JP2006128254A - 光素子の実装構造体及び実装方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 光素子を高精度に位置決めしてから実装する光素子の実装構造体において、基板上のはんだを最適化することにより、水平方向及び垂直方向の高い位置決め精度を実現する光素子の実装構造体および方法を提供する。
【解決手段】 基板に対して光素子を２次元的に高精度に位置決めしてから光素子上に形成された電極と基板上に形成された電極とをはんだを用いて接続する光素子の実装構造体において、基板の電極上のはんだを複数個設けた構成とし、かつ光素子の光軸方向に垂直なＸ方向中心線に対して複数のはんだを線対称配置とした基板を用いた光素子の実装構造体。
【選択図】 図１Ｃ

Description

本発明は光素子を基板上にはんだ接続し、２次元的に高精度位置決めしてから実装する光素子の実装構造に関する。

基板上への光素子の実装において、アクティブ調芯することなく複数の光素子を同一基板上に実装する場合や、光素子と光学部品を同一基板上に実装する場合には、良好な光結合を確保するために、光素子を高精度に位置決めしてから搭載し、一般的な接続材料として用いられるはんだ接続後において、光素子の高精度な位置決めを確保することが必要となる。

ここで、光素子の電極と接続するための基板側電極上のはんだが厚すぎると、はんだ接続前後において高い位置精度を保持することが難しくなり、特に高さ方向の変化が大きくなるという問題がある。また、はんだを薄くした場合でも高さ方向のばらつきは低減するが高精度な位置決めを保持することは難しい。よって、垂直方向及び水平方向に対して、光素子の高精度な位置決めを実現する技術が必要となる。

光素子の垂直方向及び水平方向の位置決め精度を向上させた実装技術として、例えば、特許文献１に記載の例があげられる。特許文献１には、図６に示すように、基板５側の電極４及び薄いはんだ３に対して、光素子１の電極２を複数設け、最適化することにより、垂直方向の位置決め精度はもちろん、水平方向の位置決め精度も達成できることが示されている。

特開２００３−２３４５３１号公報

上記従来技術では、光素子の電極パターンを最適なパターンに変更する必要があり、このパターンの変更に伴う電極形成工程の条件の変更により、電極表面に汚れが残留し易く、実装歩留まりが低下するという問題が考えられる。さらに、波長の異なる光素子を１個もしくは複数個を基板上に高精度で実装し、かつ実装したモジュールの高性能化のためには、各波長に対して高出力の光素子を高精度で実装する必要があり、一方で、電極パターンを変更・最適化した高出力の光素子の入手が困難であるという問題が考えられる。

そこで、本発明の目的は、光素子を高精度に位置決めしてから実装する光素子の実装構造体において、基板側のはんだパターンを最適化することにより、水平方向及び垂直方向の高い位置決め精度を実現する光素子の実装構造体及び実装方法を提供することにある。

本発明は、上記の目的を達成するために、光素子の電極と基板電極とがはんだを用いて接続された光素子の実装構造体において、前記はんだ接続において、前記はんだの領域が前記光素子の１つのメタライズ当り、複数個分割形成されていることを特徴とする。

本発明の他の特徴は、光素子の電極と基板電極とがはんだを用いて接続された光素子の実装構造体において、１個の前記光素子に対応する前記基板電極上に、はんだが複数個の領域に分割して配置されており、前記はんだの分割配置数は、前記基板のメタライズの数以上であり、前記はんだ接続により、前記光素子の１つのメタライズに対して、前記基板のメタライズが１つまたは複数個の領域に分割して形成されていることにある。

本発明の他の特徴は、光素子の電極と基板の電極とがはんだを用いて接続された光素子の実装構造体において、前記光素子の電極に対応する前記基板電極上に、はんだが分割して配置されており、前記光素子のメタライズに対して、前記基板のメタライズ領域が１つもしくは複数個あり、該基板の各メタライズは、前記光素子の光軸方向に垂直な素子中心線に対して線対称に配置されていることにある。

本発明によれば、光素子の１つのメタライズに対しはんだを複数個に分割して構成しているため、同じ荷重をかけてもはんだに生じる単位面積当たりの荷重が大幅に増加する。そのため、仮接続時、あまり大きな荷重を加えなくとも酸化膜が破れやすくなり、本接続時に無荷重ではんだの融点以上に加熱するとはんだ３の表面に存在する酸化膜が破られ、光素子の電極に対して溶融したはんだが容易に濡れ広がるため、良好な接続を得ることができる。

本発明によれば、基板側のはんだパターンを最適化することにより、高精度の実装が可能となり、実装歩留まりを向上することができる。

以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。以下で述べる光素子の実装構造体の実施形態において、電極を構成する材料としてＴｉ、Ｐｔ、Ａｕを用い、基板および光素子上に電極が形成される。一般的に、光素子と基板とを接続するためのはんだ材料は、例えば、Ａｕ、Ｓｎの共晶組成（Ａｕが８０ｗｔ％、Ｓｎが２０ｗｔ％）が用いられている。本発明では、好ましくは、Ａｕが８５〜７０ｗｔ％、Ｓｎが１５〜３０ｗｔ％からなるＡｕ、Ｓｎの共晶組成のはんだを用いるのが良い。本発明の対象としては、これらの構成を含むのはもちろん、他の電極およびはんだ材料、組成を用いた光素子にも適用可能である。

図１は、本発明の第一の実施例を示すものである。この実施の形態において、図１Ａは、はんだ接続前における光素子１側のはんだ接続用電極の配置図、図１Ｂは、はんだ接続前における基板５側のはんだ及びはんだ接続用電極の配置図、図１Ｃは、はんだリフロー後における、光素子１の実装構造体１０１の断面図である。

光素子１は、例えば光ディスクドライブ装置の光モジュールに用いられるレーザーダイオードやフォトダイオードである。

図１Ａに示すように、この実施例では、光素子１の底面に単一の接続用電極２（ｐ電極もしくはｎ電極）が設けられており、この電極２がはんだ３を介して基板５上の電極４と接続される。なお、本発明では、光素子１及び基板５の主にはんだ３を介して接続される電極（例えばその最表面＝ Outermost Surface）を、メタライズ領域あるいは単にメタライズと呼ぶ。メタライズ領域は、単一金属の蒸着等によって生成される。なお、電極が複数の領域に分割形成されている場合,各分割領域をそれぞれメタライズ領域あるいはメタライズと呼ぶ。
また、はんだ接続に伴いはんだ中のＳｎ成分が電極中に拡散して合金が形成された領域を上記メタライズとは特に区別して説明する必要のある場合、この領域を第２のメタライズ領域と呼ぶ。

図１Ｂに示すように、基板５には、光素子１と電気的接続を行うための、前記電極２よりも面積の広い、単一の電極（メタライズ）４が設けられている。３は、光素子１と電気的及び機械的に接続するためのはんだであり、電極４上の所定の領域に複数個設けられている。複数個のはんだ３は、本接続前後の位置ずれ量を極力小さくするために電極４上の所定の位置に、全体が対称になるように供給配置される。

なお、実施例１では、予め電極４上にはんだ３を分割配置しているが、以下に述べる実施例も含めて、はんだ３を、基板５上の所定の位置に対応する光素子１の電極（メタライズ）２の表面に供給配置するようにしても良い。

基板または光素子１の電極にはんだを供給した後、次に、基板５上に光素子を２次元的に高精度に位置決めを行う。そして、加圧しながらはんだの融点未満の温度で仮接続する。すなわち、基板５に対して光素子１を２次元的に高精度に位置合わせを行い、実装構造体の全体をはんだ３の融点未満の温度で加圧して仮接続する。この仮接続の後、実装構造体の全体を無荷重ではんだ３の融点以上に加熱・溶融することにより、実装構造体のはんだ接続を行なう。

本実施例では、電極４上の所定位置にはんだ３を供給し、基板５に対して光素子１を２次元的に高精度に位置合わせを行い、はんだ３の融点未満の温度で加圧して仮接続する。そしてさらに、無荷重（換言すると光素子１の自重のみ）で、はんだの融点以上に加熱することにより、光素子の高い位置精度を保持しながらはんだ接続する。

図１Ｃに、はんだ接続された光素子１の実装構造体１０１の縦断面図を示す。リフロー前にはんだに１５〜３０ｗｔ％含まれていたＳｎが、リフローに伴い数％だけ電極のＡｕ層やＰｔ内に拡散し、良好な接続が得られる。なお、はんだ接続された光素子１の他の電極は、ボンディングワイヤー６で端子７あるいは他の配線パターンと電気的に接続される。

図１Ｄに拡大して示すように、メタライズのはんだ接続部分では、はんだ３のＳｎの一部が基板５の電極のＡｕ層やＰｔ内に拡散してＡｕＳｎやＡｕ_５Ｓｎ等の合金を含むはんだ領域すなわち第２のメタライズ領域３Ｃが形成され、良好な接続が確保される。リフローに伴いはんだ自体のＳｎの比率は若干低下する。第２のメタライズ領域３Ｃが電極のＡｕ層やＰｔ内のどの深さまで形成されるかは、電極の各層の厚さや、はんだ３の組成や加熱時間などの条件によって変わってくる。これを電極側から見ると、複数に分割されたはんだ接続部分に対応するメタライズ部分には、第２のメタライズ領域３Ｃに対応する、複数の凹部５Ｃが形成されている。

ここで、仮接続時に、はんだ３の表面に存在する酸化膜を破り、かつ良好な接続を得るためには、破られたはんだ３の表面の酸化膜の総面積比を極力増やして仮接続する必要がある。一方、光素子１の材料として化合物半導体を用いる場合、脆い材料であり降伏応力が小さい。そのため、はんだ３の表面酸化膜を破るために加える仮接続時の加圧力として、あまり大きな荷重を加えることはできない。

本実施例では、光素子の１つのメタライズ当りはんだを複数配置、すなわち、はんだ３が１つのメタライズ（電極）４上に複数個分割して設けられている。光素子１の電極表面の全面にはんだ３を設ける場合すなわち、１つのメタライズ当り１はんだとする場合に比べて、本実施例のように、はんだ３を複数個に分割して構成した場合には、同じ荷重をかけても、はんだ３に生じる単位面積当たりの荷重が大幅に増加する。そのため、仮接続時、あまり大きな荷重を加えなくとも酸化膜が破れやすくなる。

その結果、本接続時、すなわち仮接続した後に無荷重ではんだ３の融点以上に加熱すると、最小荷重すなわち光素子１自体の荷重により溶融はんだ３Ｂの表面に存在する酸化膜が破られ、光素子１の電極２に対して溶融したはんだ３Ｂが容易に濡れ広がるため、良好な接続を得ることができる。本接続時の雰囲気は、窒素雰囲気とするのが望ましい。

一般に、はんだ３のＳｎの比率が高いほど濡れ性は良くなるが、濡れ性が良過ぎると位置ずれを生じ易く、実装精度が低下してしまう傾向にある。

本発明では、本接続前後の位置ずれ量を極力小さくするために、電極４の面上に、複数個のはんだ３を全体が対称になるように供給配置することが重要である。すなわち、光素子１の中心Ｏｅを通る光素子１の光軸方向（Ｚ方向）の中心線及び光軸方向に垂直なＸ方向中心線に対して、複数のはんだ３を線対称に配置する。Ｏｓは、分割された各はんだ３の中心を示している。ここで、線対称とは、中心線に対して±５０μｍ以下のずれ量を許容するものとする。

分割したはんだ３を全体として対称に配置することで、本接続前後におけるはんだ３Ｂの濡れ広がるポイントを制御することができる。この溶融はんだ３Ｂの濡れ広がるポイントを制御することで、溶融はんだ３Ｂの濡れ広がりに起因して働く力のバランスを保つことができる。これにより、光素子１を基板５上に実装するにあたって、Ｘ方向やＺ方向の水平方向や、ＸＺ平面内の回転角θYに対する高い実装精度を達成することができる。

ここで、図１Ｂに示すように、基板５の電極４の面上の複数個のはんだ３Ｂの配置は、本接続前後における光素子１の傾き角θxを考慮して、Ｘ方向中心線から各はんだ３の中心Ｏｓまでの距離の合計が、Ｘ方向中心線を基準としてＺ方向のプラス側とマイナス側で等しくなるようにしている。

よって、はんだ３の溶融時に、体積膨張した溶融はんだ３Ｂが光素子１の電極２を押し上げた場合でも、Ｘ方向中心線から各はんだ３Ｂの中心Ｏｓまでの距離の合計が、Ｘ方向中心線を基準としてＺ方向のプラス側とマイナス側で等しくなる。そのため、光素子１に生じる曲げモーメントの総和がゼロとなる。よって、光素子１の傾き角θxの変化量を極力小さくすることができ、高い垂直精度を達成することができる。

同様に、光素子１の傾き角θｚに対しても、Ｚ方向中心線から各はんだ３Ｂの中心までの距離の合計が、Ｚ方向中心線を基準としてＸ方向のプラス側とマイナス側の距離の合計が等しくなるように配置することがより望ましい。

さらに、光素子１の面内の回転角θｙやＸ方向及びＺ方向への位置ずれを考慮すると、基板５上への複数のはんだ３の配置は、曲げモーメントの総和をゼロとするだけでなく、溶融はんだ３Ｂの濡れ広がりに起因して働く力のバランスを保つために、光素子１のＺ方向中心線及びＸ方向中心線に対して線対称に配置することが望ましい。

実施例１に示した接続用の電極２は平板状であるが、本発明を実施する場合の電極２の形状としては、種々のものが考えられる。
図２Ａは、光素子１の電極（メタライズ）２を複数個に分割して設けた場合、すなわち、１電極に複数のメタライズ領域を形成した例を示している。この場合でも、実施例１と同様に、光素子１の中心ＯｅＺ方向中心線及びＸ方向中心線に対して線対称になるようにして、各分割電極２に対応する位置において、それぞれ複数のはんだ３Ａを電極４上に分割配置することにより、高い水平精度と垂直精度を実現した光素子の実装構造が得られる。

また、図２Ｂは、光素子１の電極２表面に凹凸２２が存在した場合を示している。この場合でも、光素子１の中心Ｏｅを通る光素子１の光軸方向（Ｚ方向）の中心線及びＸ方向中心線に対して線対称に、複数のはんだ３を分割配置することにより、高い水平精度と垂直精度を実現した光素子の実装構造が得られる。
また、はんだの形状、高さなどは用途に応じて種々のものを採用できる。
図２Ｃは、実施例１の場合に比べて、基板側のはんだの量を増やした場合の、図１Ｃ相当の、はんだ接続後における、光素子１の実装構造体１０１の断面図である。溶融後の電極及びはんだの形状が、図１Ｃの場合と異なり、基板側も広くなっている。

図２Ｄは、基板５の電極４を複数個に分割して設けた場合を示している。この場合でも、実施例１と同様に、光素子１の中心ＯｅＺ方向中心線及びＸ方向中心線に対して線対称になるようにして、複数のはんだ３を各分割電極４上に配置することにより、高い水平精度と垂直精度を実現した光素子の実装構造が得られる。

なお、本発明のはんだ分割による効果、すなわち、仮接続時に最小荷重によりはんだ表面の酸化膜が破られ電極に対して溶融したはんだが容易に濡れ広がり良好な接続を得られるようにするためには、少なくとも基板側電極のメタライズの最表面が分割されていれば良い。このような観点に基づく他の実施例を図２Ｅに示す。

図２Ｅは、図２Ｄに対して、基板側電極のメタライズの最表面を分割した例であり、下層側ほど幅の広い形状となっている。例えば,基板５上の電極４が、底から順にＴｉ、Ｐｔ及びＡｕの３つの層からなり、基底層すなわちＴｉ層は分割されず全体として１つのメタライズ領域として形成されており、その上のＰｔが複数のメタライズ領域に分割して形成され、さらにその上にＡｕ層が形成されている（図４Ｆ参照）。この例でもはんだ分割の効果すなわち、同じ荷重をかけてもはんだに生じる単位面積当たりの荷重を大幅に増加させることができるため、仮接続時、あまり大きな荷重を加えなくとも酸化膜が破れやすくなる。接続部分では、このようなメタライズ領域の広さに対応して,図２Ｅに一部拡大して示すように,各電極の接続部分において、溶融後のはんだのＳｎの一部は基板５及び光素子１の各電極内に拡散し、第２のメタライズ領域が形成される。これら第２のメタライズ領域には、Ａｕ_５やＳｎまたはＡｕＳｎが含まれ、電極間の良好な接続が確保される。なお、基板側電極側から見ると、はんだ接続に伴い、第２のメタライズ領域に対応する、複数の凹部が形成されている。

図３は、基板５上の複数のはんだ３について、他の配置例を示したものである。本接続前後における光素子１の高精度搭載を保持するためには、図３の（ａ）〜（ｈ）に示したように、光素子１のＺ方向及びＸ方向中心線に対して線対称となるように複数のはんだ３をメタライズ領域に配置することが望ましい。また、図３の（ｉ）に示したように、基板５上のメタライズ領域が分割されている場合でも、同様に、光素子１のＺ方向及びＸ方向中心線に対して線対称となるように各メタライズ領域にそれぞれ複数のはんだ３を配置することが望ましい。

以上述べた各実施例を踏まえて、本発明におけるはんだの分割領域とメタライズの関係を整理すると、次のようになる。

（１）はんだの領域が光素子の１つのメタライズ当り、複数個分割形成されている。１つの光素子にメタライズ領域が複数ある場合は、各メタライズ領域に上記はんだの領域が１つもしくは複数個対応している。

（２）はんだ接続において、光素子の１つのメタライズに対し、基板のメタライズに接続しているはんだの領域が複数個に分割されている。

（３）１個の光素子に対応する基板電極上に、はんだが複数個の領域に分割して配置されており、はんだの分割配置数は、基板のメタライズの数以上であり、はんだ接続により、光素子の１つのメタライズに対して、基板のメタライズが複数個の領域に分割して形成されている。

または、
（４）はんだ接続されるメタライズが複数の金属層からなり、少なくとも最表面の金属層が複数個の領域に分割して形成されている。

図４は、実施例１ないし３で述べた本発明の光素子の実装構造体を実現する、実装工程図である。まず、図４Ａに示すように基板５上の電極４にはんだ３を供給する。このはんだ３の供給方法に関しては、蒸着、スパッタ、メッキ、プリフォーム等によるものがあり、本発明ではいずれの方法ではんだ３を供給してもよい。

図４Ｂは、はんだ接続前における、基板５側の電極及びはんだの断面図である。基板５上の電極４は、図４Ｃの側断面図に示すように、基板５上にＴｉ、Ｐｔ及びＡｕを順次、真空蒸着、スパッタ、もしくはメッキなどの方法で、全体として０．５〜０．８μｍの厚さに成膜することによって形成される。電極４の最上層を成すＡｕ層上の所定の領域には、ＡｕとＳｎが真空蒸着もしくはスパッタ等の方法で交互に例えば３μｍの厚さに積層されてはんだ３が形成される。

次に光素子１を基板５上に２次元的に高精度で位置合わせを行い、供給したはんだ３の融点未満の温度で加圧することにより仮接続を行う。ここで、良好な接続を確保するためにはんだ表面の酸化膜を破って固定されるため、位置合わせから次の工程のはんだの加熱溶融による本接続工程までの位置ずれを防止し、高い搭載精度で生産性に優れた実装工程を実現する。

次に、２次元的に高精度で位置合わせを行い仮接続した光素子１において、本接続前後における光素子１の高精度搭載を保持するためには、はんだの溶融時にはんだ３Ｂと光素子１の電極２すべてを接続させる必要がある。

本実施例では、図４Ｄに示すように、酸化防止雰囲気７中で加熱溶融することにより、破られたはんだ表面酸化膜の部分が再酸化することなく、光素子１の電極２にはんだがぬれ広がると同時に溶融はんだの押し上げ力による曲げモーメントの総和がゼロとなるように複数のはんだ３Ａを配置し、かつ溶融はんだ３Ｂの濡れ広がりに起因した力のバランスを保つために線対称に複数のはんだを配置した。

本接続後、実装構造体１０１は冷却される。これにより、図４Ｅに示すように、高い水平精度及び垂直精度を実現した光素子の実装構造体１０１を得ることができる。

図４Ｆは、図２Ｅで述べた基板側電極のメタライズの最表面を分割した例における、基板側電極の断面図である。電極の各金属層は,真空蒸着、スパッタ、もしくはメッキなどの方法で形成される。（ａ）の例は、メタライズ領域として基板５上の電極のＴｉ層及びＰｔ層は分割せず全体として１つの領域として形成し、その上のＡｕ層を複数の領域に分割している。（ｂ）の例は、メタライズ領域として基板５上の電極のＴｉ層を分割せず全体として１つの領域として形成し、その上のＰｔを複数の領域に分割して形成し、さらにその上にＡｕ層を複数の領域に分割して形成している。光素子の電極のメタライズについても同様にして形成しても良い。

[応用例]
本発明による実装方式によれば、光素子を高精度で位置決め・仮接続し、無荷重で本接続する同一基板上に高精度に複数の光素子や光学部品を実装できる。そのため、光素子の高精度実装と光素子を実装した光モジュールの小型・薄型・低コスト化を両立できる。

図５に、本発明を応用した光ディスクドライブ装置１０７の要部斜視図を示す。光ディスクドライブ装置１０７には、本発明による実装方式を採用して製作されたレーザーダイオードやフォトダイオードをビームスプリッタや各種レンズと組み合わせた光モジュール１０１〜１０６を実装した、光ピックアップ装置もしくは光ピックアップが組み込まれており、レーザーダイオードから発せられるレーザービームを利用して光ディスクにデータを記録し,あるいは、フォトダイオードによりレーザービームを受光して光ディスクのデータを再生する。本発明を採用した構造によれば、従来のＣＡＮ構造を用いた場合に比べて、ドライブ装置高速化だけでなく、さらなる薄型化が可能となる。
同様に、光伝送モジュール装置に本発明を応用した場合も、装置の小型化・低コスト化を実現することができる。

本発明の一実施例になる、はんだ接続前における光素子側のはんだ接続用電極の配置図。 本発明の一実施例になる、はんだ接続前における基板側のはんだ及びはんだ接続用電極の配置図。 本発明の一実施例になる、はんだ接続後における、光素子の実装構造体の縦断面図。 本発明の一実施例になる、メタライズのはんだ接続部分の拡大図。 本発明の一実施における、本接続前後におけるＸ方向位置ずれ量評価結果の説明図であり、光素子の電極を複数個に分割して設けた場合を示す図。 光素子の電極表面に凹凸が存在した場合の実施例を示す図。 基板側のはんだの量を増やした場合のはんだ接続後における光素子の実装構造体の縦断面図。 基板の電極を複数個に分割して設けた場合の実施例を示す図。 基板側電極のメタライズの表面を分割した場合の実施例を示す図。 本発明の他の実施の形態になる光素子の実装構造体の説明図。 本発明の一実施例に基づく光素子の実装構造体の製造工程を示す図であり、基板上の電極にはんだを供給する状態を示す。 はんだ接続前における、基板側の電極及びはんだの縦断面図。 はんだ接続前における、基板側の電極及びはんだの側断面図。 酸化防止雰囲気中で加熱溶融する本接続の状態を示す図。 本接続後、得られた光素子の実装構造体を示す図。 メタライズの表面を分割した例を示す基板側電極の断面図。 本発明の応用例を示すドライブ装置の要部を示す斜視図。 従来の実施の形態を示す概略説明図。

符号の説明

１…光素子、２…光素子のはんだ接続用電極、３…はんだ、４…基板上の電極、５…基板、７…酸化防止雰囲気、１０１…光素子の実装構造体、１０２…光素子の実装構造体、１０３…光素子の実装構造体、１０７…光ディスクドライブ装置。

Claims (7)

1. 光素子の電極と基板電極とがはんだを用いて接続された光素子の実装構造体において、
   前記はんだ接続において、前記はんだの領域が前記光素子の１つのメタライズ当り、複数個分割形成されていることを特徴とする光素子の実装構造体。
2. 光素子の電極と基板電極とがはんだを用いて接続された光素子の実装構造体において、
   １個の前記光素子に対応する前記基板電極上に、はんだが複数個の領域に分割して配置されており、
   前記はんだの分割配置数は、前記基板のメタライズの数以上であり、
   前記はんだ接続により、前記光素子の１つのメタライズに対して、前記基板のメタライズが１つもしくは複数個の領域に分割して形成されていることを特徴とする光素子の実装構造体。
3. 光素子の電極と基板の電極とがはんだを用いて接続された光素子の実装構造体において、
   １個の前記光素子に対応する前記基板電極上に、はんだが複数個の領域に分割して配置されており、
   前記光素子の１つのメタライズに対して、前記基板のメタライズが１つもしくは複数個あり、該基板の各メタライズは、前記光素子の光軸方向に垂直な素子中心線に対して線対称に配置されていることを特徴とする光素子の実装構造体。
4. 請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記基板上の電極のメタライズの断面形状が、該基板の表面に近い下層側ほど幅の広い形状である、ことを特徴とする光素子の実装構造体。
5. 請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記各メタライズが、前記はんだ接続部分に対応する複数の凹部を有することを特徴とする光素子の実装構造体。
6. 請求項１ないし３のいずれかの光素子の実装構造体を有することを特徴とする光モジュールを実装した光ディスクドライブ装置。
7. はんだを用いて光素子上に形成された電極と基板上に形成された電極とを接続する光素子の実装方法において、
   前記光素子の１つのメタライズ当り複数個分割形成されたはんだ領域に、Ａｕが８５〜７０ｗｔ％、Ｓｎが１５〜３０ｗｔ％からなるＡｕ、Ｓｎの共晶組成のはんだを配置し、
   前記光素子と前記基板の電極を仮接続した後、前記はんだの融点以上に加熱して前記光素子と前記基板の電極をはんだ接続することを特徴とする光素子の実装方法。

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