CN209374473U - 一种半导体发光元件 - Google Patents

Abstract

一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列包括第一类型导电性半导体层、第二类型导电性半导体层和两者之间的发光层；具有与第一类型导电性半导体层电性连接的第一电极，与第二类型导电性半导体层电性连接的第二电极；其中第一类型导电性半导体层位于出光侧，所述第一类型导电性半导体层包括铝镓铟磷窗口层，铝镓铟磷窗口层作为第一电极接触的欧姆接触层并提供出光表面。

Description

一种半导体发光元件

技术领域

涉及一种具有透明窗口层和欧姆接触层的半导体发光元件。

背景技术

在LED领域中，随着显示应用领域的需求，一种将原本发光二极体晶片的尺寸减小而获得的微型发光二极体(micro-LED)的新技术发展出来。当应用于在显示技术的领域中，以红、蓝、绿的微型发光二极体晶片当作显示子像素，将这些多个可独立发光的微型发光二极体晶片排列成显示画面的显示技术，即为微型发光二极体显示器的技术。

但是传统的大尺寸的红光或四元发光二极管，砷化镓常作为N侧电极窗口层或磷化镓作为P侧窗口层在出光侧会吸光，导致光损失，并且随着尺寸的降低这种吸光效应对于发光效率的影响更严重。

实用新型内容

为了降低吸光效率，提高出光效率，本实用新型提供如下一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列包括第一类型导电性半导体层、第二类型导电性半导体层和两者之间的发光层；具有与第一类型导电性半导体层电性连接的第一电极，与第二类型导电性半导体层电性连接的第二电极；

其中第一类型导电性半导体层位于出光侧，所述第一类型导电性半导体层包括窗口层，所述的窗口层为铝镓铟磷，窗口层作为第一电极接触的欧姆接触层并提供出光表面。

更优选，所述的窗口层为铝镓铟磷，窗口层铝镓铟磷为Alx1Ga(1-x1)InP，x1的取值介于0.5~1。

更优选，所述的半导体发光元件的第一电极和第二电极在同侧或相反侧。

更优选，所述的出光侧与第一电极同侧或相反侧。

更优选，所述的窗口层Alx1Ga(1-x1)InP，x1的取值介于0.6~0.8。

更优选的，窗口层为出光侧最外层，表面可被不平整处理。

更优选的，所述的窗口层的厚度为2~6μm。

更优选的，窗口层的掺杂浓度是在厚度方向上均匀或不均匀的。

更优选的，所述的半导体发光序列的尺寸介于0~100μm。

更优选的，所述半导体发光元件的一侧具有透明永久衬底。

更优选的，所述的半导体发光元件的半导体发光序列的尺寸介于100~300μm。

更优选的，所述的窗口层的掺杂浓度为1E18以上。

更优选的，透明永久衬底与窗口层之间具有透明键合层。

更优选的，透明键合层为导电氧化物或绝缘层，绝缘层为氮化物或氧化物。

更优选的，所述的半导体发光元件的发光波长为550~950nm。

更优选的，其中第一类型导电性半导体层或第二类型导电性半导体层为N型或P型掺杂中任意一种。

更优选的，第一电极包括与窗口层接触并扩散至窗口层的金属，该金属在窗口层一侧的厚度为1~50nm。

更优选的，第一电极与窗口层接触并扩散至窗口层的金属为金，该金属在窗口层一侧的厚度为5~20nm。

更优选的，其中第二类型导电性半导体层包括另一窗口层与第二电极接触；所述的另一窗口层为Alx2Ga(1-x2)InP，x2的取值介于0.5~1。

第一类型导电性半导体层包括窗口层为铝镓铟磷，替代传统砷化镓或磷化镓作为第一类型导电性半导体层与电极进行电性连接的欧姆接触层以及出光侧的材料，该结构更佳的适用于小尺寸如1~300μm的电极结构，可以有效降低砷化镓或磷化镓作为欧姆接触材料时的吸光影响。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1~图6是实施例一的半导体发光元件的结构示意图；

图7~图8是实施例二的半导体发光元件的结构示意图；

图9是实施例三的半导体发光元件的结构示意图；

图10是实施例四的半导体发光元件的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。

实施例一

本实施例提供如下一种半导体发光元件，如图1所示，其包括半导体发光序列，半导体发光序列包括第一类型导电性半导体层、第二类型导电性半导体层和两者之间的发光层222；发光层222为能够提供光辐射的材料，具体的为550~950nm波段的光，如红、黄、橙、红外光。发光层222为能够提供电致发光辐射的材料层，如铝镓铟磷或铝镓砷，能够提供550~950nm的光辐射，更优选的为铝镓铟磷，铝镓铟磷为可以为单量子阱或多量子阱；其中半导体发光序列中第一类型导电性半导体层和第二类型导电性半导体层分别包括为发光层提供电子或空穴的覆盖层221和223，如铝镓铟磷或铝铟磷或铝镓砷；更优选的，所述的发光层222材料为铝镓铟磷的情况下，铝铟磷作为覆盖层221和223提供电子和空穴；第一类型导电性或第二类类型导电性别为N或P型掺杂，N型掺杂常见的是硅掺杂，P型掺杂常见的是镁掺杂，也不排除其他的元素等效替代的掺杂。

为了获得上述半导体发光序列，可通过常见使用的MOCVD方法进行生长，为此需要一生长衬底，如砷化镓、磷化镓或其它的可以提供生长的外延衬底，在获得半导体发光序列之后，根据衬底的吸光特性需将生长衬底进行去除。

该半导体发光元件，包括两面侧，其中一侧为出光侧，另外一侧用于制作第一电极205、第二电极206，其中第一类型导电性半导体层比第二类型导电性半导体层在厚度方向上更接近出光侧，第一类型导电性半导体层的掺杂性质可以是N型掺杂或P型掺杂；第一电极205与第一类型导电性半导体层接触实现电连接，第二电极206与第二类型导电性半导体层接触实现电极接触。

其中所述的第一电极205为了实现第一类型导电性半导体层的电性连接，可以通过从第二类型导电性半导体层侧开孔或制作台面以暴露第一类型导电性半导体层。更优选的，为了防止在孔侧壁或形成台面的侧壁处第一电极与第二类型导电性半导体层、发光层接触，第一电极可以与侧壁之间通过绝缘层绝缘。

所述半导体的第一类型导电性半导体层为了与第一电极205形成良好电性接触，还包括一窗口层220，该窗口层220位于出光侧，该窗口层220为铝镓铟磷，具体的表达为Al_x1Ga_(1-x1)InP，其中x1介于0.5~1，可有效降低该窗口层对辐射的吸光效应；更优选的，为了铝镓铟磷与外延生长衬底如砷化镓的晶格良好匹配，获得良好生长质量的铝镓铟磷，其中所述的x1介于0.6~0.8；较佳的，为保证电流的横向扩展，该窗口层的厚度为2~6μm，更有选的所述的窗口层220的厚度为2.5~3.5μm；窗口层根据欧姆接触和横向电流扩展效果，优选掺杂浓度为1*E18以上，其掺杂类型与第一类型导电性半导体层的掺杂类型是相同的，更优选的为1~2E18，更低的掺杂浓度，则会导致所述欧姆接触阻值过高，更高的掺杂浓度则导致吸光现象，降低出光效率；窗口层的掺杂浓度是在厚度方向上均匀或不均匀的，掺杂浓度不均匀的情况是窗口层的掺杂浓度变化可以是沿着窗口层厚度方向是变化的，即靠近第一电极的接触区域，掺杂浓度可以更高以促进欧姆接触。该窗口层220进一步的可以直接作为出光侧表面的材料，更优选的，可以经过粗化处理或表面图案化处理。

其中第二电极206位于第二类型导电性半导体层一侧，第二类型导电性半导体层也可以包括另一窗口层224提供第二电极的欧姆接触，该另一窗口层224与第二类型导电性半导体层相同类型掺杂。

作为一个实施方式，如表一所示，提供一种发光元件的半导体发光序列的主要部分，其中第一类型导电性半导体层为N型掺杂，包括n型覆盖层221和n型窗口层220；第二类型导电性半导体层包括p型覆盖层223和P型窗口层224；其中发光层223为MQW，材料为Al_n1Ga_1-n1InP/Al_n2Ga_1-n2InP(0≤n1＜n2≤1)的重复堆叠的阱和垒的结构。

表一

为了与n型窗口层220形成良好的欧姆接触，其中所述的第一电极205与n型窗口层220接触的材料可以为导电性金属如金、铂、或银等；更优选的，第一电极205可以包括多层材料，其中至少包括金锗镍、金铍、金锗、金锌等至少之一的合金材料。更优选地，为了改善第一电极205与n型窗口层220一侧的欧姆接触效果，可以至少包括一能够扩散至n型窗口层220一侧的金属以改善欧姆接触电阻，为了促进扩散可以选择至少300℃以上的熔合。该扩散金属为可以直接接触n型窗口层220一侧的金属，如金、铂或银等，该层金属在窗口层一侧的厚度优选为1~50nm，更优选的为5~20nm。所述的厚度为非扩散至窗口层，并在窗口层一侧的厚度。

其中第二电极206与第二导电性半导体层侧的p型窗口层224接触的导电性金属可以选择自金、铂或银等，或为透明导电氧化物，具体的为ITO、ZnO等；更优选的，第二电极206可为多层材料，如至少包括金锗镍、金铍、金锗、金锌等至少之一的合金材料；更有选的，第二电极206还可包括一反射性金属，如金或银，对自发光层辐射并穿透第二类型导电性半导体层的窗口层224的部分光进行反射回半导体光序列，并从出光侧出光。

更优选的，可以在第二导电性半导体层的p型窗口层224侧形成一绝缘层（图中未示出），绝缘层具有的多个开口暴露p型窗口层224一侧，第二电极206通过多个绝缘层的开口与p型窗口层224进行接触，绝缘层可以是氮化硅、氧化硅、氟化镁、氟化钙等材料制成，接触的材料可以是合金如金锗镍、金铍、金锗、金锌等至少一种欧姆接触材料或者透明导电氧化物如ITO或IZO等，多个开口保证了电流在第二电极与窗口层之间的均匀传递。更优选的，其中所述第二电极覆盖于绝缘层的表面，包括反射性金属，如金或银，反射性金属与绝缘层可以形成全反射结构，从而提高反射率，反射性金属与绝缘层之间也可以包括粘附层，如ITO等，增加粘附作用；通过该绝缘层开口与第二导电性半导体层的p型窗口层224接触的材料也可以是金属或合金金属或ITO等透明导电氧化物。

第一电极205和第二电极206位于出光侧的相反侧，第一电极205和第二电极206可以通过出光侧的相反侧与外部电连接件进行接触，形成倒装的结构。因此所述的第一电极205和第二电极206还包括顶部的焊盘金属，焊盘金属可以是如金、铝或银等至少一层，以实现第一电极205和第二电极206的固晶。第一电极205和第二电极206可以等高或不等高，在厚度方向上第一电极和第二电极的焊盘金属层不重叠。

该结构更佳的适用于半导体发光序列的尺寸介于1~100μm，尺寸的定义为半导体发光序列在垂直于厚度方向上的投影具有长和宽，长和宽的尺寸都介于1~100μm范围内，即微型发光二极管，该微型发光二极管可以广泛运用于显示等领域。该微型发光二极管结构更在半导体发光序列的出光侧无永久支撑衬底。

本实施例提供一种微型发光二极管的具体制作工艺如下:

一、如图2所示，在外延生长衬底砷化镓衬底201，并且在该生长衬底上制作缓冲层202,如砷化镓，以及蚀刻截止层203用于移除外延生长衬底，然后生长半导体发光序列，包括第一类型导电性半导体层的窗口层220和覆盖层221，发光层222以及第二类型导电性半导体层的覆盖层223以及窗口层224。

二、如图3所示，在半导体发光序列一侧制作第一电极和第二电极，第一电极和第二电极包括欧姆接触部分601和602，在欧姆接触部分上覆盖绝缘层603，并在绝缘603上方开口形成焊盘电极6012和6022分别与欧姆接触部分601和602接触，在制作焊盘电极6012和6022之前还可以分别先制作一阻挡扩散的金属层6011和6021，防止接触金属向焊盘电极侧扩散，影响焊盘固晶功能。

三、如图4所示，制作临时支撑微型发光二极管的支撑结构，首先，在半导体发光序列的表面上制作牺牲层604，并预留一个开口作为支撑点。较佳的，牺牲层604的厚度为0.1~5μm之间，材料可为氧化物、氮化物或者可选择性地相对于其他层被移除的其他材料，例如可选用厚度为2~4微米的Ti层作为牺牲层。

四、接着，如图5所示，提供一承载基板606，分别在该承载基板606和牺牲层604形成热固型材料605，例如BCB，然后将两者贴合进行固化、键合，如图所示，热固型材料605在开口处形成支撑柱支撑在半导体发光序列的表面侧。

五、接着，如图6所示，移除生长衬底201及其上缓冲层202，裸露出第一类型导电性半导体层的窗口层211。可通过多种方法来实现移除，包括激光剥离(LLO)、磨削或者蚀刻，具体取决于生长衬底201的材料选择，在所示的具体实施例中，在生长衬底201由GaAs构成的情况下，可通过蚀刻或磨削及选择性蚀刻的组合连同蚀刻截止层203上的选择性蚀刻停止来实现移除。

六、最后，去除牺牲层604，使得微型发光二极管器件的下表面部分悬空，形成通过支撑柱固定的微型发光二极管，如图6所示。

七、承载基板606和热固型材料605仅仅是临时支撑衬底，微型发光二极管可以通过后续的转移动作从热固型材料605的支撑柱转移。

实施例二

本实施例提供如下一种发光元件，其包括的半导体发光序列的成分与表一一致，具体的如图7所示，第一导电性半导体发光层的窗口层220为出光侧，第一电极706和第二电极704位于出光侧的相反侧，第一电极706至第一类型导电性半导体层一侧与窗口层202形成电性接触并延伸出来穿过第二类型半导体层一侧的第二电极704并具有在第二电极704的背面侧的延伸部分，第一电极706的延伸部分与第二电极704的背面侧通过绝缘层705形成夹层结构，绝缘层705包括部分位于第一电极延伸部分706和第二电极704之间以实现绝缘隔离，所述的第一电极706延伸部分相对于第二电极706更远离半导体发光序列。

为了支撑该堆叠结构，在第一电极706具有形成夹层结构的延伸部分的背面侧包括支撑衬底708，支撑衬底708可以是导电衬底，导电衬底如硅、碳化硅、或金属衬底。

支撑衬底708通过键合层707形成在第一电极706延伸部分的背面侧，键合层707具体可以是形成多层键合金属并进行高温高压键合，如钛、镍、锡、金等金属，或形成绝缘层作为键合层并进行高温高压键合，支撑衬底708为导电衬底的情况下，键合层707需要导电材料以电性连接第一电极与支撑衬底。

第二电极704在第二类型导电性半导体层的一侧的延伸部分可以水平延伸至半导体发光序列以外并且暴露部分，第二电极704的暴露部分朝向半导体发光序列一侧，并包括外部连接的焊线电极，由此可供与出光侧同侧的外部打线。在支撑衬底为导电材料的情况下，第一电极706通过导电键合层707与支撑衬底708进行键合形成电性连接；更优选的，支撑衬底708为非金属的情况下，可以在背面侧镀至少一层金属作为背面侧的外部电性连接。

支撑衬底为绝缘衬底的情况下，如图8所示，键合层707可以选择金属材料或绝缘材料。绝缘层如氧化钛、氧化铝或氧化锌等一层或多层材料。不导电衬底如氮化铝、蓝宝石、石英、玻璃或陶瓷材料制成的支撑衬底。支撑衬底708也可以具有透光性，如蓝宝石或石英或玻璃。

如图8所示，在支撑衬底708为绝缘材料的情况下，第一电极706在形成夹层的延伸部分可以进行水平延伸半导体发光序列以外并且暴露部分，第一电极706暴露的部分朝向半导体发光序列一侧，并包括外部连接的焊线电极，由此可供与出光侧同侧的外部打线。

本实施例的发光二极管可适用于常规尺寸的发光二极管，具体的半导体发光序列的尺寸大于300μm，更有选的为700μm以上尺寸的发光二极管。如图7或8所示，第一电极706更优选地是以多个通孔形式与第一类型导电性半导体层的窗口层220之间形成电性接触，有利于电流的横向均匀扩散，同时背面侧的第一电极706和第二电极704不会对出光侧的光造成阻挡，可提高出光效率。第一电极706至少包括一与窗口层220之间形成良好的欧姆接触的导电金属或合金，该导电金属或合金至少一成分会扩散至窗口层220至少部分厚度中形成扩散金属，改善欧姆接触电阻，该扩散金属的材料可以是金、银或铝至少一种，为了促进扩散可以采用高温的熔合技术，熔合温度至少为300℃以上。

第二电极还可以包括一欧姆接触层702和反射层703，欧姆接触层可以是金属铝、金或金属合金如金锗镍、金锗、金锌等合金材料，或者是透明导电氧化物如ITO或IZO等，通过绝缘层701形成在第二类型导电性半导体层的窗口层224的一侧，并包括多个开口，欧姆接触层702填充在开口中形成多个欧姆接触点，然后形成反射层703在绝缘层701和欧姆接触层702一侧，用于反射辐射，反射层的材料为金或银等；反射层703下面包括扩散阻挡的金属层如钛、铂、铬等金属材料。

实施例三

不同于实施例一的是，提供具有如下表二一种半导体发光序列的半导体发光元件，具体如图9所示，所述半导体发光序列的第一类型导电性半导体层包括P型覆盖层323和P型窗口层324，其中P型窗口层324更靠近出光侧或者直接位于出光侧；第二类型导电性半导体层包括n型覆盖层321、n型窗口层320和n型欧姆接触层311，n型欧姆接触层为GaAs，n型欧姆接触层与第二电极802形成欧姆接触。第一类型导电性半导体层一侧的第一电极801与p型窗口层324接触的材料为金，还可包括金铍、金锌等合金形成金属材料，具体的可以是金/金铍/金的堆叠多层金属，其中金可以作为扩散金属扩散至p型窗口层324以降低欧姆接触电阻。金的厚度优选为1~50μm，更优选的为5~20μm。

表二

其中P侧窗口层324为出光侧，P侧窗口层24与第一电极801形成欧姆接触 ，通过P侧窗口层替换传统的磷化镓，可增加透光效应。

实施例四

提供如下一种发光元件，如图10所示，其具有的半导体发光序列如实施例三表二所示，并且其中第一类型导电性半导体层的窗口层311，还包括一透明支撑衬底401，该透明支撑衬底401为绝缘材料制成，如蓝宝石或石英或玻璃等，更优选的透明支撑衬底为蓝宝石，其中蓝宝石的厚度根据实际的出光效果进行选择，作为一个实施方式可以选择为80~150μm；该透明支撑衬底401非导体发光序列生长支撑衬底，在获得生长衬底上的半导体发光序列以后，可通过键合工艺键合支撑衬底键合至第一类型导电性半导体层的窗口层311上，形成出光侧的支撑衬底，然后去除生长的支撑衬底。

第一电极和第二电极分别包括与第一半导体发光序列的p型窗口层324接触的接触电极4010和第二半导体发光序列的n型欧姆接触层311接触的接触电极4020，可在接触电极4010和接触电极4020边缘制作绝缘层403并部分露出接触电极4010和4020，然后制作固晶用的焊盘电极4011和焊盘电极4021在接触电极4010和4020上，其中接触电极4010和4020分别至少包括金属合金如金锗镍、金锗、金锌或其他的合金金属材料，或在接触窗口层324一侧还可包括金等反射性金属，电极需要至少300℃的熔合以改善欧姆接触效果。金属合金或反射性金属至少部分金属的成分会扩散至窗口层中至少10nm以上，以改善欧姆接触效果。焊盘电极4011和焊盘电极4021的金属材料可以是金，焊盘电极与接触电极之间还至少可以包括阻挡扩散的材料如钛、铂等。

键合工艺需要一透明键合层，该透明键合层为绝缘层，通过高温高压键合工艺形成在两者之间；绝缘层可以是聚合物绝缘层如PI或BCB等材料，或者是无机绝缘层，如氧化硅、氧化铝或氧化钛之类的一种或至少两种材料堆叠，透明键合层也可以是透明导电氧化物如ITO或ZnO 之类的一种或至少两种材料。

其中透明支撑衬底401被暴露用于出光的表面被粗化或图案化处理以形成不平整的表面，以利于出光。

该结构的半导体发光序列的尺寸（长和宽）介于1~300μm，或者更优选的，所述的尺寸介于100~300μm，即为mini发光二极管，广泛运用于显示等领域。

实施例五

不同于实施例一的是，提供具有如下一种半导体发光序列的半导体发光元件，其发光元件的结构同图1，所述半导体发光序列如下表三所示，第一类型导电性半导体层包括n型覆盖层220和n型窗口层211，其中n型窗口层211直接位于出光侧；第二类型导电性半导体层包括p型覆盖层223和p型窗口层224，p型窗口层为Al_x2Ga_(1-x2)InP，n型窗口层与第一电极接触，p型窗口层与第二电极接触。由于p型窗口层一侧远离出光侧，为了降低实施例一中发光层辐射出的一部分光穿过p型窗口层为磷化镓时对出光的吸收，可以将p型窗口层设计为p型Al_x2Ga_(1-x2)InP层，提高这一层对辐射的透光效率。此外，为了进一步改善该p型Alx2Ga(1-x2)InP层与第二电极的欧姆接触，更优选地，x2为介于0.5~1，以提升透光作用，更优选地，x2介于0.6~0.8，以保证更佳的生长质量；优选第二电极的接触电极包括能够扩散至P型窗口层一侧的金属，因此该金属可以是金、银或铝等或金锌或金铍的金属合金。为了促进扩散，至少300℃的高温熔合温度。

表三

以上仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (20)

1.一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列包括第一类型导电性半导体层、第二类型导电性半导体层和两者之间的发光层；具有与第一类型导电性半导体层电性连接的第一电极，与第二类型导电性半导体层电性连接的第二电极；

其中所述第一类型导电性半导体层包括铝镓铟磷窗口层，铝镓铟磷窗口层作为第一电极接触的欧姆接触层并提供出光表面。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的铝镓铟磷窗口层为Alx1Ga(1-x1)InP，x1介于0.5~1。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的半导体发光元件的第一电极和第二电极在同侧或相反侧。

4.根据权利要求1或3所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的出光侧与第一电极同侧或相反侧。

5.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的窗口层Alx1Ga(1-x1)InP，x1的取值介于0.6~0.8。

6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：窗口层表面被不平整处理。

7.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的窗口层的厚度为2~6μm。

8.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：窗口层的掺杂浓度是在厚度方向上均匀或不均匀的。

9.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的半导体发光序列的尺寸介于1~100μm。

10.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述半导体发光元件的一侧具有透明永久衬底，透明永久衬底与第一电极和第二电极处于相反侧。

11.根据权利要求10所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的半导体发光元件的半导体发光序列的尺寸介于100~300μm。

12.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的窗口层的掺杂浓度为1E18以上。

13.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的窗口层的厚度为2.5~3.5μm。

14.根据权利要求12所述的半导体发光元件，其特征在于：透明键合层为导电氧化物或绝缘层，绝缘层为氮化物或氧化物。

15.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的半导体发光元件的发光波长为550~950nm。

16.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：其中第一类型导电性半导体层或第二类型导电性半导体层为N型或P型掺杂中任意一种。

17.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：第一电极包括与窗口层接触并扩散至窗口层的金属，该金属在窗口层一侧的厚度为1~50nm。

18.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：第一电极与窗口层接触并扩散至窗口层的金属为金，该金属在窗口层一侧的厚度为5~20nm。

19.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：其中第二类型导电性半导体层包括另一窗口层与第二电极接触；所述的另一窗口层也为铝镓铟磷。

20.根据权利要求19所述的半导体发光元件，其特征在于：所述的另一窗口层铝镓铟磷为Alx2Ga(1-x2)InP，x2介于0.5~1。