JP2015095607A - 発光装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明においては、発光素子側に設けた第1の金属と基板側に設けた第2の金属とを加熱溶融させて金属間化合物の接合材(接合層)とすることにより、発光素子と基板の接合を行う。
第1の金属4は、後述する第2の金属11と溶融されることによって金属間化合物(共晶、はんだなど)となり接合材20を形成する第1金属元素を有して形成される。材料としては、特に限定されず、Cu、Pt、Fe、Auなどを用いることができる。また、第1の金属4は第2金属の融点よりも高いことが好ましい。その理由は、まず、第2の金属11を加熱溶融させて、第1の金属4へ順次溶け込ませることで接合材20を形成することで、安定して発光素子1の接合が可能になる。
発光素子1と第1の金属4との間に、反射層2が設けられていてもよい。反射層2は、発光素子1の実装面側であって、接合材20ないし第1の金属4より発光素子
1に近い位置に設けられ、光の取り出し効率向上の役割を果たす。材料としては、反射率の高いAlやAgなどの材料が望ましく、厚みは例えば1000〜2000Å程度とすることができる。
本発明において、発光素子1の実装面側であって、反射層2と接合材20ないし第1の金属4との間に拡散防止層3が設けられていてもよい。これにより、接合材20の金属が反射層2へ拡散し、反射層2の光反射率を低下することを防ぐことができる。拡散防止層3の厚みは、光の取り出し効率に影響を与えない程度の厚み(例えば、1000〜2000Å程度)が好ましい。材料としては、Au、Ni等の材料が好ましく用いられる。
発光素子1は、任意の波長の半導体発光素子を選択することができる。例えば、青色、緑色発光の発光素子としては、InGaN、GaN、AlGaN等の窒化物系半導体やGaPを半導体層として用いたものを用いることができる。また、赤色の発光素子としては、GaAlAs、AlInGaPなどを用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる発光素子を用いることもできる。用いる発光素子の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。
発光素子1は、絶縁性の基板を有するものや、導電性の基板を有するものであってもよい。また、基板を有さず、半導体層のみで形成されたものであってもよい。発光素子1が基板を有する場合には、その基板の側に第1の金属4を形成することが好ましい。
図3に、基板13の構成の一例を示す。図3に示すように、基板13は金属部12を有しており、金属部12上に第2の金属11が設けられている。
基板13は、発光素子1を支持する部材であり、その上に発光素子1が接合材20を介して接合される。
樹脂成形体の基材としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂を用いることができ、特に、熱硬化性樹脂を用いるのが好ましい。熱硬化性樹脂としては、封止部材に用いられる樹脂に比してガス透過性の低い樹脂が好ましく、具体的にはエポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹脂組成物、エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物、ウレタン樹脂、変性ウレタン樹脂組成物などをあげることができる。このような樹脂成形体の基材に、充填材(フィラー)としてTiO2、SiO2、Al2O3、MgO、MgCO3、CaCO3、Mg(OH)2、Ca(OH)2などの微粒子などを混入させることで光の透過率を調整し、発光素子からの光の約60%以上を反射するよう、より好ましくは約90%を反射するようにするのが好ましい。
第2の金属11は、基板13上に形成され、第1の金属4と加熱溶融されることで金属間化合物を形成する第2の金属元素をいう。材料としては、第1の金属4と金属間化合物(もしくは共晶、はんだ)を形成するものであれば特に限定されないが、低い温度により加熱処理を行うため、Snの他In、Bi等の比較的融点の低い金属が好ましい。これにより、第2金属元素を加熱溶融させて第1金属元素へ順次溶け込ませることで、接合材20を効率よく形成することができる。
本発明の発光装置30は、さらに封止部材39を備えていてもよい。封止部材を発光素子、基板、ワイヤ等の部材を被覆するよう設けることで、被覆した部材を塵芥や水分、更には外力などから保護することができ、発光装置の信頼性を高めることができる。
発光装置30は、上記の他、種々の部材を備えることができる。例えば、保護素子41としてツェナーダイオードを搭載することができる。
図3(a)に示すように、まず、第1のステップとして、基板13上に設けられた金属部12上に第2の金属11を設ける。具体的には、第2の金属11としてのSnを加熱して溶解させ、これをディスペンサー等で基板13上に略半球形状で複数配置する。
その後、第2の金属11の上へ発光素子1を仮固定するため、仮止め剤(フラックス等)を塗布する。
2 反射層
3 拡散防止層
4 第1の金属
11 第2の金属
12 金属部
13 基板
14 ホットプレート
20 接合材
30 発光装置
31 リード
36 樹脂成形体
39 封止部材
40 ワイヤ
41 保護素子
Claims (9)
- 実装面に第1の金属が形成された発光素子を準備するステップと、第2の金属が形成された基板を準備するステップと、前記第1の金属および前記第2の金属を接触させ、前記第1および第2の金属の少なくともいずれかの融点より高い温度で加熱溶融させることにより、金属間化合物を形成し前記基板と前記発光素子を接合するステップと、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
- 前記第2の金属の融点は、前記第1の金属の融点よりも低いことを特徴とする、請求項1に記載の発光装置の製造方法
- 前記第1の金属は、Cu、Pt、Fe、Auから選択される少なくとも1種である、請求項1または2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第2の金属は、Sn、In、Biから選択される少なくとも1種である、請求項1乃至3のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
- 前記発光素子は、前記実装面に反射層及び拡散防止層が設けられている請求項1乃至4のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
- 前記反射層は、Al、Agから選択される、請求項5に記載の発光装置の製造方法。
- 前記拡散防止層は、Ni、Auから選択される、請求項5に記載の発光装置の製造方法。
- 前記基板と前記発光素子を接合するステップは、前記第2の金属を溶融し、前記第1の金属へ溶け込ませることで前記金属間化合物を形成するステップを備える、請求項1乃至7のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
- 前記第2の金属を前記基板上に形成するステップにおいて、前記第2の金属を複数分離した形状で前記基板上に形成する、請求項1乃至8のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
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