JP2010067850A

JP2010067850A - 回路装置

Info

Publication number: JP2010067850A
Application number: JP2008233779A
Authority: JP
Inventors: Masami Mogi; 昌巳茂木; Masaru Kanakubo; 優金久保; Katsuyoshi Mino; 勝義三野
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd; Sanyo Semiconductor Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd; System Solutions Co Ltd
Priority date: 2008-09-11
Filing date: 2008-09-11
Publication date: 2010-03-25

Abstract

【課題】剥離の進行を抑制可能な回路装置を提供する。
【解決手段】本発明では、半導体素子２４付近の導電パターン１６の上面に、半田ダム２２から成る剥離抑制手段を設けている。具体的には、回路基板１２の上面を被覆する絶縁層２６の上面に導電パターン２６を設け、この導電パターン１６はソルダーレジスト３２により被覆されている。そして、ソルダーレジスト３２に設けた開口部から露出する導電パターン１６に半導体素子２４が固着されている。そして、この半導体素子２４の近傍に帯状に半田ダム２２が形成されている。従って、半導体素子２４の周辺部にて導電パターン１６とソルダーレジスト３２との剥離が発生しても、半田ダム２２によりこの剥離の進行が抑制される。
【選択図】図２

Description

本発明は回路装置に関し、特に、回路基板の上面に配置された複数個の回路素子が樹脂封止された回路装置に関する。

図６を参照して、従来の回路装置として混成集積回路１００の構成を説明する。図６（Ａ）は混成集積回路装置１００を示す断面図であり、図６（Ｂ）はこの断面図を部分的に拡大した図である。

図６（Ａ）を参照して、アルミニウム等の金属から成る回路基板１０１の上面は全面的に絶縁層１０２により被覆され、この絶縁層１０２の上面には導電パターン１０３が形成されている。そして、この導電パターン１０３の所定箇所に回路素子が接続されることで混成集積回路が実現されている。ここでは、半導体素子１０５Ａ、１０５Ｂおよびチップ素子１０５Ｃが回路素子として導電パターン１０３に接続されている。半導体素子１０５Ａ、１０５Ｂは、裏面が導電パターン１０３に固着され、上面の電極が金属細線を経由して導電パターンと接続される。

更に、図６（Ｂ）を参照して、導電パターン１０３および絶縁層１０２の上面は、ソルダーレジスト１１２により被覆されている。そして、半導体素子１０５Ａ等の回路素子が接続される部分、金属細線１０７が接続される部分では、ソルダーレジスト１１２を部分的に除去して開口部が設けられており、この開口部から導電パターン１０３の上面が露出している。ソルダーレジスト１１２は、半田滓等の導電性粉塵が回路基板１０１の上面に付着した場合に、導電パターン１０３どうしのショートを防止するために設けられている。
特開２００３−３１８３３３号公報

しかしながら、上記した構成の混成集積回路装置１００では、使用状況下にて作用するヒートサイクルにより、ソルダーレジスト１１２が導電パターン１０３から剥離してしまう問題が発生していた。

図６（Ｂ）を参照して、具体的には、導電パターン１０３Ａの上面に実装された半導体素子１０５Ｂが使用状況下にて動作すると、この動作による発熱に伴い、半導体素子１０５Ｂ付近の異種材料の境界には熱ストレスが加わる。具体的には、この熱ストレスは、半導体素子１０５Ｂの周辺部に於いて、導電パターン１０３とレジスト１１２との界面に大きく作用する。その理由は、発熱体である半導体素子１０５Ｂの周辺部では温度変化が大きく、更に、樹脂から成るレジスト１１２と金属から成る導電パターン１０３とでは熱膨張係数が大きく異なるからである。

上記した熱ストレスが多数回作用すると、半導体素子１０５Ｂが実装された導電パターン１０３Ａとレジスト１１２との間に剥離１１０（デラミネーション）が発生する。この剥離１１０が発生すると、剥離した部分を経由して水分が浸透し易くなり、装置全体の耐湿性が低下する。更には、剥離１１０が紙面上の矢印にて示した方向に進行すると、金属細線１０７が断線してしまう恐れもある。

更にまた、上記した剥離の問題は、レジスト１１２を形成せずに、導電パターン１０３を封止樹脂１０６にて被覆した場合でも発生する。この場合は、半導体素子１０５Ｂの周辺部に於いて、導電パターン１０３と封止樹脂１０６との間に剥離の問題が発生する。

本発明は上記した問題点を鑑みて成されたものであり、本発明の目的は、上記した剥離の進行を抑制可能な回路装置を提供することにある。

本発明の回路装置は、回路基板と、前記回路基板の上面に形成された導電パターンと、前記導電パターンに接続された回路素子と、前記導電パターンを被覆する被覆樹脂と、前記回路素子を封止する封止樹脂と、を備え、前記回路素子に接近した前記導電パターンの上面に、前記導電パターンを構成する金属よりも前記封止樹脂との密着性が悪い金属材料を帯状に形成した剥離抑制手段を設けることを特徴とする。

本発明によれば、回路素子に接近した導電パターンの上面に、半田やメッキ膜から成る剥離抑制手段を帯状に設けている。この剥離抑制手段を構成する半田等の材料は、導電パターンを構成する銅を主材料とする金属よりも、封止樹脂との密着性が悪い材料から成るので、剥離抑制手段と封止樹脂との境界には微細な間隙が形成される。そして、この間隙により、剥離の進行が緩和されるので、剥離に起因した耐湿性の低下や金属細線の断線が抑制される。

図１を参照して、本発明の混成集積回路装置１０の構成を説明する。図１（Ａ）は混成集積回路装置１０の斜視図であり、図１（Ｂ）は混成集積回路装置１０を上方から見た平面図であり、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＸ−Ｘ’線に於ける断面図である。

図１（Ａ）および図１（Ｂ）を参照して、混成集積回路装置１０では、回路基板１４の上面に導電パターン１６と回路素子から成る混成集積回路が構築され、この回路と接続されたリード２０が外部に導出している。更に、回路基板１４の上面に構築された混成集積回路および回路基板１４は封止樹脂１２により被覆されている。

回路基板１４は、アルミニウムや銅等の金属から成る基板である。回路基板１４の材料としてアルミニウムが採用されると、回路基板１４の上面および下面は陽極酸化膜（アルマイト膜）により被覆される。回路基板１４の具体的な大きさは、例えば縦×横×厚さ＝６１ｍｍ×４２．５ｍｍ×１．５ｍｍ程度である。

絶縁層２６は、回路基板１４の上面全域を覆うように形成されている。絶縁層２６は、ＡＬ_２Ｏ_３等のフィラーが高充填されたエポキシ樹脂から成る。フィラーが充填されることにより、絶縁層２６の熱抵抗が低減されている。従って、内蔵される回路素子から発生した熱は、絶縁層２６を経由して良好に回路基板１４に伝導される。

導電パターン１６Ａ等は厚みが５０μｍ程度の銅等の金属膜から成り、所定の電気回路が実現されるように絶縁層２６の表面に形成される。図１（Ｂ）を参照すると、導電パターン１６Ａ−１６Ｄが形成されており、各導電パターンの上面に半導体素子２４が固着されている。また、半導体素子２４以外にも、チップ素子３４が配置されている。また、リード２０が導出する辺に、導電パターン１６からなるパッドが形成される。

半導体素子２４およびチップ素子３４の回路素子は、導電パターン１６の所定の箇所に固着されている。半導体素子２４としては、トランジスタ、ＬＳＩチップ、ダイオード等が採用される。ここでは、半導体素子２４と導電パターン１６とは、金属細線１８を介して接続される。チップ素子３４としては、チップ抵抗やチップコンデンサ等が採用される。チップ素子３４の両端の電極は、半田等の接合材を介して導電パターン１６に固着されている。これらの回路素子を接合させる接合材としては、半田または導電性ペースト等が採用される。

リード２０は、回路基板１４の周辺部に設けられたパッドに固着され、入力信号や出力信号が通過する外部接続端子として機能している。図１（Ｂ）を参照すると、回路基板１４の対向する上下の２つの辺に沿って多数個のリード２０が設けられている。ここで、リード２０は回路基板１４の４辺から導出させることも可能であり、１つの辺から導出させることも可能である。

封止樹脂１２は、熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールドまたは熱可塑性樹脂を用いるインジェクションモールドにより形成される。図１（Ｃ）では、封止樹脂１２により、導電パターン１６、半導体素子２４Ａ、チップ素子３４、金属細線１８、ソルダーレジスト３２が被覆されている。また、封止樹脂１２には、熱抵抗の低減等を目的としてフィラーが混入されている。

図１（Ｃ）を参照して、絶縁層２６の上面に形成された導電パターン１６の大部分は、ソルダーレジスト３２（被覆樹脂）により被覆されている。ソルダーレジスト３２は、エポキシ樹脂等の樹脂を主材料とし、例えば厚みが５０μｍ程度である。ソルダーレジスト３２は、製造工程の途中段階にて、半田滓等の粉塵が付着することによる導電パターン１６どうしのショートを防止するために設けられている。また、電気的接続領域となる部分の導電パターン１６の上面は、ソルダーレジスト３２を部分的に除去して設けた開口部から露出している。例えば、リード２０が固着される部分、金属細線１８Ａ、１６Ｂが接続される部分、半導体素子２４Ａ、２４Ｂが固着される部分の導電パターン１６が、ソルダーレジスト３２に設けた開口部から露出している。更に、上記した半田ダム２２が設けられる導電パターン１６の上面も、ソルダーレジスト３２により被覆されずに露出している。また、導電パターン１６が設けられていない領域では、ソルダーレジスト３２は絶縁層２６の上面を被覆している。

本実施の形態では、発熱体である半導体素子２４に接近した導電パターンの上面に、帯状の半田ダム２２（剥離抑制手段）を設けている。例えば、図１（Ｂ）に示す導電パターン１６Ｃを参照すると、上面に２つの半導体素子２４が実装され、この半導体素子２４に接近して半田ダム２２が設けられている。この半田ダム２２は、導電パターンとソルダーレジスト３２との剥離を抑制するために設けられており、この詳細は図２および図３を参照して詳述する。また、他の導電パターン１６Ａ、１６Ｄに関しても、上記した剥離を防止するために、半導体素子２４の周辺部に半田ダム２２が設けられている。

図２を参照して、上記した半田ダム２２の構成を詳述する。図２（Ａ）は混成集積回路装置１０の拡大された断面図であり、図２（Ｂ）はソルダーレジスト３２に剥離が発生した状態を示す断面図である。

図２（Ａ）を参照して、導電パターン１６Ａの上面の左端部付近には、半導体素子２４Ａが実装され、右端部付近には金属細線１８Ｂが接続された接続部がある。そして、半導体素子２４Ａと金属細線１８Ｂの接続部との間に、半田ダム２２が形成されている。

半田ダム２２は、導電パターン１６Ａの上面に溶着された帯状の半田からなり、その幅は例えば１．０ｍｍ程度であり、高さは０．１ｍｍ程度である。半田ダム２２を構成する材料としては、鉛を含む鉛共晶半田でも良いし鉛フリー半田でも良い。半田ダム２２の断面形状は、楕円または円の一部を呈している。また、半田ダム２２は、ソルダーレジスト３２を部分的に除去した開口部から露出しているので、半田ダム２２の上面は封止樹脂１２により被覆されている。ここで、半田ダム２２の材料である半田（例えばＳｎ−Ｐｂ）は、Ｃｕを主材料とする導電パターン１６Ａと比較すると、樹脂材料との密着性が悪い。即ち、導電パターン１６Ａの表面は、エポキシ樹脂等の樹脂から成るソルダーレジスト３２や封止樹脂１２との密着性が非常に高く、両者の間には殆ど間隙は無い。一方、半田ダム２２を構成する半田は、導電パターン１６Ａよりも、封止樹脂１２との密着性が低いので、両者の密着強度は非常に低い。半田ダム２２と封止樹脂１２との境界には、微細な空隙２８が形成されており、この空隙２８により応力が緩和されることで剥離の進行が抑制されている。

また、上記した半田ダム２２は、半導体素子２４Ａの実装に用いられる半田を塗布する工程にて、同時に形成することが可能である。具体的な製造方法は次の通りである。先ず、回路基板１４を被覆する絶縁層２６の上面に導電パターン１６Ａを形成し、導電パターン１６Ａおよび絶縁層２６をソルダーレジスト３２により全面的に被覆する。次に、ソルダーレジスト３２の露光及び現像を行うことで、ソルダーレジスト３２を部分的に除去して開口部を形成し、この開口部から、接続領域となる部分の導電パターン１６および半田ダム２２が形成される領域を露出させる。次に、半導体素子２４Ａが固着される領域および半田ダム２２が形成される領域に、半田クリームを塗布して半導体素子２４Ａを載置する。そして、リフロー工程により半田クリームを溶融することで、半導体素子２４Ａの実装および半田ダム２２の形成が行われる。従って、半田ダムを設けることによる工数の増加が抑制される。

図２（Ｂ）を参照して、半田ダム２２が剥離の進行を抑制する原理を説明する。例えばＭＯＳＦＥＴである半導体素子２４Ａが使用状況下にてオンオフ動作を繰り返すと、この動作に伴う温度変化による熱ストレスが発生する。この熱ストレスは、半導体素子２４Ａの近傍にて大きく作用し、特に、半導体素子２４Ａ近傍に位置する、導電パターン１６Ａとソルダーレジスト３２との界面に、大きな熱ストレスが作用する。この理由は、樹脂を主材料とするソルダーレジスト３２と、金属から成る導電パターン１６Ａとでは、熱膨張係数が大きく異なるからである。特に、ソルダーレジスト３２にはフィラーが添加されておらず、またフィラーが添加されたとしてもその量は封止樹脂１２や絶縁層２６と比較すると少ないため、ソルダーレジスト３２の熱膨張係数は非常に大きい。

そして、半導体素子２４Ａが動作を繰り返すことで、熱ストレスが多数回作用すると、半導体素子２４Ａの近傍に於いて、ソルダーレジスト３２が導電パターン１６Ａから剥離する。ここでは、半導体素子２４Ａの右側に剥離３０Ａが進行し、左側に剥離３０Ｂが進行する。

半導体素子２４Ａから左側に進行する剥離３０Ｂは、導電パターン１６の上面左端を経由して、側面の下端まで進行して停止している。即ち、ソルダーレジスト３２と絶縁層２６との境界には、剥離３０Ｂは進行しない。この理由は、絶縁層２６とソルダーレジスト３２とは、両者共に樹脂が主材料であり密着強度が極めて強いからである。

一方、半導体素子２４Ａから右側に進行する剥離３０Ａは、ソルダーレジスト３２と導電パターン１６Ａとの境界に沿って進行する。従って、対策を施さなければ、剥離３０Ａは、金属細線１８Ｂが導電パターン１６Ｂに接続する接続部まで進行して、金属細線１８Ｂが断線する恐れがある。ここでは、金属細線１８Ｂの接続部と半導体素子２４Ａとの間に設けた半田ダム２２により剥離３０Ａの進行を阻止している。具体的には、剥離３０Ａが半田ダム２２まで進行すると、半田ダム２２と封止樹脂１２との間の空隙２８と剥離３０Ａとが一体化した状態となる。そして、空隙２８により熱ストレスが緩和されることで、剥離３０Ａのそれ以上の進行が抑制され、結果的に金属細線１８Ｂの断線が防止される。

ここで、上記した半田ダム２２に替えて、メッキ膜が剥離抑制手段として採用されても良い。この場合は、封止樹脂１２との密着強度が導電パターン１６Ａよりも弱い材料（例えばニッケル）がメッキ膜の材料として採用される。

更に、上記の説明では、半田ダム２２は封止樹脂１２により被覆されていたが、半田ダム２２をソルダーレジスト３２により被覆しても良い。この場合は、図２（Ｂ）に示す空隙２８が、半田ダム２２とソルダーレジスト３２との界面に形成される。

更にまた、ソルダーレジスト３２を省いた構成としても良い。この場合は、剥離３０Ａ、２６Ｂが、導電パターン１６Ａと封止樹脂１２との間に発生することとなる。

図３は図１（Ｂ）に示した平面図の部分的な拡大図であり、この図を参照して、半田ダム２２の構成を更に説明する。ここでは、導電パターン１６Ｃの下側の側辺に沿って２つの半導体素子２４Ａ、２４Ｂが固着されており、上側の側辺に沿って複数のリード２０が固着されている。そして、半導体素子２４Ａ、２４Ｂと、リード２０の固着部との間に、半田ダム２２Ａが導電パターン１６Ｃの上面に帯状に形成されている。また、半田ダム２２Ａは、導電パターン１６Ｃの左側の側辺端部から右側の側辺端部まで連続して帯状に形成されている。この様にすることで、半導体素子２４Ａ、２４Ｂの発熱により、図２に示すような剥離が発生しても、この剥離の紙面上に於ける上方向への進行は半田ダム２２Ａにより阻止される。従って、この剥離はリード２０の接続部までは進行しないので、リード２０の接続信頼性の低下が抑制される。

また、半導体素子２４Ａ、２４Ｂから紙面上にて左右方向および下方向に進行する剥離は、導電パターン１６Ｃの端部までは進行しても、それより外側への進行は抑制されている。その理由は、図２（Ｂ）に示したように、導電パターン１６Ｃの外側では、ソルダーレジスト３２と絶縁層２６との密着強度が強いためである。

以上のことにより、半導体素子２４Ａ、２４Ｂが動作することにより剥離が発生すると、紙面上にて上方向に進行する剥離は半田ダム２２Ａにより抑制される。そして、紙面上にて左右方向および下方向に進行する剥離の進行は、導電パターン１６Ｃの側辺端部にて抑制される。

図４は、図１（Ｂ）に示した平面図の他の部分の拡大図である。この図を参照して、紙面上に於いて、導電パターン１６Ａに実装された半導体素子２４Ｃの左方、右方および下方を囲むように、帯状の半田ダム２２Ｂが形成されている。そして、紙面上の上方は導電パターン１６Ａの側辺端部により囲まれている。ここでは、半導体素子２４Ｃの近傍の導電パターン１６Ａの上面に金属細線１８Ｄが接続されており、両者の間に半田ダム２２Ｂが形成されている。従って、半導体素子２４Ｃの発熱により、図２（Ａ）に示すような剥離が発生しても、この剥離の進行は半田ダム２２Ｂにより抑制される。従って、この剥離は金属細線１８Ｄの接続部までは進行しないので、金属細線１８Ｄの断線が抑制される。

一方、半導体素子２４Ｄは、四角形状を呈する帯状の半田ダム２２Ｃにより囲まれた状態となっている。この様にすることで、半導体素子２４Ｄが動作することで導電パターン１６Ａとソルダーレジストとの剥離が発生しても、この剥離の進行は半田ダム２２Ｃにより阻止される。

導電パターン１６Ｄには、４つの半導体素子２４Ｅ、２４Ｆ、２４Ｇ、２４Ｈが固着されており、導電パターン１６Ｄを二分するように、上側側辺から下側側辺まで連続して半田ダム２２Ｄが形成されている。そして、半田ダム２２により、半導体素子２４Ｅ、２４Ｆが実装された領域と、半導体素子２４Ｇ、２４Ｈが実装された領域とが区画されている。この様にすることで、半導体素子２４Ｅ、２４Ｆの発熱に起因した剥離の右側への進行が半田ダム２２Ｄにより抑制される。更に、半導体素子２４Ｇ、２４Ｈの発熱に起因した剥離の左側への進行が半田ダム２２Ｄにより抑制される。

次に、図５を参照して、半田ダムによる剥離抑制の効果を確認するために行った実験の結果を説明する。この実験では、半田ダムを設けた混成集積回路装置、半田ダムを設けない混成集積回路装置、半田ダムの替わりにエポキシ樹脂から成るダムを設けた混成集積回路装置を３種類用意し、これらの混成集積回路装置に対して、−２５℃〜１２５℃の温度範囲のヒートサイクル試験を行った。図５（Ａ）〜図５（Ｉ）では、剥離が発生した領域を、他の領域よりも白く表示されている。

図５（Ａ）から図５（Ｃ）は、半田ダムを備えた本実施形態の混成集積回路装置を用いた実験結果を示し、図５（Ａ）は実験を行う前の段階の混成集積回路装置を撮影した画像であり、図５（Ｂ）は５００サイクルを経過した混成集積回路装置を示し、図５（Ｃ）は２０００サイクルを経過した混成集積回路装置を示す。図５（Ａ）に於いて、半田ダムは白色の実線にて示されている。

図５（Ｂ）および図５（Ｃ）を参照すると、半導体素子の周辺部にて白く表示される剥離が発生しているが、半田ダムにより剥離の進行が抑制されている。特に、図５（Ｃ）に於いて、白色の楕円にて囲まれる領域を参照すると、楕円の左側に配置された半導体素子から発生する剥離と、楕円の右側に配置された半導体素子から発生する剥離とが連続していない。

図５（Ｄ）から図５（Ｆ）は半田ダムが形成されない第１比較例の混成集積回路装置を用いた実験結果を示し、図５（Ｄ）は実験前の混成集積回路装置を示し、図５（Ｅ）は５００サイクルを経過した混成集積回路装置を示し、図５（Ｆ）は２０００サイクルを経過した混成集積回路装置を示す。

ここでは、図５（Ｅ）および図５（Ｆ）にて白色の楕円にて囲まれた領域を参照すると、楕円の左側から進行する剥離と、楕円の右側から進行する剥離が連続して一体と成っている。即ち、５００サイクルの時点で、楕円の両側から進行した剥離が一体化されており、上記した半田ダムを設けた例と比較すると、剥離の進行が早いことが明らかである。

図５（Ｇ）から図５（Ｉ）は、半田ダムの替わりにエポキシから成る樹脂ダムが形成された第２比較例の混成集積回路装置を用いた実験結果を示し、図５（Ｇ）は実験前の混成集積回路装置を示し、図５（Ｈ）は５００サイクルを経過した混成集積回路装置を示し、図５（Ｉ）は２０００サイクルを経過した混成集積回路装置を示す。

ここでは、図５（Ｉ）の白色の楕円で囲まれた領域を参照すると、楕円の両側から進行した剥離が一体化している。従って、剥離が一体化していない本実施形態の実験結果と比較すると、ダムが剥離を防止する効果が小さいことが解る。エポキシ樹脂から成るダムが剥離を防止する効果が小さいのは、図２（Ｂ）に示したような空隙２８が形成されないためである。

以上の実験により、ソルダーレジストと導電パターンとの剥離が予測される半導体素子の周辺部に半田ダムを設けることで、剥離の進行が抑制されることが確認された。

本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は平面図であり、（Ｃ）は断面図である。本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は断面図である。本発明の回路装置を示す平面図である。本発明の回路装置を示す平面図である。本発明の回路装置の効果を検証するために行った実験結果を示し、図（Ａ）−（Ｃ）は半田ダムが形成された本発明の回路装置に対して実験を行った結果を示す画像であり、（Ｄ）−（Ｆ）は半田ダムが形成されない比較例の回路装置に対して実験を行った結果を示す画像であり、（Ｇ）−（Ｉ）は半田ダムの代替として樹脂から成るダムが形成された回路装置に対して実験を行った結果を示す画像である。従来の回路装置を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は断面図である。

符号の説明

１０混成集積回路装置
１２封止樹脂
１４回路基板
１６、１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄ導電パターン
１８、１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄ、１８Ｅ金属細線
２０リード
２２、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２２Ｄ半田ダム
２４、２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ、２４Ｄ、２４Ｅ、２４Ｆ、２４Ｇ、２４Ｈ半導体素子
２６絶縁層
２８空隙
３０、３０Ａ、３０Ｂ剥離
３２ソルダーレジスト
３４チップ素子

Claims

回路基板と、前記回路基板の上面に形成された導電パターンと、前記導電パターンに接続された回路素子と、前記導電パターンを被覆する被覆樹脂と、前記回路素子を封止する封止樹脂と、を備え、
前記回路素子に接近した前記導電パターンの上面に、前記導電パターンを構成する金属よりも前記封止樹脂との密着性が悪い金属材料を帯状に形成した剥離抑制手段を設けることを特徴とする回路装置。
前記回路素子は、導電パターンに固着された複数の半導体素子であり、
前記剥離抑制手段は、金属細線が前記導電パターンに接続される接続部と、前記半導体素子との間の領域の前記導電パターンの上面に帯状に形成されることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
前記剥離抑制手段は、前記被覆樹脂を部分的に除去して設けた開口部から露出する前記導電パターンの上面に設けられることを特徴とする請求項２記載の回路装置。
前記剥離抑制手段の表面と前記封止樹脂との間には間隙が存在することを特徴とする請求項３記載の回路装置。
前記剥離抑制手段と前記導電パターンの側辺により、前記回路素子を囲い込むことを特徴とする請求項４記載の回路装置。
前記剥離抑制手段により、前記回路素子を囲い込むことを特徴とする請求項４記載の回路装置。
前記剥離抑制手段は、前記導電パターンの表面に形成された半田であることを特徴とする請求項４記載の回路装置。
前記剥離抑制手段は、前記導電パターンの表面に形成されたニッケルから成るメッキ膜であることを特徴とする請求項４記載の回路装置。