CN107851693B - 氮化物半导体发光元件用的基台及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

防止伴随紫外线发光动作的起因于电极间被填充的树脂的电特性劣化。一种具备绝缘性基材(11)、与在基材(11)的一侧面上被形成的相互地电分离的2个以上金属膜(12、13)而成的基台(10)；金属膜为上面和侧壁面被金或铂族金属覆盖，可以搭载1个以上氮化物半导体发光元件等、整体而言被形成包含2个以上电极垫的规定俯视形状，在基材(11)的一侧面上，沿着不被金属膜(12、13)覆盖的基材(11)的露出面与金属膜(12、13)的侧壁面的边界线，至少，与所述边界线连续的基材(11)的露出面相邻接的2个电极垫所夹的第1部分、和夹着所述第1部分而相对置的金属膜(12、13)的侧壁面，由氟树脂膜(16)覆盖，金属膜(12、13)的上面的至少构成电极垫之处，不被氟树脂膜(16)覆盖。

Description

氮化物半导体发光元件用的基台及其制造方法
技术领域
本发明涉及被使用于安装氮化物半导体发光元件，特别是，发光中心波长约为365nm以下的氮化物半导体紫外线发光元件的副基座及布线基板等基台及其制造方法。
背景技术
以往，对于LED(发光二极管)或半导体激光器等的氮化物半导体发光元件而言，大量存在在蓝宝石等基板上利用外延生长形成有由多个氮化物半导体层所构成的发光元件结构的氮化物半导体发光元件(例如，参照下述的非专利文献1、非专利文献2)。氮化物半导体层可以由通式Al1-x-yGaxInyN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)来表示。
发光元件结构，是在n型氮化物半导体层与p型氮化物半导体层之间，具有夹着由单量子阱结构(SQW：Single-Quantum-Well)或多重量子阱结构(MQW：Multi-Quantum-Well)的氮化物半导体层构成的活性层的双异质结构。活性层为AlGaN系半导体层的情况下，通过调整AlN摩尔分率(也称Al组成比)，可以在以GaN与AlN取得的带隙能量(约3.4eV和约6.2eV)分别作为下限及上限的范围内对带隙能量进行调整，得到发光波长从约200nm到约365nm的紫外线发光元件。具体而言，通过从p型氮化物半导体层向n型氮化物半导体层流过正向电流，在活性层会产生根据上述带隙能量的发光。
作为氮化物半导体紫外线发光元件的安装方式，一般采用倒装芯片安装(例如，参照下述专利文献1的图4等)。在倒装芯片安装中，来自活性层的发光透过带隙能量比活性层大的AlGaN系氮化物半导体及蓝宝石基板等，而被取出到元件外。因此，在倒装芯片安装中，使蓝宝石基板朝上、使朝向芯片上面侧被形成的p侧及n侧的各电极面朝下，芯片侧的各电极面与副基座等的封装部件侧的电极垫，经由在各电极面上形成的金属突起，而被电连接且物理连接起来。
此外，在下述专利文献1公开的倒装芯片安装中，1个副基座搭载有1个氮化物半导体紫外线发光元件的裸芯片。但是，在1个副基座或布线基板上搭载多个裸芯片，将多个发光元件串联、并联、或者串并联(串联与并联的组合)地连接的利用COB(芯片内装)形式的安装方式，也多被采用于LED照明装置或液晶背光等(例如，参照下述的专利文献2及3)。
再者，不限于发光元件，在用于表面安装电子部件用的印刷布线板中，通过在绝缘性基板上形成金属等导电性材料的布线图案，在将该布线图案中的电子部件等进行表面安装的安装处(称为垫片或连接盘等)，将表面安装部件的端子或电极通过焊接等物理连接、电连接，来进行该电子部件的表面安装。在此，一般而言，在该形成有布线图案的基板表面形成阻焊层，防止该布线图案间的焊料造成的短路。此外，在搭载发光元件的副基座或布线基板中，使用被着为白色的阻焊剂，实现上述防止短路与改善发光特性两者(例如，参照下述的专利文献4)。
此外，氮化物半导体紫外线发光元件，一般而言，如下述专利文献5的图4、6及7等，或者，下述专利文献6的图2、4及6等所公开的方式，被氟系树脂或有机硅树脂等的紫外线透过性树脂密封而供于实用。该密封树脂，将内部的紫外线发光元件加以保护免于外部氛围影响，防止因水分的浸入或氧化等造成的发光元件劣化。再者，该密封树脂，也有缓和因聚光透镜与紫外线发光元件之间的折射率差、或者紫外线的照射对象空间与紫外线发光元件之间的折射率差引起的光的反射损失，而被设置为用于实现提高光的取出效率的折射率差缓和材料的情况。此外，也可以将该密封树脂的表面成形成球面等聚光性曲面，来提高照射效率。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2014/178288号公报
专利文献2：日本特开2015-023265号公报
专利文献3：日本特开2015-503840号公报
专利文献4：日本特开2007-249148号公报
专利文献5：日本特开2007-311707号公报
专利文献6：美国专利申请案公开第2006/0138443号说明书
专利文献7：日本特开2006-348088号公报
非专利文献
非专利文献1：Kentaro Nagamatsu,etal.,“High-efficiency AlGaN-based UVlight-emitting diode on laterally overgrown AlN”,Journal of Crystal Growth,2008,310,pp.2326-2329
非专利文献2：Shigeaki Sumiya,etal.,“AlGaN-Based Deep UltravioletLight-Emitting Diodes Grown on Epitaxial AlN/Sapphire Templates”,JapaneseJournal of Applied Physics,Vol.47,No.1,2008,pp.43-46
发明内容
发明所要解决的问题
如上所述，提出了作为紫外线发光元件的密封树脂，使用氟系树脂及有机硅树脂等，但已知对于有机硅树脂而言，若大量地照射高能量的紫外线，则促使其劣化。特别是，紫外线发光元件的高输出化正被推进，因照射紫外线所造成的劣化有加速的倾向，此外，由于伴随高输出化而来的消耗电力增加导致发热也会增加，该发热造成的密封树脂劣化也成为问题。
此外，氟系树脂的耐热性优良、紫外线耐性也高是公知的，但是聚四氟乙烯等一般的氟树脂不透明。该氟系树脂，由于聚合物链为直线性且刚直、容易结晶化，所以结晶质部分与非晶质部分混合存在，光散射在其界面而成为不透明。
因此，例如在上述专利文献7中提出，作为紫外线发光元件的密封树脂，通过使用非晶质的氟树脂，来提高对紫外线的透明性。作为非晶质的氟树脂，可列举将结晶性聚合物的氟树脂共聚化使之非晶质化成为聚合物合金的氟树脂、或全氟二氧杂环戊烯的共聚物(杜邦公司制的商品名Teflon AF(注册商标))或全氟丁烯基乙烯基醚的环化聚合物(旭硝子公司制的商品名cytop(注册商标))。后者的环化聚合物氟树脂，由于主链中具有环状结构，所以容易成为非晶质、透明性高。
非晶质氟树脂大致分为具有对金属可结合的官能团的结合性氟树脂、和具有对金属难结合性的官能团的非结合性氟树脂2种。在搭载LED芯片的基台表面及覆盖LED芯片的部分，通过使用结合性氟树脂，可以提高基台等金属表面与氟树脂间的结合性。另外，在本发明中，所谓对金属的“结合性”的用语，包括具有与金属接口的亲和性的意思内容。同样地，所谓对金属的“非结合性”的用语，包括不具有与金属接口的亲和性的意思内容。
另一方面，在上述专利文献1中报道，在将末端官能团具有对金属呈结合性的反应性官能团的结合性的非晶质氟树脂使用在覆盖氮化物半导体的紫外线发光元件的垫片电极之处的情况下，向分别连接在紫外线发光元件的p电极及n电极的金属电极布线间施加正向电压而进行紫外线发光动作时，发生紫外线发光元件的电特性上的劣化。具体而言，确认到在紫外线发光元件的p电极及n电极间形成有电阻性的漏电流路径。根据上述专利文献1，认为在非晶质氟树脂为结合性的非晶质氟树脂时，在被高能量的紫外线照射的该结合性的非晶质氟树脂中，由于光化学反应而反应性的末端官能团会分离、自由基化，引发与构成垫片电极的金属原子配位结合，而该金属原子会从垫片电极分离，此外认为，发光动作中在垫片电极间施加电场的结果是，引发该金属原子迁移，形成电阻性的漏电流路径，紫外线发光元件的p电极及n电极间会短路。
另外，上述的构成垫片电极的金属原子的迁移引起的紫外线发光元件垫片电极间的短路现象，是发光元件侧的问题，而在搭载该发光元件的副基座及布线基板等基台侧的金属布线图案间，在会被高能量紫外线照射的环境下，若将发光元件侧的垫片电极与基台侧的金属布线(垫片)间进行接合的焊接材料中包含锡等比金或铂族金属更易迁移的金属，则会发生构成该焊接材料的金属原子的迁移引起的短路。
再者，作为阻焊剂通常采用的树脂组成物，含有环氧系树脂作为主成分，当被高能量紫外线照射时会碳化。因此，在搭载紫外线发光元件的副基座及布线基板等中使用该通常的阻焊剂时，在会被紫外线照射的环境下，则有基台侧的金属布线图案间因该碳化而造成短路的可能。此外认为，由于环氧系树脂对金属布线图案面具有结合性，所以与上述的结合性非晶质氟树脂的电极间的短路现象同样的短路现象，也会在该副基座及布线基板等的金属布线图案间发生。
本发明是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于防止伴随紫外线发光动作的基台侧金属布线间的短路，提供一种高质量、高可靠度的紫外线发光装置。
用于解决课题的手段
为了达成上述目的，本发明提供一种基台的第1特征在于，具备绝缘性基材、和在所述绝缘性基材一侧面上被形成的相互电分离的2个以上的金属膜而成的、包括倒装芯片安装的芯片内装安装用或表面安装用的基台，至少在所述绝缘性基材所述一侧面侧的表面露出的表层部，由不因被紫外线照射而劣化的材质所构成；所述2个以上的金属膜的上面和侧壁面由金或铂族金属覆盖，并且，所述2个以上的金属膜可以搭载1个或多个氮化物半导体发光元件或者将氮化物半导体发光元件倒装芯片安装而成的1个或多个副基座，整体上，被形成包含2个以上的电极垫的规定的俯视形状；在所述绝缘性基材的所述一侧面上，沿着不被所述金属膜覆盖的所述绝缘性基材的露出面与所述金属膜的侧壁面的边界线，至少，在与所述边界线连续的所述绝缘性基材的所述露出面相邻接的2个所述电极垫所夹着的第1部分、和夹着所述第1部分而相对置的所述金属膜的所述侧壁面，由氟树脂膜进行覆盖，所述金属膜的上面的至少构成所述电极垫之处不被所述氟树脂膜覆盖。
根据上述第1特征的基台，由于2个以上的金属膜的上面之内、成为2个以上的电极垫的面，实际上成为将芯片状的氮化物半导体发光元件或芯片状的氮化物半导体发光元件进行倒装芯片安装而成的副基座(以下，为了容易说明，简单地称作“被安装元件等”)的端子(n侧电极与p侧电极)利用焊接等而连接起来的位置，所以，在搭载被安装元件等后，在基台的电极垫上存在焊接材料。在此，在成为电极垫的金属膜的侧壁面不被氟树脂膜覆盖的情况下，该焊接材料有可能会附着在该侧壁面，最坏的情况是有可能也附着在相对置的金属膜的侧壁面间的绝缘性基材的露出面(相当于第1部分)。在对被安装元件等进行树脂密封时，有可能密封树脂被填充于该金属膜间。假设，该密封树脂包含具有对金属呈结合性的末端官能团的树脂的情况下，即使邻接的金属膜间并不因该焊接材料而直接短路，通过该树脂被从氮化物半导体发光元件射出的紫外线照射，诱发构成上述焊接材料的金属原子的迁移，作为伴随发光动作的经时变化，该邻接的金属膜间也有可能短路。
另一方面，在该焊接材料存在于邻接的金属膜的电极垫的上面的情况下，焊接材料中金属原子的基台侧的迁移路径成为连接各金属膜的侧壁面与该侧壁面间的绝缘性基材的露出面的路径。在沿着各金属膜的侧壁面的路径中，由于该侧壁面上为同电位，不会产生电场，所以沿着该侧壁面的路径越长，在沿着该侧壁面的路径中的金属原子的迁移越不易发生。
因此，根据上述第1特征的基台，由于上述金属膜的侧壁面及相对置的金属膜的侧壁面间的绝缘性基材的露出面被氟树脂膜覆盖，所以，该氟树脂膜作为阻焊剂发挥功能，能够对焊接材料附着到金属膜的侧壁面或相对置的金属膜的侧壁面间的绝缘性基材的露出面(相当于第1部分)防止于未然。即，由于焊接材料留在不易产生金属原子迁移的电极垫的上面，所以，焊接材料中的金属原子迁移的发生会被抑制，使上述邻接的金属膜间短路的可能性大幅降低。
此外，由于氟树脂膜对紫外线的耐性高，因此即使假设紫外线射入相对置的金属膜的侧壁面间也不易劣化，所以，相比于使用氟树脂以外的树脂作为阻焊剂的情况，可以较高地维持在上述第1特征的基台搭载紫外线发光元件而成的发光装置或发光模块的可靠性。
再者，由于绝缘性基材的表层部对紫外线的耐性高，因此即使假设紫外线射入绝缘性基材的所述一侧面也不易劣化，所以，可以较高地维持在上述第1特征的基台搭载紫外线发光元件而成的发光装置或发光模块的可靠性。
再者，根据上述第1特征的基台，由于上述金属膜的上面和侧壁面被高熔点且离子化倾向低、不易迁移的金或铂族金属覆盖，所以，由于构成金属膜的金属原子的迁移使邻接的金属膜间达到短路的可能性也被确实地降低。
再者，上述第1特征的基台优选为以下的情形，所述2个以上的电极垫内的1对电极垫，以所述1个或多个氮化物半导体发光元件之内的1个氮化物半导体发光元件或者所述1个或多个副基座之内的1个副基座的n侧电极与p侧电极，分别电连接且物理连接起来的方式，被形成于所述绝缘性基材的表面。通过该适宜的情形，基台为倒装芯片安装1个氮化物半导体发光元件的副基座的情况下，通过将对应于该1对电极垫的1对金属膜电连接到外部连接用的端子，来安装1个发光元件，实现1个发光装置。此外，基台为搭载(倒装芯片安装或COB安装)多个氮化物半导体发光元件的副基座或布线基板的情况下，通过将对应于1个发光元件的1对电极垫、和对应于其他发光元件的1对电极垫的金属膜的图案(俯视形状)，以该发光元件彼此串联或并联连接的方式形成，来安装该多个氮化物半导体发光元件，实现整体上该多个氮化物半导体发光元件串联、并联、或串并联地连接的1个发光装置。此外，基台为表面安装多个副基座的布线基板的情况下，也同样地通过形成金属膜的图案，来实现整体上该多个氮化物半导体发光元件串联、并联、或串并联地连接的1个发光装置。
再者，上述第1特征的基台优选为以下的情形，在分别包含所述2个以上的电极垫之内的1对电极垫的1对所述金属膜之间露出的所述绝缘性基材的露出面之内，至少，1对所述金属膜之间的距离为所述1对电极垫间的间隔距离的最大值以下的第2部分、和夹着所述第2部分而相对置的所述金属膜的所述侧壁面，被所述氟树脂膜覆盖。通过该适宜的情形，能够有效果地防止在与焊接无关之处，邻接的金属膜间因焊接材料导致不慎短路。
再者，上述第1特征的基台优选为以下的情形，所述氟树脂膜具有由以含氟脂肪族环结构为结构单元的聚合物或共聚物所构成的非晶质氟树脂。
再者，上述第1特征的基台优选为以下的情形，所述氟树脂膜包含构成氟树脂的聚合物或共聚物的末端官能团为对金属不呈结合性的非反应性末端官能团的第1型氟树脂。通过该适宜的情形，可更确实地抑制焊接材料或金属膜中的金属原子的迁移。
再者，上述第1特征的基台优选为以下的情形，所述氟树脂膜由2层以上层叠膜所形成；与所述金属膜接触的所述层叠膜的第1层树脂膜，包含构成氟树脂的聚合物或共聚物的末端官能团为对金属呈结合性的反应性末端官能团的第2型氟树脂；所述层叠膜的第2层以后的树脂膜，包含构成氟树脂的聚合物或共聚物的末端官能团为对金属不呈结合性的非反应性末端官能团的第1型氟树脂。通过该适宜的情形，会抑制反应性的末端官能团对金属原子的迁移带来的影响，且使氟树脂膜与金属膜的侧壁面之间的结合变得强固，使氟树脂膜不易剥离。
再者，上述第1特征的基台的第2特征在于，在所述基台的外周端缘部的上面，形成第2氟树脂膜作为所述氟树脂膜的基底膜，所述第2氟树脂膜包含构成氟树脂的聚合物或共聚物的末端官能团为对金属呈结合性的反应性末端官能团的第2型氟树脂。根据该第2特征的基台，通过该基底膜作为氟树脂膜与基台表面(绝缘性基材一侧面或金属膜的表面)之间的粘合剂发挥功能，可以防止氟树脂膜在基台端部破损等，而形成的氟树脂膜剥离。
为了达成上述目的，本发明提供一种布线基板体，将上述第1或第2特征的基台多个排列成矩阵状而成的多个所述基台，一体化为1片板状而构成；在成为所述绝缘性基材的绝缘性基材板上，每1个所述基台的所述2个以上金属膜矩阵状地周期性地排列形成；在所述绝缘性基材板上的所述基台1个单元的单位区划相邻接的单位区划间的边界线上设置格子状的切断区域。
根据上述特征的布线基板体，通过沿着切断区域将绝缘性基材板切断或割断，可以同时得到多个基台。
再者，上述特征的布线基板体，优选在所述切断区域不形成所述氟树脂膜。通过该适宜的情形，可以防止在沿着切断区域将绝缘性基材板切断或割断时，氟树脂膜端部破损等，而形成的氟树脂膜从基台表面(绝缘性基材一侧面或金属膜的表面)剥离。
为了达成上述目的，本发明提供一种制造上述第1或第2特征的基台的制造方法，其第1特征在于，其具备：在所述绝缘性基材的所述一侧面上形成所述2个以上金属膜的第1工序；与在所述绝缘性基材的所述一侧面上，沿着不被所述金属膜覆盖的所述绝缘性基材的露出面与所述金属膜的侧壁面的边界线，至少，将在与所述边界线连续的所述绝缘性基材的所述露出面相邻接的2个所述电极垫所夹着的第1部分、和夹着所述第1部分而相对置的所述金属膜的所述侧壁面，用所述氟树脂膜进行覆盖的第2工序。
再者，在上述第1特征的制造方法中，优选以下的情形，在所述第2工序中，所述金属膜的上面的至少构成所述电极垫之处，形成阻止所述氟树脂膜形成的第1掩模材料，在所述第1掩模材料形成后的所述绝缘性基材的所述一侧面上，涂布包含构成所述氟树脂膜的氟树脂的涂布液，在使所述涂布液干燥并形成所述氟树脂的覆膜之后，除去在所述第1掩模材料和所述第1掩模材料上被形成的所述氟树脂的覆膜的一部分。尤其是，更优选所述第1掩模材料由不含氟树脂的树脂组成物所构成，在所述第2工序中，利用不溶解所述氟树脂膜的有机溶剂对所述第1掩模材料进行溶解并除去。
再者，在上述第1特征的制造方法优选为以下的情形，在所述第2工序中，在所述绝缘性基材的所述一侧面上，涂布包含构成所述氟树脂膜的氟树脂的涂布液，在使所述涂布液干燥并形成所述氟树脂的覆膜之后，通过研磨除去在所述金属膜的上面上被形成的所述氟树脂的覆膜的一部分。
根据上述第1特征的制造方法，可制作出具有上述第1或第2特征的基台。
再者，在上述第1特征的制造方法中，其第2特征在于，在所述第1工序中，在成为所述绝缘性基材的绝缘性基材板上，将每1个所述基台的所述2个以上金属膜矩阵状地周期性地排列形成；在所述第2工序中，在所述绝缘性基材板上的所述基台1个单元的单位区划相邻接的所述单位区划间的边界线上所设置的格子状的切断区域，形成阻止所述氟树脂膜形成的第2掩模材料，在所述第2掩模材料形成后的所述绝缘性基材的所述一侧面上，涂布包含构成所述氟树脂膜的氟树脂的涂布液，在使所述涂布液干燥并形成所述氟树脂的覆膜之后，除去在所述第2掩模材料与所述第2掩模材料上被形成的所述氟树脂的覆膜的一部分。
再者，在上述第1特征的制造方法中，其第3特征在于，在所述第1工序中，在成为所述绝缘性基材的绝缘性基材板上，将每1个所述基台的所述2个以上金属膜矩阵状地周期性地排列形成；在所述第2工序中，至少，在所述绝缘性基材板上的所述基台1个单元的单位区划相邻接的所述单位区划间的边界线上所设置的格子状的切断区域、和所述金属膜的上面的至少构成所述电极垫之处，形成阻止所述氟树脂膜形成的第2掩模材料，在所述第2掩模材料形成后的所述绝缘性基材的所述一侧面上，涂布包含构成所述氟树脂膜的氟树脂的涂布液，在使所述涂布液干燥并形成所述氟树脂的覆膜之后，除去在所述第2掩模材料与所述第2掩模材料上被形成的所述氟树脂的覆膜的一部分。
再者，在上述第2或第3特征的制造方法优选为以下的情形，所述第2掩模材料由不含氟树脂的树脂组成物所构成，在所述第2工序中，利用不溶解所述氟树脂膜的有机溶剂对所述第2掩模材料进行溶解并除去。
再者，在上述第1至第3特征的制造方法中，其第4特征在于，在所述第1工序中，在成为所述绝缘性基材的绝缘性基材板上，将每1个所述基台的所述2个以上金属膜矩阵状地周期性地排列形成；在所述第1工序与所述第2工序之间，在所述切断区域与其侧方区域、或者所述切断区域的侧方区域，形成第2氟树脂膜作为所述氟树脂膜的基底膜，所述第2氟树脂膜包含构成氟树脂的聚合物或共聚物的末端官能团为对金属呈结合性的反应性末端官能团的第2型氟树脂。
再者，在上述第2至第4特征的制造方法中，所述第2工序之后，沿着所述切断区域切断或割断所述绝缘性基材板，分割成个个所述基台。
根据上述第2至第4特征的制造方法，可制作出上述特征的布线基板体，再者，可以多个同时地制作具有上述第1或第2特征的基台。尤其，根据上述第4特征的制造方法，可多个同时地制作出具有上述第2特征的基台。
此外，根据上述第2或第3特征的制造方法，可以防止在沿着切断区域将绝缘性基材板切断或割断时，氟树脂膜端部破损等，形成的氟树脂膜从基台表面(绝缘性基材一侧面或金属膜的表面)剥离。
发明效果
根据上述特征的基台、布线基板体或基台的制造方法，通过在将该基台、该布线基板体切断或割断而得到的基台、或者以该基台的制造方法制作出的基台上，安装芯片状的氮化物半导体紫外线发光元件，可抑制伴随紫外线发光动作的经时变化使基台表面相邻接的金属膜间短路的劣化现象，可实现高质量、高可靠度的紫外线发光装置。
附图说明
图1是示意性地显示本发明的搭载于副基座的氮化物半导体紫外线发光元件的概略的元件结构的一例的剖面图。
图2是示意性地显示本发明的搭载于副基座的氮化物半导体紫外线发光元件的第1及第2镀敷电极俯视形状的一例的平面图。
图3是示意性地显示本发明的副基座的第1～第3实施方式的俯视形状和剖面形状的平面图和剖面图。
图4是示意性地显示本发明的副基座的第1～第3实施方式的氟树脂膜形成后的重要部分的剖面结构的剖面图。
图5是示意性地显示本发明的副基座的制造方法的第1及第2金属电极布线、导线端子及贯通电极形成工序的一实施方式的工序剖面图。
图6是示意性地显示本发明的副基座的制造方法的第1及第2金属电极布线、导线端子及贯通电极形成工序的一实施方式的工序剖面图。
图7是示意性地显示本发明的副基座的制造方法的第1及第2金属电极布线、导线端子及贯通电极形成工序的一实施方式的工序剖面图。
图8是示意性地显示本发明的副基座的制造方法的氟树脂膜形成工序的一实施方式的工序剖面图。
图9是示意性地显示本发明的副基座的制造方法的氟树脂膜形成工序的一实施方式的工序剖面图。
图10是示意性地显示本发明的副基座的制造方法的氟树脂膜形成工序的一实施方式的工序剖面图。
图11是示意性地显示本发明的副基座的制造方法的氟树脂膜形成工序的一实施方式的工序剖面图。
图12是示意性地显示将氮化物半导体紫外线发光元件倒装芯片安装于本发明的副基座，并树脂密封后的状态的剖面图。
图13是示意性地显示本发明的副基座的第3实施方式的重要部分的剖面结构的剖面图。
图14是示意性地显示本发明的副基座的第4实施方式的俯视形状和剖面形状的平面图和剖面图。
图15是示意性地显示本发明的副基座的第4实施方式的氟树脂膜形成后的重要部分的剖面结构的剖面图。
图16是示意性地显示本发明的布线基板的第5实施方式的俯视形状和剖面形状的平面图和剖面图。
具体实施方式
针对本发明的基台、布线基板体、及基台的制造方法的实施方式，根据附图加以说明。另外，在以下的说明所使用的附图中，为了容易理解说明，强调重要部分并示意性地显示发明内容，因此各部分的尺寸比未必与实物为相同尺寸比。在以下的记载中，适当地将本发明的基台及其制造方法简称为“本基台”及“本制造方法”，将本发明的布线基板体简称为“布线基板体”。另外，在本说明书中，本基台是包括下述的副基座及布线基板二者的封装方式。
在本说明书中，称为“副基座”的用语是搭载芯片状氮化物半导体发光元件的基板的一种，表示通过在绝缘性基材的表面形成用于与该发光元件的电极形成电连接的金属布线图案，搭载该发光元件并确立该电连接，从而构成发光装置或发光模块的封装的一个方式。此外，搭载于副基座的芯片状发光元件的个数并不限于1个，也可以为多个，除了芯片状发光元件以外，也可以是搭载非发光元件的二极管等其他电路部件的构成。
此外，称“布线基板”的用语与依照日本工业标准(JIS-C-5603)所规定的“印刷布线板”同义，表示通过在绝缘性基材的表面形成有用于将与包含芯片状氮化物半导体发光元件的多个电路部件的各端子形成电连接的金属布线图案，搭载该部件并确立该电连接，从而构成规定的电路的封装的一个方式。在本实施方式中，该电路部件包含芯片状氮化物半导体发光元件、搭载有上述的芯片状氮化物半导体发光元件的副基座、及其他电路部件，作为该电路部件实际搭载的部件，为这些之中的任意1种以上。
另外，在本说明书中，芯片状的氮化物半导体发光元件是将矩阵状排列多个氮化物半导体发光元件而成的氮化物半导体晶片分割成个个氮化物半导体发光元件的元件，所谓裸芯片。此外，在本案中，简称“氮化物半导体发光元件”的情况表示芯片状的氮化物半导体发光元件。此外，在以下的各实施方式中，氮化物半导体发光元件(以下，简称“发光元件”)设定为中心发光波长为365nm以下的紫外线发光二极管来加以说明。
<第1实施方式>
作为本基台的一实施方式，针对用于倒装芯片安装1个氮化物半导体发光元件的副基座加以说明。
在说明副基座之前，针对在副基座所搭载的发光元件简单地说明。
发光元件1如图1所示，具备模板2、半导体层叠部3、p电极4、n电极5、保护绝缘膜6、第1镀敷电极7、第2镀敷电极8、以及氟树脂膜9而构成。另外，图1是相对于沿着图2的平面图A-A’的模板2的表面垂直的剖面图。
模板2例如在蓝宝石(0001)基板上使AlN层与AlGaN层成长而形成，以来自活性层的紫外线发光能够透过的方式构成。半导体层叠部3被形成在模板2上，具备具有n型半导体层、活性层、p型半导体层的台面部，在台面部以外，所述n型半导体层露出。n型半导体层包含1层以上的n型AlGaN层，以来自活性层的紫外线发光能够透过的方式构成。活性层例如由单量子阱结构或者多重量子阱结构所形成。p型半导体层包含1层以上的p型AlGaN层或者p型GaN层。p电极4包含1层以上的金属膜，被形成于p型半导体层的上面，与p型半导体层电连接。n电极5包含1层以上的金属膜，被形成于n型半导体层的露出面上，与n型半导体层电连接。保护绝缘膜6以覆盖半导体层叠部3的台面部的上面和侧面、及n型半导体层的露出面的方式形成，而且，具有将p型半导体层的上面的至少一部分和n型半导体层的露出面的一部分露出的开口部。
第1镀敷电极7将所述台面部的上面及侧面和所述台面部的外侧区域的一部分经由保护绝缘膜6进行覆盖，并且，经由保护绝缘膜6的开口部与p电极4电连接。第2镀敷电极8在所述台面部外侧区域的其他一部分，经由保护绝缘膜6的开口部与n电极5电连接。第1及第2镀敷电极7、8作为一例，包含通过铜的电解镀敷形成的本体部、和覆盖该本体镀敷部的上面及侧面的由非电解镀敷形成的最表面为金的包含1层以上的金属层的表面镀敷部。第1及第2镀敷电极7、8作为一例，相互地间隔开75μm以上，优选为100μm以上，任何上面均被平坦化、统一为相同高度。以保护绝缘膜6的表面为基准的第1及第2镀敷电极7、8的高度，例如为45～100μm左右。图2中，显示第1及第2镀敷电极7、8的俯视形状。图2中，以虚线表示的是半导体层叠部3的台面部的外周线。
氟树脂膜9覆盖着第1及第2镀敷电极7、8的侧壁面、和在第1及第2镀敷电极7、8的各外侧区域露出的保护绝缘膜6的上面。另外，发光元件1的芯片周缘部也可以不一定被氟树脂膜9覆盖。氟树脂膜9可以具有与设置于副基座侧的氟树脂膜相同的功能，使用相同的原材。因此，针对氟树脂膜9省略重复说明。
接着，说明本实施方式的副基座10。图3为显示副基座10的俯视形状的平面图(A)、和显示通过该平面图(A)的副基座10中心、垂直于副基座10表面的剖面处的剖面形状的剖面图(B)。副基座10一边的长度，只要能搭载1个发光元件1、并有在其周围形成密封树脂的余量，则并未限定于特定的数值。作为一例，俯视正方形的副基座10的一边的长度，优选例如所搭载的相同地俯视正方形的发光元件1的芯片尺寸(一边的长度)的1.5～2倍左右以上。另外，副基座10及发光元件1的俯视形状并不限于正方形。
副基座10具备由绝缘性陶瓷等绝缘材料构成的平板状的基材11(相当于绝缘性基材)，在基材11的表面侧，分别形成阳极侧的第1金属电极布线12与阴极侧的第2金属电极布线13，在基材11的背面侧形成导线端子14、15。基材11表面侧的第1及第2金属电极布线12、13经由设在上述基材11的贯通电极(未图示)，与基材11背面侧的导线端子14、15分别连接。在将副基座10载置在其他的布线基板等之上的情况下，在该布线基板上的金属布线与导线端子14、15之间形成电连接。此外，导线端子14、15覆盖基材11背面的大致整面，发挥散热装置的功能。第1及第2金属电极布线12、13相当于金属膜。
第1及第2金属电极布线12、13，如图3所示，被形成于基材11中央部分的搭载有发光元件1之处及其周围，相互间隔开配置且电分离。第1金属电极布线12由第1电极垫120和连接于其的第1布线部121构成。此外，第2金属电极布线13由4个第2电极垫130和连接于它们的第2布线部131构成。第1电极垫120具有比发光元件1的第1镀敷电极7的俯视形状略大的俯视形状，位于基材11中央部分的中心。在以第1镀敷电极7与第1电极垫120相对置的方式配置发光元件1的情况下，第2电极垫130的俯视形状及配置以4个第2镀敷电极8分别与4个第2电极垫130相对置的方式设定。在图3(A)中，在第1电极垫120和第2电极垫130分别带有影线。
在本实施方式中，副基座10的基材11由氮化铝(AlN)等的不因被紫外线照射而导致劣化的绝缘材料形成。另外，从散热性的角度出发，基材11优选为AlN，也可以是碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)或氮化硼(BN)，此外，还可以是氧化铝(Al2O3)等的陶瓷。此外，基材11并不限于上述绝缘材料的纯正材，也可以是以二氧化硅玻璃作为粘合剂使上述绝缘材料的粒子紧密结合的烧结体，此外，也可以是类金刚石碳(DLC)薄膜、工业用金刚石薄膜等。
另外，副基座10为在基材11背面侧不设导线端子14、15的构成的情况下，基材11也可以不是仅由绝缘材料构成的，而制成包含金属膜(例如，Cu、Al等)和上述的绝缘材料的绝缘层的层叠结构。
基材11的表面优选例如具有凹凸最大6μm左右的粗面。这是由于，在将发光元件以后述的密封树脂密封时，利用该粗面，可以期待使密封树脂与基材11表面之间的接着性提高的锚固效果。该基材11表面的粗面例如可以利用纳米压印等实施粗面化处理而形成，或者，基材11的表面在未研磨下，例如，保持原状地使用残留有最大6μm左右的凹凸的粗面。
第1及第2金属电极布线12、13，作为一例，由铜的厚膜镀敷膜、和覆盖该厚膜镀敷膜表面(上面及侧壁面)的1层或多层的表面金属膜构成。厚膜镀敷膜除了铜以外，也可以由以铜作为主成分且包含铅(Pb)、铁(Fe)、锌(Zn)、锰(Mn)、镍(Ni)、钴(Co)、铍(Be)等金属的合金形成，由于制成合金，热传导率会降低，因此优选由铜形成。该表面金属膜的最外层由离子化倾向比构成厚膜镀敷膜的铜要小的金属(例如，金(Au)或者铂族金属(Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、或者这些之中的2种以上的合金)或者金与铂族金属的合金)构成。该表面金属膜，作为一例，从下起依序由Ni/Pd/Au的3层金属膜构成，以公知的非电解镀敷法来成膜。铜的厚膜镀敷膜的膜厚，例如为50～100μm左右。上述Ni/Pd/Au各层的膜厚，例如从下起依序为3～7.5μm/50～150nm/50～150nm。在上述一例，第1及第2金属电极布线12、13成为除了俯视形状外，与发光元件1侧的第1及第2镀敷电极7、8大致相同的构成(多层结构)。
在本实施方式中，基材11背面侧的导线端子14、15也与基材11表面侧的第1及第2金属电极布线12、13同样地，由铜的厚膜镀敷膜、和覆盖该厚膜镀敷膜表面(上面及侧壁面)的1层或多层的表面金属膜构成。导线端子14、15的厚膜镀敷膜与表面金属膜的构成，在本实施方式中，与第1及第2金属电极布线12、13相同，所以省略重复说明。
在本实施方式，如图4所示，以覆盖第1及第2金属电极布线12、13的各侧壁面、和在第1及第2金属电极布线12、13间的间隙部的底面露出的基材11的表面的方式形成氟树脂膜16。氟树脂膜16，与设置在发光元件1的氟树脂膜9、及在倒装芯片安装发光元件1时用于树脂密封的密封树脂相同，由非晶质氟树脂形成。一般而言，作为非晶质的氟树脂，可列举将结晶性聚合物的氟树脂共聚化使之非晶质化成为聚合物合金的氟树脂、或全氟二氧杂环戊烯的共聚物(杜邦公司制的商品名Teflon AF(注册商标))或全氟丁烯基乙烯基醚的环化聚合物(旭硝子公司制的商品名cytop(注册商标))。另外，针对在本实施方式中用于氟树脂膜16的非晶质氟树脂，在氟树脂膜16的形成工序的说明中加以详述。
另外，氟树脂膜16未必将第1及第2金属电极布线12、13的各侧壁面、以及在第1及第2金属布线12、13间的间隙部的底面露出的基材11表面全部进行覆盖，优选至少覆盖上述间隙部底面之内、第1电极垫120与4处第2电极垫130所夹之处(相当于第1部分)、和夹着该第1部分而相对置的第1及第2金属电极布线12、13的侧壁面。此外，除了该第1部分以外，在存在第1及第2金属电极布线12、13的间隔距离为第1电极垫120与4处第2电极垫130的间隔距离的最大值以下之处(相当于第2部分)的情况下，更优选将上述间隙部底面的该第2部分、和夹着该第2部分而相对置的第1及第2金属电极布线12、13的侧壁面进行覆盖。再者，例如在存在对第1及第2金属电极布线12、13间施加的每1V电压，第1及第2金属电极布线12、13的间隔距离为100μm以下之处(第3部分：例如，该施加电压为5V的情况下，间隔距离为500μm以下之处)的情况下，更优选将上述间隙部底面的该第3部分、和夹着该第3部分而相对置的第1及第2金属电极布线12、13的侧壁面进行覆盖。
接着，针对副基座10的制造方法(本制造方法)，参照图5～图11加以说明。在本实施方式中，首先制作多个副基座10矩阵状地排列而被一体化为1片板状的布线基板体20，将该布线基板体20切断或割断，制作出个个副基座10。
在以下的说明中，布线基板体20的基材21(相当于绝缘性基材板)对应于副基座10的基材11，而布线基板体20的第1及第2金属电极布线22、23、导线端子24、25及贯通电极27相当于副基座10的第1及第2金属电极布线12、13、导线端子14、15及贯通电极在基材21的表面侧、背面侧及内部，矩阵状周期性地排列而形成的部件。此外，布线基板体20的氟树脂膜26相当于副基座10的氟树脂膜16在基材21的表面侧矩阵状、周期性地排列而被形成的树脂膜。在基材21中，将布线基板体20切断或割断而分割成个个副基座10的切断区域RC被格子状地被设定于邻接的副基座10间的边界线上。切断区域RC的幅宽例如优选100～300μm左右。
本制造方法中，作为布线基板体20主要的制造工序，具备基材21表面侧的第1及第2金属电极布线22、23、基材21背面侧的导线端子24、25、及贯通电极27的制造工序(第1制造工序)、和氟树脂膜26的制造工序(第2制造工序)。
作为第1制造工序的前处理工序，根据需要，例如为了形成具有上述最大6μm左右凹凸的粗面，而对基材21的表面侧进行粗面化处理。基材21的表面已为某种程度粗面状态(例如，具有上述最大6μm左右凹凸的粗面)的情况、以及在基材21表面的锚固效果以外能够另行担保对密封树脂的锚固效果的情况等之中，并非必须进行上述粗面化处理。
在第1制造工序中，首先，在形成基材21的贯通电极27之处，利用激光加工等分别对第1及第2金属电极布线12、13至少各1处形成贯通孔28。第1及第2金属电极布线12、13每1个的贯通孔28的个数，为根据流过搭载的发光元件1的正向电流所确定的必要数量以上。在图5所示的例中，贯通孔28的开口部在基材21的表面侧会比背面侧大，贯通孔28的开口径(直径)例如优选以在表面侧为50～75μm左右、背面侧为25～50μm左右。另外，贯通孔28的开口部为基材21的背面侧比表面侧大也没关系。此外，各开口径也并非限定于上述优选范围。接着，如图5所示，将成为电解镀敷的给电用晶种膜29的膜厚约10～100nm的Ni膜或Ti/Cu膜，在基材21的表面侧与背面侧、及贯通孔28的内壁面，以溅射等进行成膜。另外，晶种膜29，只要是具备对基材21的接着性、和对第1及第2金属电极布线22、23及导线端子24、25的各厚膜镀敷膜(本实施方式中为铜)的接着性的导电性材料，则并不限定于Ni膜或Ti/Cu膜。
接着，在基材21的表面侧与背面侧的晶种膜29上粘贴镀敷用感光性片材薄膜30。在此，贯通孔28的基材21的表面侧和背面侧的开口部被感光性片材薄膜30遮蔽。将形成第1及第2金属电极布线22、23和导线端子24、25之处的该薄膜30，利用光刻技术进行曝光和显影后除去，使晶种膜29露出。另外，由于遮蔽着贯通孔28的基材21的表面侧和背面侧的开口部的感光性片材薄膜30也被除去，所以贯通孔28内壁面的晶种膜29也会露出。
接着，如图6所示，对晶种膜29给电，利用电解镀敷法，在基材21的表面侧和背面侧及在贯通孔28内露出的晶种膜29上，形成铜的厚膜镀敷膜220、230、240、250、270，且分别对应于第1及第2金属电极布线22、23的厚膜镀敷膜、导线端子24、25的厚膜镀敷膜、贯通电极27的厚膜镀敷膜。
接着，将未被厚膜镀敷膜220、230、240、250、270覆盖的片材薄膜30用有机溶剂等除去，将未被厚膜镀敷膜220、230、240、250、270覆盖的晶种膜29、利用湿式蚀刻等进行除去。
厚膜镀敷膜220、230、240、250刚成膜后的基材21的表面侧和背面侧的各膜厚大致均匀，但是存在因基材21表面的凹凸状态、因利用电解镀敷法对晶种膜29施加的电场强度的位置所造成的变动等而产生的差异。因此，在对应于相同副基座10内的第1及第2电极垫120、130的厚膜镀敷膜220、230的膜厚具有一定以上的差异的情况等之中，根据需要，对厚膜镀敷膜220、230、240、250的表面进行CMP(化学基械研磨)法或者各种机械研磨法等公知的研磨处理。进行研磨处理的情况下，研磨后的厚膜镀敷膜220、230、240、250的各膜厚，例如为上述的50～100μm左右即可。另外，上述的片材薄膜30和晶种膜29的除去，也可以在上述研磨工序后进行。
厚膜镀敷膜270刚成膜后的贯通孔28的基材21的表面侧与背面侧的开口部优选为被厚膜镀敷膜270闭塞。但是，例如，若是直径6～15μm左右的开口，则可被后述的表面金属膜闭塞，因此没有问题。
此外，在贯通孔28的基材21的表面侧与背面侧的开口部被厚膜镀敷膜270而闭塞的情况、或者在表面金属膜形成后进行闭塞的情况下，该开口部对厚膜镀敷膜220、230、240、250而言成为凹洼时、该凹洼有可能会带来任何影响时等，对于厚膜镀敷膜220、230、240、250的表面，也可以进行上述研磨处理来除去该凹洼。
接着，在上述厚膜镀敷膜220、230、240、250、270成膜后、或者进行上述研磨处理后的情况下，在该研磨处理后，在厚膜镀敷膜220、230、240、250、270的上面及侧壁面的各露出面上，例如，将从下起依序由Ni/Pd/Au的3层金属膜构成的表面金属膜221、231、241、251、271，利用湿式镀敷法的公知的非电解镀敷法进行成膜。Ni/Pd/Au的各层的膜厚，例如，从下起依序为3～7.5μm/50～150nm/50～150nm。
通过以上的第1制造工序，如图7所示，对布线基板体20，形成第1及第2金属电极布线22、23、导线端子24、25、及贯通电极27。另外，在图7中示意性地图示了进行上述研磨处理，使第1及第2金属电极布线22、23、导线端子24、25的各上面被平坦化的情况。
接着，说明第2制造工序。首先，如图8所示，将阻止氟树脂膜26形成的掩模材料31，在基材21的表面侧，在不形成氟树脂膜26之处(以下，适当称作“掩模处”)，利用喷墨方式、分配方式、或丝网印刷等加以涂布(工序A1)。在本实施方式中，该掩模处至少包含切断区域RC、和第1及第2金属电极布线22、23上面的各副基座10的第1及第2电极垫120、130。包含切断区域RC的掩模处的幅宽也可以比切断区域RC大。此外，包含第1及第2电极垫120、130的掩模处，若为第1及第2金属电极布线22、23的上面内，也可以比第1及第2电极垫120、130宽广。再者，在该掩模处，也可以包含在第1及第2金属电极布线22、23间的间隙部的底面露出的基材21的表面之内、至少除了上述第1部分以外之处，优选为除了上述第1部分与第2部分以外之处、或者除了上述第1部分与第3部分以外之处，更优选为除了上述第1、第2及第3部分以外之处。
掩模材料31是将不含氟树脂的粘合剂树脂(丙烯酸树脂、环氧树脂、纤维素系树脂、苯酚系树脂、聚氨酯系树脂等)与有机溶剂与根据需要而选择的添加物加以混练可得到的树脂组成物，例如，可以使用丝网印刷用的油墨等。涂布后，利用加热或紫外线照射等，使掩模材料31固着于上述掩模处(工序A2)。该情况下，掩模材料31的粘度优选为在涂布时不会滴落在非掩模处的第1及第2金属电极布线22、23的侧壁面的程度的粘度(1～100Pa·s)。另外，掩模材料31即使在涂布时滴落侧壁面，若是稍微覆盖侧壁面的上端部的程度也没有问题。此外，掩模材料31通过利用颜料或染料先着色，而方便于目视或光学地检查在上述掩模处是否掩模材料31被正确地被转印。
接着，如图9所示，在形成有掩模材料31的基材21表面侧整面，注入用溶剂将成为氟树脂膜26的氟树脂稀释后的涂布液260(工序A3)。涂布液260的注入量设为覆盖第1及第2金属电极布线22、23的上面、并且第1及第2金属电极布线22、23上的掩模材料31被涂布液260稍微覆盖或不被覆盖的程度，涂布液260以将掩模处以外的第1及第2金属电极布线22、23的上面和侧壁面、及在第1及第2金属电极布线22、23间的间隙部的底面露出的基材21的露出面覆盖的方式进行注入。另外，向基材21表面侧注入涂布液260并未限定于特定的方式，例如，可利用喷墨方式、分配方式、浇注方式、旋转涂布方式等来进行。
接着，如图10所示，一边将涂布液260慢慢地加热一边使溶剂蒸发，将成为氟树脂膜26原型的树脂膜261，沿着基材21表面侧的凹凸状态，在基材21的表面侧形成(工序A4)。此时，根据涂布液260中氟树脂的浓度，以涂布液260上面的高度是沿着上述凹凸状态而渐渐降低，覆盖掩模处以外的第1及第2金属电极布线22、23的上面和侧壁面、在第1及第2金属电极布线22、23间的间隙部露出的基材21的露出面的方式，形成该原型树脂膜261。该原型树脂膜261，也可以形成于掩模材料31的上面及侧面。另外，该原型树脂膜261只要将第1及第2金属电极布线22、23的侧壁面及间隙部的底面等密密地覆盖就足够，无需将膜厚不必要地增厚，例如，数原子层(10nm左右)的厚度即可。此外，该膜厚根据涂布液260中氟树脂的浓度及原型树脂膜261的形成处而确定，例如优选为制成0.1～1μm左右。
接着，在原型树脂膜261形成后，用溶解掩模材料31的有机溶剂(例如，丙酮等)溶解掩模材料31(工序A5)。此时，该有机溶剂使用不使构成原型树脂膜261的氟树脂溶解，另一方面，透过该氟树脂而溶解掩模材料31的有机溶剂。在将溶解后的掩模材料31洗净并除去时，同时将覆盖掩模材料31的上面的原型树脂膜261除去。结果，如图11所示，形成覆盖掩模处以外的第1及第2金属电极布线22、23的上面和侧壁面、在第1及第2金属电极布线22、23间的间隙部露出的基材21的露出面的氟树脂膜26(工序A6)。氟树脂膜26的形成处为未被掩模材料31覆盖之处。
在倒装芯片安装发光元件1时的焊接中，氟树脂膜26被用作防止焊接材料附着在第1及第2金属电极布线22、23间的上述第1部分、或第2部分、或第3部分的焊料阻碍材，能够防止因焊接材料的金属原子迁移造成两电极布线间的短路。
接着，针对氟树脂膜26形成中使用的涂布液260简单地加以说明。在将发光元件1倒装芯片安装而得的发光装置中，从活性层射出的紫外线透过模板2，从蓝宝石基板的背面侧射出、透过密封树脂后照射到外部。因此，氟树脂膜26的形成处，由于是位于与该紫外线射出的蓝宝石基板的背面相反的发光元件1的上面侧，所以没有必要为密封树脂中使用的相对于紫外线透明的氟树脂。
但是，在倒装芯片安装时的树脂密封处理中，由于在氟树脂膜26形成后，在第1及第2金属电极布线22、23之间的间隙部所残存的空隙中，也会被填充密封树脂，所以，在本实施方式中，作为涂布液260中使用的氟树脂，使用适宜用作密封树脂的非晶质氟树脂。
非晶质氟树脂大致分为：末端官能团具有对金属不呈结合性的非反应性官能团的非结合性氟树脂(第1型非晶质氟树脂)、和末端官能团具有对金属可结合的反应性官能团的结合性氟树脂(第2型非晶质氟树脂)2种。在本实施方式中，作为一情形例，使用金属原子迁移的抑制效果高的第1型非晶质氟树脂。
该第1型非晶质氟树脂，更具体而言，是聚合物或构成共聚物的结构单元具有含氟脂肪族环结构、上述末端官能团为CF3等全氟烷基。换言之，第1型非晶质氟树脂，并不具有对上述金属呈结合性的反应性末端官能团。另一方面，上述第2型非晶质氟树脂的该反应性官能团，作为一例，为羧基(COOH)或酯基(COOR)。其中，R表示烷基。
此外，具有含氟脂肪族环结构的结构单元，优选为基于环状含氟单量体的单元(以下，“单元A”)、或者利用二烯系含氟单量体的环化聚合所形成的单元(以下，“单元B”)。另外，非晶质氟树脂的组成及结构，由于并非本申请发明的本旨，因此省略有关该单元A及单元B的详细说明，但关于该单元A及单元B，在基于与本申请相同的申请人的专利文献1的段落〔0031〕～〔0062〕中详细说明，请参照。
涂布液260是将第1型非晶质氟树脂在含氟溶剂、优选非质子性含氟溶剂中溶解而制作的。针对该含氟溶剂，由于也在专利文献1的段落〔0067〕～〔0073〕详细地说明，请参照。另外，涂布液260中的第1型非晶质氟树脂的浓度以氟树脂膜26成为上述膜厚(0.1～1μm左右)的方式来调整。
作为第1型非晶质氟树脂市售品的一例，可列举CYTOP(旭硝子公司制)等。另外，末端官能团为CF3的CYTOP是以下的化学式1所示的上述单元B的聚合物。
[化学式1]
经过以上的工序，完成具备第1及第2金属电极布线22、23、导线端子24、25、贯通电极27、及氟树脂膜26的布线基板体20。
在布线基板体20完成的时刻，由于多个副基座10为矩阵状地排列并被一体化为1片板状的状态，所以经过规定的检查工序，利用激光加工等公知的切断或加工技术，将基材21沿着切断区域RC切断、或者在切断区域RC形成割断用的槽后进行割断，从而得到个个副基座10。
另外，也可以在将基材21切断或割断之前，将发光元件1倒装芯片安装在布线基板体20的各副基座10，用密封树脂密封后，根据需要而进行规定的检查工序。
发光元件1中，将第1及第2镀敷电极7、8的各上面朝下，第1镀敷电极7与第1电极垫120、4个第2镀敷电极8与4个第2电极垫130，通过分别相对置焊接而电连接且物理连接，并被载置、固定于基材11的中央部分上。在图12中示出了向副基座10倒装芯片安装发光元件1，用密封树脂17密封的状态。在图12中，作为一例，密封树脂17的上面被与密封树脂17相同的氟树脂制的聚光性透镜18覆盖。氟树脂制的透镜18，可以利用例如注射成型、传递成型、压缩成型等来形成。该各成型用的成型模具，可以使用金属模具、有机硅树脂模具或这些的组合。此外，透镜18不限于氟树脂制，也可以是具有适合于发光元件1发光波长的紫外线透过性的其他材料，优选与密封树脂17的折射率差小的材料，例如石英玻璃制也并非不能使用。透镜18除了聚光性透镜以外，根据使用目的，也可以是使光扩散的透镜，此外，并非必须设置。
<第2实施方式>
接着，作为上述第1实施方式的一变形例，针对副基座10及布线基板体20的其他实施方式加以说明。第2实施方式的副基座10及布线基板体20具有与第1实施方式相同的元件结构，但在布线基板体20的制造方法的第2制造工序(氟树脂膜26的制造工序)的细节中不同于第1实施方式。以下，针对第2制造工序的不同之处加以说明。
在第1实施方式的第2制造工序中，利用工序A1及A2，在基材21的表面侧，在规定的掩模处涂布阻止氟树脂膜26形成的、不含氟树脂的掩模材料31；而在第2实施方式中并不实施工序A1及A2，即，不会在规定的掩模处形成阻止氟树脂膜26形成的掩模材料31，再者，不实施工序A3，即，不在基材21的表面侧的整面注入涂布液260，而在必须形成氟树脂膜26之处，例如，第1及第2金属电极布线22、23间的上述第1部分，优选为上述第1部分与第2部分、或上述第1部分与第3部分，更优选在上述第1、第2及第3部分，例如利用喷墨方式，局部地注入涂布液260(工序B3)。涂布液260的注入量设为不覆盖第1及第2金属电极布线22、23的上面，而覆盖上述第1部分等注入处的第1及第2金属电极布线22、23侧壁面的至少下端侧的程度，并非要覆盖直至该侧壁面的上端的整面。
在利用工序B3局部地注入涂布液260后，依照相同要领实施第1实施方式中已说明的工序A4。在第2实施方式中不需要工序A5及A6。由此，形成覆盖包含第1及第2金属电极布线22、23间的上述第1部分、或上述第1部分与第2部分、或上述第1部分与第3部分、或上述第1、第2及第3部分等涂布液260的注入处的第1及第2金属电极布线22、23的间隙部的底面、及夹着该底面而相对置的第1及第2金属电极布线22、23的侧壁面的下端部的氟树脂膜26。
在第2实施方式中，当涂布液260的注入量局部地增大时，在该处附近，有可能涂布液260覆盖第1及第2金属电极布线22、23的上面。假设，涂布液260覆盖第1及第2金属电极布线22、23的上面的情况下，在实施工序A6之后，用CMP(化学机械研磨)法或各种机械研磨法等公知的研磨方法，以第1及第2金属电极布线22、23的表面金属膜221、231的最外面露出、最外层的金属(Au)残存在第1及第2金属电极布线22、23的上面的方式，除去覆盖该上面的氟树脂膜26(工序A7)。
另外，在第2实施方式中进行了工序A7的研磨处理的情况下，由于表面金属膜221、231的最外层的金属某种程度被研磨而薄膜化，因此在将表面金属膜221、231以非电解镀敷进行成膜时，优选将最外层的膜厚制成比第1实施方式更厚。此外，也可以代替将表面金属膜221、231的最外层的膜厚制成比第1实施方式更厚，而在表面金属膜221、231的露出面，以非电解镀敷将最外层的金属(Au)再度成膜；或者进行追加，在工序A7的研磨后，在表面金属膜221、231的露出面，以非电解镀敷将最外层的金属(Au)再度成膜。
<第3实施方式>
接着，作为上述第1实施方式的一变形例，针对副基座10及布线基板体20的其他实施方式，参照图13加以说明。在上述第1实施方式的副基座10及布线基板体20中，在包含切断区域RC的掩模处形成掩模材料31，氟树脂膜26以至少不在切断区域RC形成的方式作成。由此，在将布线基板体20的基材21沿着切断区域RC切断或割断时，在被分割的个个副基座10的外周端部，可以使氟树脂膜26的外周端受到损伤而剥离的情况防止于未然。
在第3实施方式中，在上述第1实施方式的第2制造工序中，首先，在切断区域RC和其侧方区域上，作为氟树脂膜26的基底膜，通过例如喷墨方式等形成第2氟树脂膜32，第2氟树脂膜32由与使用第1型非晶质氟树脂的氟树脂膜26相比与金属的结合性更高的上述第2型非晶质氟树脂所构成、或主要包含上述第2型非晶质氟树脂(工序C1)。接着，将掩模材料31至少不形成于切断区域RC，即，设定不含切断区域RC的掩模处后，实施第2制造工序的工序A1及A2。之后，实施第1实施方式中已说明的工序A3～A6。第2氟树脂膜32的膜厚无需非必要地增厚，也可以薄于氟树脂膜26的膜厚，例如，单层分子层的厚度即可，优选为制成0.01～0.5μm左右。
结果，在第3实施方式中，如图13所示，也在切断区域RC与其侧方区域上，隔着第2氟树脂膜32，形成氟树脂膜26。但是，在将布线基板体20沿着切断区域RC切断或割断时，在被分割的个个副基座10的外周端部，即使氟树脂膜26的外周端受到损伤，上述第2氟树脂膜32会成为粘合剂，而可以防止在布线基板体20外周端剥离的情况。另外，第2氟树脂膜32若是在切断区域RC的侧方区域上形成，则可以抑制上述的剥离。
另外，在第3实施方式中，设定了在实施第2制造工序的工序A1及A2时，在掩模处不含切断区域RC的情况、即在切断区域RC形成氟树脂膜26的情况。也可以与第1实施方式同样地，作成对包含切断区域RC的掩模处实施第2制造工序的工序A1及A2，氟树脂膜26不被形成于切断区域RC。
此外，第3实施方式中，作为第1或第2实施方式的一变形例来说明，但在上述第2实施方式中，在通过工序B3的涂布液260局部的注入，对切断区域RC也注入涂布液260的情况下，也可以按照在工序B3之前实施上述工序C1的方式进行。
<第4实施方式>
接着，作为上述第1至第3实施方式的一变形例，针对副基座10及布线基板体20的其他实施方式，参照图14及图15加以说明。
在上述第1至第3实施方式中，副基座10是用于倒装芯片安装1个发光元件1的副基座，但在第4实施方式中，针对将串联、并联或串并联地倒装芯片安装多个发光元件1的副基座加以说明。第4实施方式的副基座通过安装多个发光元件1而构成包含该多个发光元件1的电路，因此使上述的布线基板的一个方式。
在以下的说明，作为一例，针对3个发光元件1串联地连接的副基座40、和该副基座40矩阵状地排列并一体化为1片板状的布线基板体50加以说明。另外，为了方便说明，将3个发光元件1分别按连接顺序设为发光元件1a、1b、1c，发光元件1a的阴极与发光元件1b的阳极连接，发光元件1b的阴极与发光元件1c的阳极连接。由此，发光元件1a的阳极与发光元件1c的阴极、成为发光元件1a、1b、1c串联电路的阳极端子、阴极端子。
图14为显示副基座40的俯视形状的平面图(A)、和显示通过该平面图(A)的副基座40中心、平行于发光元件1的串联方向、垂直于副基座40表面的剖面的剖面形状的剖面图(B)。在图14所示的例中，作为一例，副基座40的短边长度等于副基座10一边的长度，而副基座40的长边长度，则为副基座10一边的长度的约3倍。
副基座40具备由与第1实施方式的基材11相同的绝缘材料构成的平板状基材41(相当于绝缘性基材)，在基材41的表面侧分别形成第1至第4金属电极布线42～45，在基材41的背面侧形成导线端子46、47。针对基材41，除了俯视形状的大小以外，与第1实施方式的基材11完全相同，所以省略重复说明。
基材41表面侧的第1及第4金属电极布线42、45，经由设在上述基材41的贯通电极(未图示)，与基材41背面侧的导线端子46、47分别连接。在将副基座40载置在其他的布线基板等之上的情况下，在该布线基板上的金属布线与导线端子46、47之间形成电连接。此外，导线端子46、47覆盖基材41背面的大致整面、发挥散热装置的功能。第1至第4金属电极布线42～45相当于金属膜。
在第4实施方式中，以第1金属电极布线42与作为发光元件1a的阳极的第1镀敷电极7连接，第2金属电极布线43与作为发光元件1a的阴极的第2镀敷电极8和作为发光元件1b的阳极的第1镀敷电极7连接，第3金属电极布线44与作为发光元件1b的阴极的第2镀敷电极8和作为发光元件1c的阳极的第1镀敷电极7连接，第4金属电极布线45与作为发光元件1c的阴极的第2镀敷电极8连接的方式，形成第1至第4金属电极布线42～45的各俯视形状。
具体而言，对比图14(A)与图3(A)可以明确，第1金属电极布线42具有与图3(A)的第1金属电极布线12同样的俯视形状，第2金属电极布线43和第3金属电极布线44具有将图3(A)的第1金属电极布线12和第2金属电极布线13沿上述串联方向连结的俯视形状，第4金属电极布线45具有与图3(A)的第2金属电极布线13同样的俯视形状。
再者，第1至第4金属电极布线42～45，如图14(A)所示，第1金属电极布线42由第1电极垫420和连接于其的第1布线部421构成，第2金属电极布线43由5个第2电极垫430和连接于它们的第2布线部431构成，第3金属电极布线44由5个第3电极垫440和连接于它们的第3布线部441构成，第4金属电极布线45由4个第4电极垫450和连接于它们的第4布线部451构成。
此外，在图14中并未图示，第1至第4金属电极布线42～45与第1及第2金属电极布线12、13同样地，作为一例，分别是由铜的厚膜镀敷膜、和覆盖该厚膜镀敷膜表面(上面及侧壁面)的1层或多层的表面金属膜构成。针对铜的厚膜镀敷膜和表面金属膜，由于结构及其制作方法是与第1实施方式的第1及第2金属电极布线12、13相同，所以省略重复说明。
在第4实施方式中，基材41背面侧的导线端子46、47也与基材41表面侧的第1至第4金属电极布线42～45同样地，由铜的厚膜镀敷膜、和覆盖该厚膜镀敷膜表面(上面及侧壁面)的1层或多层的表面金属膜构成。针对导线端子46、47的厚膜镀敷膜和表面金属膜，由于结构及其制作方法是与第1实施方式的导线端子14、15相同，所以省略重复说明。
在第4实施方式中，如图15中示意性所示，以覆盖第1至第4金属电极布线42～45的各侧壁面、及在第1及第2金属电极布线42、43间、第2及第3金属电极布线43、44间、第3及第4金属电极布线44、45间的各间隙部的底面露出的基材41的表面的方式形成有氟树脂膜48。
氟树脂膜48并没有必要将第1至第4金属电极布线42～45的各侧壁面、以及在第1及第2金属电极布线42、43间、第2及第3金属电极布线43、44间、第3及第4金属电极布线44、45间的各间隙部的底面露出的基材41表面全部进行覆盖，至少覆盖第1实施方式中已说明的第1部分，优选覆盖第1部分与第2部分、或者第1部分与第3部分，更优选覆盖第1、第2及第3部分、和夹着该部分而相对置的第1至第4金属电极布线42～45的侧壁面。
另外，在第4实施方式中，第1、第2及第3部分分别在第1及第2金属电极布线42、43间、第2及第3金属电极布线43、44间、以及第3及第4金属电极布线44、45间，与第1实施方式的第1及第2金属电极布线12、13间同样地存在。氟树脂膜48的材质及形成方法，由于与第1～第3实施方式的氟树脂膜16相同，所以省略重复说明。
此外，副基座40的制造方法也与第1～第3实施方式中已说明的副基座10的制造方法相同，因此省略重复说明。
<第5实施方式>
作为本基台的一实施方式，针对并非搭载第1实施方式中已说明的发光元件1、而是搭载1个或多个的安装有该发光元件1的第1实施方式中已说明的副基座10或第4实施方式中已说明的副基座40的布线基板，参照图16加以说明。在以下的说明中，作为一例，通过搭载第1实施方式中已说明的副基座10，来说明构成有3个副基座10的串联电路的布线基板50。另外，为了方便说明，将3个副基座10分别按连接顺序设为副基座10a、10b、10c。
图16为显示布线基板50的俯视形状的平面图(A)、和显示通过该平面图(A)的布线基板50中心、平行于副基座10的串联方向、垂直于布线基板50表面的剖面的剖面形状的剖面图(B)。在图16所示的例中，作为一例，布线基板50的短边比副基座10的一边要长，而布线基板50的长边，则比副基座10一边的长度的3倍要长。
布线基板50具备由与第1实施方式的基材11相同的绝缘材料构成的平板状基材51(相当于绝缘性基材)，在基材51的表面侧分别形成第1至第4金属电极布线52～55。不同于第1及第4实施方式的副基座10、40，在基材51的背面侧不形成导线端子，因此，也并不具备贯通电极。针对基材51，除了俯视形状的大小以外，与第1实施方式的基材11完全相同，所以省略重复说明。
在第5实施方式中，以第1金属电极布线52与作为副基座10a的阳极的导线端子14连接，第2金属电极布线53与作为副基座10a的阴极的导线端子15和作为副基座10b的阳极的导线端子14连接，第3金属电极布线54与作为副基座10b的阴极的导线端子15和作为副基座10c的阳极的导线端子14连接，第4金属电极布线55则与作为副基座10c的阴极的导线端子15连接的方式，形成第1至第4金属电极布线52～55的各俯视形状。另外，由于副基座10的导线端子14、15的俯视形状为矩形，所以第1至第4金属电极布线52～55的各俯视形状也成为矩形。
在图16中并未图示，第1至第4金属电极布线52～55与第1实施方式的第1及第2金属电极布线12、13同样地，作为一例，分别是由铜的厚膜镀敷膜、和覆盖该厚膜镀敷膜表面(上面及侧壁面)的1层或多层的表面金属膜构成。针对铜的厚膜镀敷膜和表面金属膜，由于结构及其制作方法也与第1实施方式的第1及第2金属电极布线12、13相同，所以省略重复说明。
在第5实施方式中，以覆盖在第1及第2金属电极布线52、53间、第2及第3金属电极布线53、54间、第3及第4金属电极布线54、55间的各间隙部的底面露出的基材51的表面；及夹着该表面而相对置的第1至第4金属电极布线52～55的各侧壁面的方式形成有氟树脂膜56。另外，氟树脂膜56可以设为覆盖第1至第4金属电极布线52～55的上面之内、未被用于与副基座10的导线端子14、15连接之处、及上述以外的基材51的露出面。氟树脂膜56的材质及形成方法与第1～第3实施方式的氟树脂膜16相同，所以省略重复说明。
再者，布线基板50的制造方法，除了没有必要形成导线端子与贯通电极以外，也与第1～第3实施方式中已说明的副基座10的制造方法相同，因此省略重复说明。
<其他实施方式>
以下，说明上述第1至第5实施方式的变形例。
<1>在上述第1至第5实施方式中，说明了作为氟树脂膜16、48、56，与倒装芯片安装发光元件1时用于树脂密封的材质相同，由非晶质氟树脂构成的情况，而来自发光元件1的紫外线发光朝向与副基座10、40及布线基板50等基台相反侧射出，氟树脂膜16、48、56的形成处并不位于该光的射出路径，所以不是由透过紫外线的非晶质氟树脂所构成也无妨。换言之，氟树脂膜16、48、56由相对于紫外线，具有与上述的非晶质氟树脂同样的耐紫外线性的、具有结晶质部分的氟树脂所构成也无妨。
<2>在上述第1至第5实施方式中，说明了作为氟树脂膜16、48、56，使用末端官能团具有对金属不呈结合性的非反应性官能团的非结合性氟树脂(第1型非晶质氟树脂)的情况。但是，作为氟树脂膜26，也可以一部分地使用末端官能团具有对金属呈结合性的反应性官能团的结合性氟树脂(第2型非晶质氟树脂)。
在此情况下，由于第2型非晶质氟树脂与第1型非晶质氟树脂相比，对金属面的结合性高，所以将氟树脂膜16、48、56制成第2型非晶质氟树脂与第1型非晶质氟树脂的2层结构，在与第1及第2金属电极布线12、13、第1至第4金属电极布线42～45、52～55的侧壁面直接接触的第1层，形成膜厚极薄的第2型非晶质氟树脂膜，重叠于其上，形成第1型非晶质氟树脂膜，这是优选的实施方式。在此情况下，第1层和第2层的合计膜厚与第1～第5实施方式所例示的氟树脂膜16、48、56相同即可，第1层的膜厚为数原子层的厚度以上即可。第1层和第2层的非晶质氟树脂膜的成膜可以通过以下来实现，替换非晶质氟树脂膜的上述型式，将第1实施方式中已说明的第2制造工序的工序A3及A4反复进行2次之后，转入工序A5。另外，在第2次的工序A3中，在第1次的工序A4中已形成的第1层原型树脂膜261有可能一部分溶解而膜厚变薄，因此优选较厚地成膜为该第1层原型树脂膜261不会全部溶解的程度。
<3>在上述第1至第5实施方式中，在图3(A)中例示了第1及第2金属电极布线12、13的俯视形状，在图14(A)中例示了第1至第4金属电极布线42～45的俯视形状，在图16(A)中例示了第1至第4金属电极布线52～55的俯视形状，但这些的俯视形状并非限定于该图所例示的形状。该俯视形状可以根据其上所搭载的发光元件1或其他部件的端子的配置及形状而适当变更。因此，上述第1至第4实施方式中已说明的搭载于副基座10、40的发光元件，并不限定于第1实施方式中参照图1及图2已说明的结构的发光元件。此外，发光元件1的第1及第2镀敷电极7、8的俯视形状，也不限定于图2例示的形状。
此外，在上述第1至第4实施方式中已说明的副基座10、40，将在形成密封树脂之处在周围，将以使得该密封树脂不会超出该形成处的外侧的树脂堰体形成于发光元件1搭载位置的周围的情况下，优选第1及第2金属电极布线12、13或第1至第4金属电极布线42～45以被收纳到该树脂堰体的内侧的方式设定各俯视形状。
另外，上述的树脂堰体由不因紫外线导致劣化的材料来形成即可。例如，使用与基材11、41相同的绝缘性材料或适于使用的其他绝缘性材料，以将搭载有发光元件1的中央部分环状地包围的副基座10、40的周边部分作成比该中央部分要厚的方式，来制作基材11、41，使该周边部分作为树脂堰体发挥功能即可。此外，树脂堰体使用上述绝缘性材料以外的材料的情况下，优选使用对用于密封树脂形成的涂布液具有疏液性的材料。
<4>在上述第1至第3实施方式中，在第1制造工序中，在基材21形成贯通孔28之后，将第1及第2金属电极布线22、23的厚膜镀敷膜220、230、导线端子24、25的厚膜镀敷膜240、250、贯通电极27的厚膜镀敷膜270同时地形成，再者，将第1及第2金属电极布线22、23的表面金属膜221、231、导线端子24、25的表面金属膜241、251、贯通电极27的表面金属膜271同时地形成。但是，也可以在依照第1实施方式中已说明的要点形成第1及第2金属电极布线22、23与导线端子24、25之前，在贯通孔28内填充导电性材料等，以形成贯通电极27。或者，也可以并不将贯通孔28的全部用该导电性材料填充，而只在贯通孔28的内部深处填充该导电性材料，在将贯通孔28制成非贯通状态之后，实施上述第1制造工序的厚膜镀敷膜及表面金属膜的形成工序。另外，该其他实施方式的贯通电极27的形成顺序，也可以适用于第4实施方式的副基座40的贯通电极。
<5>在上述第4实施方式的副基座40中，在基材41的背面侧设置有导线端子46、47，但也可以将与外部连接用的导线端子46、47形成于基材41的表面侧，在背面侧并不设置导线端子46、47。再者，也可以代替导线端子46、47，将与外部连接用的连接夹具设置在基材41端部的2处，而与第1及第4金属电极布线42、45分别连接。
再者，在上述第5实施方式的布线基板50中，也可不另外设置与外部连接用的导线端子，而在基材51的背面侧设置该导线端子。再者，也可以代替该导线端子，将与外部连接用的连接夹具设置在基材51端部的2处，而与第1及第4金属电极布线52、55分别连接。
再者，在上述第4实施方式的副基座40或者第5实施方式的布线基板50中，例示了搭载3个发光元件1或3个副基座10，构成该3个发光元件1或3个副基座10的串联电路的情况，而所搭载的发光元件1或副基座10的个数、构成的电路的种类，并不限定于上述第4及第5实施方式所例示的内容。此外，副基座40或布线基板50所搭载的元件或电路部件，不限定于发光元件1或副基座10。
<6>在上述第1至第3实施方式中，例示了根据需要对基材21的表面侧进行粗面化处理，或者，使用表面未研磨且粗面状态的基材21，但也优选在此基础上或取而代之，在基材21的表面侧，通过激光加工等形成不贯通至背面侧的孔或槽，作为对密封树脂的固定器。
<7>在上述第4及第5实施方式中，将首先制作副基座40或布线基板50排列成例如矩阵状(包含仅在一方向排列的情况)并被一体化为1片板状的布线基板体、切断或割断该布线基板体后，制作出个个副基座40或布线基板50的情况，参照第1实施方式的副基座10的制造方法来设定。但是，在相对于该布线基板体的基材的面积，副基座40或布线基板50的面积大，并无法2个以上排列的情况等，也可以直接制作单体的副基座40或布线基板50。该情况下，由于不存在切断区域RC，所以在第2制造工序的工序A1及A2或工序B1～B3的掩模处，当然不含切断区域RC。
掩模处不含切断区域RC的情况，不限于直接制作单体的副基座40或布线基板50的情况，上述的掩模处限定于第1至第4金属电极布线42～45、52～55的上面，掩模处的高度一致，因此，作为第2制造工序的工序A1的掩模材料31的涂布方法，例如可以采用以下方法，在面积比副基座40或布线基板50大的平板状板材的表面涂布掩模材料31，将该涂布面压抵于副基座40或布线基板50的表面，将掩模材料31从该板材的表面转印到第1至第4金属电极布线42～45、52～55的上面的各掩模处。转印后，利用加热或紫外线照射等，使掩模材料31固着于第1至第4金属电极布线42～45、52～55的上面的各掩模处。该情况下，掩模材料31的粘度优选为在转印时不会滴落第1至第4金属电极布线42～45、52～55的侧壁面的粘度(1～100Pa·s)。
产业上的可利用性
本发明的基台可以用于安装发光中心波长约为365nm以下的发光二极管，对于防止伴随紫外线发光动作的起因于被填充于基台的电极间的密封树脂或其他树脂组成物的电特性劣化是有效的。
符号说明
1：氮化物半导体紫外线发光元件
2：模板
3：半导体层叠部
4：p电极
5：n电极
6：保护绝缘膜
7：第1镀敷电极
8：第2镀敷电极
9：氟树脂膜
10、40：副基座
11、21、41、51：基材(绝缘性基材)
12：第1金属电极布线
120：第1电极垫
121：第1布线部
13：第2金属电极布线
130：第2电极垫
131：第3布线部
14、15、46、47：导线端子
16：氟树脂膜
17：密封树脂
18：透镜
20：布线基板体(绝缘性基材板)
22：第1金属电极布线
220：第1金属电极布线的厚膜镀敷膜
221：第1金属电极布线的表面金属膜
23：第2金属电极布线
230：第2金属电极布线的厚膜镀敷膜
231：第2金属电极布线的表面金属膜
24、25：导线端子
240、250：导线端子的厚膜镀敷膜
241、251：导线端子的表面金属膜
26、48、56：氟树脂膜
260：涂布液
261：原型树脂膜
27：贯通电极
270：贯通电极的厚膜镀敷膜
271：贯通电极的表面金属膜
28：贯通孔
29：晶种膜
30：感光性片材薄膜
31：掩模材料
32：第2氟树脂膜
42：第1金属电极布线
420：第1金属电极布线的厚膜镀敷膜
421：第1金属电极布线的表面金属膜
43：第2金属电极布线
430：第2金属电极布线的厚膜镀敷膜
431：第2金属电极布线的表面金属膜
44：第3金属电极布线
440：第3金属电极布线的厚膜镀敷膜
441：第3金属电极布线的表面金属膜
45：第4金属电极布线
450：第4金属电极布线的厚膜镀敷膜
451：第4金属电极布线的表面金属膜
50：布线基板
52：第1金属电极布线
53：第2金属电极布线
54：第3金属电极布线
55：第4金属电极布线
RC：切断区域

Claims (30)

1.一种布线基板体，其特征在于，将包括倒装芯片安装的芯片内装安装用或表面安装用的基台多个排列成矩阵状，一体化为1片板状而构成，
所述基台具备绝缘性基材、和在所述绝缘性基材一侧面上被形成的相互电分离的2个以上的金属膜，
至少在所述绝缘性基材所述一侧面侧的表面露出的表层部，由不因被紫外线照射而劣化的材质所构成；
所述2个以上的金属膜的上面和侧壁面由金或铂族金属覆盖，并且，所述2个以上的金属膜能够搭载1个或多个氮化物半导体发光元件或者将氮化物半导体发光元件倒装芯片安装而成的1个或多个副基座，整体上，被形成包含2个以上的电极垫的规定的俯视形状；
在所述绝缘性基材所述一侧面上，沿着不被所述金属膜覆盖的所述绝缘性基材的露出面与所述金属膜的侧壁面的边界线，至少，与所述边界线连续的所述绝缘性基材的所述露出面相邻接的2个所述电极垫所夹的第1部分、和夹着所述第1部分而相对置的所述金属膜的所述侧壁面，由氟树脂覆盖；
所述金属膜的上面的至少构成所述电极垫之处不被所述氟树脂膜覆盖；
在成为所述绝缘性基材的绝缘性基材板上，每1个所述基台的所述2个以上金属膜矩阵状地周期性地排列形成；
在所述绝缘性基材板上的所述基台1个单元的单位区划相邻接的单位区划间的边界线上设置格子状的切断区域，
在所述切断区域不形成所述氟树脂膜。
2.如权利要求1所述的布线基板体，其特征在于，
所述2个以上的电极垫内的1对电极垫，以所述1个或多个氮化物半导体发光元件之内的1个氮化物半导体发光元件或者所述1个或多个副基座之内的1个副基座的n侧电极与p侧电极，分别电连接且物理连接起来的方式，被形成于所述绝缘性基材的表面。
3.如权利要求1或2所述的布线基板体，其特征在于，
在分别包含所述2个以上的电极垫之内的1对电极垫的1对所述金属膜之间露出的所述绝缘性基材的露出面之内，至少，1对所述金属膜之间的距离为所述1对电极垫间的间隔距离的最大值以下的第2部分、和夹着所述第2部分而相对置的所述金属膜的所述侧壁面，被所述氟树脂膜覆盖。
4.如权利要求1或2所述的布线基板体，其特征在于，
所述氟树脂膜具有由以含氟脂肪族环结构为结构单元的聚合物所构成的非晶质氟树脂。
5.如权利要求1或2所述的布线基板体，其特征在于，
所述氟树脂膜具有由以含氟脂肪族环结构为结构单元的共聚物所构成的非晶质氟树脂。
6.如权利要求1或2所述的布线基板体，其特征在于，
所述氟树脂膜包含构成氟树脂的聚合物的末端官能团为对金属不呈结合性的非反应性末端官能团的第1型氟树脂。
7.如权利要求1或2所述的布线基板体，其特征在于，
所述氟树脂膜包含构成氟树脂的共聚物的末端官能团为对金属不呈结合性的非反应性末端官能团的第1型氟树脂。
8.如权利要求1或2所述的布线基板体，其特征在于，
所述氟树脂膜由2层以上层叠膜所形成；与所述金属膜接触的所述层叠膜的第1层树脂膜，包含构成氟树脂的聚合物的末端官能团为对金属呈结合性的反应性末端官能团的第2型氟树脂；所述层叠膜的第2层以后的树脂膜，包含构成氟树脂的聚合物的末端官能团为对金属不呈结合性的非反应性末端官能团的第1型氟树脂。
9.如权利要求1或2所述的布线基板体，其特征在于，
所述氟树脂膜由2层以上层叠膜所形成；与所述金属膜接触的所述层叠膜的第1层树脂膜，包含构成氟树脂的共聚物的末端官能团为对金属呈结合性的反应性末端官能团的第2型氟树脂；所述层叠膜的第2层以后的树脂膜，包含构成氟树脂的共聚物的末端官能团为对金属不呈结合性的非反应性末端官能团的第1型氟树脂。
10.如权利要求1或2所述的布线基板体，其特征在于，
在所述基台的外周端缘部的上面，形成第2氟树脂膜作为所述氟树脂膜的基底膜，所述第2氟树脂膜包含构成氟树脂的聚合物的末端官能团为对金属呈结合性的反应性末端官能团的第2型氟树脂。
11.如权利要求1或2所述的布线基板体，其特征在于，
在所述基台的外周端缘部的上面，形成第2氟树脂膜作为所述氟树脂膜的基底膜，所述第2氟树脂膜包含构成氟树脂的共聚物的末端官能团为对金属呈结合性的反应性末端官能团的第2型氟树脂。
12.一种基台的制造方法，其特征在于，其是包括倒装芯片安装的芯片内装安装用或表面安装用的基台的制造方法，其具备第1工序和第2工序，
所述基台具备绝缘性基材、和在所述绝缘性基材一侧面上被形成的相互电分离的2个以上的金属膜，
至少在所述绝缘性基材所述一侧面侧的表面露出的表层部，由不因被紫外线照射而劣化的材质所构成；
所述2个以上的金属膜的上面和侧壁面由金或铂族金属覆盖，并且，所述2个以上的金属膜能够搭载1个或多个氮化物半导体发光元件或者将氮化物半导体发光元件倒装芯片安装而成的1个或多个副基座，整体上，被形成包含2个以上的电极垫的规定的俯视形状；
在所述绝缘性基材所述一侧面上，沿着不被所述金属膜覆盖的所述绝缘性基材的露出面与所述金属膜的侧壁面的边界线，至少，与所述边界线连续的所述绝缘性基材的所述露出面相邻接的2个所述电极垫所夹的第1部分、和夹着所述第1部分而相对置的所述金属膜的所述侧壁面，由氟树脂覆盖；
所述金属膜的上面的至少构成所述电极垫之处不被所述氟树脂膜覆盖；在所述第1工序中，
在成为所述绝缘性基材的绝缘性基材板上，将每1个所述基台的所述2个以上金属膜矩阵状地周期性地排列形成；
从而对所述基台分别在所述绝缘性基材的所述一侧面上形成所述2个以上金属膜；
在所述第2工序中，
在所述绝缘性基材板上的所述基台1个单元的单位区划相邻接的单位区划间的边界线上被设置的格子状的切断区域，形成阻止所述氟树脂膜形成的第2掩模材料；
在所述第2掩模材料形成后的所述绝缘性基材的所述一侧面上，涂布包含构成所述氟树脂膜的氟树脂的涂布液；
在使所述涂布液干燥并形成所述氟树脂覆膜之后，除去所述第2掩模材料和在所述第2掩模材料上被形成的所述氟树脂覆膜的一部分；
从而对所述基台分别在所述绝缘性基材的所述一侧面上，沿着不被所述金属膜覆盖的所述绝缘性基材的露出面与所述金属膜的侧壁面的边界线，至少，将在与所述边界线连续的所述绝缘性基材的所述露出面相邻接的2个所述电极垫所夹着的第1部分、和夹着所述第1部分而相对置的所述金属膜的所述侧壁面，用所述氟树脂膜进行覆盖。
13.如权利要求12所述的基台的制造方法，其特征在于，
在所述第2工序中，
在所述金属膜的上面的至少构成所述电极垫之处，形成阻止所述氟树脂膜形成的第1掩模材料；
在所述第1掩模材料形成后的所述绝缘性基材的所述一侧面上，涂布包含构成所述氟树脂膜的氟树脂的涂布液；
在使所述涂布液干燥并形成所述氟树脂覆膜之后，除去所述第1掩模材料和在所述第1掩模材料上被形成的所述氟树脂覆膜的一部分。
14.如权利要求13所述的基台的制造方法，其特征在于，
所述第1掩模材料由不含氟树脂的树脂组成物所构成；
在所述第2工序中，利用不溶解所述氟树脂膜的有机溶剂对所述第1掩模材料进行溶解并除去。
15.如权利要求12或13所述的基台的制造方法，其特征在于，
在所述第2工序中，在所述绝缘性基材的所述一侧面上，涂布包含构成所述氟树脂膜的氟树脂的涂布液；
在使所述涂布液干燥并形成所述氟树脂覆膜之后，通过研磨除去在所述金属膜的上面上被形成的所述氟树脂覆膜的一部分。
16.一种基台的制造方法，其特征在于，其是包括倒装芯片安装的芯片内装安装用或表面安装用的基台的制造方法，其具备第1工序和第2工序，
所述基台具备绝缘性基材、和在所述绝缘性基材一侧面上被形成的相互电分离的2个以上的金属膜，
至少在所述绝缘性基材所述一侧面侧的表面露出的表层部，由不因被紫外线照射而劣化的材质所构成；
所述2个以上的金属膜的上面和侧壁面由金或铂族金属覆盖，并且，所述2个以上的金属膜能够搭载1个或多个氮化物半导体发光元件或者将氮化物半导体发光元件倒装芯片安装而成的1个或多个副基座，整体上，被形成包含2个以上的电极垫的规定的俯视形状；
在所述绝缘性基材所述一侧面上，沿着不被所述金属膜覆盖的所述绝缘性基材的露出面与所述金属膜的侧壁面的边界线，至少，与所述边界线连续的所述绝缘性基材的所述露出面相邻接的2个所述电极垫所夹的第1部分、和夹着所述第1部分而相对置的所述金属膜的所述侧壁面，由氟树脂覆盖；
所述金属膜的上面的至少构成所述电极垫之处不被所述氟树脂膜覆盖；
在所述第1工序中，
在成为所述绝缘性基材的绝缘性基材板上，将每1个所述基台的所述2个以上金属膜矩阵状地周期性地排列形成；
从而对所述基台分别在所述绝缘性基材的所述一侧面上形成所述2个以上金属膜；
在所述第2工序中，
至少，在所述绝缘性基材板上的所述基台1个单元的单位区划相邻接的单位区划间的边界线上被设置的格子状的切断区域、和所述金属膜的上面的至少构成所述电极垫之处，形成阻止所述氟树脂膜形成的第2掩模材料；在所述第2掩模材料形成后的所述绝缘性基材的所述一侧面上，涂布包含构成所述氟树脂膜的氟树脂的涂布液；
在使所述涂布液干燥并形成所述氟树脂覆膜之后，除去所述第2掩模材料和在所述第2掩模材料上被形成的所述氟树脂覆膜的一部分；
从而对所述基台分别在所述绝缘性基材的所述一侧面上，沿着不被所述金属膜覆盖的所述绝缘性基材的露出面与所述金属膜的侧壁面的边界线，至少，将在与所述边界线连续的所述绝缘性基材的所述露出面相邻接的2个所述电极垫所夹着的第1部分、和夹着所述第1部分而相对置的所述金属膜的所述侧壁面，用所述氟树脂膜进行覆盖。
17.如权利要求12、13或16中任一项所述的基台的制造方法，其特征在于，
所述第2掩模材料由不含氟树脂的树脂组成物所构成；
在所述第2工序中，利用不溶解所述氟树脂膜的有机溶剂对所述第2掩模材料进行溶解并除去。
18.如权利要求12、13或16中任一项所述的基台的制造方法，其特征在于，
在所述第1工序中，
在成为所述绝缘性基材的绝缘性基材板上，将每1个所述基台的所述2个以上金属膜矩阵状地周期性地排列形成；
在所述第1工序与所述第2工序之间，
在所述切断区域与其侧方区域、或者所述切断区域的侧方区域，形成第2氟树脂膜作为所述氟树脂膜的基底膜，所述第2氟树脂膜包含构成氟树脂的聚合物的末端官能团为对金属呈结合性的反应性末端官能团的第2型氟树脂。
19.如权利要求12、13或16中任一项所述的基台的制造方法，其特征在于，
在所述第1工序中，
在成为所述绝缘性基材的绝缘性基材板上，将每1个所述基台的所述2个以上金属膜矩阵状地周期性地排列形成；
在所述第1工序与所述第2工序之间，
在所述切断区域与其侧方区域、或者所述切断区域的侧方区域，形成第2氟树脂膜作为所述氟树脂膜的基底膜，所述第2氟树脂膜包含构成氟树脂的共聚物的末端官能团为对金属呈结合性的反应性末端官能团的第2型氟树脂。
20.如权利要求12、13或16中任一项所述的基台的制造方法，其特征在于，
所述第2工序之后，沿着所述切断区域切断或割断所述绝缘性基材板，分割成个个所述基台。
21.如权利要求12、13或16中任一项所述的基台的制造方法，其特征在于，
所述2个以上的电极垫内的1对电极垫，以所述1个或多个氮化物半导体发光元件之内的1个氮化物半导体发光元件或者所述1个或多个副基座之内的1个副基座的n侧电极与p侧电极，分别电连接且物理连接起来的方式，被形成于所述绝缘性基材的表面。
22.如权利要求12、13或16中任一项所述的基台的制造方法，其特征在于，
在分别包含所述2个以上的电极垫之内的1对电极垫的1对所述金属膜之间露出的所述绝缘性基材的露出面之内，至少，1对所述金属膜之间的距离为所述1对电极垫间的间隔距离的最大值以下的第2部分、和夹着所述第2部分而相对置的所述金属膜的所述侧壁面，被所述氟树脂膜覆盖。
23.如权利要求12、13或16中任一项所述的基台的制造方法，其特征在于，
所述氟树脂膜具有由以含氟脂肪族环结构为结构单元的聚合物所构成的非晶质氟树脂。
24.如权利要求12、13或16中任一项所述的基台的制造方法，其特征在于，
所述氟树脂膜具有由以含氟脂肪族环结构为结构单元的共聚物所构成的非晶质氟树脂。
25.如权利要求12、13或16中任一项所述的基台的制造方法，其特征在于，
所述氟树脂膜包含构成氟树脂的聚合物的末端官能团为对金属不呈结合性的非反应性末端官能团的第1型氟树脂。
26.如权利要求12、13或16中任一项所述的基台的制造方法，其特征在于，
所述氟树脂膜包含构成氟树脂的共聚物的末端官能团为对金属不呈结合性的非反应性末端官能团的第1型氟树脂。
27.如权利要求12、13或16中任一项所述的基台的制造方法，其特征在于，
所述氟树脂膜由2层以上层叠膜所形成；与所述金属膜接触的所述层叠膜的第1层树脂膜，包含构成氟树脂的聚合物的末端官能团为对金属呈结合性的反应性末端官能团的第2型氟树脂；所述层叠膜的第2层以后的树脂膜，包含构成氟树脂的聚合物的末端官能团为对金属不呈结合性的非反应性末端官能团的第1型氟树脂。
28.如权利要求12、13或16中任一项所述的基台的制造方法，其特征在于，
所述氟树脂膜由2层以上层叠膜所形成；与所述金属膜接触的所述层叠膜的第1层树脂膜，包含构成氟树脂的共聚物的末端官能团为对金属呈结合性的反应性末端官能团的第2型氟树脂；所述层叠膜的第2层以后的树脂膜，包含构成氟树脂的共聚物的末端官能团为对金属不呈结合性的非反应性末端官能团的第1型氟树脂。
29.如权利要求12、13或16中任一项所述的基台的制造方法，其特征在于，
在所述基台的外周端缘部的上面，形成第2氟树脂膜作为所述氟树脂膜的基底膜，所述第2氟树脂膜包含构成氟树脂的聚合物的末端官能团为对金属呈结合性的反应性末端官能团的第2型氟树脂。
30.如权利要求12、13或16中任一项所述的基台的制造方法，其特征在于，
在所述基台的外周端缘部的上面，形成第2氟树脂膜作为所述氟树脂膜的基底膜，所述第2氟树脂膜包含构成氟树脂的共聚物的末端官能团为对金属呈结合性的反应性末端官能团的第2型氟树脂。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3528297B1 (en) * 2016-11-22 2021-05-19 National Institute of Information and Communications Technology Light-emitting module provided with semiconductor light-emitting element that emits deep ultraviolet light
WO2019043840A1 (ja) * 2017-08-30 2019-03-07 創光科学株式会社 発光装置
JP7057488B2 (ja) 2017-09-27 2022-04-20 日亜化学工業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP7125503B2 (ja) * 2018-09-04 2022-08-24 廈門市三安光電科技有限公司 紫外発光ダイオードパッケージ構造及び製造方法
CN112909137B (zh) * 2021-01-22 2023-05-30 南昌大学 一种用于可见光通信的led芯片结构

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012144493A1 (ja) * 2011-04-18 2012-10-26 イビデン株式会社 ソルダーレジスト、ソルダーレジスト原料、ｌｅｄ基板、発光モジュール、発光モジュールを有する機器、ｌｅｄ基板の製造方法、発光モジュールの製造方法、及び発光モジュールを有する機器の製造方法
CN103117347A (zh) * 2011-11-16 2013-05-22 Lg伊诺特有限公司 发光器件以及具有该发光器件的发光装置
CN104813492A (zh) * 2013-04-30 2015-07-29 创光科学株式会社 紫外线发光装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060138443A1 (en) 2004-12-23 2006-06-29 Iii-N Technology, Inc. Encapsulation and packaging of ultraviolet and deep-ultraviolet light emitting diodes
JP5020480B2 (ja) 2005-06-14 2012-09-05 電気化学工業株式会社 蛍光体組成物とその用途
JP4711208B2 (ja) 2006-03-17 2011-06-29 山栄化学株式会社 感光性熱硬化性樹脂組成物、並びにレジスト膜被覆平滑化プリント配線基板及びその製造法。
JP2007311707A (ja) 2006-05-22 2007-11-29 Ushio Inc 紫外線発光素子パッケージ
KR100850243B1 (ko) * 2007-07-26 2008-08-04 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP4780203B2 (ja) * 2009-02-10 2011-09-28 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
US8080436B2 (en) * 2009-07-30 2011-12-20 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
US8455908B2 (en) 2011-02-16 2013-06-04 Cree, Inc. Light emitting devices
WO2013069232A1 (ja) * 2011-11-07 2013-05-16 パナソニック株式会社 配線板とそれを用いた発光装置及びそれらの製造方法
JP6225453B2 (ja) * 2012-05-24 2017-11-08 日亜化学工業株式会社 半導体装置
US20150024385A1 (en) * 2013-07-22 2015-01-22 Wisconsin Alumni Research Foundation Prediction of fertility in males
JP6094415B2 (ja) 2013-07-24 2017-03-15 豊田合成株式会社 配線基板および基板モジュール
JP6451579B2 (ja) * 2015-09-30 2019-01-16 日亜化学工業株式会社 発光装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012144493A1 (ja) * 2011-04-18 2012-10-26 イビデン株式会社 ソルダーレジスト、ソルダーレジスト原料、ｌｅｄ基板、発光モジュール、発光モジュールを有する機器、ｌｅｄ基板の製造方法、発光モジュールの製造方法、及び発光モジュールを有する機器の製造方法
CN103117347A (zh) * 2011-11-16 2013-05-22 Lg伊诺特有限公司 发光器件以及具有该发光器件的发光装置
CN104813492A (zh) * 2013-04-30 2015-07-29 创光科学株式会社 紫外线发光装置

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