JPS58101443A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPS58101443A
JPS58101443A JP56198554A JP19855481A JPS58101443A JP S58101443 A JPS58101443 A JP S58101443A JP 56198554 A JP56198554 A JP 56198554A JP 19855481 A JP19855481 A JP 19855481A JP S58101443 A JPS58101443 A JP S58101443A
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須田　実
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池沢　隆一
Kenji Akeyama
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 不発１１１は衝脂到止半導体装櫨に蘭する。
衝脂側止タイプの半導体装置、内光はトランジスタにお
いて′は、第１図に示すよう九金属板ステム（又はヒー
トシンク）１上に＃−導体累子２を取付け、ステムと一
連続しない便数のリード３と集子の電極との聞を金又は
ムＬワイヤ４で接続（ボンディング）シ、ステム上で素
子２とリードのワイヤボンディング部分管包囲するよう
に樹脂５ｔモールドした構造含有する。樹脂は封止され
る半導体素子への外部よりの湿気の侵入を防止するため
のものでＴｏす、ステム材料である鉄や鋼等の金属と掃
溜性の良いエポキシ系樹脂等が多く使われているにもか
かわらず耐湿性が完全とはいかなかった。
本−出願人においては金属ステムと樹脂との界面に生じ
る隙間からの水分の浸入管阻止する手段として、ｌ５ｌ
Ａ図で示すようにステム（ヒートシンク）の１１１１面
に突起６會設けたもの管使用している。しかし上記構造
においても、半導体素子２０ＳａＷは樹脂とステム（全
表面にペレットボンディングに必ＩりｌＮｉメッキされ
ている）とのＩｉＩ着性に依存しており、金属と比轍的
に＠＠性の良い工ボキシ＃Ｍ脂ｔ−１’ｆｌいても、Ｎ
１メッキ面では耐湿性が光分に保てず、樹脂と金属との
隙間にガえばシリコーンオイル等を含浸することにより
耐湿性を確保している塊状である。
本発明扛上記した点Ｋかんがみてなされたものであり、
その目的は１１脂調止トランジスタのより効果的な耐湿
構造の提供ＫＴｏる。
以下実施−にそって本発＃４ｔ−詳述する。
第２図は本発明による樹脂刺止トランジスタの腺瑠的構
造會示すもので、−中、＊鱒はステム（ヒートシンク）
１．リード３及び半導体素子２を示し、破−は刺止ＩＩ
ｗ！１本５を示す。
ステムりは鍋の厚板よりなり、半導体素子の城付けられ
る上面ＫＮｉにッケル）豪Ｉａ７が施されているが、素
子取付は部分（７）　ｋ　！８Ｉむりング形状の胸辺ｆ
ｌ１６８はＮｉｌ施さず銅か旙出し、ステムのＮ向９４
鋼が露出する。複数のリード３ｔｉ一部でステムと縁続
し、他ｍはステムから浮上しｔ位置に設けられた鋼（又
は鉄）からなる。
上配り一部のうちステムと接続しないリードの少なくと
も内端上面にはＮ１豪１１１１１０が施され、このＮ１
被膜面に半導体素子の電極とを接続する金ワイヤ４がボ
ンディングされる。
＠脂封正体はエポキシ系樹脂會上記ステム會埋金として
素子の全表面及びリードとの接続部分を包囲するように
モールドしたものである。この樹脂体はステムの上面及
びｇ４１１面の一部に接触した状總でモールドされる。
エポキシ樹脂はＮｉ面との接着性は必しもよくないが銅
への接着性は優れている。本発明によれば、ステム上面
の半導体素子取付けＥｌ（ＮＬ被覆面）７０周辺部にリ
ング状の銅露出＠８　ｔ−ｔ＆打であるため、その部分
の銅と樹脂の接Ｎｓ分より肉糊には水分が浸入し難い。
延らにステム細面〜においてもＩｌｌ施すことなく銅を
露出している皮め、ステム−面で銅と＊ｍとの接着性か
よく、二重に水分の浸入全防止している。水出−人の実
験によれは、全面ＫＭｉメッキｔ−施したステムを使用
し７ｔ？ＩＭｊＩＩＩ４止品を高温＾種試験に２４〜４
８時間Ｗｋ続したところ耐圧劣化したが、本＠明による
一５ＶＣ＠ｔ−１出したステムを使用したー脂刺止品で
は１００時間以上の試験に耐えることが期待される。
本発明は前記実施力に限定されない。
ガえば１１！３図に示すように、複数のリード３と一体
になったステムＩにおいて、ステム上面の半導体素子取
付ｔｊｆｉｌｌｌとリードの内端部上面１２のみＫＮｉ
メッキを施し、これらｔ除いた他の部分のステム及びリ
ードの上、下面部面は銅のｔ箇の状−で露出する。この
揚台はＮ１の使用量が少なく１１２図で示し７ｔ？Ｉと
同様の効果を奏する。
ステムと複数のリードは一枚の金属板からリードフレー
ムとして形成した一体のものであっても、あるいはステ
ふとり一部とが別々の材料からなりこれら【総会せたも
のであってもよい。
＊ｂａ止捧はエポキシ糸１１脂に限らず、他の倒動材料
、ガえはシリコーン系樹脂であってもよい。
ステム上Ｋｆｋ執される半導体素子はトランジスタ以外
にｌｌＩ数の素子を集積した牛尋体＃Ｍ筺であってもよ
い。
【図面の簡単な説明】
ＩＩＥ１図Ｆｉ樹脂封止トランジスタの一例を示す平面
図、第１Ａ図は纂１図にシけるムーム断面図である。第
２図は本発明による樹脂側止トランジスタの一例の構造
を示す斜視図、第３図は本発明による１１脂到止トラン
ジスタの他のガのステム・リード構造會示す斜面図であ
る。 １・・・ステム（ヒートシンク）、２・・・半ＩＩ体素
子、３・・・リード、４・・・金又はムＬワイヤ、５・
・・樹脂体、６・・・突起、７・・・Ｎ１被膜（素子取
付けＳ）、８・・・リング状周辺部、９・・・ステム細
面、１０・・・Ｎｌ［ｌｓ（リード）、１１・・・Ｎ１
メッキした素子取付は面、１２・・・Ｎ１メッキしたリ
ード内端上面。 代理人　弁理士　薄　１）利　辛

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、金属板ステ五部材と、複数のリードと、ステム上に
    設けた半導体素子と、上記ステム上面で上記半Ｓ体素子
    とリードの内ＩＩｓ部を包囲し、ステムの−ＳＳ画面傍
    う樹脂刺止体とからなる棚脂到止牛導体絣ｕにおいて、
    上記ステムは刺止用樹脂と接着性の良い餐属からなり、
    少なくともステム上向の半導体素子取付は部分と、リー
    ド内端のワイヤボンディング部分にはニッケル普験が形
    成され、１１ｍ剤正体色接するステム上面で少なくとも
    半導体集子取付は邸の周辺部分とステムｌ１４１面は金
    属が露出することに特徴とする樹脂刺止型半導体装置。 ２、上記ステムｔｅａする金属が鏑でめり、封止吻ｍ腫
    がエポキシ系樹脂である特許請求の範囲第１寝に記載の
    樹腫刺止半導体俟筐。
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JPH023546B2 JPH023546B2 (ja) 1990-01-24

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Cited By (2)

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US4984063A (en) * 1989-03-30 1991-01-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
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