JP2019117939A - 発光素子パッケージ - Google Patents

発光素子パッケージ Download PDF

Info

Publication number
JP2019117939A
JP2019117939A JP2019046940A JP2019046940A JP2019117939A JP 2019117939 A JP2019117939 A JP 2019117939A JP 2019046940 A JP2019046940 A JP 2019046940A JP 2019046940 A JP2019046940 A JP 2019046940A JP 2019117939 A JP2019117939 A JP 2019117939A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
disposed
light emitting
pad
cavity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019046940A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6966761B2 (ja
JP2019117939A5 (ja
Inventor
キム・ビョンモク
Byeong-Mok Kim
ジョン・スジョン
Su-Jong Jeong
キム・ユドン
Yu-Dong Kim
イ・ゴンキョ
Gon-Kyo Yi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Innotek Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020110045378A external-priority patent/KR101869552B1/ko
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of JP2019117939A publication Critical patent/JP2019117939A/ja
Publication of JP2019117939A5 publication Critical patent/JP2019117939A5/ja
Priority to JP2021168120A priority Critical patent/JP7252665B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6966761B2 publication Critical patent/JP6966761B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】新しい構造を有する発光素子パッケージを提供する。【解決手段】発光素子パッケージ１００は、上面及び複数の側面を有し、上面から凹んだ空洞１１１を有する本体１１０と、本体の空洞と本体の下面との間に配置された放熱部材と、空洞の中央領域に配置された第１電極１２１と、空洞の中央領域から離隔した第１外郭領域に配置された第２電極と、空洞の中央領域から離隔した第２外郭領域に配置された第３電極１２５と、第１電極の上に配置され、第２電極及び第３電極の少なくとも一つと電気的に接続された発光ダイオード１３１と、第２電極と電気的に接続され、発光ダイオードと異なる高さに配置される保護素子１３３と、本体の下面に配置された複数のパッドと、本体内に配置され、複数のパッドそれぞれに接続された複数の接続部材と、空洞に配置されたモールド部材とを含む。【選択図】図１

Description

本発明は、発光素子パッケージ及びこれを備える紫外線ランプに関する。
発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は、ＧａＡｓ
系、ＡｌＧａＡｓ系、ＧａＮ系、ＩｎＧａＮ系及び、ＩｎＧａＡｌＰ系などの化合物半導
体材料を用いて発光源を構成することができる。
この発光ダイオードはパッケージ化されて多様な色を放出する発光素子パッケージとし
て用いられており、発光素子パッケージはカラーを示す点灯表示機、文字表示機及び画像
表示機などの多様な分野にかけ光源として採用されている。
特に、紫外線発光ダイオード（ＵＶ ＬＥＤ）は２４５ｎｍ〜４０５ｎｍの波長帯に分
布されている光を発する発光ダイオードである。前記波長帯の中から短波長の場合には殺
菌、浄化などに、長波長の場合には露光機または硬化機などに用いることができる。
しかし、紫外線発光ダイオードは発光の際に大量の熱が生じて素子不良がもたらして、
動作の信頼性に落ち、放熱のためにパッケージのサイズを大型化すると集積度及び経済性
に落ちる。
本発明に係る一実施形態は、新しい構造を有する発光素子パッケージを提供する。
また、本発明の一実施形態は、本体と発光ダイオードとの間に放熱部材を配置した発光
素子パッケージを提供する。
また、本発明の一実施形態は、本体と放熱部材との間にバッファ層を配置した発光素子
パッケージを提供する。
また、本発明の一実施形態は、紫外線発光ダイオード及びこれの保護素子を有する紫外
線発光素子パッケージを提供する。
また、本発明の一実施形態は、空洞（ｃａｖｉｔｙ）内に複数の副空洞を有する発光素
子パッケージを提供する。
また、本発明の一実施形態は、副空洞のうち少なくとも一つに紫外線発光ダイオードを
保護する保護素子を搭載した発光素子パッケージを提供する。
また、本発明の一実施形態は、紫外線発光素子パッケージを備えた紫外線ランプの信頼
性を改良することができる。
本発明の一実施形態による発光素子パッケージは、上部が開放の空洞を有してセラミッ
ク材質を含む本体と、前記空洞の底面と前記本体の下面との間の領域に配置された放熱部
材と、前記空洞の底面に配置された複数の電極と、前記本体の下面に配置されて前記複数
の電極と電気的に接続された複数のパッドと、前記空洞の底面に配置された前記複数の電
極のうち何れか一つの上に配置され、前記複数の電極と電機的に接続された発光ダイオー
ドと、前記複数のパッドのうち少なくとも一つと前記放熱部材との間に配置され、前記放
熱部材の厚さより薄い厚さを有するバッファ層と、を備える。
また、本発明の一実施形態による発光素子パッケージは、上部が開放の空洞を有してセ
ラミック材質を含む本体と、前記空洞の底面の第１領域に配置された第１電極、前記空洞
の底面の第１電極と離隔された少なくとも一つの第２電極を含む複数の電極と、前記本体
の下面に配置され前記第１電極と対応される第１パッド、及び前記第２パッドと電気的に
接続された第２パッドを含む複数のパッドと、前記空洞の底面に配置された第１電極の上
に配置され、前記複数の電極と電機的に接続された発光ダイオードと、前記本体内に配置
され、前記第１電極及び前記第１パッドの間に配置された放熱部材と、前記複数のパッド
のうち少なくとも一つと前記放熱部材との間に配置されたバッファ層と、を備え、前記放
熱部材は表面に凹凸を含む。
また、本発明の一実施形態による紫外線ランプは、発光素子パッケージと、前記発光素
子パッケージが配列されたモジュール基板と、を備え、前記発光素子パッケージは、上部
が開放された空洞を有してセラミック材質を含む本体と、前記本体内に空洞の底面と前記
本体の下面との間の領域に配置された放熱部材と、前記空洞の底面に配置された複数の電
極と、前記本体の下面に配置され前記複数の電極と電機的に接続された複数のパッドと、
前記空洞の底面に配置された前記複数の電極のうち何れか一つの上に配置され、前記複数
の電極と電気的に接続された発光ダイオードと、前記複数のパッドのうち少なくとも一つ
と前記放熱部材との間に配置され前記放熱部材の厚さより薄い厚さを有するバッファ層と
、を備える。
第１実施形態による発光素子パッケージの斜視図である。 図１に示す発光素子パッケージの平面図である。 図１に示す発光素子パッケージの背面図である。 図２に示す発光素子パッケージのＡ−Ａから見た断面図である。 図４に示す放熱部材の凹凸を示す部分拡大図である。 図２に示す発光素子パッケージのＢ−Ｂから見た断面図である。 図４に示す発光素子パッケージの変更例を示す図である。 図４に示す発光素子パッケージの変更例を示す図である。 図４に示す発光素子パッケージの変更例を示す図である。 第２実施形態において、図２に示す発光素子パッケージのＡ−Ａから見た断面図である。 第２実施形態において、図２に示す発光素子パッケージのＢ−Ｂから見た断面図である。 図１０に示す発光素子パッケージの変更例を示す図である。 図１０に示す発光素子パッケージの変更例を示す図である。 第３実施形態による発光素子パッケージを示す図である。 第４実施形態による発光素子パッケージを示す図である。 第５実施形態による発光素子パッケージを示す図である。 第６実施形態による発光素子パッケージの平面図である。 第７実施形態による発光素子パッケージの平面図である。 本発明の一実施形態による発光ダイオードを示す図である。 本発明の一実施形態による発光素子パッケージを有する紫外線ランプを示す斜視図である。
以下には、添付図面を参考し、本発明の実施形態に対して、本発明が属する技術分野で
通常の知識を持つ者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明はそれそ
れ相異なる形態に具現することができ、ここで説明する実施形態に限定されることはない
。
本明細書全体に如何なる部分がどの構成要素を「含む」、「備える」という際、これは
特に反対される記述がない限り他の構成要素を外すことではなく、他の構成要素をさらに
含むことであるということを意味する。
そして図面から本発明を明らかに説明するために説明と関係ない部分は省略し、複数層
及び領域を明らかに表すために厚さを拡大して示しており、本明細書全体を通して類似な
部分に対しては類似な部面符号をつけている。
層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるという際、これは他の部分「す
ぐ上に」あることのみならず、その中間にまた他の部分があることも含める。逆に、どの
部分が他の部分「すぐ上に」あるという際には中間に他の部分がないことを意味する。
以下では、図１〜図６を参照して本発明の第１実施形態による発光素子パッケージを述
べる。
図１は本発明の第１実施形態による発光素子パッケージの斜視図、図２は図１に示す発
光素子パッケージの平面図、図３は図１に示す背面図、図４は図２に示すＡ−Ａから見た
断面図、図５は図４に示す放熱部材の凹凸を示す拡大図、図６は図２に示すＢ−Ｂから見
た断面図である。
図１〜図６を参照すると、発光素子パッケージ１００は上部が開放の空洞１１１を含む
本体１１０、前記空洞１１１内に複数の副空洞１１２、１１３、前記本体１１０の空洞１
１１内に配置された複数の電極１２１、１２３、１２５、前記複数の電極１２１、１２３
、１２５のうち第１電極１２１の上に配置された発光ダイオード１３１、前記複数の副空
洞１１２、１１３のうちいずれか一つに配置された保護素子１３３を含む。
前記本体１１０は、図４及び図６に示すように、複数の絶縁層Ｌ１‐Ｌ７の積層構造か
ら形成されてもよい。前記複数の絶縁層Ｌ１‐Ｌ７は、前記発光ダイオード１３１の厚さ
方向に積層される。前記複数の絶縁層Ｌ１‐Ｌ７はセラミック素材を含み、前記セラミッ
ク素材は同時に塑性を行う低温塑性セラミック（ＬＴＣＣ：ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕ
ｒｅ ｃｏ−ｆｉｒｅｄ ｃｅｒａｍｉｃ）または高温塑性セラミック（ＨＴＣＣ：ｈｉ
ｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏ−ｆｉｒｅｄ ｃｅｒａｍｉｃ）を含む。前記本体
１１０内には、任意の絶縁層の上面及び下面のうち少なくとも一つに形成される金属パタ
ーンと、垂直に貫通され前記金属パターンに選択的に接続された接続部材１１７とを含め
てもよい。前記接続部剤１１７は、ビアまたはビアホールを含み、これに対する限定はな
い。他の例として、前記複数の絶縁層Ｌ１‐Ｌ７は窒化物または酸化物のような絶縁性部
材を含めてもよく、好ましくは、熱伝導率が酸化物または窒化物より高い金属窒化物を含
めることができる。前記本体１１０の材質は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ
４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、またはＡｌＮであってもよく、熱伝導率が
１４０Ｗ／ｍｋ以上の金属窒化物からなりうる。
前記本体１１０の各の絶縁層Ｌ１‐Ｌ７の厚さは、同じ厚さであるか少なくとも一つが
異なる厚さであってもよく、これに対する限定はない。前記本体１１０の各の絶縁層Ｌ１
‐Ｌ７は、製造工程上の積層された個別層であって、塑性仕上げの上に一体に形成される
ことができる。前記本体１１０は、絶縁層Ｌ１‐Ｌ７が７つの層に積層された構造に示し
たが、３つ以上の層で積層されてもよく、これに対する限定はない。
前記本体１１０の上部周りは段差構造１１５を含む。前記段差構造１１５は、前記本体
１１０の頂面と前記空洞１１１との間に配置され、前記段差構造１１５の上面は前記本体
１１０の頂面より低い上面を有し、前記空洞１１１の上部周りに配置される。
前記空洞１１１は、前記本体１１０の上部に前記本体１１０の上面より低い深さを有し
形成され、上部が開放される。ここで、前記空洞１１１の上部は発光ダイオード１３１の
光が放出される方向になることができる。
前記空洞１１１は多角形状を含み、前記多角形状の空洞１１１は角部分が面取りされた
形状、例えば、曲面形状に形成されうる。他の例として、前記空洞１１１は円状を含み、
これに対する限定はない。ここで、前記空洞１１１は前記本体１１０の段差構造１１５を
はずした領域を含む。
前記空洞１１１の下部の幅は、前記空洞１１１の上部の幅と同じ幅に形成されることが
ある。また空洞１１１の側壁１１６は、前記空洞１１１のボトムに対して垂直に形成され
ることがあり、このような構造は同じサイズの空洞の幅を有する絶縁層Ｌ１‐Ｌ７を積層
することができて、製造構成の改良に繋がる。他の例としては、前記空洞１１１の下部の
幅と前記上部の幅は異なる幅に形成されることがあり、その構造は前記空洞１１１にモー
ルディングされるモールド部材との密着力を改良させることができ、水分の浸透を緩和さ
せることができる。
前記空洞１１１の側壁１１６には選択的に金属層が配置されてもよく、前記金属層は反
射率が５０％以上の金属や、熱伝導性が高い金属がコーティングされてもよい。前記金属
層は前記空洞１１１内においての光抽出の効率を改善させて放熱特性を改良させることが
できる。ここで、前記金属層は前記空洞１１１の側壁１１６のうち一部の領域に形成され
るか、全領域に形成されてもよく、これに対する限定はない。また前記金属層は前記本体
１１０の材質がＡｌＮのようによい熱伝導性の材質である場合、形成しないこともある。
また前記金属層は、前記空洞の底面にも形成され、空洞の底面においての光反射効率を改
良させることができる。ここで、前記空洞１１１の底面に形成された金属層は前記空洞１
１１内の電極と回路的にオープンされるように配置されることがある。前述の金属層は８
０％以上の反射率を有する反射層に定義されることがある。
前記空洞１１１内には、図１及び図２に示すように、複数の副空洞１１２、１１３が配
置される。前記複数の副空洞１１２、１１３間の間隔は前記発光ダイオード１３１の幅よ
り広めに離隔されることがある。各の前記副空洞１１２、１１３の底面は前記空洞１１１
の底面よりさらに低い深さに配置され、各の前記副空洞１１２、１１３の深さは少なくと
も保護素子１３３の厚さと同じであるがより深いことがある。前記副空洞１１２、１１３
の深さは前記保護素子１３３が前記空洞１１１の底面へ突出されない深さに形成されても
よく、前記副空洞１１２、１１３の深さは例えば略１５０μｍ±１０μｍに形成されても
よく、これに対する限定はない。前記複数の副空洞１１２、１１３の深さは、前記空洞１
１１の１／２〜１／４の深さに形成されることがある。この副空洞１１２、１１３の深さ
は、発光ダイオード１３１から放出される光の吸収を最小化させることができる。これに
よって、光抽出効率の低下を防止し、光の指向角が歪曲されることを防止することができ
る。前記保護素子１３３はツェーナダイオードを含む。
前記複数の副空洞１１２、１１３のうち第１副空洞１１２は発光ダイオード１３１の第
１側面と空洞１１１の一側面との間に配置され、第２副空洞１１３は前記発光ダイオード
１３１の第２側面と空洞１１１の他の側面との間に配置される。前記発光ダイオード１３
１の第１側面と第２側面とはお互い反対面であってもよい。前記第１副空洞１１２と前記
第２副空洞１１３は前記発光ダイオード１３１の中心を経る斜線方向または対称の位置に
配置されてもよく、これに対する限定はない。
前記第２副空洞１１３はダミー空洞に配置されてもよく、前記ダミー空洞内には保護素
子が配置されることはない。前記第２副空洞１１３は前記発光ダイオード１３１を基に前
記第１副空洞１１２と対称的に配置されて、前記空洞１１１内において前記発光ダイオー
ド１３１と対称的に副空洞１１２、１１３を配置することによって、前記発光ダイオード
１３１から生じる熱は前記空洞１１１内で均一に膨張されることができて発光素子パッケ
ージの熱的安定性を改良させることができる。他の例として、前記第１及び第２副空洞１
１２、１１３は保護素子がないダミー空洞で使用してもよい。
前記空洞１１１及び副空洞１１２、１１３には複数の電極１２１、１２３、１２５、１
２７、１２９が配置され、前記複数の電極１２１、１２３、１２５、１２７、１２９は前
記発光ダイオード１３１及び前記保護素子１３３に選択的に電源を供給を行う。前記複数
の電極１２１、１２３、１２５、１２７、１２９は金属層、例えば、白金（Ｐｔ）、チタ
ン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニ
ウム（Ａｌ）を選択的に含めてることができる。前記各電極１２１、１２３、１２５、１
２７、１２９のうち少なくとも一つは単層または多層に形成されてもよい。ここで、多層
の電極構造は最上層にはよいボンディングの金（Ａｕ）材質が、最下層には本体１１０と
の接着性がよいチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）の材質が、中間層に
は白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）などが配置されてもよい。この電極の積
層構造に限定することはない。
前記空洞１１１には、前記発光ダイオード１３１搭載の第１電極１２１と、前記第１電
極１２１と離隔された第２電極１２３と、第３電極１２５とを有する。前記第１電極１２
１は空洞１１１の中央領域に配置され、第２電極１２３及び前記第３電極１２５は、前記
第１電極１２１の両側に配置される。前記第２電極１２３及び第３電極１２５は前記発光
ダイオード１３１の中央を基にお互い対称の位置に上部が開放された形状を有し配置され
ることがある。
前記第２電極１２３は前記空洞１１１の第１角領域に隣接の前記空洞１１１の底面に配
置され、前記第３電極１２５は前記空洞１１１の第２角領域に隣接の前記空洞１１１の底
面に配置される。ここで、前記第１角領域と第２角領域は、対角線方向に配置されえる。
前記第１副空洞１１２には第４電極１２７及び第２副空洞１１３には第５電極１２９が
各々配置される。前記第２及び第３電極１２３、１２５は負極性の電源の供給が行われ、
第１、第４及び第５電極１２１、１２７、１２９は正極性の電源の供給が行われる。前記
各の電極１２１、１２３、１２５、１２７、１２９の極性は、電極パターンや各素子との
接続方式に応じて異なることがあり、これに対する限定はない。
ここで、前記第１電極１２１はぜ延期発光ダイオード１３１の下にパッドまたは伝導性
基板が配置されない場合、無極性の金属層または放熱板として用いることもある。また上
述の各電極１２１、１２３、１２５、１２７、１２９は金属層に定義されてもよく、これ
に対する限定はない。
前記第１電極１２１の一部１２１Ａは前記本体１１０の内部に延長され接続部材１１７
を介して前記本体１１０の下面まで電気的に接続されることがある。
前記本体１１０の下面には図３〜図６に示すように、複数のパッド１４１、１４３、１
４５が配置される。前記複数のパッド１４１、１４３、１４５は少なくとも３つのパッド
を含み、例えば、第１パッド１４１、第２パッド１４３、第３パッド１４５を含み、前記
第１パッド１４１は前記本体１１０の下面一側に配置され、第２パッド１４３は前記本体
１１０の下面の中央に配置され、第３パッド１４５は前記本体１１０の下面の他側に配置
されうる。前記第２パッド１４３は前記第１パッド１４１と前記第３パッド１４５との間
に配置され、前記第１パッド１４１または第３パッド１４５の幅Ｄ２より広い幅（Ｄ１＞
Ｄ２）を有する。前記各パッド１４１、１４３、１４５の長さは前記本体１１０の下面長
さの７０％以上の長さに配置されてもよく、これに対する限定はない。
ここで、前記少なくとも３つのパッド１４１、１４３，１４５のうち２つは何れか一つ
の極性の電源の供給が行われる。例えば、第１及び第２パッド１４１、１４３は正極性の
電源端に接続され、第３パッド１４５は負極性の電源端に接続されうる。前記正極性の電
源端に２つのパッド１４１、１４３を接続することによって、電流経路を分散させること
で熱を分散する効果を得られえて、また電流経路を分散することによって電気的な信頼性
を確保することができる。
前記本体１１０内には、図４及び図６に示すように、複数の接続部材１１７が配置され
る。前記接続部材１１７は前記複数の電極１２１、１２３、１２５、１２７、１２９と前
記パッドらを選択的に接続する役割を果たす。例えば、第１電極１２１、第４及び第５電
極１２７、１２９と第１及び第２パッド１４１、１４３は少なくとも一つの接続部材によ
って接続されてもよく、第２及び第３電極１２３、１２５と第３パッド１４５とは少なく
とも一つの他の接続部材によって接続されてもよく、これに対する限定はない。
図４〜図６に示すように、前記本体１１０内には放熱部材１５１が配置される。前記放
熱部材１５１は前記発光ダイオード１３１の下、すなわち第１電極１２１の下に配置され
てもよい。前記放熱部材１５１の厚さは前記空洞１１１の底面と前記本体１１０の下面と
の間の厚さより薄い厚さに配置されてもよい。前記放熱部材１５１は、例えば、１５０μ
ｍ以上の厚さに形成されることができる。
前記放熱部材１５１の材質は金属例えば、合金であってもよく、前記合金物質のうちか
ら何れか一つはよい熱伝導性の銅（Ｃｕ）のような金属を含む。前記放熱部材１５１はＣ
ｕＷ合金を含む。
前記放熱部材１５１の下部の幅は、上部の幅より広い幅に形成されてもよい。前記放熱
部材１５１の表面形状は円型または多角型であってもよい。前記放熱部材１５１の上面の
面積は前記発光ダイオード１３１の下面の面積より少なくとも広い面積に形成されてもよ
く、これに対する限定はない。
前記放熱部材１５１の下には、第１絶縁層Ｌ１が配置され、前記第１絶縁層Ｌ１はバッ
ファ層として用いる。前記バッファ層は、前記放熱部材１５１と前記パッド１４１、１４
３、１４５との間に配置され、前記放熱部材１５１の表面の凹凸１５１に対してバッファ
の役割を果たし、第２パッド１４３と接する前記本体１１０の表面を平らに形成されるよ
うにすることで半田の接着力を改良させることができる。前記放熱部材１５１の下面凹凸
１５２は１０μｍ（ＲＭＳ：ｒｏｏｔ ｍｅａｎ ｓｑｕａｒｅ）以下、例えば５μｍ（
ＲＭＳ）以下に形成されることができる。前記第１絶縁層Ｌ１の上面は前記放熱部材１５
１の凹凸１５２によって粗く形成される。これによって、前記第１絶縁層Ｌ１の上面は下
面よりさらに粗く形成されることができる。
前記放熱部材１５１の上面の上には第１電極１２１が配置され、前記第１電極１２１と
前記発光ダイオード１３１との間にはボンディング層が配置される。前記ボンディング層
は前記放熱部材１５１の上面の凹凸を緩和させることができる厚さ、例えば、略５μｍ厚
さに形成されることができる。前記ボンディング層はＡｕＳｎのような伝導性接合部剤を
含めてもよい。
前記空洞１１１内には発光ダイオード１３１が配置されてもよい。前記発光ダイオード
１３１は紫外線発光ダイオードとして、２４５ｎｍ〜４０５ｎｍ帯の波長を有する紫外線
発光ダイオードであってもよい。すなわち、略２８０ｎｍの短波長の紫外線を放出するか
、３６５ｎｍまたは３８５ｎｍの長波長の紫外線を放出する発光ダイオードの両方に適用
可能である。
図２に示すように、発光ダイオード１３１は第１電極１２１と伝導性接着剤でボンディ
ングされ、第１接続部材１３５で第２電極１２３に接続されてもよい。前記発光ダイオー
ド１３１は前記第１電極１２１と第２電極１２３と電気的に接続されてもよい。前記発光
ダイオード１３１の接続方式は、ワイヤーボンディング、ダイボンディング、フリップチ
ップボンディング方式を選択的に用いて搭載することができ、このボンディング方式はチ
ップの種類及びチップの電極位置に応じて変更されることがある。前記保護素子１３３は
第４電極１２７へボンディングされて第２接続部材１３７で第３電極１２５へ接続される
ことができ、第３電極１２５と第４電極１２７に電気的に接続されてもよい。前記第１及
び第２接続部材１３５、１３７はワイヤーを含む。
発光ダイオード１３１はＩＩＩ族とＶ族元素の化合物半導体、例えばＡｌＩｎＧａＮ、
ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ系
などの半導体を用いて製造された半導体発光素子を選択的に含めることができる。
前記空洞１１１及び副空洞１１２、１１３のうち少なくとも一つにはモールド部材が配
置されることができ、このモールド部材はシリコンまたはエポキシのような透光性材料を
含む。
図７は、図４に示す発光素子パッケージの上にガラスフィルムを配置する例を示す図で
ある。
図７に示すように、本体１１０の上には前記空洞１１１を覆うガラスフィルム１６１が
形成される。前記ガラスフィルム１６１はガラス系の材質を含み、その上面は平らな面で
配置されてもよい。
前記ガラスフィルム１６１は、例えば、ＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＢａＦ２、Ａｌ
２Ｏ３、ＳｉＯ２または光学ガラス（Ｎ−ＢＫ７）の透明な物質で形成されることができ
、ＳｉＯ２の場合、石英結晶またはＵＶ Ｆｕｓｅｄ Ｓｉｌｉｃａであってもよい。ま
た、前記ガラスフィルム１６１は低鉄ガラスであってもよい。
前記本体１１０の上層部の第６及び第７絶縁層Ｌ６、Ｌ７と下層部の第５絶縁層Ｌ５と
の間には幅差によって段差構造１１５が形成され、前記段差構造１１５の上には前記ガラ
スフィルム１６１が安着される。前記ガラスフィルム１６１は円型または多角型の形状を
含めてもよい。前記ガラスフィルム１６１は前記本体１１０上に締結手段または／及び接
着手段などで結合されてもよい。前記段差構造１１５には前記ガラスフィルム１６１を支
持及び固定するための別途の構造物がさらに形成されてもよく、これに対する限定はない
。
前記ガラスフィルム１６１の厚さは、前記本体１１０の上層部Ｌ６、Ｌ７の厚さ以下で
あってもよく、これに対する限定はない。また前記ガラスフィルム１６１の厚さは、前記
本体１１０の第６絶縁層Ｌ６と第５絶縁層Ｌ５との間の幅差の１／２以下であってもよい
。
前記ガラスフィルム１６１と前記本体１１０の段差構造１１５の上面との間には、接着
剤（図示せず）が塗布されていてもよく、前記接着剤としては例えば、Ａｇペースト、Ｕ
Ｖ接着剤、鉛フリーの低温ガラス、アクリル接着剤またはセラミック接着剤などが挙げら
れる。
前記空洞１１１及び副空洞１１２、１１３のうち少なくとも一つにはモールド部材が配
置されてもよい。前記空洞１１１には別途のモールド部材でモールディングしなく、非活
性気体で満たすことがある。これは前記空洞１１１に窒素のような非活性気体が満たすこ
とによって水分及び酸素などのような環境的要因から前記発光ダイオード１３１を保護で
きる。ここで、前記副空洞１１２、１１３にはモールド部材が満たされてもよく、これに
対する限定はない。
前記本体１１０内に放熱部材１５１を配置さて放熱効率を改良させることによって発光
ダイオード１３１の波長と関係なく同じパッケージ構造を適用可能になることから波長に
関係なくパッケージの汎用使用が可能になる。
図８は、図４に示す発光素子パッケージの変更例である。
図８に示すように、本体１１０の空洞１１１の側壁１１６Ａが前記空洞１１１の底面に
対して斜めの構造を有する。前記空洞１１１は上部の幅が下部の幅より広い形状を含み、
例えば、上部に沿うほど段々広がる形状を含む。前記空洞１１１の側壁１１６Ａはガラス
フィルム１６１と前記空洞１１１の底面との間の周りに斜めの構造に形成され、光抽出の
効率を改良させることができる。
図９は、図４に示す発光素子パッケージの変更例である。
図９に示すように、発光素子パッケージは、空洞１１１内にモールド部材１７０が配置
される。前記モールド部材１７０は前記空洞１１１及び副空洞１１２、１１３とに配置さ
れてもよい。前記モールド部材１７０は副空洞１１２、１１３にモールディングされ、空
洞１１１内には空き空間として配置してもよい。前記モールド部材１７０はシリコンまた
はエポキシのような透光性樹脂材料を含めてもよい。
前記空洞１１１の上には図７に示すようなガラスフィルムが配置されてもよく、これに
対する限定はない。また副空洞１１２、１１３に形成されたモールド部材と前記空洞１１
１に満たされたモールド部材との材質が異なることもある。
放熱部材１５１Ａは前記空洞１１１の底面と離隔されてもよい。前記第１電極１２１と
前記放熱部材１５１Ａの上面との間には、第３絶縁層Ｌ３が配置されてもよく、前記第３
絶縁層Ｌ３は前記放熱部材１５１Ａの上面の凹凸に対する上部バッファ層として役割を果
たしてもよい。
図１０及び図１１は第２実施形態である。図１０は、図２に示す発光素子パッケージの
Ａ−Ａから見た断面図で、図１１は図２に示す発光素子パッケージのＢ−Ｂから見た断面
図である。第２実施形態を説明することにおいて、第１実施形態と同部分は第１実施形態
を参照する。
図１０及び図１１を参照すると、発光素子パッケージは、空洞１１１を含む本体１１０
、前記空洞１１１内に複数の副空洞１１２、１１３、前記本体１１０の空洞１１１内に配
置された複数の電極１２１、１２３、１２５、前記複数の電極１２１、１２３、１２５の
うち第１電極１２１上に配置された発光ダイオード１３１、前記複数の副空洞１１２、１
１３のうちいずれか一つに保護素子１３３を含む。
前記本体１１０は、複数の絶縁層Ｌ１‐Ｌ７の積層構造に形成されてもよい。前記複数
の絶縁層Ｌ１‐Ｌ７は、セラミック素材を含み、前記セラミック素材は同時に塑性を行う
低温塑性セラミック（ＬＴＣＣ：ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏ−ｆｉｒｅｄ
ｃｅｒａｍｉｃ）または高温塑性セラミック（ＨＴＣＣ：ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕ
ｒｅ ｃｏ−ｆｉｒｅｄ ｃｅｒａｍｉｃ）を含む。前記本体１１０の材質は、例えば、
ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、またはＡ
ｌＮであってもよく、好ましくは、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるか、熱伝導率が
１４０Ｗ／ｍｋ以上の金属窒化物からなってもよい。前記本体１１０は、複数のセラミッ
ク層の積層構造を含めてもよい。
前記本体１１０内には、放熱部材１５０が配置されている。前記放熱部材１５０は前記
発光ダイオード１３１と前記本体１１０の下面との間に配置されている。前記放熱部材１
５０は前記発光ダイオード１３１の下、すなわち第１電極１２１の下に接触されてもよい
。前記放熱部材１５０の厚さＴ１は、前記空洞１１１の底面と前記本体１１０の下面との
間の厚さ（＝Ｔ１＋Ｔ２）より薄い厚さに配置されてもよい。前記放熱部材１５０は、例
えば、１５０μｍ以上の厚さに形成されることができる。前記放熱部材１５０の材質は金
属例えば、合金であってもよく、前記合金物質のうちから何れか一つはよい熱伝導性の銅
（Ｃｕ）のような金属を含む。前記放熱部材１５０はＣｕＷ合金を含む。前記放熱部材１
５０は、前記第１絶縁層Ｌ１より厚い、例えば、３倍〜８倍の厚さに形成されることがで
きる。
前記放熱部材１５０は第１方向においての下面の幅Ｄ３が上面の幅より広い幅に形成さ
れてもよい。前記放熱部材１５０の表面形状は円状または多角形状であってもよい。前記
放熱部材１５０の第２方向においての下面の幅Ｄ６は、前記第１方向においての幅Ｄ３よ
り広くてもよく、これは副空洞１１２、１１３が配置される領域に応じて変更されうる。
前記放熱部材１５０の上面の面積は前記発光ダイオード１３１の下面の面積より少なく
とも広い面積に形成されてもよく、これに対する限定はない。
前記放熱部材１５０は第１放熱部５１及び第２放熱部５３を含み、前記第１放熱部５１
は第１電極１２１の下に配置されて前記発光ダイオード１３１と電気的に接続されること
ができる。前記第２放熱部５３は前記第１放熱部５１の下に配置されて前記第１放熱部５
１の幅Ｄ５より広い幅を有し配置される。前記第１放熱部５１は前記発光ダイオード１３
１から伝導される熱を本体１１０を介して放熱するか前記第２放熱部５３に伝導し、前記
第２放熱部５３は前記第１放熱部５１から伝導された熱を本体１１０に伝導するか第１絶
縁層Ｌ１を介して第２パッド１４３に伝導する。このため、前記第２放熱部５３の下面の
面積は前記第２パッド１４３の上面の面積よりは小さくて前記第１放熱部５１の上面の面
積よりは大きい面積に形成されることができる。
また前記放熱部材１５０と前記第１副空洞１１２との間の間隔Ｄ４は少なくとも０．３
ｍｍ以上に離隔されることができる。上述の間隔Ｄ４より狭い場合、セラミック材質の本
体１１０が割れるか壊れるという問題があるため、前記間隔Ｄ４以上に離隔されなければ
ならない。また前記間隔Ｄ４は前記発光ダイオード１３１から放出された光の干渉を減ら
すことができる。
ここで、前記放熱部材１５０の第１放熱部５１の上面周りに前記放熱部材１５０の側面
より突出された突起５１Ａを含めて、前記突起５１Ａは前記第１放熱部５１から前記空洞
１１１の側方向または前記本体１１０の側方向に突出される。この突起５１Ａ間の間隔は
第１電極１２１の下面の面積よりは小さくて前記発光ダイオード１３１の下面の面積より
は大きく形成されてもよく、これに従って放熱の効率は改良されることができる。前記第
１放熱部５１の突起５１Ａは前記第１副空洞１１２または第２副空洞１１３との０．３ｍ
ｍ以上の間隔Ｄ４に離隔される。この間隔Ｄ４は副空洞１１２、１１３の周辺領域におい
て前記空洞１１１の底面が損傷されることを防止できる。
また、前記第１放熱部５１の周りは突起５１Ａ及び前記第２放熱部５３より内側に凹む
溝形状を有する凹所構造に配置され、前記凹所構造は前記放熱部材５１の結合力の効果が
できる。
前記放熱部材１５０の下には、第１絶縁層Ｌ１が配置され、前記第１絶縁層Ｌ１はバッ
ファ層として用いる。前記バッファ層は、前記放熱部材１５０と前記パッド１４１、１４
３、１４５との間に配置され、前記放熱部材１５０の表面の凹凸に対してバッファの役割
を果たし、第２パッド１４３と接する前記本体１１０の表面を平らに形成されるようにす
ることで半田の接着力を改良させることができる。前記第１絶縁層Ｌ１の厚さＴ２は、５
０μｍ以下であり、好ましくは、略２０〜５０μｍに形成されてもよい。この第１絶縁層
Ｌ１の厚さＴ２は、前記放熱部材１５０の表面凹凸を干渉させえる厚さである。
前記空洞１１１及び副空洞１１２、１１３のうち少なくとも一つにはモールド部材が配
置されることができ、このモールド部材はシリコンまたはエポキシのような透光性材料を
含む。
図１２は、図１０に示す発光素子パッケージの変更例を示す図である。
図１２に示すように、本体１１０の上には前記空洞１１１を覆うガラスフィルム１６１
が形成される。前記ガラスフィルム１６１は所定の強度を有するガラス系の材質であり、
上面が平らな面に配置されることがある。
前記ガラスフィルム１６１は、例えば、ＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＢａＦ２、Ａｌ
２Ｏ３、ＳｉＯ２または光学ガラス（Ｎ−ＢＫ７）の透明な物質で形成されてもよく、Ｓ
ｉＯ２の場合、石英結晶またはＵＶ Ｆｕｓｅｄ Ｓｉｌｉｃａであってもよい。また、
前記ガラスフィルム１６１は低鉄ガラスであってもよい。
前記本体１１０の上層部の第６及び第７絶縁層Ｌ６、Ｌ７と下層部の第５絶縁層Ｌ５と
の間には幅差Ｄ７によって段差構造１１５が形成され、前記段差構造１１５は前記本体１
１０の上面Ｓ１より低い上面を有する。前記段差構造１１５の上には前記ガラスフィルム
１６１が安着される。前記ガラスフィルム１６１は円状または多角の形状を含めてもよい
。前記ガラスフィルム１６１は前記本体１１０上に締結手段または／及び接着手段などで
結合されてもよい。前記段差構造１１５には前記ガラスフィルム１６１を支持及び固定す
るための別途の構造物がさらに形成されてもよく、これに対する限定はない。
前記ガラスフィルム１６１の厚さＴ３は、前記本体１１０の上層部Ｌ６、Ｌ７の厚さＴ
４以下であってもよく、これに対する限定はない。また前記ガラスフィルム１６１の厚さ
Ｔ３は、前記本体１１０の第６絶縁層Ｌ６と第５絶縁層Ｌ５との間の幅差の１／２以下で
あってもよい。
前記ガラスフィルム１６１と前記本体１１０の段差構造１１５の上面との間には、接着
剤（図示せず）が塗布されていてもよく、前記接着剤としてはＡｇペースト、ＵＶ接着剤
、鉛フリーの低温ガラス、アクリル接着剤またはセラミック接着剤などが挙げられる。
前記空洞１１１及び副空洞１１２、１１３のうち少なくとも一つにはモールド部材が配
置されてもよい。前記空洞１１１には別途のモールド部材でモールディングしなく、非活
性気体で満たすことがある。すなわち、窒素のような非活性気体で満たされることによっ
て水分及び酸素などのような環境的要因から前記発光ダイオード１３１を保護できる。こ
こで、前記副空洞１１２、１１３にはモールド部材が満たされてもよく、これに対する限
定はない。
前記本体１１０内に放熱部材１５０を配置さて放熱効率を改良させることによって発光
ダイオード１３１の波長と関係なく同じパッケージ構造を適用可能になることから波長に
関係なくパッケージの汎用使用が可能になる。
本体１１０の第１絶縁層Ｌ１には複数の伝導性ビア１５７が形成され、前記複数の伝導
性ビア１５７は前記放熱部材１５０と前記第１パッド１４３を電気的に接続する。また、
前記複数の伝導性ビア１５７は放熱経路として用いることもでき、放熱の効率を改良でき
る。
図１３は、図１０に示す発光素子パッケージの変更例を示す側断面図である。
図１３に示すように、本体１１０の空洞１１１の側壁１１６Ａは斜めの構造を含む。前
記空洞１１１は上部の幅が下部の幅より広い形状を含み、例えば、上部に沿うほど段々広
がる形状を含む。前記空洞１１１の側壁１１６Ａの斜めの構造は光抽出の効率を改良させ
ることができる。
前記空洞１１１内にモールド部材１７０が配置される。前記モールド部材１７０は前記
空洞１１１と副空洞１１２、１１３とに配置されてもよい。前記モールド部材１７０は副
空洞１１２、１１３にモールディングされ、空洞１１１内には空き空間として配置しても
よい。前記モールド部材１７０はシリコンまたはエポキシのような透光性樹脂材料を含め
てもよい。また副空洞１１２、１１３に形成されたモールド部材１７０と前記空洞１１１
に満たされたモールド部材との材質が異なってもよく、これに対する限定はない。
前記空洞１１１の上にはガラスフィルム１６１が配置されてもよく、これに対する限定
はない。
図１４は、第３実施形態による発光素子パッケージを示す図である。第３実施形態を説
明することにおいて、第１実施形態と同部分は第１実施形態を参照する。
図１４を参照すると、発光素子パッケージは上部が開放の空洞１１１を含む本体１１０
Ａ、前記本体１１０Ａの空洞１１１内に配置された複数の電極１２１、１２３、１２５、
前記複数の電極１２１、１２３、１２５のうち第１電極１２１の上に配置された発光ダイ
オード１３１を備える。
前記本体１１０Ａは複数の絶縁層Ｌ２〜Ｌ７の積層構造に形成されてもよい。前記複数
の絶縁層Ｌ２〜Ｌ７は、前記発光ダイオード１３１の厚さ方向に積層される。前記複数の
絶縁層Ｌ２〜Ｌ７は、セラミック素材を含み、前記セラミック素材は同時に塑性を行う低
温塑性セラミック（ＬＴＣＣ：ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏ−ｆｉｒｅｄ ｃ
ｅｒａｍｉｃ）または高温塑性セラミック（ＨＴＣＣ：ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒ
ｅ ｃｏ−ｆｉｒｅｄ ｃｅｒａｍｉｃ）を含む。前記本体１１０Ａの材質は、例えば、
ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、またはＡ
ｌＮであってもよい。
前記本体１１０の下面にはバッファ層１０１が配置され、前記バッファ層１０１は例え
ば、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＢＮ
、Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＣ（ＳｉＣ−ＢｅＯ）、ＢｅＯ，ＣｅＯ、ＡｌＮのようなセラミック
であってもよい。前記バッファ層１０１は、熱伝送性物質のＣ（ダイアモンド、ＣＮＴ）
の成分のうち何れか一つに形成されることができ、前記本体１１０Ａとお互い異なる材質
で形成されてもよい。
前記バッファ層１０１は絶縁層材質を含み、その種類としてはｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔ
ｅ ｒｅｓｉｎ、ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ、ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ、ｐｏｌｙａ
ｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ、ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｉｎ、ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ
ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ ｒｅｓｉｎ、ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｅｔｈｅｒ ｒｅｓ
ｉｎ （ＰＰＥ）、ｐｏｌｙｐｈｅｎｉｌｅｎｅ ｏｘｉｄｅ ｒｅｓｉｎ （ＰＰＯ）
、ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ、ｃｙａｎａｔｅ ｅｓｔ
ｅｒ ｒｅｓｉｎ、ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ （ＢＣＢ）、ｐｏｌｙａｍｉｄ
ｏ−ａｍｉｎｅ ｄｅｎｄｒｉｍｅｒｓ （ＰＡＭＡＭ）、及びｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅ
ｎｅ−ｉｍｉｎｅ、ｄｅｎｄｒｉｍｅｒｓ（ＰＰＩ）及びＰＡＭＡＭ内部構造及び有機‐
シリコンの外面を有するＰＡＭＡＭ−ＯＳ（ｏｒｇａｎｏｓｉｌｉｃｏｎ）を単独または
組合を含む樹脂で構成されてもよい。
前記バッファ層１０１内にはＡｌ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒのうち少なくとも一
つを有する酸化物、窒化物、フッ化物、硫化物のうち少なくとも一つを加えてもよい。こ
こで、前記バッファ層１０１内に加えられた化合物は熱拡散材であってもよく、前記熱拡
散材は所定サイズの粉末粒子、粒、フィラ（ｆｉｌｌｅｒ）、添加剤として用いられるこ
とができ、以下の説明の便宜上のため熱拡散材とする。ここで、熱拡散材は絶縁性材質ま
たは伝導性材質であってもよく、そのサイズは１Å〜１００，０００Åで使用可能で、熱
拡散の効率のために１，０００Å〜５０，０００Åで形成されてもよい。前記拡散材の粒
子形状は矩形または不規則な形状を含めてもよく、これに対する限定はない。
前記熱拡散材はセラミック材質を含み、前記セラミック材質は同時に塑性を行う低温塑
性セラミック（ＬＴＣＣ：ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏ−ｆｉｒｅｄ ｃｅｒ
ａｍｉｃ）、高温塑性セラミック（ＨＴＣＣ：ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏ
−ｆｉｒｅｄ ｃｅｒａｍｉｃ）、アルミナ（ａｌｕｍｉｎａ）、水晶（ｑｕａｒｔｚ）
、ジルコン酸カルシウム（ｃａｌｃｉｕｍ ｚｉｒｃｏｎａｔｅ）、フォルステライト（
ｆｏｒｓｔｅｒｉｔｅ）、ＳｉＣ、黒鉛、溶融シリカ（ｆｕｓｅｄｓｉｌｉｃａ）、ムラ
イト（ｍｕｌｌｉｔｅ）、董青石（ｃｏｒｄｉｅｒｉｔｅ）、ジルコニア（ｚｉｒｃｏｎ
ｉａ）、ベリリア（ｂｅｒｙｌｌｉａ）及び窒化アルミニウム（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｎｉ
ｔｒｉｄｅ）のうち少なくとも一つを含む。
前記バッファ層１０１は、前記本体１１０Ａと前記複数のパッド１４１、１４３、１４
５との間に配置されてもよい。前記バッファ層１０１は前記放熱部材１５１の下面と接触
され、前記放熱部材１５１の表面凹凸に対するバッファの役割を果たし、前記放熱部材１
５１から伝導される熱を放熱することができる。
前記バッファ層１０１の上面の面積は、前記本体１１０Ａの下面の面積と同じ面積に形
成されてもよく、これに対する限定はない。
図１５は、第４実施形態による発光素子パッケージを示す図である。第４実施形態を説
明することにおいて、第１実施形態と同部分は第１実施形態を参照する。
図１５を参照すると、発光素子パッケージは、本体１１０の下面と前記発光ダイオード
１３１との間に配置された放熱部材１５１と、前記放熱部材１５１と前記第２パッド１４
３との間のバッファ層１０３とを備える。
前記バッファ層１０３は前記第２パッド１４３と異なる金属材質で形成されてもよく、
例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｃｒ／Ａｕ、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｔｉ／Ａｕ、Ｔａ／Ｃｕ、Ｔａ／
Ｔｉ／Ｃｕのような材質のうちから少なくとも一つを含めてもよい。前記バッファ層１０
３は、前記放熱部材１５１の凹凸より小さい凹凸を有する金属材質に形成されてもよい。
他の例として、前記バッファ層１０３は金属酸化物を含み、これに対する限定はない。前
記バッファ層１０３の幅は前記放熱部材１５１の下面の幅以上に形成されてもよく、前記
第２パッド１４３の上面の幅以下に形成されてもよい。
前記バッファ層１０３は、前記放熱部材１５１の表面凹凸に対するバッファの役割と電
気伝導層として用いられる。前記バッファ層１０３は前記本体１１０の下に配置される溝
１０２に配置され、前記放熱部材１５１の下面と前記第２パッド１４３の上面に接触され
る。これによって、前記放熱部材１５１から伝導される熱を前記第２パッド１４３に伝達
し、前記第２パッド１４３から入力の電源を前記放熱部材１５１を介して供給を行なうこ
とができる。
図１６は、第５実施形態による発光素子パッケージを示す図である。第５実施形態を説
明することにおいて、第１実施形態と同部分は第１実施形態を参照する。
図１６を参照すると、発光素子パッケージは、本体１１０の下面と前記発光ダイオード
１３１との間に配置された放熱部材１５１と、前記放熱部材１５１と前記第２パッド１４
３との間のバッファ層１０４とを備える。
前記バッファ層１０４は第２パッド１４３と前記放熱部材１５１との間に配置され、第
２パッド１４３と前記放熱部材１５１との間に接触される。前記バッファ層１０４は絶縁
性材質であって、熱伝導層としての役割する果たすことができ、例えば、セラミック材質
で形成されてもよい。
前記バッファ層１０４は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、
ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＢＮ、Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＣ（ＳｉＣ−ＢｅＯ）、ＢｅＯ，Ｃ
ｅＯ、ＡｌＮのようなセラミック系であってもよい。前記熱伝送性物質は、Ｃ（ダイアモ
ンド、ＣＮＴ）の成分のうち何れか一つに形成されてもよい。前記バッファ層１０４内に
はＡｌ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒのうち少なくとも一つを有する酸化物、窒化物、
フッ化物、硫化物のうち少なくとも一つを加えてもよい。
前記バッファ層１０４は絶縁性材質であって、熱伝導層としての役割することができる
。前記バッファ層１０４は前記本体１１０の下に配置される溝１０２に配置され、前記放
熱部材１５１の下面と前記第２パッド１４３の上面に接触される。これによって、前記放
熱部材１５１から伝導される熱を前記第２パッド１４３へ伝達する。
図１７は、第６実施形態による発光素子パッケージを示す平面図である。
図１７に示すように、発光素子パッケージは第１電極１２２及び第２電極１２３は正極
性の電源が接続され、第３電極１２５は負極性の電源が接続されてもよい。前記発光ダイ
オード１３１は少なくとも２つの接続部材１３５、１３６で第２電極１２３と第３電極１
２５に各々接続されてもよい。前記接続部材１３５、１３７はワイヤーを含む。
前記発光ダイオード１３１は第１電極１２２とは電気的接続せず、物理的に接続されて
もよい。
図１８は、第７実施形態による発光素子パッケージを示す平面図である。
図１８に示すように、発光素子パッケージの空洞１１１内には少なくとも４つの副空洞
１１２、１１３、１１３Ａ、１１３Ｂが配置され、前記少なくとも４つの副空洞１１２、
１１３、１１３Ａ、１１３Ｂのうち少なくとも一つには保護素子１３３が配置されてよい
。ここで、副空洞１１２、１１３、１１３Ａ、１１３Ｂのうち少なくとも２つには前記発
光ダイオード１３１が複数である場合、各の発光ダイオード１３１を各々保護する保護素
子が搭載されてもよく、これに対する限定はない。
前記複数の副空洞１１２、１１３、１１３Ａ、１１３Ｂは前記発光ダイオード１３１の
中央を中心にお互い対称に配置される。これによって、空洞１１１内においての放熱によ
る不均一を改良することができ、本体１１０の歪みを防止することができ、結果的に発光
ダイオード１３１またはワイヤーがボンディング部分から分離されることを最小化できる
。
図１９は、本発明の一実施形態による紫外線発光ダイオード１３１の一例を示す図であ
る。
図１９に示すように、発光ダイオード１３１は、垂直型電極構造を有する発光素子であ
って、第１電極層２１、第１導電型半導体層２３、活性層２５、第２導電型半導体層２７
及び第２電極層２９を有する。前記発光ダイオード１３１は水平型電極構造を有する発光
素子に変更されてもよく、これに対する限定はない。
前記第１電極層２１は伝導性支持基板を含めるか、パッドとして役割を果たしてもよい
。前記第１電極層２１は化合物半導体が成長する基板として用いてもよい。
前記第１電極層２１の上には、ＩＩＩ族‐Ｖ族の窒化物半導体層が形成されるのに半導
体の成長装備は電子ビーム蒸着機、ＰＶＤ（ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＬ
Ｄ（ｐｌａｓｍａ ｌａｓｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、二重型の熱蒸着機（ｄｕａｌ
−ｔｙｐｅ ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒ
ｉｎｇ）、ＭＯＣＶＤ（ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ
ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などによって形成されてもよく、この装備に限定はない。
第１電極層２１の上には第１導電型半導体層２３が配置され、前記第１導電型半導体層
２３はＩＩ族‐ＶＩ族またはＩＩＩ族‐Ｖ族化合物半導体、例えば、ＧａＮ、ＩｎＮ、Ａ
ｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮのうち少なくとも一つで形
成されうる。第１導電型半導体層２３には第１導電型ドーパントがドーピングされてもよ
く、第１導電型ドーパントはｎ型ドーパントであってＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなど
から一つを加えてもよい。
前記第１導電型半導体層２３内には所定領域に電流拡散構造を有する。電流拡散構造は
、垂直方向への電流拡散速度より水平方向への電流拡散速度が高い半導体層を含む。前記
電流拡散構造は、例えば、ドーパントの濃度または伝導性の差を有する複数の半導体層を
含めることができる。
前記第１導電型半導体層２３の上には、活性層２５が配置され、前記活性層２５は単一
量子井戸または多重量子井戸（ＭＱＷ）構造に形成されてもよい。活性層２５のバリヤー
層／井戸層の周期は、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＮ／Ｉｎ
ＧａＮ、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ、またはＩｎＡｌＧａＮ／ＩｎＡｌＧ
ａＮの周期のうち少なくとも一つを含めてもよい。
第１導電型半導体層２３と活性層２５との間には、第１導電型クラッド層（図示せず）
が形成されてもよく、前記第２導電型半導体層２７と前記活性層２５との間には第２導電
型クラッド層（図示せず）が配置されてもよい。前記各導電型クラッド層は、前記活性層
２５の井戸層のエネルギーバンドギャップより高いバンドギャップを有する化合物半導体
で形成されることがある。
前記活性層２５の上には第２導電型半導体層２７が形成される。第２導電型半導体層２
７は第２導電型ドーパントがドーピングされたｐ型半導体層として具現されえる。ｐ型半
導体層は、ＧａＮ，ＩｎＮ，ＡｌＮ，ＩｎＧａＮ，ＡｌＧａＮ，ＩｎＡｌＧａＮ，ＡｌＩ
ｎＮなどのような化合物半導体のうち何れか一つ以上からなってもよい。第２導電型ドー
パンはｐ型ドーパントであって、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａを含む。
第２導電型半導体層２７内には所定領域に電流拡散構造を有する。電流拡散構造は、垂
直方向への電流拡散速度より水平方向への電流拡散速度が高い半導体層を含む。
また、第１導電型半導体層２３はｐ型半導体層、第２導電型半導体層２７はｎ系半導体
層で具現されうる。発光構造物は、ｎ−ｐ接合構造、ｐ−ｎ接合構造、ｎ−ｐ−ｎ接合構
造、ｐ−ｎ−ｐ接合構造のうち何れか一つの構造に具現されうる。以下、実施形態の説明
のために、半導体層の最上層は、第２導電型半導体層２７をその例として説明する。
前記第２導電型半導体層２７の上には第２電極層２９が配置される。前記第２電極層２
９は、ｐ型ペッドまたは／及び電極層を含めてもよい。前記電極層は酸化物または窒化物
系の透光層、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯＮ（ｉｎｄ
ｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ ｎｉｔｒｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏ
ｘｉｄｅ）、ＩＺＯＮ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ ｎｉｔｒｉｄｅ）、ＩＺ
ＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ａｌ
ｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚ
ｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ
）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ
ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩｒＯｘ、
ＲｕＯｘ、ＮｉＯの物質中から選択され形成されることができる。
前記第２電極層２９は電流を拡散する電流拡散層としての役割を果たしえる。また、第
２電極層２９は反射電極層であってもよく、反射電極層はＡｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ
、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆ及びこれらの選択的に組み合わせて構成さ
れる物質の中から形成されえる。第２電極層２９は単層または多層構造の金属層を含める
ことがある。
図２０は、本発明の一実施形態による発光素子パッケージを有する紫外線ランプを示す
斜視図である。
図２０に示すように、照明装置１５００は、ケース１５１０と、前記ケース１５１０に
設けられた発光モジュール１５３０と、前記ケース１５１０に設けられ外部電源から電源
の提供が行われる接続端子１５２０を備えることができる。
前記ケース１５１０は、放熱特性が良好な材質から形成されることが好ましく、例えば
、金属材質又は樹脂材質から形成されることができる。
前記発光モジュール１５３０は、モジュール基板１５３２と、前記もージュル基板１５
３２に搭載される実施形態による発光素子パッケージ１００を含めてもよい。複数の前記
発光素子パッケージ１００がマットリックス状または所定間隔で離隔されて配列されうる
。
前記モジュール基板１５３２は、絶縁体に回路パターンが印刷されたものであってもよ
く、例えば、一般の印刷回路ボード（ＰＣＢ：Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａ
ｒｄ）、メタルコアＰＣＢ、フレキシブルＰＣＢ、セラミックＰＣＢ、ＦＲ−４基板など
がありうる。
また、前記モジュール基板１５３２は、光を效率的に反射する材質から形成されるか、
表面が光の效率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などのコーティング層からなり
うる。
前記モジュール基板１５３２上には、前記実施形態に開示の少なくとも一つの発光素子
パッケージ１００が搭載されうる。前記発光素子パッケージ１００の各々は、少なくとも
一つの発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を含めて
もよい。前記紫外線発光ダイオードは、２４５ｎｍ〜４０５ｎｍ帯の波長を有する紫外線
発光ダイオードであってもよい。すなわち、略２８０ｎｍの短波長の紫外線を放出するか
、３６５ｎｍまたは３８５ｎｍの長波長の紫外線を放出する発光ダイオードの両方に適用
可能である。
前記接続端子１５２０は、前記発光モジュール１５３０と電気的に接続されて電源を供
給できる。前記接続端子１５２０は、ソケット方式で外部電源にまわし挟まれて結合され
るが、これに対して限定しない。例えば、前記接続端子１５２０は、ピン（ｐｉｎ）状に
形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に接続されることもできる。
以上に本発明の実施形態に対して詳しく述べたが、本発明の権利範囲はこれに限定され
るではなく、後の請求範囲から定義する本発明の基本概念を用いる当業者の如何なる変更
及び改良形態または本発明の権利範囲に属する。
本発明の一実施形態は、紫外線発光素子パッケージ内に置いてツェーナダイオードのよ
うな保護素子を備えて紫外線発光ダイオードを保護できる効果がある。また、本発明の一
実施形態は、発光素子パッケージの空洞内において保護素子による光効率の低下を防止で
き、発光素子パッケージにおいて保護素子による指向角の歪曲を改良させることができる
。また、本発明の一実施形態は、発光素子パッケージ内に放熱部材を配置し、放熱効率を
改良させることができる。また、空洞の隅部分を屈曲になるようにすることによって、湿
気の浸透を抑制できる効果がある。また、本発明の一実施形態は２４５ｎｍ〜４０５ｎｍ
の波長帯の紫外線発光ダイオードを全適用可能であることから波長帯別にパッケージを製
造せず汎用使用が可能になる。
本発明の一実施形態は、発光素子パッケージにおいてパッケージの本体がセラミック材
質である場合、本体の空洞内に発光ダイオードに対して対称的に複数の副空洞によってセ
ラミック材質のパッケージ本体内においての熱膨張が均一な分布に行なわれることができ
る。これによって、セラミック材質のパッケージにおいての熱的安定性は改良できる。ま
た、本発明の一実施形態は、紫外線発光素子パッケージを有する紫外線ランプの信頼性を
改良させられることができる。
以上で実施形態として説明された特徴、構造、効果などは本発明の少なくとも一つの実
施形態に含まれ、必ず一つの実施形態にだけ限定されるものではない。なお、各実施形態
にて例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者
により、他の実施形態に対しても組合又は変形されて実施可能である。したがって、この
ような組合と変形に関係された内容は、本発明の範囲に含まれるものと解析されなければ
ならない。

Claims (20)

  1. 第１方向に延びる第１側壁と第２側壁、前記第１方向と直交する第２方向に延びる第３
    側壁と第４側壁、および底部を含み、前記第１側壁の内側面と前記第２側壁の内側面、第
    ３側壁の内側面と前記第４側壁の内側面および前記底部の上面で構成されるキャビティを
    含む胴体；
    前記底部の上面上に、互いに離隔して配置される第２電極、第３電極及び前記第２電極
    と前記第３電極との間に配置される第１電極；
    前記第１電極上に配置され、紫外線光を放出する発光素子；
    前記底部の上面から前記胴体の下面に向かって前記胴体の一部の領域まで配置される第
    １放熱部、及び前記第１放熱部と前記胴体の下面との間に配置され、前記第１放熱部の前
    記第１方向又は前記第２方向の幅と異なる幅を有する第２放熱部を含む放熱部材；及び
    前記胴体の下面に互いに離隔して配置される第１パッド、第３パッド、及び前記第１パ
    ッドと前記第３パッドとの間に配置される第２パッド；を含み、
    前記第２電極は、前記第２側壁に隣接して配置され前記第１方向に延びる第１部、及び
    前記第４側壁に隣接して配置されて前記第１部から前記第２方向に延びる第２部を含み、
    前記第３電極は、前記第１側壁に隣接して配置され前記第１方向に延びる第３部、及び
    前記第３側壁に隣接して配置され前記第３部から前記第２方向に延びる第４部を含み、
    前記第１電極は、前記第２部及び前記第４部が前記第１方向に重なる領域において前記
    発光素子が配置されるパッド部と、及び前記パッド部から前記第２部と前記第３部との間
    の側壁に向かって延びる延長部を含み、
    前記延長部は、前記底部の上面と前記胴体の下面を貫通して配置される連結部材を介し
    て前記胴体の下面に配置される第１パッドと電気的に連結され、
    前記連結部材は、前記放熱部材と互いに離隔され、
    前記放熱部材、前記発光素子及び前記第２パッドは、前記底部の上面から前記胴体の下
    面に向かう方向に重なり、
    前記放熱部材と前記第２パッドは、互いに離隔された発光素子パッケージ。
  2. 請求項１において、
    前記発光素子は、前記第１側壁と向き合う第１側面、前記第２側壁と向き合う第２側面
    、前記第３側壁と向き合う第３側面及び前記第４側壁と向き合う第４側面を含み、
    前記第２電極は、前記キャビティの第２側面と前記第４側面が会う領域に配置される第
    １折曲部を含み、
    前記第１部は、前記第１折曲部において、前記第２側面に沿って延長され、
    前記第２部は、前記第１折曲部において、前記第４側面に沿って延長され、
    前記第３電極は、前記キャビティの第１側面と前記第３側面が会う領域に配置される第
    ２折曲部を含み、
    前記第３部は、前記第２折曲部において、前記第１側面に沿って延長され、
    前記第４部は、前記第２折曲部において、前記第３側面に沿って延長され、
    前記第１折曲部及び前記第２折曲部は、前記第１電極と前記第１方向及び前記第２方向
    にそれぞれずれ配置される発光素子パッケージ。
  3. 請求項１において、
    前記第１電極は、前記キャビティの中央に配置される、発光素子パッケージ。
  4. 請求項１において、
    前記第１乃至第３電極と離隔配置される第４電極及び第５電極を含み、
    前記第４電極及び前記第５電極の面積は、前記第１乃至第３電極の面積より少ない発光
    素子パッケージ。
  5. 請求項４において、
    前記キャビティの前記第３側壁の中心と第４側壁の中心を貫通する仮想線は、前記第４
    電極と前記第５電極との間に配置され、
    前記仮想線を基準に前記第４電極の形状と前記第５電極の形状は、対称である発光素子
    パッケージ。
  6. 請求項４において、
    前記第４電極と前記第５電極のうちの少なくとも一つと電気的に連結されるツェナーダ
    イオードを含む発光素子パッケージ。
  7. 請求項２において、
    前記キャビティは、第１部の内側面が前記第１方向に延びる第１仮想線、前記第２部の
    内側面が前記第２方向に延びる第２仮想線、前記第３部の内側面が延びる第３仮想線、及
    び前記第４部の内側面が延びる第４の仮想線で構成される四角形を含み、
    前記延長部は、前記長方形の外側に突出する発光素子パッケージ。
  8. 請求項１において、
    前記キャビティは、投光基板が配置される段差部を含む発光素子パッケージ。
  9. 請求項１において、
    前記放熱部材は、前記第１電極と接触し前記第２パッドと離隔されている発光素子パッ
    ケージ。
  10. 請求項９において、
    前記第１放熱部の第１方向の幅は、前記第２放熱部の第１方向の幅より小さい発光素子
    パッケージ。
  11. 請求項１において、
    前記第２パッドの第１方向の幅は、前記第１パッド及び前記第３パッドの第１方向の幅
    より大きく、前記第２パッドの第１方向の幅より小さい発光素子パッケージ。
  12. 上面と下面、及び前記上面から前記下面に凹んだキャビティを含む胴体；
    前記キャビティの底面上で、水平方向に互いに離隔して配置される第２電極、第３電極
    及び前記第２電極と前記第３電極との間に配置される第１電極；
    前記第１電極上に配置される発光素子；
    前記キャビティの底面から前記胴体の下面に向かって、前記胴体の一部領域まで配置さ
    れ、前記水平方向の幅が互いに異なる第１放熱部及び第２放熱部を含む放熱部材；と
    前記胴体の下面に互いに離隔して配置される第１パッド、第３パッド及び前記第１パッ
    ドと前記第３パッドとの間に配置される第２パッド；を含み、
    前記キャビティは、互いに異なる方向に延びる複数の側壁を含み、
    前記第２電極及び前記第３電極は、前記複数の側壁のうちの少なくとも二つの側壁に沿
    って、それぞれ延長されて配置され、
    前記第１電極は、前記発光素子が配置されるパッド部と、及び前記パッド部から前記第
    ２電極と前記第３電極との間の側壁に向かって延びる延長部を含み、
    前記延長部は、前記キャビティの底面と前記胴体の下面を貫通する連結部材を介して前
    記胴体の下面に配置された第１パッドと電気的に連結され、
    前記連結部材は、前記放熱部材と前記水平方向に離隔され、
    前記放熱部材、発光素子、及び前記第２パッドは、垂直方向に重なり、
    前記垂直方向は、前記水平方向に垂直な方向であり、
    前記放熱部材と前記第２パッドは、前記垂直方向に互いに離隔した発光素子パッケージ
    。
  13. 請求項１２において、
    前記キャビティは、底面に配置される第１リセス及び第２リセスを含み、
    前記第１リセスと第２リセスは、前記水平方向に重ならない発光素子パッケージ。
  14. 請求項１３において、
    前記キャビティは
    互いに向かい合う第１内側面と第２内側面、
    互いに向かい合う第３内側面及び第４内側面、および
    前記第１内側面の中心と前記第２内側面の中心を貫通する第１仮想線と前記第３内側面
    の中心と前記第４内側面の中心を貫通する第２仮想線で区画される複数の領域を含み、
    前記第２仮想線は、前記水平方向と平行し、
    前記複数の領域は、前記第１内側面と前記第４内側面を含む第１領域、第１内側面と前
    記第３内側面を含む第２領域、前記第３内側面と前記第２内側面を含む第３領域、および
    前記第２内側面と前記第４内側面を含む第４領域を含み、
    前記第１リセスは、前記第１領域に配置され、
    前記第２リセスは、前記第３領域に配置される発光素子パッケージ。
  15. 請求項１４において、
    前記第１リセスに配置される第４電極と前記第２のリセスに配置される第５電極を含み
    、
    前記第２仮想線を基準に前記第４電極と前記第５電極の形状は対称である発光素子パッ
    ケージ。
  16. 請求項１４において、
    前記第２電極は、前記第１領域および前記第４領域に配置され、
    前記第３電極は、前記第２領域および前記第３領域に配置される発光素子パッケージ。
  17. 請求項１６において、
    前記延長部は、前記第１領域に突出した発光素子パッケージ。
  18. 請求項１７において、
    前記延長部は、前記第１リセスと前記第２電極の間に延長される発光素子パッケージ
  19. 請求項１６において、
    前記第２電極は、前記第１電極を覆うように折り曲げられ、
    前記第３電極は、前記第１電極を覆うように折り曲げられている発光素子パッケージ。
  20. 請求項１６において、
    前記発光素子と前記第２電極を電気的に連結する第１ワイヤ、および
    前記第１リセスに配置されたツェナーダイオードと前記第３電極を電気的に連結する第
    ２ワイヤを含む発光素子パッケージ。
JP2019046940A 2011-05-13 2019-03-14 発光素子パッケージ Active JP6966761B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021168120A JP7252665B2 (ja) 2011-05-13 2021-10-13 発光素子パッケージ

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110045378A KR101869552B1 (ko) 2011-05-13 2011-05-13 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 자외선 램프
KR10-2011-0045378 2011-05-13
KR10-2011-0045379 2011-05-13
KR20110045379 2011-05-13
JP2018112131A JP6498820B2 (ja) 2011-05-13 2018-06-12 発光素子パッケージ

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018112131A Division JP6498820B2 (ja) 2011-05-13 2018-06-12 発光素子パッケージ

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021168120A Division JP7252665B2 (ja) 2011-05-13 2021-10-13 発光素子パッケージ

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019117939A true JP2019117939A (ja) 2019-07-18
JP2019117939A5 JP2019117939A5 (ja) 2019-11-21
JP6966761B2 JP6966761B2 (ja) 2021-11-17

Family

ID=46044572

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012105795A Active JP5968674B2 (ja) 2011-05-13 2012-05-07 発光素子パッケージ及びこれを備える紫外線ランプ
JP2016134019A Active JP6144391B2 (ja) 2011-05-13 2016-07-06 発光素子パッケージ
JP2017094172A Active JP6400782B2 (ja) 2011-05-13 2017-05-10 発光素子パッケージ
JP2018112131A Active JP6498820B2 (ja) 2011-05-13 2018-06-12 発光素子パッケージ
JP2019046940A Active JP6966761B2 (ja) 2011-05-13 2019-03-14 発光素子パッケージ
JP2021168120A Active JP7252665B2 (ja) 2011-05-13 2021-10-13 発光素子パッケージ

Family Applications Before (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012105795A Active JP5968674B2 (ja) 2011-05-13 2012-05-07 発光素子パッケージ及びこれを備える紫外線ランプ
JP2016134019A Active JP6144391B2 (ja) 2011-05-13 2016-07-06 発光素子パッケージ
JP2017094172A Active JP6400782B2 (ja) 2011-05-13 2017-05-10 発光素子パッケージ
JP2018112131A Active JP6498820B2 (ja) 2011-05-13 2018-06-12 発光素子パッケージ

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021168120A Active JP7252665B2 (ja) 2011-05-13 2021-10-13 発光素子パッケージ

Country Status (4)

Country Link
US (2) US10270021B2 (ja)
EP (1) EP2523230B1 (ja)
JP (6) JP5968674B2 (ja)
CN (2) CN102779932B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021132061A (ja) * 2020-02-18 2021-09-09 日機装株式会社 半導体パッケージ基板、半導体パッケージ及び半導体発光装置
JP2021163950A (ja) * 2020-04-03 2021-10-11 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 光半導体パッケージの製造方法及び光半導体パッケージ

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2562834B1 (en) * 2011-08-22 2019-12-25 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting diode package
CN107425103B (zh) 2011-08-22 2019-12-27 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装件和光装置
KR20140039740A (ko) 2012-09-25 2014-04-02 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
DE102012113014A1 (de) * 2012-12-21 2014-06-26 Epcos Ag Bauelementträger und Bauelementträgeranordnung
KR102071424B1 (ko) * 2013-01-08 2020-01-30 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US9565782B2 (en) * 2013-02-15 2017-02-07 Ecosense Lighting Inc. Field replaceable power supply cartridge
JP6394144B2 (ja) 2013-11-08 2018-09-26 日本電気硝子株式会社 プロジェクター用蛍光ホイール及びプロジェクター用発光デバイス
KR102221599B1 (ko) * 2014-06-18 2021-03-02 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
TWI583888B (zh) * 2014-07-11 2017-05-21 弘凱光電（深圳）有限公司 Ｌｅｄ發光裝置
KR102237112B1 (ko) * 2014-07-30 2021-04-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 광원 모듈
JP2016076634A (ja) * 2014-10-08 2016-05-12 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Ｌｅｄパッケージ、バックライトユニット及び液晶表示装置
US10477636B1 (en) 2014-10-28 2019-11-12 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having multiple light sources
KR102252114B1 (ko) * 2014-11-28 2021-05-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
JP6765804B2 (ja) * 2014-11-28 2020-10-07 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
KR102279211B1 (ko) * 2014-11-28 2021-07-20 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
EP3038173B1 (en) * 2014-12-23 2019-05-22 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device
JP5877487B1 (ja) * 2014-12-26 2016-03-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置
US9869450B2 (en) 2015-02-09 2018-01-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having a truncated parabolic- or hyperbolic-conical light reflector, or a total internal reflection lens; and having another light reflector
US11306897B2 (en) 2015-02-09 2022-04-19 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems generating partially-collimated light emissions
US9651227B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Low-profile lighting system having pivotable lighting enclosure
US9746159B1 (en) 2015-03-03 2017-08-29 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a sealing system
US9651216B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including asymmetric lens modules for selectable light distribution
US9568665B2 (en) 2015-03-03 2017-02-14 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including lens modules for selectable light distribution
KR20160112116A (ko) * 2015-03-18 2016-09-28 엘지이노텍 주식회사 발광소자 어레이와 이를 포함하는 조명시스템
US9589871B2 (en) * 2015-04-13 2017-03-07 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package structure and method for manufacturing the same
KR102346643B1 (ko) 2015-06-30 2022-01-03 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 모듈
USD785218S1 (en) 2015-07-06 2017-04-25 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
USD782094S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
USD782093S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
CN105304577B (zh) * 2015-07-28 2017-12-08 中国电子科技集团公司第十研究所 多芯片组件散热封装陶瓷复合基板的制备方法
US9651232B1 (en) 2015-08-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a mounting device
JP6712855B2 (ja) * 2015-12-02 2020-06-24 スタンレー電気株式会社 紫外線発光装置及び紫外線照射装置
US10257932B2 (en) * 2016-02-16 2019-04-09 Microsoft Technology Licensing, Llc. Laser diode chip on printed circuit board
JP6985286B2 (ja) * 2016-03-22 2021-12-22 スージョウ レキン セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光素子およびこれを備えた発光モジュール
KR102628791B1 (ko) * 2016-03-22 2024-01-24 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 및 이를 구비한 발광 모듈
US10615314B2 (en) * 2016-03-31 2020-04-07 Nichia Corporation Light-emitting device
KR102588807B1 (ko) 2016-12-15 2023-10-13 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지 및 그 제조방법, 자동 초점 장치
JP6491635B2 (ja) 2016-12-28 2019-03-27 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 反射防止膜および深紫外発光デバイス
WO2019088701A1 (ko) 2017-11-01 2019-05-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 광원 장치
CN107768506A (zh) * 2017-11-21 2018-03-06 苏州市悠文电子有限公司 叠板式发光二极管
KR102471689B1 (ko) * 2017-12-22 2022-11-28 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지
KR102515285B1 (ko) 2017-12-27 2023-03-30 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
WO2019146737A1 (ja) 2018-01-26 2019-08-01 丸文株式会社 深紫外ｌｅｄ及びその製造方法
WO2019216724A1 (ko) * 2018-05-11 2019-11-14 엘지이노텍 주식회사 표면발광레이저 패키지 및 이를 포함하는 발광장치
KR102472710B1 (ko) * 2018-06-05 2022-11-30 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지
JP7231809B2 (ja) 2018-06-05 2023-03-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
TW202027304A (zh) * 2018-08-24 2020-07-16 日商丸文股份有限公司 深紫外led裝置及其製造方法
JP6794498B1 (ja) * 2019-06-04 2020-12-02 浜松ホトニクス株式会社 発光装置、及び発光装置の製造方法
CN111081847A (zh) * 2019-12-30 2020-04-28 深圳Tcl新技术有限公司 发光二极管和光源装置
KR102338177B1 (ko) * 2020-02-24 2021-12-10 주식회사 에스엘바이오닉스 반도체 발광소자
DE102020117186A1 (de) * 2020-06-30 2021-12-30 Schott Ag Gehäustes optoelektronisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung
US20240055567A1 (en) * 2020-12-18 2024-02-15 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting diode package
CN112820809A (zh) * 2020-12-30 2021-05-18 华灿光电（浙江）有限公司 紫外发光二极管芯片及其p电极的制备方法
CN114334941B (zh) * 2022-03-04 2022-05-31 至芯半导体(杭州)有限公司 一种紫外器件封装结构

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009224751A (ja) * 2007-09-06 2009-10-01 Nichia Corp 半導体装置
JP2010199547A (ja) * 2009-01-30 2010-09-09 Nichia Corp 発光装置及びその製造方法
US20110089465A1 (en) * 2008-03-25 2011-04-21 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader with esd protection layer

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4326214A (en) * 1976-11-01 1982-04-20 National Semiconductor Corporation Thermal shock resistant package having an ultraviolet light transmitting window for a semiconductor chip
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US6825559B2 (en) * 2003-01-02 2004-11-30 Cree, Inc. Group III nitride based flip-chip intergrated circuit and method for fabricating
JP2006093565A (ja) 2004-09-27 2006-04-06 Kyocera Corp 発光素子用配線基板ならびに発光装置およびその製造方法
JP4501109B2 (ja) 2004-06-25 2010-07-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7855395B2 (en) * 2004-09-10 2010-12-21 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having multiple molding resins on a light emitting diode die
JP2006216764A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子実装用配線基板
JP4699042B2 (ja) * 2005-02-21 2011-06-08 京セラ株式会社 発光素子用配線基板ならびに発光装置
KR100629521B1 (ko) * 2005-07-29 2006-09-28 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법과 이를 이용한 ｌｅｄ어레이 모듈
KR100632002B1 (ko) * 2005-08-02 2006-10-09 삼성전기주식회사 보호 소자를 포함하는 측면형 발광 다이오드
JP4804109B2 (ja) * 2005-10-27 2011-11-02 京セラ株式会社 発光素子用配線基板および発光装置並びに発光素子用配線基板の製造方法
WO2007058438A1 (en) * 2005-11-18 2007-05-24 Amosense Co., Ltd. Electronic parts packages
JP4789671B2 (ja) * 2006-03-28 2011-10-12 京セラ株式会社 発光素子用配線基板ならびに発光装置
JP5250949B2 (ja) 2006-08-07 2013-07-31 デクセリアルズ株式会社 発光素子モジュール
JP4935514B2 (ja) * 2006-09-01 2012-05-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2008109079A (ja) * 2006-09-26 2008-05-08 Kyocera Corp 表面実装型発光素子用配線基板および発光装置
US7911059B2 (en) 2007-06-08 2011-03-22 SeniLEDS Optoelectronics Co., Ltd High thermal conductivity substrate for a semiconductor device
US20090008671A1 (en) * 2007-07-06 2009-01-08 Lustrous Technology Ltd. LED packaging structure with aluminum board and an LED lamp with said LED packaging structure
JP2009071013A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子実装用基板
US20090284932A1 (en) 2008-03-25 2009-11-19 Bridge Semiconductor Corporation Thermally Enhanced Package with Embedded Metal Slug and Patterned Circuitry
KR101488451B1 (ko) * 2008-03-31 2015-02-02 서울반도체 주식회사 멀티칩 ｌｅｄ 패키지
JP5185683B2 (ja) * 2008-04-24 2013-04-17 パナソニック株式会社 Ｌｅｄモジュールの製造方法および照明器具の製造方法
TWM361098U (en) * 2009-01-22 2009-07-11 Tcst Tech Co Ltd LED base structure capable of preventing leakage
JP4780203B2 (ja) * 2009-02-10 2011-09-28 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
KR101092063B1 (ko) * 2009-04-28 2011-12-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP2011040498A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Seiko Instruments Inc 電子部品用基板及び発光デバイス
KR101565988B1 (ko) * 2009-10-23 2015-11-05 삼성전자주식회사 적색형광체, 그 제조방법, 이를 이용한 발광소자 패키지, 조명장치
JP3158994U (ja) * 2009-10-29 2010-05-06 株式会社Ｋｓ 回路基板
CN102130269B (zh) * 2010-01-19 2013-03-27 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 固态发光元件及光源模组

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009224751A (ja) * 2007-09-06 2009-10-01 Nichia Corp 半導体装置
US20110089465A1 (en) * 2008-03-25 2011-04-21 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader with esd protection layer
JP2010199547A (ja) * 2009-01-30 2010-09-09 Nichia Corp 発光装置及びその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021132061A (ja) * 2020-02-18 2021-09-09 日機装株式会社 半導体パッケージ基板、半導体パッケージ及び半導体発光装置
JP7370274B2 (ja) 2020-02-18 2023-10-27 日機装株式会社 半導体パッケージ及び半導体発光装置
JP2021163950A (ja) * 2020-04-03 2021-10-11 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 光半導体パッケージの製造方法及び光半導体パッケージ

Also Published As

Publication number Publication date
JP6498820B2 (ja) 2019-04-10
CN102779932B (zh) 2017-01-18
JP2017143304A (ja) 2017-08-17
JP6966761B2 (ja) 2021-11-17
CN106848033A (zh) 2017-06-13
JP7252665B2 (ja) 2023-04-05
JP2012244170A (ja) 2012-12-10
CN102779932A (zh) 2012-11-14
JP2016181726A (ja) 2016-10-13
US10811583B2 (en) 2020-10-20
EP2523230A3 (en) 2015-12-02
EP2523230B1 (en) 2019-09-18
CN106848033B (zh) 2019-04-19
US20190067544A1 (en) 2019-02-28
JP6144391B2 (ja) 2017-06-07
EP2523230A2 (en) 2012-11-14
JP2018137488A (ja) 2018-08-30
JP2022009093A (ja) 2022-01-14
JP6400782B2 (ja) 2018-10-03
US10270021B2 (en) 2019-04-23
US20120286319A1 (en) 2012-11-15
JP5968674B2 (ja) 2016-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6498820B2 (ja) 発光素子パッケージ
KR102018698B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 자외선 램프
JP7266316B2 (ja) 発光素子パッケージ
KR101869552B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 자외선 램프
US8669581B2 (en) Light emitting device package including UV light emitting diode
US9306139B2 (en) Light emitting device, method of fabricating the same and lighting system
JP4990355B2 (ja) 半導体発光デバイスパッケージのサブマウント及びそのサブマウントを備える半導体発光デバイスパッケージ
KR101360732B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
US20060049423A1 (en) Light-emitting device
CN104465940B (zh) 发光器件封装件
EP3273492B1 (en) Light-emitting device and camera module having same
KR101949150B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR102142715B1 (ko) 발광 소자 및 그 제조방법
KR100447029B1 (ko) 반도체 엘이디 소자 및 그 제조 방법
KR101896683B1 (ko) 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101714073B1 (ko) 발광소자 패키지 및 조명 장치
KR101902515B1 (ko) 발광소자 패키지 및 조명 장치
JP2007173643A (ja) Ｌｅｄ用パッケージ

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190408

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190408

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191009

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200427

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200609

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200907

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210112

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210408

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20210618

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210914

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211014

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6966761

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150