KR101125456B1 - 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛 - Google Patents

발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛 Download PDF

Info

Publication number
KR101125456B1
KR101125456B1 KR1020090128528A KR20090128528A KR101125456B1 KR 101125456 B1 KR101125456 B1 KR 101125456B1 KR 1020090128528 A KR1020090128528 A KR 1020090128528A KR 20090128528 A KR20090128528 A KR 20090128528A KR 101125456 B1 KR101125456 B1 KR 101125456B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
light
emitting device
emitting diode
cavity
Prior art date
Application number
KR1020090128528A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110071852A (ko
Inventor
장기연
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020090128528A priority Critical patent/KR101125456B1/ko
Publication of KR20110071852A publication Critical patent/KR20110071852A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101125456B1 publication Critical patent/KR101125456B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

실시예는 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛에 관한 것으로서, 실시예에 따른 발광소자는, 몸체; 상기 몸체에 배치되는 전극; 상기 몸체에 형성되며 수평면에 대해 경사도를 갖는 경사면을 포함하는 안착부; 상기 경사면에 실장되어 상기 전극에 전기적으로 연결되는 발광다이오드를 포함한다.
발광소자, LED 패키지, 지향각

Description

발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛{LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT UNIT USING THE SAME}
실시예는 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛에 관한 것이다.
발광다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광소자이다. 최근 발광다이오드는 형광 물질을 이용하거나 다양한 색의 발광다이오드를 조합함으로써 효율이 우수한 백색 광을 발광하는 발광소자로 구현이 가능하다.
또한, 발광다이오드를 이용한 발광소자의 휘도도 점차 증가하고 있어, 디스플레이용 백라이트, 점등 표시기, 영상 표시기 등의 다양한 분야에 광원으로 사용되고 있다.
실시예는 패키지 내에서 지향각 조정이 가능한 발광소자를 제공한다.
실시예는 발광소자의 개수를 절감할 수 있는 라이트 유닛을 제공한다.
실시예에 의한 발광소자는, 몸체; 상기 몸체에 배치되는 전극; 상기 몸체에 형성되며 수평면에 대해 경사도를 갖는 경사면을 포함하는 안착부; 상기 경사면에 실장되어 상기 전극에 전기적으로 연결되는 발광다이오드를 포함한다.
다른 실시예에 의한 발광소자는, 몸체; 상기 몸체의 표면에 절연층; 상기 절연층 상에 형성된 적어도 하나의 전극; 상기 몸체에 형성되며 수평면에 대해 경사도를 갖는 경사면을 포함하는 안착부; 상기 경사면에 실장되어 상기 전극에 전기적으로 연결되는 발광다이오드를 포함한다.
실시예에 의한 라이트 유닛은, 광을 가이드 하는 도광판; 상기 도광판에 상기 광을 공급하는 하나 이상의 발광소자를 포함하며, 상기 발광소자 중 적어도 하나 이상의 발광소자는 소정 방향으로 편중된 지향각을 갖는다.
실시예에 의하면, 패키지 내에서 지향각 조정이 가능한 발광소자를 제공할 수 있다.
실시예에 의하면, 발광소자의 개수가 절감됨 라이트 유닛을 제공할 수 있다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛에 대해서 상세하게 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 1은 제1실시예에 따른 발광소자의 단면도이고, 도 2는 제2실시예에 따른 발광소자의 단면도로서, 리드 프레임 패키지(Lead farm package) 타입의 발광소자에 본 실시예를 적용한 경우를 예시한 것이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 제1실시예에 따른 발광소자(100)는, 발광다이오드(140)가 안착되는 캐비티(113)가 형성된 몸체(120)와, 몸체(120) 내에 배치되어 발광다이오드(140)와 전기적으로 연결되는 제1전극(130) 및 제2전극(132)과, 캐비티(113) 내에 발광다이오드(140)의 안착을 위한 경사면을 형성하여 발광다이오드(140)와 열적(Thermally)으로 연결되는 방열부재(110)를 포함한다. 여기서, 발광소자(100)가 안착된 캐비티(113)는 봉지재(미도시)를 이용하여 밀봉할 수 있다.
몸체(120)의 상부에는 발광다이오드(140)가 안착되는 캐비티(113)가 형성될 수 있다. 이러한 몸체(120)는 세라믹, 실리콘, 수지 등의 다양한 재질로 형성하는 것이 가능하다. 몸체(120)는 사출 성형 방식을 이용하여 일체로 형성하거나, 다수개의 층을 적층하여 형성할 수 있다.
캐비티(113)는 컵 형상이나, 다각형, 타원형, 원형 등의 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있다. 여기서, 캐비티(113)의 둘레면은 안착된 발광다이오드(140)의 배광 각도를 고려하여 수직한 측면 또는 경사진 측면으로 형성될 수 있다. 몸체(120)가 다수 개의 층이 적층되어 형성된 경우, 캐비티(113)는 패터닝, 펀칭, 절단 공정 또는 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있다. 또한, 몸체(120)가 사출 성형 방식으로 형성된 경우, 캐비티(113)는 몸체(120) 및 캐비티(113)의 형상을 본뜬 금속 틀에 의해 형성될 수 있다. 캐비티(113)의 표면에는 반사 효과가 높은 물질, 예를 들어 백색의 PSR(Photo Solder Resist) 잉크, 은(Ag), 알루미늄(Al) 등이 코팅 또는 도포될 수 있으며, 이에 따라 발광소자(100)의 발광 효율이 향상될 수 있다.
제1,2 전극(130, 132)의 일단은 발광다이오드(140)와 전기적으로 연결되고, 그 타단은 발광소자(100)가 실장되는 기판(미도시) 등에 전기적으로 연결되어 발광다이오드(140)에 전원을 공급할 수 있다. 이에, 제1, 2 전극(130, 132)은, 그 일단이 발광다이오드(140)가 안착된 몸체(120) 내에 배치되고 타단은 몸체(120)의 외측 하단으로 노출되도록 형성될 수 있다. 이러한, 제1, 2 전극(130, 132)의 형상은 도면에 도시된 형상에 한정되지 아니하며, 몸체(120)를 감싸는 형상이나, 타단이 여러 갈래로 분기되는 형상 등, 다양한 형태로 변형될 수 있다.
발광다이오드(140)는 다이(die)(144) 상에 발광 칩(chip)(142)이 형성된 형 태로 제공될 수 있다. 발광다이오드(140)는, 적색, 녹색 또는 청색의 빛을 방출하는 적색, 녹색 또는 청색 발광다이오드 중 적어도 어느 하나 일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
방열부재(110)는 열 전도율이 양호한 금속, 수지 등의 재질로 형성되어 발광다이오드(140)와 열적(Thermally)으로 연결된다. 상기 방열부재(110)는 몸체(120)를 관통하며, 상면은 캐비티를 가지고, 하면은 상기 몸체(120)의 밑면과 동일면 상에 형성된다.
상기 방열부재(110)는 상기 캐비티 내의 수평면으로부터 돌출되며, 상기 캐비티의 수평면에 대하여 경사면을 가지며, 상기 발광다이오드(140)를 안착하는 안착부(115)를 포함한다. 방열부재(110)의 안착부(115)에 발광다이오드(140)를 부착하면, 발광다이오드(140)는 안착부(115)의 경사도에 따라 발광소자(100)의 수평면에 대해 경사를 갖는 형태로 고정된다.
제1실시예에 따른 발광소자(100)의 경우, 안착부(115)의 경사면이 왼쪽(Left, L)보다 오른쪽이(Right, R)이 높게 형성된 경우를 예시하고 있다. 이에, 안착부(115)에 발광다이오드(140)를 안착시키면, 발광다이오드(140)의 광 조사방향이 중심선을 기준으로 왼쪽(L) 방향으로 기울게 된다. 여기서, 안착부(115)의 경사도가 커질수록 광 지향각은 중심선으로부터 왼쪽(L) 방향으로 편중된다. 따라서, 안착부(115)의 경사 방향을 조정함으로써 광 조사방향을 조정할 수 있으며, 안착부(115)의 경사도를 조정함으로써 광 지향각을 원하는 각도로 조정하는 것이 가능하다.도 2는 제2실시예에 따른 발광소자(100)의 단면도로서, 제1실시예에 따른 발광소자(100)와는 다른 지향각을 갖는 발광소자(100)를 예시한 것이다. 제2실시예를 설명함에 있어서, 제1실시예와 동일한 구성에 대해서는 제1실시예를 참조하여 중복 설명은 생략하기로 한다.
제2실시예에 따른 발광소자(100)는 발광다이오드(140)가 안착되는 경사면이 오른쪽을 향하도록 형성된 경우를 예시하고 있다. 이에, 안착부(115)에 발광다이오드(140)를 안착시키면, 발광다이오드(140)의 광 조사방향이 중심선을 기준으로 오른쪽(R) 방향으로 기울게 된다. 여기서, 안착부(115)의 경사도의 크기가 커질 수록 광 지향각은 중심선으로부터 오른쪽(R) 방향으로 편중된다.
이상, 제1실시예 및 제2실시예에 예시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 발광소자(100)는 발광다이오드(140)가 수평면에 대해 소정 경사를 갖고 안착되도록 하고 있다. 이에, 발광소자(100)의 구조에 큰 변화를 주지 아니하고도 발광소자(100) 자체적으로 광 조사방향과 광 지향각을 조절할 수 있다.
도 3은 제3실시예에 따른 발광소자의 단면도이고, 도 4는 제4실시예에 따른 발광소자의 단면도로서, 렌즈부를 갖는 리드 프레임 패키지(Lead farm package) 타입의 발광소자에 본 실시예를 적용한 경우를 예시한 것이다. 제3실시예 및 제4실시예를 설명함에 있어서, 제1 및 제2실시예와 동일한 구성에 대해서는 기 설명한 내용을 참조하여 중복된 설명은 생략하기로 한다.
제3실시예 및 제4실시예에 따른 발광소자(100)는, 몸체(120)와, 몸체(120) 내에 배치되어 발광다이오드(140)와 전기적으로 연결되는 제1전극(130) 및 제2전극(132)과, 캐비티(113) 내에 발광다이오드(140)의 안착을 위한 경사면을 형성하여 발광다이오드(140)와 열적(Thermally)으로 연결되는 방열부재(110)를 포함하며, 발광다이오드(140)가 안착된 몸체(120)의 발광 영역에는 광을 산란 시키거나 집광할 수 있는 렌즈부(160)가 형성될 수 있다.
캐비티(113)는 투광성 봉지재(미도시)를 이용하여 밀봉할 수 있으며, 봉지재에는 발광다이오드(140)에서 방출된 광을 소정 색상을 갖는 광으로 방출시키는 형광물질이 첨가될 수 있다.
렌즈부(160)는 발광다이오드(140) 상에 배치되어 발광다이오드(140)에서 방출된 빛의 지향각을 변화시킬 수 있다. 렌즈부(160)는 발광다이오드(140)와 직접 접촉하거나 발광다이오드(140)로부터 이격 되어 배치될 수 있으며, 광을 산란 혹은 집광시키기 위한 형상을 갖는다. 예컨대, 렌즈부(160)는 상면이 볼록한 반구 형태로 형성되거나, 볼록한 상면에 오목한 함몰부를 갖는 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 발광다이오드(140)가 안착된 경사 방향 및 경사도에 따라, 발광면에 대응되는 영역만 돌출되거나 함몰되는 비대칭형 반구 형태로 형성하는 것도 가능하다. 이러한 렌즈부(160)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 광투과성 수지 물질을 포함하여 형성될 수 있으며, 적어도 일부분에 형광체를 포함하는 것도 가능하다.
제3실시예에 따른 발광소자(100)는 안착부(115)의 경사면이 왼쪽 방향을 향하도록 형성된 것이고, 제4실시예에 따른 발광소자(100)는 안착부(115)의 경사면이 오른쪽 방향을 향하도록 형성된 경우를 예시하고 있다.
이에, 안착부(115)에 발광다이오드(140)를 안착시키면, 발광다이오드(140)의 광 조사방향이 중심선을 기준으로 왼쪽(L) 방향 혹은 오른쪽(R) 방향으로 기울게 된다. 또한, 안착부(115)의 경사도의 크기에 따라 광 지향각의 크기를 조절할 수 있다.
안착부(115)에 실장된 발광다이오드(140)에서 출광된 광은 렌즈부(160)에 의 해 산란 혹은 집광되어 발산될 수 있다.
도 5는 제5실시예에 따른 발광소자의 단면도이고, 도 6은 제6실시예에 따른 발광소자의 단면도로서, 웨이퍼 레벨 패키지(Wafer level package) 타입의 발광소자에 본 실시예를 적용한 경우를 예시한 것이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제5실시예에 따른 발광소자(200)는, 발광다이오드(240)가 안착되는 캐비티(213)가 형성된 몸체(210)와, 몸체(210)의 표면에 형성된 절연층(212)과, 몸체(210) 상에 배치되어 발광다이오드(240)와 전기적으로 연결되는 제1전극(220) 및 제2전극(222)과, 절연층(212)의 상면에 적어도 일부 영역에 형성되어 발광다이오드(240)의 방출광을 반사시키는 반사층(230)과, 몸체(210)의 캐비티(213) 내에 발광다이오드(240)의 안착을 위한 경사면을 제공하는 안착부(215)를 포함한다. 여기서, 발광소자(200)가 안착된 캐비티(213)는 봉지재(미도시)를 이용하여 밀봉할 수 있다.
몸체(210)의 상부에는 발광다이오드(240)가 안착되는 캐비티(213)가 형성될 수 있다. 이러한 몸체(210)는 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 알루미늄 옥사이드(AlOx), PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO) 등의 다양한 재질로 형성하는 것이 가능하다.
캐비티(213)는 컵 형상이나, 다각형, 타원형, 원형 등의 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있다. 여기서, 캐비티(213)의 둘레면은 안착된 발광다이오드(240)의 배광 각도를 고려하여 수직한 측면 또는 경사진 측면으로 형성될 수 있다. 캐비티(213)는 몸체(210)의 재질에 따라 다양한 방법으로 형성이 가능하다. 예 컨대, 몸체(210)가 실리콘(Si) 재질로 형성된 경우, 습식 식각(Wet Etching)을 실시하여 캐비티(213)를 형성할 수 있다.
절연층(212)은 몸체(210)가 제1,2 전극(220, 222), 반사층(230) 또는 외부 전원 등과 전기적으로 쇼트되는 것을 방지한다. 이러한 절연층(212)은, 실리콘 옥사이드(Si02, SixOy), 실리콘 나이트 라이드(Si3N4, SixNy), 실리콘 옥시 나이트 라이드(SiOxNy), 알루미늄 옥사이드(Al2O3)등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있으며, 바람직하게는 실리콘 옥사이드(SiO2, SixOy)로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 몸체(210) 자체가 알루미늄 나이트 라이드(AlN), 알루미늄 옥사이드(AlOx)등의 절연체로 형성되는 경우, 절연층(212)은 형성되지 않을 수도 있다.
제1 전극(220) 및 제2 전극(222)은 절연층(212) 상에 형성되어 발광다이오드(240)에 전원을 공급할 수 있다. 제1 전극(220) 및 제2 전극(222)은 양극과 음극으로 전기적으로 분리되어 형성될 수 있으며, 둘 이상 복수개의 전극을 형성하는 것도 가능하다.
반사층(230)은 발광다이오드(240)의 방출광을 효율적으로 반사시킬 수 있는 위치, 예를 들어, 몸체(210)의 캐비티(213) 내부에 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이러한 반사층(230)은 다층 구조를 가질 수 있으며, 예를 들어, 티타늄(Ti) 및 은(Ag)이 순차적으로 적층된 Ti/Ag층 일 수 있다.
발광다이오드(240)는 다이(die)(244) 상에 발광 칩(chip)(242)이 형성된 형 태로 제공될 수 있다. 발광다이오드(240)는, 적색, 녹색 또는 청색의 빛을 방출하는 적색, 녹색 또는 청색 발광다이오드 중 적어도 어느 하나 일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
안착부(215)는 캐비티(213) 내의 절연층(212) 상에 형성되어 발광다이오드(240)의 안착을 위한 경사면을 제공할 수 있다. 안착부(215)에 발광다이오드(240)를 부착하면, 발광다이오드(240)는 안착부(215)의 경사도에 따라 발광다이오드(240)의 수평면에 대해 경사를 갖는 형태로 고정된다.
제5실시예에 따른 발광소자(200)의 경우, 안착부(215)의 경사면이 왼쪽(Left)보다 오른쪽이(Right)이 높게 형성된 경우를 예시하고 있다. 이에, 안착부(215)에 발광다이오드(240)를 안착시키면, 발광다이오드(240)의 광 조사방향이 중심선을 기준으로 왼쪽(L) 방향으로 기울게 된다. 여기서, 안착부(215)의 경사도의 크기가 커질 수록 광 지향각은 중심선으로부터 왼쪽(L) 방향으로 편중된다. 따라서, 안착부(215)의 경사 방향을 조정함으로써 광 조사방향을 조정할 수 있으며, 안착부(215)의 경사도를 조정함으로써 광 지향각을 원하는 각도로 조정하는 것이 가능하다.
도 6은 제6실시예에 따른 발광소자(200)의 단면도로서, 제5실시예에 따른 발광소자(200)와는 다른 지향각을 갖는 발광소자(200)를 예시한 것이다. 제6실시예를 설명함에 있어서, 제5실시예와 동일한 구성에 대해서는 제5실시예를 참조하여 중복 설명은 생략하기로 한다.
제6실시예에 따른 발광소자(200)는 발광다이오드(240)가 안착되는 경사면이 오른쪽 방향을 향하도록 형성된 경우를 예시하고 있다. 이에, 안착부(215)에 발광다이오드(240)를 안착시키면, 발광다이오드(240)의 광 조사방향이 중심선을 기준으로 오른쪽(R) 방향으로 기울게 된다. 여기서, 안착부(215)의 경사도의 크기가 커질 수록 광 지향각은 중심선으로부터 오른쪽(R) 방향으로 편중된다.
이상, 제5실시예 및 제6실시예에 예시된 바와 같이, 본 실시예에 따르면 웨이퍼 레벨 패키지 타입의 발광소자(200)의 경우에도, 발광다이오드(240)가 수평면에 대해 소정 경사를 갖고 안착되도록 하고 있다. 이에, 발광소자(200)의 구조에 큰 변화를 주지 아니하고도 발광소자 자체적으로 광 조사방향과 광 지향각을 조절할 수 있다.
도 7은 제7실시예에 따른 발광소자의 단면도이고, 도 8은 제8실시예에 따른 발광소자의 단면도로서, 렌즈부를 갖는 웨이퍼 레벨 패키지(Wafer level package) 타입의 발광소자에 본 실시예를 적용한 경우를 예시한 것이다. 제7실시예 및 제8실시예를 설명함에 있어서, 제5 및 제6 실시예와 동일한 구성에 대해서는 기 설명한 내용을 참조하여 중복된 설명은 생략하기로 한다.
제7실시예 및 제8실시예에 따른 발광소자(200)는, 몸체(210)의 캐비티(213) 내에 발광다이오드(240)의 안착을 위한 경사면을 제공하는 안착부(215)를 포함하며, 발광소자(200)가 안착된 캐비티(213)의 발광 영역에는 광을 산란 시키거나 집광할 수 있는 렌즈부(260)가 형성될 수 있다.
캐비티(213)는 투광성 봉지재(미도시)를 이용하여 밀봉할 수 있으며, 봉지재에는 발광다이오드(240)에서 방출된 광을 소정 색상을 갖는 광으로 방출시키는 형 광물질이 첨가될 수 있다.
렌즈부(260)는 발광다이오드(240) 상에 배치되어 발광다이오드(240)에서 방출된 빛의 지향각을 변화시킬 수 있다. 렌즈부(260)는 발광소자(200)와 직접 접촉하거나 발광다이오드(240)로부터 이격 되어 배치될 수 있으며, 광을 산란 혹은 집광시키기 위한 형상을 갖는다. 예컨대, 렌즈부(260)는 상면이 볼록한 반구 형태로 형성되거나, 볼록한 상면에 오목한 함몰부를 갖는 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 발광다이오드(240)가 안착된 경사 방향 및 경사도에 따라, 발광면에 대응되는 영역만 돌출되거나 함몰되는 비대칭형 반구 형태로 형성하는 것도 가능하다. 이러한 렌즈부(260)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 광투과성 수지 물질을 포함하여 형성될 수 있으며, 적어도 일부분에 형광체를 포함하는 것도 가능하다.
제7실시예에 따른 발광소자(200)는 안착부(215)의 경사면이 왼쪽 방향을 향하도록 형성된 것이고, 제8실시예에 따른 발광소자(200)는 안착부(215)의 경사면이 오른쪽 방향을 향하도록 형성된 경우를 예시하고 있다.
이에, 안착부(215)에 발광다이오드(240)를 안착시키면, 발광다이오드(240)의 광 조사방향이 중심선을 기준으로 왼쪽(L) 방향 혹은 오른쪽(R) 방향으로 기울게 된다. 또한, 안착부(215)의 경사도의 크기에 따라 광 지향각의 크기를 조절할 수 있다.
안착부(215)에 실장된 발광다이오드(240)에서 출광된 광은 렌즈부(260)에 의해 산란 혹은 집광되어 발산될 수 있다.
도 9는 제9실시예에 따른 발광소자의 단면도이고, 도 10은 제10실시예에 따 른 발광소자(300)의 단면도로서, 기판(310) 위에 발광다이오드(340)를 칩 형태로 탑재하는 COB(Chip of board) 타입의 발광소자에 본 실시예를 적용한 경우를 예시한 것이다.
도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 발광소자(300)는, 기판(310)과, 기판(310) 상에 발광다이오드(340)의 안착을 위한 경사면을 제공하는 안착부(315)와, 발광다이오드(340)를 밀봉하는 수지물(360)을 포함하며, 발광다이오드(340)는 와이어(미도시)를 통해 기판(310) 상에 전기적으로 접속될 수 있다.
기판(310)은 단층 PCB, 다층 PCB, FPCB, 세라믹 기판, 금속 기판 등의 다양한 기판을 적용할 수 있다. 기판(310)에는 전원 공급을 위한 리드 프레임 혹은 전극층이 패터닝될 수 있으며, 반사층을 형성하는 것도 가능하다. 또한, 기판(310)에 발광다이오드(340)의 안착을 위한 캐비티를 형성하는 것도 가능하다.
발광다이오드(340)는 다이(die)(344) 상에 발광 칩(chip)(344)이 형성된 형태로 제공될 수 있다. 발광다이오드(340)는 기판(310) 위에 복수개가 횡 방향 또는/및 종 방향으로 다수개가 배열될 수 있으며, 기판(310)과는 전기적으로 연결된다. 발광다이오드(340)는 기판(310) 상에, 와이어, 플립 방식 또는 다이 본딩 방식 등을 이용하여 고정시킬 수 있다. 발광다이오드(340)는, 적색, 녹색 또는 청색의 빛을 방출하는 적색, 녹색 또는 청색 발광다이오드 중 적어도 어느 하나 일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
안착부(315)는 기판(310) 상에 형성되어 발광다이오드(340)의 안착을 위한 경사면을 제공할 수 있다. 안착부(315)에 발광다이오드(340)를 부착하면, 발광다이 오드(340)는 안착부(315)의 경사도에 따라 수평면에 대해 경사를 갖는 형태로 고정된다. 이러한 안착부(315)는 기판(310) 자체를 가공하여 실장영역이 경사면을 갖도록 돌출시키거나, 혹은, 발광다이오드(340)의 접속이 가능한 소정 구조물을 부착하여 형성하는 것이 가능하다.
제9실시예에 따른 발광소자(300)의 경우, 안착부(315)의 경사면이 왼쪽(Left)보다 오른쪽이(Right)이 높게 형성된 경우를 예시하고 있다. 이에, 안착부(315)에 발광다이오드(340)를 안착시키면, 발광다이오드(340)의 광 조사방향이 중심선을 기준으로 왼쪽(L) 방향으로 기울게 된다. 여기서, 안착부(315)의 경사도의 크기가 커질 수록 광 지향각은 중심선으로부터 왼쪽(L) 방향으로 편중된다.
제10실시예에 따른 발광소자(300)는 발광다이오드(340)가 안착되는 경사면이 오른쪽 방향을 향하도록 형성된 경우를 예시하고 있다. 이에, 안착부(315)에 발광다이오드(340)를 안착시키면, 발광다이오드(340)의 광 조사방향이 중심선을 기준으로 오른쪽(R) 방향으로 기울게 된다. 여기서, 안착부(215)의 경사도의 크기가 커질 수록 광 지향각은 중심선으로부터 오른쪽(R) 방향으로 편중된다.
안착부(315)에 안착된 발광다이오드(340)는 수지물(360)에 의해 밀봉될 수 있다. 수지물(360)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 투명한 수지를 이용하여, 반구형 형상 또는 볼록 렌즈 형상으로 등으로 형성될 수 있으며, 이러한 재질 및 형상은 발광소자(300)의 설계방식에 따라 변경될 수 있다. 또한, 수지물(360)의 적어도 일 영역에는 발광소자(300)의 발광 특성을 변화시키는 형광체가 혼합될 수 있다.
이상, 제9실시예 및 제10실시예에 예시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 COB 타입의 발광소자(300)는, 기판(310) 상에 경사를 갖는 안착부(315)를 형성하여 발광다이오드(340)가 발광소자(300)의 수평면에 대해 소정 경사를 갖고 안착되도록 하고 있다. 이에, 발광소자(300)의 구조에 큰 변화를 주지 아니하고도 발광소자 자체적으로 광 조사방향과 광 지향각을 조절할 수 있다.
도 11은 실시예에 따른 발광소자의 광 조사 상태도이다.
도 11의 (a)는 종래 기술에 따라 발광소자에 발광다이오드(140)를 실장한 경우, 광 조사 상태를 도시하고 있다. (a)에 도시된 바와 같이, 발광다이오드(140)를 수평면과 평행하게 실장한 경우 광의 조사방향은 수직인 방향으로 집중되고 광 지향각은 110°~ 130°정도로 발산된다. 예시된 도면에는 120°의 지향각을 갖는 경우를 도시하고 있다..
도 11의 (b)는 본 실시예에 따라, 발광다이오드(140)를 경사를 갖는 안착부(115)에 실장한 경우 광 조사 상태를 도시하고 있다. (b)에 도시된 바와 같이, 발광다이오드(140)가 수평면에 대해 θ°만큼 경사지게 실장된 경우, 광의 조사방향은 중심선을 기준으로 θ°만큼 이동한다. 경사면의 방향이 좌측(L)인지 혹은 우측(R)인지에 따라 광의 조사방향은 좌(L)/우(R) 방향으로 조정될 수 있다.
또한, 안착부(115)의 경사도가 변동되는 경우 광 지향각이 조절될 수 있다. 예컨대, 수평면에 평행하게 실장된 발광다이오드(140)의 경우 중심선을 기준으로 광 지향각이 좌우 각각 60°의 각도로 발산된다. 발광다이오드(140)가 좌측(L)으로 θ°만큼 경사지게 실장되면, 중심선을 기준으로 좌측(L)의 지향각은 60°+θ°로 증가되고, 우측(R)의 지향각은 60°-θ°로 증가된다. 이에, 안착부(115)의 경사도 θ°를 조절하여 원하는 지향각을 얻을 수 있다.
한편, 안착부(115)의 경사도가 30°로 형성되면, 발광다이오드(140)의 광은 중심선을 기준으로 일측은 90°방향, 타측은 30°방향까지 조사된다. 여기서, 경사도가 30°이상이 되면 오히려 광이 손실되는 결과를 초래할 수 있다. 따라서, 경사도가 0°보다는 크되, 30°보다는 작거나 같도록 형성하는 경우 광 손실을 방지할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따른 발광소자는 발광다이오드(140)가 수평면에 대해 소정 경사를 갖고 안착되도록 하고 있다. 상술한 설명에서는 수평형 발광다이오드에 본 실시예를 적용한 경우를 예시하고 있지만, 수직형 발광다이오드에도 물론 적용이 가능하다.
도 12는 실시예에 따른 라이트 유닛(500)의 구성도이고, 도 13은 도 12의 라이트 유닛(500)의 요부 확대도이다.
도 12에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 라이트 유닛(500)은 광을 가이드 하는 도광판(510)과, 도광판(510)에 광을 공급하며 적어도 하나 이상의 지향각이 다른 발광소자를 포함하는 광원(520)을 포함한다.
도광판(510)은 일 측면에 배열된 발광소자가 제공하는 광을 제공받아 반사, 굴절 및 산란 시켜 평면광으로 변화시킨다. 도광판(510)은 측면으로 입사된 광을 전면을 통해 평면광으로 제공할 수 있다. 이러한 도광판(510)은 폴리카보네이트-계열 레진(polycarbonate-serises resin, PC), 폴리메틸메타크릴레이트-계열 레진(polymethylmethacrylate-serises resin, PMMA), 메타크릴레이트-스틸렌 코폴리 머(methacrylate-styrene copolymer, MS) 등의 물질로 형성될 수 있다.
광원(520)은 복수개의 발광소자(A, B, C, D)를 포함하여 도광판(510)의 측면에 배열되어 도광판(510)에 광을 제공한다. 각 발광소자(A, B, C, D)는 배열 위치에 따라 각기 다른 지향각을 갖는다.
발광소자(A, B, C, D) 중 도광판(510)의 중앙 영역에 배열된 발광소자 B 및 발광소자 C는 지향각을 조절하지 아니하여도 도광판(510) 측으로 광이 전달된다.
반면, 도광판(510)의 양단에 배열된 발광소자 A 및 발광소자 D는 도광판(510)의 외곽으로 광이 누출되는 것을 방지하기 위해, 지향각이 도광판(510)의 중심 방향으로 설정된다.
여기서, 각 발광소자(A, B, C, D)의 패키지는 동일한 평면상에 실장되나, 소자 내의 발광다이오드는 수평면에 따라 각기 다른 지향각의 광을 발산한다. 따라서, 발광소자(A, B, C, D)의 설계 팩터는 변경하지 아니한 상태에서, 각 발광소자(A, B, C, D)의 지향각을 조절하는 것이 가능하다.
도 13은 도 12의 라이트 유닛(500)의 요부 확대도로서, 도광판(510)의 양단에 배열된 발광소자 A 및 발광소자 D의 광 조사 상태와 실장 상태를 도시한 것이다.
도 13에 도시된 바와 같이, 발광소자 A 및 D는 도광판(510)의 양단에 배열됨으로 발광소자 내의 발광다이오드가 도광판(510)의 중심 방향으로 θ°만큼 경사지게 실장한다. 이에, 발광소자 자체는 모두 동일한 평면상에 실장되나, 실제 빛을 발산하는 발광다이오드는 경사지게 배열될 수 있다.
양단의 발광소자 A 및 D는 광의 조사방향이 도광판(510)의 중심 측으로 향하게 되어 도광판(510)의 외곽으로 광이 누출되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 발광소자 A 및 D에 의해 도광판(510)의 중심 측으로 더 많은 광이 공급됨으로, 발광소자 A 와 이웃한 발광소자 B는 상대적으로 넓은 이격 간격을 가지고 배열될 수 있다. 발광소자 D와 이웃한 발광소자 C 또한 상대적으로 넓은 이격 간격을 가지고 배열될 수 있다. 이에 따라, 라이트 유닛(500)에 배열되는 발광소자의 개수를 줄일 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 실시예에 따른 라이트 유닛(500)은 도광판(510)에서의 배열 위치에 따라 각기 다른 지향각을 갖는 발광소자를 배열한다. 이에, 도광판(510)의 외부로 광이 누출되는 것을 방지하여 광효율을 향상시킬 수 있으며, 상대적으로 적은 개수의 발광소자를 이용하여 라이트 유닛(500)을 구성할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 제1실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.
도 2는 제2실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.
도 3은 제3실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.
도 4는 제4실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.
도 5는 제5실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.
도 6은 제6실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.
도 7은 제7실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.
도 8은 제8실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.
도 9는 제9실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.
도 10은 제10실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.
도 11은 실시예에 따른 발광소자의 광 조사 상태도이다.
도 12는 실시예에 따른 라이트 유닛의 구성도이다.
도 13은 실시예에 따른 라이트 유닛의 광 조사 상태도이다.

Claims (18)

  1. 몸체;
    상기 몸체에 배치되는 전극;
    상기 몸체를 관통하며, 상면은 캐비티를 가지며, 하면은 상기 몸체의 밑면과 동일면 상에 형성되는 방열부재; 및
    상기 방열부재 위에 실장되어 상기 전극에 전기적으로 연결되는 발광다이오드;
    를 포함하며,
    상기 방열부재는 상기 캐비티 내의 수평면으로부터 돌출되며, 상기 캐비티의 수평면에 대하여 경사도를 가지며, 상기 발광다이오드를 안착하는 안착부를 포함하는 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 안착부는 상기 방열부재와 일체로 형성되어 있는 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 방열부재는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성된 발광소자.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 안착부는,
    상기 발광 소자의 수평면에 대해 0°보다 크고 30°보다는 작거나 같은 경사도를 갖는 발광소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 발광다이오드는 110°~130°의 지향각을 갖는 발광소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 발광다이오드 상에 형성된 렌즈부를 포함하는 발광소자.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 광을 가이드 하는 도광판; 및
    상기 도광판에 상기 광을 공급하며, 몸체, 상기 몸체에 배치되는 전극, 상기 몸체를 관통하고, 상면은 캐비티를 가지며, 하면은 상기 몸체의 밑면과 동일면 상에 형성되는 방열부재 및 상기 방열부재 위에 실장되어 상기 전극에 전기적으로 연결되는 발광다이오드를 포함하고, 상기 캐비티 내의 수평면으로부터 돌출되고, 상기 캐비티의 수평면에 대하여 경사도를 가지며, 상기 발광다이오드를 안착하는 안착부가 형성되어 있는 하나 이상의 발광소자
    를 포함하며,
    상기 발광소자 중 적어도 하나 이상의 발광소자는 소정 방향으로 편중된 지향각을 가지는
    라이트 유닛.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 도광판의 양단에 배열되는 상기 발광소자는 상기 도광판의 중심 방향으로 편중된 지향각을 갖는 라이트 유닛.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 도광판의 중앙에 배열되는 상기 발광소자는 균일한 방향의 지향각을 갖는 라이트 유닛.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 안착부는 방열부재와 일체로 형성되어 있는 라이트 유닛.
  18. 삭제
KR1020090128528A 2009-12-21 2009-12-21 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛 KR101125456B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090128528A KR101125456B1 (ko) 2009-12-21 2009-12-21 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090128528A KR101125456B1 (ko) 2009-12-21 2009-12-21 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110071852A KR20110071852A (ko) 2011-06-29
KR101125456B1 true KR101125456B1 (ko) 2012-03-27

Family

ID=44402845

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090128528A KR101125456B1 (ko) 2009-12-21 2009-12-21 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101125456B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150001025A (ko) 2013-06-26 2015-01-06 삼성디스플레이 주식회사 광원 어셈블리, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006093359A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Koha Co Ltd 発光装置
JP2009004443A (ja) * 2007-06-19 2009-01-08 Sharp Corp Ｌｅｄ発光装置、ｌｅｄ表示装置、およびｌｅｄ発光装置の製造方法
KR20090099785A (ko) * 2008-03-18 2009-09-23 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지, 이를 구비한 백라이트 유닛 및액정표시장치
KR20110001079A (ko) * 2009-06-29 2011-01-06 서울반도체 주식회사 경사형 ｌｅｄ 패키지 및 그것을 포함하는 백라이트 유닛

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006093359A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Koha Co Ltd 発光装置
JP2009004443A (ja) * 2007-06-19 2009-01-08 Sharp Corp Ｌｅｄ発光装置、ｌｅｄ表示装置、およびｌｅｄ発光装置の製造方法
KR20090099785A (ko) * 2008-03-18 2009-09-23 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지, 이를 구비한 백라이트 유닛 및액정표시장치
KR20110001079A (ko) * 2009-06-29 2011-01-06 서울반도체 주식회사 경사형 ｌｅｄ 패키지 및 그것을 포함하는 백라이트 유닛

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110071852A (ko) 2011-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101081069B1 (ko) 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛
KR101039881B1 (ko) 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛
US8525211B2 (en) Light emitting device package and a lighting unit with base having via hole
KR101937643B1 (ko) 발광 모듈, 램프, 조명기구 및 디스플레이 장치
US8158996B2 (en) Semiconductor light emitting device package
JP2009252898A (ja) 光源装置
JP6703312B2 (ja) 発光モジュールおよび面発光光源
JP2011187962A (ja) 発光装置
KR20140004351A (ko) 발광 다이오드 패키지
TWI610470B (zh) 發光二極體晶片級封裝結構、直下式背光模組及發光裝置的製造方法
JP6566791B2 (ja) 発光装置
JP2017050108A (ja) 発光装置
JP2017050342A (ja) 発光装置
JP2017050344A (ja) 発光装置
JP2012009696A (ja) 発光装置およびそれを用いたｌｅｄ照明器具
KR101125456B1 (ko) 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛
KR20120030871A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 이용한 라이트 유닛
JP2015092622A (ja) 発光装置
JP6537410B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP2020123752A (ja) 発光モジュールおよび面発光光源
JP2017050343A (ja) 発光装置
JP2017050104A (ja) 発光装置
JP7285439B2 (ja) 面状光源
US20220173283A1 (en) Light-emitting device and planar light source
KR20110115320A (ko) 발광소자 패키지, 그 제조방법 및 조명시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150205

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160205

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170207

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180205

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee