JP2015041722A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】樹脂と基板の剥離を防止できる半導体発光装置を提供する
【解決手段】半導体発光装置１０は、半導体発光素子１１と、中央部に半導体発光素子１１が載置され、外周部に半導体発光素子１１を取り囲むように上部が下部より狭い開口１２ａを有する基板１２と、半導体発光素子１１を覆い、開口１２ａを満たす透光性の樹脂１３と、を具備する。
【選択図】 図１

Description

本発明の実施形態は、半導体発光装置に関する。

従来、照明用の白色光を放出する半導体発光装置が知られている。半導体発光素子は放熱性を向上させるためにセラミックス基板に載置されている。半導体発光素子には蛍光体が塗布されている。半導体発光素子はドーム状の透明樹脂で覆われている。

半導体発光素子は通電により大量の熱を発生する。透明樹脂の熱膨張係数はセラミックス基板の熱膨張係数より大きいので、セラミックス基板と透明樹脂の熱膨張係数の差に応じて、セラミックス基板と透明樹脂の界面に応力が発生する。

応力がセラミックス基板と透明樹脂の密着力を超えると、透明樹脂がセラミックス基板から剥離し、隙間が生じる。その結果、隙間から水分や汚染物質が侵入し、半導体発光装置の信頼性が損なわれる問題がある。

特開２００１−１２７３４５号公報

樹脂と基板の剥離を防止できる半導体発光装置を提供することを目的とする。

一つの実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体発光素子と、中央部に前記半導体発光素子が載置され、外周部に前記半導体発光素子を取り囲むように上部が下部より狭い開口を有する基板と、前記半導体発光素子を覆い、前記開口を満たす透光性の樹脂と、を具備している。

実施形態に係る半導体発光装置を示す図で、図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図。 実施形態に係る半導体発光装置の効果を比較例と対比して示す図で、図２（ａ）は本実施形態を示す図、図２（ｂ）は比較例を示す図。 実施形態に係る半導体発光装置の製造工程を順に示す断面図。 実施形態に係る半導体発光装置の製造工程を順に示す断面図。 実施形態に係る半導体発光装置の別の基板を示す平面図。 実施形態に係る半導体発光装置の別の基板を示す平面図。 実施形態に係る別の半導体発光装置を示す断面図。 実施形態に係る別の半導体発光装置を示す断面図。 実施形態に係る別の半導体発光装置を示す断面図。 実施形態に係る別の半導体発光装置を示す断面図。 実施形態に係る別の半導体発光装置を示す断面図。

以下、実施形態について図面を参照しながら説明する。

（実施形態）
本実施形態に係る半導体発光装置について図１および図２を用いて説明する。図１は本実施形態の半導体発光装置を示す図で、図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図である。

本実施形態の半導体発光装置は、青色光を放出する窒化物半導体発光素子に青色光を吸収して黄色光を放出する蛍光体を塗布し、蛍光体が塗布された窒化物半導体発光素子をドーム状の透光性樹脂でモールドした半導体発光装置である。

図１に示すように、本実施形態の半導体発光装置１０では、半導体発光素子１１が基板１２の中央部に載置されている。基板１２は外周部に半導体発光素子１１を取り囲むように上部が下部より狭い開口１２ａを有している。ドーム状の透光性の樹脂１３が基板１２上に半導体発光素子１１を覆い、開口１２ａを満たすように設けられている。

基板１２は基板１４、１５、１６、１７が順に積層された積層基板である。基板１４、１５、１６、１７は、例えばサイズが３乃至５ｍｍで、矩形状のセラミックス基板である。

半導体発光素子１１は、例えばサイズが１乃至２ｍｍで、４００乃至４８０ｎｍにピーク波長を有する青色光を放射するＧａＮ系半導体発光素子である。半導体発光素子１１では、サファイア基板にＮ型ＧａＮクラッド層と、ＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮ障壁層が交互に積層された多重量子井戸構造を含む半導体発光層と、Ｐ型ＧａＮクラッド層と、Ｐ型ＧａＮコンタクト層が順に積層されている。Ｐ型ＧａＮコンタクト層上にｐ電極（図示せず）が設けられている。Ｎ型ＧａＮクラッド層を露出する切り欠き部（図示せず）にｎ電極（図示せず）が設けられている。

半導体発光素子１１は、基板１２の最上層の基板１７に、例えば銀ペーストにより接合されている。半導体発光素子１１と樹脂１３との間には、半導体発光素子１１が放出する光を吸収してより長いピーク波長を有する光を放出する蛍光体（図示せず）が設けられている。蛍光体は、例えば半導体発光素子１１の上面に設けられている。

半導体発光素子１１を取り囲み上部が下部より狭い開口１２ａを構成するように、最上層の基板１７は開口１７ａ（第１の開口）を有し、最上層の基板１７の直下の基板１６は開口１７ａより大きい開口１６ａ（第２の開口）を有している。開口１７ａはリング状である。開口１６ａは開口１７ａと同心のリング状である。

基板１７の開口１７ａのエッジから開口１６ａのエッジまでの部分は、開口１６ａ上に庇状に突出している。開口１６ａに露出した基板１５の上面、開口１６ａの内側面および基板１７の開口１６ａ上に庇状に突出した部分によって、上部が下部より狭い開口１２ａが構成されている。

半導体発光素子１１と開口１２ａとの間に基板１２を貫通するビア１８ａ、１８ｂが設けられている。ビア１８ａの一端は半導体発光素子１１ｐ電極にワイヤ１９ａを介して電気的に接続されている。ビア１８ｂの一端は半導体発光素子１１のｎ電極にワイヤ１９ｂを介して電気的に接続されている。

ビア１８ａの他端は最下層の基板１４に設けられた電極２０ａに接続されている。ビア１８ｂの他端は最下層の基板１４に設けられた電極２０ｂに接続されている。電極２０ａはアノード電極、電極２０ｂはカソード電極である。

最下層の基板１４は最下層の基板１４の直上の基板１５より小さい。基板１４のエッジと基板１５の基板１４より外側の部分とにより段差２１が生じている。電極２０ａはビア１８ａの他端から段差２１に沿って基板１５の一方のエッジまで延在している。同様に、電極２０ｂはビア１８ｂの他端から段差２１に沿って基板１５の他方のエッジまで延在している。段差２１は、半導体発光装置１０をプリント配線基板等にハンダ付けする際に、ハンダフィレットが十分に形成されるように設けられている。

樹脂１３は、例えば半球状のシリコーン樹脂である。半導体発光素子１１は半球の略中心に配置されている。半導体発光素子１１を点光源で近似する。半導体発光素子１１から放出された光は半球に垂直に入射するので、半球と空気の界面で全反射されることなく外部に放出される。

本実施形態では、基板１２の外周部に半導体発光素子１１を取り囲むように設けられ上部が下部より狭い開口１２ａは、樹脂１３が基板１２から剥離するのを防止するためのアンカーとしての機能を果たしている。

図２は半導体発光装置１０の効果を比較例と対比して示す図で、図２（ａ）は本実施形態を示す図、図２（ｂ）は比較例を示す図である。始めに、比較例について説明する。図２（ｂ）に示すように、比較例の半導体発光装置３０では、基板３１は中央部に上部か下部より狭い開口３１ａを有している。半導体発光素子１１は開口３１ａに載置されている。樹脂１３は半導体発光素子１１を覆い、開口３１ａを満たしている。基板３１は基板１２と同じ材質である。

半導体発光素子１１を点灯させると、半導体発光素子１１は通電によるジュール損により発熱し、樹脂１３および基板３１の温度が上昇する。樹脂１３および基板３１はそれぞれの熱膨張係数に応じて膨張する。

一般に樹脂１３の熱膨張係数は基板３１の熱膨張係数より２桁程度大きい。シリコーン樹脂の熱膨張係数は、例えは４Ｅ−４／Ｋ程度である。セラミックス基板の熱膨張係数は、例えばアルミナ基板で７Ｅ−６／Ｋ程度である。樹脂１３と基板３１の熱膨張係数の差に応じて樹脂１３と基板３１の界面に応力が発生する。

この状態から半導体発光素子１１を消灯すると、半導体発光素子１１の発熱がとまり、樹脂１３および基板３１の温度も雰囲気温度に低下し始める。樹脂１３および基板３１はそれぞれの熱膨張係数に応じて収縮し始める。樹脂１３は樹脂１３の重心３２に向かって収縮する。樹脂１３の重心３２に向かう収縮力は樹脂１３を基板３１から引き剥がす方向に働く。

樹脂１３の収縮力は重心３２からの距離に依存する。樹脂３１の外周から重心３２に向かう収縮力Ｆ１は樹脂１３の中央部から重心３２に向かう収縮力Ｆ２より大きい。収縮力Ｆ１、Ｆ２が樹脂１３と基板３１の密着力を超えると樹脂１３が剥離する。収縮力Ｆ１は収縮力Ｆ２より大きいので、中央部より外周部が先に剥離する確率が高い。

比較例の半導体発光装置３０では、基板３１の中央部に設けられた上部か下部より狭い開口３１ａがアンカーとなり、中央部における樹脂１３と基板３１の密着力が向上している。然しながら、基板３１の外周部にアンカーとなる上部か下部より狭い開口が設けられていないので、外周部における樹脂１３と基板３１の密着力は向上しない。

収縮力Ｆ１が樹脂１３と基板３１の密着力を超えると外周部の樹脂１３が基板３１から剥離し、隙間３３が発生する。隙間３３から水分や硫化物等が侵入すると、電極金属の劣化、光取出し効率の低下等の問題が生じる。

更に、開口３１ａは、半導体発光素子１１に近いので、半導体発光素子１１の発熱による開口３１ａにおける樹脂１３および基板３１の温度上昇が大きい。温度上昇は開口３１ａと半導体発光素子１１の距離、基板３１および樹脂１３の熱伝導率に依存する。従って、半導体発光装置３０の点灯、消灯に伴う熱疲労の蓄積が、開口３１ａにおける樹脂１３と基板３１の密着力を徐々に低下させる問題がある。

一方、図２（ａ）に示すように、本実施形態の半導体発光装置１０では、基板１２の外周部にアンカーとなる上部が下部より狭い開口１２ａが設けられているので、外周部における樹脂１３と基板１２の密着力が向上している。その結果、樹脂１３が基板１２から剥離するのを防止することが可能である。

更に、開口１２ａは、半導体発光素子１１と離れているので、半導体発光素子１１の発熱による開口１２ａにおける樹脂１３および基板１２の温度上昇が小さい。従って、半導体発光装置１０の点灯、消灯に伴う熱疲労の蓄積が、開口１２ａにおける樹脂１３と基板１２の密着力を徐々に低下させるのを抑制することが可能である。

次に、本実施形態の半導体発光装置１０の製造方法について説明する。図３および図４は半導体発光装置１０の製造工程を順に示す断面図である。

図３（ａ）に示すように、予め基板１４乃至基板１７を用意する。基板１４、１５は矩形状の板である。基板１６はリング状の開口１６ａを有しているので、円形状の板と円孔を有する矩形状の板の２つのピースからなっている。基板１７についても同様である。基板１４乃至基板１７はそれぞれビア１８ａ、１８ｂを形成するための貫通孔を有している。

ビア１８ａ、１８ｂ用の貫通孔の位置合わせしながら、基板１４乃至基板１７を順に接着剤により貼り付ける。これにより、ビア１８ａ、１８ｂ用の貫通孔４１ａ、４１ｂ、上部か下部より狭い開口１２ａ、および段差２１を有する基板１２が得られる。

図３（ｂ）に示すように、基板１２に、例えばニッケル／金のメッキを施す。これにより、ビア１８ａ、１８ｂ、電極２０ａ、２０ｂ、半導体発光素子１１を載置するためのダイパッド４２、ワイヤ１９ａ、１９ｂを接合するためのボンディングパッド４３ａ、４３ｂを形成する。

図３（ｃ）に示すように、銀ペーストを用いてダイパッド４２に半導体発光素子１１を接合する。半導体発光素子１１のｐ電極とボンディングパッド４３ａにワイヤ１９ａをボンディングする。半導体発光素子１１のｎ電極とボンディングパッド４３ｂにワイヤ１９ｂをボンディングする。

図４（ａ）に示すように、例えば半導体発光素子１１を収納可能なドーム状の凹部４４ａを有する金型４４を用意する。金型４４の凹部４４ａに、ディスペンサー（図示せず）を用いて液状の樹脂４５を注入する。基板１２を反転して、半導体発光素子１１を金型４４の凹部４４ａに収納し、樹脂４５を所定の温度でキュアする。

図４（ｂ）に示すように、キュアされた樹脂１３を金型４４から引き抜く。これにより、半導体発光素子１１を覆い、開口１２ａを満たすドーム状の樹脂１３が得られる。

以上説明したように、本実施形態の半導体発光装置１０では、半導体発光素子１１は基板１２の中央部に載置され、基板１２は外周部に上部が下部より狭い開口１２ａを有している。ドーム状の透明な樹脂１３が半導体発光素子１１を覆い、開口１２ａを満たしている。その結果、開口１２ａはアンカーとなり、樹脂１３と基板１２の密着力が向上する。従って、樹脂と基板の剥離を防止できる半導体発光装置が得られる。

ここでは、開口１２ａはリング状である場合について説明したが、樹脂１３と基板１２が収縮力Ｆ１より大きい密着力を有していればよく、その他の形状でも構わない。図５および図６は別の開口を示す平面図である。

図５（ａ）に示すように、開口５１はリングが４分割された弧状である。基板１７に開口１７ａを４分割した弧状の開口１７ｂを形成する。基板１６に開口１６ａを４分割した弧状の開口１６ｂを形成する。

開口１６ｂは開口１７ｂより大きい。リングの分割数には特に制限はない。開口５１を弧状にしたことにより、基板１６および基板１７は、それぞれ１ピースで形成することができる。製造工程で基板１６、１７の位置合わせ等が容易になる利点がある。

図５（ｂ）に示すように、開口５２は円形状である。円形状の開口５２がリング状に配置されている。基板１７に円形状の開口１７ｃを形成する。基板１６に円形状の開口１６ｃを形成する。開口１６ｃは開口１７ｃより大きい。

リング状に配置する開口５２の数には特に制限はない。開口５２を円形状にしたことにより、基板１６および基板１７は、それぞれ１ピースで形成することができる。製造工程で基板１６、１７の位置合わせ等が容易になる利点がある。

図６（ａ）に示すように、開口５３は開口１２ａと開口５２を組み合わせた形状である。基板１７に円形状の開口１７ｃを形成する。基板１６に開口１６ａを形成する。

図６（ｂ）に示すように、開口５４は開口５１と開口５２を組み合わせた形状である。基板１７に円形状の開口１７ｃを形成する。基板１６に開口１６ａを４分割した弧状の開口１６ｂを形成する。

図５および図６に示した開口５１、５２、５３、５４以外に様々な形状の開口が使用可能である。また、開口は同心状に２重に配置してもよい。

基板１２が４つの基板１４、１５、１６、１７で構成されている場合について説明したが、少なくとも３つの基板で構成されていればよい。図７は３つの基板で構成された基板を有する半導体発光装置を示す断面図である。

図７に示すように、半導体発光装置６０では、基板６１は３つの基板１４、６２、１７が積層された積層基板である。基板６２は図１に示す基板１６と同様に開口１７ａより大きいリング状の開口（第２の開口）を有している。基板１７の開口１７ａのエッジから基板６２の開口のエッジまでの部分は、庇状に突出している。

基板６２の開口に露出した基板１４の上面、基板６２の開口の内側面および基板１７の開口１６ａ上に庇状に突出した部分によって、上部が下部より狭い開口６１ａが構成されている。

基板１４は基板６２より小さい。基板１４のエッジと基板６２の基板１４より外側の部分とにより段差６３が生じている。半導体発光装置６０では、基板６１を薄くできる利点がある。

ドーム状の樹脂１３が半球の樹脂である場合について説明したが、その他の形状、例えば凸レンズでも構わない。図８は凸レンズの樹脂を有する半導体発光装置を示す断面図である。

図８に示すように、半導体発光装置７０は凸レンズの樹脂７１を有している。凸レンズの樹脂７１は半球の樹脂１３より大きいので、凸レンズの樹脂７１の重心７２は半球の樹脂１３の重心３２より基板１２から遠い。

半導体発光素子１１の発熱により膨張した樹脂７１および基板１２が収縮するとき、外周部において樹脂１７を基板１２から引き剥がす収縮力Ｆ３が生じる。収縮力Ｆ３は図２（ａ）に示す樹脂１３の収縮力Ｆ１より大きい。

半導体発光装置７０でも、外周部において樹脂７１と基板１２の剥離は発生しなかった。半導体発光装置７０は、アンカーとなる開口１２ａにより樹脂７１と基板１２の密着力に十分なマージンを有していることが確かめられた。

樹脂が収縮するとき、樹脂を基板から引き剥がす力は重心から遠い樹脂のエッジで大きくなる。アンカーとなる開口は、樹脂のエッジに設けてもよい。図９は樹脂のエッジにアンカーとなる開口を有する半導体発光装置を示す断面図である。

図９に示すように、半導体発光装置８０では、基板８１は４つの基板１４、１５、８２、８３が積層された積層基板である。基板８３は樹脂１３のエッジに内接するように開口を有している。基板８２は基板８３の開口より大きい開口を有している。

基板８３の開口のエッジから基板８２の開口のエッジまでの部分は、庇状に突出している。基板８２の開口に露出した基板１５の上面、基板８２の開口の内側面および基板８３の基板８２の開口上に突出した部分によって上部が下部より狭い開口８１ａが構成されている。

半導体発光装置８０でも、外周部において樹脂１３と基板８１の剥離は発生しなかった。半導体発光装置８０は、アンカーとなる開口８１ａにより樹脂１３と基板８１の密着力に十分なマージンを有していることが確かめられた。

半導体発光装置の基板の中央部に、図２（ｂ）に示す上部が下部より狭い開口を設けても構わない。図１０は基板の外周部および中央部に上部が下部より狭い開口を有する半導体発光装置を示す断面図である。

図１０に示すように、半導体発光装置９０では、基板９１は３つの基板１４、９２、９３が積層された積層基板である。基板９３は中央部に円形の開口と外周部にリング状の開口（第１の開口）を有している。基板９２は中央部に円形の開口と外周部にリング状の開口（第２の開口）を有している。基板９２の円形の開口は基板９３の円形の開口より大きい。基板１４は基板９２より小さい。基板１４のエッジと基板９２の基板１４より外側の部分により段差９４が生じている。

半導体発光素子１１の上面に蛍光体が設けられている場合について説明したが、蛍光体は樹脂に含まれていても良い。図１１は蛍光体を含有する樹脂を有する半導体発光装置を示す断面図である。

図１１に示すように、半導体発光装置１００では、ドーム状の樹脂１０１は蛍光体１０２を含有している。ドーム状の樹脂１０１は半導体発光素子１１を覆い、開口１２ａを満たしている。

蛍光体１０２は、例えば青色光を吸収して黄色光を放出するＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）蛍光体である。ＹＡＧ蛍光体は下記の一般式で表わすことができる。

（ＲＥ_１−ｘＳｍ_ｘ）_３（Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ
但し、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、ＲＥはＹおよびＧｄから選択される少なくとも１種の元素である。

樹脂１０１は、例えば青色光および黄色光に対して透光性を有するシリコーン樹脂である。樹脂１０１は蛍光体１０２を、例えば４０ｗｔ％乃至５０ｗｔ％程度含んでいる。

蛍光体１０２はＹＡＧ蛍光体に限定されない。蛍光体１０２は、例えばサイアロン系の赤色蛍光体、またはサイアロン系の緑色蛍光体等でも構わない。青色光と、赤色光または緑色光が混合された光を放出する半導体発光装置が得られる。

樹脂１３がシリコーン樹脂である場合について説明したが、その他の透明な樹脂、例えばエポキシ樹脂でもかまわない。エポキシ樹脂の熱膨張係数は、例えば４．５乃至６．５Ｅ−５／Ｋである。

半導体発光素子１１が４００乃至４８０ｎｍにピーク波長を有する青色半導体発光素子である場合について説明したが、３００乃至４００ｎｍにピーク波長を有する近紫外半導体発光素子でもかまわない。近紫外半導体発光素子は、例えばＡｌＧａＮ系窒化物半導体発光素子である。半導体発光素子１１が近紫外半導体発光素子のときは、蛍光体はＲＧＢ蛍光体を用いる。

以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

なお、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。
（付記１） 半導体発光素子と、
少なくとも３つの基板を積層してなり、中央部に前記半導体発光素子が載置され、外周部に前記半導体発光素子を取り囲み上部が下部より狭い開口を形成するように前記最上層の基板は第１の開口を有し、前記最上層の基板の直下の基板は前記第１の開口より大きい第２の開口を有する基板と、
前記半導体発光素子を覆い、前記開口を満たす透光性の樹脂と、
を具備する半導体発光装置。

（付記２） 前記樹脂は、半球状または凸レンズ状の樹脂である請求項１に記載の半導体発光装置。

（付記３） 前記半導体発光素子は、窒化物半導体発光素子である請求項１に記載の半導体発光装置。

（付記４） 前記樹脂はシリコーン樹脂またはエポキシ樹脂である請求項１に記載の半導体発光装置。

（付記５） 前記蛍光体は、ＹＡＧ蛍光体である請求項１に記載の半導体発光装置。

１０、３０、６０、７０、８０、９０、１００、１１０ 半導体発光装置
１１ 半導体発光素子
１２、１４、１５、１６、１７、３１、６１、６２、８１、８２、８３、９１、９２、９３ 基板
１２ａ、３１ａ、５１、５２、５３、５４、６１ａ、８１ａ、９１ａ、９１ｂ 開口
１３、７１、１０１ 樹脂
１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ 開口
１８ａ、１８ｂ ビア
１９ａ、１９ｂ ワイヤ
２０ａ、２０ｂ 電極
２１、６３、９４ 段差
３２、７２ 重心
３３ 隙間
４１ａ、４１ｂ 貫通孔
４２ ダイパッド
４３ａ、４３ｂ ボンディングパッド
４４ 金型
４４ａ 凹部
４５ 液状樹脂
１０２ 蛍光体

Claims (8)

1. 半導体発光素子と、
   中央部に前記半導体発光素子が載置され、外周部に前記半導体発光素子を取り囲むように上部が下部より狭い開口を有する基板と、
   前記半導体発光素子を覆い、前記開口を満たす透光性の樹脂と、
   を具備する半導体発光装置。
2. 前記基板は少なくとも３つの基板を積層してなり、前記開口を構成するように前記最上層の基板は第１の開口を有し、前記最上層の基板の直下の基板は前記第１の開口より大きい第２の開口を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記半導体発光素子と前記第１の開口との間に前記基板を貫通するビアが設けられ、前記ビアの一端はそれぞれ前記半導体発光素子に電気的に接続され、前記ビアの他端は前記最下層の基板に設けられた電極にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光装置。
4. 前記最下層の基板は前記最下層の基板の直上の基板より小さく、前記電極は前記ビアの他端から前記最下層の基板の直上の基板まで延在していることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光装置。
5. 前記第１の開口および前記第２の開口は、リング状、円弧状、および円形状のいずれかであることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光装置。
6. 前記第１の開口が円形状であり、前記第２の開口はリング状または円弧状であることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光装置。
7. 前記半導体発光素子は４００乃至４８０ｎｍまたは近紫外領域にピーク波長を有する光を放出し、前記光を吸収して前記ピーク波長より長いピーク波長を有する光を放出する蛍光体が前記半導体発光素子と前記樹脂の間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
8. 前記半導体発光素子は４００乃至４８０ｎｍまたは近紫外領域にピーク波長を有する光を放射し、前記樹脂は前記光を吸収して前記ピーク波長より長いピーク波長を有する光を放出する蛍光体を含有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。

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