CN100373640C - 具有黏结层的发光二极管及其制法 - Google Patents

Abstract

一种具有黏结层的发光二极管及其制法，其利用一厚度介于0.1μm到1μm的黏结层将一发光叠层及一热导系数大于等于100W/mK的高散热基板互相结合，以增加发光二极管的散热效果，进而提高发光二极管的稳定性及发光效率。所述发光二极管至少包含：一热导系数大于等于100W/mK的高散热基板；一LED叠层；以及一介于该高散热基板及该LED叠层之间且厚度介于0.1μm到1μm的黏结层。

Description

具有黏结层的发光二极管及其制法

技术领域

本发明涉及一种具有黏结层的发光二极管及其制法，尤其关于一种具有黏结层的高散热发光二极管及其制法。

背景技术

发光二极管的应用颇为广泛，例如，可应用于光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置。如何提高发光二极管的亮度，是在发光二极管的制造上的重要课题。

在台湾专利公告第550834号发明中公开了一种发光二极管构造及其制法，将一发光二极管外延结构成长于一吸光第一基板上，再利用一高分子材料的软质介电黏结层将该发光二极管外延表面与一高热导系数第二基板做接合，以增加芯片散热效果，增加发光二极管发光效率。在上述发明专利案中将外延层成长于该吸光第一基板上，再采用黏结层将外延层与高热导系数第二基板连结后去除吸光第一基板以降低热阻、增加散热功能、增加发光效率；然而一发光二极管元件的热阻与其各组成厚度及各组成热导系数有关，其热阻关系式为：

(关系式一)

上述专利案中该发光二极管结构热阻相当于外延层热阻、软质介电黏结层热阻及基板热阻的总和，其热阻关系式为：

元件热阻＝外延层热阻+黏结层热阻+第二基板热阻

(关系式二)

原成长于第一基板的发光二极管元件热阻相当于外延层热阻及基板热阻的总和，其热阻关系式为：

原元件热阻＝外延层热阻+第一基板热阻

(关系式三)

由关系式(二)及关系式(三)得知，即使使用高热导系数基板，当黏结层热阻及高热导系数第二基板所共同产生的热阻若大于原来采用的第一基板热阻，则该发光二极管元件仍无法充分发挥高热导基板的散热特性，具有散热不佳的缺点。

发明内容

鉴于上述发明具有散热不佳的缺点，本发明主要要解决的技术问题是发光二极管的散热问题，本发明要解决的另一技术问题是充分利用高热导系数基板的散热特性，本发明要解决的又一技术问题是界定采用高热导系数第二基板及优选的黏结层的厚度以降低元件热阻，有效增加散热性。

一现有的传统发光二极管结构，其包含一第一基板，形成于该第一基板上的一外延层，该第一基板包含选自GaAs、Ge所构成材料族群中的至少一种材料。假设元件面积为A，该第一基板的热导系数为k1(W/mK)，其厚度x1μm，该外延层热阻系数约k2(W/mK)，其厚度x2μm，则该第一基板的原元件热阻值为

采用高分子材料的软质介电黏结层将发光二极管外延层表面与高热导系数第二基板做接合以取代第一基板的发光二极管结构，其包含一具有高热导系数的第二基板、用以接合该外延层的高分子材料的软质介电黏结层及外延层，假设元件面积为A，该外延层热阻系数约k2(W/mK)，其厚度x2μm，该黏结层的热导系数为k3(W/mK)，其厚度为x3μm，该第二基板的热导系数为k4(W/mK)，其厚度x4μm，则该元件热阻为

采用黏结层接合外延层及高热导系数基板以取代第一基板以降低热阻、增加散热效率，表示上述Rth2应比Rth1小。

依本发明概念的一例，具有高热导系数的第二基板以取代第一基板、用以接合外延层的黏结层苯并环丁烯(BCB)及外延层，假设元件面积为A，该外延层热导系数约6(W/mK)，其厚度3μm，该黏结层苯并环丁烯(BCB)的热导系数为0.2(W/mK)，其厚度为x2μm，该第二基板的热导系数为k3(W/mK)，其厚度170μm，该第一基板材质采用GaAs，GaAs热导系数为50(W/mK)，上述发光二极管常用材料及有机材料的热导系数参见表一及表二：

表一：发光二极管常用材料的热导系数对照表

材料名称	热导系数(W/mK)Thermal Conductivity
		GaAs	44-58
Al<sub>0.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>As	11
		(Al<sub>0.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>)In<sub>0.5</sub>P	6
Ga<sub>0.5</sub>In<sub>0.5</sub>P	5
		GaP	75-100
蓝宝石(Sapphire)	35-40
		GaN	a.130 b.170
Si	125-150
		SiC	270
铜(Copper)	393
		银(Silver)	418
金(Gold)	297
		铝(Aluminum)	240
Au-Sn(80-20)	57
		In	81.8-86
氮化铝(Aluminum Nitride)	a.170-200 b.285
		SiO<sub>2</sub>	1.5
玻璃(Glass)	0.8
		Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>	10-35

资料来源：

(1)R.R.Tummala and E.J.Rymaszewski：″Microelectronics PackagingHandbook″(van Nostrand Reinhold，1988)

(2)G.Slack，J.Phys.Chem.Solids 34,321(1973)

(3)P.D.Maycock，Thermal Conductivity of Silicon，Germanium，III-VCompounds and III-V Alloys，Solid-State Electronics，vol.10.pp161-168,1967

(4)http：//hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/mecref.html#cl

表二：有机材料的热导系数对照表

材料名称	热导系数(W/mK)Thermal conductivity
		环氧-Kevlar(x-y)(60％)	0.2
聚酰亚胺-石英(x轴)	0.35
		聚酰亚胺(Polyimide)	0.2
Fr-4(x-y平面)	0.2
		苯并环丁烯(Benzocyclobutene)	0.2
聚四氟乙烯(杜邦公司)	0.1

资料来源：

(1)R.R.Tummala and E.J.Rymaszewski：″Microelectronics PackagingHandbook″(van Nostrand Reinhold，1988)

采用高热导系数第二基板取代第一基板以增加散热的条件是上述的Rth2小于原第一基板为GaAs的热阻值Rthl，其关系式为

Rth2_元件-Rth1_原元件<0

得到

$\frac{x3}{0.2}+\frac{170}{k4}<3.4$

表三中所示为采用各种高热导系数基板以取代以第一基板GaAs的元件其最佳的黏结层厚度，其中黏结层材料采用苯并环丁烯(BCB)

表三

第二基板材质	第二基板热导系数(K4)Thermal Conductivity(W/mK)	黏结层(BCB)厚度(μm)(x3)
			蓝宝石	35	<0
GaP	100	<0.34
			GaN	130	<0.418
Si	150	<0.453
			铝(Al)	240	<0.538
SiC	270	<0.554
			金	297	<0.556
铜(Cu)	393	<0.593
			银(Ag)	418	<0.599

采用黏结层将发光二极管外延表面与高热导系数第二基板做接合以取代第一基板的发光二极管结构，其所使用的第二基板的热导系数与所用黏结层厚度关系图，参见图1；由图1中可知，采用该高热导系数第二基板取代该第一基板以增加散热功能的条件是接合该外延层及该高热导系数第二基板的黏结层的厚度要小于0.5μm，但因该外延层表面平整度不一，其高低差在微米级，参见图2及图3，实务上使用苯并环丁烯(BCB)作为黏结层来接合外延层及高热导系数Si基板取代原吸光的GaAs基板，该层黏结层小于等于1μm，就能达到比传统采用GaAs基板的发光二极管更佳的散热效果及发光效率，当该黏结层苯并环丁烯(BCB)厚度小于0.1μm时，于接合时的合格率很低，故最佳的黏结层厚度介于0.1μm及1μm之间，另外，在该黏结层与该外延层及该高热导系数第二基板的相接表面亦可形成一反应层以增强黏结面的作用力可增加接合合格率。

上述结构的发光二极管的制法，是以黏结层将发光二极管外延表面与高热导系数基板做接合后，置放于两石墨板间，于石墨板两侧加温加压一段时间以增加黏合作用力，同时利用石墨的导热良好及质地柔软的特性，于制造过程中能均匀散热以形成一厚度均匀的黏结层。

本案发明人于实验中得到与此发明概念相同结果，依实验数据得知，所使用高热导系数第二基板的热导系数大于100W/mK，苯并环丁烯(BCB)厚度小于等于1μm，即可得到比GaAs基板更佳的散热效果，实验中使用苯并环丁烯(BCB)接合外延层于不同基板上，且该苯并环丁烯(BCB)厚度约介在0.5μm到0.8μm之间，得到实验结果如表四；于另一实验中，使用相同Si基板，且形成不同的苯并环丁烯(BCB)厚度，得到实验结果如表五。

表四

发光二极管结构	基板热导系数(W/mK)Thermal Conductivity	12mil发光二极管饱和电流(mA)
			EPI/GaAs	44-58	160～180
EPI/BCB/Si	125-150	180～200
			EPI/BCB/SiC	270	180～220
EPI/BCB/蓝宝石	35-40	100～120
			EPI/BCB/玻璃	0.8	50～60

表五

发光二极管结构	苯并环丁烯(BCB)厚度(μm)	12mil发光二极管饱和电流(mA)
			EPI/BCB/Si	10	60～80
5	～120
		3		～140
1	～180
		0.5		～200

附图说明

图1为一关系图，显示基板的热导系数与黏结层厚度关系；

图2及图3为一立体图，显示外延层表面平整度；

图4为一示意图，显示依本发明一优选实施例的一种发光二极管构造；

图5为一示意图，显示依本发明制法制造图4所示发光二极管程序中，于黏结前的第一叠层构造；

图6为一示意图，显示依本发明制法制造图4所示发光二极管程序中，形成厚度均匀介于0.1μm到1μm之间的黏结层制法；

图7为一示意图，显示依本发明制法制造图4所示发光二极管程序中，于黏结第一叠层及高热导系数第二基板后，但尚未移除第一基板前的第二叠层构造；

图8为一示意图，显示依本发明制法制造图4所示发光二极管程序中，于移除第一基板后的第三叠层构造；

图9为一示意图，显示依本发明另一优选实施例的一种发光二极管构造；

图10为一示意图，显示依本发明制法制造图9所示发光二极管程序中，于黏结前的第四叠层构造；

图11为一示意图，显示依本发明制法制造图9所示发光二极管程序中，于黏结前的第五叠层构造；

图12为一示意图，显示本发明制法制造图9所示发光二极管程序中，于黏结第四叠层及第五叠层后，但尚未移除第一基板前的第六叠层构造；

图13为一示意图，显示本发明制法制造图9所示发光二极管程序中，于移除第一基板后的第七叠层构造；

图14为一示意图，显示依本发明又一优选实施例的一种发光二极管构造。

附图标记说明

1a    发光二极管     2a    第一叠层

3a    第二叠层       4a    第三叠层

5a    发光二极管     6a    第四叠层

7a    第五叠层       8a    第六叠层

9a    第七叠层       10a   发光二极管

5     第一石墨板      6    第二石墨板

8     第二接线电极    9    第一接线电极

10    高热导系数第二基板

11    厚度介于0.1μm到1μm的黏结层

12    第一保护层          13    反射层

14    第二保护层          15    第一接触层

16    第一束缚层          17    发光层

18    第二束缚层          19    第二接触层

20    蚀刻终止层          21    第一基板

110   高热导系数第二基板  111   反射层

112   第一反应层

113   厚度介于0.1μm到1μm的黏结层

114    第二反应层         115    透明导电层

116    第一接触层         117    第一束缚层

118    发光层             119    第二束缚层

120    第二接触层         121    第一基板

122    透明导电层

具体实施方式

实施例1

请参阅图4，依本发明一优选实施例具有黏结层的发光二极管1a，包含一高热导系数第二基板10、形成于该高热导系数第二基板上的一厚度介于0.1μm到1μm的黏结层11、形成于该黏结层上的一第一保护层12、形成于该第一保护层上的一反射层13、形成于该反射层上的一第二保护层14、形成于该第二保护层上的一第一接触层15，其中，该第一接触层的上表面包含一第一表面区域与一第二表面区域、形成于该第一表面区域上的一第一束缚层16、形成于该第一束缚层上的一发光层17、形成于该发光层上的第二束缚层18、形成于该第二束缚层上的一第二接触层19、形成于该第二接触层上的一第一接线电极9、以及形成于该第二表面区域上的一第二接线电极8。

请参阅图4、图5、及图6，发光二极管1a的制法包含下列步骤：在一第一基板21上依次形成一蚀刻终止层20、一第二接触层19、一第二束缚层18、一发光层17、一第一束缚层16、一第一接触层15、一第二保护层14、一反射层13、一第一保护层12，构成第一叠层2a，如图5所示；选择一黏结层11，以该黏结层将该第一叠层2a的保护层12表面以及一高热导系数第二基板10第一表面结合在一起，于该高热导系数第二基板10第二表面外侧置放第一石墨板5、于该第一叠层2a的第一基板21外侧置放第二石墨板6，如图6所示；于该第一石墨板及该第二石墨板外侧加压加温一段时间以形成一厚度均匀介于0.1μm到1μm之间的黏结层11及形成一第二叠层3a，如图7所示；移除该第一基板及蚀刻终止层，构成一第三叠层4a，如图8所示；将该第三叠层4a适当地蚀刻至该第一接触层15，形成一第一接触层15暴露表面区域；以及在该第二接触层19与该第一接触层15暴露表面区域上分别形成第一接线电极9与第二接线电极8。

实施例2

请参阅图9，依本发明另一优选实施例具有黏结反射层的发光二极管5a，包含一高热导系数第二基板110、形成于该高热导系数第二基板上的一反射层111、形成于该反射层上的一第一反应层112、形成于该第一反应层上的一厚度介于0.1μm到1μm的黏结层113、形成于该厚度介于0.1μm到1μm的黏结层上的一第二反应层114、形成于该第二反应层上的一透明导电层115，其中，该透明导电层的上表面包含一第一表面区域与一第二表面区域、形成于该第一表面区域上的一第一接触层116、形成于该第一接触层上的第一束缚层117、形成于该第一束缚层上的一发光层118、形成于该发光层上的第二束缚层119、形成于该第二束缚层上的一第二接触层120、形成于该第二接触层上的一第一接线电极9、以及形成于该第二表面区域上的一第二接线电极8。

请参阅图9、图10、及图11，发光二极管5a的制法包含下列步骤：在一第一基板121上依次形成一第二接触层120、一第二束缚层119、一发光层118、一第一束缚层117、一第一接触层116、一透明导电层115、一第二反应层114，构成一第四叠层6a，如图10所示；在一高热导系数第二基板110上形成一反射层111，在该反射层上形成一第一反应层112，构成一第五叠层7a，如图11所示；选择一黏结层113，以该黏结层将该第四叠层6a的第二反应层114表面以及第五叠层7a第一反应层112表面结合在一起，黏结过程同上述优选实施例，如图6所示，其中以叠层6a取代叠层2a、以厚度介于0.1μm到1μm之间的黏结层113取代11、以叠层7a取代10、构成一第六叠层8a；移除该第一基板121，构成一第七叠层9a，如图13所示；将该第七叠层9a适当地蚀刻至该透明导电层115，形成一透明导电层115暴露表面区域；以及在该第二接触层120与该透明导电层115暴露表面区域上分别形成第一接线电极9与第二接线电极8。

实施例3

请参阅图14，依本发明又一优选实施例具有黏结反射层的发光二极管10a，其结构与制法与前一优选实施例发光二极管5a相似，其不同处在于第二接触层120之上形成一透明导电层122，以增进电流分布效率。

前述第一基板，系包含选自于GaAs、Ge及Sapphire所构成材料组群中的至少一种材料；前述高热导系数第二基板，包含选自热导系数大于100W/mK的GaP、硅芯片(Si)、SiC、铜芯片(Cu)及铝芯片(Al)所构成材料组群中的至少一种材料或其它可代替的材料；前述黏结层包含选自于聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)及过氟环丁烷(PFCB)所构成材料组群中的至少一种材料，厚度介于0.1μm到1μm之间；前述第一接触层包含选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所构成材料组群中的至少一种材料；前述第一束缚层包含选自于AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlGaInN所构成材料组群中的至少一种材料；前述发光层包含选自于AlGaInP、InGaP、GaN、AlGaN、InGaN及AlGaInN所构成材料组群中的至少一种材料；前述第二束缚层包含选自于AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlGaInN所构成材料组群中的至少一种材料；前述第二接触层包含选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所构成材料组群中的至少一种材料；前述反射层，包含选自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn及AuZn所构成材料组群中的至少一种材料；前述第一保护层包含选自于氧化硅、二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锌、氧化锡、氧化铟及氧化铟锡所构成材料组群中的至少一种材料；前述第二保护层包含选自于氧化硅、二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锌、氧化锡、氧化铟及氧化铟锡所构成材料组群中的至少一种材料；前述第一反应层包含选自于SiNx、Ti及Cr所构成材料组群中的至少一种材料；前述第二反应层包含选自于SiNx、Ti及Cr所构成材料组群中的至少一种材料；前述透明导电层包含选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌及氧化锌锡所构成材料组群中的至少一种材料。

上述仅为用以说明本发明概念的优选实施例，本发明的范围不限于该等优选实施例，凡依本发明概念所做的变更，皆属本发明申请专利的范围。

Claims (46)

1.一种具有黏结层的发光二极管，至少包含：

一热导系数大于等于100W/mK的高散热基板；

一LED叠层；以及

一介于该高散热基板及该LED叠层之间且厚度介于0.1μm到1μm的黏结层。

2.如权利要求1所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该高散热基板包含选自热导系数大于100W/mK的GaP、Si、SiC、Cu及Al所构成材料组群中的至少一种材料。

3.如权利要求1所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该黏结层包含选自于聚酰亚胺、苯并环丁烯及过氟环丁烷所构成材料组群中的至少一种材料。

4.如权利要求1所述的具有黏结层的发光二极管，其中，包含于该黏结层与该LED叠层之间依序形成一第一保护层、一反射层、及一第二保护层。

5.如权利要求4所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该第一保护层选自于氮化硅、二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锌、氧化锡、氧化铟及氧化铟锡所构成材料组群中的至少一种材料。

6.如权利要求4所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该反射层包含选自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn及AuZn所构成材料组群中的至少一种材料。

7.如权利要求4所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该第二保护层选自于氮化硅、二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锌、氧化锡、氧化铟及氧化铟锡所构成材料组群中的至少一种材料。

8.如权利要求1所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该LED叠层包含：

一第一接触层；

一第一束缚层，形成于该第一接触层之上；

一发光层，形成于该第一束缚层之上；

一第二束缚层，形成于该发光层之上；以及

一第二接触层，形成于该第二束缚层之上。

9.如权利要求8所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该第一接触层包含选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所构成材料组群中的至少一种材料。

10.如权利要求8所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该第一束缚层包含选自于AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlGaInN所构成材料组群中的至少一种材料。

11.如权利要求8所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该发光层包含选自于AlGaInP、InGaP、GaN、AlGaN、InGaN及AlGaInN所构成材料组群中的至少一种材料。

12.如权利要求8所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该第二束缚层包含选自于AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlGaInN所构成材料组群中的至少一种材料。

13.如权利要求8所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该第二接触层包含选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所构成材料组群中的至少一种材料。

14.一种具有黏结层的发光二极管，至少包含：

一热导系数大于等于100W/mK的高散热基板；

一反射层，形成于该高散热基板之上；

一第一反应层，形成于该反射层之上；

一厚度介于0.1μm到1μm的黏结层，形成于该第一反应层之上；

一第二反应层，形成于该黏结层之上；以及

一LED叠层，形成于第二反应层之上。

15.如权利要求14所述的具有黏结层的发光二极管，其中，包含于该第二反应层及该LED叠层之间形成一透明导电层。

16.如权利要求14所述的具有黏结层的发光二极管，其中，还包含于该LED叠层上方形成一透明导电层。

17.如权利要求14所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该高散热基板包含选自热导系数大于100W/mK的GaP、Si、SiC、Cu及Al所构成材料组群中的至少一种材料。

18.如权利要求14所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该黏结层包含选自于聚酰亚胺、苯并环丁烯及过氟环丁烷所构成材料组群中的至少一种材料。

19.如权利要求15或16所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该透明导电层包含选自氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌及氧化锌锡所构成材料组群中的至少一种材料。

20.如权利要求14所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该反射层包含选自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn及AuZn所构成材料组群中的至少一种材料。

21.如权利要求14所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该第一反应层包含选自于SiNx、Ti及Cr所构成材料组群中的至少一种材料。

22.如权利要求14所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该第二反应层包含选自于SiNx、Ti及Cr所构成材料组群中的至少一种材料。

23.如权利要求14所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该LED叠层包含：

一第一接触层；

一第一束缚层，形成于该第一接触层之上；

一发光层，形成于该第一束缚层之上；

一第二束缚层，形成于该发光层之上；以及

一第二接触层，形成于该第二束缚层之上。

24.如权利要求23所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该第一接触层包含选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所构成材料组群中的至少一种材料。

25.如权利要求23所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该第一束缚层包含选自于AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlGaInN所构成材料组群中的至少一种材料。

26.如权利要求23所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该发光层包含选自于AlGaInP、InGaP、GaN、AlGaN、InGaN及AlGaInN所构成材料组群中的至少一种材料。

27.如权利要求23所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该第二束缚层包含选自于AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlGaInN所构成材料组群中的至少一种材料。

28.如权利要求23所述的具有黏结层的发光二极管，其中，该第二接触层包含选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所构成材料组群中的至少一种材料。

29.一种具有黏结层的发光二极管的制法，至少包含下列步骤：

选择一第一基板；

形成一LED叠层于该第一基板上；

形成一第二保护层于该LED叠层上；

形成一反射层于该第二保护层上；

形成一第一保护层于该反射层上；

选择一热导系数大于等于100W/mK的高散热第二基板；以及

利用一厚度介于0.1μm到1μm的黏结层将该热导系数大于等于100W/mK的高散热第二基板以及该第一保护层结合在一起。

30.如权利要求29所述的具有黏结层的发光二极管的制法，其中，该厚度介于0.1μm到1μm的黏结层的制法，包含下列步骤：

选择一第一石墨板；

于石墨板上置放以黏结层将该热导系数大于等于100W/mK的高散热第二基板以及该第一保护层结合的叠层；

选择一第二石墨板置放于上述叠层上方；以及

于第一石墨板下方及第二石墨板上方加温加压一段时间。

31.如权利要求29所述的具有黏结层的发光二极管的制法，其中，该第一基板包含选自于GaAs、Ge及蓝宝石所构成材料组群中的至少一种材料。

32.如权利要求29所述的具有黏结层的发光二极管的制法，其中，该高散热第二基板包含选自热导系数大于100W/mK的GaP、Si、SiC、Cu及Al所构成材料组群中的至少一种材料。

33.如权利要求29所述的具有黏结层的发光二极管的制法，其中，该反射层包含选自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn及AuZn所构成材料组群中的至少一种材料。

34.如权利要求29所述的具有黏结层的发光二极管的制法，其中，该黏结层包含选自于聚酰亚胺、苯并环丁烯及过氟环丁烷所构成材料组群中的至少一种材料。

35.如权利要求29所述的具有黏结层的发光二极管的制法，其中，该第一保护层选自于氮化硅、二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锌、氧化锡、氧化铟及氧化铟锡所构成材料组群中的至少一种材料。

36.如权利要求29所述的具有黏结层的发光二极管的制法，其中，该第二保护层选自于氮化硅、二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锌、氧化锡、氧化铟及氧化铟锡所构成材料组群中的至少一种材料。

37.一种具有黏结层的发光二极管的制法，至少包含下列步骤：

选择一第一基板；

形成一LED叠层于该第一基板上；

形成一第二反应层于该LED叠层上；

选择一热导系数大于等于100W/mK的高散热第二基板；

形成一反射层于该高散热第二基板上；

形成一第一反应层于该反射层上；以及

利用一厚度介于0.1μm到1μm的黏结层将该第一反应层以及该第二反应层结合在一起。

38.如权利要求37所述的具有黏结层的发光二极管的制法，其中，该厚度介于0.1μm到1μm的黏结层的制法，包含下列步骤：

选择一第一石墨板；

于石墨板上置放以黏结层将该第一反应层以及该第二反应层结合的叠层；

选择一第二石墨板置放于上述叠层上方；以及

于第一石墨板下方及第二石墨板上方加温加压一段时间。

39.如权利要求37所述的具有黏结层的发光二极管的制法，其中，该第一基板包含选自于GaAs、Ge及蓝宝石所构成材料组群中的至少一种材料。

40.如权利要求37所述的具有黏结层的发光二极管的制法，其中，该高散热第二基板包含选自热导系数大于100W/mK的GaP、Si、SiC、Cu及Al所构成材料组群中的至少一种材料。

41.如权利要求37所述的具有黏结层的发光二极管的制法，其中，该反射层包含选自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn及AuZn所构成材料组群中的至少一种材料。

42.如权利要求37所述的具有黏结层的发光二极管的制法，其中，该黏结层包含选自于聚酰亚胺、苯并环丁烯及过氟环丁烷所构成材料组群中的至少一种材料。

43.如权利要求37所述的具有黏结层的发光二极管的制法，其中，包含于该第二反应层及该LED叠层之间形成一透明导电层。

44.如权利要求43所述的具有黏结层的发光二极管的制法，其中，该透明导电层包含选自氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌及氧化锌锡所构成材料组群中的至少一种材料。

45.如权利要求37所述的具有黏结层的发光二极管的制法，其中，该第一反应层包含选自于SiNx、Ti及Cr所构成材料组群中的至少一种材料。

46.如权利要求37所述的具有黏结层的发光二极管的制法，其中，该第二反应层包含选自于SiNx、Ti及Cr所构成材料组群中的至少一种材料。

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