JP2009182072A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも2層以上の積層体として形成されるセラミック基板101に直径が異なる2つの孔105、106を設ける。2つの孔105、106は、それらの中心で略一致した位置に設けられ、第1の孔105が、セラミック基板101のLEDチップ104がダイボンディングされる層に形成され、第2の孔106が、第1の孔105が形成される層の下層に形成される。この孔105、106にシリコーン樹脂120が流れ込むことにより、セラミック基板101内にシリコーン樹脂120の楔形状が形成され、セラミック基板101とシリコーン樹脂120の接合力が大幅に向上する。
【選択図】図2
Description
本発明の第1実施の形態を、図1及び図2に基づき説明する。図1は、半導体発光装置100としてのチップタイプLEDの模式正面図、図2は、そのA−A断面における模式断面図である。
本発明の第2実施の形態を、図3及び図4に基づき説明する。図3は、パッケージを有する半導体発光装置200の模式正面図、図4は、そのB−B断面における模式断面図である。
本発明の第3実施の形態を、図5に基づき説明する。本発明の第3実施の形態は、図1において異なる楔形状を有する半導体発光装置300としてのチップタイプLEDであり、図5は、半導体発光装置300における楔形状を有する箇所、即ち、図1におけるA−Aに沿った断面に相当する箇所の模式断面図である。
101、201、301、401 セラミック基板
102、202、302、402 第1の電極
103、203、303、403 第2の電極
104、204、304、404 LEDチップ
105、205 第1の孔
106、206 第2の孔
107、207、307 楔形状
108、208、308、408 Agペースト
109、111、209、211 電極
110、112、210、212、310、410 金線
120、220、320、420 シリコーン樹脂
230、430、530 パッケージ
421 透光性の樹脂材料
531 保持手段
Claims (6)
- 半導体発光素子と、
該半導体発光素子と電気的に接続し、外部と導通可能な第1の電極及び第2の電極を有するセラミック基板と、
該セラミック基板上で前記半導体発光素子をモールドするシリコーン樹脂とを有する半導体発光装置であって、
前記セラミック基板には、前記シリコーン樹脂と前記セラミック基板の接合強度を高めるための楔形状が施されていることを特徴とする半導体発光装置。 - 請求項1に記載の半導体発光装置は、更に開口部を有するパッケージを有することを特徴とする半導体発光装置。
- 前記セラミック基板に施された楔形状は、前記セラミック基板の前記半導体発光素子を実装する側から下方に向って設けられる第1の孔と第2の孔からなり、前記第1の孔と前記第2の孔の位置は、それらの中心点において略一致し、更に、前記第1の孔より前記第2の孔の方が大きく、かつ、前記セラミック基板の前記半導体発光素子を実装する面に存在する孔が第1の孔であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体発光装置。
- 前記セラミック基板は、少なくとも2層以上のセラミックの積層体で構成され、前記第1の孔は、前記積層体の内、前記半導体発光素子が実装される層に設けられ、前記第2の孔は、前記半導体発光素子が実装される前記層の下に存在する層に設けられることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
- 前記セラミック基板に施された楔形状は、前記セラミック基板の前記半導体発光素子を実装する側から下方に向って設けられ、かつ下方に向って拡開させるべく側面を傾斜させた形状であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体発光装置。
- 前記セラミック基板に施された楔形状は、前記セラミック基板上における前記半導体発光素子と電気的に接続する前記第1及び前記第2の電極の形成方向を軸とした場合に、該軸に対し、略線対称の位置に形成されることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
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- 2008-01-30 JP JP2008018571A patent/JP2009182072A/ja active Pending
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