JPWO2013035529A1 - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
発光装置1であって、中央部Cが最も高くなるように全体が反った基板2と、基板2の中央部Cに実装された発光素子3と、基板2上に発光素子3を取り囲むように設けられた支持部材4と、支持部材4上に発光素子3を取り囲むように、支持部材4に接続された個所以外が基板2の上面と間をあけて設けられた枠体5を備ている。さらに、発光装置1は、発光素子3の下面の高さ位置h1が、枠体5の下面の高さ位置h2よりも高い。
Description
本発明は、発光素子を含む発光装置に関するものである。
近年、発光素子を有する発光装置の開発が進められている。当該発光装置は、消費電力または製品寿命に関して注目されている。なお、発光装置として、基板上に実装した発光素子を取り囲む枠体が、基板の上面と間を空けたものがある(実開昭49−109478号公報参照)。基板の上面と枠体の下面との間に隙間が存在すると、発光素子の発する光が枠体で反射しづらく、外部に取り出す光が少なくなる虞がある。
本発明は、発光素子の発する光を効率よく枠体で反射し、外部に取り出される光を増やして、輝度を向上することが可能な発光装置を提供することを目的とする。
本発明の実施形態に係る発光装置は、中央部が最も高くなるように全体が反った基板と、前記基板の中央部に実装された発光素子と、前記基板上に前記発光素子を取り囲むように設けられた支持部材と、前記支持部材上に前記発光素子を取り囲むように、前記支持部材に接続された個所以外が前記基板の上面と間をあけて設けられた枠体を備えている。さらに、発光装置は、前記発光素子の下面の高さ位置が、前記枠体の下面の高さ位置よりも高い。
以下に添付図面を参照して、本発明にかかる発光装置の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものである。
<発光装置の概略構成>
図1は、本発明の実施形態に係る発光装置の概観斜視図であって、その一部を断面視している。図2は、図1に示す発光装置のX−X’に沿った断面図である。図3は、図2に示す発光装置の一部Aを拡大した断面図である。図4は、図2に示す発光装置の一部Bを拡大した拡大断面図である。図5は、図2に示す発光装置の基板を示した断面図である。なお、図5の一点鎖線は、平面方向に沿った基板の高さ位置を示すための仮想線であって、基板の中央部に合わせた仮想線L1と、基板2の下面の一端に合わせた仮想線L2とを示している。図6は、発光装置の透過平面図であって、基板の上面に設けられた発光素子と、基板の下面に設けられた一対のメタライズ層との関係を示している。なお、図6の一点鎖線がメタライズ層の形成されている領域を示している。
図1は、本発明の実施形態に係る発光装置の概観斜視図であって、その一部を断面視している。図2は、図1に示す発光装置のX−X’に沿った断面図である。図3は、図2に示す発光装置の一部Aを拡大した断面図である。図4は、図2に示す発光装置の一部Bを拡大した拡大断面図である。図5は、図2に示す発光装置の基板を示した断面図である。なお、図5の一点鎖線は、平面方向に沿った基板の高さ位置を示すための仮想線であって、基板の中央部に合わせた仮想線L1と、基板2の下面の一端に合わせた仮想線L2とを示している。図6は、発光装置の透過平面図であって、基板の上面に設けられた発光素子と、基板の下面に設けられた一対のメタライズ層との関係を示している。なお、図6の一点鎖線がメタライズ層の形成されている領域を示している。
発光装置1は、中央部Cが最も高くなるように全体が反った基板2と、基板2の中央部Cに実装された発光素子3と、基板2上に発光素子3を取り囲むように設けられた支持部材4と、支持部材4上に発光素子3を取り囲むように、支持部材4に接続された個所以外が基板2の上面と間をあけて設けられた枠体5を備えている。さらに、発光装置1は、発光素子3の下面の高さ位置h1が、枠体5の下面の高さ位置h2よりも高くなるように設定されている。なお、発光素子3は、例えば、発光ダイオードであって、半導体を用いたpn接合中の電子と正孔が再結合することによって、外部に向かって光を放出する。
基板2は、中央部Cが上方に突出するように全体が反っている。基板2は、絶縁性の基板であって、例えば、アルミナまたはムライト等のセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。また、基板2は、基板2の熱膨張を調整することが可能な金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂を用いることができる。なお、基板2は、複数の積層したセラミック層2aを、中央部が最も高くなるようにして反った外部基板上に設けて、一体焼成したものである。なお、基板2の熱膨張率は、例えば4×10−6/K以上8×10−6/K以下に設定されている。
基板2は、平面視して円形状であって、直径が例えば2mm以上20mm以下に設定されている。もしくは、基板2は、平面視して四角状であって、一辺が例えば2mm以上20mm以下に設定されている。また、基板2の上下方向の厚みは、例えば0.3mm以上3mm以下に設定されている。基板2は、基板2の上面のうち中央部Cがその周囲よりも上方に位置している。そして、基板2の上面の端部の高さ位置に対して、基板2の上面の中央部Cの高さ位置は、例えば0.05mm以上0.5mm以下上方に位置している。
基板2の下面には、一対のメタライズ層6が設けられている。一対のメタライズ層6は、一方が発光素子3の一方電極と電気的に接続され、他方が発光素子3の他方電極と電気的に接続されるものである。メタライズ層6は、基板2の下面を平面視したときに、左右対称となるように形成されている。メタライズ層6は、基板2の中央部Cと重なる領域から基板2の端部にかけて形成されている。または、メタライズ層6は、外形が基板2の外形と同じ形状に形成されることにより、基板2とメタライズ層6との間で発生する熱膨張差に起因した応力が、外形が異なる部位に集中することなく分散されるため、基板2へのクラックやメタライズ層6の剥がれを抑制することができる。
メタライズ層6は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、アルミニウム、銀、金またはプラチナ等の導電材料からなる。メタライズ層6は、例えば、タングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを、基板2となるセラミックグリーンシートに所定パターンで印刷して、焼成することにより得られる。メタライズ層6の上下方向の厚みは、例えば0.5μm以上50μm以下に設定されている。なお、メタライズ層6の熱膨張率は、例えば10×10−6/K以上20×10−6/K以下に設定されている。
メタライズ層6は、図7に示すように、基板2の下面に設けられている。基板2の下面に設けられた一対のメタライズ層6同士は、間を空けて配置されている。基板2の下面に形成されたメタライズ層6は、平面視して基板2の中心線を除いて、基板2の下面全体にパターン形成されている。メタライズ層6同士の間は、例えば0.5mm以上3mm以下に設定されている。基板2は、未焼成の基板2の下面に一対のメタライズ層6を印刷し、さらに、未焼成の基板2を焼成することで、基板2とメタライズ層6との熱膨張差を利用して、基板2全体を反らせることができる。基板2の下面に、熱膨張係数が基板2より大きくなるメタライズ層6が形成されているため、基板2は基板2の上方に向かって凸となるように基板2全体が反る。この際、一対のメタライズ層6同士は間が空いていることで、熱膨張・収縮時に一対のメタライズ層6同士の間から応力を逃がすことができ、メタライズ層6が基板2の下面から剥離するのを抑制することができる。なお、基板2およびメタライズ層6の具体例としては、平面視したときの基板2の一辺の長さが5mm、メタライズ層6同士の間の長さが1mm、メタライズ層6の長辺が5mm、メタライズ層6の短辺が2mmに設定されている。また、基板2の上下方向の厚みが1mm、メタライズ層6の上下方向の厚みが20μmに設定されている。
基板2内には、発光素子3とメタライズ層6とを電気的に接続する導電体8が設けられている。導電体8は、基板2内の貫通導電体7、層間導電体8a等の導電部材を含んでいる。基板2内は、基板2の内外を電気的に導通する、導電体8の一方である貫通導電体7が設けられている。発光素子3の一方電極とメタライズ層6の一方とを電気的に接続するものである。貫通導電体7は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、アルミニウム、銀、金またはプラチナ等の導電材料からなる。貫通導電体7は、焼成前の基板2に対して、例えば、パンチング加工またはレーザ加工を行なったものに対して、タングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを印刷し、焼成することにより得られる。
貫通導電体7は、中央部Cに設けられている。貫通導電体7は、基板2の上面から下面にかけて連続して設けられた円柱体である。貫通導電体7の上部が発光素子3と接続され、貫通導電体7の下部がメタライズ層6と接続される。貫通導電体7は、円柱体の直径が、例えば0.05mm以上0.5mm以下に設定されている。
また、基板2内には、発光素子3の他方電極とメタライズ層6の他方とを電気的に接続する導電体8の他方が設けられている。他方の導電体8の一部は、層間導電体8aとして設けられている。層間導電体8aは、基板2内の層間に沿って設けられている。そして、導電体8の他方の一部である層間導電体8aは、発光素子3と重なる領域から発光素子3と重ならない領域にかけて設けられている。導電体8は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、アルミニウム、銀、金またはプラチナ等の導電材料からなる。導電体8は、焼成前のセラミック層2aを少なくとも二層準備して、それぞれに対して、例えば、パンチング加工またはレーザ加工を行ない、タングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを所定の配線パターンに印刷し、焼成することにより得られる。
発光素子3の一方の電極が一方の導電体8としての貫通導電体7と電気的に接続され、発光素子3の他方の電極が他方の導電体8と電気的に接続される。基板2は、基板2内に設けられた一方の導電体8と他方の導電体8が、断面視して基板2内に非対称に配置されることで、基板2を全体的により反った形状に熱変形することができるとともに、基板2の反り量や反り形状を制御することができる。さらに、基板2は、断面視して基板2の中心に対して左右非対称であることにより、基板2に方向性を示すマーカ等を設けることなく、複数の基板2をトレー等の配列された収納部に収納する際に生じる、異なる方向への基板2の傾きや、貫通導電体7の上部と導電体8における異なる方向への位置ズレにより、所望の方向に配列されずに収納された基板2を検出するとともに、基板2の収納方向を容易に修正することができる。
発光素子3は、基板2の中央部C上に実装される。発光素子3は、基板2の中央部Cに露出した貫通導電体7の上部と導電体8の上部に対して、例えば、ろう材または半田を介して電気的に接続される。
発光素子3は、透光性基体と、透光性基体上に形成される光半導体層とを有している。透光性基体は、有機金属気相成長法または分子線エピタキシャル成長法等の化学気相成長法を用いて、光半導体層を成長させることが可能なものであればよい。透光性基体に用いられる材料としては、例えば、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、シリコンカーバイド、シリコンまたは二ホウ化ジルコニウム等を用いることができる。なお、透光性基体の厚みは、例えば50μm以上1000μm以下である。
光半導体層は、透光性基体上に形成された第1半導体層と、第1半導体層上に形成された発光層と、発光層上に形成された第2半導体層とから構成されている。
第1半導体層、発光層および第2半導体層は、例えば、III族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ素等のIII−V族半導体、あるいは、窒化ガリウム、窒化アルミニウムまたは窒化インジウム等のIII族窒化物半導体などを用いることができる。なお、第1半導体層の厚みは、例えば1μm以上5μm以下であって、発光層の厚みは、例えば25nm以上150nm以下であって、第2半導体層の厚みは、例えば50nm以上600nm以下である。また、このように構成された発光素子3では、例えば370nm以上420nm以下の波長範囲の励起光を発する素子を用いることができる。
支持部材4は、基板2上に中央部Cを取り囲むようにして設けられている。支持部材4は、枠体5を支持するものである。支持部材4は、基板2の上面の高さ位置が基板2の上面の一端と他端とで異なっていても、支持部材4の上下方向の厚みを基板2と接触する個所ごとに調整することができ、支持部材4の上面の高さ位置は、一定の特定の高さとなるようにすることができる。なお、ここで一定の高さとは、支持部材4の上面の高さ位置が、枠体5の下面の高さ位置と合うことをいう。
支持部材4は、基板2上に、例えばスパッタリング法または印刷塗布法を用いて設けられる。支持部材4は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂またはガラス等の透光性材料からなる。支持部材4は、軟化物を硬化させたものであって、基板2の上面の高さ位置に合わせて変形することで、枠体5の下面の高さ位置が一定の高さとなるようにすることができる。なお、支持部材4の上下方向の厚みは、例えば0.05mm以上0.5mm以下に設定されている。
支持部材4は、基板2上に軟化させた状態で被着させて、その上に枠体5を設けて、さらに軟化物を熱硬化させたものである。このようにして、支持部材4は、枠体5を基板2上に固定することができる。
基板2を全体的に反らせることで、基板2の上面の端部の高さ位置が、断面視して左右非対称となりやすい。そして、硬化前に自由に変化可能な軟化物である支持部材4を用いて、枠体5を基板2の上面の端部に設けることで、枠体5の下面の高さ位置が発光素子3に対して所望しない傾斜角度の状態にならないようにすることができる。その結果、基板2上の発光素子3に対して所望する状態で枠体5を基板2上に固定することができる。なお、ここで、断面視とは、基板2の中心をとおり、基板2の上面に垂直な断面をいう。
また、支持部材4は、発光装置1を断面側視した際に、基板2上面と枠体5下面との間隔が広い部位の厚みが、基板2上面と枠体5下面との間隔が狭い部位と比較して大きいことが好ましい。その結果、基板2上面と枠体5下面との間隔が広い部位の隙間に充填される封止部材9が熱膨張しても、厚みが大きくされた支持部材4によって枠体5を基板2に強固に接合できるため、枠体5が基板2から剥がれることが抑制されるとともに、封止部材9が基板2の上面と枠体5の下面との間隔が広い方向に熱膨張することにより、封止部材9に生じる応力が封止部材9の内部で分散されるとともに減少する。その結果、封止部材9は、基板2や枠体5から剥がれることが抑制される。
枠体5は、基板2上の発光素子3を取り囲むように、支持部材4上に設けられている。枠体5は、基板2とは別体に設けられる。枠体5は、平面視して、枠体5の内壁面の形状を円形とすると、発光素子3が発光する光を全方向に反射させて外部に放出することができる。
枠体5は、例えば、アルミナまたはムライト等のセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。また、枠体5は、例えば、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等のセラミック材料を所望の形状に形成して焼結された多孔質材料から構成されてもよい。枠体5を多孔質材料から構成した場合は、発光素子3からの光が、多孔質材料から成る枠体5の表面で拡散して反射される。
また、枠体5の内壁面は、枠体5で囲まれる領域が下部から上部に向かって幅広に大きくなる傾斜面と、上端内側には段差5aとなるように形成されている。なお、枠体5の内壁面には、例えば、タングステン、モリブデン、銅または銀等から成る金属層が形成されてもよい。この金属層は、発光素子3の発する光を反射させる機能を有する。
また、枠体5の内壁面の傾斜角度は、枠体5の下面に対して例えば55度以上70度以下の角度に設定されている。そして、枠体5の内壁面に対して、枠体5の下面に沿った平面方向に進行してきた光を枠体5の上方に向かって反射しやすくすることができる。また、鍍金金属層の表面は、算術平均粗さRaが例えば、1μm以上3μm以下に設定されている。
枠体5の段差5aは、波長変換部材10を支持する機能を有している。段差5aは、枠体5の上部の一部を内側に向けて切り欠いたものであって、枠体5の内周面を一周するように連続して設けられており、波長変換部材10の端部を支持することができる。
また、枠体5の下面の高さ位置h2は、発光素子3の下面の高さ位置h1よりも下方に位置している。発光素子3の発する光は、発光素子3の上面や側面からも放射される。基板2の中央部Cを上方に反らせることで、発光素子3の実装される位置も高くすることができる。そして、発光素子3の側面から枠体5に向かって進行する光が、枠体5の内壁面にて反射されて、上方に向かって進行させることができ、波長変換部材10を介して発光装置1の外部に取り出される光を向上させることができるとともに輝度を向上させることができる。
枠体5の下面のうち、支持部材4と接触する個所以外は、基板2の上面と間をあけて設けられている。そして、枠体5で囲まれる領域に、光透過性の封止部材9が充填されている。封止部材9は、発光素子3を封止するとともに、発光素子3から発せられる光が透過する機能を備えている。
封止部材9は、基板2の上面と枠体5の下面との間にまで充填されることで、基板2と枠体5との接着力を向上させることができ、基板2に対して枠体5が剥離するのを効果的に抑制することができる。また、基板2全体を反らせることで、枠体5の下面のうち、発光素子3側から発光素子3から離れる方向に向かって、枠体5の下面と基板2の上面との間を大きく設定することができる。その結果、封止部材9が、枠体5の下面と基板2の上面との間の狭い個所から広い個所にかけて充填することができ、アンカー効果によって封止部材9が基板2の上面と枠体5の下面との間から抜けにくくすることができる。
封止部材9は、枠体5で囲まれる領域であって、段差5aの高さ位置よりも低い位置まで充填される。なお、封止部材9は、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂が用いられる。なお、封止部材9の熱伝導率は、例えば、0.14W/(m・K)以上0.21W/(m・K)以下に設定されている。
波長変換部材10は、発光素子3の発する光の波長を変換する機能を有している。波長変換部材10は、発光素子3から発せられる光が内部に入射して、内部に含有される蛍光体11が励起されて、光を発するものである。
波長変換部材10は、例えば、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂、透光性のガラスからなり、その絶縁樹脂、ガラス中に、例えば430nm以上490nm以下の蛍光を発する青色蛍光体、例えば500nm以上560nm以下の蛍光を発する緑色蛍光体、例えば540nm以上600nm以下の蛍光を発する黄色蛍光体、例えば590nm以上700nm以下の蛍光を発する赤色蛍光体が含有されている。波長変換部材10として透光性ガラスが用いられる場合には、発光装置1の気密性を向上させることができる。
また、蛍光体11は、波長変換部材10中に均一に分散するようにしている。なお、波長変換部材10の熱伝導率は、例えば0.1W/(m・K)以上0.8W/(m・K)以下に設定されている。波長変換部材10の熱膨張率は、例えば0.8×10−5/K以上8×10−5/K以下に設定されている。波長変換部材10の屈折率は、例えば、1.3以上1.6以下に設定されている。例えば、波長変換部材10の材料の組成比を調整することで、波長変換部材10の屈折率を調整することができる。
また、波長変換部材10の全体の厚みは、例えば、0.3mm以上3mm以下に設定されており、且つ厚みが一定に設定されている。ここで、厚みが一定とは、厚みの誤差が0.5μm以下のものを含む。波長変換部材10の厚みを一定にすることにより、波長変換部材10内で励起される光の量を一様になるように調整することができ、波長変換部材10における輝度ムラを抑制することができる。
枠体5の段差5a上に、波長変換部材10の端部が接着部材12を介して固定されている。接着部材12は、波長変換部材10を枠体5に固着するものである。接着部材12は、波長変換部材10の端部上から枠体5の段差5a個所にかけて設けられている。また、接着部材12は、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂、透光性のガラスが用いられる。なお、接着部材12の熱伝導率は、例えば0.1W/(m・K)以上0.8W/(m・K)以下に設定されている。接着部材12の熱膨張率は、例えば0.8×10−5/K以上8×10−5/K以下に設定されている。
本実施形態に係る発光装置1は、発光素子3の下面の高さ位置h1が、枠体5の下面の高さ位置h2よりも上方に位置することで、発光素子3の側面から横方向に進行する光は、枠体5の内壁面で反射されやすい。発光素子3の発する光の多くが枠体5の内壁面にて反射されて波長変換部材10に向かって進行する。その結果、波長変換部材10で波長変換されて発光装置1から外部に取り出される光を向上させることができるとともに輝度を向上させることができる。
また、基板2は、断面視して左右対称に設定されている方が、基板2と配線パターンの熱膨張率の違いによって、断面視して基板2を左右対称とすることは難しい。また、仮に、配線パターンを基板2の中心に対して左右対称とすることで、基板2を左右対称に反らせることもできるが、配線パターンの自由度を制限することになる。一方、本実施形態に係る発光装置1は、基板2内の配線パターンの自由度を確保することで、基板2を左右非対称に設定しても、支持部材4を変形して枠体5の高さ位置を調整することができ、発光素子3と枠体5との相対的に配置関係を良好に設定することができる。その結果、発光装置1から所望する角度で光を外部に取り出すことができる。
また、基板2内の層間導電体8aは、基板2内の層間に沿って設けることで、発光素子3の発光時に変換される熱を、発光素子3から導電体8を介して、基板2の多くの領域に伝えることができる。さらに、基板2に伝わった熱は、基板2の側面または基板2の下面から外部に向かって放熱されて、発光装置1の内部が高温になって、内部が破壊されるのを抑制することができる。
さらに、導電体8の層間導電体8aは、発光素子3と重なる領域から発光素子3と重ならない領域にかけて連続して設けられることで、発光素子3からすぐに効率よく発光素子3の発する熱を導電体8に伝えることでき、発光素子3が高温になるのを効果的に抑制することができる。
また、封止部材9は、支持部材4および枠体5で囲まれる領域に、発光素子3の上面から枠体5の下面と基板2の上面との間にかけて設けられることで、発光素子3を有効に封止するとともに、基板2と枠体5との接着力を良好に維持することができる。
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
<発光装置の製造方法>
ここで、図1に示す発光装置1の製造方法を説明する。まず、基板2を準備する。基板2が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。そして、混合物から複数のグリーンシートを作製する。
ここで、図1に示す発光装置1の製造方法を説明する。まず、基板2を準備する。基板2が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。そして、混合物から複数のグリーンシートを作製する。
また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、基板2となるセラミックグリーンシートにメタライズパターンを所定パターンで印刷し、複数のセラミックグリーンシートを積層したものを、上面が上方に突出するように反った外部基板上に配置して焼成することで、基板2を準備することができる。
次に、枠体5を準備する。枠体5は、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等のセラミック材料を準備する。そして、枠体5の型枠内に、セラミック材料を充填して乾燥させた後に、焼成することで枠体5を準備することができる。
次に、基板2上に、枠体5を支持部材4を介して、枠体5の下面が平面に沿った状態となるように位置合わせする。そして、支持部材4を硬化させることで、枠体5を基板2上に固定することができる。なお、支持部材4は、枠体5の下面の全てに被着しないようにし、枠体5の下面のうち発光素子3と近い側の端部が基板2の上面と間があくように位置合わせする。そして、基板2上の中央部Cの上面であって枠体5で囲まれた領域に発光素子3を実装する。
そして、基板2上の枠体5で囲まれた領域に、例えばシリコーン樹脂からなる封止部材9を充填して、枠体5の下面と基板2の上面との間にまで埋めるようにする。
次に、波長変換部材10を準備する。波長変換部材10は、未硬化の樹脂に蛍光体を混合して、例えばドクターブレード法、ダイコーター法、押し出し法、スピンコート法またはディップ法等のシート成形技術を用いて作製することができる。また、波長変換部材10は、未硬化の波長変換部材10を型枠に充填し、硬化して取り出すことによっても得ることができる。
そして、準備した波長変換部材10を枠体5の段差5a上に位置合わせして、接着部材12としてのシリコーン樹脂を介して接着する。このようにして、発光装置1を製造することができる。
Claims (5)
- 中央部が最も高くなるように全体が反った基板と、
前記基板の前記中央部に実装された発光素子と、
前記基板上に前記発光素子を取り囲むように設けられた支持部材と、
前記支持部材上に前記発光素子を取り囲むように、前記支持部材に接続された個所以外が前記基板の上面と間をあけて設けられた枠体と、を備え、
前記発光素子の下面の高さ位置が、前記枠体の下面の高さ位置よりも高いことを特徴とする発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置であって、
前記基板は、断面視して前記基板の中心に対して左右非対称であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1または請求項2に記載の発光装置であって、
前記基板は、複数の積層したセラミック層を一体焼成したものであるとともに、前記基板の下面には、前記発光素子に電気的に接続されている一対のメタライズ層が設けられており、
前記基板内には、前記発光素子に前記メタライズ層を電気的に接続する導電体が設けられており、前記一対のメタライズ層の一方に接続された前記導電体は貫通導電体からなり、前記一対のメタライズ層の他方に接続された前記導電体の一部は貫通導電体と前記基板内の層間に沿って設けられている層間導電体とからなることを特徴とする発光装置。 - 請求項3に記載の発光装置であって、
前記層間導電体は、前記発光素子と重なる領域から前記発光素子と重ならない領域にかけて設けられていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の発光装置であって、
前記支持部材および前記枠体で囲まれている領域には、前記発光素子の上面から前記枠体の下面と前記基板の上面との間にかけて封止部材が設けられていることを特徴とする発光装置。
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