的密封樹脂，藉由使用非晶質的氟樹脂，來提高對紫外線的透明性。作為非晶質的氟樹脂，可列舉將結晶性共聚合物的氟樹脂共聚合化而形成共聚合物混合體使之非晶質化之物、或全氟間二氧雜環戊烯的共聚合體(杜邦(股)製的商品名Teflon AF(註冊商標))或全氟丁烯基乙烯基醚的環化聚合體(旭硝子(股)製的商品名cytop(註冊商標))。後者的環化聚合體氟樹脂，由於在主鏈具有環狀構造所以容易成為非晶質、透明性高。
非晶質氟樹脂，大致區分，有具有對金屬可結合的官能基之結合性氟樹脂與具有對金屬難結合性的官能基之非結合性氟樹脂等2種類。在搭載LED晶片的基台表面及覆蓋LED晶片的部分，使用結合性氟樹脂，可 以提高基台等金屬表面與氟樹脂間的結合性。又，在本發明，所謂對金屬的「結合性」之用語，係包含具有與金屬介面的親和性之意味內容。同樣地，所謂對金屬的「非結合性」之用語，係包含不具有與金屬介面的親和性之意味內容。
另一方面，在上述專利文獻1報告，在將末端官能基具有對金屬呈結合性的反應性官能基的結合性的非晶質氟樹脂，使用在覆蓋氮化物半導體的紫外線發光元件的墊片電極之處之場合下，在分別接續在紫外線發光元件的p電極及n電極的金屬電極配線間施加順方向電壓而讓紫外線發光動作進行時，紫外線發光元件的電性特性上發生劣化之情事。具體而言，確認在紫外線發光元件的p電極及n電極間形成電阻性的漏電流路徑。根據上述專利文獻1，認為在非晶質氟樹脂為結合性的非晶質氟樹脂時，在被高能量的紫外線照射的該結合性的非晶質氟樹脂，依光化學反應而反應性的末端官能基會分離、自由基化，引發與構成墊片電極的金屬原子配位結合，而該金屬原子會從墊片電極分離，再者，發光動作中係在墊片電極間施加電場之結果，認為該金屬原子會引發遷移，形成電阻性的漏電流路徑，紫外線發光元件的p電極及n電極間會短路。
可是，構成上述的墊片電極之起因於金屬原子遷移之紫外線發光元件墊片電極間的短路現象，係發光元件側的問題，但，在搭載該發光元件的副載具及配線基 板等的基台側的金屬配線圖案間，在會被高能量紫外線照射的環境下，在將發光元件側的墊片電極與基台側的金屬配線(墊片)間予以接合的焊錫材料中包含錫等比金或白金族金屬較易遷移的金屬時，也會發生起因於構成該焊錫材料的金屬原子遷移的短路。
再者，作為抗焊劑一般上被採用的樹脂組成物，係含有環氧系樹脂作為主成分，當被高能量紫外線照射時會碳化。因此，在搭載紫外線發光元件的副載具及配線基板等，使用該一般的抗焊劑時，在會被紫外線照射的環境下，則有基台側的金屬配線圖案間因該碳化而造成短路之疑慮。此外，由於環氧系樹脂係對金屬配線圖案面具有結合性，所以認為，與上述的結合性非晶質氟樹脂之電極間的短路現象同樣的短路現象，也會在該副載具及配線基板等的金屬配線圖案間發生。
本發明，係有鑑於上述問題點而做成，其目的在於防止伴隨紫外線發光動作之基台側金屬配線間的短路，提供一種高品質、高可信賴度的紫外線發光裝置。
為了達成上述目的，本發明係提供一種基台，具備絕緣性基材、與在前述絕緣性基材一方的面上被形成之相互電性地分離之2以上的金屬膜而成之包含覆晶組裝之晶片載板接合封裝組裝用、或者表面組裝用之基台，其特徵係： 在至少前述絕緣性基材前述一方的面側的表面露出來的表層部，是由不會因被紫外線照射而劣化之材質所構成；前述2以上的金屬膜，上面與側壁面是由金或白金族金屬所覆蓋，且，可以搭載1個或複數氮化物半導體發光元件或將氮化物半導體發光元件覆晶組裝而成的1個或複數副載具，全體上，被形成包含2以上的電極墊之指定的俯視形狀；在前述絕緣性基材的前述一方的面上，沿著不被前述金屬膜覆蓋著的前述絕緣性基材的露出面與前述金屬膜的側壁面之邊界線，至少，將在與前述邊界線連續的前述絕緣性基材的前述露出面相鄰接的2個前述電極墊所挾著的第1部分、與挾著前述第1部分而相對向的前述金屬膜的前述側壁面，由氟樹脂膜予以覆蓋，構成前述金屬膜的上面的至少前述電極墊之處，則並不被前述氟樹脂膜覆蓋。
根據上述第1特徵之基台，由於2以上的金屬膜的上面之內、成為2以上的電極墊之面，實際上，是成為將晶片狀的氮化物半導體發光元件或晶片狀的氮化物半導體發光元件予以覆晶組裝而成的副載具(以下，為了容易說明，便宜上稱作「被組裝元件等」)的端子(n側電極與p側電極)利用焊接等而接續起來之處，所以，在搭載被組裝元件等後，在基台的電極墊上存在焊錫材料。在此，在成為電極墊的金屬膜的側壁面並不被氟樹脂膜覆蓋之場合下，該焊錫材料，會附著在該側壁面，而有最壞 之場合，也附著在相對向的金屬膜的側壁面間的絕緣性基材的露出面(相當於第1部分)之疑慮。在樹脂密封被組裝元件等之場合，在該金屬膜間被充填密封樹脂之場合是可能的。假設，該密封樹脂為包含具有對金屬呈結合性的末端官能基之樹脂之場合，即使鄰接的金屬膜間並不因該焊錫材料而直接短路，藉由該樹脂被從氮化物半導體發光元件射出的紫外線照射，誘發構成上述焊錫材料的金屬原子的遷移，伴隨發光動作的經時變化而使該鄰接的金屬膜間短路之可能性也是有的。
另一方面，焊錫材料中金屬原子的基台側的遷移路徑，在該焊錫材料存在於鄰接的金屬膜的電極墊的上面之場合，係成為連接各金屬膜的側壁面與該側壁面間的絕緣性基材的露出面之路徑。在沿著各金屬膜的側壁面之路徑，由於該側壁面上為同電位、不會產生電場，所以在沿著該側壁面的路徑的金屬原子的遷移，沿著該側壁面的路徑愈長、愈不易發生。
因而，根據上述第1特徵的基台，由於上述金屬膜的側壁面及相對向的金屬膜的側壁面間的絕緣性基材的露出面被氟樹脂膜覆蓋，所以，以該氟樹脂膜作為抗焊劑的功能，能夠對焊錫材料附著到金屬膜的側壁面或相對向的金屬膜的側壁面間的絕緣性基材的露出面(相當於第1部分)防止於未然。總之，由於使焊錫材料留在金屬原子遷移產生不易的電極墊的上面，所以，焊錫材料中的金屬原子遷移的發生會被抑制、使上述鄰接的金屬膜間短 路之可能性大幅地降低。
此外，由於氟樹脂膜對紫外線的耐性高，且因即使姑且讓紫外線射入相對向的金屬膜的側壁面間也不易劣化，所以，相較於使用氟樹脂以外的樹脂作為抗焊劑之場合，可以較高度維持在上述第1特徵的基台搭載紫外線發光元件而成的發光裝置或發光模組的可信賴性。
再者，由於絕緣性基材的表層部對紫外線的耐性高，且因即使姑且讓紫外線射入絕緣性基材前述一方的面也不易劣化，所以，可以較高度維持在上述第1特徵的基台搭載紫外線發光元件而成的發光裝置或發光模組的可信賴性。
再者，根據上述第1特徵的基台，由於上述金屬膜的上面與側壁面，被高熔點下離子化傾向低、遷移不易的金或白金族金屬覆蓋著，所以，由於構成金屬膜的金屬原子之遷移使鄰接的金屬膜間至於短路之可能性也確實被減低。
再者，上述第1特徵之基台，前述2以上的電極墊內的1對電極墊，係以前述1或複數氮化物半導體發光元件之內的1個氮化物半導體發光元件或者前述1或複數副載具之內的1個副載具的n側電極與p側電極，各別地、電性地且物理性地接續起來之方式，而在前述絕緣性基材的表面被形成為佳。利用該適宜的態樣，基台為將1個氮化物半導體發光元件覆晶組裝之副載具之場合，藉由將對應於該1對電極墊的1對金屬膜電性地接續到外部 接續用的端子，來組裝1個發光元件、實現1個發光裝置。此外，基台為搭載(覆晶組裝或COB組裝)複數氮化物半導體發光元件之副載具或配線基板之場合，藉由使對應於1個發光元件的1對電極墊與對應於其他發光元件的1對電極墊之金屬膜的圖案(俯視形狀)，以該發光元件彼此串聯或並聯接續之方式形成，來組裝該複數氮化物半導體發光元件，實現讓全體之該複數氮化物半導體發光元件串聯、並聯、或串並聯地接續之1個發光裝置。此外，基台為表面組裝複數副載具之配線基板之場合，也同樣地藉由形成金屬膜的圖案，來實現讓全體之該複數氮化物半導體發光元件串聯、並聯、或串並聯地接續之1個發光裝置。
再者，上述第1特徵之基台，最好是在各別地包含前述2以上的電極墊之內的1對電極墊之1對前述金屬膜之間露出來之前述絕緣性基材的露出面之內，至少，1對前述金屬膜之間的距離為前述1對電極墊間之離間距離的最大值以下之第2部分、與挾著前述第2部分而相對向之前述金屬膜的前述側壁面，係被前述氟樹脂膜覆蓋著。利用該適宜的態樣，能夠有效果地防止在與焊接無關之處，讓鄰接的金屬膜間因焊錫材料導致不慎短路。
再者，上述第1特徵之基台，最好是前述氟樹脂膜，具有由以含氟脂肪族環構造為構造單位的聚合體或共聚合體所構成之非晶質氟樹脂。
再者，上述第1特徵之基台，最好是前述氟 樹脂膜，包含構成氟樹脂的聚合體或共聚合體的末端官能基對金屬不呈結合性之非反應性末端官能基之第1型氟樹脂。利用該適宜的型態，可更確實地抑制焊錫材料或金屬膜中的金屬原子的遷移。
再者，上述第1特徵之基台，最好是：前述氟樹脂膜是由2層以上層積膜所形成；與前述金屬膜接觸之前述層積膜的第1層樹脂膜，是包含構成氟樹脂的聚合體或共聚合體的末端官能基對金屬呈結合性之反應性末端官能基之第2型氟樹脂；前述層積膜的第2層以下的樹脂膜，是包含構成氟樹脂的聚合體或共聚合體的末端官能基對金屬不呈結合性之非反應性末端官能基之第1型氟樹脂。利用該適宜的型態，會抑制反應性的末端官能基對金屬原子的遷移帶來的影響，且使氟樹脂膜與金屬膜的側壁面之間的結合變得強固，使氟樹脂膜不易剝離。
再者，上述第1特徵之基台，以在前述基台的外周端緣部的上面，作為前述氟樹脂膜的底膜，而形成包含構成氟樹脂的聚合體或共聚合體的末端官能基對金屬呈結合性的反應性末端官能基的第2型氟樹脂之第2氟樹脂膜，作為第2特徵。根據該第2特徵之基台，藉由以該底膜作為氟樹脂膜與基台表面(絕緣性基材一方的面或金屬膜的表面)之間的結合劑之功能，可以防止氟樹脂膜於基台端部破損等，使被形成的氟樹脂膜剝離。
欲達成上述目的，本發明係提供一種配線基板體，將矩陣狀地複數配列上述第1或第2特徵的基台而 成的複數前述基台，1枚板狀地一體化構成；在成為前述絕緣性基材之絕緣性基材板上，將每1個前述基台的前述2以上金屬膜矩陣狀地周期性地配列形成；在前述絕緣性基材板上的前述基台1個分的單位區劃相鄰接的單位區劃間的邊界線上設置格子狀的切斷領域。
根據上述特徵之配線基板體，藉由沿著切斷領域將絕緣性基材板切斷或割斷，而可以同時地得到複數基台。
再者，上述特徵之配線基板體，最好在前述切斷領域，並不形成前述氟樹脂膜。利用該適宜的態樣，可以防止在沿著切斷領域將絕緣性基材板切斷或割斷時，氟樹脂膜端部破損等，使被形成的氟樹脂膜從基台表面(絕緣性基材一方的面或金屬膜的表面)剝離。
為達成上述目的，本發明係提供一種供製造上述第1或第2特徵之基台之製造方法，係以具備：在前述絕緣性基材的前述一方的面上形成前述2以上金屬膜之第1步驟；與在前述絕緣性基材的前述一方的面上，沿著不被前述金屬膜覆蓋著的前述絕緣性基材的露出面與前述金屬膜的側壁面之邊界線，至少，將在與前述邊界線連續的前述絕緣性基材的前述露出面相鄰接的2個前述電極墊所挾著的第1部分、與挾著前述第1部分而相對向的前述金屬膜的前述側壁面，由前述氟樹脂膜予以覆蓋之第2步驟，作為 第1特徵。
再者，在上述第1特徵之製造方法，最好是在前述第2步驟，前述金屬膜的上面的至少構成前述電極墊之處，形成阻止前述氟樹脂膜形成之第1遮罩材料，在前述第1遮罩材料形成後的前述絕緣性基材的前述一方的面上，塗佈包含構成前述氟樹脂膜的氟樹脂之塗佈液，在使前述塗佈液乾燥並形成前述氟樹脂的覆膜之後，除去在前述第1遮罩材料與前述第1遮罩材料上被形成的前述氟樹脂的覆膜的一部分。尤其，更好是前述第1遮罩材料係由不含氟樹脂的樹脂組成物所構成，在前述第2步驟，將前述第1遮罩材料、利用不溶解前述氟樹脂膜的有機溶劑予以溶解並除去。
再者，在上述第1特徵之製造方法，最好是在前述第2步驟，在前述絕緣性基材的前述一方的面上，塗佈包含構成前述氟樹脂膜的氟樹脂之塗佈液，在使前述塗佈液乾燥並形成前述氟樹脂的覆膜之後，利用研磨除去在前述金屬膜的上面上被形成的前述氟樹脂的覆膜的一部分。
根據上述第1特徵之製造方法，可製作出具有上述第1或第2特徵之基台。
再者，在上述第1特徵之製造方法，係以：在前述第1步驟，在成為前述絕緣性基材之絕緣性基材板上，將每1個前述基台的前述2以上金屬膜矩陣狀地周期性地配列形成； 在前述第2步驟，在前述絕緣性基材板上的前述基台1個分的單位區劃相鄰接的前述單位區劃間的邊界線上所設置的格子狀的切斷領域，形成阻止前述氟樹脂膜形成之第2遮罩材料，在前述第2遮罩材料形成後的前述絕緣性基材的前述一方的面上，塗佈包含構成前述氟樹脂膜的氟樹脂之塗佈液，在使前述塗佈液乾燥並形成前述氟樹脂的覆膜之後，除去在前述第2遮罩材料與前述第2遮罩材料上被形成的前述氟樹脂的覆膜的一部分，作為第2特徵。
再者，在上述第1特徵之製造方法，係以：在前述第1步驟，在成為前述絕緣性基材之絕緣性基材板上，將每1個前述基台的前述2以上金屬膜矩陣狀地周期性地配列形成；在前述第2步驟，至少，在前述絕緣性基材板上的前述基台1個分的單位區劃相鄰接的前述單位區劃間的邊界線上所設置的格子狀的切斷領域、與前述金屬膜的上面的至少構成前述電極墊之處，形成阻止前述氟樹脂膜形成之第2遮罩材料，在前述第2遮罩材料形成後的前述絕緣性基材的前述一方的面上，塗佈包含構成前述氟樹脂膜的氟樹脂之塗佈液，在使前述塗佈液乾燥並形成前述氟樹脂的覆膜之後，除去在前述第2遮罩材料與前述第2遮罩材料上被形成的前述氟樹脂的覆膜的一部分，作為第3特徵。
再者，在上述第2或第3特徵之製造方法，最好是前述第2遮罩材料係由不含氟樹脂的樹脂組成物所構成，在前述第2步驟，將前述第2遮罩材料、利用不溶 解前述氟樹脂膜的有機溶劑予以溶解並除去。
再者，在上述第1至第3特徵之製造方法，係以：在前述第1步驟，在成為前述絕緣性基材之絕緣性基材板上，將每1個前述基台的前述2以上金屬膜矩陣狀地周期性地配列形成；在前述第1步驟與前述第2步驟之間，在前述切斷領域與其側方領域，或者，前述切斷領域的側方領域，作為前述氟樹脂膜的底膜，形成包含構成氟樹脂的聚合體或共聚合體的末端官能基對金屬呈結合性之反應性末端官能基之第2型的氟樹脂之第2氟樹脂膜，作為第4特徵。
再者，在上述第2至第4特徵之製造方法，前述第2步驟之後，沿著前述切斷領域切斷或割斷前述絕緣性基材板，分割成個個前述基台。
根據上述第2至第4特徵之製造方法，可製作出上述特徵之配線基板體，再者，可以複數同時地製作具有上述第1或第2特徵之基台。尤其，根據上述第4特徵之製造方法，可複數同時地製作出具有上述第2特徵之基台。
此外，根據上述第2或第3特徵之製造方法，可以防止在沿著切斷領域將絕緣性基材板切斷或割斷時，氟樹脂膜端部破損等，使被形成的氟樹脂膜從基台表面(絕緣性基材一方的面或金屬膜的表面)剝離。
根據上述特徵之基台、配線基板體、或者基台之製造方法，藉由在將該基台、該配線基板體切斷或割斷而得到的基台、或者以該基台之製造方法被製作出的基台上，組裝晶片狀的氮化物半導體紫外線發光元件，可抑制伴隨紫外線發光動作之經時變化使基台表面相鄰接的金屬膜間短路之劣化現象、可實現高品質、高可信賴度的紫外線發光裝置。
1‧‧‧氮化物半導體紫外線發光元件
2‧‧‧模板
3‧‧‧半導體層積部
4‧‧‧p電極
5‧‧‧n電極
6‧‧‧保護絕緣膜
7‧‧‧第1電鍍電極
8‧‧‧第2電鍍電極
9‧‧‧氟樹脂膜
10、40‧‧‧副載具
11、21、41、51‧‧‧基材(絕緣性基材)
12‧‧‧第1金屬電極配線
120‧‧‧第1電極墊
121‧‧‧第1配線部
13‧‧‧第2金屬電極配線
130‧‧‧第2電極墊
131‧‧‧第3配線部
14、15、46、47‧‧‧導線端子
16‧‧‧氟樹脂膜
17‧‧‧密封樹脂
18‧‧‧透鏡
20‧‧‧配線基板體(絕緣性基材板)
22‧‧‧第1金屬電極配線
220‧‧‧第1金屬電極配線之厚膜電鍍膜
221‧‧‧第1金屬電極配線之表面金屬膜
23‧‧‧第2金屬電極配線
230‧‧‧第2金屬電極配線之厚膜電鍍膜
231‧‧‧第2金屬電極配線之表面金屬膜
24、25‧‧‧導線端子
240、250‧‧‧導線端子之厚膜電鍍膜
241、251‧‧‧導線端子之表面金屬膜
26、48、56‧‧‧氟樹脂膜
260‧‧‧塗佈液
261‧‧‧原型樹脂膜
27‧‧‧貫通電極
270‧‧‧貫通電極之厚膜電鍍膜
271‧‧‧貫通電極之表面金屬膜
28‧‧‧貫通孔
29‧‧‧晶種膜
30‧‧‧感光性薄片式軟片
31‧‧‧遮罩材料
32‧‧‧第2氟樹脂膜
42‧‧‧第1金屬電極配線
420‧‧‧第1金屬電極配線之厚膜電鍍膜
421‧‧‧第1金屬電極配線之表面金屬膜
43‧‧‧第2金屬電極配線
430‧‧‧第2金屬電極配線之厚膜電鍍膜
431‧‧‧第2金屬電極配線之表面金屬膜
44‧‧‧第3金屬電極配線
440‧‧‧第3金屬電極配線之厚膜電鍍膜
441‧‧‧第3金屬電極配線之表面金屬膜
45‧‧‧第4金屬電極配線
450‧‧‧第4金屬電極配線之厚膜電鍍膜
451‧‧‧第4金屬電極配線之表面金屬膜
50‧‧‧配線基板
52‧‧‧第1金屬電極配線
53‧‧‧第2金屬電極配線
54‧‧‧第3金屬電極配線
55‧‧‧第4金屬電極配線
RC‧‧‧切斷領域
圖1係模式顯示關於本發明之被搭載在副載具之氮化物半導體紫外線發光元件的概略元件構造之一例之剖面圖。
圖2係模式顯示關於本發明之被搭載在副載具之氮化物半導體紫外線發光元件的第1及第2電鍍電極頂視形狀之一例之平面圖。
圖3係模式顯示關於本發明之副載具的第1~第3實施型態之俯視形狀與剖面形狀之平面圖與剖面圖。
圖4係模式顯示關於本發明之副載具的第1~第3實施型態之氟樹脂膜形成後重要部分的剖面構造之剖面圖。
圖5係模式顯示關於本發明之副載具之製造方法之第1及第2金屬電極配線、導線端子及貫通電極形成步驟之一實施型態之步驟剖面圖。
圖6係模式顯示關於本發明之副載具之製造方法之第 1及第2金屬電極配線、導線端子及貫通電極形成步驟之一實施型態之步驟剖面圖。
圖7係模式顯示關於本發明之副載具之製造方法之第1及第2金屬電極配線、導線端子及貫通電極形成步驟之一實施型態之步驟剖面圖。
圖8係模式顯示關於本發明之副載具之製造方法之氟樹脂膜形成步驟之一實施形態之步驟剖面圖。
圖9係模式顯示關於本發明之副載具之製造方法之氟樹脂膜形成步驟之一實施形態之步驟剖面圖。
圖10係模式顯示關於本發明之副載具之製造方法之氟樹脂膜形成步驟之一實施形態之步驟剖面圖。
圖11係模式顯示關於本發明之副載具之製造方法之氟樹脂膜形成步驟之一實施形態之步驟剖面圖。
圖12係模式顯示關於本發明之在副載具將氮化物半導體紫外線發光元件覆晶組裝、樹脂密封後的狀態之剖面圖。
圖13係模式顯示關於本發明之副載具的第3實施型態之重要部分的剖面構造之剖面圖。
圖14係模式顯示關於本發明之副載具的第4實施型態之俯視形狀與剖面形狀之平面圖與剖面圖。
圖15係模式顯示關於本發明之副載具的第4實施型態之氟樹脂膜形成後重要部分的剖面構造之剖面圖。
圖16係模式顯示關於本發明之配線基板的第5實施型態之俯視形狀與剖面形狀之平面圖與剖面圖。
針對關於本發明之基台、配線基板體、及基台之製造方法之實施型態，根據圖面加以說明。又，在以下的說明所使用的圖面，為了說明上理解容易，強調重要部分並模式顯示發明內容，故而各部份的尺寸比未必與實物為相同尺寸比。在以下的記載，適宜地，將關於本發明之基台及其製造方法略稱為「本基台」及「本製造方法」，將關於本發明之配線基板體簡單稱為「配線基板體」。又，本基台，在本說明書，係包含下述的副載具及配線基板雙方之封裝型態。
在本說明書，稱「副載具」的用語，係意味搭載晶片狀氮化物半導體發光元件之基板的一種，藉由在絕緣性基材的表面讓供形成與該發光元件的電極電性的接續用的金屬配線圖案被形成，搭載該發光元件並確立該電性的接續，來構成發光裝置或發光模組之封裝的一型態。此外，被搭載在副載具的晶片狀發光元件的個數並不限於1個，為複數個亦可，晶片狀發光元件、加上搭載非發光元件的二極體等其他電氣電路零件之構成亦可。
此外，稱「配線基板」的用語，係與依照日本工業規格(JIS-C-5603)所規定的「印刷配線板」同義，意味藉由在絕緣性基材的表面、將供以把與包含晶片狀氮化物半導體發光元件的複數電氣電路零件的各端子電性的接續形成用之金屬配線圖案形成，搭載該零件並確立 該電性的接續，來構成指定的電氣電路之封裝的一型態。在本實施型態，該電氣電路零件，係包含晶片狀氮化物半導體發光元件、搭載上述的晶片狀氮化物半導體發光元件之副載具、及其他電氣電路零件，作為該電氣電路零件實際上搭載之零件，為該等之內的任何1種類以上。
又，在本說明書，晶片狀的氮化物半導體發光元件，係將矩陣狀配列複數氮化物半導體發光元件而成的氮化物半導體晶圓分割成個個氮化物半導體發光元件之元件，所謂裸晶。此外，在本案，簡稱「氮化物半導體發光元件」之場合，係意味晶片狀的氮化物半導體發光元件。此外，在以下的各實施型態，氮化物半導體發光元件(以下，簡稱「發光元件」)，設定中心發光波長為365nm以下的紫外線發光二極體來加以說明。
<第1實施型態>
作為本基台之一實施型態，針對供覆晶組裝1個氮化物半導體發光元件用之副載具加以說明。
在說明副載具之前，針對在副載具所搭載的發光元件簡單地說明。
發光元件1，如圖1所示，係具備模板2、半導體層積部3、p電極4、n電極5、保護絕緣膜6、第1電鍍電極7、第2電鍍電極8、以及氟樹脂膜9而構成。又，圖1，係對於沿著圖2的平面圖A-A’之模板2的表面垂直的剖面圖。
模板2，例如，在藍寶石(0001)基板上讓氮化鋁層與氮化鋁鎵層成長、形成，被構成可以讓來自活性層的紫外線發光透過。半導體層積部3，被形成在模板2上，具備具有n型半導體層、活性層、p型半導體層之台面部，在台面部以外，讓前述n型半導體層露出來。n型半導體層係由1層以上的n型氮化鋁鎵層而形成，被構成可以讓來自活性層的紫外線發光透過。活性層，例如，係由單層量子井構造或者多重量子井構造所形成。p型半導體層，係由1層以上的p型氮化鋁鎵層或者p型氮化鎵層而形成。p電極4，係由1層以上的金屬膜而形成，被形成在p型半導體層的上面、與p型半導體層電性地接續。n電極5，係由1層以上的金屬膜而形成，被形成在n型半導體層的露出面上、與n型半導體層電性地接續。保護絕緣膜6，以覆蓋半導體層積部3的台面部的上面與側面、及n型半導體層的露出面之方式被形成，而且，具有讓p型半導體層的上面的至少一部分與n型半導體層的露出面的一部分露出來之開口部。
第1電鍍電極7，係將前述台面部的上面及側面與前述台面部的外側領域的一部分、介著保護絕緣膜6加以覆蓋，而且，介著保護絕緣膜6的開口部而與p電極4電性地接續。第2電鍍電極8，係在前述台面部外側領域的其他的一部分，介著保護絕緣膜6的開口部而與n電極5電性地接續。第1及第2電鍍電極7,8，作為一例，係由在銅的電解電鍍被形成的本體部、與在覆蓋該本體電 鍍部的上面及側面之無電解電鍍被形成之最表面是由金1層以上的金屬層所形成的表面電鍍部所形成。第1及第2電鍍電極7,8，作為一例，相互地離間開75μm以上、最好是100μm以上，上面都被平坦化、齊整於相同高度。以保護絕緣膜6的表面為基準之第1及第2電鍍電極7,8的高度，例如，為45~100μm左右。圖2，係顯示第1及第2電鍍電極7,8之俯視形狀。圖2中，以虛線表示的，係半導體層積部3的台面部的外周線。
氟樹脂膜9，係覆蓋著第1及第2電鍍電極7,8的側壁面、與在第1及第2電鍍電極7,8的各外側領域露出來之保護絕緣膜6的上面。又，發光元件1的晶片周緣部，也可以不一定被氟樹脂膜9所覆蓋。氟樹脂膜9，係可以具有與設置在副載具側的氟樹脂膜相同的功能，使用相同的素材。因而，針對氟樹脂膜9，省略重覆說明。
其次，說明關於本實施型態的副載具10。圖3，係顯示副載具10的俯視形狀之平面圖(A)、與顯示在該平面圖(A)之通過副載具10中心的垂直於副載具10表面的剖面之剖面形狀之剖面圖(B)。副載具10一邊的長度，只要能有搭載1個發光元件1、並在其周圍形成密封樹脂之長度，則並未限定於特定的數值。作為一例，俯視正方形的副載具10的一邊的長度，例如，所搭載的相同地俯視正方形的發光元件1的晶片尺寸(一邊的長度)的1.5~2倍左右以上為佳。又，副載具10及發光元件1的俯視形狀並不限於正方形。
副載具10，係具備由絕緣性陶瓷等絕緣材料所構成的平板狀基材11(相當於絕緣性基材)，在基材11的表面側，分別形成陽極側的第1金屬電極配線12與陰極側的第2金屬電極配線13，在基材11的裏面側形成導線端子14,15。基材11表面側的第1及第2金屬電極配線12,13，係介著設在上述基材11的貫通電極(未圖示)，而與基材11裏面側的導線端子14,15各別地接續。在將副載具10載置在其他的配線基板等上之場合下，在該配線基板上的金屬配線與導線端子14,15之間形成電性地接續。此外，導線端子14,15，係覆蓋基材11裏面的大致全面、發揮散熱裝置的功能。第1及第2金屬電極配線12,13相當於金屬膜。
第1及第2金屬電極配線12,13，如圖3所示，在基材11中央部分之搭載發光元件1之處及其周圍被形成，相互離間開配置、電性地分離。第1金屬電極配線12，係由第1電極墊120與接續在此的第1配線部121所構成。此外，第2金屬電極配線13，係由4個第2電極墊130與接續在此等的第2配線部131所構成。第1電極墊120，係具有比發光元件1的第1電鍍電極7的俯視形狀稍為大的俯視形狀，位置於基材11中央部分的中心。第2電極墊130的俯視形狀及配置，在以第1電鍍電極7是與第1電極墊120相對面之方式配置發光元件1之場合，以4個第2電鍍電極8分別與4個第2電極墊130相對面之方式被設定。在圖3(A)，在第1電極墊120 與第2電極墊130分別附上影線。
在本實施型態，副載具10的基材11係由氮化鋁(AlN)等的不會因被紫外線照射而導致劣化的絕緣材料所形成。又，基材11，就散熱性之點上以氮化鋁為佳，而碳化矽(SiC)或氮化矽(SiN)、或者氮化硼(BN)亦可，此外，氧化鋁(Al2O3)等的陶瓷亦可。此外，基材11，並不限於上述絕緣材料的無垢材，也可以是以二氧化矽玻璃作為結合劑使上述絕緣材料的粒子緊密結合的燒結體，再者，也可以是類鑽碳(DLC)薄膜、工業用鑽石薄膜等。
又，副載具10，在基材11裏面側不設導線端子14,15之構成之場合，基材11，不是只由絕緣材料所構成之物，而作成由金屬膜(例如，銅、鋁等)與上述的絕緣材料所構成的絕緣層之層積構造亦可。
基材11的表面，例如，以具有凹凸最大6μm左右之粗面為佳。這是由於，在將發光元件以後述的密封樹脂密封時，利用該粗面，可以期待使密封樹脂與基材11表面之間的接著性提高之定準效果之緣故。該基材11表面的粗面，例如，可以利用奈米壓印等施予粗面化處理而形成，或者，基材11的表面在未研磨下，例如，直接使用殘留凹凸最大6μm左右的粗面亦可。
第1及第2金屬電極配線12,13，作為一例，係由銅的厚膜電鍍膜、與覆蓋該厚膜電鍍膜表面(上面及側壁面)之1層或多層的表面金屬膜所構成。厚膜電 鍍膜，銅以外，也可以由以銅作為主成分、包含鉛(Pb)、鐵(Fe)、鋅(Zn)、錳(Mn)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鈹(Be)等金屬之合金所形成，而為了藉由做成合金使熱傳導率降低，則最好是由銅形成。該表面金屬膜的最外層，係由離子化傾向比構成厚膜電鍍膜的銅要小的金屬(例如，金(Au)或者白金族金屬(Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt、或者該等之內的2以上的合金)或者金與白金族金屬的合金)所構成。該表面金屬膜，作為一例，從下起依序由鎳/鈀/金等3層金屬膜所構成，以周知的無電解電鍍法來成膜。銅的厚膜電鍍膜的膜厚，例如，50~100μm左右。上述鎳/鈀/金等各層的膜厚，例如，從下起依序為3~7.5μm/50~150nm/50~150nm。在上述一例，第1及第2金屬電極配線12,13，係做成與發光元件1側的第1及第2電鍍電極7,8、除了俯視形狀外、大致相同的構成(多層構造)。
在本實施型態，基材11裏面側的導線端子14,15，也與基材11表面側的第1及第2金屬電極配線12,13同樣地，係由銅的厚膜電鍍膜、與覆蓋該厚膜電鍍膜表面(上面及側壁面)之1層或多層的表面金屬膜所構成。導線端子14,15的厚膜電鍍膜與表面金屬膜之構成，在本實施型態，由於是與第1及第2金屬電極配線12,13相同，所以省略重複說明。
在本實施型態，如圖4所示，以覆蓋第1及第2金屬電極配線12,13的各側壁面、及在第1及第2金 屬電極配線12,13間的間隙部的底面露出來的基材11的表面之方式形成氟樹脂膜16。氟樹脂膜16，與設置在發光元件1的氟樹脂膜9，及在覆晶組裝發光元件1時，使用於樹脂密封的密封樹脂相同，是由非晶質氟樹脂所形成。一般而言，作為非晶質的氟樹脂，可列舉將結晶性聚合物的氟樹脂共聚合化而形成聚合物混合體使之非晶質化之物、或全氟間二氧雜環戊烯共聚合體(杜邦(股)製的商品名Teflon AF(註冊商標))或全氟丁烯基乙烯基醚的環化聚合體(旭硝子(股)製的商品名cytop(註冊商標))。又，針對在本實施型態使用於氟樹脂膜16的非晶質氟樹脂，係於氟樹脂膜16的形成步驟說明加以詳述。
又，氟樹脂膜16，並沒有必要將第1及第2金屬電極配線12,13的各側壁面、以及在第1及第2金屬配線12,13間的間隙部的底面露出來的基材11表面全部予以覆蓋，而至少，最好是覆蓋上述間隙部底面之內、第1電極墊120與4處第2電極墊130所挾之處(相當於第1部分)，與挾著該第1部分而相對向的第1及第2金屬電極配線12,13的側壁面。再者，該第1部分以外，也存在第1及第2金屬電極配線12,13的離間距離為第1電極墊120與4處第2電極墊130的離間距離的最大值以下之處(相當於第2部分)之場合，則將上述間隙部底面之該第2部分、與挾著該第2部分而相對向的第1及第2金屬電極配線12,13的側壁面予以覆蓋會更佳。再者，第1及 第2金屬電極配線12,13的離間距離，例如，平均對第1及第2金屬電極配線12,13間施加的電壓1V為100μm以下之處(第3部分：例如，該施加電壓為5V之場合，離間距離500μm以下之處)存在之場合，將上述間隙部底面的該第3部分、與挾著該第3部分而相對向的第1及第2金屬電極配線12,13的側壁面予以覆蓋會更佳。
其次，針對副載具10之製造方法(本製造方法)，參照圖5~圖11並加以說明。在本實施型態，首先製作複數副載具10矩陣狀地配列而被1枚板狀地一體化之配線基板體20，將該配線基板體20切斷或割斷，製作出個個副載具10。
在以下的說明，配線基板體20的基材21(相當於絕緣性基材板)，係對應於副載具10的基材11，而配線基板體20的第1及第2金屬電極配線22,23、導線端子24,25、及貫通電極27，則相當於副載具10的第1及第2金屬電極配線12,13、導線端子14,15、及貫通電極，在基材21的表面側、裏面側、及內部，矩陣狀、周期性地配列而被形成之物。此外，配線基板體20的氟樹脂膜26，係相當於副載具10的氟樹脂膜16，在基材21的表面側，矩陣狀、周期性地配列而被形成之樹脂膜。在基材21，將配線基板體20切斷或割斷而分割成個個副載具10之切斷領域RC，是格子狀地被設定在鄰接的副載具10間的邊界線上。切斷領域RC的幅寬，例如，以100~300μm左右為佳。
本製造方法，作為配線基板體20主要的製造步驟，係具備基材21表面側的第1及第2金屬電極配線22,23、基材21裏面側的導線端子24,25、及貫通電極27之製造步驟(第1製造步驟)、與氟樹脂膜26之製造步驟(第2製造步驟)。
作為第1製造步驟之前處理步驟，因應必要，例如，為了形成具有上述最大6μm左右凹凸之粗面，而對基材21的表面側進行粗面化處理。基材21的表面，已為某種程度粗面狀態(例如，具有上述最大6μm左右凹凸之粗面)之場合，再者，在基材21表面的定準效果以外能夠另行擔保對密封樹脂的定準效果之場合等，則上述粗面化處理並非必要。
在第1製造步驟，首先，在基材21的貫通電極27被形成之處利用雷射加工等，分別對第1及第2金屬電極配線12,13至少各1處形成貫通孔28。第1及第2金屬電極配線12,13每1個的貫通孔28的個數，為因應流到搭載的發光元件1的順方向電流所決定的必要數以上。在圖5所示之例，貫通孔28的開口部係基材21的表面側會比裏面側大，貫通孔28的開口徑(直徑)，例如，以在表面側50~75μm左右、裏面側25~50μm左右為佳。又，貫通孔28的開口部為基材21的裏面側比表面側大也沒關係。此外，各開口徑，也並非受限定於上述較佳範圍。接著，如圖5所示，將成為電解電鍍的給電用晶種膜29之膜厚約10~100nm之鎳膜或鈦/銅膜，在基材 21的表面側與裏面側、及貫通孔28的內壁面，以濺鍍等予以成膜。又，晶種膜29，如果是具備對基材21有接著性、與對第1及第2金屬電極配線22,23及導線端子24,25的各厚膜電鍍膜(本實施型態為銅)有接著性之導電性材料，則並不受限定於鎳膜或鈦/銅膜。
接著，在基材21的表面側與裏面側的晶種膜29上黏貼電鍍用感光性薄片式軟片30。在此，貫通孔28的基材21的表面側與裏面側之開口部係由感光性薄片式軟片30所遮蔽。將形成第1及第2金屬電極配線22,23與導線端子24,25之處的該軟片30，利用光蝕刻技術進行曝光與顯像後除去，使晶種膜29露出來。又，由於遮蔽著貫通孔28的基材21的表面側與裏面側之開口部之感光性薄片式軟片30也被除去，所以貫通孔28內壁面的晶種膜29也會露出來。
接著，如圖6所示，對晶種膜29給電，利用電解電鍍法，在基材21的表面側與裏面側及在貫通孔28內露出的晶種膜29上，形成銅的厚膜電鍍膜220,230,240,250,270，且分別對應於第1及第2金屬電極配線22,23的厚膜電鍍膜、導線端子24,25的厚膜電鍍膜、貫通電極27的厚膜電鍍膜。
接著，將未被厚膜電鍍膜220,230,240,250,270覆蓋的薄片式軟片30用有機溶劑等除去，將未被厚膜電鍍膜220,230,240,250,270覆蓋的晶種膜29、利用濕式蝕刻等予以除去。
厚膜電鍍膜220,230,240,250剛成膜後的基材21的表面側與裏面側的各膜厚係大致均一，但是因基材21表面的凹凸狀態或因以電解電鍍法對晶種膜29施加的電場強度的位置所造成的變動等而產生的差異是有的。因此，在對應於相同副載具10內的第1及第2電極墊120,130之厚膜電鍍膜220,230的膜厚具有一定以上的差異之場合等，會因應必要，而對厚膜電鍍膜220,230,240,250的表面，進行CMP(化學基械研磨)法或者種種機械研磨法等周知的研磨處理。進行研磨處理之場合，研磨後的厚膜電鍍膜220,230,240,250的各膜厚，例如，為上述的50~100μm左右即可。又，上述的薄片式軟片30與晶種膜29的除去，也可以是在上述研磨步驟後進行。
厚膜電鍍膜270剛成膜後的貫通孔28的基材21的表面側與裏面側的開口部，最好是利用厚膜電鍍膜270閉塞。但是，例如，若是直徑6~15μm左右的開口，由於可利用後述的表面金屬覆膜閉塞，則沒有問題。
此外，在貫通孔28的基材21的表面側與裏面側的開口部，是利用厚膜電鍍膜270而閉塞之場合，或者，在表面金屬膜形成後予以閉塞之場合，該開口部，對厚膜電鍍膜220,230,240,250而言成為凹窪之場合，在有該凹窪會帶來任何影響的可能性之場合等，對於厚膜電鍍膜220,230,240,250的表面，也能以除去該凹窪之方式進行上述研磨處理。
接著，在上述厚膜電鍍膜220,230,240,250,270成膜後，或者，進行上述研磨處理後之場合，在該研磨處理後，在厚膜電鍍膜220,230,240,250,270的上面及側壁面的各露出面上，例如，從下起依序，將由鎳/鈀/金等3層金屬膜所構成的表面金屬膜221,231,241,251,271，利用濕式電鍍法之周知的無電解電鍍法予以成膜。鎳/鈀/金等各層的膜厚，例如，從下起依序為3~7.5μm/50~150nm/50~150nm。
利用以上的第1製造步驟，如圖7所示，對配線基板體20，形成第1及第2金屬電極配線22,23、導線端子24,25、及貫通電極27。又，在圖7，係模式圖示進行上述研磨處理後，將第1及第2金屬電極配線22,23、導線端子24,25的各上面平坦化之場合。
其次，說明第2製造步驟。首先，如圖8所示，將阻止氟樹脂膜26形成的遮罩材料31，在基材21的表面側，在不形成氟樹脂膜26之處(以下，酌情稱作「遮罩處」)，利用噴墨方式、投放器方式、或網版印刷等加以塗布(步驟A1)。在本實施型態，該遮罩處，至少包含切斷領域RC、與第1及第2金屬電極配線22,23上面的各副載具10的第1及第2電極墊120,130。包含切斷領域RC之遮罩處的幅寬，也可以比切斷領域RC要大。此外，包含第1及第2電極墊120,130之遮罩處，若為第1及第2金屬電極配線22,23的上面內，也可以比第1及第2電極墊120,130要廣。再者，在該遮罩處，也可 以包含在第1及第2金屬電極配線22,23間的間隙部的底面露出來的基材21的表面之內，至少、除了上述第1部分外之處，最好是除了上述第1部分與第2部分外之處，或者除了上述第1部分與第3部分外之處，更好是除了上述第1、第2及第3部分外之處。
遮罩材料31，係將不含氟樹脂的結合樹脂(丙烯酸樹脂、環氧樹脂、纖維素系樹脂、苯酚系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂等)與有機溶劑與因應必要而被選擇的添加物加以混練可得到的樹脂組成物，例如，可以使用網版印刷用的油墨等。塗布後，利用加熱或紫外線照射等，使遮罩材料31固貼在上述遮罩處(步驟A2)。該場合下，遮罩材料31，黏度最好是在塗布時不會滴落不在遮罩處的第1及第2金屬電極配線22,23的側壁面左右之黏度(1~100Pa‧s)。又，遮罩材料31，即使在塗布時，滴落側壁面，若是稍微覆蓋側壁面的上端部之程度便沒有問題。此外，遮罩材料31，藉由利用顏料或染料先著色，而方便於目視或光學地檢查在上述遮罩處是否遮罩材料31被正確地被轉寫。
接著，如圖9所示，在遮罩材料31被形成的基材21表面側全面，將以溶媒把成為氟樹脂膜26的氟樹脂稀釋後的塗佈液260注入(步驟A3)。塗佈液260的注入量，設為覆蓋第1及第2金屬電極配線22,23的上面，並且，第1及第2金屬電極配線22,23上的遮罩材料31被塗佈液260稍微覆蓋、或不被覆蓋的程度，塗佈液 260，以將遮罩處以外的第1及第2金屬電極配線22,23的上面與側壁面、及在第1及第2金屬電極配線22,23間的間隙部的底面露出來的基材21的露出面覆蓋之方式予以注入。又，塗布液260往基材21表面側的注入，並未受限定於特定的方式，例如，可利用噴墨方式、投放器方式、裝填方式、旋轉塗布方式等來進行。
接著，如圖10所示，邊將塗佈液260慢慢地加熱邊使溶媒蒸發，將成為氟樹脂膜26原型的樹脂膜261，沿著基材21表面側的凹凸狀態，在基材21的表面側形成(步驟A4)。此時，因應塗佈液260中氟樹脂的濃度，以塗佈液260上面的高度是沿著上述凹凸狀態而漸漸低降，覆蓋遮罩處以外的第1及第2金屬電極配線22,23的上面與側壁面、在第1及第2金屬電極配線22,23間的間隙部露出來的基材21的露出面之方式，形成該原型樹脂膜261。該原型樹脂膜261，也得以被形成在遮罩材料31的上面及側面。又，該原型樹脂膜261，只要將第1及第2金屬電極配線22,23的側壁面及間隙部的底面等密密地覆蓋就足夠，不必將膜厚形成不必要的厚，例如，數原子層(10nm左右)的厚度便可。此外，該膜厚，係因應塗佈液260中氟樹脂的濃度及原型樹脂膜261的形成處而定，例如，最好是做成0.1~1μm左右。
接著，在原型樹脂膜261形成後，將遮罩材料31，用溶解遮罩材料31的有機溶媒(例如，丙酮等)予以溶解(步驟A5)。此時，該有機溶媒，係使用不使 構成原型樹脂膜261之氟樹脂溶解，另一方面，透過該氟樹脂而溶解遮罩材料31之有機溶媒。在將溶解後的遮罩材料31洗淨並除去時，同時將覆蓋遮罩材料31的上面之原型樹脂膜261除去。結果，如圖11所示，形成覆蓋遮罩處以外的第1及第2金屬電極配線22,23的上面與側壁面、在第1及第2金屬電極配線22,23間的間隙部露出來的基材21的露出面之氟樹脂膜26(步驟A6)。氟樹脂膜26的形成處，為未利用遮罩材料31被覆蓋之處。
氟樹脂膜26，係在覆晶組裝發光元件1時的焊接，被使用作為防止焊錫材料附著在第1及第2金屬電極配線22,23間的上述第1部分、或第2部分、或第3部分之焊錫阻劑材，能夠防止因焊錫材料的金屬原子遷移造成兩電極配線間的短路。
其次，針對氟樹脂膜26形成上所使用的塗佈液260簡單地加以說明。在將發光元件1覆晶組裝而得的發光裝置，從活性層射出的紫外線，係通過模板2，從藍寶石基板的裏面側射出、通過密封樹脂後放射到外部。因而，氟樹脂膜26的形成處，由於是位置在與該紫外線被射出的藍寶石基板的裏面相反的發光元件1的上面側，所以沒有必要密封樹脂使用對紫外線而言透明的氟樹脂。
但是，在覆晶組裝時的樹脂密封處理，由於在氟樹脂膜26形成後第1及第2金屬電極配線22,23之間的間隙部所殘存的空隙，也會被充填密封樹脂，所以，在本實施型態，作為塗佈液260所使用的氟樹脂，採用適 宜用作密封樹脂的非晶質氟樹脂。
非晶質氟樹脂，大致區分，有末端官能基具有對金屬不呈結合性的非反應性官能基之非結合性氟樹脂(第1型的非晶質氟樹脂)、與末端官能基具有對金屬可結合的反應性官能基之結合性氟樹脂(第2型的非晶質氟樹脂)等2種類。在本實施形態，作為一態樣例，係使用金屬原子遷移的抑制效果高的第1型的非晶質氟樹脂。
該第1型的非晶質氟樹脂，更具體而言，係聚合體或構成共聚合體的構造單位具有含氟脂肪族環構造、上述末端官能基為CF3等之全氟烷基。換言之，第1型的非晶質氟樹脂，並不具有對上述金屬呈結合性的反應性末端官能基。另一方面，上述第2型的非晶質氟樹脂的該反應性官能基，作為一例，係羧基(COOH)或酯基(COOR)。但是，R係表示烷基。
此外，具有含氟脂肪族環構造的構造單位，最好是基於環狀含氟單量體的單位(以下，「単位A」)，或者，利用二烯系含氟單量體的環化聚合所形成的單位(以下，「単位B」)。又，非晶質氟樹脂的組成及構造，由於並非本申請發明的本旨，有關該單位A及單位B的詳細說明則割愛，但因關於該單位A及單位B，在根據與本申請相同申請人的專利文獻1的段落〔0031〕~〔0062〕詳細說明，請參照。
塗佈液260，係將第1型的非晶質氟樹脂、在含氟溶媒、最好是非質子性含氟溶媒溶解而製作的。針對 該含氟溶媒，由於也在專利文獻1的段落〔0067〕~〔0073〕詳細地說明，請參照。又，塗佈液260中的第1型的非晶質氟樹脂的濃度，以氟樹脂膜26成為上述膜厚(0.1~1μm左右)之方式來調整。
作為第1型的非晶質氟樹脂市售品之一例，可列舉CYTOP(旭硝子(股)公司製)等。又，末端官能基為CF3之CYTOP，係以下的化學式1所示的上述單位B的聚合體。
Figure TWI677111B_D0001
經過以上的步驟，完成具備第1及第2金屬電極配線22,23、導線端子24,25、貫通電極27、及氟樹脂膜26之配線基板體20。
在配線基板體20完成之時點，由於複數副載具10為矩陣狀地配列並被一體化成1枚板狀之狀態，所以，經過指定的檢查步驟，利用雷射加工等周知的切斷或加工技術，藉由將基材21、沿著切斷領域RC切斷，或者，在切斷領域RC形成割斷用的溝後予以割斷，而得到個個副載具10。
又，也可以做成在將基材21切斷或割斷之 前，將發光元件1、覆晶組裝在配線基板體20的各副載具10，用密封樹脂密封後，因應必要而進行指定的檢查步驟。
發光元件1，將第1及第2電鍍電極7,8的各上面做成向下，第1電鍍電極7與第1電極墊120、4個第2電鍍電極8與4個第2電極墊130，藉由分別相對向焊接而電性地及物理性接續，並在基材11的中央部分上被載置、固定著。在圖12，顯示在副載具10覆晶組裝發光元件1，用密封樹脂17密封之狀態。在圖12，作為一例，密封樹脂17的上面，與密封樹脂17相同用氟樹脂製的聚光性透鏡18覆蓋著。氟樹脂製的透鏡18，可以利用例如射出成型、轉移成型、壓縮成型等來形成。該各成型用的成型模具，可以使用金屬模具、聚矽氧樹脂模具，或者該等的組合。此外，透鏡18，不限於氟樹脂製，具有適合於發光元件1發光波長的紫外線透過性之其他材料亦可，最好是，與密封樹脂17的折射率差較小者為佳，例如，石英玻璃製也不是不能使用。透鏡18，聚光性透鏡以外，因應使用目的而使光擴散的透鏡亦可，此外，不一定非設不可。
<第2實施型態>
其次，作為上述第1實施型態之一變形例，針對副載具10及配線基板體20的其他實施型態加以說明。關於第2實施型態之副載具10及配線基板體20，具有與第1實 施型態相同元件構造，但在配線基板體20的製造方法的第2製造步驟(氟樹脂膜26的製造步驟)之細部則不同於第1實施型態。以下，針對第2製造步驟之不同處加以說明。
在第1實施型態的第2製造步驟，利用步驟A1及A2，在基材21的表面側，在指定的遮罩處塗布不含阻止氟樹脂膜26形成的氟樹脂之遮罩材料31；而在第2實施型態，並不實施步驟A1及A2，亦即，不會在指定的遮罩處形成阻止氟樹脂膜26形成的遮罩材料31，再者，不實施步驟A3，亦即，不在基材21的表面側的全面，注入塗佈液260，而在必須形成氟樹脂膜26之處，例如，第1及第2金屬電極配線22,23間的上述第1部分，最好是上述第1部分與第2部分、或上述第1部分與第3部分，更好是，在上述第1、第2及第3部分，例如，利用噴墨方式，局部地、注入塗佈液260(步驟B3)。塗佈液260的注入量，設為不會覆蓋第1及第2金屬電極配線22,23的上面，而覆蓋上述第1部分等注入處的第1及第2金屬電極配線22,23側壁面的至少下端側之程度，並不一定要覆蓋直到該側壁面的上端之全面。
在利用步驟B3局部地注入塗佈液260後，依相同要領實行第1實施型態已說明的步驟A4。在第2實施型態，不要步驟A5及A6。藉此，讓覆蓋包含第1及第2金屬電極配線22,23間的上述第1部分、或上述第1部分與第2部分、或上述第1部分與第3部分、或上述第 1、第2及第3部分等之塗佈液260的注入處之第1及第2金屬電極配線22,23的間隙部的底面、及挾著該底面而相對向的第1及第2金屬電極配線22,23的側壁面的下端部之氟樹脂膜26形成。
在第2實施型態，當塗佈液260的注入量局部地增大時，在該處附近，塗佈液260覆蓋第1及第2金屬電極配線22,23的上面之可能性是有的。假設，塗佈液260會覆蓋第1及第2金屬電極配線22,23的上面之場合，在實行步驟A6之後，用CMP(化學機械研磨)法或種種機械研磨法等周知的研磨方法，以讓第1及第2金屬電極配線22,23的表面金屬膜221,231的最外面露出來、最外層的金屬(金)殘存在第1及第2金屬電極配線22,23的上面之方式，除去覆蓋該上面之氟樹脂膜26(步驟A7)。
又，在第2實施型態，進行步驟A7的研磨處理之場合，由於表面金屬膜221,231的最外層的金屬某種程度被研磨、薄膜化，而在將表面金屬膜221,231以無電解電鍍加以成膜時，最好是將最外層的膜厚做成比第1實施型態要厚。此外，取代將表面金屬膜221,231的最外層的膜厚作成比第1及第2實施型態要厚，或者，予以追加，而在步驟A7的研磨後，在表面金屬膜221,231的露出面，以無電解電鍍將最外層的金屬(金)再度成膜亦可。
<第3實施型態>
其次，作為上述第1實施型態之一變形例，針對副載具10及配線基板體20的其他實施型態，參照圖13加以說明。在上述第1實施型態的副載具10及配線基板體20，在包含切斷領域RC之遮罩處，形成遮罩材料31，氟樹脂膜26，則以至少不在切斷領域RC形成之方式作成。藉此，在將配線基板體20的基材21沿著切斷領域RC切斷或割斷時，在被分割的個個副載具10的外周端部，可以使氟樹脂膜26的外周端受到損傷而剝離防止於未然。
在第3實施型態，在上述第1實施形態的第2製造步驟，首先，在切斷領域RC與其側方領域上，作為氟樹脂膜26的底膜，而將由使用第1型的非晶質氟樹脂之與金屬的結合性比氟樹脂膜26要高的上述第2型的非晶質氟樹脂所構成之、或主要包含上述第2型的非晶質氟樹脂之第2氟樹脂膜32，例如，利用噴墨方式等加以形成(步驟C1)。接著，將遮罩材料31、至少不形成在切斷領域RC，亦即，設定不含切斷領域RC的遮罩處後，實行第2製造步驟的步驟A1及A2。之後，實行第1實施型態已說明的步驟A3~A6。第2氟樹脂膜32的膜厚，無須非必要地厚厚地形成，可以比氟樹脂膜26的膜厚要薄，例如，單層分子層的厚度即可，最好是做成0.01~0.5μm左右。
結果，在第3實施型態，如圖13所示，也在切斷領域RC與其側方領域上，介著第2氟樹脂膜32，形 成氟樹脂膜26。但是，在將配線基板體20沿著切斷領域RC切斷或割斷時，在被分割的個個副載具10的外周端部，即使氟樹脂膜26的外周端受到損傷，上述第2氟樹脂膜32會成為結合劑，而可以防止在配線基板體20外周端剝離之情事。又，第2氟樹脂膜32，若是在切斷領域RC的側方領域上被形成，便可以抑制上述的剝離。
又，在第3實施形態，在實行第2製造步驟的步驟A1及A2時，在遮罩處不包含切斷領域RC之場合，亦即，設想在切斷領域RC形成氟樹脂膜26之場合，但與第1實施型態同樣地，作成對著包含切斷領域RC的遮罩處，實行第2製造步驟的步驟A1及A2，氟樹脂膜26在切斷領域RC並不被形成亦可。
此外，第3實施型態，係作為第1或第2實施型態之一變形例來說明，但在上述第2實施型態，利用步驟B3的塗佈液260局部的注入，在也對切斷領域RC注入塗佈液260之場合，作成在步驟B3之前實行上述步驟C1亦可。
<第4實施型態>
其次，作為上述第1至第3實施型態之一變形例，針對副載具10及配線基板體20的其他實施型態，參照圖14及圖15加以說明。
在上述第1至第3實施型態，副載具10，係供將1個發光元件1覆晶組裝用的副載具，但在第4實施 型態，針對供將複數發光元件1串聯、並聯、或串並聯地覆晶組裝用之副載具加以說明。第4實施型態之副載具，因藉由組裝複數發光元件1，構成包含該複數發光元件1的電性電路，而為上述的配線基板之一型態。
在以下的說明，作為一例，針對將3個發光元件1串聯地接續之副載具40、與將該副載具40矩陣狀地配列並一體化成1枚板狀之配線基板體50加以說明。又，為說明的方便上，將3個發光元件1分別接續依序設為發光元件1a,1b,1c，發光元件1a的陰極與發光元件1b的陽極接續，發光元件1b的陰極與發光元件1c的陽極接續。藉此，發光元件1a的陽極與發光元件1c的陰極、成為發光元件1a,1b,1c串聯電路的陽極端子、陰極端子。
圖14，係顯示副載具40的俯視形狀之平面圖(A)、與顯示在該平面圖(A)之通過副載具40中心、平行於發光元件1的串聯方向、垂直於副載具40表面的剖面之剖面形狀之剖面圖(B)。在圖14所示之例，作為一例，副載具40的短邊長度係等於副載具10一邊的長度，而副載具40的長邊長度，則為副載具10一邊的長度的約3倍。
副載具40，係與第1實施型態的基材11相同具備由絕緣材料所構成的平板狀基材41(相當於絕緣性基材)，在基材41的表面側，分別形成第1至第4金屬電極配線42~45，在基材41的裏面側形成導線端子46,47。針對基材41，除了俯視形狀的大小以外，由於與第1 實施型態的基材11完全相同所以省略重複說明。
基材41表面側的第1及第4金屬電極配線42,45，係介著設在上述基材41的貫通電極(未圖示)，而與基材41裏面側的導線端子46,47各別地接續。在將副載具40載置在其他的配線基板等上之場合下，在該配線基板上的金屬配線與導線端子46,47之間形成電性地接續。此外，導線端子46,47，係覆蓋基材41裏面的大致全面、發揮散熱裝置的功能。第1至第4金屬電極配線42~45就相當於金屬膜。
在第4實施形態，係以第1金屬電極配線42是與發光元件1a的陽極之第1電鍍電極7接續，第2金屬電極配線43與發光元件1a的陰極之第2電鍍電極8與發光元件1b的陽極之第1電鍍電極7接續，第3金屬電極配線44與發光元件1b的陰極之第2電鍍電極8與發光元件1c的陽極之第1電鍍電極7接續，第4金屬電極配線45則與發光元件1c的陰極之第2電鍍電極8接續之方式，形成第1至第4金屬電極配線42~45的各俯視形狀。
具體而言，對比圖14(A)與圖3(A)可清楚明白，第1金屬電極配線42係具有與圖3(A)的第1金屬電極配線12同樣的俯視形狀，第2金屬電極配線43與第3金屬電極配線44、係具有將圖3(A)的第1金屬電極配線12與第2金屬電極配線13在上述串聯方向連結之俯視形狀，第4金屬電極配線45係具有與圖3(A)的第2金屬電極配線13同樣的俯視形狀。
再者，第1至第4金屬電極配線42~45，如圖14(A)所示，第1金屬電極配線42係由第1電極墊420與接續在此的第1配線部421所構成，第2金屬電極配線43係由5個第2電極墊430與接續在此等的第2配線部431所構成，第3金屬電極配線44係由5個第3電極墊440與接續在此等的第3配線部441所構成，第4金屬電極配線45係由4個第4電極墊450與接續在此等的第4配線部451所構成。
此外，第1至第4金屬電極配線42~45，在圖14並未圖示，但與第1及第2金屬電極配線12,13同樣地，作為一例，分別是由銅的厚膜電鍍膜、與覆蓋該厚膜電鍍膜表面(上面及側壁面)之1層或多層的表面金屬膜所構成。針對銅的厚膜電鍍膜與表面金屬膜，由於構造及其製作方法是與第1實施型態的第1及第2金屬電極配線12,13相同，所以省略重複說明。
在第4實施型態，基材41裏面側的導線端子46,47，也與基材41表面側的第1至第4金屬電極配線42~45同樣地，係由銅的厚膜電鍍膜、與覆蓋該厚膜電鍍膜表面(上面及側壁面)之1層或多層的表面金屬膜所構成。針對導線端子46,47的厚膜電鍍膜與表面金屬膜，由於構造及其製作方法是與第1實施型態的導線端子14,15相同，所以省略重複說明。
在第4實施型態，如圖15模式顯示，以覆蓋第1至第4金屬電極配線42~45的各側壁面、及在第1及 第2金屬電極配線42,43間、第2及第3金屬電極配線43,44間、第3及第4金屬電極配線44,45間的各間隙部的底面露出來的基材41的表面之方式形成氟樹脂膜48。
氟樹脂膜48，並沒有必要將第1至第4金屬電極配線42~45的各側壁面、以及在第1及第2金屬電極配線42,43間、第2及第3金屬電極配線43,44間、第3及第4金屬電極配線44,45間的各間隙部的底面露出來的基材41表面全部予以覆蓋，而至少，最好是覆蓋第1實施型態已說明之第1部分，較佳是第1部分與第2部分、或者第1與第3部，更好是第1、第2及第3部分、與挾著該部分而相對向的第1至第4金屬電極配線42~45的側壁面。
又，在第4實施型態，第1、第2及第3部分係分別、在第1及第2金屬電極配線42,43間、第2及第3金屬電極配線43,44間、以及第3及第4金屬電極配線44,45間，與第1實施型態的第1及第2金屬電極配線12,13間同樣地存在。氟樹脂膜48的材質及形成方法，由於與第1~第3實施型態的氟樹脂膜16相同，所以省略重複說明。
再者，副載具40之製造方法，也與第1~第3實施型態已說明之副載具10之製造方法相同，因而省略重複說明。
<第5實施型態>
作為本基台之一實施型態，針對搭載組裝並非第1實施型態已說明的發光元件1、而是1或複數個該發光元件1之第1實施型態已說明之副載具10或1或複數個第4實施型態已說明之副載具40之配線基板，參照圖16加以說明。在以下的說明，作為一例，藉由搭載第1實施型態已說明之副載具10，來說明被構成3個副載具10的串聯電路之配線基板50。又，為了說明的方便，將3個副載具10分別接續依序設為副載具10a,10b,10c。
圖16，係顯示配線基板50的俯視形狀之平面圖(A)、與顯示在該平面圖(A)之通過配線基板50中心，平行於副載具10的串聯方向、垂直於配線基板50表面之剖面之剖面形狀之剖面圖(B)。在圖16所示之例，作為一例，配線基板50的短邊係比副載具10的一邊要長，而配線基板50的長邊，則比副載具10一邊的長度的3倍要長。
配線基板50，係與第1實施型態的基材11相同具備由絕緣材料所構成的平板狀基材51(相當於絕緣性基材)，在基材51的表面側，分別形成第1至第4金屬電極配線52~55。不同於第1及第4實施型態之副載具10,40，在基材51的裏面側並不形成導線端子，為此，也並不具備貫通電極。針對基材51，除了俯視形狀的大小以外，由於與第1實施型態的基材11完全相同所以省略重複說明。
在第5實施形態，係以第1金屬電極配線52 是與副載具10a的陽極之導線端子14接續，第2金屬電極配線53與副載具10a的陰極之導線端子15與副載具10b的陽極之導線端子14接續，第3金屬電極配線54與副載具10b的陰極之導線端子15與副載具10c的陽極之導線端子14接續，第4金屬電極配線55則與副載具10c的陰極之導線端子15接續之方式，形成第1至第4金屬電極配線52~55的各俯視形狀。又，由於副載具10的導線端子14,15的俯視形狀為矩形，所以第1至第4金屬電極配線52~55的各俯視形狀也成為矩形。
第1至第4金屬電極配線52~55，在圖16並未圖示，但與第1實施型態的第1及第2金屬電極配線12,13同樣地，作為一例，分別是由銅的厚膜電鍍膜、與覆蓋該厚膜電鍍膜表面(上面及側壁面)之1層或多層的表面金屬膜所構成。針對銅的厚膜電鍍膜與表面金屬膜，由於構造及其製作方法也是與第1實施型態的第1及第2金屬電極配線12,13相同，所以省略重複說明。
在第5實施型態，以覆蓋在第1及第2金屬電極配線52,53間、第2及第3金屬電極配線53,54間、第3及第4金屬電極配線54,55間的各間隙部的底面露出來的基材51的表面，及挾著該表面而相對向的第1至第4金屬電極配線52~55的各側壁面之方式形成氟樹脂膜56。又，氟樹脂膜56，最好是做成覆蓋第1至第4金屬電極配線52~55的上面之內、未被使用在與副載具10的導線端子14,15接續之處，及上述以外的基材51的露 出面。氟樹脂膜56的材質及形成方法，由於與第1~第3實施型態的氟樹脂膜16相同，所以省略重複說明。
再者，配線基板50之製造方法，除了沒有形成導線端子與貫通電極的必要之點外，也與第1~第3實施型態已說明之副載具10之製造方法相同，因而省略重複說明。
<其他的實施型態>
以下，說明上述第1至第5實施型態的變形例。
<1>在上述第1至第5實施型態，說明作為氟樹脂膜16,48,56，在將發光元件1覆晶組裝時，是與樹脂密封所使用者相同、由非晶質氟樹脂所構成之場合，而來自發光元件1的紫外線發光，是向著與副載具10,40及配線基板50等的基台相反側被射出，氟樹脂膜16,48,56的形成處，由於並不位置於該光的射出路徑，所以不是由紫外線透過的非晶質氟樹脂所構成也無妨。換言之，氟樹脂膜16,48,56，係由對於紫外線，具有與上述的非晶質氟樹脂同樣的耐紫外線性的、具有結晶質部分之氟樹脂所構成也無妨。
<2>在上述第1至第5實施型態，說明作為氟樹脂膜16,48,56，使用末端官能基具有對金屬不呈結合性的非反應性官能基之非結合性氟樹脂(第1型的非晶質氟樹脂)之場合。但是，作為氟樹脂膜26，亦可一部分地，使用末端官能基具有對金屬呈結合性的反應性官能 基之結合性氟樹脂(第2型的非晶質氟樹脂)。
該場合，由於第2型的非晶質氟樹脂方面，其對金屬面的結合性、比第1型的非晶質氟樹脂要高，所以將氟樹脂膜16,48,56、作成第2型的非晶質氟樹脂與第1型的非晶質氟樹脂之2層構造，而在與第1及第2金屬電極配線12,13、第1至第4金屬電極配線42~45,52~55的側壁面直接接觸的第1層，形成膜厚極薄的第2型的非晶質氟樹脂膜，疊在其上、形成第1型的非晶質氟樹脂膜，這也是最佳的實施型態。該場合下，第1層與第2層的合計膜厚，與第1~第5實施型態所例示的氟樹脂膜16,48,56相同即可，第1層的膜厚，則為數原子層的厚度以上即可。第1層與第2層的非晶質氟樹脂膜的成膜，係可以藉由將第1實施型態已說明的第2製造步驟的步驟A3及A4、更換非晶質氟樹脂膜的上述型式而反覆進行2回之後，移行步驟A5而實現。又，在第2回的步驟A3，於第1回的步驟A4已形成的第1層原型樹脂膜261一部分溶解而膜厚變薄之可能性是有的，因而最好是成膜厚度成該第1層原型樹脂膜261不會全部溶解的程度。
<3>在上述第1至第5實施型態，在圖3(A)例示第1及第2金屬電極配線12,13的俯視形狀，在圖14(A)例示第1至第4金屬電極配線42~45的俯視形狀，在圖16(A)例示第1至第4金屬電極配線52~55的俯視形狀，但該等的俯視形狀，並非受限定於同圖所例式的形狀。該俯視形狀，係可以因應其上所搭載的發光元 件1或其他零件的端子的配置及形狀而酌情變更。因而，在上述第1至第4實施型態已說明的副載具10,40所搭載的發光元件，並不受限定於第1實施型態參照圖1及圖2已說明的構造的發光元件。此外，發光元件1的第1及第2電鍍電極7,8的頂視形狀，也不受限定於圖2例示之形狀。
此外，在上述第1至第4實施型態已說明的副載具10,40，將在形成密封樹脂之處在周圍，作成該密封樹脂不會超出該形成處的外側之樹脂堰體、形成在發光元件1搭載位置的周圍之場合，第1及第2金屬電極配線12,13或第1至第4金屬電極配線42~45，最好是以被收納到該樹脂堰體的內側之方式，設定各俯視形狀。
又，上述之樹脂堰體，由不會因紫外線導致劣化的材料來形成即可。例如，採用與基材11,41相同絕緣性材料或適於使用的其他絕緣性材料，以將發光元件1被搭載的中央部分環狀地包圍之副載具10,40的周邊部分，作成比該中央部分要厚之方式，來製作基材11,41，使該周邊部分作為樹脂堰體的功能亦可。此外，樹脂堰體，使用上述絕緣性材料以外的材料之場合，最好是使用對使用於密封樹脂形成的塗佈液具有撥液性之材料。
<4>在上述第1至第3實施型態，在第1製造步驟，在基材21形成貫通孔28之後，將第1及第2金屬電極配線22,23的厚膜電鍍膜220,230、導線端子24,25的厚膜電鍍膜240,250、貫通電極27的厚膜電鍍膜 270同時地形成，再者，將第1及第2金屬電極配線22,23的表面金屬膜221,231、導線端子24,25的表面金屬膜241,251、貫通電極27的表面金屬膜271同時地形成。但是，也可以作成在將第1及第2金屬電極配線22,23與導線端子24,25依照第1實施型態已說明的要領形成之前，在貫通孔28內，進行充填導電性材料等，形成貫通電極27。或者，並不將貫通孔28的全部用該導電性材料充填，而也可以作成只在貫通孔28的內部深處充填該導電性材料，在將貫通孔28做成非貫通狀態之後，實行上述第1製造步驟的厚膜電鍍膜及表面金屬膜的形成步驟。又，該其他實施型態的貫通電極27的形成順序，也能適用於第4實施形態的副載具40的貫通電極。
<5>在上述第4實施型態的副載具40，在基材41的裏面側設置導線端子46,47，但也可以做成將與外部接續用的導線端子46,47、在基材41的表面側形成，在裏面側並不設置導線端子46,47。再者，也可以做成取代導線端子46,47，將與外部接續用的連接治具設置在基材41端部的2處，而與第1及第4金屬電極配線42,45各別地接續。
再者，在上述第5實施型態的配線基板50，不另外設置與外部接續用的導線端子，而在基材51的裏面側設置該導線端子亦可。再者，也可以做成取代該導線端子，將與外部接續用的連接治具設置在基材51端部的2處，而與第1及第4金屬電極配線52,55各別地接續。
再者，在上述第4實施型態的副載具40或者第5實施型態的配線基板50，例示搭載3個發光元件1或3個副載具10、該3個發光元件1或3個副載具10的串聯電路被構成之場合，而所搭載的發光元件1或副載具10的個數、或被構成的電路的種類，並不受限定於上述第4及第5實施型態例示者。此外，副載具40或配線基板50所搭載的元件或電性電路零件，不受限定於發光元件1或副載具10。
<6>在上述第1至第3實施型態，例示因應必要，對基材21的表面側進行粗面化處理，或者，在表面未研磨下使用粗面狀態的基材21，但最好是除此之外、或取而代之，在基材21的表面側，將不貫通直到裏面側的穴或溝作為對密封樹脂的錨，利用雷射加工等加以形成。
<7>在上述第4及第5實施型態，將首先製作副載具40或配線基板50是配列成例如矩陣狀(包含僅在一方向配列之場合)並被1枚板狀地一體化之配線基板體、切斷或割斷該配線基板體後，製作出個個副載具40或配線基板50之場合，參照第1實施型態的副載具10的製造方法來設想。但是，在對於該配線基板體的基材的面積，副載具40或配線基板50的面積大，並無法2以上配列之場合等，也可以直接製作單體的副載具40或配線基板50。該場合，由於切斷領域RC不存在，所以在第2製造步驟的步驟A1及A2或步驟B1~B3的遮罩處，當然， 並不包含切斷領域RC。
遮罩處不包含切斷領域RC之場合，不限於直接製作單體的副載具40或配線基板50之場合，上述的遮罩處，不受限定於第1至第4金屬電極配線42~45,52~55的上面，而為了讓遮罩處的高度整齊，作為第2製造步驟的步驟A1的遮罩材料31的塗佈方法，例如可以採用，在面積比副載具40或配線基板50要大的平板狀板材的表面塗佈遮罩材料31，將該塗佈面壓抵在副載具40或配線基板50的表面，將遮罩材料31、從該板材的表面轉寫到第1至第4金屬電極配線42~45,52~55的上面的各遮罩處之方法。轉寫後，利用加熱或紫外線照射等，使遮罩材料31固貼在第1至第4金屬電極配線42~45,52~55的上面的各遮罩處。該場合下，遮罩材料31，黏度最好是在轉寫時不會滴落第1至第4金屬電極配線42~45,52~55的側壁面左右之黏度(1~100Pa‧s)。
[產業上利用可能性]
關於本發明之基台，係可以利用於發光中心波長約為365nm以下的發光二極體的組裝，對於伴隨紫外線發光動作之起因於被充填在基台的電極間的密封樹脂或其他樹脂組成物之電性特性劣化之防止上是有效的。

Claims (21)

  1. 一種配線基板體，係將包含覆晶組裝之晶片載板接合封裝組裝用、或者表面組裝用之基台被複數配列成矩陣狀，一體化被構成1枚板狀之配線基板體，其特徵為：前述基台，係具備絕緣性基材、與在前述絕緣性基材一方的面上被形成之相互電性地分離之2以上的金屬膜而成；在至少前述絕緣性基材之前述一方的面側的表面露出來的表層部，是由不會因被紫外線照射而劣化之材質所構成；前述2以上的金屬膜，上面與側壁面是由金或白金族金屬所覆蓋，且，可以搭載1個或複數氮化物半導體發光元件或將氮化物半導體發光元件覆晶組裝而成的1個或複數副載具，全體上，被形成包含2以上的電極墊之指定的俯視形狀；在前述絕緣性基材前述一方的面上，沿著不被前述金屬膜所覆蓋的前述絕緣性基材的露出面與前述金屬膜的側壁面之邊界線，至少，與前述邊界線連續的前述絕緣性基材的前述露出面相鄰接的2個前述電極墊所挾之第1部分、與挾著前述第1部分而相對向之前述金屬膜的前述側壁面，是由氟樹脂所覆蓋；構成前述金屬膜的上面的至少前述電極墊之處，並不被前述氟樹脂膜所覆蓋，在成為前述絕緣性基材之絕緣性基材板上，將每1個前述基台的前述2以上金屬膜矩陣狀地周期性地配列形成；在前述絕緣性基材板上的前述基台1個分的單位區劃相鄰接的單位區劃間的邊界線上設置格子狀的切斷領域，在前述切斷領域，並不形成前述氟樹脂膜。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之配線基板體，其中前述2以上的電極墊內的1對電極墊，係以前述1或複數氮化物半導體發光元件之內的1個氮化物半導體發光元件或者前述1或複數副載具之內的1個副載具的n側電極與P側電極，各別地、電性地且物理性地接續起來之方式，而在前述絕緣性基材的表面被形成。
  3. 如申請專利範圍第1或2項記載之配線基板體，其中在各別地包含前述2以上的電極墊之內的1對電極墊之1對前述金屬膜之間露出來之前述絕緣性基材的露出面之內，至少，1對前述金屬膜之間的距離為前述1對電極墊間之離間距離的最大值以下之第2部分、與挾著前述第2部分而相對向之前述金屬膜的前述側壁面，係被前述氟樹脂膜覆蓋著。
  4. 如申請專利範圍第1或2項記載之配線基板體，其中前述氟樹脂膜，係具有由以含氟脂肪族環構造為構造單位的聚合體或共聚合體所構成之非晶質氟樹脂。
  5. 如申請專利範圍第1或2項記載之配線基板體，其中前述氟樹脂膜，係包含構成氟樹脂的聚合體或共聚合體的末端官能基對金屬不呈結合性之非反應性末端官能基之第1型的氟樹脂。
  6. 如申請專利範圍第1或2項記載之配線基板體，其中前述氟樹脂膜係由2層以上層積膜所形成；與前述金屬膜接觸之前述層積膜的第1層樹脂膜，是包含構成氟樹脂的聚合體或共聚合體的末端官能基對金屬呈結合性之反應性末端官能基之第2型的氟樹脂；前述層積膜的第2層以下的樹脂膜，是包含構成氟樹脂的聚合體或共聚合體的末端官能基、對金屬不呈結合性之非反應性末端官能基之第1型的氟樹脂。
  7. 如申請專利範圍第1或2項記載之配線基板體，其中在前述基台的外周端緣部的上面，作為前述氟樹脂膜的底膜，而形成包含構成氟樹脂的聚合體或共聚合體的末端官能基對金屬呈結合性的反應性末端官能基的第2型的氟樹脂之第2氟樹脂膜。
  8. 一種基台之製造方法，係包含覆晶組裝之晶片載板接合封裝組裝用、或者表面組裝用之基台之製造方法，其特徵係：具備第1步驟與第2步驟；前述基台，係具備絕緣性基材、與在前述絕緣性基材一方的面上被形成之相互電性地分離之2以上的金屬膜而成；在至少前述絕緣性基材前述一方的面側的表面露出來的表層部，是由不會因被紫外線照射而劣化之材質所構成；前述2以上的金屬膜，上面與側壁面是由金或白金族金屬所覆蓋，且，可以搭載1個或複數氮化物半導體發光元件或將氮化物半導體發光元件覆晶組裝而成的1個或複數副載具，全體上，被形成包含2以上的電極墊之指定的俯視形狀；在前述絕緣性基材前述一方的面上，沿著不被前述金屬膜所覆蓋的前述絕緣性基材的露出面與前述金屬膜的側壁面之邊界線，至少，與前述邊界線連續的前述絕緣性基材的前述露出面相鄰接的2個前述電極墊所挾之第1部分、與挾著前述第1部分而相對向之前述金屬膜的前述側壁面，是由氟樹脂所覆蓋；構成前述金屬膜的上面的至少前述電極墊之處，並不被前述氟樹脂膜所覆蓋，於前述第1步驟，在成為前述絕緣性基材之絕緣性基材板上，藉由將每1個前述基台的前述2以上金屬膜矩陣狀地周期性地配列形成，對前述基台之各個，在前述絕緣性基材之前述一方的面上被形成前述2以上的金屬膜；於前述第2步驟，在前述絕緣性基材板上的前述基台1個分的單位區劃相鄰接的單位區劃間的邊界線上設置的格子狀切斷領域，形成阻止前述氟樹脂膜形成之第2遮罩材料；在前述第2遮罩材料形成後的前述絕緣性基材的前述一方的面上，塗布包含構成前述氟樹脂膜的氟樹脂之塗佈液；在使前述塗佈液乾燥並形成前述氟樹脂覆膜後，藉由除去前述第2遮罩材料與在前述第2遮罩材料上被形成的前述氟樹脂覆膜的一部分，對前述基台之各個，在前述絕緣性基材上之前述一方的面上，沿著不被前述金屬膜覆蓋著的前述絕緣性基材的露出面與前述金屬膜的側壁面之邊界線，至少，將在與前述邊界線連續的前述絕緣性基材的前述露出面相鄰接的2個前述電極墊所挾著的第1部分、與挾著前述第1部分而相對向的前述金屬膜的前述側壁面，由前述氟樹脂膜予以覆蓋。
  9. 如申請專利範圍第8項記載之基台之製造方法，其中在前述第2步驟，在構成前述金屬膜的上面的至少前述電極墊之處，形成阻止前述氟樹脂膜形成之第1遮罩材料；在前述第1遮罩材料形成後的前述絕緣性基材的前述一方的面上，塗布包含構成前述氟樹脂膜的氟樹脂之塗佈液；在使前述塗佈液乾燥並形成前述氟樹脂覆膜後，除去前述第1遮罩材料與在前述第1遮罩材料上被形成的前述氟樹脂覆膜的一部分。
  10. 如申請專利範圍第8項記載之基台之製造方法，其中在前述第2步驟，在前述絕緣性基材的前述一方的面上，塗布包含構成前述氟樹脂膜的氟樹脂之塗佈液；在使前述塗佈液乾燥並形成前述氟樹脂覆膜後，將在前述金屬膜的上面上被形成的前述氟樹脂覆膜的一部分利用研磨予以除去。
  11. 如申請專利範圍第9項記載之基台之製造方法，其中前述第1遮罩材料係由不含氟樹脂的樹脂組成物所構成；在前述第2步驟，將前述第1遮罩材料、利用不溶解前述氟樹脂膜的有機溶劑予以溶解並除去。
  12. 一種基台之製造方法，係包含覆晶組裝之晶片載板接合封裝組裝用、或者表面組裝用之基台之製造方法，其特徵係：具備第1步驟與第2步驟；前述基台，係具備絕緣性基材、與在前述絕緣性基材一方的面上被形成之相互電性地分離之2以上的金屬膜而成；在至少前述絕緣性基材前述一方的面側的表面露出來的表層部，是由不會因被紫外線照射而劣化之材質所構成；前述2以上的金屬膜，上面與側壁面是由金或白金族金屬所覆蓋，且，可以搭載1個或複數氮化物半導體發光元件或將氮化物半導體發光元件覆晶組裝而成的1個或複數副載具，全體上，被形成包含2以上的電極墊之指定的俯視形狀；在前述絕緣性基材前述一方的面上，沿著不被前述金屬膜所覆蓋的前述絕緣性基材的露出面與前述金屬膜的側壁面之邊界線，至少，與前述邊界線連續的前述絕緣性基材的前述露出面相鄰接的2個前述電極墊所挾之第1部分、與挾著前述第1部分而相對向之前述金屬膜的前述側壁面，是由氟樹脂所覆蓋；構成前述金屬膜的上面的至少前述電極墊之處，並不被前述氟樹脂膜所覆蓋，在前述第1步驟，在成為前述絕緣性基材之絕緣性基材板上，藉由將每1個前述基台的前述2以上金屬膜矩陣狀地周期性地配列形成，對前述基台之各個，在前述絕緣性基材之前述一方的面上被形成前述2以上的金屬膜；在前述第2步驟，至少，在前述絕緣性基材板上的前述基台1個分的單位區劃相鄰接的單位區劃間的邊界線上被設置的格子狀的切斷領域、與構成前述金屬膜的上面的至少前述電極墊之處，形成阻止前述氟樹脂膜形成之第2遮罩材料；在前述第2遮罩材料形成後的前述絕緣性基材的前述一方的面上，塗布包含構成前述氟樹脂膜的氟樹脂之塗佈液；在使前述塗佈液乾燥並形成前述氟樹脂覆膜後，藉由除去前述第2遮罩材料與在前述第2遮罩材料上被形成的前述氟樹脂覆膜的一部分，對前述基台之各個，在前述絕緣性基材上之前述一方的面上，沿著不被前述金屬膜覆蓋著的前述絕緣性基材的露出面與前述金屬膜的側壁面之邊界線，至少，將在與前述邊界線連續的前述絕緣性基材的前述露出面相鄰接的2個前述電極墊所挾著的第1部分、與挾著前述第1部分而相對向的前述金屬膜的前述側壁面，由前述氟樹脂膜予以覆蓋。
  13. 如申請專利範圍第8、9或12項記載之基台之製造方法，其中前述第2遮罩材料係由不含氟樹脂的樹脂組成物所構成；在前述第2步驟，將前述第2遮罩材料、利用不溶解前述氟樹脂膜的有機溶劑予以溶解並除去。
  14. 如申請專利範圍第8、9或12項記載之基台之製造方法，其中在前述第1步驟，在成為前述絕緣性基材之絕緣性基材板上，將每1個前述基台的前述2以上金屬膜矩陣狀地周期性地配列形成；在前述第1步驟與前述第2步驟之間，在前述切斷領域與其側方領域，或者，前述切斷領域的側方領域，作為前述氟樹脂膜的底膜，形成包含構成氟樹脂的聚合體或共聚合體的末端官能基對金屬呈結合性之反應性末端官能基之第2型的氟樹脂之第2氟樹脂膜。
  15. 如申請專利範圍第8、9或12項記載之基台之製造方法，其中前述第2步驟之後，沿著前述切斷領域切斷或割斷前述絕緣性基材板，分割成個個前述基台。
  16. 如申請專利範圍第8、9或12項記載之基台之製造方法，其中前述2以上的電極墊內的1對電極墊，係以前述1或複數氮化物半導體發光元件之內的1個氮化物半導體發光元件或者前述1或複數副載具之內的1個副載具的n側電極與p側電極，各別地、電性地且物理性地接續起來之方式，而在前述絕緣性基材的表面被形成。
  17. 如申請專利範圍第8、9或12項記載之基台之製造方法，其中在各別地包含前述2以上的電極墊之內的1對電極墊之1對前述金屬膜之間露出來之前述絕緣性基材的露出面之內，至少，1對前述金屬膜之間的距離為前述1對電極墊間之離間距離的最大值以下之第2部分、與挾著前述第2部分而相對向之前述金屬膜的前述側壁面，係被前述氟樹脂膜覆蓋著。
  18. 如申請專利範圍第8、9或12項記載之基台之製造方法，其中前述氟樹脂膜，係具有由以含氟脂肪族環構造為構造單位的聚合體或共聚合體所構成之非晶質氟樹脂。
  19. 如申請專利範圍第8、9或12項記載之基台之製造方法，其中前述氟樹脂膜，係包含構成氟樹脂的聚合體或共聚合體的末端官能基對金屬不呈結合性之非反應性末端官能基之第1型的氟樹脂。
  20. 如申請專利範圍第8、9或12項記載之基台之製造方法，其中前述氟樹脂膜係由2層以上層積膜所形成；與前述金屬膜接觸之前述層積膜的第1層樹脂膜，是包含構成氟樹脂的聚合體或共聚合體的末端官能基對金屬呈結合性之反應性末端官能基之第2型的氟樹脂；前述層積膜的第2層以下的樹脂膜，是包含構成氟樹脂的聚合體或共聚合體的末端官能基、對金屬不呈結合性之非反應性末端官能基之第1型的氟樹脂。
  21. 如申請專利範圍第8、9或12項記載之基台之製造方法，其中在前述基台的外周端緣部的上面，作為前述氟樹脂膜的底膜，而形成包含構成氟樹脂的聚合體或共聚合體的末端官能基對金屬呈結合性的反應性末端官能基的第2型的氟樹脂之第2氟樹脂膜。
TW105124472A 2015-08-03 2016-08-02 配線基板體及基台之製造方法 TWI677111B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-153700 2015-08-03
JP2015153700 2015-08-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201719936A TW201719936A (zh) 2017-06-01
TWI677111B true TWI677111B (zh) 2019-11-11

Family

ID=57943246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105124472A TWI677111B (zh) 2015-08-03 2016-08-02 配線基板體及基台之製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10412829B2 (zh)
JP (1) JP6546660B2 (zh)
CN (1) CN107851693B (zh)
TW (1) TWI677111B (zh)
WO (1) WO2017022755A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3528297B1 (en) * 2016-11-22 2021-05-19 National Institute of Information and Communications Technology Light-emitting module provided with semiconductor light-emitting element that emits deep ultraviolet light
JP6968893B2 (ja) * 2017-08-30 2021-11-17 創光科学株式会社 発光装置
JP7057488B2 (ja) 2017-09-27 2022-04-20 日亜化学工業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
CN115663090A (zh) * 2018-09-04 2023-01-31 厦门市三安光电科技有限公司 一种紫外发光二极管封装结构及其制作方法
CN112909137B (zh) * 2021-01-22 2023-05-30 南昌大学 一种用于可见光通信的led芯片结构

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201031031A (en) * 2009-02-10 2010-08-16 Nichia Corp Semiconductor light emitting device
JP2012227293A (ja) * 2011-04-18 2012-11-15 Ibiden Co Ltd ソルダーレジスト、ソルダーレジスト原料、ｌｅｄ基板、発光モジュール、発光モジュールを有する機器、ｌｅｄ基板の製造方法、発光モジュールの製造方法、及び発光モジュールを有する機器の製造方法
TW201340425A (zh) * 2011-11-07 2013-10-01 Panasonic Corp 配線板及使用其之發光裝置以及該等之製造方法
WO2014178288A1 (ja) * 2013-04-30 2014-11-06 創光科学株式会社 紫外線発光装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060138443A1 (en) 2004-12-23 2006-06-29 Iii-N Technology, Inc. Encapsulation and packaging of ultraviolet and deep-ultraviolet light emitting diodes
JP5020480B2 (ja) 2005-06-14 2012-09-05 電気化学工業株式会社 蛍光体組成物とその用途
JP4711208B2 (ja) 2006-03-17 2011-06-29 山栄化学株式会社 感光性熱硬化性樹脂組成物、並びにレジスト膜被覆平滑化プリント配線基板及びその製造法。
JP2007311707A (ja) 2006-05-22 2007-11-29 Ushio Inc 紫外線発光素子パッケージ
KR100850243B1 (ko) * 2007-07-26 2008-08-04 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US8080436B2 (en) * 2009-07-30 2011-12-20 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
US8455908B2 (en) 2011-02-16 2013-06-04 Cree, Inc. Light emitting devices
KR101969334B1 (ko) * 2011-11-16 2019-04-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 발광 장치
JP6225453B2 (ja) * 2012-05-24 2017-11-08 日亜化学工業株式会社 半導体装置
US20150024385A1 (en) * 2013-07-22 2015-01-22 Wisconsin Alumni Research Foundation Prediction of fertility in males
JP6094415B2 (ja) 2013-07-24 2017-03-15 豊田合成株式会社 配線基板および基板モジュール
JP6451579B2 (ja) * 2015-09-30 2019-01-16 日亜化学工業株式会社 発光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201031031A (en) * 2009-02-10 2010-08-16 Nichia Corp Semiconductor light emitting device
JP2012227293A (ja) * 2011-04-18 2012-11-15 Ibiden Co Ltd ソルダーレジスト、ソルダーレジスト原料、ｌｅｄ基板、発光モジュール、発光モジュールを有する機器、ｌｅｄ基板の製造方法、発光モジュールの製造方法、及び発光モジュールを有する機器の製造方法
TW201340425A (zh) * 2011-11-07 2013-10-01 Panasonic Corp 配線板及使用其之發光裝置以及該等之製造方法
WO2014178288A1 (ja) * 2013-04-30 2014-11-06 創光科学株式会社 紫外線発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10412829B2 (en) 2019-09-10
CN107851693B (zh) 2020-02-18
WO2017022755A1 (ja) 2017-02-09
JP6546660B2 (ja) 2019-07-17
CN107851693A (zh) 2018-03-27
US20180199433A1 (en) 2018-07-12
TW201719936A (zh) 2017-06-01
JPWO2017022755A1 (ja) 2018-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI677111B (zh) 配線基板體及基台之製造方法
JP5985782B1 (ja) 窒化物半導体紫外線発光素子及び窒化物半導体紫外線発光装置
TWI667813B (zh) 氮化物半導體晶圓及其製造方法、及氮化物半導體紫外線發光元件及裝置
US9224919B2 (en) Semiconductor light emitting device
US20090218588A1 (en) Chip-scale packaged light-emitting devices
TWI652838B (zh) Nitride semiconductor ultraviolet light emitting device and method of manufacturing same
TWI699011B (zh) 半導體發光裝置
JP2013045888A (ja) 発光装置及びその製造方法
TW201633571A (zh) 半導體發光裝置
US20200321491A1 (en) Nitride semiconductor ultraviolet light emitting device and method for manufacturing same
US9444017B2 (en) Semiconductor light emitting device with a film having a roughened surface
US9831379B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
WO2018003228A1 (ja) 紫外線発光装置及びその製造方法
CN104952985A (zh) 半导体发光装置及其制造方法
US20230015476A1 (en) Semiconductor Device and Procedures to its Manufacture
KR101647068B1 (ko) 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법
KR101461156B1 (ko) 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법