JP3620498B2 - 窒化物半導体レーザ素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はLED、LD等の発光デバイスに使用される窒化物半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)よりなるレーザ素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
窒化物半導体よりなる光度1cd以上の高輝度な青色、純緑色LEDは、最近実用化され、現在本出願人により、製造、販売されて公知となっている。それらのLEDは単一量子井戸構造のInGaNよりなる活性層をAlGaN及び/又はGaNで挟んだp−n接合を有するダブルへテロ構造を有し、窒化物半導体はサファイア基板上に成長されている。サファイア基板に成長された窒化物半導体発光チップはフェースアップ(基板と支持体とが対向した状態)で、リードフレームのような支持体にダイボンディングされている。ダイボンディング時の接着剤としては、例えば特開平7−86640号公報に記載されているように、有機物を含む透明な絶縁性の接着剤が使用されている。
【0003】
一方、窒化物半導体よりなるLD(レーザダイオード)については、また本出願人が世界で初めて、410nmの室温でのパルス発振を報告した。(例えば、日経エレクトロニクス 1996.1.15 (No.653) p13〜p15)。このレーザ素子もサファイア基板の上にInGaNを含む多重量子井戸構造よりなる活性層をAlGaN、GaN等で挟んだダブルへテロ構造を有している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
透明な絶縁性の接着剤でダイボンディングされたLEDは、接着剤自身が発光を透過するために、LEDの外部量子効率を向上させる上で非常に効果的である。しかし、有機物を含んでいるため、短波長による有機物の劣化と、長時間の使用により接着剤が変色して外部量子効率を低下させる恐れがある。また、基板と支持体との接着性が不十分であると、ワイヤーボンディング時にチップが支持体から剥がれたり、ずれたりする恐れがある。
【0005】
一方、LDの場合はパルス発振には成功したが、発光チップがヒートシンクのような支持体にダイボンディングされた完成体は未だ開発されていない。LDの場合、LEDと異なり、チップの発熱量が桁違いに大きい。そのため、発光チップをダイボンディングするには熱伝導性に優れた接着剤を選択する必要がある。さらに、ワイヤーボンディング時に発光チップが支持体から一部剥がれたり、ずれたりすると、接着剤と基板、若しくは接着剤と支持体との間に空隙が存在し、密着性が悪くなる。密着性が悪くなると、発光チップの発熱が十分にヒートシンクに伝わらなくなるので、発振閾値が上昇したり、発光チップの寿命を極端に短くする。
【0006】
従って本発明の目的とするところは、酸化物基板の上に成長された窒化物半導体よりなる発光チップが、ヒートシンク、リードフレームのような支持体にフェースアップでダイボンディングされたレーザ素子を実現するに際し、チップの接着性が大きく、かつ放熱性の高いレーザ素子を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
我々は窒化物半導体よりなる発光チップの基板側に数々の金属薄膜を形成して、ダイボンディングすると接着強度が増大することを発見し、さらに接着強度が強い金属のみを列挙してみたところ、ある特定の金属元素に接着強度を増大させる傾向があることを見いだし、本発明をなすに至った。即ち、本発明の窒化物半導体レーザ素子は、第1の主面と第2の主面とを有する酸化物基板の第1の主面側に窒化物半導体が成長され、第2の主面側にAl、Ti、Zr、Cr、Ni、Mo、W、Ge、Si、Sn、Zn、Cu、Mn、V、Nbよりなる群から選択された少なくとも一種の金属を含む第1の薄膜が形成された発光チップが、第1の薄膜と支持体表面とが対向した状態で、熱伝導性および導電性を有する接着剤を介して、支持体にダイボンディングされてなる窒化物半導体レーザ素子であって、前記酸化物基板の第2の主面上に形成された前記第1の薄膜は、前記酸化物基板の第1の主面側に窒化物半導体が成長された後研磨された研磨面である第2の主面上に形成されており、かつ前記熱伝導性および導電性を有する接着剤と、前記第1の薄膜との間にPt、Ti、Niよりなる群から選択された少なくとも一種の金属を含み、前記第1の薄膜の膜厚よりも厚い膜厚である第2の放熱薄膜が形成されていることを特徴とする。
【0008】
また、本発明の他の窒化物半導体レーザ素子は、前記第1の薄膜の膜厚が、50オングストローム〜10μmであることを特徴とする。
さらに、本発明の他の窒化物半導体レーザ素子は、前記熱伝導性および導電性を有する接着剤はSi、Ge、Snよりなる群から選択された少なくとも一種の金属と、Auとを含むことを特徴とする。
【0009】
さらにまた、本発明の他の窒化物半導体レーザ素子は、前記支持体がヒートシンクであることを特徴とする。
【0010】
さらに、本発明の他の窒化物半導体レーザ素子は、第1の主面と第2の主面とを有する酸化物基板と、前記第1の主面側に成長された窒化物半導体と、前記第2の主面側が研磨された状態で形成されるAl、Ti、Zr、Cr、Ni、Mo、W、Ge、Si、Sn、Zn、Cu、Mn、V、Nbよりなる群から選択された少なくとも一種の金属を含む第1の薄膜と、前記熱伝導性および導電性を有する接着剤と、前記第1の薄膜上に形成され、Pt、Ti、Niよりなる群から選択された少なくとも一種の金属を含み、前記第1の薄膜の膜厚よりも厚い膜厚である第2の放熱薄膜とを備える発光チップと、前記発光チップと支持体とをダイボンディングする接着剤であって、前記第2の薄膜と支持体との間に形成され、熱伝導性および導電性を有するSi、Ge、Snよりなる群から選択された少なくとも一種の金属と、Auとを含む導電性接着剤層を備えてなり、導電性接着層に含まれる金属と、第1の薄膜又は第2の薄膜に含まれる金属とが一部、合金化、若しくは共晶化されてなることを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】
図1は本発明に係るレーザ素子の一構造を示す模式的な断面図であり、具体的には、レーザ光の共振方向に垂直な方向で切断したレーザ素子の構造を示している。発光チップの基本的な構造としては、酸化物基板1の第1の主面上にn型層2、活性層3、p型層4が順に積層されたダブルへテロ構造を有しており、さらにp型層から上をリッジ形状として、発光がp電極11の下に相当する活性層3に集中するようにされている。発光チップはフェースアップの状態で支持体30であるヒートシンク若しくはサブマウントに、導電性接着剤23を介してダイボンディングされており、酸化物基板1の第2の主面側には導電性接着剤23との接着性を高める目的で、特定の金属よりなる第1の薄膜21が形成されている。なおn電極10と、p電極11に電気的に接続されたパッド電極12とは、それぞれ金線(図ではワイヤーと記載する。)でワイヤーボンディングされている。
【0012】
また基板1が酸化物基板であるので、基板裏面(第2の主面)側にn電極を形成することができない。従って第1の主面側にある窒化物半導体層をエッチングして、同一面側にn電極10と、p電極11とを取り出した構造としている。同一面側にn電極10、p電極11が形成された窒化物半導体レーザ素子では、この図に示すように、レーザ光の共振方向に対して、ほぼ左右対称にエッチングを行い、そのエッチング面にn電極10を左右対称に2ヶ所設けることにより、閾値電流が低下する傾向にある。さらに、エッチングされて露出したn型層2のほぼ全面にn電極10を設けると閾値電圧も低下する傾向にある。
【0013】
さらに、p電極11に電気的に接続し、p電極よりも表面積が大きいワイヤーボンディング用のパッド電極12を形成している。パッド電極12はエッチングにより露出された窒化物半導体層の表面に形成された絶縁膜13を介して形成する。p電極11はその表面積がワイヤーボンドできるほど大きくない。従って、p電極11と電気的に接続したパッド電極12を設けることにより、p電極にワイヤーボンディングできるようにしている。なお、p電極11は最上層のp型層4にオーミック接触する必要があるため、その材料が限定されるが、パッド電極12はp電極11と強固に接着できて、導電性の良好な材料であればどのような材料でもよい。また、絶縁膜13は例えばSiO2、TiO2、Al2O3、ポリイミドのような絶縁性の材料で形成することができ、例えば100オングストローム〜5μm以下の膜厚で、n電極10、p電極11を形成すべき窒化物半導体層の表面を除いたほぼ全面に形成する。絶縁膜13はパッド電極12がn型層2に接触してショートするのを防止すると共に、発光チップ表面に傷が入って素子をダメにするのを防止する作用がある。
【0014】
次に本発明の重要な点である酸化物基板と、第1の薄膜との関係について述べる。本発明のレーザ素子では基板に酸化物が用いられる。酸化物基板にはサファイア(Al2O3)、スピネル(MgAl2O4)、酸化亜鉛(ZnO)、マグネシア(MgO)等の単結晶を用いることができるが、一般的にはサファイア若しくはスピネルを用いる。
【0015】
次に酸化物基板の第2の主面側に形成する第1の薄膜21は、電気陰性度が2.0未満の金属で、空気中で安定な金属であればよく、例えばAl=1.5、Ti=1.5、Zr=1.4、Cr=1.6、Ni=1.8、Mo=1.8、W=1.7、Ge=1.8、Si=1.8、Sn=1.8、Zn=1.6、Cu=1.9、Mn=1.5、V=1.6、Nb=1.6のように、アルカリ金属を除く金属で、融点が200℃以上の金属を使用することができ、その中でも最も好ましくはTi、Cr、Ni、Zr、Moよりなる群から選択された少なくとも一種の金属を第1の薄膜21とする。第1の薄膜21は、蒸着、スパッタ等の通常のCVD装置を用いて、通常50オングストローム〜10μmの膜厚で形成できる。この第1の薄膜を形成することにより、酸化物基板1と導電性接着剤23との接着性が良くなり、さらに熱伝導性も向上する。なお電気陰性度はポーリング(L.Pauling)の値による。
【0016】
さらに、第1の薄膜21と支持体30とを接続する導電性接着剤23は金属を含んだ熱伝導性に優れた接着剤を使用でき、例えば銀ペースト、Inペースト、Ptペースト、Pb−Sn半田、その他金属系接着剤があるが、その中でも特にSi、Ge、Snよりなる群から選択された少なくとも一種の金属と、Auとを含む導電性接着剤、具体的にはAu−Si、Au−Ge、Au−Sn等を用いる。これら具体的接着剤の各金属の組成比は特に規定しないが、通常はSi、Ge、SnよりもAuを多く含む方が、より強い接着力と高い熱伝導性が得られる。なお、導電性接着剤23は発光チップをダイボンディングする際に、50オングストローム〜10μm程度の薄膜の状態で、予め第1の薄膜21の表面に形成することもできるし、また支持体側に形成することもできる。
【0017】
図2は本発明のレーザ素子に係る他の態様を示す模式的な断面図であり、図1と同様に、レーザ素子をレーザ光の共振方向に垂直な方向で切断した際の断面を示しており、図1と同一符号は同一部材を示している。この素子が図1の素子と異なる点は、第1の薄膜の上に、Auよりも高融点を有する金属よりなる第2の薄膜22を形成していることにある。この第2の薄膜22の作用は、ダイボンディング時の加熱により、導電性接着剤23が第1の薄膜21に混入してきて合金化し、第1の薄膜を変質させるのを防止する作用がある。つまり、第2の薄膜22は第1の薄膜21と導電性接着剤23との間のバリア層として作用し、接着力が低下するのを防止する作用がある。第2の薄膜の材料としては例えばPt、Ti、Ni等を好ましく用いることができる。また第2の薄膜の膜厚も特に限定するものではなく、第1の薄膜とほぼ同じ膜厚か、それよりも厚くすることが望ましい。
【0018】
本発明のレーザ素子において、酸化物基板の第2の主面にAl、Ti、Zr、Cr、Ni、Mo、W、Ge、Si、Sn、Zn、Cu、Mn、V、Nb等の電気陰性度が2.0未満の金属薄膜を形成すると接着力が向上するのかは定かではないが、他の2.0以上の金属薄膜を形成した場合と明らかに差がある。この原因は次のようなことが考えられる。発光チップをダイボンディングする際に導電性接着剤が数百℃に加熱される。加熱時、熱は発光チップに形成された第1の薄膜、第2の薄膜に伝わって、導電性接着剤に含まれる金属と、第1の薄膜、第2の薄膜に含まれる金属とが一部、合金化、若しくは共晶化する。この際に、酸化物基板の材料と、第1の薄膜と、導電性接着剤との金属材料の組み合わせで、何らかの物理的接着力、あるいは化学的接着力が強まるのではないかと推察される。
【0019】
【実施例】
[実施例1]
2インチφのサファイア基板C面(0001)の上に、n型GaNよりなるn型コンタクト層と、n型AlGaNよりなるn型光閉じこめ層と、n型AlGaNよりなる光ガイド層と、InGaNよりなる活性層と、p型AlGaNよりなる光ガイド層と、p型AlGaNよりなるp型光閉じこめ層と、p型GaNよりなるp型コンタクト層とが積層されたレーザウェーハを用意する。窒化物半導体の積層構造は単にレーザ発振するための一例を示したものであって、この構造に限定されるものではない。
【0020】
次に、このウェーハの窒化物半導体の最上層に、所定の形状のマスクを形成した後、SiCl4ガス、Cl2ガスを用いてRIE(反応性イオンエッチング)を行い、図1に示すような形状でn電極を形成すべきn型コンタクト層を露出させる。n型コンタクト層露出後、マスクを形成し、再度エッチングを行い。p型コンタクト層、p型クラッド層の一部をエッチングし、図1に示すように、p型クラッド層から上をリッジ形状とする。これらのエッチングにより、図1に示すように、リッジ形状のストライプに対して左右対称なn型コンタクト層が露出される。
【0021】
n型コンタクト層露出後、最上層のp型コンタクト層と、n電極を形成すべきn型コンタクト層の表面を除く、窒化物半導体層の表面にSiO2よりなる絶縁膜をCVD法を用いて1μmの膜厚で形成する。絶縁膜形成後、最上層のp型コンタクト層のほぼ全面に2μmのストライプ状のNi−Auよりなるp電極を形成し、n型コンタクト層のほぼ全面にストライプ状のTi−Alよりなるn電極を形成する。そして、p電極の上には同じくNi−Auよりなるパッド電極を図1に示すように絶縁膜を介して形成する。
【0022】
電極形成後、サファイア基板を80μmの厚さまでラッピングと、ポリシングして研磨した後、そのポリシング面にCVD法を用いて、Tiよりなる第1の薄膜を0.1μmの膜厚で形成する。
【0023】
続いてTiよりなる第1の薄膜の上に、Au−Sn(70%−30%)よりなる導電性接着剤層を0.5μmの膜厚で形成する。
【0024】
導電性接着剤層形成後、基板を強制的に劈開して、窒化物半導体の
【外1】
面に相当する面に共振面を作成し、バー状のレーザチップを作製する。なお外1面とは窒化物半導体を六方晶系で近似した際に表される六角柱の側面(四角形の面、M面)に相当する面である。
【0025】
次にバー状のレーザチップの共振面側に、プラズマCVD装置を用いて、SiO2とTiO2よりなる誘電体多層膜を形成して反射鏡を形成し、バー状のレーザチップを今度はn電極に平行な位置でスクライブにより分割して、350×500μm角の矩形のレーザチップを得る。
【0026】
以上のようにして得られたレーザチップを、400℃に加熱したヒートシンクにフェースアップの状態でダイボンダーを用いてダイボンドする。ヒートシンクにダイボンドされたレーザ素子を数千個作製し、その中から1000個をランダムに抜き取り、さらにn電極とp電極とをそれぞれ金線でワイヤーボンディングする。ワイヤーボンディング工程中、若しくはワイヤーボンディング後にレーザチップがヒートシンクから剥がれたり、浮いたりしたものを取り除いたところ、歩留は99%以上あり、非常に強固にレーザ素子がダイボンドされていることが判明した。さらに、このレーザ素子を直流電流で発振させたところ、410nmのレーザ発振を示し、1時間以上の寿命であった。
【0027】
[実施例2]
実施例1において、Tiよりなる第1の薄膜の上に、Ptよりなる第2の薄膜を0.2μmの膜厚で形成し、その第2の薄膜の上にAu−Siよりなる導電性接着剤層を同様に形成する。その他は実施例1と同様にしてレーザチップをダイボンドした後、電極をワイヤーボンドしたところ、歩留は99.5%以上であり、レーザチップがヒートシンクから剥がれたものは発見されなかった。さらにレーザ素子の寿命も実施例1とほぼ同等の寿命であった。
【0028】
[実施例3]
実施例1において、基板にスピネル基板を用い、スピネル基板の第1の主面に窒化物半導体を成長させ、成長後、研磨したスピネル基板の第2の主面側にCrよりなる第1の薄膜を0.1μmの膜厚で形成し、そのCrよりなる第1の薄膜の上にAu−Ge(70%−30%)よりなる導電性接着剤層を同じく0.5μmの膜厚で形成する他は同様にしてレーザチップを得て、ワイヤーボンディングを行ったところ、同じく歩留は99%以上であり、レーザ素子の寿命も実施例1のものとほぼ同等であった。
【0029】
[実施例4]
実施例3において、Crよりなる第1の薄膜の上に、Wよりなる第2の薄膜を0.2μmの膜厚で形成し、その第2の薄膜の上にAu−Siよりなる導電性接着剤層を同様に形成する。その他は実施例1と同様にしてレーザチップをダイボンドした後、電極をワイヤーボンドしたところ、歩留は99.5%以上であり、レーザチップがヒートシンクから剥がれたものは発見されなかった。さらにレーザ素子の寿命も実施例1とほぼ同等の寿命であった。
【0030】
[実施例5]
実施例1において、基板にスピネル基板を用い、スピネル基板の第1の主面に窒化物半導体を成長させ、成長後、研磨したスピネル基板の第2の主面側にNiよりなる第1の薄膜を0.1μmの膜厚で形成し、そのNiよりなる第1の薄膜の上にAu−Si(70%−30%)よりなる導電性接着剤層を同じく0.5μmの膜厚で形成する他は同様にしてレーザチップを得て、ワイヤーボンディングを行ったところ、同じく歩留は99%以上であり、レーザ素子の寿命も実施例1のものとほぼ同等であった。
【0031】
[実施例6]
実施例1において、研磨したサファイア基板の第2の主面側にZrよりなる第1の薄膜を0.1μmの膜厚で形成し、そのZrよりなる第1の薄膜の上にAu−Sn(70%−30%)よりなる導電性接着剤層を同じく0.5μmの膜厚で形成する他は同様にしてレーザチップを得て、ワイヤーボンディングを行ったところ、同じく歩留は99%以上であり、レーザ素子の寿命も実施例1のものとほぼ同等であった。
【0032】
[実施例7]
実施例1において、研磨したサファイア基板の第2の主面側にMoよりなる第1の薄膜を0.1μmの膜厚で形成し、Moよりなる第1の薄膜の上にAu−Sn(70%−30%)よりなる導電性接着剤層を同じく0.5μmの膜厚で形成する他は同様にしてレーザチップを得て、ワイヤーボンディングを行ったところ、同じく歩留は99%以上であり、レーザ素子の寿命も実施例1のものとほぼ同等であった。
【0033】
[実施例8〜16]
実施例1において、研磨したサファイア基板の第2の主面側に、それぞれAl(例8)、W(例9)、Si(例10)、Sn(例11)、Zn(例12)、Cu(例13)、Mn(例14)、V(例15)、Nb(例16)よりなる第1の薄膜を0.1μmの膜厚で形成し、その第1の薄膜の上にAu−Sn(70%−30%)よりなる導電性接着剤層を同じく0.5μmの膜厚で形成する他は同様にしてレーザチップを得て、ワイヤーボンディングを行ったところ、それぞれ歩留は実施例1に比較して93〜95%以上とやや低下したが、レーザ素子の寿命は実施例1のものとほぼ同等であった。
【0034】
[比較例1]
実施例1において、研磨したサファイア基板の第2の主面側にPd(電気陰性度=2.2よりなる第1の薄膜を0.1μmの膜厚で形成し、その第1の薄膜の上にAu−Sn(70%−30%)よりなる導電性接着剤層を同じく0.5μmの膜厚で形成する他は同様にしてレーザチップを得て、ワイヤーボンディングを行ったところ、同じく歩留は85%に低下した。
【0035】
[比較例2]
実施例1において、研磨したサファイア基板の第2の主面側にPt(電気陰性度=2.2よりなる第1の薄膜を0.1μmの膜厚で形成し、その第1の薄膜の上に銀ペーストよりなる導電性接着剤層を同じく0.5μmの膜厚で形成する他は同様にしてレーザチップを得て、ワイヤーボンディングを行ったところ、歩留は60%に低下した。
【0036】
[比較例3]
実施例1において、研磨したサファイア基板の第2の主面側にAu(電気陰性度=2.4)よりなる第1の薄膜を0.1μmの膜厚で形成し、その第1の薄膜の上にAu−Geよりなる導電性接着剤層を同じく0.5μmの膜厚で形成する他は同様にしてレーザチップを得て、ワイヤーボンディングを行ったところ、歩留は88%に低下した。
【0037】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の窒化物半導体素子では、窒化物半導体層を形成していない基板側に、特定の金属よりなる薄膜を形成し、この特定の金属を形成した状態で、支持体に加熱しながらAu−Sn等の導電性接着剤を介してボンディングすることにより、発光チップの接着性が向上する。さらに、第1の薄膜の上に高融点金属よりなる第2の薄膜を形成すると、バリア効果が高まりさらに接着性が向上する。さらにまた、本発明のレーザ素子ではボンディング材料がすべて金属を含む熱伝導性のよい材料を使用しているために、特にレーザ素子のような放熱性を要求される発光デバイスに使用すると、素子の寿命を向上させる上でも非常に都合がよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のレーザ素子に係る一構造を示す模式断面図。
【図2】本発明のレーザ素子に係る他の構造を示す模式断面図。
【符号の説明】
1・・・・酸化物基板
2・・・・n型層
3・・・・活性層
4・・・・p型層
10・・・・n電極
11・・・・p電極
12・・・・パッド電極
13・・・・絶縁膜
21・・・・第1の薄膜
22・・・・第2の薄膜
23・・・・導電性接着剤
30・・・・支持体
Claims (5)
- 第1の主面と第2の主面とを有する酸化物基板の第1の主面側に窒化物半導体が成長され、第2の主面側にAl、Ti、Zr、Cr、Ni、Mo、W、Ge、Si、Sn、Zn、Cu、Mn、V、Nbよりなる群から選択された少なくとも一種の金属を含む第1の薄膜が形成された発光チップが、第1の薄膜と支持体表面とが対向した状態で、熱伝導性および導電性を有する接着剤を介して、支持体にダイボンディングされてなる窒化物半導体レーザ素子であって、
前記酸化物基板の第2の主面上に形成された前記第1の薄膜は、前記酸化物基板の第1の主面側に窒化物半導体が成長された後研磨された研磨面である第2の主面上に形成されており、
かつ前記熱伝導性および導電性を有する接着剤と、前記第1の薄膜との間にPt、Ti、Niよりなる群から選択された少なくとも一種の金属を含み、前記第1の薄膜の膜厚よりも厚い膜厚である第2の放熱薄膜が形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。 - 前記第1の薄膜の膜厚が、50オングストローム〜10μmであることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記熱伝導性および導電性を有する接着剤はSi、Ge、Snよりなる群から選択された少なくとも一種の金属と、Auとを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記窒化物半導体レーザ素子は、前記支持体がヒートシンクであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 第1の主面と第2の主面とを有する酸化物基板と、
前記第1の主面側に成長された窒化物半導体と、
前記第2の主面側が研磨された状態で形成されるAl、Ti、Zr、Cr、Ni、Mo、W、Ge、Si、Sn、Zn、Cu、Mn、V、Nbよりなる群から選択された少なくとも一種の金属を含む第1の薄膜と、
前記熱伝導性および導電性を有する接着剤と、
前記第1の薄膜上に形成され、Pt、Ti、Niよりなる群から選択された少なくとも一種の金属を含み、前記第1の薄膜の膜厚よりも厚い膜厚である第2の放熱薄膜と、
を備える発光チップと、
前記発光チップと支持体とをダイボンディングする接着剤であって、前記第2の薄膜と支持体との間に形成され、熱伝導性および導電性を有するSi、Ge、Snよりなる群から選択された少なくとも一種の金属と、Auとを含む導電性接着剤層を備えてなり、
導電性接着層に含まれる金属と、第1の薄膜又は第2の薄膜に含まれる金属とが一部、合金化、若しくは共晶化されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001375085A JP3620498B2 (ja) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | 窒化物半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001375085A JP3620498B2 (ja) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | 窒化物半導体レーザ素子 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26191996A Division JP3495853B2 (ja) | 1996-10-02 | 1996-10-02 | 窒化物半導体レーザ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003011426A Division JP4288947B2 (ja) | 2003-01-20 | 2003-01-20 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002237646A JP2002237646A (ja) | 2002-08-23 |
JP3620498B2 true JP3620498B2 (ja) | 2005-02-16 |
Family
ID=19183517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001375085A Expired - Fee Related JP3620498B2 (ja) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | 窒化物半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3620498B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100373640C (zh) * | 2004-08-02 | 2008-03-05 | 晶元光电股份有限公司 | 具有黏结层的发光二极管及其制法 |
EP1897151A4 (en) | 2005-06-22 | 2010-03-10 | Seoul Opto Device Co Ltd | ILLUMINATING ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
-
2001
- 2001-12-07 JP JP2001375085A patent/JP3620498B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002237646A (ja) | 2002-08-23 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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