JP6172966B2 - 光学素子用基板及び光学素子パッケージの製造方法並びに光学素子用基板及び光学素子パッケージ - Google Patents
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Claims (8)
- 多孔質セラミックス基板を用意する工程と、
前記多孔質セラミックス基板上に、その酸化物が透明かつ絶縁性を有するとともに、その厚みが前記多孔質セラミックス基板表面の凹凸より厚い金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上又は前記金属膜上に形成されたメッキシード層上に貴金属でない金属メッキ層を形成する工程と、
前記金属メッキ層を部分的に除去する工程と、
セ氏600度以下の温度で焼成することにより、前記金属膜を酸化により透明かつ絶縁性を有する金属酸化物層へと変化させ、前記金属メッキ層はその内部が酸化されず、導電性を維持する工程と、
を有する光学素子用基板の製造方法。 - 前記金属酸化物層は、実質的に、前記セラミックス基板の全面を覆う請求項1記載の光学素子用基板の製造方法。
- 前記金属膜は、チタン、タングステン、アルミニウム又はこれらの混合物膜である請求項1又は2記載の光学素子用基板の製造方法。
- 前記金属メッキ層は銅メッキにより形成される請求項1乃至3のいずれかに記載の光学素子用基板の製造方法。
- 前記多孔質セラミックス基板は、多孔質アルミナセラミックス基板である請求項1乃至4のいずれかに記載の光学素子用基板の製造方法。
- 多孔質セラミックス基板を用意する工程と、
前記セラミックス基板上に、その酸化物が透明かつ絶縁性を有するとともに、その厚みが前記多孔質セラミックス基板表面の凹凸より厚い金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上又は前記金属膜上に形成されたメッキシード層上に貴金属でない金属メッキ層を形成する工程と、
前記金属メッキ層を部分的に除去する工程と、
セ氏600度以下の温度で焼成することにより、前記金属膜を酸化により透明かつ絶縁性を有する金属酸化物層へと変化させ、前記金属メッキ層はその内部が酸化されず、導電性を維持する工程と、
フリップチップ実装により前記金属メッキ層に光学素子を接続する工程と、
を有する光学素子パッケージの製造方法。 - 多孔質セラミックス基板と、
前記多孔質セラミックス基板上に前記多孔質セラミックス基板と直接接するように形成された、透明かつ絶縁性を有するとともに、その厚みが前記多孔質セラミックス基板表面の凹凸より厚い金属酸化物層と、
前記金属酸化物層上に貴金属でない金属により形成され、その内部が酸化されず、導電性を維持する配線パターンと、
を有する光学素子用基板。 - 請求項7に記載の光学素子用基板と、
フリップチップ実装により前記配線パターンに接続された光学素子と、
を有する光学素子パッケージ。
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