JP2003174201A - Ledチップの実装方法、およびledチップの実装構造 - Google Patents

Ledチップの実装方法、およびledチップの実装構造

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JP2003174201A
JP2003174201A JP2001370578A JP2001370578A JP2003174201A JP 2003174201 A JP2003174201 A JP 2003174201A JP 2001370578 A JP2001370578 A JP 2001370578A JP 2001370578 A JP2001370578 A JP 2001370578A JP 2003174201 A JP2003174201 A JP 2003174201A
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led chip
conductive adhesive
layer
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mounting pad
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Tomoharu Horio
友春 堀尾
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Rohm Co Ltd
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    • H01L2224/92247Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • HELECTRICITY
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    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED

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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 実装パッドと導電性接着剤との間が剥離する
のを防止することができるLEDチップの実装方法を提
供する。 【解決手段】 最下層がCu層、最上層がAu層となる
ようにして複数の導体層を基板の表面に積層することに
より形成された実装パッド上に、導電性接着剤を介して
LEDチップを実装する方法であって、上記実装パッド
の上記LEDチップに対応する部位に、上記LEDチッ
プを収容可能な広さとされた凹部を、その底面で上記C
u層が露出するように形成し、このCu層上に導電性接
着剤を介して上記LEDチップを載置した後、この導電
性接着剤を加熱・固化させることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本願発明は、基板の表面に形
成された実装パッド、特に、最上層がAu層となるよう
にして複数の導体層を積層してなる実装パッド上に、導
電性接着剤を介してLEDチップを実装するLEDチッ
プの実装方法、およびLEDチップの実装構造に関す
る。
【0002】
【従来の技術】図7は、従来のLEDチップの実装構
造、図8は、図7のVIII-VIII線に沿う拡大断面図であ
る。図7に示すLEDチップの実装構造100は、たと
えばIrDA(Infrared Data Association)準拠の赤
外線データ通信モジュールなどに適用されたものであ
り、外部に出射される光の光量を確保しつつLEDチッ
プ1の小型化を可能とするために、LEDチップ1の上
面だけでなく側面(および下面)から発せられる光も利
用できるように構成されている。具体的には、LEDチ
ップ1は、図7に示すように、基板2の表面に形成され
た実装パッド103上にダイボンディングされており、
この実装パッド103は、LEDチップ1の側面から発
せられる光を反射することができるように、LEDチッ
プ1の平面視における占有面積に比してかなり広くなる
ように形成されている。
【0003】実装パッド103は、図8に示すように、
複数の導体層131,132,133を基板2の表面に
積層することにより形成されており、基板2の表面に形
成された配線パターン21の適所に配置されている。配
線パターン21は、基板2の表面全域に設けられた銅箔
をエッチングすることにより形成されており、実装パッ
ド103の最下層131は、この配線パターン21を形
成する際に同時に形成される。実装パッド103の最上
層133は、比較的反射率が高いAuにより平滑に形成
されており、LEDチップ1からの光を効率的に利用で
きるように構成されている。
【0004】LEDチップ1は、その下面が全面電極と
されており、実装パッド103に対して、この下面を下
にして、導電性接着剤4を介して実装される。導電性接
着剤4は、所定の金属粒子を有する多数の導電性フィラ
ーを、ペースト状の樹脂などからなるバインダーに混入
することにより形成された導電性の接着剤であって、加
熱後冷却されることによって固化する。
【0005】LEDチップ1を実装する際には、まず、
実装パッド103の所望の部位に導電性接着剤4を塗布
して、この上にLEDチップ1を載置する。次いで、こ
の導電性接着剤4を加熱する。このとき、導電性接着剤
4のバインダーが溶融して、導電性フィラーどうしが当
接するとともにこれらがLEDチップ1の下面全面電極
15と実装パッド103の最上層(Au層)133との
間で挟み込まれる。これにより、LEDチップ1と実装
パッド103との間の電気的導通が達成される。そし
て、導電性接着剤4が冷却されれば、バインダーがその
粘性によりLEDチップ1、実装パッド103および導
電性フィラー間を接着しつつ固化する。このようにし
て、LEDチップ1が実装パッド103上に実装され
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実装パ
ッド3の最上層133は、上述したように、Auにより
形成されており、Auは比較的安定した金属であるた
め、たとえば導電性接着剤4を加熱した際に熱化学反応
を起こすなどして、導電性接着剤4と強固に結合するわ
けではない。すなわち、実装パッド103のAu層13
3と導電性接着剤4との間では、接合力が弱い。したが
って、実装パッド103のAu層133と導電性接着剤
4との間の界面方向に剪断力が作用した際に、実装パッ
ド103のAu層133と導電性接着剤4との間が剥離
して、LEDチップ1が脱落してしまうことがあった。
【0007】特に、このようなLEDチップの実装方法
では、導電性接着剤4を加熱して導電性接着剤4が軟化
した際に、LEDチップ1の重量により導電性接着剤4
が実装パッド103上を流れるように広がっていき、そ
の厚みが薄くなる一方、導電性接着剤4を加熱した際
に、バインダーの一部が蒸散し、導電性接着剤4が若干
収縮するため、導電性接着剤4が固化した後でも残留応
力が作用している場合が多い。これにより、実装パッド
103のAu層133と導電性接着剤4との間が剥離し
やすくなっている。
【0008】本願発明は、上記した事情のもとで考え出
されたものであって、実装パッドと導電性接着剤との間
が剥離するのを防止することができるLEDチップの実
装方法およびLEDチップの実装構造を提供することを
その課題とする。
【0009】
【発明の開示】上記課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
【0010】すなわち、本願発明の第1の側面により提
供されるLEDチップの実装方法は、最下層がCu層、
最上層がAu層となるようにして複数の導体層を基板の
表面に積層することにより形成された実装パッド上に、
導電性接着剤を介してLEDチップを実装する方法であ
って、上記実装パッドの上記LEDチップに対応する部
位に、上記LEDチップを収容可能な広さとされた凹部
を、その底面で上記Cu層が露出するように形成し、こ
のCu層上に導電性接着剤を介して上記LEDチップを
載置した後、この導電性接着剤を加熱・固化させること
を特徴としている。
【0011】ここで、導電性接着剤は、本明細書中で
は、常温時においてペースト状とされ、加熱後冷却され
ることによって固化するタイプのものであるとする。
【0012】本願発明の第1の側面においては、導電性
接着剤は、上記実装パッドのCu層に当接することとな
るので、加熱された際には、このCu層と、導電性接着
剤中に一般的に含まれている低融点合金とが水素結合
し、これにより、互いに強固に結合する。したがって、
導電性接着剤と実装パッドとの間の接合強度を向上させ
ることができるので、導電性接着剤と実装パッドとが剥
離してしまうのを防止することができる。その結果、L
EDチップが脱落するのを防止することができる。
【0013】本願発明の第2の側面により提供されるL
EDチップの実装方法は、最上層がAu層となるように
して複数の導体層を基板の表面に積層することにより形
成された実装パッド上に、導電性接着剤を介してLED
チップを実装する方法であって、上記実装パッドの上記
LEDチップに対応する部位に、所定深さを有する溝部
を形成し、この溝部の内部に導電性接着剤が入り込むよ
うにして、上記実装パッド上に導電性接着剤を塗布し
て、この上から上記LEDチップを載置した後、この導
電性接着剤を加熱・固化させることを特徴としている。
【0014】好ましい実施の形態においては、上記溝部
が、上記実装パッドにおける上記LEDチップの中心と
対応する部分から放射状に延びるように複数形成される
構成とすることができる。
【0015】好ましい実施の形態においてはまた、上記
溝部が、その底面で上記基板の表面が露出するように形
成される構成とすることができる。
【0016】本願発明の第2の側面においては、導電性
接着剤が固化した際には、LEDチップの底面の一部と
上記Au層とが接着されるとともに、固化した導電性接
着剤の一部がLEDチップの底面から突出する突起とな
って上記溝部内に延在することとなる。したがって、実
装パッドの面方向(LEDチップの底面に沿った方向)
に剪断力が作用した場合には、LEDチップの底面と上
記Au層との間の接着力だけでなく、上記した突起の剛
性により、導電性接着剤と実装パッドとの間がその界面
方向にずれようとするのを防止することができ、上記し
た剪断力に抗することができる。したがって、導電性接
着剤と実装パッドとの間が剥離するのを防止することが
でき、その結果、LEDチップが脱落するのを防止する
ことができる。
【0017】本願発明の第3の側面により提供されるL
EDチップの実装構造は、本願発明の第1の側面または
第2の側面に係るLEDチップの実装方法によって製造
されたことを特徴としている。したがって、本願発明の
第1の側面および第2の側面に係るLEDチップの実装
方法について上述したのと同様の効果を奏することがで
きる。
【0018】本願発明のその他の特徴および利点につい
ては、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明
らかになるであろう。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態について、図面を参照して具体的に説明する。
【0020】図1は、本願発明に係るLEDチップの実
装構造の一例を示す概略平面図、図2は、図1のII-II
線に沿う拡大断面図である。なお、これらの図におい
て、従来例を示す図7および図8に表された部材、部分
等と同等のものにはそれぞれ同一の符号を付してある。
【0021】図1および図2に示すLEDチップの実装
構造Aは、LEDチップ1が、基板2の表面に形成され
た実装パッド3上に導電性接着剤4を介して実装された
ものである。このLEDチップの実装構造Aは、たとえ
ばIrDA準拠の赤外線データ通信モジュールなどに適
用されたものであって、実装パッド3が、LEDチップ
1の側面から発せられる光を反射することができるよう
に、LEDチップ1の平面視における占有面積に比して
かなり広く(面積比で約2倍以上)なるように形成され
ている。
【0022】上記LEDチップ1は、平面視略矩形状を
呈しているとともに所定の厚みを有しており、図2に示
すように、n型(またはp型)半導体層11と、p型
(またはn型)半導体層12と、これらの間に介在する
発光層13とを備えている。このLEDチップ1の上面
および下面には、たとえば導体金属を蒸着するなどして
形成された上面部分電極14および下面全面電極15が
それぞれ設けられており、通電時には、発光層13で発
せられる光が上面および側面から出射するように構成さ
れている。このLEDチップ1としては、本実施形態で
は、一辺が0.35mm程度の矩形状の底面を有するも
のが用いられている。
【0023】上記基板2は、たとえばガラスエポキシ樹
脂などの絶縁体により形成されており、その表面には、
図1に示すように、配線パターン21が形成されてい
る。この配線パターン21は、基板2の表面全域に設け
た銅箔をエッチングすることにより形成される。
【0024】上記実装パッド3は、基板2の表面に複数
の導体層を積層することにより形成されており、このL
EDチップの実装構造Aでは、図2に示すように、最下
層31、中間層32および最上層33からなる3層構造
とされている。最下層31は、配線パターン21を形成
する際にその適所に配置されたものであり、Cuにより
形成されている。最上層33は、反射に優れたAuによ
り平滑に形成されており、LEDチップ1の側面からの
光を効率的に利用できるように構成されている。中間層
32は、Niにより形成されている。本実施形態では、
Cu層31、Ni層32、Au層33の厚みはそれぞ
れ、30μm〜50μm程度、3μm〜8μm程度、
0.5μm〜2.0μm程度とされている。また、この
実装パッド3は、このLEDチップの実装構造Aの上方
に出射する光束の断面形状が円形となるように、直径1
mm程度の略円形状となるように形成されている。
【0025】この実装パッド3は、図1に示すように、
LEDチップ1に対応する部位、すなわち平面視におけ
る中央部に凹部30が形成されている。この凹部30
は、LEDチップ1を収容可能な広さに、かつ、図2に
示すように、底面でCu層31が露出するように形成さ
れている。このような凹部30は、たとえば、レーザ光
によりNi層32およびAu層33の一部を刳り貫くよ
うに除去したり、Ni層32およびAu層33をCu層
31上に形成する際にパターンエッチングするなどして
形成される。
【0026】上記導電性接着剤4は、たとえば、所定の
金属粒子および低融点合金を有する多数の導電性フィラ
ーと、ペースト状のエポキシ樹脂などからなるバインダ
ーと、各種添加剤とを混合することによって形成された
ものである。このような導電性接着剤4は、常温時では
ペースト状とされているが、加熱後冷却されることによ
って固化する。本実施形態では、導電性接着剤4とし
て、上記所定の金属粒子が通電性の優れたAg粒子であ
るAgペーストが用いられている。
【0027】次に、LEDチップ1を実装パッド3に実
装する方法について説明する。
【0028】LEDチップ1を実装パッド3上に実装す
るには、まず、実装パッド3の上記凹部30における底
面、すなわち上記Cu層31上に導電性接着剤4を塗布
する。
【0029】次いで、LEDチップ1を、その下面全面
電極15を下にして、凹部30内に収容するようにして
導電性接着剤4上に載置する。このとき、LEDチップ
1は、導電性接着剤4の粘性によって、容易に位置ずれ
しないように、仮固定された状態となる。
【0030】次いで、LEDチップ1と実装パッド3と
の間の導電性接着剤4を加熱する。このとき、導電性接
着剤4のバインダーが溶融するとともにその一部が蒸散
し、かつ、導電性フィラーの低融点合金が溶融する。こ
れにより、導電性接着剤4がLEDチップ1の重量によ
って圧縮され、導電性フィラーどうしが当接するととも
にこれらがLEDチップ1の下面全面電極15とCu層
31との間に挟み込まれる格好となるため、LEDチッ
プ1と実装パッド3との間の電気的導通が達成される。
そして、導電性バインダー4が冷却されることによっ
て、バインダーが、その粘性によりLEDチップ1、実
装パッド3および導電性フィラー間を接着しつつ固化
し、LEDチップ1が実装パッド3上にダイボンディン
グされる。
【0031】ここで、溶融した上記低融点合金は、Cu
層31との間で、水素結合を引き起こし、Cu層31に
対して強固に結合する。これにより、導電性接着剤4と
実装パッド3との間の接合強度を向上することができ
る。したがって、導電性接着剤4と実装パッド3との間
の界面方向に剪断力が作用してもこれに抗することがで
きる。その結果、導電性接着剤4と実装パッド3との間
の剥離を防止することができ、LEDチップ1が脱落す
るのを防止することができる。
【0032】また、低融点合金およびバインダーの溶融
により軟化した導電性接着剤4は、実装パッド3の凹部
30内に留まり、従来例のように実装パッド上を流れる
ように広がっていくのが防止される。これにより、導電
性接着剤4は、固化した際にその厚みが比較的大となる
ため、その内部に残留応力が生じるのが防止されうる。
したがって、導電性接着剤4と実装パッド3との間が剥
離するのをより確実に防止することができる。なお、こ
の場合、導電性接着剤4は、上記したように、LEDチ
ップ1と実装パッド3との間で厚みが比較的大となる
が、LEDチップ1は、実装パッド3の凹部30内に収
容された状態となっているので、このLEDチップの実
装構造Aの全体としての厚みが大となるのを防止するこ
とができる。
【0033】図3は、本願発明に係るLEDチップの実
装構造の他の例を示す概略平面図、図4は、図3のIV-I
V線に沿う拡大断面図である。また、図5は、本願発明
に係るLEDチップの実装構造の他の例を示す概略平面
図、図6は、図5のVI-VI線に沿う拡大断面図である。
なお、以下において、先の実施形態(LEDチップの実
装構造A)と同一または類似の要素には、先の実施形態
と同様の符号を付してある。
【0034】図3および図4に示すLEDチップの実装
構造Bは、先の実装パッド3の代わりに実装パッド3B
が設けられており、この点が先のLEDチップの実装構
造Aとは異なっている。
【0035】上記実装パッド3Bは、図3に示すよう
に、LEDチップ1に対応する部位に所定深さを有する
溝部30Bが形成されている。具体的には、溝部30B
は、実装パッド3BにおけるLEDチップ1の中心と対
応する部分(すなわち、実装パッド3Bの中心部)から
LEDチップの4つの角部に向かって放射状に延びるよ
うに4本形成されている。また、各溝部30Bは、図4
に示すように、その底面で基板2の表面が露出するよう
に形成され、その深さが実装パッド3Bの厚みと同等と
されている。なお、このLEDチップの実装構造Bは、
各溝部30Bが実装パッド3Bの中心部で互いに離間し
た構成とされているが、図5および図6に示すように、
4つの溝部30B′が実装パッド3Bの中心部で互いに
連結した構成とされていてもよい。ただし、実装パッド
3BにおけるLEDチップ1に対応する領域が全て溝部
30B′とならないようにし、LEDチップ1がAu層
33上に載るようにしておく。
【0036】このような溝部30B,30B′は、先の
LEDチップの実装構造Aにおける凹部30と同様に、
たとえば、レーザ光によりCu層31、Ni層32およ
びAu層33の一部を刳り貫くように除去したり、Cu
層31、Ni層32およびAu層33を基板2上に形成
する際にパターンエッチングするなどして形成される。
【0037】次に、LEDチップ1を実装パッド3Bに
実装する方法について説明する。
【0038】LEDチップ1を実装パッド3B上に実装
するには、まず、実装パッド3Bの中央部分に導電性接
着剤4を塗布する。このとき、実装パッド3Bの各溝部
30B,30B′の内部に導電性接着剤4が入り込むよ
うにする。
【0039】次いで、LEDチップ1を、その下面全面
電極15を下にして、実装パッド3Bの中心部の導電性
接着剤4上に載置する。
【0040】そして、LEDチップ1と実装パッド3と
の間の導電性接着剤4を加熱し、その後冷却することに
よりこれを固化する。このとき、導電性接着剤4を加熱
して、バインダーおよび導電性フィラーの低融点合金が
溶融した際には、導電性フィラーどうしが当接するとと
もにこれらがLEDチップ1の下面全面電極15とAu
層33との間に介在し、これにより、LEDチップ1と
実装パッド3Bとの間の電気的導通が達成される。
【0041】また、溶融したバインダーおよび導電性フ
ィラーの低融点合金は、各溝部30B,30B′の底
面、すなわち基板2の表面に対して融合して強固に結合
する。そして、各溝部30B,30B′内で導電性接着
剤4が固化することにより、断面方向に剛性を有する突
起がLEDチップ1の底面に形成されることとなる。し
たがって、導電性接着剤4と実装パッド3Bとの間の界
面方向(実装パッド3Bの面方向)に剪断力が作用した
場合には、導電性接着剤4とAu層33との間の接着力
だけでなく、上記した突起の剛性によって、導電性接着
剤4が実装パッド3Bに対して界面方向にずれようとす
るのを防止することができ、上記剪断力に抗することが
できる。その結果、導電性接着剤4と実装パッド3Bと
の間の剥離を防止することができ、LEDチップ1が脱
落するのを防止することができる。
【0042】また、LEDチップの実装構造は、LED
チップを覆うようにして基板2上に樹脂パッケージを形
成するのが一般的であるが、上記LEDチップの実装構
造Bでは、実装パッド3Bに溝部30B,30B′が形
成されているので、樹脂パッケージを形成する際に、溶
融した樹脂が溝部30B,30B′内に流入したり、溝
部30B,30B′内の導電性接着剤4と強固に結合し
たりすることによって、樹脂パッケージと実装パッド3
Bとの密着性を向上することができる。したがって、実
装パッド3Bで反射したLEDチップ1からの光が実装
パッド3Bと樹脂パッケージとの間の界面で乱反射した
りするのを防止することができ、LEDチップ1で発せ
られる光を効率的に利用することができる。
【0043】もちろん、この発明の範囲は上述した実施
の形態に限定されるものではない。たとえば、上記LE
Dチップの実装構造Bにおいて、上記溝部30B,30
B′は、実装パッド3BにおけるLEDチップ1の中心
と対応する部分から放射状に延びるように4本形成され
ているが、これに限ることはなく、これらの溝部30
B,30B′によって、断面方向にある程度の剛性を有
する突起をLEDチップ1の底面に形成することができ
るものであれば、その形状および個数を任意とすること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明に係るLEDチップの実装構造の一例
を示す概略平面図である。
【図2】図1のII-II線に沿う拡大断面図である。
【図3】本願発明に係るLEDチップの実装構造の他の
例を示す概略平面図である。
【図4】図3のIV-IV線に沿う拡大断面図である。
【図5】本願発明に係るLEDチップの実装構造の他の
例を示す概略平面図である。
【図6】図5のVI-VI線に沿う拡大断面図である。
【図7】従来のLEDチップの実装構造の一例を示す概
略平面図である。
【図8】図7のVIII-VIII線に沿う拡大断面図である。
【符号の説明】
1 LEDチップ 2 基板 3、3B 実装パッド 4 導電性接着剤 30 凹部 30B、30B′ 溝部 31 Cu層 33 Au層 A、B LEDチップの実装構造

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 最下層がCu層、最上層がAu層となる
    ようにして複数の導体層を基板の表面に積層することに
    より形成された実装パッド上に、導電性接着剤を介して
    LEDチップを実装する方法であって、 上記実装パッドの上記LEDチップに対応する部位に、
    上記LEDチップを収容可能な広さとされた凹部を、そ
    の底面で上記Cu層が露出するように形成し、このCu
    層上に導電性接着剤を介して上記LEDチップを載置し
    た後、この導電性接着剤を加熱・固化させることを特徴
    とする、LEDチップの実装方法。
  2. 【請求項2】 最上層がAu層となるようにして複数の
    導体層を基板の表面に積層することにより形成された実
    装パッド上に、導電性接着剤を介してLEDチップを実
    装する方法であって、 上記実装パッドの上記LEDチップに対応する部位に、
    所定深さを有する溝部を形成し、この溝部の内部に導電
    性接着剤が入り込むようにして、上記実装パッド上に導
    電性接着剤を塗布して、この上から上記LEDチップを
    載置した後、この導電性接着剤を加熱・固化させること
    を特徴とする、LEDチップの実装方法。
  3. 【請求項3】 上記溝部は、上記実装パッドにおける上
    記LEDチップの中心と対応する部分から放射状に延び
    るように複数形成される、請求項2に記載のLEDチッ
    プの実装方法。
  4. 【請求項4】 上記溝部は、その底面で上記基板の表面
    が露出するように形成される、請求項2または請求項3
    に記載のLEDチップの実装方法。
  5. 【請求項5】 請求項1ないし4のいずれかに記載のL
    EDチップの実装方法によって製造されたことを特徴と
    する、LEDチップの実装構造。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005038892A (ja) * 2003-07-15 2005-02-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置およびその製造方法
WO2005091383A1 (ja) * 2004-03-24 2005-09-29 Renesas Yanai Semiconductor Inc. 発光装置の製造方法および発光装置
JP2006332381A (ja) * 2005-05-26 2006-12-07 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2011077164A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2013526032A (ja) * 2010-04-23 2013-06-20 セミコン・ライト・カンパニー・リミテッド 化合物半導体発光素子
KR20140092587A (ko) * 2013-01-16 2014-07-24 엘지이노텍 주식회사 발광모듈
KR20150030114A (ko) * 2013-09-11 2015-03-19 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지와 이를 이용한 백라이트 유닛 및 액정 표시 장치
JP2015095607A (ja) * 2013-11-14 2015-05-18 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2016184714A (ja) * 2015-03-27 2016-10-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2017212354A (ja) * 2016-05-26 2017-11-30 ローム株式会社 Ledモジュール
JP2018152528A (ja) * 2017-03-15 2018-09-27 ローム株式会社 電子装置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005038892A (ja) * 2003-07-15 2005-02-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置およびその製造方法
WO2005091383A1 (ja) * 2004-03-24 2005-09-29 Renesas Yanai Semiconductor Inc. 発光装置の製造方法および発光装置
US7795053B2 (en) 2004-03-24 2010-09-14 Hitachi Cable Precision Co., Ltd Light-emitting device manufacturing method and light-emitting device
JP2006332381A (ja) * 2005-05-26 2006-12-07 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2011077164A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
CN102034915A (zh) * 2009-09-29 2011-04-27 三垦电气株式会社 半导体发光装置
JP2013526032A (ja) * 2010-04-23 2013-06-20 セミコン・ライト・カンパニー・リミテッド 化合物半導体発光素子
KR20140092587A (ko) * 2013-01-16 2014-07-24 엘지이노텍 주식회사 발광모듈
KR101941513B1 (ko) 2013-01-16 2019-04-12 엘지이노텍 주식회사 발광모듈
KR20150030114A (ko) * 2013-09-11 2015-03-19 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지와 이를 이용한 백라이트 유닛 및 액정 표시 장치
KR102066093B1 (ko) * 2013-09-11 2020-01-14 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지와 이를 이용한 백라이트 유닛 및 액정 표시 장치
JP2015095607A (ja) * 2013-11-14 2015-05-18 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2016184714A (ja) * 2015-03-27 2016-10-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2017212354A (ja) * 2016-05-26 2017-11-30 ローム株式会社 Ledモジュール
JP2018152528A (ja) * 2017-03-15 2018-09-27 ローム株式会社 電子装置

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