KR102338177B1 - 반도체 발광소자 - Google Patents

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Abstract

본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 베이스, 제1 반도체 발광소자 칩의 전극 및 제2 반도체 발광소자 칩의 전극과 전기적으로 연결되는 도전층을 구비하는 외부 기판; 외부 기판에 구비되며, 전자와 정공의 재결합에 의해 자외선을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 제1 반도체 발광소자 칩; 제1 반도체 발광소자 칩을 감싸도록 형성되어, 제1 반도체 발광소자 칩에서 나온 자외선을 굴절시키는 렌즈;로서, 렌즈는 일정범위의 지향각을 형성하는 렌즈; 그리고, 외부 기판에 구비되며, 전자와 정공의 재결합에 의해 가시광선을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 제2 반도체 발광소자 칩;으로서, 제2 반도체 발광소자 칩은 렌즈에 의해 굴절된 지향각 밖에 위치하는 제2 반도체 발광소자 칩;을 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

Description

반도체 발광소자{SEMICONLIGHT LIGHT EMITTING DIODE}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 출광효율이 높은 반도체 발광소자에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 보여주는 도면이다.
반도체 발광소자 칩은 성장기판(610; 예: 사파이어 기판), 성장기판(610) 위에, 버퍼층(620), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(630; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(640; 예; INGaN/(In)GaNMQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(650; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(660)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(670)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(630) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(680: 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 도 1과 같은 형태의 반도체 발광소자를 특히 레터럴 칩(Lateral Chip)이라고 한다. 여기서, 성장기판(610) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다. 본 명세서에서 반도체 발광소자 칩 또는 반도체 발광소자가 전기적으로 연결되는 외부는 PCB(Printed Circuit Board), 서브마운트, TFT(Thin Film Transistor) 등을 의미한다.
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 보여주는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호를 변경하였다.
반도체 발광소자 칩은 성장기판(610), 성장기판(610) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(630), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(640), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(650)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 성장기판(610) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(690, 691, 692)이 형성되어 있다. 제1 전극막(690)은 Ag 반사막, 제2 전극막(691)은 Ni 확산 방지막, 제3 전극막(692)은 Au 본딩층일 수 있다. 식각되어 노출된 제1 반도체층(630) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(680)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(692) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다. 도 2와 같은 형태의 반도체 발광소자 칩을 특히 플립 칩(Flip Chip)이라고 한다. 도 2에 도시된 플립 칩의 경우 제1 반도체층(630) 위에 형성된 전극(680)이 제2 반도체층 위에 형성된 전극막(690, 691, 692)보다 낮은 높이에 있지만, 동일한 높이에 형성될 수 있도록 할 수도 있다. 여기서 높이의 기준은 성장기판(610)으로부터의 높이일 수 있다.
도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.
반도체 발광소자(700)는 리드 프레임(710, 720), 몰드(730), 그리고 캐비티(740) 내에 수직형 반도체 발광소자 칩(750; Vertical Type Light Emitting Chip)이 구비되어 있고, 캐비티(740)는 파장 변환재(160)를 함유하는 봉지재(770)로 채워져 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(750)의 하면이 리드 프레임(710)에 전기적으로 직접 연결되고, 상면이 와이어(780)에 의해 리드 프레임(720)에 전기적으로 연결되어 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(750)에서 나온 광의 일부가 파장 변환재(760)를 여기 시켜 다른 색의 광을 만들어 두 개의 서로 다른 광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 예를 들어 반도체 발광소자 칩(750)은 청색광을 만들고 파장 변환재(760)에 여기 되어 만들어진 광은 황색광이며, 청색광과 황색광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 도 3은 수직형 반도체 발광소자 칩(750)을 사용한 반도체 발광소자를 보여주고 있지만, 도 1 및 도 2에 도시된 반도체 발광소자 칩을 사용하여 도 3과 같은 형태의 반도체 발광소자를 제조할 수도 있다.
도 3에 기재된 타입의 반도체 발광소자를 일반적으로 패키지(Package) 타입(Type)의 반도체 발광소자라고 하며 반도체 발광소자 칩 크기의 반도체 발광소자를 CSP(Chip Scale Package) 타입의 반도체 발광소자라 한다. CSP 타입의 반도체 발광소자와 관련된 것은 한국 공개특허공보 제2014-0127457호에 기재되어 있다. 최근에는 반도체 발광소자의 크기가 소형화되는 경향에 따라 CSP 타입의 반도체 발광소자에 대한 개발이 활발히 이루어지고 있다.
도 4는 한국 공개특허공보 제10-2008-0074538호에 제시된 세탁물 처리장치의 일 예를 보여주는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호를 변경하였다.
드럼 세탁기(800)는 드럼(825)의 입구와 캐비닛(810)의 세탁물투입구(812) 사이에 배치되는 개스킷(815)을 더 포함한다.
개스킷(815)에는 드럼(825)의 내부를 향하여 자외선을 조사하는 자외선발생부(850)가 배치되어 있다. 드럼 세탁기(800)는 개스킷(815)의 일측에 배치되어 드럼(825) 내부를 향하여 가시광선을 조사하는 조명부(860)를 더 포함한다. 자외선발생부(850)의 작동을 사용자에게 알려주기 위해 조명부(860)는 다른 색의 조명을 켠다.
도 4의 자외선발생부(850)와 조명부(860)는 각각의 공간을 가지고, 이로 인해 공간을 넓게 차지하는 문제점이 있다. 또한, 자외선발생부(850)와 조명부(860)는 분리되어 있으므로 자외선발생부(850)와 조명부(860)를 동시에 제어하기 위해서 추가적으로 전기적 연결이 더 필요한 문제점이 있다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 측면에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 베이스, 제1 반도체 발광소자 칩의 전극 및 제2 반도체 발광소자 칩의 전극과 전기적으로 연결되는 도전층을 구비하는 외부 기판; 외부 기판에 구비되며, 전자와 정공의 재결합에 의해 자외선을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 제1 반도체 발광소자 칩; 제1 반도체 발광소자 칩을 감싸도록 형성되어, 제1 반도체 발광소자 칩에서 나온 자외선을 굴절시키는 렌즈;로서, 렌즈는 일정범위의 지향각을 형성하는 렌즈; 그리고, 외부 기판에 구비되며, 전자와 정공의 재결합에 의해 가시광선을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 제2 반도체 발광소자 칩;으로서, 제2 반도체 발광소자 칩은 렌즈에 의해 굴절된 지향각 밖에 위치하는 제2 반도체 발광소자 칩;을 포함하는 반도체 발광소자가 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 보여주는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다
른 예를 보여주는 도면,
도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면,
도 4는 한국 공개특허공보 제10-2008-0074538호에 제시된 세탁물 처리장치의 일 예를 보여주는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면,
도 6는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 보여주는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 보여주는 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5(a)는 반도체 발광소자(100)의 사시도를 보여주는 도면이며, 도 5(b)는 도 5(a)의 AA' 단면을 보여주는 도면이다.
반도체 발광소자(100)는 제1 반도체 발광소자 칩(110), 제2 반도체 발광소자 칩(120), 렌즈(130) 그리고, 외부 기판(140)을 포함한다.
제1 반도체 발광소자 칩(110)은 자외선을 발광한다. 제1 반도체 발광소자 칩(110)은 복수의 반도체층(111)과 전자와 정공의 재결합에 의해 자외선을 생성하는 활성층(112)을 포함한다. 제1 반도체 발광소자 칩(110)은 복수의 반도체층(111)에 전기적으로 연결된 전극(113)을 가진다. 제1 반도체 발광소자 칩(110)이 발광하는 자외선은 제1 반도체 발광소자 칩(110)의 모든 방향으로 발광될 수 있다. 제1 반도체 발광소자 칩(110)은 플립칩일 수 있다. 하지만 플립칩에 한정되지 않는다. 예컨대, 제1 반도체 발광소자 칩(110)은 레터럴칩, 수직칩 일 수 있다.
본 개시의 제1 반도체 발광소자 칩(110)은 UVC를 발광하는 것이 바람직하며, 특히, 200nm~280nm 파장을 발광하는 것이 바람직하다.
제2 반도체 발광소자 칩(120)은 가시광선을 발광하며, 제2 반도체 발광소자 칩(120)은 복수의 반도체층(121)과 전자와 정공의 재결합에 의해 가시광선을 생성하는 활성층(122)을 포함한다. 제2 반도체 발광소자 칩(120)은 복수의 반도체층(121)에 전기적으로 연결된 전극(123)을 가진다. 제2 반도체 발광소자 칩(120)은 플립칩일 수 있다. 하지만 플립칩에 한정되지 않는다. 예컨대, 제2 반도체 발광소자 칩(120)은 레터럴칩, 수직칩 일 수 있다.
본 개시에 따른 제2 반도체 발광소자 칩(120)은 가시광선 중 청색광을 발광할 수 있다. 하지만 제2 반도체 발광소자 칩(120)에서 나오는 가시광선은 청색광으로 한정하는 것은 아니다.
본 개시에 따른 제1 반도체 발광소자 칩(110)의 자외선이 발광됨과 동시에 제2 반도체 발광소자 칩(120)의 가시광선이 발광되는 것이 바람직하다. 자외선은 눈에 보이지 않으므로 제1 반도체 발광소자 칩(110)만 켜지면 인체에 유해한 자외선이 켜져있는지 인식할 수 없다. 따라서, 제2 반도체 발광소자 칩(120)의 가시광선을 제1 반도체 발광소자 칩(110)과 동시에 발광하여, 제1 반도체 발광소자 칩(110)의 자외선이 켜지는 것을 인식할 수 있다.
외부 기판(140)은 상부에 구비되는 도전층(141)을 포함하며, 도전층(141)은 제1 반도체 발광소자 칩(110)의 전극(113) 및 제2 반도체 발광소자 칩(120)의 전극(123)과 전기적으로 연결된다. 외부 기판(140)은 제1 반도체 발광소자 칩(110) 및 제2 반도체 발광소자 칩(120)이 실장되는 영역을 제공하는 기판이면 제한되지 않는다. 외부 기판(140)은 제1 반도체 발광소자 칩(110)을 형성하기 위한 기판일 수 있고, 예컨대, 리드 전극을 포함하는 기판, 인쇄회로기판, 금속 플레이트 기판 등을 포함할 수 있다. 외부 기판(140)은 하부(144)에 구비되는 전극(145)을 포함할 수 있으며, 전극(145)은 외부와 전기적으로 연결될 수 있다. 외부 기판(140)의 전극(145)과 도전층(141)이 전기적으로 연결될 수 있다.
렌즈(130)는 제1 반도체 발광소자 칩(110)을 둘러싸도록 외부 기판(140) 위에 형성되며, 제1 반도체 발광소자 칩(110)에서 나가는 자외선을 굴절시킨다. 예를 들어, 렌즈(130)는 반원형태로 형성되어 자외선이 굴절된다. 제1 반도체 발광소자 칩(110)에서 나가는 자외선은 렌즈(130)에 의해 굴절되어 일정범위의 지향각(A1)을 형성한다. 지향각(A1)은 제1 반도체 발광소자 칩(110)에서 나간 빛이 형성한 지향각이 아닌 렌즈(130)를 통과한 빛이 형성한 지향각(A1)을 말한다.
렌즈(130)의 가장 높은 부분에서 제1 반도체 발광소자 칩(110)의 상면까지의 거리(D1)는 200~600um 이상 구비되는 것이 바람직하다.
제1 반도체 발광소자 칩(110)과 제2 반도체 발광소자 칩(120) 사이의 거리가 120um 이하일 때는 제1 반도체 발광소자 칩(110)을 덮는 렌즈(130)가 형성한 지향각(A1) 내에 제2 반도체 발광소자 칩(120)이 구비될 수 있어, 자외선이 제2 반도체 발광소자 칩(120)에 흡수되어 출광효율이 떨어질 수 있다.
렌즈(130)는 예를 들면, 기성형된 유리 등일 수 있고, 봉지재로도 형성될 수 있다.
외부 기판(140)은 방지층(142)을 더 포함한다. 방지층(142)은 도전층(141)과 일정 간격 떨어져 외부 기판(140)의 상부에 위치한다. 예를 들어, Ni, Pt, Pd, Rh, W, Ti, Al, Ag, Au, Cu 등과 같은 금속으로 형성될 수 있다. 방지층(142)이 금속으로 형성된 경우 도전층(141)과 떨어져 위치함으로써, 도전층(141)과의 접촉이 방지되어 쇼트 위험성이 낮아질 수 있다. 방지층(142)은 봉지재로 렌즈(130) 형성시 봉지재가 방지층(142)을 넘어서 형성되지 않도록 하는 경계턱 즉, 댐(dam)의 역할로 이용될 수 있으며, 방지층(142)은 생략될 수 있다. 방지층(142)은 제1 반도체 발광소자 칩(110)을 보호하는 렌즈(130)의 형태 유지에 좋도록 어느 정도 딱딱한 재질이 바람직하고, 크랙이나 갈라짐 방지에 효과적인 재질로 선택하는 것이 바람직하다.
외부 기판(140)에 실장된 제2 반도체 발광소자 칩(120)은 렌즈(130) 외부에 구비된다. 렌즈(130)의 하면(131)은 외부 기판(140)의 상면(143) 또는 도전층(141)에 접촉할 수 있고, 렌즈(130)가 접촉되지 않는 외부 기판(140)의 상면(143) 또는 도전층(141)에 제2 반도체 발광소자 칩(120)이 구비된다. 렌즈(130)를 통해 제1 반도체 발광소자 칩(110)에서 나간 자외선이 형성하는 지향각(A1)은 제2 반도체 발광소자 칩(120)에 자외선이 닿지 않도록 하는 것이 바람직하다. 제1 반도체 발광소자 칩(110)에서 나온 자외선이 제2 반도체 발광소자 칩(120)에 닿으면 제2 반도체 발광소자 칩(120)에 흡수될 수 있기 때문이다. 이때, 제1 반도체 발광소자 칩(110)에서 나가는 자외선의 지향각(A1)은 130~155°사이의 각도를 가지는 것이 바람직하다.
제1 반도체 발광소자 칩(110)과 제2 반도체 발광소자 칩(120)은 외부 기판(140)의 상면(143)에 구비되어 동시에 발광하도록 전기적으로 연결되는 것이 바람직하다. 반도체 발광소자(100)는 외부 기판(140)에 제1 반도체 발광소자 칩(110)과 제2 반도체 발광소자 칩(120)이 도전층(141)에 전기적으로 연결되어 면적이 작게 형성될 수 있다.
본 개시에 따른 반도체 발광소자(100)의 사이즈는 3500~6000um 사이이며, 렌즈(130)의 가장 높은 부분에서 제1 반도체 발광소자 칩(110)까지의 거리(D1)는 200~600um이며, 제1 반도체 발광소자 칩(110)에서 나오는 자외선이 렌즈(130)를 통과하면서 지향각(A1)을 형성하며, 지향각(A1)은 130~155°사이의 각도를 가진다.
도 6는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 6(a)는 반도체 발광소자(200)의 사시도를 보여주는 도면이며, 도 6(b)는 도 6(a)의 BB' 단면을 보여주는 도면이다.
외부 기판(240)에는 홈(242)이 더 형성될 수 있다. 홈(242)에 제2 반도체 발광소자 칩(220)이 구비된다. 제2 반도체 발광소자 칩(220)은 렌즈(230)에서 나가는 자외선의 지향각(A1)보다 밖에 구비되어야 하므로 제2 반도체 발광소자 칩(220)의 높이(H1)에 따라서, 홈(342)의 위치 및 홈(342)의 깊이(H2)가 결정될 수 있다. 즉, 제2 반도체 발광소자 칩(220)이 홈(342)에 삽입될 수 있다. 예를 들면, 홈(342)의 깊이(H2)가 제2 반도체 발광소자 칩(220)의 높이(H1)보다 깊으면, 제2 반도체 발광소자 칩(220)은 외부 기판(240)의 상면(243)보다 아래에 위치하므로 지향각(A1)의 각도에 상관없이 홈(342)은 렌즈(230)와 접촉하도록 형성될 수 있다.
홈(242)은 렌즈(230)보다 바깥쪽의 외부 기판(140)에 구비되어, 렌즈(230) 옆에 구비될 수 있다.
제2 반도체 발광소자 칩(220)은 제1 반도체 발광소자 칩(210)에서 나가는 자외선의 지향각(A1) 밖에 구비될 수 있으며, 자외선이 나가는 경로상에 제2 반도체 발광소자 칩(220)이 위치하지 않아서 자외선이 방해 없이 반도체 발광소자(200) 밖으로 출광될 수 있다.
따라서, 본 개시에 따른 홈(242)은 렌즈(230)와 근접하여 형성되므로, 반도체 발광소자(200)의 크기가 가장 작게 형성될 수 있다. 또한, 반도체 발광소자(200) 밖으로 나가는 자외선의 출광효율이 높아진다.
도 6에서 설명된 반도체 발광소자(200)는 도 6에서 설명한 것을 제외하고, 도 5에서 설명된 반도체 발광소자(100)와 실질적으로 동일하다.
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 7(a)는 반도체 발광소자(300)의 사시도의 일 예를 보여주는 도면이며, 도 7(b)는 도 7(a)의 CC' 단면을 보여주는 도면이다.
외부 기판(340)의 상면(343)에 홈(342)이 형성되고, 홈(342)에는 제2 반도체 발광소자 칩(320)이 구비된다. 홈(342)의 깊이(H2)는 제2 반도체 발광소자 칩(320)의 높이(H1)보다 깊은 것이 바람직하다. 제2 반도체 발광소자 칩(320)이 외부 기판(340)의 홈(342)에 삽입되어 제1 반도체 발광소자 칩(310)에서 나온 자외선을 흡수할 수 없기 때문이다.
홈(342)은 제1 반도체 발광소자 칩(310)을 둘러싸도록 폐회로를 형성한다.
홈(342)은 반도체 발광소자(300)의 중심 쪽에 형성되는 내측면(311)과 반도체 발광소자(300)의 바깥쪽에 형성되는 외측면(312)을 포함한다.
렌즈(330)는 봉지재로 형성될 수 있다. 봉지재는 자외선에 대한 투과율이 80%이상인 투광성 열가소성 수지로 형성될 수 있다. 봉지재는 외부 기판(340)의 상면(343)과 홈(342)의 내측면(311)에 의해 표면 장력을 형성할 수 있다. 이를 통해 봉지재가 홈(342)을 넘어서 형성되지 않도록 하는 댐 역할을 충분히 할 수 있다. 홈(342)에 의해 렌즈(330)의 크기가 한정될 수 있다. 홈(342)은 평면도상에서 원형으로 형성되었지만, 지향각(A1) 밖에 제2 반도체 발광소자 칩(320)이 위치할 수 있다면 홈(342)이 평면도상에서 사각형으로 형성될 수도 있다.
도 7에서 설명된 반도체 발광소자(300)는 도 7에서 설명한 것을 제외하고, 도 5에서 설명된 반도체 발광소자(100)와 실질적으로 동일하다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 반도체 발광소자에 있어서, 베이스, 제1 반도체 발광소자 칩의 전극 및 제2 반도체 발광소자 칩의 전극과 전기적으로 연결되는 도전층을 구비하는 외부 기판; 외부 기판에 구비되며, 전자와 정공의 재결합에 의해 자외선을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 제1 반도체 발광소자 칩; 제1 반도체 발광소자 칩을 감싸도록 형성되어, 제1 반도체 발광소자 칩에서 나온 자외선을 굴절시키는 렌즈;로서, 렌즈는 일정범위의 지향각을 형성하는 렌즈; 그리고, 외부 기판에 구비되며, 전자와 정공의 재결합에 의해 가시광선을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 제2 반도체 발광소자 칩;으로서, 제2 반도체 발광소자 칩은 렌즈에 의해 굴절된 지향각 밖에 위치하는 제2 반도체 발광소자 칩;을 포함하는 반도체 발광소자.
(2) 지향각은 130~155°을 가지는 반도체 발광소자.
(3) 외부 기판은 제2 반도체 발광소자 칩이 구비되는 홈;을 더 포함하는 반도체 발광소자.
(4) 홈은 제1 반도체 발광소자 칩을 둘러싸도록 형성되는 반도체 발광소자.
(5) 제2 반도체 발광소자 칩은 청색광을 발광하는 반도체 발광소자.
(6) 렌즈와 홈은 접하도록 형성되는 반도체 발광소자.
(7) 홈의 깊이는 제2 반도체 발광소자 칩의 높이 이상으로 형성되는 반도체 발광소자.
본 개시에 따른 반도체 발광소자에 의하면, 자외선의 출광효율 높다.
본 개시에 따른 또 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 자외선과 가시광선이 같이 나오는 반도체 발광소자에서 자외선의 지향각 밖에 제2 반도체 발광소자 칩이 위치하여 자외선 출광효율이 높다.
본 개시에 따른 또 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 렌즈에 의해 자외선의 지향각이 조절된다.
100,200,300:반도체 발광소자
110,210,310:제1 반도체 발광소자 칩
120,220,320:제2 반도체 발광소자 칩
130,230,330:렌즈 140,240,340:외부 기판 242,342:홈

Claims (7)

  1. 반도체 발광소자에 있어서,
    베이스, 제1 반도체 발광소자 칩의 전극 및 제2 반도체 발광소자 칩의 전극과 전기적으로 연결되는 도전층을 구비하는 외부 기판;
    외부 기판에 구비되며, 전자와 정공의 재결합에 의해 자외선을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 제1 반도체 발광소자 칩;
    제1 반도체 발광소자 칩을 감싸도록 형성되어, 제1 반도체 발광소자 칩에서 나온 자외선을 굴절시키는 렌즈;로서, 렌즈는 일정범위의 지향각을 형성하는 렌즈; 그리고,
    외부 기판에 구비되며, 전자와 정공의 재결합에 의해 가시광선을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 구비하는 제2 반도체 발광소자 칩;으로서, 제2 반도체 발광소자 칩은 렌즈에 의해 굴절된 지향각 밖에 위치하는 제2 반도체 발광소자 칩;을 포함하며,
    외부 기판은 제2 반도체 발광소자 칩이 구비되는 홈을 더 포함하며,
    홈은 제1 반도체 발광소자 칩을 둘러싸도록 형성되는 반도체 발광소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    지향각은 130~155°을 가지는 반도체 발광소자.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 청구항 1에 있어서,
    제2 반도체 발광소자 칩은 청색광을 발광하는 반도체 발광소자.
  6. 청구항 1에 있어서,
    렌즈와 홈은 접하도록 형성되는 반도체 발광소자.
  7. 청구항 6에 있어서,
    홈의 깊이는 제2 반도체 발광소자 칩의 높이 이상으로 형성되는 반도체 발광소자.
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