JP5817390B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
対向する少なくとも一対の側面と、
裏面に形成され、前記対向する一対の側面のいずれか一方の側面に至る凹部と、
前記窪み部内から前記裏面の凹部内に貫通するスルーホールとを備える基材及び
前記窪み部に載置された半導体発光素子を含む発光装置であって、
前記基材の一対の側面は、裏面側に垂直部及び上面側にテーパー部を備えており、
前記垂直部は、上端が前記窪み部の底面より上面側に配置され、
前記垂直部の高さHs及び前記凹部の深さDoが、Hs−Do>Doを満たす発光装置。
発光素子は、いわゆる発光ダイオードと称される素子であればどのようなものでもよい。例えば、基板上に、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の窒化物半導体、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等、種々の半導体によって、発光層を含む積層構造が形成されたものが挙げられる。
基材は、上述した発光素子を支持するものであり、発光素子をその中央又は中央付近で支持することが好ましい(例えば、図1(b)の発光素子2参照)。
基材は、その表面から内部に至る第1及び第2導電部材を備える。第1及び第2導電部材は、それぞれ、発光素子の一対の電極とそれぞれ電気的に接続されている。
本発明の発光装置は、発光素子、任意にワイヤ等を保護するために透光性部材が発光素子等を被覆していることが好ましい。例えば、基材が窪んだ形状の発光素子載置部を有する場合には、窪んだ形状の部位に、さらに基材表面から盛り上がるように、透光性部材を配置してもよい(図1(f)の透光性部材50参照)。
本発明の発光装置には、さらに保護素子が搭載されていてもよい(例えば、図1(b)の保護素子18参照)。保護素子の種類は、特に限定されるものではなく、発光装置に搭載される公知のもののいずれでもよい。例えば、発光素子に印加される逆方向の電圧を短絡したり、発光素子の動作電圧より高い所定の電圧以上の順方向電圧を短絡したりさせることができる素子、つまり、過熱、過電圧、過電流、保護回路、静電保護素子等が挙げられる。具体的には、ツェナーダイオード、トランジスタのダイオード等が利用できる。
この発光装置10は、図1(a)及び(b)並びに図2(a)〜(f)に示すように、基材1と、発光素子2とを備える。なお、図1(a)においては、特に厚み方向のサイズをわかりやすく説明するために誇張して表しており、その実際の厚みとは必ずしも一致しない。
この発光装置20は、図4(a)〜(e)に示すように、基材29と、発光素子2とを備える。
1a、29a 表面
1b、29b 裏面
1c、1e、29c、29e 短手方向の側面
1d、1f、29d、29f 長手方向の側面
1cs、1es、29cs、29es 垂直部
1ct、1et、29ct、29et テーパー部
2 発光素子
10、20 発光装置
11、21 第1導電部材
12、22 第2導電部材
13、23 窪み部
14、24 凸部
15、25 スルーホール
16、26 凹部
17、27 第3導電部材
18 保護素子
19 金線
50 透光性部材
60 ジグ
Claims (7)
- 上面に形成された窪み部と、
対向する少なくとも一対の側面と、
裏面に形成され、前記対向する一対の側面のいずれか一方の側面に至る凹部と、
前記窪み部内から前記裏面の凹部内に貫通するスルーホールとを備える基材及び
前記窪み部に載置された半導体発光素子を含む発光装置であって、
前記基材の一対の側面は、裏面側に垂直部及び上面側にテーパー部を備えており、
前記垂直部は、上端が前記窪み部の底面より上面側に配置され、
前記垂直部の高さHs及び前記凹部の深さDoが、Hs−Do>Doを満たすことを特徴とする発光装置。 - 前記基材が、長手方向及び短手方向にそれぞれ延長して対向する2対の側面を備えており、かつ前記基材の一対の側面は短手方向に延長して対向する側面である請求項1に記載の発光装置。
- 前記凹部は、裏面側の幅woが前記垂直部の裏面側の幅Wよりも小さい請求項1に記載の発光装置。
- 前記凹部が、基材裏面において、短手方向の二方向及び長手方向の一方向に包囲され、短手方向の側面に開放されて配置されてなる請求項2に記載の発光装置。
- 前記凹部の深さDoは、前記窪み部の深さDkの1/5以下である請求項1に記載の発光装置。
- 前記垂直部の高さHsは、前記凹部の深さDoの4倍以上である請求項1に記載の発光装置。
- 前記垂直部の高さHsは、基材の高さHの1/2以上である請求項1に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
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JP2011211408A JP5817390B2 (ja) | 2011-09-27 | 2011-09-27 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2011211408A JP5817390B2 (ja) | 2011-09-27 | 2011-09-27 | 発光装置 |
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JP2013074056A JP2013074056A (ja) | 2013-04-22 |
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Family Applications (1)
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JP2011211408A Active JP5817390B2 (ja) | 2011-09-27 | 2011-09-27 | 発光装置 |
Country Status (1)
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JP6482785B2 (ja) * | 2014-07-28 | 2019-03-13 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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- 2011-09-27 JP JP2011211408A patent/JP5817390B2/ja active Active
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