JPH0233185A - 発光ダイオード表示装置 - Google Patents
発光ダイオード表示装置Info
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- JPH0233185A JPH0233185A JP63183289A JP18328988A JPH0233185A JP H0233185 A JPH0233185 A JP H0233185A JP 63183289 A JP63183289 A JP 63183289A JP 18328988 A JP18328988 A JP 18328988A JP H0233185 A JPH0233185 A JP H0233185A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
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-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
鳳１」Ｊ１ｕ１土艷
本発明は、発光ダイオードを光源とするＸ−Ｙ型マクリ
ックス表示装置に関する。
ックス表示装置に関する。
蓋米至筑歪
発光体を使用した表示装置として、電気絶縁板にＸ−Ｙ
型マクリックス電極回路を形成し、該電極回路のＸ輪電
極とＹ軸電極との各交点近傍に発光体を設置して咳発光
体の両電極とＸ軸電極およびＹ軸電極とをそれぞれ接続
した構造のＸ−Ｙ型マクリックス表示装置は、従来より
知られておりまた現在広く使用されている。またその発
光体として、フィラメントランプや発光ダイオードを使
用したものが知られている。
型マクリックス電極回路を形成し、該電極回路のＸ輪電
極とＹ軸電極との各交点近傍に発光体を設置して咳発光
体の両電極とＸ軸電極およびＹ軸電極とをそれぞれ接続
した構造のＸ−Ｙ型マクリックス表示装置は、従来より
知られておりまた現在広く使用されている。またその発
光体として、フィラメントランプや発光ダイオードを使
用したものが知られている。
ところでフィラメントランプは、消費電力が比較的多く
てそのため発熱が著しいので断線し易くしかもランプ自
体が大きいので小型の表示装置に不向きである等の欠点
がある。これに対して発光ダイオードは、フィラメント
ランプよりも低電圧・低電流で発光するために消費電力
が非常に少な（、しかも断線するようなことがないなど
数々の長所がある。なお発光ダイオードは、発光輝度が
低く、しかもその発光が散乱して前方に効率良く光を取
り出すことができない問題がある。この問題を解決する
ために、個々の発光ダイオードにつき反射鏡と集光レン
ズとを備えた樹脂モールド加工を施し、かくして得た樹
脂モールド発光ダイオードを個々に電気絶縁板に取付け
て結線する方法が採用されている。
てそのため発熱が著しいので断線し易くしかもランプ自
体が大きいので小型の表示装置に不向きである等の欠点
がある。これに対して発光ダイオードは、フィラメント
ランプよりも低電圧・低電流で発光するために消費電力
が非常に少な（、しかも断線するようなことがないなど
数々の長所がある。なお発光ダイオードは、発光輝度が
低く、しかもその発光が散乱して前方に効率良く光を取
り出すことができない問題がある。この問題を解決する
ために、個々の発光ダイオードにつき反射鏡と集光レン
ズとを備えた樹脂モールド加工を施し、かくして得た樹
脂モールド発光ダイオードを個々に電気絶縁板に取付け
て結線する方法が採用されている。
・ ベ エ 占
しかしながら、個々の発光ダイオードにつき上記のよう
な樹脂モールド加工を施すこと、および多数個のかかる
樹脂モールド発光ダイオードを個々に電気＆＠縁板に取
付けて結線することは生産能率が悪く、コスト高となる
問題がある。また発光ダイオードにつき上記のような樹
脂モールド加工を施す際、使用する反射鏡の形状や反射
能、樹脂モールド加工によって形成された集光レンズの
集光度などに不揃いがあり、このために得られた樹脂モ
ールド発光ダイオードの発光輝度にバラツキが生じ易い
問題もある。
な樹脂モールド加工を施すこと、および多数個のかかる
樹脂モールド発光ダイオードを個々に電気＆＠縁板に取
付けて結線することは生産能率が悪く、コスト高となる
問題がある。また発光ダイオードにつき上記のような樹
脂モールド加工を施す際、使用する反射鏡の形状や反射
能、樹脂モールド加工によって形成された集光レンズの
集光度などに不揃いがあり、このために得られた樹脂モ
ールド発光ダイオードの発光輝度にバラツキが生じ易い
問題もある。
上記の事情を鑑みて、本発明は安価に生産可能であり、
しかも個々の発光ダイオード間の発光輝度にバラツキが
生じ難い発光ダイオード表示装置を提供しようとするも
のである。
しかも個々の発光ダイオード間の発光輝度にバラツキが
生じ難い発光ダイオード表示装置を提供しようとするも
のである。
占 ゛ るための
すなわち本発明は、絶縁金属基板の上に発光ダイオード
を用いた表示部を有し、該表示部は絶縁金属基板上に形
成されたＸ−Ｙ型マクリックス電極パターン、該電極パ
ターンのＸ軸電極とＹｌｄｌ電極との各交点近傍にしぼ
り加工により設けられた側壁が反射面となっている窪み
、該窪みの底部に設置された発光ダイオード、および該
発光ダイオードの画電極とＸ軸電掻およびＹ軸電極とを
それぞれ接続する接続部とからなることを特徴とする発
光ダイオード表示装置である。
を用いた表示部を有し、該表示部は絶縁金属基板上に形
成されたＸ−Ｙ型マクリックス電極パターン、該電極パ
ターンのＸ軸電極とＹｌｄｌ電極との各交点近傍にしぼ
り加工により設けられた側壁が反射面となっている窪み
、該窪みの底部に設置された発光ダイオード、および該
発光ダイオードの画電極とＸ軸電掻およびＹ軸電極とを
それぞれ接続する接続部とからなることを特徴とする発
光ダイオード表示装置である。
１里生作度
本発明の発光ダイオード表示装置は、従来の表示装置に
おける電気絶縁板に代わって絶縁金属基板を使用し、電
気回路として絶縁金属基板上に形成されたＸ−Ｙ型マク
リックス電極パターンを採用し、また従来の表示装置に
おける樹脂モールド発光ダイオードに代わりて該電極パ
ターンのＸ軸電極とＹ軸電掻との各交点近傍に設けられ
た富みと底部に設置された発光ダイオードとからなるも
のを使用する。該窪みは、しぼり加工により設けられ、
その側壁が反射面となっていて、該反射面と発光ダイオ
ードとで従来の樹脂モールド発光ダイオードと同等の発
光作用をなす。
おける電気絶縁板に代わって絶縁金属基板を使用し、電
気回路として絶縁金属基板上に形成されたＸ−Ｙ型マク
リックス電極パターンを採用し、また従来の表示装置に
おける樹脂モールド発光ダイオードに代わりて該電極パ
ターンのＸ軸電極とＹ軸電掻との各交点近傍に設けられ
た富みと底部に設置された発光ダイオードとからなるも
のを使用する。該窪みは、しぼり加工により設けられ、
その側壁が反射面となっていて、該反射面と発光ダイオ
ードとで従来の樹脂モールド発光ダイオードと同等の発
光作用をなす。
絶縁金属基板上へのＸ−Ｙ型マクリックス電極パターン
の形成、′＃ＩＡ緑金属基金属基板上ぼり加工による窪
みの形成、窪みの底部への発光ダイオードの設置、およ
び各発光ダイオードとＸ−Ｙ型マクリックス電極パター
ンとのワイヤボンティング等による接続は、いずれも流
れ作業にて安価に実施可能であり、しかも窪みの形成や
発光ダイオードの設置などはバラツキ少な（実施可能で
あるので、各発光ダイオードの発光輝度も均一化し易い
。
の形成、′＃ＩＡ緑金属基金属基板上ぼり加工による窪
みの形成、窪みの底部への発光ダイオードの設置、およ
び各発光ダイオードとＸ−Ｙ型マクリックス電極パター
ンとのワイヤボンティング等による接続は、いずれも流
れ作業にて安価に実施可能であり、しかも窪みの形成や
発光ダイオードの設置などはバラツキ少な（実施可能で
あるので、各発光ダイオードの発光輝度も均一化し易い
。
大隻斑
以下、本発明の発光ダイオード照明具を図面に基づいて
説明する。
説明する。
第１図は本発明実施例の一部を示す上面図、第２図は第
１図の実施例の電気回路図例、第３図は第１図のｘ−ｘ
部の詳細断面図、第４図は本発明の他の実施例の斜視図
である。
１図の実施例の電気回路図例、第３図は第１図のｘ−ｘ
部の詳細断面図、第４図は本発明の他の実施例の斜視図
である。
第１図〜第４図において、ｌはしぼり加工により設けた
多数の窪み１１を有する絶縁金属基板、２は各窪み１１
の底部に設置された発光ダイオード、３は該絶縁金属基
板の前面に設置されたレンズ板、５は絶縁金属基板１の
上に形成されたＸＹＹ型マクリックスミパターン、５１
は電極パターン５中のＸ軸電極、５２は電極パターン５
中のＹ軸電極、５３はＸ軸電極とＹ軸電掻との各交点に
おけるカーボンジャンパーである。該カーボンジャンパ
ー５３はＹ軸電極を跨いでＸ軸電極同士を電気的に接続
する作用をなす、６は発光ダイオード２の上面電極とＸ
軸電極５１とを電気的に接続するボンディングワイヤ、
７は発光ダイオード２の下面電極とＹ軸電極５２とを電
気的に接続するリードパターン、８は各Ｙ軸電掻５２の
一端該Ｙ軸電極５２と直列に接続された抵抗、９はドラ
イブ回路、９１は各Ｘ軸電極５１とドライブ回路９内の
Ｘ軸電極ドライバとを接続するリードパターン、９２は
各Ｙ軸電極５２とドライブ回路９内のＹ軸電極ドライバ
とを接続するリードパターンである。
多数の窪み１１を有する絶縁金属基板、２は各窪み１１
の底部に設置された発光ダイオード、３は該絶縁金属基
板の前面に設置されたレンズ板、５は絶縁金属基板１の
上に形成されたＸＹＹ型マクリックスミパターン、５１
は電極パターン５中のＸ軸電極、５２は電極パターン５
中のＹ軸電極、５３はＸ軸電極とＹ軸電掻との各交点に
おけるカーボンジャンパーである。該カーボンジャンパ
ー５３はＹ軸電極を跨いでＸ軸電極同士を電気的に接続
する作用をなす、６は発光ダイオード２の上面電極とＸ
軸電極５１とを電気的に接続するボンディングワイヤ、
７は発光ダイオード２の下面電極とＹ軸電極５２とを電
気的に接続するリードパターン、８は各Ｙ軸電掻５２の
一端該Ｙ軸電極５２と直列に接続された抵抗、９はドラ
イブ回路、９１は各Ｘ軸電極５１とドライブ回路９内の
Ｘ軸電極ドライバとを接続するリードパターン、９２は
各Ｙ軸電極５２とドライブ回路９内のＹ軸電極ドライバ
とを接続するリードパターンである。
絶縁金属基板１はアルミニウム、銅、鉄、ステンレス、
ニッケルなどの金属からなる金属基板層１２、エポキシ
樹脂、ガラス繊維入りのエポキシ樹脂、ポリエチレン、
架橋ポリエチレン、ポリイミド、などの絶縁性材料から
なる電気絶縁層１３とからなっており、その上にアルミ
ニウム、銅、金、ニッケルなどの導電性金属からなるＸ
−Ｙ型マクリックス電極パターン５、リードパターン７
、リードパターン９１、リードパターン９２などが形成
されている。またＸ−Ｙ型マクリックス電極パターン５
のＸ軸電極とＹ軸電極との各交点近傍には窪み１１がし
ぼり加工により設けられている。
ニッケルなどの金属からなる金属基板層１２、エポキシ
樹脂、ガラス繊維入りのエポキシ樹脂、ポリエチレン、
架橋ポリエチレン、ポリイミド、などの絶縁性材料から
なる電気絶縁層１３とからなっており、その上にアルミ
ニウム、銅、金、ニッケルなどの導電性金属からなるＸ
−Ｙ型マクリックス電極パターン５、リードパターン７
、リードパターン９１、リードパターン９２などが形成
されている。またＸ−Ｙ型マクリックス電極パターン５
のＸ軸電極とＹ軸電極との各交点近傍には窪み１１がし
ぼり加工により設けられている。
窪み１１の側壁面１４は反射面として作用する。
なお窪み１１の側壁面１４を反射面として作用させるこ
とは、種々の方法によって可能である。たとえば、電気
絶縁層１３を透明な絶縁性材料、たとえばエポキシ樹脂
、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレートなどに
て形成して窪み１１の側壁面１４を形成する金属基板層
１２の部分の表面自体を反射面としての作用させる、あ
るいは光反射性のフェス、ペイント、白色レジストなど
を塗布、金属蒸着などの種々の手段によって側壁面１４
上の最外表面全面に光反射層を形成する、などである。
とは、種々の方法によって可能である。たとえば、電気
絶縁層１３を透明な絶縁性材料、たとえばエポキシ樹脂
、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレートなどに
て形成して窪み１１の側壁面１４を形成する金属基板層
１２の部分の表面自体を反射面としての作用させる、あ
るいは光反射性のフェス、ペイント、白色レジストなど
を塗布、金属蒸着などの種々の手段によって側壁面１４
上の最外表面全面に光反射層を形成する、などである。
発光ダイオード２としては、市販品を用いてよく、その
発光色にも別に特定はなく、たとえば赤色、黄色、緑色
など、用途に応じて所望の発光色のものを選択すればよ
い、一般にできるだけ発光輝度の高いものを使用するこ
とが好ましく、たと、ｔは特願昭６１−９２８９５号明
細書に記載されているもの、すなわち活性層のキャリア
濃度が１０”〜１０ｆ＠原子数／−２特に１０＋ｓ〜１
０１′原子数／−でダブルへテロ構造を有するものを使
用することが好ましい、前記明細書に記載の発光ダイオ
ードは通常の発光ダイオードよりも低電圧で高い発光輝
度が得られ、低電圧で稼働することにより熱の発生量が
少な（なると共にチップにおける発光輝度の不良が少な
く量産が可能となりコストを低くすることができ、本発
明の発光ダイオード表示装置に最適である。
発光色にも別に特定はなく、たとえば赤色、黄色、緑色
など、用途に応じて所望の発光色のものを選択すればよ
い、一般にできるだけ発光輝度の高いものを使用するこ
とが好ましく、たと、ｔは特願昭６１−９２８９５号明
細書に記載されているもの、すなわち活性層のキャリア
濃度が１０”〜１０ｆ＠原子数／−２特に１０＋ｓ〜１
０１′原子数／−でダブルへテロ構造を有するものを使
用することが好ましい、前記明細書に記載の発光ダイオ
ードは通常の発光ダイオードよりも低電圧で高い発光輝
度が得られ、低電圧で稼働することにより熱の発生量が
少な（なると共にチップにおける発光輝度の不良が少な
く量産が可能となりコストを低くすることができ、本発
明の発光ダイオード表示装置に最適である。
第４図に示す実施例においては、絶縁金属基板１が図示
する通りに折り曲げられており、その正面１５上には発
光ダイオードを用いた表示部のみが設置され、その側面
１６上に抵抗９およびドライブ回路９などの非発光部品
が集められている。
する通りに折り曲げられており、その正面１５上には発
光ダイオードを用いた表示部のみが設置され、その側面
１６上に抵抗９およびドライブ回路９などの非発光部品
が集められている。
かく構成すると、正面１５のみを表示装置の前面に出し
て側面１６を表示装置の内部に隠すことができて表示装
置のデイスプレィ部から非発光領域を排除することが可
能になる。また、通常絶縁金属基板１としては、前記し
ぼり加工を容易にするために１ｍｍ前後の薄板が使用さ
れる場合が多くこのために該基板は機械的強度が左程大
きくないが、第４図に示すように折り曲げられて面状と
すると外力に対する抵抗が増す利点もある。
て側面１６を表示装置の内部に隠すことができて表示装
置のデイスプレィ部から非発光領域を排除することが可
能になる。また、通常絶縁金属基板１としては、前記し
ぼり加工を容易にするために１ｍｍ前後の薄板が使用さ
れる場合が多くこのために該基板は機械的強度が左程大
きくないが、第４図に示すように折り曲げられて面状と
すると外力に対する抵抗が増す利点もある。
本発明の発光ダイオード表示装置は、次ぎに示す工程に
て製造することができる。すなわち、絶縁金属基板１と
して金属層、電気絶縁層、および導電性金属層とからな
る素板材を用い、たとえば導電性金属層をパターンエツ
チング処理してＸ−Ｙ型マクリックス電極パターン５、
リードパターン７．９１、および９２を残して他部の除
去し、ついでしぼり加工して多数の窪み１１を設ける。
て製造することができる。すなわち、絶縁金属基板１と
して金属層、電気絶縁層、および導電性金属層とからな
る素板材を用い、たとえば導電性金属層をパターンエツ
チング処理してＸ−Ｙ型マクリックス電極パターン５、
リードパターン７．９１、および９２を残して他部の除
去し、ついでしぼり加工して多数の窪み１１を設ける。
かくして得た絶縁金属基板１の各窪み１１の底部に、発
光ダイオード２をその下面電極が窪み１１の底部のリー
ドパターン７と電気的に接触するようにたとえば導電性
接着剤を用いて接続設置し、発光ダイオード２の上面電
極とＸ軸電極５１とをボンディングワイヤ６によって接
続し、ついで必要に応じて絶縁金属基板１の全表面、ま
たは少なくとも窪み１１とボンディングワイヤ６とを光
透過性の有機高分子、たとえばポリカーボネートやエポ
キシ樹脂にてマスクする。さらに抵抗８およびドライブ
回路９を所定の位置にマウントして必要な接続を行い、
必要に応じてで第４図に示すように折り曲げられて面状
とされる。
光ダイオード２をその下面電極が窪み１１の底部のリー
ドパターン７と電気的に接触するようにたとえば導電性
接着剤を用いて接続設置し、発光ダイオード２の上面電
極とＸ軸電極５１とをボンディングワイヤ６によって接
続し、ついで必要に応じて絶縁金属基板１の全表面、ま
たは少なくとも窪み１１とボンディングワイヤ６とを光
透過性の有機高分子、たとえばポリカーボネートやエポ
キシ樹脂にてマスクする。さらに抵抗８およびドライブ
回路９を所定の位置にマウントして必要な接続を行い、
必要に応じてで第４図に示すように折り曲げられて面状
とされる。
前面レンズ板３は、ポリカーボネート、アクリル樹脂な
どの光透過性の有機高分子からなっており、絶縁基板ｌ
の各窪み１１の直上にあたる位置に凸レンズ３１を有す
る。
どの光透過性の有機高分子からなっており、絶縁基板ｌ
の各窪み１１の直上にあたる位置に凸レンズ３１を有す
る。
第１図に示す実施例においては、発光ダイオード２から
放出された光は窪み１１の側壁面１４によりレンズ板３
の方向に反射され、ついでレンズ板３の凸レンズ３１に
より平行光に集光されて前方に放出される。
放出された光は窪み１１の側壁面１４によりレンズ板３
の方向に反射され、ついでレンズ板３の凸レンズ３１に
より平行光に集光されて前方に放出される。
２３Ｒυ劃展
本発明の発光ダイオード表示装置は、本発明の主要部部
品の生産、並びにそれら部品から本発明の組み立ての全
てにつき連続化が可能であるので低コストでの大量生産
が可能である。また各発光ダイオードの輝度を均一化さ
せ易い効果もある。
品の生産、並びにそれら部品から本発明の組み立ての全
てにつき連続化が可能であるので低コストでの大量生産
が可能である。また各発光ダイオードの輝度を均一化さ
せ易い効果もある。
第１図は本発明実施例の一部を示す上面図、第２図は第
１図の実施例の電気回路図例、第３図は第１図のｘ−Ｘ
部の詳細断面図、第４図は本発明の他の実施例−の斜視
図である。 第１図〜第４図において、１はしぼり加工により設けた
多数の窪み１１を有する絶縁金属基板、２は各窪み１１
の底部に設置された発光ダイオード、３は該絶縁金属基
板の前面に設置されたレンズ板、５は絶縁金属基板ｌの
上に形成されたＸ−Ｙ型マクリックス電極パターン、５
１は電極パターン５中のＸ輪電極、５２は電極パターン
５中のＹ軸電極、５３はＸ軸電極とＹ軸電極との各交点
におけるカーボンジャンパー、６は発光ダイオード２の
上面電極とＸ輪電極５１とを電気的に接続するボンディ
ングワイヤミ７は発光ダイオード２の下面電極とＹ軸電
極５２とを電気的に接続するリードパターン、８は各Ｙ
軸電極５２の一端該Ｙ輪電極５２と直列に接続された抵
抗、９はドライブ回路、９１は各Ｘ軸電極５１とドライ
ブ回路９内のＸ輪電極ドライバとを接続するリードパタ
ーン、９２は各Ｙ軸電極５２とドライブ回路９内のＹ軸
電極ドライバとを接続するリードパターン。 特許出願人 三菱電線工業株式会社
１図の実施例の電気回路図例、第３図は第１図のｘ−Ｘ
部の詳細断面図、第４図は本発明の他の実施例−の斜視
図である。 第１図〜第４図において、１はしぼり加工により設けた
多数の窪み１１を有する絶縁金属基板、２は各窪み１１
の底部に設置された発光ダイオード、３は該絶縁金属基
板の前面に設置されたレンズ板、５は絶縁金属基板ｌの
上に形成されたＸ−Ｙ型マクリックス電極パターン、５
１は電極パターン５中のＸ輪電極、５２は電極パターン
５中のＹ軸電極、５３はＸ軸電極とＹ軸電極との各交点
におけるカーボンジャンパー、６は発光ダイオード２の
上面電極とＸ輪電極５１とを電気的に接続するボンディ
ングワイヤミ７は発光ダイオード２の下面電極とＹ軸電
極５２とを電気的に接続するリードパターン、８は各Ｙ
軸電極５２の一端該Ｙ輪電極５２と直列に接続された抵
抗、９はドライブ回路、９１は各Ｘ軸電極５１とドライ
ブ回路９内のＸ輪電極ドライバとを接続するリードパタ
ーン、９２は各Ｙ軸電極５２とドライブ回路９内のＹ軸
電極ドライバとを接続するリードパターン。 特許出願人 三菱電線工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁金属基板の上に発光ダイオードを用いた表示部
を有し、該表示部は絶縁金属基板上に形成されたＸ−Ｙ
型マクリックス電極パターン、該電極パターンのＸ軸電
極とＹ軸電極との各交点近傍にしぼり加工により設けら
れた側壁が反射面となっている窪み、該窪みの底部に設
置された発光ダイオード、および該発光ダイオードの両
電極とＸ軸電極およびＹ軸電極とをそれぞれ接続する接
続部とからなることを特徴とする発光ダイオード表示装
置。 ２、折り曲げられた絶縁金属基板の正面上に発光ダイオ
ードを用いた表示部を有し、側面上に抵抗類やドライブ
回路などの非発光部品を有する第１請求項に記載の発光
ダイオード表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63183289A JP2652207B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 発光ダイオード表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63183289A JP2652207B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 発光ダイオード表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0233185A true JPH0233185A (ja) | 1990-02-02 |
| JP2652207B2 JP2652207B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=16133049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63183289A Expired - Lifetime JP2652207B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 発光ダイオード表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2652207B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0496781U (ja) * | 1991-01-31 | 1992-08-21 | ||
| WO2003030274A1 (fr) * | 2001-09-27 | 2003-04-10 | Nichia Corporation | Dispositif emetteur de lumiere et procede de fabrication associe |
| JP2015501086A (ja) * | 2011-12-20 | 2015-01-08 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法、リードフレームユニットおよびオプトエレクトロニクス半導体部品 |
| JP2015144234A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-08-06 | 日亜化学工業株式会社 | 集合基板、発光装置及び発光素子の検査方法 |
-
1988
- 1988-07-22 JP JP63183289A patent/JP2652207B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0496781U (ja) * | 1991-01-31 | 1992-08-21 | ||
| WO2003030274A1 (fr) * | 2001-09-27 | 2003-04-10 | Nichia Corporation | Dispositif emetteur de lumiere et procede de fabrication associe |
| JP2015501086A (ja) * | 2011-12-20 | 2015-01-08 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法、リードフレームユニットおよびオプトエレクトロニクス半導体部品 |
| US9231179B2 (en) | 2011-12-20 | 2016-01-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing optoelectronic semiconductor components, lead frame composite, and optoelectronic semiconductor component |
| JP2015144234A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-08-06 | 日亜化学工業株式会社 | 集合基板、発光装置及び発光素子の検査方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2652207B2 (ja) | 1997-09-10 |
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