JP2007335877A

JP2007335877A - 発光ダイオードおよびその製造方法

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Publication number: JP2007335877A
Application number: JP2007159499A
Authority: JP
Inventors: ▲蔡▼長達; Chang-Da Tsai; Ching-Shih Ma; 馬景時
Original assignee: Optotech Corp
Current assignee: Optotech Corp
Priority date: 2006-06-16
Filing date: 2007-06-15
Publication date: 2007-12-27
Also published as: TW200802934A; US20070290221A1; TWI305960B; DE102007027199A1

Abstract

【課題】発光ダイオードおよびその製造方法において、より高い効率を得ることが可能なチップボンディング発光ダイオード、および光を吸収する問題を解決すると共に、破損するウェハを少なくして歩留りを増加させる発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオードは、第１の部分および第２の部分を有する常設基板、および常設基板の第１の部分にチップボンディング技術によって取り付けられたチップを含む。チップは、少なくとも１つの第１の電極および１つの発光領域を含む。製造方法は、ＥＰＩウェハの脆弱性の問題を解決するために、常設基板の第１の部分にチップボンディング技術によって単一のチップを実装するステップを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）および発光ダイオードの製造方法に関し、特に、チップボンディング発光ダイオードおよびチップボンディング発光ダイオードの製造方法に関する。

図１は周知のＡｌＧａＩｎＰ四元発光ダイオードを示す。四元発光ダイオード１００において、発光領域１１０は、ｎドープＧａＡｓ基板１０２上にある。発光領域１１０は、順にｎドープＡｌＧａＩｎＰ層１０３、ＡｌＧａＩｎＰ活性層１０４、ｐドープＡｌＧａＩｎＰ層１０５、ｐドープＧａＰ層１０６を備える。また、第１の電極１０８は、ｐドープＧａＰ層１０６上に形成され、第２の電極１０９は、ｎドープＧａＡｓ基板１０２上に形成される。一般的に、ＡｌＧａＩｎＰ活性層１０４は、二重ヘテロ構造活性層または量子井戸活性層である。

ＧａＡｓ基板１０２のエネルギーギャップが、１．４２ｅＶ程度であるため、ＧａＡｓ基板１０２の遮断波長は、８７０ｎｍ程度である。バイアス電圧が、四元発光ダイオード１００に印加されるとＡｌＧａＩｎＰ活性層１０４で光が生成され、生成された光のうち波長が８７０ｎｍよりも短い光はＧａＡｓ基板１０２に吸収され、発光ダイオード１００の効率が減少することになる。

上記の問題を解決するため、ｐドープＧａＡｓ基板を光透過性基板に置き換える方法が米国特許Ｎｏ．５５０２３１６号に開示されている。図１に示される発光ダイオード１００の電極が形成される前に、まずｎドープＧａＡｓ基板１０２を取り除くエッチング処理が実行される。さらに、例えばｎドープＧａＰ基板、ガラス基板、または水晶基板のような、光透過性基板１２２が準備され、８００〜１０００℃程度の高温のもとでウェハボンディング技術によって発光領域１１０に接合される。図２に示されるように、光透過性基板１２２が、例えばｎドープＧａＡｓ基板のように伝導性がある場合、発光ダイオード１２０は、第１の電極１０８をｐドープＧａＰ基板１０６上に形成し、第２の電極１１１をｎドープＧａＰ基板１２２の表面部分に形成することによって製造可能である。米国特許Ｎｏ．５５０２３１６号により、基板が光を吸収する問題は解決され、発光ダイオードの効率が改善される。

図３Ａ乃至図３Ｆは、ウェハボンディング技術による発光ダイオードの製造ステップを示す。図３Ａに示されるように、単一の大型基板１０２がＥＰＩ処理に共される。基板１０２はｎドープＧａＡｓ基板であり、一時的基板と呼ばれる。図３Ｂにおいて、発光領域１１０は、基板１０２上に形成される。そして、一時的基板１０２は取り除かれ、図３Ｃに示されるように、発光領域１１０のみが残る。図３Ｄにおいて、大型常設基板１２２が準備され、ウェハボンディング技術によって大型の発光領域１１０に接合される。図３Ｅは、複数の第１の電極１０８および複数の第２の電極１１１が発光領域１１０および常設基板１２２上にそれぞれ形成されている様子を示す。最後に、図３Ｆに示されるように、図３Ｅにおける上記の構造が複数の発光ダイオードに分割される。

半導体物質が高温で容易に品質低下することは周知である。しかしながら、ウェハボンディング技術は高温で処理する必要があり、高温によって発光領域１１０の品質が低下する。さらに、大型の発光領域１１０が大型の常設基板１２２に接合されるので、段差や発光領域１１０または常設基板１２２に付着した粒子により、ウェハボンディングステップにおいて不具合が生じることがある。また、発光領域１１０は、一時的基板１０２が取り除かれた後、常設基板１２２が接合されるまで、破損せずに処理するのが困難である。

米国特許Ｎｏ．６９６７１１７号は、上記の、基板が光を吸収する問題を解決するために、光を基板から反射するための別の方法を開示している。図４Ａに示されるように、発光領域１１０が例えばｎドープＧａＡｓ基板のような一時的基板１０２上に形成される。ここで発光領域１１０は、ｎドープＡｌＧａＩｎＰ層１０３、ＡｌＧａＩｎＰ活性層１０４、ｐドープＡｌＧａＩｎＰ層１０５、およびｐドープＧａＰ層１０６を連続して備えている。また、バッファ層１４５および反射層１４４が発光領域１１０上に連続して形成される。図４Ｂに示されるように、常設基板１４２が準備され、拡散障壁層１４３が常設基板１４２上に形成される。ウェハボンディング技術により、図４Ｃに示すように、反射層１４４が高温で拡散障壁層１４３に接合され、一時的基板１０２が取り除かれ、第１の電極１０２がｎドープＡｌＧａＩｎＰ層１０３上に形成され、第２の電極１１３が常設基板１４２上に形成される。光が反射層１４４によって基板１４２から効率的に反射されるので、発光ダイオード１４０の効率が改善される。

図５Ａ乃至図５Ｇは、米国特許Ｎｏ．６９６７１１７号に開示されたウェハボンディング技術による発光ダイオードの製造ステップを示す。図５Ａに示されるように、単一の大型基板１０２がＥＰＩ処理に共される。ここで基板１０２は、例えばｎドープＧａＡｓ基板のような一時的な基板である。図５Ｂは、発光領域１１０が基板１０２上に成長してバッファ層１４５および反射層１４４が連続して発光領域１１０上に形成される様子を示す。図５Ｃにおいて、常設基板１４２が備えられ、拡散障壁層１４３が常設基板１４２上に形成される。図５Ｄに示されるように、拡散障壁１４３は、ウェハボンディング技術によって反射層１４４に接合される。そして、図５Ｅにおいて、基板１０２が取り除かれる。図５Ｆは、複数の第１の電極１１２および複数の第２の電極１１３が発光領域１１０および常設基板１４２上にそれぞれ形成されている様子を示す。最後に、図５Ｇに示されるように、図５Ｆにおける上記の構造が複数の発光ダイオードに分割される。

代替処理として、図５Ｅのステップが終了した後、発光領域１１０を部分的に取り除くエッチング処理を実行可能である。第１の電極１１２および第２の電極１１３がｎドープＡｌＧａＩｎＰ層１０３およびｐドープＧａＰ層１０６上にそれぞれ形成され、図６に示されるように、この構造が複数の平坦電極発光ダイオードに分割される。

上記の方法において、ウェハボンディングが最初に実行され、その後に一時的基板が取り除かれて電極が形成される。しかしながら、米国特許Ｎｏ．５５０２３１６号において発生する基板を取り除くことによる機械的強度の弱さの問題がこの方法によって回避できたとしても、第１および第２の電極を形成する際の合金処理による反射の劣化がなお発生し、そのことが発光ダイオードの効率を低下させる。また、発光領域１１０に対して実行されるエッチング処理が発光領域１１０の表面積を減少させ、電流が発光ダイオード１１０を均一に通ることができず、従って発光ダイオードの効率が低下する。

米国特許Ｎｏ．６２２１６８３号は、発光ダイオードの他の製造方法を開示している。図７Ａに示されるように、発光領域１１０がｎドープＧａＡｓのような一時的基板１０２上に形成され、その上にｎドープＡｌＧａＩｎＰ層１０３、ＡｌＧａＩｎＰ活性層１０４、ｐドープＡｌＧａＩｎＰ層１０５、およびｐドープＧａＰ層１０６が連続して形成される。次に、一時的基板１０２が取り除かれ、第１の金属接点１６２がｎドープＡｌＧａＩｎＰ層１０３上に形成される。図７Ｂに示されるように、常設基板１６６が備えられ、第２の金属接点１６４が常設基板１６６上に形成される。図７Ｃに示されるように、はんだ層１６３が、第１の金属接点１６２および第２の金属接点１６４の間に準備され、第１の金属接点１６２が、ウェハボンディング技術によって第２の金属接点１６４と合金接合される。そして、第１の電極１７０がｐドープＧａＰ層１０６上に形成され、第２の電極１７２が常設基板１６６上に形成される。ここで、第１の電極１７０および第２の電極１７２はボンディングステップの前に形成可能である。

図８Ａ乃至図８Ｇは、米国特許Ｎｏ．６２２１６８３号に開示されているウェハボンディング技術による発光ダイオードの製造ステップを示す。図８Ａに示されるように、単一の大型基板１０２がＥＰＩ処理に共される。ここで、基板１０２は、例えばｎドープＧａＡｓ基板のような一時的基板である。図８Ｂは、発光領域１１０が一時的基板１０２上に形成される様子を示す。図８Ｃは、一時的基板１０２が取り除かれ複数の第１の金属接点１６２が発光領域１１０上に形成される様子を示す。図８Ｄは、常設基板１６６が準備され複数の第２の金属接点１６４が常設基板１６６上に形成される様子を示す。図８Ｅは、はんだ層１６３が第１の金属接点１６２および第２の金属接点１６４の間に準備され、第１の金属接点１６２がウェハボンディング技術によって第２の金属接点１６４と合金接合される様子を示す。図８Ｆは、複数の第１の電極１７０が発光領域１１０上に形成され、第２の電極１７２が常設基板１６６上に形成されている様子を示す。最後に、図８Ｇは、図８Ｆにおける上記の構造が複数の発光ダイオードに分割される様子を示す。
米国特許Ｎｏ．５５０２３１６号米国特許Ｎｏ．６９６７１１７号米国特許Ｎｏ．６２２１６８３号

しかしながら、発光領域１１０は破損せずに取り扱うことが困難であり、発光ダイオードの効率は合金処理の間に低下するという上記の問題がやはり発生する。

本発明は、チップボンディング発光ダイオードの発光領域に部分的に重なった常設基板を有してより高い効率を得ることが可能なチップボンディング発光ダイオードを提供することを目的とする。

また、本発明は、光を吸収する問題を解決すると共に、破損するウェハを少なくして歩留りを増加させる発光ダイオードの製造方法を提供することを目的とする。

本発明は発光ダイオードの製造方法を開示するものであり、一時的な基板を準備し、一時的基板上に発光領域を形成し、発光領域の第１の表面に複数の第１の電極を形成し、一時的基板を取り除き、複数の抵抗接点（ｏｈｍｉｃｃｏｎｔａｃｔｄｏｔｓ）、反射層、障壁層、および共晶層を連続して発光領域の第２の表面に形成し、でき上がった構造を複数のチップに分割して各チップが少なくとも１つの第１の電極、発光領域の一部分、複数の抵抗接点、反射層の一部分、障壁層の一部分、および共晶層の一部分を含むようにし、常設基板を準備し、複数の発光ダイオードを取得するために前記複数のチップをチップボンディング技術によって前記常設基板に実装するという各ステップを備えており、各発光ダイオードにおける常設基板は、部分的にチップで覆われた状態となっている。

さらに、発光ダイオードが開示される。この発光ダイオードは、第１の部分および第２の部分を有する常設基板、およびチップボンディング技術によって常設基板の第１の部分に実装され、少なくとも１つの第１の電極および１つの発光領域を備えるチップを含むものである。

一実施形態において、常設基板は、ＡｌＮのような高熱伝導性および非電導性の物質またはＣｕのような高熱伝導性金属物質で構成されるサブマウントである。抵抗接点の材質は、Ｇｅ／Ａｕ合金である。反射層の材質は、Ａｕ，Ａｌ、またはＡｇとすることができる。反射層は、また、金属酸化層および高反射率の金属層の組合せとすることができる。金属酸化層は、金属酸化層と発光ダイオードの屈折率の違いにより反射層として機能することができる。金属酸化層は、金属層と発光ダイオードの相互拡散を回避させる。障壁層は、高安定性および高融点を有するＰｔ，Ｎｉ，Ｗ、またはインジウムスズ酸化物で構成される。共晶層は、Ｓｎ，ＳｎＡｕ，ＳｎＩｎ，ＡｕＩｎ、またはＳｎＡｇ合金で構成される。一時的基板は、ｎドープＧａＡｓ基板である。

一実施形態において、発光領域はｎドープＡｌＧａＩｎＰ層、ｎドープＡｌＧａＩｎＰ層上に成長したＡｌＧａＩｎＰ活性層、ＡｌＧａＩｎＰ活性層上に成長したｐドープＡｌＧａＩｎＰ層、およびｐドープＡｌＧａＩｎＰ層上に成長したｐドープＧａＰ層を含む。

一実施形態において、ＡｌＧａＩｎＰ活性層は、二重ヘテロ構造活性層または量子井戸活性層である。

本発明は、チップボンディング発光ダイオードを開示し、これにより従来のウェハボンディング技術によって製造される発光ダイオードの不具合が解決される。図９は、本発明のチップボンディング発光ダイオードの断面構造を示す。チップボンディング発光ダイオード５００は、第１の電極５０８、発光領域５１０、抵抗接点（ｏｈｍｉｃｃｏｎｔａｃｔｄｏｔ）５２０、反射層５２２、障壁層５２４、共晶層５２６、第２の電極として機能する金属層５２８、およびサブマウント５３０を有する。第１の電極５０８、発光領域５１０、抵抗接点５２０、反射層５２２、障壁層５２４、および共晶層５２６は、チップ５５０と見なされる。第１の電極５０８および金属層５２８は平坦電極（ｐｌａｎａｒｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ）として構成され、サブマウント５３０は常設基板である。また、金属層５２８の表面積は発光領域５１０の底面積よりも大きい。

本発明では、発光ダイオードの効率を低下させることなく平坦電極を形成するために、大型のサブマウント５３０が備えられ、分割された複数のチップが、合金処理のためにサブマウント５３０上に配置される。製造ステップが以下に示される。

図１０Ａに示されるように、ｎドープＧａＡｓウェハが基板５０２として準備され、発光領域５１０が基板５０２上に成長し、また、複数の第１の電極５０８が発光領域５１０上に形成される。発光領域５１０は、ｎドープＧａＡｓ基板５０２上に連続して形成された少なくともｎドープＡｌＧａＩｎＰ層、ＡｌＧａＩｎＰ活性層、ｐドープＡｌＧａＩｎＰ層、およびｐドープＧａＰを有する。典型例として、ＡｌＧａＩｎＰ活性層は、二重へテロ構造活性層または量子井戸活性層とすることができる。発光領域５１０は異なる要求により、構造を変えることができると理解される。従って、本発明において、発光領域の構造はこれに限られるものではない。

図１０Ｂに示されるように、ｎドープＧａＡｓ基板が取り除かれた後、複数の抵抗接点５２０、１つの反射層５２２、１つの障壁層５２４、１つの共晶層５２６が、連続して発光領域５１０上に形成される。一実施形態において、抵抗接点５２０の材質はＧｅ／Ａｕ合金であり、反射層５２２は、例えばＡｕ，Ａｌ、またはＡｇのような高反射率の金属、または、金属酸化層および高反射率の金属層の組合せによって構成される。金属酸化層は、金属酸化物と発光ダイオードの屈折率の違いにより反射層として機能することができる。さらに、金属酸化層により、金属層と発光ダイオードとの相互拡散を回避し、反射を維持することが可能である。障壁層５２４は、高安定性および高融点を有するＰｔ，Ｎｉ，Ｗ、またはインジウムスズ酸化物で構成される。共晶層５２６は、Ｓｎ，ＳｎＡｕ，ＳｎＩｎ，ＡｕＩｎ、またはＳｎＡｇの合金で構成され、３００℃程度の融点を有する。図１０Ｃに示されるように、図１０Ｂにおける上記の構造は、複数のチップ５５０に分割される。

図１０Ｄに示されるように、大型のサブマウント５３０が準備され、サブマウント５３０上に金属層５２８が形成される。図１０Ｅに示されるように、分割された各チップ５５０の共晶層５２６は、３００℃程度の温度で金属層５２８と合金接合される。図１０Ｆに示されるように、サブマウント５３０および金属層５２８を分割することにより、複数の発光ダイオードが得られる。

図１０Ｆに示されるように、分割された金属層５２８の表面積はチップ５５０の底面積よりも大きい。チップ５５０で覆われない金属層５２８は第２の電極として機能し、金属層５２８の他の部分は合金処理に使用され、チップ５５０と合金化され、合金化によって金属層５２８とチップ５５０の発光領域５１０が電気的に接続される。

なお、サブマウント５３０および金属層５２８を先に分割することも可能であり、分割された各金属層５２８に各チップ５５０が合金接合される。これにより、本発明の発光ダイオードが製造され、金属層５２８が部分的にチップ５５０で覆われた状態となる。

一実施形態において、金属層はＡｕ，Ａｌ，Ａｇ、またはそれらの組合せで構成される。サブマウントは、例えばＡｌＮのような高熱伝導性および非電導性の物質で構成される常設基板である。

図９におけるチップボンディング発光ダイオードを提供するために、チップ５５０をサブマウント５３０に３００℃程度の温度で合金接合して、金属層５２８が発光領域５１０に対して電気的に接続される。

また、本発明の常設基板は、高熱伝導性を持つ金属常設基板とすることができる。小型のチップが、常設基板上に金属層を備えることなく金属常設基板に直接合金接合される。金属常設基板はＣｕ基板でよい。

さらに、本発明によって提供される反射層は、常設基板外に光を反射するために用いられる。

さらに、本発明のチップと基板との合金接合処理は、チップの性能を低下させることなく、比較的低温で実行可能である。共晶層がＳｎ２０Ａｕ８０で構成される場合、合金接合における温度は３００℃を下回る。

さらに、本発明において、チップは個々に常設基板上の金属層に合金接合され、チップの長さ、幅、および高さは、同じ寸法レベルを有する。そのため、ウェハは、機械的強度が不十分であるという理由で破損することがない。ＧａＡｓの一時的基板を取り除いた後に大規模の発光領域が破損されたとしても、大規模発光領域を複数のチップに分割可能であり、それにより、本発明のチップボンディング発光ダイオードの歩留りが増加する。

さらに、図１１に示されるように、常設基板５３０上の金属層５２８が部分的にチップ５５０に覆われた状態となっているので、チップ５５０内の反射層５２２だけでなく、露出した金属層５２８も、発光領域５１０で生成された光を反射可能である。これにより、発光ダイオードの効率が増強される。さらに、熱伝導性のサブマウントの大きな面積は、熱放散に有利であり、特に、高出力発光ダイオードに適用可能である。

本発明は、現在最も実用的で好ましい実施形態と考えられる観点で説明されたが、本発明は開示した実施形態に限られるものではないと了解されるべきである。むしろ、添付の請求項の精神とその範囲に含まれる多様な変更および同様の配置を網羅するように意図され、請求項は、そのような変更および同様の構造を全て網羅する最も幅広い解釈と一致するものとする。

従来技術のＡｌＧａＩｎＰ四元発光ダイオードの断面図。従来技術の他のＡｌＧａＩｎＰ四元発光ダイオードの断面図。周知のウェハボンディング技術によって図２の発光ダイオードを製造するステップを示す図。周知のウェハボンディング技術によって図２の発光ダイオードを製造するステップを示す図。周知のウェハボンディング技術によって図２の発光ダイオードを製造するステップを示す図。周知のウェハボンディング技術によって図２の発光ダイオードを製造するステップを示す図。周知のウェハボンディング技術によって図２の発光ダイオードを製造するステップを示す図。周知のウェハボンディング技術によって図２の発光ダイオードを製造するステップを示す図。従来技術の反射層を有する発光ダイオードを製造する処理を示す図。従来技術の反射層を有する発光ダイオードを製造する処理を示す図。従来技術の反射層を有する発光ダイオードを製造する処理を示す図。図４Ａ乃至図４Ｃの発光ダイオードをウェハボンディング技術によって製造するステップを示す図。図４Ａ乃至図４Ｃの発光ダイオードをウェハボンディング技術によって製造するステップを示す図。図４Ａ乃至図４Ｃの発光ダイオードをウェハボンディング技術によって製造するステップを示す図。図４Ａ乃至図４Ｃの発光ダイオードをウェハボンディング技術によって製造するステップを示す図。図４Ａ乃至図４Ｃの発光ダイオードをウェハボンディング技術によって製造するステップを示す図。図４Ａ乃至図４Ｃの発光ダイオードをウェハボンディング技術によって製造するステップを示す図。図４Ａ乃至図４Ｃの発光ダイオードをウェハボンディング技術によって製造するステップを示す図。従来技術の、反射層を有する他の発光ダイオードの断面図。従来技術の、はんだ層を有する発光ダイオードを製造する過程を示す図。従来技術の、はんだ層を有する発光ダイオードを製造する過程を示す図。従来技術の、はんだ層を有する発光ダイオードを製造する過程を示す図。図７Ａ乃至図７Ｃの発光ダイオードをウェハボンディング技術によって製造するステップを示す図。図７Ａ乃至図７Ｃの発光ダイオードをウェハボンディング技術によって製造するステップを示す図。図７Ａ乃至図７Ｃの発光ダイオードをウェハボンディング技術によって製造するステップを示す図。図７Ａ乃至図７Ｃの発光ダイオードをウェハボンディング技術によって製造するステップを示す図。図７Ａ乃至図７Ｃの発光ダイオードをウェハボンディング技術によって製造するステップを示す図。図７Ａ乃至図７Ｃの発光ダイオードをウェハボンディング技術によって製造するステップを示す図。図７Ａ乃至図７Ｃの発光ダイオードをウェハボンディング技術によって製造するステップを示す図。本発明によるチップボンディング発光ダイオードの好ましい実施形態を示す断面図。本発明による図９の発光ダイオードをチップボンディング技術により製造するステップを示す図。本発明による図９の発光ダイオードをチップボンディング技術により製造するステップを示す図。本発明による図９の発光ダイオードをチップボンディング技術により製造するステップを示す図。本発明による図９の発光ダイオードをチップボンディング技術により製造するステップを示す図。本発明による図９の発光ダイオードをチップボンディング技術により製造するステップを示す図。本発明による図９の発光ダイオードをチップボンディング技術により製造するステップを示す図。本発明による金属層が他の反射層とされる場合の発光ダイオードにおける光反射路を示す図。

符号の説明

５００チップボンディング発光ダイオード
５０８第１の電極
５１０発光領域
５２０抵抗接点
５２２反射層
５２４障壁層
５２６共晶層
５２８金属層
５３０サブマウント
５５０チップ

Claims

一時的な基板を準備するステップと、
前記一時的基板上に発光領域を形成するステップと、
前記発光領域の第１の表面に複数の第１の電極を形成するステップと、
前記一時的基板を取り除くステップと、
複数の抵抗接点、反射層、障壁層、および共晶層を前記発光領域の第２の表面に連続的に形成するステップと、
前記によって形成された構造を、各チップが少なくとも１つの前記第１の電極、前記発光領域の一部分、複数の前記抵抗接点、前記反射層の一部分、前記障壁層の一部分、および前記共晶層の一部分を含む複数のチップに分割するステップと、
常設基板を準備するステップと、
発光ダイオードの各々において前記常設基板が前記チップにより部分的に覆われている複数の発光ダイオードを取得するために、チップボンディング技術によって前記常設基板に前記複数のチップを実装するステップと、を備えたことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
前記常設基板は金属常設基板であり、前記金属常設基板の露出した部分が前記発光ダイオードの第２の電極として機能することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法。
前記実装ステップは前記チップの前記共晶層を前記金属常設基板と合金接合するステップを備えることを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオードの製造方法。
前記常設基板はサブマウントであり、前記サブマウントはＡｌＮセラミック基板であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法。
前記実装ステップはさらに、
前記常設基板に金属層を形成するステップと、
前記チップの前記共晶層を前記金属層と合金接合するステップと、を備え、
前記金属層が部分的に前記チップで覆われ、前記金属層の露出した部分が前記発光ダイオードの第２の電極として機能することを特徴とする請求項４に記載の発光ダイオードの製造方法。
前記抵抗接点の材料はＧｅ／Ａｕ合金を含み、前記反射層はＡｕ，Ａｌ、およびＡｇで構成されるグループから選択された材料の１つで構成され、前記障壁層はＰｔ，Ｎｉ，Ｗ、およびインジウムスズ酸化物で構成されるグループから選択された材料の１つで構成され、前記共晶層はＳｎＡｕまたはＳｎＡｇのうちの１つで構成され、前記一時的基板はｎドープＧａＡｓ基板であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法。
前記発光領域はさらに、
ｎドープＡｌＧａＩｎＰ層、
前記ｎドープＡｌＧａＩｎＰ層上に成長したＡｌＧａＩｎＰ活性層、
前記ＡｌＧａＩｎＰ活性層上に成長したｐドープＡｌＧａＩｎＰ層、および、
前記ｐドープＡｌＧａＩｎＰ層上に成長したｐドープＧａＰ層を含み、
前記ＡｌＧａＩｎＰ活性層は、二重ヘテロ構造活性層または量子井戸活性層のうちの１つであることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法。
第１の部分および第２の部分を有する常設基板、および、
チップボンディング技術によって前記常設基板の前記第１の部分に実装され、少なくとも１つの第１の電極および１つの発光領域を備えるチップを含むことを特徴とする発光ダイオード。
前記常設基板はサブマウントであり、前記サブマウントがＡｌＮセラミック基板であることを特徴とする請求項８に記載の発光ダイオード。
前記チップと前記常設基板の間に形成された金属層をさらに備え、前記金属層が部分的に前記チップで覆われ、前記チップで覆われていない前記金属の部分が第２の電極として機能することを特徴とする請求項９に記載の発光ダイオード。
前記常設基板が金属常設基板であることを特徴とする請求項８に記載の発光ダイオード。
前記チップは複数の抵抗接点、反射層、障壁層、および共晶層をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の発光ダイオード。
前記抵抗接点の材料はＧｅ／Ａｕ合金を含み、前記反射層はＡｕ，Ａｌ、およびＡｇで構成されるグループから選択された１つで構成され、前記障壁層はＰｔ，Ｎｉ，Ｗ、およびインジウムスズ酸化物で構成されるグループから選択された１つで構成され、前記共晶層はＳｎＡｕまたはＳｎＡｇのうちの１つで構成されることを特徴とする請求項１２に記載の発光ダイオード。
前記発光領域はさらに、
ｎドープＡｌＧａＩｎＰ層、
前記ｎドープＡｌＧａＩｎＰ層上に成長したＡｌＧａＩｎＰ活性層、
前記ＡｌＧａＩｎＰ活性層上に成長したｐドープＡｌＧａＩｎＰ層、および、
前記ｐドープＡｌＧａＩｎＰ層上に成長したｐドープＧａＰ層を含み、
前記ＡｌＧａＩｎＰ活性層が二重ヘテロ構造活性層または量子井戸活性層のうちの１つであることを特徴とする請求項８に記載の発光ダイオード。