JP2018152528A - 電子装置 - Google Patents

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安伸 庄司
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智一郎 外山
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Abstract

【課題】 接合層が配線パターンや基板から剥離することを防止できる電子装置を提供すること。
【解決手段】 基材１と、基材１に形成された配線パターン３と、配線パターン３に配置された電子素子４１と、電子素子４１および配線パターン３の間に介在する接合層５と、を備え、配線パターン３には、開口部３９が形成され、接合層５は、基材１のうち配線パターン３における開口部３９に露出した部位１１９に接している。
【選択図】 図１０

Description

本開示は、電子装置に関する。
従来の半導体発光装置は、基板、半導体発光素子、配線パターン、接合層、および、封止樹脂を備えている。配線パターンは、基板に形成されている。半導体発光素子は、接合層を介して配線パターンに配置されている。封止樹脂は、基材上に配置され、半導体発光素子および配線パターンを覆っている。
特開２０１５−１１５４３２号公報
本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、接合層が配線パターンや基板から剥離することを防止できる電子装置を提供することをその主たる課題とする。
本開示の第１の側面によると、基材と、前記基材に形成された配線パターンと、前記配線パターンに配置された電子素子と、前記電子素子および前記配線パターンの間に介在する接合層と、を備え、前記配線パターンには、開口部が形成され、前記接合層は、前記基材のうち前記配線パターンにおける前記開口部に露出した部位に接している、電子装置が提供される。
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
第１実施形態にかかる電子装置の斜視図である。 第１実施形態にかかる電子装置の正面図である。 第１実施形態にかかる電子装置の左側面図である。 第１実施形態にかかる電子装置の右側面図である。 第１実施形態にかかる電子装置の平面図である。 図５に示した電子装置から電子素子とワイヤと保護層とを省略した図である。 図６に示した電子装置から接合層を省略した図である。 第１実施形態にかかる電子装置の底面図である。 図５のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。 図５のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。 第１実施形態にかかる電子装置の製造方法におけるある一時点の平面図である。 第１実施形態にかかる電子装置の製造方法におけるある一時点の平面図である。 第１実施形態にかかる電子装置の製造方法におけるある一時点の平面図である。 第２実施形態にかかる電子装置の平面図である。 第３実施形態にかかる電子装置の平面図である。
以下、本開示の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
＜第１実施形態＞
図１〜図１３を用いて、第１実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態にかかる電子装置の斜視図である。図２は、第１実施形態にかかる電子装置の正面図である。図３は、第１実施形態にかかる電子装置の左側面図である。図４は、第１実施形態にかかる電子装置の右側面図である。図５は、第１実施形態にかかる電子装置の平面図である。
これらの図に示す電子装置Ａ１は、基材１と、配線パターン３と、電子素子４１と、ワイヤ４２と、接合層５と、保護層６と、樹脂部７と、を含む。図５では、樹脂部７を省略している。
基材１は、例えば絶縁性の材料よりなる。このような絶縁性の材料としては、例えば、絶縁性の樹脂もしくはセラミックなどが挙げられる。絶縁性の樹脂としては、例えば、ガラスエポキシ樹脂などが挙げられる。セラミックとしては、例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣ，またはＡｌＮなどが挙げられる。基材１は、アルミニウムなどの金属よりなる基板に、絶縁膜が形成されたものであってもよい。基材１は、基材１の厚さ方向Ｚ１視において、矩形状を呈する。
基材１は、主面１１、裏面１３、第１側面１５Ａ、第２側面１５Ｂ、第３側面１５Ｃ、および第４側面１５Ｄを有する。
主面１１および裏面１３は、基材１の厚さ方向Ｚ１において、離間しており、互いに反対側を向く。主面１１および裏面１３はともに、平坦である。
第１側面１５Ａおよび第２側面１５Ｂは、第１方向Ｘ１に離間しており、互いに反対側を向く。第１側面１５Ａおよび第２側面１５Ｂはともに、主面１１および裏面１３につながっている。第１側面１５Ａおよび第２側面１５Ｂはともに、平坦である。
基板１には、第１凹部１６Ａおよび第２凹部１６Ｂが形成されている。第１凹部１６Ａおよび第２凹部１６Ｂはそれぞれ、第１側面１５Ａおよび第２側面１５Ｂから基材１の内側に向け凹んでいる。第１凹部１６Ａおよび第２凹部１６Ｂはともに、主面１１から裏面１３にわたって形成されている。本実施形態においては、第１凹部１６Ａおよび第２凹部１６Ｂは、基材１の厚さ方向Ｚ１視において、半円形状をなす。
第３側面１５Ｃおよび第４側面１５Ｄは、第２方向Ｙ１に離間しており、互いに反対側を向く。第３側面１５Ｃおよび第４側面１５Ｄはともに、主面１１および裏面１３につながっている。第３側面１５Ｃおよび第４側面１５Ｄはともに、平坦である。
図６は、図５に示した電子装置から電子素子とワイヤと保護層とを省略した図である。図７は、図６に示した電子装置から接合層を省略した図である。図８は、第１実施形態にかかる電子装置の底面図である。
図５〜図７等に示す配線パターン３は、電子素子４１に電力を供給するための電流経路を構成する。配線パターン３は電子素子４１に導通している。配線パターン３は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕなどの単種類または複数種類の金属からなる。配線パターン３は基材１に形成されている。本実施形態においては、配線パターン３は、Ｃｕ上にＡｕめっきされて形成されている。配線パターン３の材質はここに挙げたものに特に限定されない。配線パターン３は、主面１１および裏面１３に形成されている。本実施形態では更に配線パターン３は第１凹部１６Ａおよび第２凹部１６Ｂに形成されている。
配線パターン３は、ダイパッド部３１と、第１導電部３２と、第２導電部３３と、第１端縁部３５Ａと、第２端縁部３５Ｂと、第１連絡部３６Ａと、第２連絡部３６Ｂと、第１側面部３７Ａと、第２側面部３７Ｂと、第１裏面部３８Ａと、第２裏面部３８Ｂと、を含む。配線パターン３には開口部３９が形成されている。
図９は、図５のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。図１０は、図５のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
本実施形態では、開口部３９は環状（より具体的には一部が欠けた円環状）である。開口部３９には接合層５が配置されている。図１０に示すように、接合層５は、基材１のうち配線パターン３における開口部３９に露出した部位１１９に接している。
図５〜図７、図９、図１０に示すように、ダイパッド部３１と、第１導電部３２と、第２導電部３３と、第１端縁部３５Ａと、第２端縁部３５Ｂと、第１連絡部３６Ａと、第２連絡部３６Ｂとは、基材１における主面１１に形成されている。
ダイパッド部３１には電子素子４１が配置されている。ダイパッド部３１の一部は、開口部３９を構成している。ダイパッド部３１には接合層５が接する。ダイパッド部３１は、第１内側面３１１を含む。第１内側面３１１は、基材１の厚さ方向Ｚ１に交差する方向（本実施形態では厚さ方向Ｚ１に直交する方向）を向く。第１内側面３１１は、開口部３９の一部を規定している。本実施形態では第１内側面３１１には接合層５が接している。図７に示すように、ダイパッド部３１は、第１端縁３１Ａおよび第２端縁３１Ｂを含む。第１端縁３１Ａおよび第２端縁３１Ｂは、ダイパッド部３１において基材１の厚さ方向Ｚ１視にて互いに反対側に位置する。
第１導電部３２は、ダイパッド部３１から離間している。本実施形態では、第１導電部３２は、ダイパッド部３１を囲む環状である。より具体的には、第１導電部３２は矩形状の外形を有する環状である。第１導電部３２の外形は矩形状に限定されず、円形状や三角形状の他の形状であってもよい。第１導電部３２の一部は、開口部３９を構成している。基材１の厚さ方向Ｚ１視において、第１導電部３２およびダイパッド部３１の間には、開口部３９が位置する。第１導電部３２には接合層５が接している。
図１０に示すように、第１導電部３２は、第２内側面３２１を含む。第２内側面３２１は、第１内側面３１１に対向している。第２内側面３２１の厚さ方向Ｚ１視の形状は、円弧状である。第２内側面３２１には接合層５が接している。本実施形態とは異なり、第２内側面３２１が接合層５に接しておらず、第２内側面３２１と接合層５とが離間していてもよい。１導電部３２は、基材１の厚さ方向Ｚ１を向く表面３２２を有する。第１導電部３２の表面３２２は、接触部位３２２Ａおよび露出部位３２２Ｂを有する。接触部位３２２Ａは接合層５に接する。露出部位３２２Ｂは接合層５から露出している。基材１の厚さ方向Ｚ１視において、露出部位３２２Ｂと開口部３９との間に、接触部位３２２Ａが位置する。図７に示すように、本実施形態では、第２内側面３２１と第１内側面３１１との距離Ｌ２は、距離Ｌ１と略同一であるが、距離Ｌ２は、距離Ｌ１より小さくてもあるいは大きくてもよい。本実施形態では、距離Ｌ２は、第２導電部３３の幅Ｗ１よりも大きい。たとえば、距離Ｌ１は距離Ｌ２よりも大きく、且つ、距離Ｌ２は幅Ｗ１よりも大きくてもよい。距離Ｌ１，Ｌ２が幅Ｗ１よりも大きいと、ダイパッド部３１をつなぐ部分（第２導電部３３）の幅が細いことを意味するので、ダイパッド部３１の剥離が進行しにくくなる可能性がある。距離Ｌ２が距離Ｌ１よりも小さいことにより、熱ストレス等を印加した際の電子素子４１を持ち上げる力が小さくなり、電子素子４１がすっぽ抜ける不良を回避できる可能性がある。
図７に示すように、第２導電部３３は、ダイパッド部３１および第１導電部３２のいずれにもつながる。第２導電部３３は、ダイパッド部３１および第１導電部３２の間に位置する。第２導電部３３の一部は、開口部３９を構成している。第２導電部３３に接合層５が接している。第２導電部３３は、基材１の厚さ方向Ｚ１視において、ダイパッド部３１から第１導電部３２に向かって延びている。具体的には、第２導電部３３は、ダイパッド部３１に対し、第１端縁部３５Ａとは反対側に配置されている。第２導電部３３は、基材１の厚さ方向Ｚ１を向く表面３３２を有する。第２導電部３３における表面３３２は、接合層５に接している。本実施形態では、表面３３２の全体が、接合層５に接している。本実施形態では、第２導電部３３の幅Ｗ１は、第１端縁３１Ａおよび第２端縁３１Ｂの離間距離Ｌ１よりも、小さい。本実施形態とは異なり、第２導電部３３の幅Ｗ１は、第１端縁３１Ａおよび第２端縁３１Ｂの離間距離Ｌ１と同一であってもよく、あるいは、大きくてもよい。
本実施形態とは異なり、第２導電部３３が形成されていなくてもよい。そして、ダイパッド部３１が配線パターン３における他のいずれの部位からも絶縁されていてもよい。この場合、開口部３９は、一部が欠けた環状ではなく、完全な環状であってもよい。
図７に示すように、第１端縁部３５Ａは、第１凹部１６Ａの縁１６１Ａに沿って延びている。本実施形態では、第１端縁部３５Ａは、半円環状である。第１連絡部３６Ａは、第１導電部３２および第１端縁部３５Ａの間に位置し、且つ、第１導電部３２および第１端縁部３５Ａに導通する。より具体的には、第１連絡部３６Ａは、第１導電部３２および第１端縁部３５Ａにつながっている。
ワイヤボンディングパッド部３４にはワイヤ４２がボンディングされている。ワイヤボンディングパッド部３４は、ダイパッド部３１に対し第１方向Ｘ１に離間している。
第２端縁部３５Ｂは、第２凹部１６Ｂの縁１６１Ｂに沿って延びている。本実施形態では、第２端縁部３５Ｂは、半円環状である。第２連絡部３６Ｂは、ワイヤボンディングパッド部３４および第２端縁部３５Ｂの間に位置し、且つ、ワイヤボンディングパッド部３４および第２端縁部３５Ｂに導通する。より具体的には、第２連絡部３６Ｂは、ワイヤボンディングパッド部３４および第２端縁部３５Ｂにつながっている。
本実施形態では、配線パターン３は、導電部３６Ｃを含む。導電部３６Ｃは、第２方向Ｙ１に沿って延びており、第３側面１５Ｃあるいは第４側面１５Ｄに至っている。導電部３６Ｃは、ワイヤボンディングパッド部３４および第２連絡部３６Ｂにつながっている。
第１側面部３７Ａは、第１凹部１６Ａの内側面に形成され、且つ、第１端縁部３５Ａにつながっている。第２側面部３７Ｂは、第２凹部１６Ｂの内側面に形成され、且つ、第２端縁部３５Ｂにつながっている。
図８に示すように、第１裏面部３８Ａおよび第２裏面部３８Ｂは、基材１の裏面１３に形成されている。
第１裏面部３８Ａは、第１側面部３７Ａにつながっている。第１裏面部３８Ａは、縁３８１Ａ〜３８７Ａを含む。縁３８１Ａは、第１方向Ｘ１に沿って延びる。縁３８２Ａは、第２方向Ｙ１に沿って延び、縁３８１Ａにつながっている。縁３８３Ａは、第１方向Ｘ１に沿って延び、縁３８２Ａにつながっている。縁３８４Ａは、第２方向Ｙ１に沿って延び、縁３８１Ａにつながっている。縁３８４Ａは、縁３８２Ａよりも短い。縁３８５Ａは、円弧状であり、縁３８４Ａにつながっている。縁３８５Ａは、基材１の裏面１３の第１方向Ｘ１における端に至っている。縁３８６Ａは、第２方向Ｙ１に沿って延び、縁３８３Ａにつながっている。縁３８６Ａは、縁３８２Ａよりも短い。縁３８７Ａは、円弧状であり、縁３８６Ａにつながっている。縁３８７Ａは、基材１の裏面１３の第１方向Ｘ１における端に至っている。
第２裏面部３８Ｂは、第２側面部３７Ｂにつながっている。第２裏面部３８Ｂは、縁３８１Ｂ〜３８７Ｂを含む。縁３８１Ｂは、第１方向Ｘ１に沿って延びる。縁３８２Ｂは、第２方向Ｙ１に沿って延び、縁３８１Ｂにつながっている。縁３８３Ｂは、第１方向Ｘ１に沿って延び、縁３８２Ｂにつながっている。縁３８４Ｂは、第２方向Ｙ１に沿って延び、縁３８１Ｂにつながっている。縁３８４Ｂは、縁３８２Ｂよりも短い。縁３８５Ｂは、円弧状であり、縁３８４Ｂにつながっている。縁３８５Ｂは、基材１の裏面１３の第１方向Ｘ１における端に至っている。縁３８６Ｂは、第２方向Ｙ１に沿って延び、縁３８３Ｂにつながっている。縁３８６Ｂは、縁３８２Ｂよりも短い。縁３８７Ｂは、円弧状であり、縁３８６Ｂにつながっている。縁３８７Ｂは、基材１の裏面１３の第１方向Ｘ１における端に至っている。
電子素子４１は、配線パターン３におけるダイパッド部３１に配置されている。本実施形態では、電子素子４１は、半導体素子であり、より具体的には光学素子である。このような光学素子には発光素子および受光素子が含まれる。本実施形態では電子素子４１は発光素子であり、電子装置Ａ１の光源となる。本実施形態においては更に、電子素子４１は、ＬＥＤチップである。本実施形態における電子素子４１は、ｎ型半導体層と活性層とｐ型半導体層とを有する。ｎ型半導体層は活性層に積層されている。活性層はｐ型半導体層に積層されている。よって、活性層はｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に位置する。ｎ型半導体層、活性層、および、ｐ型半導体層は、例えば、ＧａＮよりなる。電子素子４１は、互いに反対側を向く主面電極パッドおよび裏面電極パッドを有する。なお、これらの主面電極パッドおよび裏面電極パッドの図示は省略する。電子素子４１は、基材１に搭載されている。電子素子４１の発光色は特に限定されない。
本実施形態とは異なり、電子素子４１は光学素子である必要はない。たとえば電子素子４１が光学機能を果たさない素子（たとえばツェナーダイオードやＩＣチップ）であってもよい。電子素子４１が半導体素子である必要もない。たとえば、電子素子４１が抵抗やコンデンサであってもよい。
ワイヤ４２は電子素子４１およびワイヤボンディングパッド部３４にボンディングされている。ワイヤ４２は導電性の材料よりなる。ワイヤ４２は電子素子４１およびワイヤボンディングパッド部３４を導通させている。本実施形態では、ワイヤ４２は、厚さ方向Ｚ１視において第１方向Ｘ１に沿って延びている。
図１０に示すように、接合層５は電子素子４１および配線パターン３の間に介在する。接合層５の一部は、開口部３９に充填されている。本実施形態では接合層５は導電性の材料よりなる。接合層５はたとえば銀ペーストに由来する。本実施形態とは異なり接合層５は絶縁性の材料よりなっていてもよい。本実施形態では、接合層５は、電子素子４１の側面４１１と、ダイパッド部３１の第１内側面３１１と、ダイパッド部３１の表面３１２に接している（あるいは密着している）。このことは、電子素子４１を接合層５がより強固に保持できる点において好ましい。接合層５の主面１１からの高さは、ダイパッド部３１の主面１１からの高さよりも高い。接合層５の表面５１は、ダイパッド部３１の表面３１２よりも、主面１１から遠い位置にある。
保護層６は、絶縁性を有する材質からなる。保護層６は、たとえばレジスト層と称されることがある。保護層６は、主面１１および配線パターン３に形成されている。図３、図４に示すように、保護層６は、基材１および樹脂部７の間に介在しており、且つ、基材１および樹脂部７に接している。
保護層６は、部位６１，６２を含む。部位６１，６２は、第２方向Ｙ１に沿って延びている。部位６１，６２は、主面１１の第２方向Ｙ１の一端から他端まで延在している。部位６１の一部は、第１連絡部３６Ａに形成されている。部位６２の一部は、第２連絡部３６Ｂに形成されている。
図５に示すように、本実施形態では、第１導電部３２の最も幅狭の部位の幅Ｗ３２は、第１端縁部３５Ａの幅Ｗ３５Ａ、第１連絡部３６Ａの幅Ｗ３６Ａ、および、保護層６の部位６１の幅Ｗ６１のいずれよりも、小さい。本実施形態では、第１端縁部３５Ａの幅Ｗ３５Ａおよび保護層６の部位６１の幅Ｗ６１は、第１連絡部３６Ａの幅Ｗ３６Ａよりも小さい。本実施形態では、ワイヤボンディングパッド部３４の幅Ｗ３４は、第２端縁部３５Ｂの幅Ｗ３５Ｂ、導電部３６Ｃの幅Ｗ３６Ｃ、および、保護層６の部位６２の幅Ｗ６２のいずれよりも、大きい。本実施形態では、導電部３６Ｃの幅Ｗ３６Ｃは、第２端縁部３５Ｂの幅Ｗ３５Ｂおよび保護層６の部位６２の幅Ｗ６２のいずれよりも、小さい。本実施形態では、ワイヤボンディングパッド部３４の幅Ｗ３４は、第１連絡部３６Ａの幅Ｗ３６Ａよりも小さい。
樹脂部７は、基材１、電子素子４１、配線パターン３、保護層６、および、ワイヤ４２を覆っている。本実施形態では、樹脂部７は、光を透過させる樹脂からなる。このような樹脂としては、たとえば、透明あるいは半透明の、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、もしくは、ポリビニル系樹脂などが挙げられる。樹脂部７は、電子素子４１からの光によって励起されることにより異なる波長の光を発する蛍光材料を含むものであってもよい。本実施形態では、樹脂部がいわゆる黒樹脂である場合と異なり、樹脂部７にはフィラーが混入していない。図１〜図４等に示すように、樹脂部７は縁７１を含む。樹脂部７の縁７１は第２方向Ｙ１に沿って延びる。縁７１は電子装置Ａ１の第２方向Ｙ１の一端から他端にまで至る。
樹脂部７は、モールド成形により形成される。樹脂部７は、第１方向Ｘ１において、基材１よりも小さい。本実施形態においては、樹脂部７は、四角錐台状である。樹脂部７は、四角錐台状に限らず、基材１の厚さ方向Ｚ１に突き出る半球体状であってもよく、基材１の厚さ方向Ｚ１前方の面を凹面にしてもよい。本実施形態とは異なり、樹脂部７および電子素子４１を包囲するリフレクタが基材１に配置されていてもよい。
次に、本実施形態に係る電子装置Ａ１の製造方法について、図１１〜図１３を参照し、説明する。本実施形態においては、複数の電子装置Ａ１を製造する場合を例に説明する。なお、以下の説明では、上記と同一または類似の構成については上記と同一の符号を付す。
まず、複数の貫通孔１６がマトリクス状に形成された、矩形状の基材１００（図１１参照）を用意する。基材１００は、図２等に示す基材１を複数個形成可能なサイズである。基材１００には、複数の円形状の貫通孔１６が形成されている。基材１００は、上記基材１の材質と同じ材料（すなわちガラスエポキシ樹脂）からなる。次に、基材１００に配線パターン３を形成する。配線パターン３は、Ｃｕ箔にＡｕめっきを施すことにより、形成される。配線パターン３には、開口部３９が形成されている。
次に、図１２に示すように、接合層５を配線パターン３に形成する。接合層５の一部は、配線パターン３の開口部３９に充填されている。
次に、図１３に示すように、配線パターン３が形成された基材１００に保護層６を形成する。本実施形態においては、基材１００にフィルム状のレジストを圧着し貼り付ける。
次に、同図に示すように、電子素子４１を、接合層５を介して、配線パターン３に配置する。次に、ワイヤ４２を、電子素子４１と配線パターン３とにワイヤボンディングする。これにより、電子素子４１と配線パターン３とが導通する。
次に、図示を省略するが、上述の樹脂部７をモールド成型により形成した後に、樹脂部７が形成された中間品をダイシングすることにより、図１等に示す電子装置Ａ１が複数個製造される。なお、上記電子装置Ａ１の製造方法において、複数の電子装置Ａ１を製造する場合を例に説明したが、１つずつ製造してもよい。
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態においては、配線パターン３には、開口部３９が形成されている。接合層５は、基材１のうち配線パターン３における開口部３９に露出した部位１１９に接している。このような構成によると、接合層５および基材１の接合力は強固であるため、接合層５が基材１や配線パターン３から剥離することを防止できる。
銀ペーストに由来する接合層５と、配線パターン３におけるＡｕめっきとの接合力と比較して、当該接合層５と基材１との接合力はより大きい。そのため、接合層５が銀ペーストに由来し、配線パターン３がＡｕめっきを含む実施形態において、接合層５が基材１や配線パターン３から剥離することを、より効果的に防止できる。
本実施形態のように樹脂部７にフィラーが混入していない場合、樹脂部７は水を吸収しやすい。この場合、樹脂部７と基材１との界面や樹脂部７と配線パターン３との界面に水蒸気が溜まり、水蒸気爆発をするおそれがある。このような場合であっても、本実施形態では、樹脂部７に接する接合層５は基材１に強固に接合されているので、接合層５が配線パターン３から剥離ことを回避できる。
本実施形態においては、配線パターン３は、第１導電部３２を含む。開口部３９は、基材１の厚さ方向Ｚ１視において、第１導電部３２およびダイパッド部３１の間に位置する。このような構成によると、電子装置Ａ１の製造の際、開口部３９内に接合層５を構成する材料を溜めておくことができる。そのため、電子素子４１を配線パターン３に配置した際に、接合層５を構成する材料を電子素子４１に這い上がらせやすくすることができる。このことは、接合層５が導電性を有する場合に電子素子４１と配線パターン３との導通をより好適に確保できるため、好ましい。また、開口部３９内に接合層５を構成する材料を溜めておくことにより、ワイヤボンディングパッド部３４へと接合層５を構成する材料が流れることを防止できる。その結果、ワイヤボンディングパッド部３４へのワイヤ４２のボンディング不良を防止できる。
本実施形態においては、第１導電部３２の表面３２２は、接合層５から露出している露出部位３２２Ｂを含む。接触部位３２２Ａは、基材１の厚さ方向Ｚ１視において、露出部位３２２Ｂと開口部３９との間に位置する。このような構成によると、電子素子４１が発光素子である場合、当該発光素子からの光を露出部位３２２Ｂにて反射することができる。したがって、電子素子４１が発光素子である場合に、より効率よく当該発光素子からの光を電子装置Ａ１外へと放つことができる。
電子装置Ａ１の製造の際のりフロー時においては、第１端縁部３５Ａ側から第１連絡部３６Ａを経由して第１導電部３２へと熱が伝わる。本実施形態では第２導電部３３は、ダイパッド部３１に対し、第１端縁部３５Ａとは反対側に配置されている。そのため、第２導電部３３を経由して第１導電部３２からダイパッド部３１へと熱が伝わることを極力回避できる。
電子装置Ａ１において、チップ搭載部の素子接着強度は強いが一周外にあるリング状または角状ランド（第１導電部３２）の最表面が金めっきであるため、接合層５との剥離が発生しやすい。その影響で電子素子４１だけが上方向に引き上げられる事態が発生しにくくなる。
＜第２実施形態＞
図１４を用いて、第２実施形態について説明する。
図１４は、第２実施形態にかかる電子装置の平面図（樹脂部を省略）である。
なお、以下の説明では、上記と同一または類似の構成については上記と同一の符号を付し、説明を適宜省略する。
本実施形態においては、第１導電部３２の外形および保護層６の具体的形状が、電子装置Ａ１におけるものと異なる。本実施形態では、第１導電部３２の外形は円形状である。また、保護層６は、第１連絡部３６Ａに形成された部位６３を含む。部位６３は、第１連絡部３６Ａの延びる方向と同一方向（第１方向Ｘ１）に沿って延びている。ワイヤボンディングパッド部３４Ａの位置が第１実施形態におけるワイヤボンディングパッド部３４の位置から第２方向Ｙ１にずれている。ワイヤボンディングパッド部３４Ａは、部位３４Ｂにつながっている。部位３４Ｂについては第１実施形態のワイヤボンディングパッド部３４の説明を適用できる。
本実施形態では、ワイヤボンディングパッド部３４Ａは、縁３４１〜３４４を含む。縁３４１は部位３４Ｂにつながり、略第１方向Ｘ１（厳密には第１方向Ｘ１に傾斜する方向）に沿って延びる。縁３４２は、縁３４１につながり、略第２方向Ｙ１（厳密には第２方向Ｙ１に傾斜する方向）に沿って延びる。縁３４３は、縁３４２につながり、第１方向Ｘ１に沿って延びる。縁３４４は、縁３４３につながり、略第２方向Ｙ１（厳密には第２方向Ｙ１に傾斜する方向）に沿って延びる。縁３４４は、部位３４Ｂにつながっている。
本実施形態は、第１実施形態で述べた利点に加えて以下の利点を有する。電子装置Ａ２の製造の際のりフロー時においては、第１端縁部３５Ａ側から第１連絡部３６Ａを経由して第１導電部３２へと熱が伝わる。しかしながら、第１連絡部３６Ａに保護層６における部位６１が形成されているので、樹脂部７が第１連絡部３６Ａ上の部位６１に接合する。これにより、第１連絡部３６Ａ上にて樹脂部７が配線パターン３から剥離することを防止できる。
本実施形態によると、ワイヤボンディングパッド部３４Ａが第２方向Ｙ１において電子素子４１からずれた位置に配置されている。そのため、主面１１の面積増大を抑制しつつ、ワイヤ４２の２つのボンディング位置の距離をより大きく確保できる。これにより、主面１１の小面積化を図りつつ、ワイヤ４７の接続の信頼性を向上できる。その理由の１つとしては、たとえば、ワイヤボンディングパッド部３４Ａが第２方向Ｙ１において電子素子４１とずれた位置に配置されていない場合と比較し、ワイヤボンディングのために電子素子４１とワイヤボンディングパッド部３４Ａとの距離を大きくするために第１方向Ｘ１における距離の増大（このことは主面１１の面積の増大を招きうる）を極力抑制できることが挙げられる。
本実施形態によると、ワイヤ４２の一部が、平面視において、開口部３９と重なっている。これにより、ワイヤ４２と配線パターン３との間に生じうる寄生容量の発生を低減することができる。その結果、より高精度に電子素子４１を制御できる。
＜第３実施形態＞
図１５を用いて、第３実施形態について説明する。
図１５は、第３実施形態にかかる電子装置の平面図（樹脂部を省略）である。
なお、以下の説明では、上記と同一または類似の構成については上記と同一の符号を付し、説明を適宜省略する。
本実施形態においては、配線パターン３が、複数の第２導電部３３を含む点において、第１実施形態と異なる。複数の第２導電部３３の各々は、ダイパッド部３１から放射状に延びている。配線パターン３における開口部３９は互いに離間した複数の部位３９１を有している。本実施形態の構成を、第２実施形態の構成と組み合わせても良い。
本実施形態は、電子素子４１のサイズが第１実施形態におけるサイズよりも大きい場合等に特に好適である。
本実施形態によると、ワイヤ４２の一部が、平面視において、開口部３９と重なっている。これにより、ワイヤ４２と配線パターン３との間に生じうる寄生容量の発生を低減することができる。その結果、より高精度に電子素子４１を制御できる。
本開示は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
上述の実施形態のバリエーションを以下に付記する。
［付記１］
基材と、
前記基材に形成された配線パターンと、
前記配線パターンに配置された電子素子と、
前記電子素子および前記配線パターンの間に介在する接合層と、を備え、
前記配線パターンには、開口部が形成され、前記接合層は、前記基材のうち前記配線パターンにおける前記開口部に露出した部位に接している、電子装置。
［付記２］
前記配線パターンは、前記電子素子が配置されたダイパッド部を含み、
前記ダイパッド部の一部は、前記開口部を構成しており、
前記接合層は、前記ダイパッド部に接する、付記１に記載の電子装置。
［付記３］
前記ダイパッド部は、前記基材の厚さ方向に交差する方向を向く第１内側面を含み、前記第１内側面は、前記開口部の一部を規定しており、前記接合層は、前記第１内側面に接する、付記２に記載の電子装置。
［付記４］
前記配線パターンは、第１導電部を含み、前記開口部は、前記基材の厚さ方向視において、前記第１導電部および前記ダイパッド部の間に位置する、付記３に記載の電子装置。
［付記５］
前記第１導電部は、前記第１内側面に対向する第２内側面を含み、前記接合層は、前記第２内側面に接する、付記４に記載の電子装置。
［付記６］
前記第１導電部は、前記基材の厚さ方向を向く表面を有し、前記第１導電部の前記表面は、前記接合層に接する接触部位を含む、付記４または付記５に記載の電子装置。
［付記７］
前記第１導電部の前記表面は、前記接合層から露出している露出部位を含み、
前記接触部位は、前記基材の厚さ方向視において、前記露出部位と前記開口部との間に位置する、付記６に記載の電子装置。
［付記８］
前記第１導電部は、前記ダイパッド部を囲む環状である、付記４ないし付記７のいずれかに記載の電子装置。
［付記９］
前記配線パターンは、前記ダイパッド部および前記第１導電部のいずれにもつながる少なくとも１つの第２導電部を含み、前記少なくとも１つの第２導電部は各々、前記ダイパッド部および前記第１導電部の間に位置し、
前記少なくとも１つの第２導電部のいずれか１つの一部は、前記開口部を構成しており、
前記接合層は、前記少なくとも１つの第２導電部に接している、付記４に記載の電子装置。
［付記１０］
前記少なくとも１つの第２導電部は各々、前記基材の厚さ方向視において、前記ダイパッド部から前記第１導電部に向かって延びており、
前記少なくとも１つの第２導電部は、前記基材の厚さ方向を向く表面を有し、前記少なくとも１つの第２導電部における前記表面は、前記接合層に接している、付記９に記載の電子装置。
［付記１１］
前記ダイパッド部は、前記ダイパッド部において前記基材の厚さ方向視にて互いに反対側に位置する第１端縁および第２端縁を含み、
前記少なくとも１つの第２導電部の幅は、前記第１端縁および前記第２端縁の離間距離よりも、小さい、付記１０に記載の電子装置。
［付記１２］
前記電子素子は、光学素子あるいはツェナーダイオードである、付記１ないし付記１１のいずれかに記載の電子装置。
［付記１３］
前記電子素子にボンディングされたワイヤを更に備え、
前記配線パターンは、前記ワイヤがボンディングされたワイヤボンディングパッド部を含む、付記４に記載の電子装置。
［付記１４］
前記基材は、互いに反対側を向く主面および裏面を含み、
前記電子素子は、前記主面側に配置されており、
前記配線パターンは、前記主面および前記裏面に形成されている、付記１３に記載の電子装置。
［付記１５］
前記基材は、前記基材の厚さ方向に直交する方向を向く第１側面および第２側面を含み、前記第１側面および前記第２側面は、互いに反対側を向き、
前記基材には、前記第１側面から凹む第１凹部と、前記第２側面から凹む第２凹部と、が形成され、
前記配線パターンは、第１連絡部と、第２連絡部と、第１端縁部と、第２端縁部と、第１側面部と、第２側面部と、を含み、
前記第１端縁部は、前記主面に形成され、且つ、前記第１凹部の縁に沿って延びており、
前記第２端縁部は、前記主面に形成され、且つ、前記第２凹部の縁に沿って延びており、
前記第１側面部は、前記第１凹部の内側面に形成され、且つ、前記第１端縁部につながっており、
前記第２側面部は、前記第２凹部の内側面に形成され、且つ、前記第２端縁部につながっており、
前記第１連絡部は、前記主面に形成され、前記第１導電部および前記第１端縁部の間に位置し、且つ、前記第１導電部および前記第１端縁部に導通し、
前記第２連絡部は、前記主面に形成され、前記ワイヤボンディングパッド部および前記第２端縁部の間に位置し、且つ、前記ワイヤボンディングパッド部および前記第２端縁部に導通する、付記１４に記載の電子装置。
［付記１６］
前記電子素子と前記配線パターンと前記基材とを覆う樹脂部を更に備える、付記１ないし付記１５のいずれかに記載の電子装置。
［付記１７］
前記配線パターンを覆う保護層を更に備え、
前記保護層は、前記第１連絡部を覆う部位を含む、付記１５に記載の電子装置。
１ 基材
１００ 基材
１１ 主面
１１１，１１９ 部位
１３ 裏面
１５Ａ 第１側面
１５Ｂ 第２側面
１５Ｃ 第３側面
１５Ｄ 第４側面
１６１Ａ 縁
１６１Ｂ 縁
１６Ａ 第１凹部
１６Ｂ 第２凹部
３ 配線パターン
３１ ダイパッド部
３１１ 第１内側面
３１Ａ 第１端縁
３１Ｂ 第２端縁
３２ 第１導電部
３２１ 第２内側面
３２２ 表面
３２２Ａ 接触部位
３２２Ｂ 露出部位
３３ 第２導電部
３３２ 表面
３４ ワイヤボンディングパッド部
３５Ａ 第１端縁部
３５Ｂ 第２端縁部
３６Ａ 第１連絡部
３６Ｂ 第２連絡部
３６Ｃ 導電部
３７Ａ 第１側面部
３７Ｂ 第２側面部
３８Ａ 第１裏面部
３８Ｂ 第２裏面部
３９ 開口部
３９１ 部位
４１ 電子素子
４２ ワイヤ
５ 接合層
６ 保護層
６１〜６３ 部位
７ 樹脂部
Ａ１ 電子装置
Ａ２ 電子装置
Ａ３ 電子装置
Ｌ１ 離間距離
Ｗ１ 幅
Ｘ１ 第１方向
Ｙ１ 第２方向
Ｚ１ 厚さ方向

Claims (17)

  1. 基材と、
    前記基材に形成された配線パターンと、
    前記配線パターンに配置された電子素子と、
    前記電子素子および前記配線パターンの間に介在する接合層と、を備え、
    前記配線パターンには、開口部が形成され、前記接合層は、前記基材のうち前記配線パターンにおける前記開口部に露出した部位に接している、電子装置。
  2. 前記配線パターンは、前記電子素子が配置されたダイパッド部を含み、
    前記ダイパッド部の一部は、前記開口部を構成しており、
    前記接合層は、前記ダイパッド部に接する、請求項１に記載の電子装置。
  3. 前記ダイパッド部は、前記基材の厚さ方向に交差する方向を向く第１内側面を含み、前記第１内側面は、前記開口部の一部を規定しており、前記接合層は、前記第１内側面に接する、請求項２に記載の電子装置。
  4. 前記配線パターンは、第１導電部を含み、前記開口部は、前記基材の厚さ方向視において、前記第１導電部および前記ダイパッド部の間に位置する、請求項３に記載の電子装置。
  5. 前記第１導電部は、前記第１内側面に対向する第２内側面を含み、前記接合層は、前記第２内側面に接する、請求項４に記載の電子装置。
  6. 前記第１導電部は、前記基材の厚さ方向を向く表面を有し、前記第１導電部の前記表面は、前記接合層に接する接触部位を含む、請求項４または請求項５に記載の電子装置。
  7. 前記第１導電部の前記表面は、前記接合層から露出している露出部位を含み、
    前記接触部位は、前記基材の厚さ方向視において、前記露出部位と前記開口部との間に位置する、請求項６に記載の電子装置。
  8. 前記第１導電部は、前記ダイパッド部を囲む環状である、請求項４ないし請求項７のいずれかに記載の電子装置。
  9. 前記配線パターンは、前記ダイパッド部および前記第１導電部のいずれにもつながる少なくとも１つの第２導電部を含み、前記少なくとも１つの第２導電部は各々、前記ダイパッド部および前記第１導電部の間に位置し、
    前記少なくとも１つの第２導電部のいずれか１つの一部は、前記開口部を構成しており、
    前記接合層は、前記少なくとも１つの第２導電部に接している、請求項４に記載の電子装置。
  10. 前記少なくとも１つの第２導電部は各々、前記基材の厚さ方向視において、前記ダイパッド部から前記第１導電部に向かって延びており、
    前記少なくとも１つの第２導電部は、前記基材の厚さ方向を向く表面を有し、前記少なくとも１つの第２導電部における前記表面は、前記接合層に接している、請求項９に記載の電子装置。
  11. 前記ダイパッド部は、前記ダイパッド部において前記基材の厚さ方向視にて互いに反対側に位置する第１端縁および第２端縁を含み、
    前記少なくとも１つの第２導電部の幅は、前記第１端縁および前記第２端縁の離間距離よりも、小さい、請求項１０に記載の電子装置。
  12. 前記電子素子は、光学素子あるいはツェナーダイオードである、請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の電子装置。
  13. 前記電子素子にボンディングされたワイヤを更に備え、
    前記配線パターンは、前記ワイヤがボンディングされたワイヤボンディングパッド部を含む、請求項４に記載の電子装置。
  14. 前記基材は、互いに反対側を向く主面および裏面を含み、
    前記電子素子は、前記主面側に配置されており、
    前記配線パターンは、前記主面および前記裏面に形成されている、請求項１３に記載の電子装置。
  15. 前記基材は、前記基材の厚さ方向に直交する方向を向く第１側面および第２側面を含み、前記第１側面および前記第２側面は、互いに反対側を向き、
    前記基材には、前記第１側面から凹む第１凹部と、前記第２側面から凹む第２凹部と、が形成され、
    前記配線パターンは、第１連絡部と、第２連絡部と、第１端縁部と、第２端縁部と、第１側面部と、第２側面部と、を含み、
    前記第１端縁部は、前記主面に形成され、且つ、前記第１凹部の縁に沿って延びており、
    前記第２端縁部は、前記主面に形成され、且つ、前記第２凹部の縁に沿って延びており、
    前記第１側面部は、前記第１凹部の内側面に形成され、且つ、前記第１端縁部につながっており、
    前記第２側面部は、前記第２凹部の内側面に形成され、且つ、前記第２端縁部につながっており、
    前記第１連絡部は、前記主面に形成され、前記第１導電部および前記第１端縁部の間に位置し、且つ、前記第１導電部および前記第１端縁部に導通し、
    前記第２連絡部は、前記主面に形成され、前記ワイヤボンディングパッド部および前記第２端縁部の間に位置し、且つ、前記ワイヤボンディングパッド部および前記第２端縁部に導通する、請求項１４に記載の電子装置。
  16. 前記電子素子と前記配線パターンと前記基材とを覆う樹脂部を更に備える、請求項１ないし請求項１５のいずれかに記載の電子装置。
  17. 前記配線パターンを覆う保護層を更に備え、
    前記保護層は、前記第１連絡部を覆う部位を含む、請求項１５に記載の電子装置。
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