JP2008159671A - プリント配線基板および電子装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】接着強度を確保しつつ、接着剤の広がりを抑止することが可能なプリント配線基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板21に配線パターン22が形成され、この配線パターン22の搭載パターン部22bに銀ペーストPを介在させて発光素子3が搭載されるプリント配線基板2において、搭載パターン部22bには、銀ペーストPが塗布されることで発光素子3の底面と接着する接着パターン部22bxと、接着パターン部22bxの周囲に、絶縁基板21が露出するように接着パターン部22bxと隙間Sをあけて形成されたダミーパターン部22byとが設けられている。また、ダミーパターン部22byに、隙間Sに沿って第1レジスト部51が設けられている。
【選択図】図1
【解決手段】絶縁基板21に配線パターン22が形成され、この配線パターン22の搭載パターン部22bに銀ペーストPを介在させて発光素子3が搭載されるプリント配線基板2において、搭載パターン部22bには、銀ペーストPが塗布されることで発光素子3の底面と接着する接着パターン部22bxと、接着パターン部22bxの周囲に、絶縁基板21が露出するように接着パターン部22bxと隙間Sをあけて形成されたダミーパターン部22byとが設けられている。また、ダミーパターン部22byに、隙間Sに沿って第1レジスト部51が設けられている。
【選択図】図1
Description
本発明は、絶縁基板に配線パターンが形成され、電子部品が接着剤を介在させて搭載されるプリント配線基板、およびこのプリント配線基板を用いた電子装置に関する。
接着剤を介在させて電子部品が搭載されるプリント配線基板は、電子部品を強固に固着する必要がある。それは、半導体素子などの電子部品をプリント配線基板に搭載し、この電子部品を樹脂で封止した電子装置を、実装基板に半田ペーストなどを介在させて実装するときに、リフロー炉での加熱で封止樹脂が熱膨張し、その応力により電子部品がプリント配線基板から剥離してしまうことがあるからである。
例えば、特許文献1に記載された樹脂封止型発光装置は、基板上に形成された一対の電極と、一方の電極に接続された発光素子と、発光素子を封止する樹脂封止部を有し、発光素子を実装する電極(パッド部)に基板面を露出させた切り欠き部を形成することで、パッド部と発光素子とを強固に固着することができるというものである。この切り欠き部として、特許文献1には、矩形状の切り欠きを略格子状に配列したり、円形状の切り欠きとしたり、各周縁に略円弧状の切り欠きとしたりすることが記載されている。
特開平8−204239号公報
しかし、特許文献1に記載された樹脂封止型発光装置のプリント配線基板では、接着剤をパッド部に、例えば、転写法にて塗布する場合に、版側の接着剤が、押し出されるようにしてパッド部の上面から周囲に広がるおそれがある。そうなると、接着剤が導電性であれば、他の電極に付着してパッド部と短絡することで動作不良の原因となるおそれがある。また、接着剤が絶縁性であっても他の電極面上に付着することで、他の電子部品の接続を阻害する要因となるおそれがある。
そこで本発明は、接着強度を確保しつつ、接着剤の広がりを抑止することが可能なプリント配線基板を提供することを目的とする。
本発明は、絶縁基板に形成された配線パターンに、接着剤が塗布されることで電子部品の接着面と接着する接着パターン部と、接着パターン部の周囲に、絶縁基板が露出するように接着パターン部と隙間をあけて形成されたダミーパターン部とが設けられたことを特徴とする。
本発明は、接着パターン部の厚みおよびダミーパターン部の厚みによる壁面と、絶縁基板による底面とでできる溝によって、接着剤を堰き止めることができるので、接着強度を確保しつつ、接着剤の広がりを抑止して、他の電極などへの付着を防止することができる。
本願の第1の発明は、絶縁基板に配線パターンが形成され、この配線パターンの搭載パターン部に接着剤を介在させて電子部品が搭載されるプリント配線基板において、搭載パターン部には、接着剤が塗布されることで電子部品の接着面と接着する接着パターン部と、接着パターン部の周囲に、絶縁基板が露出するように接着パターン部と隙間をあけて形成されたダミーパターン部とが設けられたことを特徴としたものである。
本発明のプリント配線基板は、接着パターン部の周囲に、絶縁基板が露出するように接着パターン部と隙間をあけて形成されたダミーパターン部が設けられているので、接着剤が塗布されると、接着剤が接着パターン部の上面から流れ出しても、接着パターン部の厚みおよびダミーパターン部の厚みによる壁面と、絶縁基板による底面とでできる溝によって、接着剤を堰き止めることができる。従って、接着剤が流出して他の電極などに付着してしまうことが防止できる。
本願の第2の発明は、第1の発明において、ダミーパターン部に、隙間に沿って樹脂層が設けられていることを特徴としたものである。
本願の第2の発明においては、樹脂層がダミーパターン部に、隙間に沿って設けられていることで、ダミーパターン部の厚みによる壁面に、樹脂層の厚みによる高さが加わるので、より高く壁面を形成することができる。従って、接着剤が大量に流れても、ダミーパターン部と樹脂層とで堰き止めることができる。
本願の第3の発明は、第2の発明において、樹脂層は、ダミーパターン部の全面に形成されていることを特徴としたものである。
本願の第3の発明においては、ダミーパターン部の全面に、樹脂層が形成されていることで、樹脂層と電子部品を封止する樹脂との接触面積を広く確保することができるので、リフロー処理により封止樹脂が熱膨張しても、樹脂層と封止樹脂とが密着した状態となっているため、プリント配線基板から封止樹脂が剥離してしまうことを防止することができる。従って、この樹脂層は、接着剤の流出による動作不良の原因を防止しつつ、封止樹脂の剥離を防止することができる。
本願の第4の発明は、絶縁基板に配線パターンが形成されたプリント配線基板と、この配線パターンの搭載パターン部に接着剤を介在させて搭載された電子部品と、電子部品を封止する樹脂封止部とを備えた電子装置において、搭載パターン部には、接着剤が塗布されることで電子部品の接着面と接着する接着パターン部と、接着パターン部の周囲に、絶縁基板が露出するように接着パターン部と隙間をあけて形成されたダミーパターン部とが設けられたことを特徴としたものである。
本発明の電子装置は、接着パターン部の周囲に、絶縁基板が露出するように接着パターン部と隙間をあけて形成されたダミーパターン部が設けられているので、接着剤が塗布されると、接着剤が接着パターン部の上面から流れ出しても、ダミーパターン部の厚みによる壁面と、絶縁基板による底面とでできる溝によって、接着剤を堰き止めることができる。従って、接着剤が流出することによる短絡などが防止できる。
(実施の形態)
本発明の実施の形態に係る電子部品を、発光装置を例に、図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る発光装置を示す断面図である。図2は、図1に示す発光装置の平面図である。
本発明の実施の形態に係る電子部品を、発光装置を例に、図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る発光装置を示す断面図である。図2は、図1に示す発光装置の平面図である。
図1および図2に示すように、発光装置1は、プリント配線基板2と、発光素子3と、樹脂封止部4と、レジスト部5とを備えた表面実装型のLEDである。
プリント配線基板2は、絶縁基板21に、配線パターン22が形成されている。絶縁基板21は、約0.8mm×約1.6mmの平面視して矩形状で、ガラスエポキシ樹脂や、BTレジン(ビスマレイミドトリアジン樹脂系の熱硬化樹脂)により形成することができる。
ここで、配線パターン22について、図3および図4に基づいて詳細に説明する。図3は、本発明の実施の形態に係るプリント配線基板を示す平面図である。図4は、図3に示すプリント配線基板の断面図である。
配線パターン22は、厚みが約15μmの金属薄膜で形成されている。図3および図4に示すように、配線パターン22は、電極パターン部22aと、搭載パターン部22bと、ワイヤボンドパターン部22cと、接続パターン部22dとが形成されている。
電極パターン部22aは、絶縁基板21の両端部に、上面から底面まで側面を覆うように断面コ字状に一対形成されている。この電極パターン部22aは、一方がカソード端子、他方がアノード端子である。
搭載パターン部22bは、接着剤が塗布されることで発光素子3(図1参照)の接着面と接着する接着パターン部22bxと、接着パターン部22bxの周囲に、絶縁基板21が露出するように接着パターン部22bxと隙間Sをあけて形成されたダミーパターン部22byとが形成されている。
接着パターン部22bxは、発光素子3の接着面である底面の形状と、ほぼ同じ大きさに合わせた正方形状に形成され、発光素子3と導電性接着剤である銀ペーストPを介在させて接続している。ダミーパターン部22byは、接着パターン部22bxの周囲を囲うように外形が正方形の額縁状に形成されている。この接着パターン部22bxと、ダミーパターン部22byとは、発光素子3への電源供給のための連絡パターン部22bzが形成されている。この連絡パターン部22bzは、接着パターン部22bxに搭載される発光素子3の底面がn側電極となっているために、一方の電極パターン部22aと導通する必要があるため設けられている。従って、接着パターン部22bxに搭載される発光素子の底面に電極が形成されていないものであれば、連絡パターン部22bzは省略することが可能である。
ワイヤボンドパターン部22cは、発光素子3のp側電極とワイヤ6にて導通接続するためのパターンである。
接続パターン部22dは、一対の電極パターン部22aと、搭載パターン部22bおよびワイヤボンドパターン部22cとに接続するパターンである。
発光素子3は、導電性基板に、n型半導体層、発光層およびp型半導体層が順次積層され、導電性基板の底面にn側電極、p型半導体層の上面にp側電極を設けたものである。従って、発光素子3の底面は、接着パターン部22bxに導通接続される接着面となる。
樹脂封止部4は、光透過性を有する樹脂で形成されている。樹脂封止部4を形成する樹脂としてはエポキシ樹脂などが使用できる。この樹脂封止部4には、発光素子3からの光に励起され、波長変換する蛍光体などが含有されていてもよい。
図1および図2に示すように、レジスト部5は、ダミーパターン部22by上の全面に形成された第1レジスト部51と、ワイヤボンドパターン部22cに接続された接続パターン部22dを横切るように形成された第2レジスト部52と、絶縁基板21の搭載面の反対側となる裏面に形成された第3レジスト部53とを備えている。このレジスト部5は、耐熱性を有する樹脂のコーティング材により形成されており、厚みは約30μmに形成されている。
第1レジスト部51は、ダミーパターン部22byと同じ、外形が正方形の額縁状に形成され、搭載パターン部22bへの水分の進入を防止する機能を有している。第2レジスト部52は、細長の矩形状に形成され、第1レジスト部51と同様に、ワイヤボンドパターン部22cへの水分の進入を防止する機能を有している。第3レジスト部53は、電極パターン部22aの極性を示すために、図1および図2からでは判別できないが、三角形状に形成されている。
以上のように構成された本発明の実施の形態に係る発光装置1の製造方法を、図5に基づいて説明する。図5(A)から同図(D)は、本発明の実施の形態に係る発光装置1の製造方法を示す図である。なお、発光装置1を製造するときには、プリント配線基板2が列状に形成された集合基板の状態で行われるが、図5においては1個分のみを図示している。
図5(A)に示すように、まず、プリント配線基板2に、レジスト部5が形成されたものを準備する。プリント配線基板2は、絶縁基板21の全面に銅箔層を形成した後に、この銅箔層を所定パターンにエッチングにより除去し、残った銅箔層上に、Ni−Auめっきを施して配線パターン22とすることで形成することができる。レジスト部5は、例えば、フォトレジストを全面に形成し、第1〜第3レジスト部51〜53の形状に合わせたフォトマスクを通して選択的に紫外線を照射し、エッチングすることにより第1〜第3レジスト部51〜53の部分を残すことで形成される。
次に、図5(B)に示すように、搭載パターン部22bの接着パターン部22bxに転写法にて銀ペーストPを塗布する。このとき、版側の銀ペーストPが、押し出されるようにして接着パターン部22bxの上面から周囲に広がってしまうことがある。これは、本実施の形態の発光装置1のように、サイズが約0.8mm×約1.6mmしかなく、接着パターン部22bxが約0.3mm×約0.3mm程度しかない超小型である場合には、塗布する銀ペーストPが、僅かに所定量より多くても顕著になる。しかし、接着パターン部22bxと、ダミーパターン部22byとの間には、隙間Sがあるので、銀ペーストPは、接着パターン部22bxの厚みおよびダミーパターン部22byの厚みによる壁面と、絶縁基板21による底面とでできる溝によって、広がる銀ペーストPを堰き止めることができる。従って、銀ペーストPが流出してワイヤボンドパターン部22cに付着することで、接着パターン部22bxと短絡したり、ワイヤ6がボンディングされる位置に付着してワイヤ6(図1参照)の接着性を低下させたりすることが防止できる。
このようにして、銀ペーストPを塗布すると、図5(C)に示すように、発光素子3を接着パターン部22bxに載置する。銀ペーストPは、発光素子3の底面と接着パターン部22bxを導通接着しているが、隙間Sにより露出した絶縁基板21にも接着している。銀ペーストPは、銀粉体を樹脂接着剤に含有したものであり、樹脂で形成された絶縁基板21とは結合力が高い。従って、銀ペーストPは、隙間Sによって露出した絶縁基板21と接着することで、発光素子3を接着パターン部22bxに強固に固着させることができる。
また、ダミーパターン部22byの上面に形成された第1レジスト部51は、隙間Sに沿って形成されているので、ダミーパターン部22byの厚みによる壁面に、第1レジスト部51の厚みによる高さが加わることで、より高く壁面が形成される。従って、大量に銀ペーストPが流れても、堰き止めることができる。
また、本実施の形態に係る発光装置1では、ダミーパターン部22byに、樹脂で形成された第1レジスト部51が積層されているので、容易に厚みを厚く形成することができる。従って、ダミーパターン部22byに、樹脂膜である第1レジスト部51を1層積層するだけで、金属薄膜の数層分の効果を得ることができる。なお、第1レジスト部51は、銀ペーストPの塗布量に応じて複数層積層することも可能である。
発光素子3を接着パターン部22bxに搭載すると、発光素子3の上面に位置するp側電極と、ワイヤボンドパターン部22cとをワイヤ6にて接続する。
発光素子3のダイボンディングおよびワイヤボンディングが終わると、トランスファー成型法にて、樹脂封止部4を形成し、それぞれ個片とすることで、図5(D)に示す発光装置1を得ることができる。
このように製造された発光装置1は、例えば、携帯電話装置に組み込まれるときには、実装基板に搭載される。発光装置1は、半田ペーストが塗布された電極に、電極パターン部22aの位置を合わせて載置され、リフロー炉にて加熱されることで、実装基板に固着される。そのリフロー炉の加熱により樹脂封止部4が熱膨張しても、銀ペーストPが強固に発光素子3を接着パターン部22bxに導通接着すると共に、隙間Sにより露出した絶縁基板21に銀ペーストPが固着しているので、発光素子3が接着パターン部22bxから剥離してしまうことが防止できる。
発光素子3の周囲に形成された第1レジスト部51は、樹脂で形成されており、樹脂で形成された樹脂封止部4と結合力が高い。また、第1レジスト部51は、ダミーパターン部22byの全面に形成されているので、樹脂封止部4との接触面積が広く確保されている。従って、第1レジスト部51は、樹脂封止部4とプリント配線基板2との結合力不足により、熱膨張した樹脂封止部4がプリント配線基板2から剥離してしまうことを、発光素子3の周囲全体で抑えるので、発光素子3の剥離を防止することができる。
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は実施の形態に限定されるものではない。本実施の形態では、電子装置として発光装置1を例に説明したが、発光素子3が、受光素子や、制御ICなどの半導体素子でも、チップ抵抗、チップコンデンサなどの電子部品でも、電子部品の接着面と接着する接着パターン部の周囲に隙間をあけて絶縁基板を露出するように、ダミーパターン部が形成されていれば、同じ効果が得られる。
また、本実施の形態では、発光素子3の底面に電極が形成されていたため、接着剤として導電性接着剤である銀ペーストを使用していたが、電子部品が接着パターン部と導通を取る必要がなければ絶縁性接着剤としてもよい。
本発明は、接着強度を確保しつつ、接着剤の広がりを抑止することが可能なので、絶縁基板に配線パターンが形成され、電子部品が接着剤を介在させて搭載されるプリント配線基板、およびこのプリント配線基板を用いた電子装置に好適である。
1 発光装置
2 プリント配線基板
21 絶縁基板
22 配線パターン
22a 電極パターン部
22b 搭載パターン部
22bx 接着パターン部
22by ダミーパターン部
22bz 連絡パターン部
22c ワイヤボンドパターン部
22d 接続パターン部
3 発光素子
4 樹脂封止部
5 レジスト部
51 第1レジスト部
52 第2レジスト部
53 第3レジスト部
6 ワイヤ
2 プリント配線基板
21 絶縁基板
22 配線パターン
22a 電極パターン部
22b 搭載パターン部
22bx 接着パターン部
22by ダミーパターン部
22bz 連絡パターン部
22c ワイヤボンドパターン部
22d 接続パターン部
3 発光素子
4 樹脂封止部
5 レジスト部
51 第1レジスト部
52 第2レジスト部
53 第3レジスト部
6 ワイヤ
Claims (4)
- 絶縁基板に配線パターンが形成され、この配線パターンの搭載パターン部に接着剤を介在させて電子部品が搭載されるプリント配線基板において、
前記搭載パターン部には、前記接着剤が塗布されることで前記電子部品の接着面と接着する接着パターン部と、前記接着パターン部の周囲に、前記絶縁基板が露出するように前記接着パターン部と隙間をあけて形成されたダミーパターン部とが設けられたプリント配線基板。 - 前記ダミーパターン部に、前記隙間に沿って樹脂層が設けられていることを特徴とする請求項1記載のプリント配線基板。
- 前記樹脂層は、前記ダミーパターン部の全面に形成されていることを特徴とする請求項2記載のプリント配線基板。
- 絶縁基板に配線パターンが形成されたプリント配線基板と、
この配線パターンの搭載パターン部に接着剤を介在させて搭載された電子部品と、
前記電子部品を封止する樹脂封止部とを備えた電子装置において、
前記搭載パターン部には、前記接着剤が塗布されることで前記電子部品の接着面と接着する接着パターン部と、前記接着パターン部の周囲に、前記絶縁基板が露出するように前記接着パターン部と隙間をあけて形成されたダミーパターン部とが設けられた電子装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006344098A JP2008159671A (ja) | 2006-12-21 | 2006-12-21 | プリント配線基板および電子装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2010067850A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置 |
US20110095329A1 (en) * | 2009-10-22 | 2011-04-28 | Jung Ha Hwang | Light emitting device package |
JP2012152452A (ja) * | 2011-01-27 | 2012-08-16 | Pearl Lighting Co Ltd | 光触媒脱臭装置 |
JP2019110204A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置、汎用実装基板、および、それを用いた半導体発光装置の製造方法 |
-
2006
- 2006-12-21 JP JP2006344098A patent/JP2008159671A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2010067850A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置 |
US20110095329A1 (en) * | 2009-10-22 | 2011-04-28 | Jung Ha Hwang | Light emitting device package |
US8395180B2 (en) * | 2009-10-22 | 2013-03-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
JP2012152452A (ja) * | 2011-01-27 | 2012-08-16 | Pearl Lighting Co Ltd | 光触媒脱臭装置 |
JP2019110204A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置、汎用実装基板、および、それを用いた半導体発光装置の製造方法 |
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