JP2652207B2 - 発光ダイオード表示装置 - Google Patents

発光ダイオード表示装置

Info

Publication number
JP2652207B2
JP2652207B2 JP63183289A JP18328988A JP2652207B2 JP 2652207 B2 JP2652207 B2 JP 2652207B2 JP 63183289 A JP63183289 A JP 63183289A JP 18328988 A JP18328988 A JP 18328988A JP 2652207 B2 JP2652207 B2 JP 2652207B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting diode
light emitting
light
electrode
axis electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP63183289A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0233185A (ja
Inventor
博昭 村田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Cable Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Cable Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Cable Industries Ltd filed Critical Mitsubishi Cable Industries Ltd
Priority to JP63183289A priority Critical patent/JP2652207B2/ja
Publication of JPH0233185A publication Critical patent/JPH0233185A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2652207B2 publication Critical patent/JP2652207B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F13/00Illuminated signs; Luminous advertising
    • G09F13/20Illuminated signs; Luminous advertising with luminescent surfaces or parts
    • G09F13/22Illuminated signs; Luminous advertising with luminescent surfaces or parts electroluminescent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、発光ダイオードを光源とするX−Y型マク
リックス表示装置に関する。
従来の技術 発光体を使用した表示装置として、電気絶縁板にX−
Y型マクリックス電極回路を形成し、該電極回路のX軸
電極とY軸電極との各交点近傍に発光体を設置して該発
光体の両電極とX軸電極およびY軸電極とをそれぞれ接
続した構造のX−Y型マクリックス表示装置は、従来よ
り知られておりまた現在広く使用されている。またその
発光体として、フィラメントランプや発光ダイオードを
使用したものが知られている。
ところでフィラメントランプは、消費電力が比較的多
くてそのため発熱が著しいので断線し易くしかもランプ
自体が大きいので小型の表示装置に不向きである等の欠
点がある。これに対して発光ダイオードは、フィラメン
トランプよりも低電圧・低電流で発光するために消費電
力が非常に少なく、しかも断線するようなことがないな
ど数々の長所がある。なお発光ダイオードは、発光輝度
が低く、しかもその発光が散乱して前方に効率良く光を
取り出すことができない問題がある。この問題を解決す
るために、個々の発光ダイオードにつき反射鏡と集光レ
ンズとを備えた樹脂モールド加工を施し、かくして得た
樹脂モールド発光ダイオードを個々に電気絶縁板に取付
けて結線する方法が採用されている。
解決を要すべき問題点 しかしながら、個々の発光ダイオードにつき上記のよ
うな樹脂モールド加工を施すこと、および多数個かかる
樹脂モールド発光ダイオードを個々に電気絶縁板に取付
けて結線することは生産能率が悪く、コスト高となる問
題がある。また発光ダイオードにつき上記のような樹脂
モールド加工を施す際、使用する反射鏡の形状や反射
能、樹脂モールド加工によって形成された集光レンズの
集光度などに不揃いがあり、このために得られた樹脂モ
ールド発光ダイオードの発光輝度にバラツキが生じ易い
問題もある。
上記の事情を鑑みて、本発明は安価に生産可能であ
り、しかも個々の発光ダイオード間の発光輝度にバラツ
キが生じ難い発光ダイオード表示装置を提供しようとす
るものである。
問題点を解決するための手段 すなわち本発明は、絶縁金属基板の上に発光ダイオー
ドを用いた表示部を有し、該表示部は絶縁金属基板上に
形成されたX−Y型マクリックス電極パターン、該電極
パターンのX軸電極とY軸電極との各交点近傍にしぼり
加工により設けられた側壁が反射面となっている窪み、
該窪みの底部に設置された発光ダイオード、および該発
光ダイオードの両電極とX軸電極およびY軸電極とをそ
れぞれ接続する接続部とからなることを特徴とする発光
ダイオード表示装置である。
発明の作用 本発明の発光ダイオード表示装置は、従来の表示装置
における電気絶縁板に代わって絶縁金属基板を使用し、
電気回路として絶縁金属記番上に形成されたX−Y型マ
クリックス電極パターンを採用し、または従来の表示装
置における樹脂モールド発光ダイオードに代わって該電
極パターンのX軸電極とY軸電極との各交点近傍に設け
られた窪みと底部に設置された発光ダイオードとからな
るものを使用する。該窪みは、しぼり加工により設けら
れ、その側壁が反射面となっていて、該反射面と発光ダ
イオードとで従来の樹脂モールド発光ダイオードと同等
の発光作用をなす。
絶縁金属基板上へのX−Y型マクリックス電極パター
ンの形成、絶縁金属基板上へのしぼり加工による窪みの
形成、窪みの底部への発光ダイオードの設置、および各
発光ダイオードとX−Y型マクリックス電極パターンと
のワイヤボンティング等による接続は、いすれも流れ作
業にて安価に実施可能であり、しかも窪みの形状や発光
ダイオードの設置などはバラツキ少なく実施可能である
ので、各発光ダイオードの発光輝度も均一化し易い。
実施例 以下、本発明の発光ダイオード照明具を図面に基づい
て説明する。
第1図は本発明実施例の一部を示す上面図、第2図は
第1図の実施例の電気回路図例、第3図は第1図のX−
X部位の詳細断面図、第4図は本発明の他の実施例の斜
視図である。
第1図〜第4図において、1はしぼり加工により設け
た多数の窪み11を有する絶縁金属基板、2は各窪み11の
底部に設置された発光ダイオード、3は該絶縁金属基板
の前面に設置されたレンズ板、5は絶縁金属基板1の上
に形成されたX−Y型マクリックス電極パターン、51は
電極パターン5中のX軸電極、52は電極パターン5中の
Y軸電極、53はX軸電極とY軸電極との各交点における
カーボンジャンパーである。該カーボンジャンパー53は
Y軸電極を跨いでX軸電極同士を電気的に接続する作用
をなす。6は発光ダイオード2の上面電極とX軸電極51
とを電気的に接続するボンディングワィヤ、7は発光ダ
イオード2の下面電極とY軸電極52とを電気的に接続す
るリードパターン、8はY軸電極52の一端該Y軸電極52
と直列に接続された抵抗、9はドライブ回路、91は各X
軸電極51とドライブ回路9内のX軸電極ドライバとを接
続するリードパターン、92は各Y軸電極52とドライブ回
路9内のY軸電極ドライバとを接続するリードパターン
である。
絶縁金属基板1はアルミニウム、銅、鉄、ステンレ
ス、ニッケルなどの金属からなる金属基板層12、エポキ
シ樹脂、ガラス繊維入りのエポキシ樹脂、ポリエチレ
ン、架橋ポリエチレン、ポリイミド、などの絶縁性材料
からなる電気絶縁層13とからなっており、その上にアル
ミニウム、銅、金、ニッケルなどの導電性金属からなる
X−Y型マクリックス電極パターン5、リードパターン
7、リードパターン91、リードパターン92などが形成さ
れている。またX−Y型マクリックス電極パターン5の
X軸電極とY軸電極との各交点近傍には窪み11がしぼり
加工により設けられている。窪み11の側壁面14は反射面
として作用する。なお窪み11の側壁面14を反射面として
作用させることは、種々の方法によって可能である。た
とえば、電気絶縁層13を透明な絶縁性材料、たとえばエ
ポキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレ
ートなどにて形成して窪み11の側壁面14を形成する金属
基板層12の部分の表面自体を反射面としての作用させ
る、あるいは光反射性のワニス、ペイント、白色レジス
トなどを塗布、金属蒸着などの種々の手段によって側壁
面14上の最外表面前面に光反射層を形成する、などであ
る。
発光ダイオード2としては、市販品を用いてよく、そ
の発光色にも別に特定はなく、たとえば赤色、黄色、緑
色など、用途に応じて所望の発光色のものを選択すれば
よい。一般にできるだけ発光輝度の高いものを使用する
ことが好ましく、たとえば特願昭61−92895号明細書に
記載されているもの、すなわち活性層のキャリア濃度が
1015〜1020原子数/cm3、特に1015〜1019原子数/cm3でダ
ブルヘテロ構造を有するものを使用することが好まし
い。前記明細書に記載の発光ダイオードは通常の発光ダ
イオードよりも低電圧で高い発光輝度が得られ、低電圧
で稼働することにより熱の発生量が少なくなると共にチ
ップにおける発光輝度の不良が少なく量産が可能となり
コストを低くすることができ、本発明の発光ダイオード
表示装置に最適である。
第4図に示す実施例においては、絶縁金属基板1が図
示する通りに折り曲げられており、その正面15上には発
光ダイオードを用いた表示部のみが設置され、その側面
16上に抵抗9およびドライブ回路9などの非発光部品が
集められている。かく構成すると、正面15のみを表示装
置の前面に出して側面16を表示装置の内部に隠すことが
できて表示装置のディスプレイ部から非発光領域を排除
することが可能になる。また、通常絶縁金属板1として
は、前記しぼり加工を容易にするために1mm前後の薄板
が使用される場合が多くこのために該基板は機械的強度
が左程大きくないが、第4図に示すように折り曲げられ
て函状とすると外力に対する抵抗が増す利点もある。
本発明の発光ダイオード表示装置は、次ぎに示す工程
にて製造することができる。すなわち、絶縁金属基板1
として金属層、電気絶縁層、および導電性金属層とから
なる素板材を用い、たとえば導電性金属層をパターンエ
ッチング処理してX−Y型マトリックス電極パターン
5、リードパターン7、91、および92を残して他部の除
去し、ついでしぼり加工して多数の窪み11を設ける。か
くして得た絶縁金属基板1の各窪み11の底部に、発光ダ
イオード2をその下面電極が窪み11の底部のリードパタ
ーン7と電気的に接触するようにたとえば導電性接着剤
を用いて接続設置し、発光ダイオード2の上面電極とX
軸電極51とをボンディングワイヤ6によって接続し、つ
いで必要に応じて絶縁金属基板1の全表面、または少な
くとも窪み11とボンディングワイヤ6とを光透過性の有
機高分子、たとえばポリカーボネートやエポキシ樹脂に
てマスクする。さらに抵抗8およびドライブ回路9を所
定の位置にマウントして必要な接続を行い、必要に応じ
て第4図に示すように折り曲げられて函状とされる。
前面レンズ板3は、ポリカーボネート、アクリル樹脂
などの光透過性の有機高分子からなっており、絶縁基板
1の各窪み11の直上にあたる位置に凸レンズ31を有す
る。
第1図に示す実施例においては、発光ダイオード2か
ら放出された光は窪み11の側壁面14によりレンズ板3の
方向に反射され、ついでレンズ板3の凸レンズ31により
平行光に集光されて前方に放出される。
発明の効果 本発明の発光ダイオード表示装置は、本発明の主要部
部品の生産、並びに部品から本発明の組み立ての全てに
つき連続化が可能であるので低コストでの大量生産が可
能である。また各発光ダイオードの輝度を均一化させ易
い効果もある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例の一部を示す上面図、第2図は第
1図の実施例の電気回路図例、第3図は第1図のX−X
部の詳細断面図、第4図は本発明の他の実施例の斜視図
である。 第1図〜第4図において、1はしぼり加工により設けた
多数の窪み11を有する絶縁金属基板、2は各窪み11の底
部に設置された発光ダイオード、3は該絶縁金属基板の
前面に設置されたレンズ板、5は絶縁金属基板1の上に
形成されたX−Y型マトリックス電極パターン、51は電
極パターン5中のX軸電極、52は電極パターン5中のY
軸電極、53はX軸電極とY軸電極との各交点におけるカ
ーボンジャンパー、6は発光ダイオード2の上面電極と
X軸電極51とを電気的に接続するボンディングワィヤ、
7は発光ダイオード2の下面電極とY軸電極52とを電気
的に接続するリードパターン、8は各Y軸電極52の一端
該Y軸電極52と直列に接続された抵抗、9はドライブ回
路、91は各X軸電極51とドライブ回路9内のX軸電極ド
ライバとを接続するリードパターン、92は各Y軸電極52
とドライブ回路9内のY軸電極ドライバとを接続するリ
ードパターン。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁金属基板の上に発光ダイオードを用い
    た表示部を有し、該表示部は絶縁金属基板上に形成され
    たX−Y型マクリックス電極パターン、該電極パターン
    のX軸電極とY軸電極との各交点近傍にしぼり加工によ
    り設けられた側壁が反射面となっている窪み、該窪みの
    底部に設置された発光ダイオード、および該発光ダイオ
    ードの両電極とX軸電極およびY軸電極とをそれぞれ接
    続する接続部とからなることを特徴とする発光ダイオー
    ド表示装置。
  2. 【請求項2】折り曲げられた絶縁金属基板の正面上に発
    光ダイオードを用いた表示部を有し、側面上に抵抗類や
    ドライブ回路などの非発光部品を有する第1請求項に記
    載の発光ダイオード表示装置。
JP63183289A 1988-07-22 1988-07-22 発光ダイオード表示装置 Expired - Lifetime JP2652207B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63183289A JP2652207B2 (ja) 1988-07-22 1988-07-22 発光ダイオード表示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63183289A JP2652207B2 (ja) 1988-07-22 1988-07-22 発光ダイオード表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0233185A JPH0233185A (ja) 1990-02-02
JP2652207B2 true JP2652207B2 (ja) 1997-09-10

Family

ID=16133049

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63183289A Expired - Lifetime JP2652207B2 (ja) 1988-07-22 1988-07-22 発光ダイオード表示装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2652207B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0496781U (ja) * 1991-01-31 1992-08-21
WO2003030274A1 (fr) * 2001-09-27 2003-04-10 Nichia Corporation Dispositif emetteur de lumiere et procede de fabrication associe
DE102011056708A1 (de) 2011-12-20 2013-06-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Leiterrahmenverbund und optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP6435705B2 (ja) * 2013-12-27 2018-12-12 日亜化学工業株式会社 集合基板、発光装置及び発光素子の検査方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0233185A (ja) 1990-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4935665A (en) Light emitting diode lamp
KR102327855B1 (ko) 슬림한 선형 led 조명 장치
US7708427B2 (en) Light source device and method of making the device
EP2591279B1 (en) Leadframe led lighting assembly
JPH02119256A (ja) 面状放射体
JPH1098215A (ja) 発光ダイオード装置
CN101005733A (zh) 薄型半导体照明平面集成光源模块的制造方法
JP2668140B2 (ja) 発光モジュール
JPH0927641A (ja) 発光ダイオードアセンブリ
US7339196B2 (en) Packaging of SMD light emitting diodes
JP2003158302A (ja) 発光ダイオード
JP2547072B2 (ja) 発光ダイオード照明具
JP2652207B2 (ja) 発光ダイオード表示装置
JP2602063B2 (ja) 発光ダイオード照明具
JP2896905B2 (ja) ランプ
JPH0517680U (ja) 発光ダイオード表示器
CN1765022A (zh) 反射型发光二极管
CN209926238U (zh) 一种汽车照明装置和车灯
CN1434522A (zh) 一种高功率的发光二极管封装方法
KR100839122B1 (ko) 측면 발광형 led 램프 및 그 제조방법과, 그 led램프를 포함하는 발광장치
JP2005166426A (ja) 照明装置およびその製造方法
CN2613054Y (zh) 发光二极管晶片的基板构造
CN2613048Y (zh) 点矩阵发光二极管的组合结构
JPH07288343A (ja) 発光ダイオードランプ及びこれを用いたマトリクス表示器
JPH0233802A (ja) 発光ダイオード照明具