JP2003092431A - フェースダウンで支持体に固定する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 流れ出た半田による電極間のショートを防
ぐ。 【解決手段】 同一面側に正負一対の電極が設けられて
なる半導体チップを、半導体チップの電極面を下側にし
て、支持体の導体層に直接面接続して支持体に固定して
放熱性を向上させる方法において、支持体の半導体チッ
プ電極との対向面に傾斜面を設け、該傾斜面の最頂部が
半導体チップの正負両電極の間に位置するように、半導
体チップの正負両電極を傾斜面に形成される電極と半田
付けして支持体に固定し、融解した半田が半導体チップ
の外側へ流れ出る結果、正負両電極間に流れ出すことが
ないようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、同一面側に正負一
対の電極が設けられてなる半導体、とくに窒化物半導体
（Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ
＋Ｙ≦１）よりなり、発光ダイオード（ＬＥＤ）レーザ
ダイオード（ＬＤ）等の発光素子または受光素子等に利
用される窒化物半導体チップの固定方法に関する。

【０００２】

【従来技術】一般に、窒化物半導体よりなる発光チップ
は、同一面側に正と負の電極が設けられている。これは
窒化物半導体が絶縁性基板の上に成長されることが多い
ことによる。このような発光チップはフェースダウンの
状態で、あるいはフェースアップの状態で例えばステ
ム、リードフレーム、ヒートシンク、サブマウント等の
支持体にマウントされて発光素子とされる。

【０００３】本出願人は、先に特開平７−２３５７２９
号公報において、窒化物半導体発光チップがフェースダ
ウンで支持体にマウントされてなるレーザ素子を示し
た。この技術は、例えばサファイアのような絶縁性基板
を用いた窒化物半導体レーザチップの放熱性を向上させ
る目的で、レーザチップをフェースダウンして絶縁性の
ヒートシンク上にマウントしたものである。ここで、フ
ェースダウンとは同一面側に正負両電極が設けられてい
る半導体チップの電極面を下側にして、支持体の導体層
に直接面接続する方法をいう。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】通常、同一面側に正負
両電極が設けられた半導体チップをフェースダウンで支
持体にボンディングする場合、支持体の所定の位置に、
加熱された半田材がディスペンサーにより所定量吐出さ
れると同時に、半導体チップがその半田材の上に載置さ
れ、冷却により支持体と半導体チップとが電気的に接続
される手段が行われる。半田材には銀ペースト、Ｉｎペ
ースト、Ｐｂ／Ｓｎ等の低融点金属が用いられることが
多い。しかし、半田材は、周知のように加熱された状態
で流動性が大きいという特性を有している。そのため同
一面側に正と負の電極が設けられた窒化物半導体チップ
では、半田材が所定の位置より流出することにより、片
方の電極と接触して電極間をショートさせてしまう恐れ
がある。

【０００５】同一面側に電極が設けられた半導体チップ
がフェースダウンでマウントされた半導体素子の信頼性
を向上させる必要性はますます高まっている。特に、レ
ーザ素子のような発熱量の大きいデバイスの安定な光学
特性を維持するためには、半田材を介してレーザチップ
の熱を支持体側に逃し、レーザ素子の放熱性を高める必
要がある。

【０００６】従って、本発明はこのような事情を鑑みて
成されたものであって、その目的とするところは、電極
間ショートのない信頼性に優れた窒化物半導体素子を提
供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明におけるフェース
ダウンで支持体に固定する方法にあっては、以下の方法
により上記問題点が解決される。

【０００８】本発明は、同一面側に正負一対の電極が設
けられてなる半導体チップをフェースダウンで支持体に
固定する方法において、前記支持体の前記電極との対向
面に傾斜面を設け、該傾斜面の最頂部が前記電極の間に
位置するように、前記電極を前記傾斜面に形成される電
極と半田付けすることを特徴とする。

【０００９】これにより、融解した半田が半導体チップ
の外側へ流れ出る結果、正負両電極間に流れ出すことは
なく、電極間で半田によるショートを起こすことのない
半導体素子が容易に得られる。

【００１０】また本発明において、前記電極を、前記傾
斜面に形成される電極に、半田材料に対して濡れ性のよ
い薄膜を介して半田付けしてもよい。

【００１１】これにより、融解した半田が半導体チップ
の外側へ向かって素速く流れ出でる結果、正負両電極間
に流れ出すことを確実に防ぐことができる。

【００１２】さらにまた、本発明において、前記対向面
の一部を傾斜面とし、前記電極を該傾斜面に形成される
電極と半田付けし、前記半導体チップの電極面の一部が
非傾斜面と接するように載置してもよい。

【００１３】これにより、半導体チップを支持体に対し
て安定に実装できる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の各構
成について詳述する。 （半導体素子）本発明において半導体素子は特に限定さ
れないが、半導体発光素子が例として挙げられる。この
ような半導体発光素子としてＺｎＳｅやＧａＮなど種々
の半導体を使用したものを挙げることができるが、蛍光
物質を使用する場合には、その蛍光物質を効率良く励起
できる短波長が発光可能な窒化物半導体（Ｉｎ_ＸＡｌ_Ｙ
Ｇａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）が好
適に挙げられる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、
ＰＩＮ接合やｐｎ接合などを有するホモ構造、ヘテロ構
造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。半導
体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択す
ることができる。また、半導体活性層を量子効果が生ず
る薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構
造とすることもできる。

【００１５】窒化物半導体を使用した場合、半導体用基
板にはサファイヤ、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ等
の材料が好適に用いられる。結晶性の良い窒化物半導体
を量産性よく形成させるためにはサファイヤ基板を用い
ることが好ましい。このサファイヤ基板上にＭＯＣＶＤ
法などを用いて窒化物半導体を形成させることができ
る。サファイア基板上にＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＡｌＮ等
のバッファー層を形成し、その上にｐｎ接合を有する窒
化物半導体を形成させる。

【００１６】窒化物半導体を使用したｐｎ接合を有する
発光素子例として、バッファ層上に、ｎ型窒化ガリウム
で形成した第１のコンタクト層、ｎ型窒化アルミニウム
・ガリウムで形成させた第１のクラッド層、窒化インジ
ウム・ガリウムで形成した活性層、ｐ型窒化アルミニウ
ム・ガリウムで形成した第２のクラッド層、ｐ型窒化ガ
リウムで形成した第２のコンタクト層を順に積層させた
ダブルへテロ構成などが挙げられる。

【００１７】窒化物半導体は、不純物をドープしない状
態でｎ型導電性を示す。発光効率を向上させるなど所望
のｎ型窒化物半導体を形成させる場合は、ｎ型ドーパン
トとしてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を適宜導入する
ことが好ましい。一方、ｐ型窒化物半導体を形成させる
場合は、ｐ型ドーパントであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃ
ａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドープさせる。窒化物半導体は、ｐ
型ドーパントをドープしただけではｐ型化しにくいため
ｐ型ドーパント導入後に、炉による加熱やプラズマ照射
等により低抵抗化させることが好ましい。

【００１８】基板にサファイア等の絶縁性基板を用いた
場合、正負両電極形成後、半導体ウエハーからチップ状
にカットすることで、同一面側に正負両電極が設けられ
た窒化物半導体チップが得られ、発光素子を形成するこ
とができる。ここで、図８に示されるように互いに平行
な正負両電極を形成すると、本発明による支持体に対し
て安定に実装でき、また、電極間を流れる電流が均一に
なることにより発光素子の発光面からの発光が均一にな
るため好ましい。 （支持体）支持体には様々な材料が使用される。例え
ば、半導体チップがレーザチップである場合には、Ａｌ
Ｎ、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＢＮ、Ｓｉ、Ｃ（ダイヤモン
ド）等の熱伝導性のよいヒートシンクが使用され、ＬＥ
Ｄチップであれば、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等の絶縁性の
グリーンシートが使用される。支持体の材料は特に限定
するものではなく、絶縁性、導電性いずれの材料でもよ
い。導電性の支持体を用いる場合には電極間の短絡を防
止するため、その支持体の表面に絶縁性の被膜を形成す
ることもできる。

【００１９】本発明において、支持体の半導体素子との
対向面は、図５に示すように材料の水平面に対して所定
の角度をつけて研削加工を行うことにより、半導体チッ
プの正負両電極に対向する二つの傾斜面を設ける。ある
いは、予め用意した型に、融解した支持体の材料を流し
込み、冷却することにより固化させて二つの傾斜面を有
する支持体を作製してもよい。ここで、水平面に対する
角度を同じにして左右対称な二つの傾斜面としてもよい
し、二つの傾斜面の水平面に対する角度をそれぞれ変え
て、加工してもよい。このように、二つの傾斜面の水平
面に対する角度をそれぞれ変えて加工すると正負両電極
の高さが異なる半導体チップを実装する場合に、半導体
チップの基板面を支持体に対して常に水平を保って安定
に実装できるため好ましい。また、支持体の半導体素子
との対向面のうち全てを加工してもよいが、図６に示す
ように対向面の中央部分のみに傾斜面を設け、中央部分
以外の残りの対向面は傾斜面を設けない非傾斜面とする
加工を施してもよい。または、図７に示すように対向面
の中央部分のみに傾斜面を設け、二つの傾斜面の最頂部
に沿って二つの非傾斜面を設ける加工を施してもよい。
これらの形状に加工すると、半導体チップの正負両電極
が傾斜面において支持体表面に形成された電極と半田付
けにより固定される他、少なくとも半導体チップの一部
が非傾斜面に接し、半導体チップ全体が支持体に対して
常に水平に保たれることにより、半導体チップを安定に
実装できる。 （濡れ性のよい金属薄膜）半田がＩｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａ
ｕをそれぞれ主成分としてなる場合は、濡れ性のよい、
つまりそれらを含む半田に対して接着性のよい金属材料
としてはＴｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｚｎ、C
ｄ、Ａｌのいずれかの金属、またはそれらのいずれかを
含んでなる合金である。濡れ性がよい状態では、融解し
た金属の粘度が濡れ性の悪いときより低く、融解した半
田が流動しやすい。従って、濡れ性のよい金属薄膜を介
して半導体チップをフェースダウンの状態で支持体にダ
イボンドすると、融解した半田が半導体チップの外側へ
向かって素速く流れ出でる結果、正負両電極間に流れ出
すことを確実に防ぎ、電極間に流れ出た半田によるショ
ートを起こすことのない半導体素子が容易に得られる。 （中間層）さらに本発明の好ましい態様において、図１
に示すように、第２の電極２２ａおよび２２ｂが、支持
体に接する側に形成された第１の層２２１と、半導体チ
ップの電極側に形成された第２の層２２２と、さらに前
記第１の層と第２の層との間に形成された中間層２２３
ａ、２２３ｂとから成る少なくとも三層構造を有してい
る。この中間層２２３は第１の層２２１と第２の層２２
２との接着性をさらに高める作用がある。さらに加熱ボ
ンディング時に第１の層２２１と第２の層２２２とが合
金化して、それぞれの電極材料の効果を低下させるのを
防止するバリア層としての作用もある。

【００２０】チップの電極に合わせて適宜、半田材、濡
れ性の良い金属薄膜、第２の層、及び中間層に含まれる
金属がそれぞれ選択される。例えば、チップ電極及び半
田材にＡｕを含み、濡れ性の良い金属薄膜にＴｉ、Ｚ
ｒ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｚｎ、Cｄ、Ａｌのいずれ
かの金属を含み、さらに第２の層にＡｕを含む場合、中
間層はＰｔ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗよりなる群から選択された
少なくとも一種を含むことが望ましい。これらの金属は
特に、Ａｕを含む第２の層２２２と、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａ
ｌ、Ｚｒの第１の層２２１との接着性を向上させる作用
があるからである。

【００２１】

【実施例】以下、本発明に係る実施例について詳述す
る。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定される
ものではない。 （実施例１）図１に示すように、サファイア基板１０１
の上に、少なくともｎ型窒化物半導体層１０２と、発振
する活性層と、ｐ型窒化物半導体層１０５を有する窒化
物半導体よりなる５００μｍ角のレーザチップ１００を
用意する。このレーザチップは、図に示すように、最上
層の窒化物半導体層の一部がエッチングにより除去され
て同一面側に正電極１０４と負電極１０３とを有する。
正電極１０４にはＮｉとＡｕを含む合金が使用されてお
り、負電極１０３にはＴｉとＡｌとを含む合金が使用さ
れている。

【００２２】一方、上面に左右対称な傾斜面を設けた支
持体２０には、５ｍｍ角のＡｌＮからなるサブマウント
を用意し、このサブマウントの表面にフォトリソグラフ
ィー技術を用いて適当な形状の保護膜を形成した後、ま
ずＴｉとＡｌを含む第１層２２１ａ、２２１ｂを蒸着に
より形成する。

【００２３】続いて、第１の層２２１ａ、２２１ｂの上
にそれぞれＰｔとＮｉとを含む中間層２２３ａ、２２３
ｂとを同じく蒸着により形成する。

【００２４】さらに、中間層２２３ａ、２２３ｂの上に
Ａｕよりなる第２の層２２２ａ、２２２ｂを同じく蒸着
により形成した後、保護膜を除去する。以上の操作によ
り、Ｔｉ／Ａｌを含む第１の層２２１と、Ｐｔ／Ｎｉを
含む中間層２２３、Ａｕを含む第２の層２２２とが積層
されてなる第２の電極２２を形成する。

【００２５】第２の電極２２を形成した後、その第２の
層上に、適当な形状を有する保護膜を形成し、ＡｕとＳ
ｎを含む合金よりなる半田２１ａ、２１ｂを同じく蒸着
により形成する。図２は電極形成後の支持体２０の平面
図を示すものであり、電極の位置は図１と対応してい
る。

【００２６】以上のようにして電極を形成したレーザチ
ップ１００を、支持体２０の上に互いの電極同士が対向
するようにして載置し、５００℃で電極同士を熱圧着す
る。この熱圧着によりレーザチップの電極１０３、１０
４と、支持体２０の半田材料２１とが合金化して半田付
けされると共に、第２の電極２２と半田、および第２の
電極２２と支持体２０とが強固に接着される。

【００２７】次に支持体２０を導電性のヒートシンクに
設置する。なお、ヒートシンクには支持体の裏面まで形
成された第２の電極２２ａと、ヒートシンクとを半田を
介して接着することにより設置する。さらに支持体２０
の表面に形成された第２の電極の最上層に金線をワイヤ
ーボンディングすることによりレーザ素子とする。

【００２８】以上のような工程で、レーザチップをフェ
ースダウンの状態で支持体にダイボンドしたところ、融
解した半田がレーザチップの外側へ流れ出る結果、正負
両電極間に流れ出すことはなく、ダイボンド自体の歩留
まりは９０％以上あった。ここで、歩留まりが１００％
とならなかった原因は主に電極ずれによるものであり、
レーザチップの電極間のショートによるもの、あるいは
ワイヤー剥がれによるものはなかった。さらにこのレー
ザ素子を１００時間連続でパルス発振させたところ、発
振中に電極間でショートするものはなかった。 （実施例２）第２の電極２２を形成した後、その第２電
極の層上に、適当な形状を有する保護膜を形成した後、
ＡｕとＳｎに対して濡れ性のよい金属材料の一つである
Ｔｉからなる金属膜を介してＡｕとＳｎを含む合金より
なる半田２１ａ、２１ｂを同じく蒸着により形成する。
その他は、実施例１と同様にしてレーザ素子としたとこ
ろ、電極の特性、歩留まりについては実施例１とほぼ同
等か、さらに良い特性を示した。 （実施例３）半田の材料をＡｕとＳｉとを含む合金とす
る。また、第２の電極２２において、第１の層２２１を
ＣｒとＺｒとを含む合金とし、中間層２２３をＭｏとＷ
とを含む合金とする他は、実施例１と同様にしてレーザ
素子としたところ、電極の特性、歩留まり等については
実施例１とほぼ同等の特性を示した。 （実施例４）半田の材料をＡｕとＧｅとを含む合金とす
る。また、第２の電極２２において、第１の層２２１を
ＡｌとＣｒとを含む合金とし、中間層２２３をＮｉとＭ
ｏとを含む合金とする他は、実施例１と同様にしてレー
ザ素子としたところ、電極の特性、歩留まり等について
は実施例１とほぼ同等の特性を示した。 （実施例５）２１ｂの半田の材料をＮｉとＡｕとを含む
合金とし、２１ａの材料をＴｉとＡｌとを含む合金とす
る。即ちレーザチップの電極材料と同一の材料とする。
また、第２の電極２２において、第１の層２２１をＡｌ
とＣｒとを含む合金とし、中間層２２３をＮｉとする他
は、実施例１と同様にしてレーザ素子としたところ、電
極の特性、歩留まり等については実施例１とほぼ同等の
特性を示した。 （実施例６）図６に示されるような形状をした絶縁性の
支持体を用い、図３および図４に示されるような電極２
２ａおよび２２ｂを支持体上に形成する。レーザチップ
１００の正負両電極が、支持体の傾斜面に形成された電
極に対向し、なおかつ非傾斜面２４と接するように載置
する。その他は、実施例１と同様にして図３に示される
ようなレーザ素子としたところ、電極の特性、歩留まり
等については実施例１とほぼ同等の特性を示し、半導体
チップを安定に実装できた。なお、図４は電極形成後の
支持体２０の平面図を示すものであり、半導体チップ実
装後のＡ−Ａ’断面は、図１と対応し、同じくＢ−Ｂ’
断面は図３と対応する。 （実施例７）図７に示されるような形状をした支持体を
用い、図１０および図１１に示されるような電極２２ａ
および２２ｂを支持体上に形成する。レーザチップ１０
０の正負両電極が、支持体に形成された電極に対向し、
なおかつ非傾斜面２４と接するように載置する。その他
は、実施例１と同様にして図１０に示されるようなレー
ザ素子としたところ、電極の特性、歩留まり等について
は実施例１とほぼ同等の特性を示し、半導体チップを安
定に実装できた。なお、図１１は電極形成後の支持体２
０の平面図を示すものであり、半導体チップ実装後のＣ
−Ｃ’断面は、図１０と対応する。 （実施例８）図９に示されるように、二つの傾斜面の水
平面に対する角度をそれぞれ変えた支持体２０を用い
る。レーザチップ１００の正負両電極のうち、基板面か
ら電極上面までの距離の大きい正電極１０４を、二つの
傾斜面のうち水平面に対する角度の大きい傾斜面に形成
された電極２２ｂに対向させ、一方の負電極を二つの傾
斜面のうち水平面に対する角度の小さい傾斜面に形成さ
れた電極２２ａに対向させて、レーザチップの基板面を
支持体に対して水平に保つように載置する。その他は、
実施例１および実施例６と同様にしてレーザ素子とした
ところ、電極の特性、歩留まり等については実施例１お
よび実施例６とほぼ同等の特性を示し、半導体チップを
安定に実装できた。 （実施例９）図１および図３は、本実施例による実装方
法により実装された半導体装置のレーザ光出射端面方向
から見た模式的な断面図である。また、図１２および図
１３は、本実施例による実装方法により実装された半導
体装置の模式的な側面図である。

【００２９】本実施例においては、図１２および図１３
に示されるように、半導体レーザ素子３００の一部を支
持体２０から突出させる。図１２および図１３に示され
るような半導体レーザ素子３００の側面のうち、レーザ
光が半導体レーザ素子３００から外部へ出射される領域
を有する側面をレーザ光出射端面３０１と定義する。ま
た、半導体レーザ素子の電極面と対向する支持体の対向
面を形成する辺のうち最もレーザ光出射端面寄りにある
端辺３０３とレーザ光出射端面との間隔を間隔ａとし、
半導体レーザ素子３００に形成された正電極あるいは負
電極３０２上の辺のうち最もレーザ光出射端面寄りにあ
る端辺３０４とレーザ光出射端面との間隔を間隔ｂ、と
する。さらに、これらの間隔ａおよび間隔ｂのうち小さ
い方を突出量τと定義する。例えば、図１２に示される
ように支持体２０、電極３０２、および半導体レーザ素
子３０１を配置させた場合、突出量τ＝間隔ａである。
また、図１３に示されるように支持体２０、電極３０
２、および半導体レーザ素子３０１を配置させた場合、
突出量τ＝間隔ｂである。

【００３０】図１２あるいは図１３に示されるように、
レーザ光出射端面を支持体から突出させ突出量τを設け
ると共に、半導体レーザ素子３００の電極面を支持体２
０上の電極面に対向させ、半田を介してフェースダウン
にて実装する他は実施例１と同様に半導体レーザ素子を
支持体上に固定した。このとき、突出量τは、支持体２
０の材料によらず２０μｍ以内、好ましくは１０μｍ以
内とする。１５μｍ〜２０μｍ付近を境にそれ以上の突
出量τを設けると、フェースダウンによる実装方法よ
り、半導体レーザ素子の基板面を支持体に直接固定する
実装方法の方が良好な放熱特性を示すことが本発明者ら
により明らかにされており、放熱性向上を目的としてフ
ェースダウンによる実装方法とする意味がなくなるから
である。このように突出量を調節することによりフェー
スダウンにて実装される半導体レーザ素子の放熱性を向
上させることができる。

【００３１】本実施例の実装方法とすることにより、半
田を介して行う接着時に、半導体レーザ素子３００の電
極と支持体上に設けた電極との間からはみ出した半田
は、正負両電極間に流れ出すことはなく、さらに半導体
レーザ素子３００からレーザ光が外部へ出射される領域
に覆い被さることもないため、半導体発光素子をヒート
シンク等の支持体に安定に実装し、信頼性の高い半導体
装置とすることが可能である。

【００３２】また、本実施例の構成とすることにより、
半導体発光素子、特に半導体レーザ素子の活性領域で発
生した熱が効率よくヒートシンク等の方向に放散するた
め、室温で連続動作を安定に行わせることができる。

【００３３】

【発明の効果】半導体チップをフェースダウンの状態で
本発明による支持体にダイボンドしたところ、融解した
半田が半導体チップの外側へ流れ出る結果、正負両電極
間に流れ出すことはなく、電極間で半田によるショート
を起こすことのない半導体素子が容易に得られる。ま
た、本発明の実施例ではレーザ素子について説明した
が、本発明はレーザ素子に限定するものではなく、窒化
物半導体を用いたＬＥＤ素子、受光素子等のあらゆる半
導体デバイスに適用できることは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は、本発明の一実施例に係る半導体装置
の構造を示す模式断面図である。

【図２】 図２は、本発明の一実施例に係る半導体装置
の構造を示す模式平面図である。

【図３】 図３は、本発明の一実施例に係る半導体装置
の構造を示す模式断面図である。

【図４】 図４は、本発明の一実施例に係る半導体装置
の構造を示す模式平面図である。

【図５】 図５は、本発明の一実施例に係る支持体の形
状を示す斜視図である。

【図６】 図６は、本発明の一実施例に係る支持体の形
状を示す斜視図である。

【図７】 図７は、本発明の一実施例に係る支持体の形
状を示す斜視図である。

【図８】 図８は、本発明の一実施例に係る半導体チッ
プの電極の構造を示す模式平面図である。

【図９】 図９は、本発明の一実施例に係る半導体装置
の構造を示す模式断面図である。

【図１０】 図１０は、本発明の一実施例に係る半導体
装置の構造を示す模式断面図である。

【図１１】 図１１は、本発明の一実施例に係る半導体
装置の構造を示す模式平面図である。

【図１２】 図１２は、本発明の一実施例に係る半導体
装置の構造を示す模式的な断面図である。

【図１３】 図１３は、本発明の一実施例に係る半導体
装置の構造を示す模式的な断面図である。

【符号の説明】

１００・・・半導体チップ １０１・・・サファイア基板 １０２・・・ｎ型窒化物半導体 １０３・・・負電極 １０４・・・正電極 １０５・・・ｐ型窒化物半導体 ２０・・・支持体 ２１ａ、２１ｂ・・・半田 ２２ａ、２２ｂ・・・第２の電極 ２３・・・傾斜面 ２４・・・非傾斜面 ２２１ａ、２２１ｂ・・・第１の層 ２２２ａ、２２２ｂ・・・第２の層 ２２３ａ、２２３ｂ・・・中間層 ３００・・・半導体レーザ素子 ３０１・・・レーザ光出射端面 ３０２・・・電極 ３０３、３０４・・・端辺

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 同一面側に正負一対の電極が設けられて
   なる半導体チップをフェースダウンで支持体に固定する
   方法において、 前記支持体の前記電極との対向面に傾斜面を設け、該傾
   斜面の最頂部が前記電極の間に位置するように、前記電
   極を前記傾斜面に形成される電極と半田付けすることを
   特徴とするフェースダウンで支持体に固定する方法。
2. 【請求項２】 前記電極を、前記傾斜面に形成される電
   極に、半田材料に対して濡れ性のよい薄膜を介して半田
   付けすることを特徴とする請求項１に記載のフェースダ
   ウンで支持体に固定する方法。
3. 【請求項３】 前記対向面の一部を傾斜面とし、前記電
   極を該傾斜面に形成される電極と半田付けし、前記半導
   体チップの電極面の一部が非傾斜面と接するように載置
   することを特徴とする請求項１または２に記載のフェー
   スダウンで支持体に固定する方法。