JP2004281538A - 電子装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 - Google Patents

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    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267—Layer and HDI connectors
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    • H01L2224/7615—Means for depositing
    • H01L2224/76151—Means for direct writing
    • H01L2224/76155—Jetting means, e.g. ink jet
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    • H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/82007—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI] involving a permanent auxiliary member being left in the finished device, e.g. aids for holding or protecting a build-up interconnect during or after the bonding process
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    • H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
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    • H01L2224/82101—Forming a build-up interconnect by additive methods, e.g. direct writing
    • H01L2224/82102—Forming a build-up interconnect by additive methods, e.g. direct writing using jetting, e.g. ink jet
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    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
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    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
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    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
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    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
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    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
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    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
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    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
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Abstract

【課題】本発明の目的は、基板に対する耐熱性の要求を減らし、半導体チップのストレスの発生を減らすことができ、汎用基板の使用を可能にすることにある。
【解決手段】電子装置は、配線パターン２２が形成されてなる基板２０と、電極１４が形成された第１の面１２及びその反対側の第２の面１８を有して基板２０に第２の面１８が対向するように搭載されてなるチップ部品１０と、チップ部品１０の隣に設けられた樹脂からなる絶縁部３０と、電極１４上から絶縁部３０上を通って配線パターン２２上に至るように形成された配線３４と、を有する。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−２１６３３０号公報
【０００４】
【発明の背景】
従来、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）実装において、加熱を行うので基板に耐熱性が要求されるため、熱可塑性基板を使用することができず、安価な基板を使用することも難しかった。また、半導体チップに熱又は機械的外力を加えるので、ストレスの発生による不良をなくすことが難しかった。さらに、ワイヤボンディングを適用する場合、ワイヤの長さに制限があるため、汎用基板を使用することができなかった。あるいは、フェースダウンボンディングを適用する場合でも、半導体チップの電極配列に応じた専用の基板を使用する必要があるため、汎用基板を使用することができなかった。
【０００５】
本発明の目的は、基板に対する耐熱性の要求を減らし、半導体チップのストレスの発生を減らすことができ、汎用基板の使用を可能にすることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る電子装置は、配線パターンが形成されてなる基板と、
電極が形成された第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面と、を有し、前記基板に前記第２の面が対向するように搭載されてなるチップ部品と、
前記チップ部品の側方に設けられた、樹脂からなる絶縁部と、
前記電極上から前記絶縁部上を通って前記配線パターン上に至るように形成された配線と、
を有する。本発明によれば、電極と配線パターンを電気的に接続するときに、ワイヤボンディングやフェースダウンボンディングで行われるような高温加熱を避けることができる。したがって、基板に対する耐熱性の要求を減らし、チップ部品のストレスの発生を減らすことができる。また、配線を自由に形成できるので、汎用基板の使用が可能になる。
（２）この電子装置において、
前記チップ部品の側面は、前記第１の面から外方向に下がるように傾斜していてもよい。
（３）この電子装置において、
前記チップ部品は、その端部に段を有してもよい。
（４）本発明に係る電子装置は、配線パターンが形成されてなる基板と、
電極が形成された第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面と、を有し、前記基板に前記第２の面が対向するように搭載されてなるチップ部品と、
前記チップ部品の側方に設けられた、前記チップ部品から外方向に下がる傾斜面を有する絶縁部と、
前記電極上から前記絶縁部上を通って前記配線パターン上に至るように形成された配線と、
を有する。本発明によれば、電極と配線パターンを電気的に接続するときに、ワイヤボンディングやフェースダウンボンディングで行われるような高温加熱を避けることができる。したがって、基板に対する耐熱性の要求を減らし、チップ部品のストレスの発生を減らすことができる。また、配線を自由に形成できるので、汎用基板の使用が可能になる。
（５）この電子装置において、
前記傾斜面は、凹面であってもよい。
（６）この電子装置において、
前記傾斜面は、凸面であってもよい。
（７）この電子装置において、
前記絶縁部は、その一部が前記第１の面に載るように形成されていてもよい。
（８）この電子装置において、
前記絶縁部は、その一部が前記第１の面に載らないように形成されていてもよい。
（９）この電子装置において、
前記絶縁部は、前記チップ部品に隣接して前記第１の面から盛り上がる部分を有してもよい。
（１０）この電子装置において、
前記チップ部品と前記基板を接着する接着層をさらに有してもよい。
（１１）この電子装置において、
前記接着層は、前記絶縁部と同じ材料で形成されていてもよい。
（１２）この電子装置において、
前記接着層は、前記絶縁部と異なる材料で形成されていてもよい。
（１３）本発明に係る電子装置の製造方法は、配線パターンが形成されてなる基板に、電極を有するチップ部品を、前記電極が形成された第１の面とは反対側の第２の面が前記基板に対向するように搭載すること、
前記チップ部品の側方に、樹脂によって絶縁部を形成すること、及び、
配線を、前記電極上から前記絶縁部上を通って前記配線パターン上に至るように形成すること、
を含む。本発明によれば、電極と配線パターンを電気的に接続するときに、ワイヤボンディングやフェースダウンボンディングで行われるような高温加熱を避けることができる。したがって、基板に対する耐熱性の要求を減らし、チップ部品のストレスの発生を減らすことができる。また、配線を自由に形成できるので、汎用基板の使用が可能になる。
（１４）本発明に係る電子装置の製造方法は、配線パターンが形成されてなる基板に、電極を有するチップ部品を、前記電極が形成された第１の面とは反対側の第２の面が前記基板に対向するように搭載すること、
前記チップ部品の側方に、絶縁部を、前記チップ部品から外方向に下がる傾斜面を有するように形成すること、及び、
配線を、前記電極上から前記絶縁部上を通って前記配線パターン上に至るように形成すること、
を含む。本発明によれば、電極と配線パターンを電気的に接続するときに、ワイヤボンディングやフェースダウンボンディングで行われるような高温加熱を避けることができる。したがって、基板に対する耐熱性の要求を減らし、チップ部品のストレスの発生を減らすことができる。また、配線を自由に形成できるので、汎用基板の使用が可能になる。
（１５）この電子装置の製造方法において、
導電性微粒子を含む分散液から、前記配線を形成してもよい。
（１６）この電子装置の製造方法において、
前記配線を形成する工程は、前記導電性微粒子を含む前記分散液を、前記電極、前記絶縁部及び前記配線パターン上に吐出することを含んでもよい。
（１７）この電子装置の製造方法において、
前記基板に前記チップ部品を搭載する工程は、接着剤を、前記基板及び前記チップ部品の間に介在させることを含んでもよい。
（１８）この電子装置の製造方法において、
前記接着剤として絶縁性の接着剤を使用し、
前記接着剤を前記基板及び前記チップ部品の間から前記チップ部品の隣に押し出して、前記接着剤から前記絶縁部を形成してもよい。
（１９）この電子装置の製造方法において、
前記絶縁部の形成工程は、前記接着剤とは別に、前記絶縁部を形成するための材料を設けることを含んでもよい。
（２０）本発明に係る回路基板は、上記電子装置が実装されたものである。
（２１）本発明に係る電子機器は、上記電子装置を有する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００８】
図１は、本発明の実施の形態に係る電子装置を説明する図であって、図２のＩ−Ｉ線断面図である。図２は、本発明の実施の形態に係る電子装置を説明する平面図である。
【０００９】
電子装置は、チップ部品１０を有する。チップ部品１０は、半導体部品（例えば半導体チップ）等の能動部品（例えば集積回路部品等）であってもよい。チップ部品１０には、図示しない集積回路が形成されていてもよい。チップ部品１０が半導体チップである場合、電子装置を半導体装置ということができる。チップ部品１０は、受動部品（抵抗器、キャパシタ、インダクタ等）であってもよい。
【００１０】
チップ部品１０の第１の面１２には、複数の電極１４が形成されている。第１の面１２は四辺形（例えば矩形）であってもよい。複数の電極１４は、第１の面１２の周縁部（端部）に形成されていてもよい。例えば、複数の電極１４は、第１の面１２の四辺に沿って配列されていてもよいし、二辺に沿って配列されていてもよい。少なくとも１つの電極１４が、第１の面１２の中央部に配置されていてもよい。
【００１１】
第１の面１２には、少なくとも１層からなるパッシベーション膜１６が形成されていてもよい。パッシベーション膜１６は電気的絶縁膜である。パッシベーション膜１６は、樹脂でない材料（例えばＳｉＯ２又はＳｉＮ）のみで形成してもよいし、その上に樹脂（例えばポリイミド樹脂）からなる膜をさらに含んでもよい。パッシベーション膜１６には、電極１４の少なくとも一部（例えば中央部）を露出させる開口が形成されている。すなわち、パッシベーション膜１６は、電極１４の少なくとも中央部を避けて形成されている。電極１４の端部にパッシベーション膜１６が載っていてもよい。パッシベーション膜１６は、第１の面１２の全周縁部を覆っていてもよい。
【００１２】
チップ部品１０の第２の面（第１の面１２とは反対側の面）１８には、電極が形成されていない。第２の面１８は、図示しない集積回路と電気的に接続されていてもよいし、接続されていなくてもよい。第２の面１８には、パッシベーション膜（電気的絶縁膜）が形成されていてもよいし、形成されていなくてもよい。第２の面１８は、半導体（あるいは導体）で形成されていてもよい。チップ部品１０の側面（第１及び第２の面１２，１８を除く面）には、パッシベーション膜（電気的絶縁膜）が形成されていてもよいし、形成されていなくてもよい。チップ部品１０の側面には、電極が形成されていない。チップ部品１０の側面は、半導体（あるいは導体）で形成されていてもよい。
【００１３】
電子装置は、基板２０を有する。基板２０には、配線パターン２２が形成されている。配線パターン２２は、基板２０の一方の面に露出する露出部２４を含む。露出部２４上に、チップ部品１０と配線パターン２２との電気的接続のための配線３４が設けられる。露出部２４は、図示しないランド（ラインよりも幅の広い部分）を有していてもよい。
【００１４】
配線パターン２２が形成された基板２０を、配線基板ということができる。配線基板は、多層基板（両面基板を含む。）であってもよい。多層基板は、多層（２層以上）の導体パターンを含む。その場合、配線パターン２２は、露出部２４が露出する面とは反対側の第２面に露出する第２の露出部２６を含んでもよい。また、配線パターン２２は、基板２０に内蔵される導体パターン２８を含んでもよい。配線基板は、部品内蔵型配線基板であってもよい。詳しくは、基板２０の内部で、抵抗器、キャパシタ、インダクタ等の受動部品又は集積回路部品等の能動部品が導体パターン２８に電気的に接続されていてもよい。あるいは、導体パターン２８の一部を高抵抗値の材料で形成することで、抵抗器を形成してもよい。
【００１５】
基板２０にチップ部品１０が搭載されている。チップ部品１０の第２の面１８が基板２０（詳しくはその露出部２４が形成された面）に対向している。チップ部品１０と基板２０との間に接着層２９が介在していてもよい。接着層２９は、接着剤から形成されていてもよい。接着層２９は、導電性を有していれば露出部２４とチップ部品１０の第２の面１８とを電気的に接続することができる。または、接着層２９は、電気的絶縁性を有していれば、露出部２４とチップ部品１０の第２の面１８とを電気的に絶縁することができる。接着層２９は、導電粒子を含む電気的に絶縁性の分散剤から形成されてもよい。
【００１６】
電子装置は、絶縁部３０を有する。絶縁部３０は、電気的に絶縁性を有する材料（例えば樹脂）によって形成されている。絶縁部３０は、接着層２９とは異なる材料で形成してもよい。絶縁部３０は、チップ部品１０の隣に設けられている。絶縁部３０は、チップ部品１０を囲むように設けられていてもよいし、チップ部品１０の電極１４の隣にのみ設けられていてもよい。絶縁部３０は、チップ部品１０の側面に接触していてもよい。すなわち、絶縁部３０とチップ部品１０との間に隙間が形成されないようになっていてもよい。図１に示す例では、チップ部品１０の高さを超えないように絶縁部３０が設けられている。絶縁部３０の上端がチップ部品１０の上面（パッシベーション膜１６の表面）と同じ高さであってもよい。この場合、絶縁部３０とチップ部品１０との段差がない。チップ部品１０の側面のうち半導体又は導体からなる部分のみを絶縁部３０が覆っていてもよい。その場合、絶縁部３０の上端は、パッシベーション膜１６の上面よりも低くなる。
【００１７】
絶縁部３０は、チップ部品１０から外方向に下がる傾斜面３２を有する。絶縁部３０の最も厚い部分がチップ部品１０に最も近づくように位置し、最も薄い部分がチップ部品１０から最も離れるように位置する。絶縁部３０は、配線パターン２２（詳しくはその露出部２４）の一部上に形成されてもよい。
【００１８】
電子装置は、配線３４を有する。配線３４の一部は、電極１４上に形成されている。配線３４は、パッシベーション膜１６上を通ってもよい。配線３４は、絶縁部３０上を通る。絶縁部３０が樹脂で形成される場合、絶縁部３０と配線３４の密着性は、パッシベーション膜１６と配線３４の密着性よりも高い。チップ部品１０（例えばそのパッシベーション膜１６）と絶縁部３０との段差が小さければ、配線３４の断線を防止することができる。配線３４は、配線パターン２２（詳しくはその露出部２４）上に至るように形成されている。すなわち、配線３４は、電極１４と配線パターン２２を電気的に接続している。
【００１９】
電子装置は、複数の外部端子３６を有していてもよい。外部端子３６は、配線パターン２２（例えば第２の露出部２６）上に設けてもよい。外部端子３６は、ろう材から形成してもよい。ろう材は、導電性を有する金属（例えば合金）であって、溶融させて電気的な接続を図るためのものである。ろう材は、軟ろう（ｓｏｆｔ ｓｏｌｄｅｒ）又は硬ろう（ｈａｒｄ ｓｏｌｄｅｒ）のいずれであってもよい。ろう材として、鉛を含まないハンダ（以下、鉛フリーハンダという。）を使用してもよい。鉛フリーハンダとして、スズー銀（Ｓｎ―Ａｇ）系、スズ−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）系、スズ−亜鉛（Ｓｎ−Ｚｎ）系、あるいはスズ−銅（Ｓｎ−Ｃｕ）系の合金を使用してもよいし、これらの合金に、さらに銀、ビスマス、亜鉛、銅のうち少なくとも１つを添加してもよい。
【００２０】
外部端子３６を有するＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型のパッケージやＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）などが知られている。あるいは、外部端子３６を設けずに、配線パターン２２の一部（例えば第２の露出部２６）が外部との電気的接続部となっているＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型のパッケージも知られている。
【００２１】
電子装置は、封止材３８を有していてもよい。封止材３８は、配線３４と電極１４との電気的接続部と、配線３４と配線パターン２２との電気的接続部と、を少なくとも封止する。封止材３８は、チップ部品１０を封止してもよい。
【００２２】
図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、本発明に係る電子装置の製造方法を説明する図である。図３（Ａ）に示すように、基板２０にチップ部品１０を搭載する。詳しくは、チップ部品１０を、その第２の面１８が基板２０に対向するように搭載する。接着剤を、基板２０及びチップ部品１０の間に介在させて、接着層２９を形成してもよい。
【００２３】
図３（Ｂ）に示すように、チップ部品１０の隣に絶縁部３０を形成する。絶縁部３０は、接着層２９を形成する接着剤とは別に、材料を設けて形成してもよい。絶縁部３０は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）等の樹脂で形成してもよい。絶縁部３０は、液状樹脂をポッティングにより形成してもよいし、ドライフィルムを固着することにより形成してもよい。絶縁部３０は、チップ部品１０から外方向に下がる傾斜面３２を有するように形成する。チップ部品１０の側面に接触するように絶縁部３０を形成してもよい。
【００２４】
図３（Ｃ）に示すように、配線３４を形成する。配線３４は、電極１４上から絶縁部３０上を通って配線パターン２２（例えば露出部２４）上に至るように形成する。導電性微粒子を含む分散液から、配線３４を形成してもよい。例えば、インクジェット法を適用してもよい。詳しくは、導電性微粒子を含む分散液を、電極１４、絶縁部３０及び配線パターン２２（例えば露出部２４）上に吐出して、配線３４を形成してもよい。配線３４の形成工程は、導電性微粒子を含む分散液を乾燥させて分散媒を除去することを含んでもよい。配線３４の形成工程は、導電性微粒子を覆っているコート材を加熱分解することを含んでもよい。配線３４の形成工程は、導電性微粒子同士を重合させることを含んでもよい。導電微粒子はナノ粒子であってもよい。この場合、分散液の体積抵抗率を下げることができる。
【００２５】
図１に示すように、封止材３８を設けてもよい。封止材３８は、トランスファ・モールドやポッティングによって形成することができる。封止材３８は省略してもよい。
【００２６】
本実施の形態によれば、電極１４と配線パターン２２を電気的に接続するときに、ワイヤボンディングやフェースダウンボンディングで行われるような高温加熱を避けることができる。したがって、基板２０に対する耐熱性の要求を減らし、チップ部品１０のストレスの発生を減らすことができる。また、基板２０として汎用基板を使用し、チップ部品１０（その電極１４の配列等）に応じて配線３４を引き回すことができる。その場合、チップ部品１０の種類に応じて、配線パターン２２の異なる部分に配線３４を接続する。
【００２７】
図４〜図１３は、本発明の実施の形態に係る電子装置の変形例を説明する図である。
【００２８】
図４において、絶縁部４０は、その一部がチップ部品１０の第１の面１２（詳しくはパッシベーション膜１６）に載るように形成されている。絶縁部４０の一部は、チップ部品１０の電極１４よりも周縁部側の部分に載っている。電極１４が絶縁部４０によって覆われることを防止するために、電極１４から離れた位置（電極よりも周縁側の位置）までで絶縁部４０を止めてもよい。あるいは、電極１４のパッシベーション膜１６からの露出部に隣接するように絶縁部４０を形成してもよい。その場合、配線４２が、それとの密着性の低いパッシベーション膜１６に載らない。絶縁部４０は、チップ部品１０に隣接して第１の面１２から盛り上がる部分を有する。その他の構成は、図１に示す電子装置と同じ内容が該当する。
【００２９】
図５において、絶縁部４４は、その一部がチップ部品１０の第１の面１２に載らないように形成されている。絶縁部４４は、チップ部品１０に隣接して第１の面１２から盛り上がる部分を有する。絶縁部４４は、チップ部品１０とは反対側に、階段状の部分を有する。その他の構成は、図１に示す電子装置と同じ内容が該当する。
【００３０】
図６において、絶縁部５０と接着層５２が一体化して形成されている。接着層５２は、絶縁部５０と同じ材料で形成されてなる。絶縁性の接着剤を基板２０及びチップ部品１０の間に設け、基板２０及びチップ部品１０の間に押圧力を加えて、接着剤をチップ部品１０の隣に押し出して、接着剤から絶縁部５０及び接着層５２を形成してもよい。絶縁部５０の傾斜面５４は凹面（例えば、第１の面１２に垂直な断面において曲線を描く凹面）である。その他の構成は、図１に示す電子装置と同じ内容が該当する。また、図６に示す形態を他の実施の形態又は変形例に適用してもよい。
【００３１】
図７において、絶縁部６０と接着層６２が一体化して形成されている。接着層６２は、絶縁部６０と同じ材料で形成されてなる。絶縁性の接着剤を基板２０及びチップ部品１０の間に設け、基板２０及びチップ部品１０の間に押圧力を加えて、接着剤をチップ部品１０の隣に押し出して、接着剤から絶縁部６０及び接着層６２を形成してもよい。絶縁部６０の傾斜面６４は凸面（例えば、第１の面１２に垂直な断面において曲線を描く凸面）である。その他の構成は、図１に示す電子装置と同じ内容が該当する。また、図７に示す形態を他の実施の形態又は変形例に適用してもよい。
【００３２】
図８において、チップ部品７０は、第１の面（電極１４が形成された面）７２から外方向に下がるように傾斜した側面７４を有する。側面７４が傾斜しているので、その上に、絶縁部７５を、傾斜した面を有するように設けやすい。チップ部品７０は、第１の面７２とは反対側の第２の面７６から垂直に立ち上がる側面７８を含んでもよい。側面７４，７８が接続されていてもよい。その他の構成は、図１に示す電子装置と同じ内容が該当する。また、図８に示す形態を他の実施の形態又は変形例に適用してもよい。
【００３３】
側面７４は、図９（Ａ）に示すように、ウエハ（例えば半導体ウエハ）８０を切断するときに形成してもよい。詳しくは、角フライスのように２つの切れ刃が角を以て接続されたカッタ（例えばダイシングソー）８２を使用して、ウエハ８０に傾斜面を有する溝（例えばＶ溝）を形成し、傾斜面によって側面７４を形成してもよい。溝を形成した後、図９（Ｂ）に示すように、溝の底面を、外周面に切れ刃を持つカッタ（例えばダイシングソー）８４によって切断してもよい。こうすることで、第２の面７６から垂直に立ち上がる側面７８を形成することができる。
【００３４】
図１０において、チップ部品９０の側面９４は、第１の面（電極１４が形成された面）９２から外方向に下がるように傾斜している。側面９４は、第１の面９２とは反対側の第２の面９６からも傾斜している。その他の構成は、図１に示す電子装置と同じ内容が該当する。また、図１０に示す形態を他の実施の形態又は変形例に適用してもよい。
【００３５】
図１１において、チップ部品１００は、その端部に段１０２を有する。段１０２は、第１の面（電極１４が形成された面）１０４から下がる（例えば垂直に下がる）面と、第１の面１０４とは反対側の第２の面１０６から立ち上がる（例えば垂直に立ち上がる）面と、これらの面を接続するために横方向（例えば第１又は第２の面１０４，１０６に平行な方向）に延びる面と、を含む。その他の構成は、図１に示す電子装置と同じ内容が該当する。また、図１１に示す形態を他の実施の形態又は変形例に適用してもよい。
【００３６】
図１２において、基板２０には、チップ部品１０が搭載された面とは反対側の面に、第２のチップ部品１１０が搭載されている。第２のチップ部品１１０は、配線パターン２２（詳しくは第２の露出部２６）に電気的に接続されている。第２のチップ部品１１０の実装形態は、フェースダウンボンディング及びフェースアップボンディングのいずれであってもよい。フェースダウンボンディングでは、第２のチップ部品１１０の電極（バンプ）と配線パターン２２とを対向させて電気的に接続する。フェースアップボンディングでは、電気的接続にワイヤを使用してもよい。その他の構成は、図１に示す電子装置と同じ内容が該当する。また、図１２に示す形態を他の実施の形態又は変形例に適用してもよい。
【００３７】
図１３において、基板２０には、チップ部品１０が搭載された面に、第２のチップ部品１２０が搭載されている。例えば、チップ部品１０の上方に（あるいはチップ部品１０を覆うように）、第２のチップ部品１２０が配置されている。第２のチップ部品１２０は、配線パターン２２（詳しくは露出部２４）に電気的に接続されている。第２のチップ部品１２０の実装形態は、フェースダウンボンディング及びフェースアップボンディングのいずれであってもよい。フェースダウンボンディングでは、第２のチップ部品１２０の電極（バンプ）と配線パターン２２とを対向させて電気的に接続する。フェースアップボンディングでは、電気的接続にワイヤを使用してもよい。その他の構成は、図１に示す電子装置と同じ内容が該当する。また、図１３に示す形態を他の実施の形態又は変形例に適用してもよい。
【００３８】
図１４には、上述した実施の形態で説明した電子装置１が実装された回路基板１０００が示されている。この電子装置を有する電子機器として、図１５にはノート型パーソナルコンピュータ２０００が示され、図１６には携帯電話３０００が示されている。
【００３９】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、図２のＩ−Ｉ線断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係る電子装置を説明する平面図である。
【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、本発明に係る電子装置の製造方法を説明する図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態に係る電子装置の変形例を説明する図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態に係る電子装置の変形例を説明する図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態に係る電子装置の変形例を説明する図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態に係る電子装置の変形例を説明する図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態に係る電子装置の変形例を説明する図である。
【図９】図９（Ａ）〜図９（Ｂ）は、図８に示すチップ部品の製造方法を説明する図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態に係る電子装置の変形例を説明する図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態に係る電子装置の変形例を説明する図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態に係る電子装置の変形例を説明する図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態に係る電子装置の変形例を説明する図である。
【図１４】図１４は、本実施の形態に係る電子装置が実装された回路基板を示す図である。
【図１５】図１５は、本実施の形態に係る電子装置を有する電子機器を示す図である。
【図１６】図１６は、本実施の形態に係る電子装置を有する電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０…チップ部品 １２…第１の面 １４…電極 １６…パッシベーション膜１８…第２の面 ２０…基板 ２２…配線パターン ２４…露出部 ２６…第２の露出部 ２８…導体パターン ２９…接着層 ３０…絶縁部 ３２…傾斜面３４…配線 ３６…外部端子 ３８…封止材 ４０…絶縁部 ４４…絶縁部 ５０…絶縁部 ５２…接着層 ５４…傾斜面 ６０…絶縁部 ６２…接着層 ６４…傾斜面 ７０…チップ部品 ７４…側面 ８０…ウエハ ９０…チップ部品９２…第１の面 ９４…側面 ９６…第２の面 １００…チップ部品 １０２…段 １０４…第１の面 １０６…第２の面 １１０…第２のチップ部品 １２０…第２のチップ部品

Claims (21)

  1. 配線パターンが形成されてなる基板と、
    電極が形成された第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面と、を有し、前記基板に前記第２の面が対向するように搭載されてなるチップ部品と、
    前記チップ部品の側方に設けられた、樹脂からなる絶縁部と、
    前記電極上から前記絶縁部上を通って前記配線パターン上に至るように形成された配線と、
    を有する電子装置。
  2. 請求項１記載の電子装置において、
    前記チップ部品の側面は、前記第１の面から外方向に下がるように傾斜してなる電子装置。
  3. 請求項１記載の電子装置において、
    前記チップ部品は、その端部に段を有する電子装置。
  4. 配線パターンが形成されてなる基板と、
    電極が形成された第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面と、を有し、前記基板に前記第２の面が対向するように搭載されてなるチップ部品と、
    前記チップ部品の側方に設けられた、前記チップ部品から外方向に下がる傾斜面を有する絶縁部と、
    前記電極上から前記絶縁部上を通って前記配線パターン上に至るように形成された配線と、
    を有する電子装置。
  5. 請求項４記載の電子装置において、
    前記傾斜面は、凹面である電子装置。
  6. 請求項４記載の電子装置において、
    前記傾斜面は、凸面である電子装置。
  7. 請求項１から請求項６のいずれかに記載の電子装置において、
    前記絶縁部は、その一部が前記第１の面に載るように形成されてなる電子装置。
  8. 請求項１から請求項６のいずれかに記載の電子装置において、
    前記絶縁部は、その一部が前記第１の面に載らないように形成されてなる電子装置。
  9. 請求項１から請求項８のいずれかに記載の電子装置において、
    前記絶縁部は、前記チップ部品に隣接して前記第１の面から盛り上がる部分を有する電子装置。
  10. 請求項１から請求項９のいずれかに記載の電子装置において、
    前記チップ部品と前記基板を接着する接着層をさらに有する電子装置。
  11. 請求項１０記載の電子装置において、
    前記接着層は、前記絶縁部と同じ材料で形成されてなる電子装置。
  12. 請求項１０記載の電子装置において、
    前記接着層は、前記絶縁部と異なる材料で形成されてなる電子装置。
  13. 配線パターンが形成されてなる基板に、電極を有するチップ部品を、前記電極が形成された第１の面とは反対側の第２の面が前記基板に対向するように搭載すること、
    前記チップ部品の側方に、樹脂によって絶縁部を形成すること、及び、
    配線を、前記電極上から前記絶縁部上を通って前記配線パターン上に至るように形成すること、
    を含む電子装置の製造方法。
  14. 配線パターンが形成されてなる基板に、電極を有するチップ部品を、前記電極が形成された第１の面とは反対側の第２の面が前記基板に対向するように搭載すること、
    前記チップ部品の側方に、絶縁部を、前記チップ部品から外方向に下がる傾斜面を有するように形成すること、及び、
    配線を、前記電極上から前記絶縁部上を通って前記配線パターン上に至るように形成すること、
    を含む電子装置の製造方法。
  15. 請求項１３又は請求項１４記載の電子装置の製造方法において、
    導電性微粒子を含む分散液から、前記配線を形成する電子装置の製造方法。
  16. 請求項１５記載の電子装置の製造方法において、
    前記配線を形成する工程は、前記導電性微粒子を含む前記分散液を、前記電極、前記絶縁部及び前記配線パターン上に吐出することを含む電子装置の製造方法。
  17. 請求項１３から請求項１６のいずれかに記載の電子装置の製造方法において、
    前記基板に前記チップ部品を搭載する工程は、接着剤を、前記基板及び前記チップ部品の間に介在させることを含む電子装置の製造方法。
  18. 請求項１７記載の電子装置の製造方法において、
    前記接着剤として絶縁性の接着剤を使用し、
    前記接着剤を前記基板及び前記チップ部品の間から前記チップ部品の隣に押し出して、前記接着剤から前記絶縁部を形成する電子装置の製造方法。
  19. 請求項１７記載の電子装置の製造方法において、
    前記絶縁部の形成工程は、前記接着剤とは別に、前記絶縁部を形成するための材料を設けることを含む電子装置の製造方法。
  20. 請求項１から請求項１２のいずれかに記載の電子装置が実装された回路基板。
  21. 請求項１から請求項１２のいずれかに記載の電子装置を有する電子機器。
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