CN108365065A - 发光元件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光元件，其包含一半导体结构，包含一表面及一侧壁倾斜于该表面，该半导体结构包含一第一半导体层、一第二半导体层位于该第一半导体层上及一活性层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间，且该第二半导体层包含一第一边缘及一第一面积；一反射层位于该半导体结构上且包含一外侧边及一第二面积；其中，该第一边缘与该外侧边之间具有一距离，该距离为0μm至10μm之间，且该反射层的该第二面积不小于该第二半导体层的第一面积的80％。

Description

发光元件
技术领域
本发明涉及一种发光元件的一结构，且特别是涉及一种包含半导体结构及反射层位于该半导体结构上的发光元件。
背景技术
发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)为固态半导体发光元件，其优点为功耗低、产生的热能低、工作寿命长、防震、体积小、反应速度快和具有良好的光电特性，例如稳定的发光波长。因此，发光二极管被广泛应用于家用电器、设备指示灯及光电产品等。
发明内容
本发明提供一种发光元件包含一半导体结构，包含一表面及一侧壁倾斜于上述表面，其中半导体结构包含一第一半导体层、一第二半导体层位于第一半导体层上及一活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间，且第二半导体层包含一第一边缘及一第一面积；一反射层位于半导体结构上且包含一外侧边及一第二面积；其中，第一边缘与外侧边之间具有一距离，上述距离为0μm至10μm之间，且反射层的第二面积不小于第二半导体层的第一面积的80％。
附图说明
图1为本发明一实施例中所揭示的一发光元件1c的上视图；
图2为沿着图1的线D-D’所揭示的发光元件1c的剖面示意图；
图3A～图3C分别为本发明多个不同实施例中所揭示的一发光元件的透明导电层及反射层的部分剖面示意图；
图3D为本发明一实施例中所揭示的一发光元件的部分剖面示意图；
图4A为样品A～B的特性图表；
图4B为样品C～F的特性图表；
图5为本发明一实施例中所揭示的一发光元件2c的上视图；
图6A～图6I为本发明实施例中所揭示的发光元件1c、2c的制造流程图；
图7为沿着图5的线E-E’所揭示的一发光元件2c的剖面示意图；
图8为本发明一实施例的发光装置3的示意图；
图9为本发明一实施例的发光装置4的示意图。
符号说明
1c、2c发光元件 402c第二内侧边
3、4发光装置 403c、403c'第一反射部
11c基板 404c、404c'第二反射部
11s裸露面 405c、405c'第三反射部
1000c发光结构 41c阻障层
10c半导体叠层 50c第二绝缘结构
100c孔洞 501c第一绝缘开口
101c第一半导体层 502c第二绝缘开口
102c第二半导体层 503外围
102s表面 5031c凸出部
103c活性层 5032c凹陷部
1011c第一表面 51c粘结层
1012c第二表面 60c接触层
1001c第二外侧壁 600c顶针区域
1002c内侧壁 601c第一接触部
1003c第一外侧壁 602c第二接触部
20c第一绝缘结构 70c第三绝缘结构
201c环绕绝缘部分 701c第一开口
2011c凸出部 702c第二开口
2012c凹陷部 80c第一电极垫
202c环形覆盖区 90c第二电极垫
203c开口 E1第一边界
f20c顶部 E2第二边界
s20c侧部 D、D'距离
t20c底部 G间隙
30c透明导电层 51封装基板
31c、31c'第一导电部 511第一垫片
32c、32c'第二导电部 512第二垫片
33c、33c'第三导电部 53绝缘部
301c第一外侧边 54反射结构
302c第一内侧边 602灯罩
f30c第一透明导电部分 604反射镜
f30c1第一外围 606承载部
s30c第二透明导电部分 608发光单元
s30c1第二外围 610发光模块
t30c第三透明导电部分 612灯座
t30c1第三外围 614散热片
40c反射层 616连接部
401c第二外侧边 618电连接元件
具体实施方式
为了使本发明的叙述更加详尽与完备，请参照下列实施例的描述并配合相关附图。但是，以下所示的实施例是用于例示本发明的发光元件，并非将本发明限定于以下的实施例。又，本说明书记载于实施例中的构成零件的尺寸、材质、形状、相对配置等在没有限定的记载下，本发明的范围并非限定于此，而仅是单纯的说明而已。且各附图所示构件的大小或位置关系等，会由于为了明确说明有加以夸大的情形。且于以下的描述中，为了适切省略详细说明，对于同一或同性质的构件用同一名称、符号显示。
图1为本发明一实施例中所揭示的一发光元件1c的上视图。图2为沿着图1的线D-D’所揭示的发光元件1c的剖面示意图。图6A、图6B、图6C、图6D、图6E及图6G～图6I为本发明一实施例中所揭示的发光元件1c的制造流程图。本发明的实施例中的发光元件1c为一倒装式发光二极管。发光元件1c包含一基板11c及一或多个半导体结构1000c位于基板11c上。一或多个半导体结构1000c中的每一个包含一半导体叠层10c，包含一第一半导体层101c、一第二半导体层102c、一活性层103c位于第一半导体层101c及第二半导体层102c之间。活性层103c及第二半导体层102c沿着一堆叠方向依序堆叠于第一半导体层101c上，半导体结构1000c包含一暴露部暴露出一部分的第一半导体层101c。如图2、图6A所示，一部分的第二半导体层102c及活性层103c被移除以暴露出暴露部，暴露部包含第一半导体层101c的一第一表面1011c及一或多个第二表面1012c。在一实施例中，第一表面1011c位于一或多个半导体结构1000c的一外周缘，且第一表面1011c环绕存留于基板11c上的第二半导体层102c及活性层103c。图6A为半导体结构1000c的俯视图。在本实施例中，发光元件1c仅包含一个半导体结构1000c，且第一半导体层101c的第一表面1011c环绕第二半导体层102及活性层103c。此外，在本实施例中，第一表面1011c大致上位于半导体结构1000c的周缘区域。在另一实施例中，发光元件1c的基板11c另包含一暴露表面11s以环绕半导体结构1000c的外周缘。发光元件1c还包含一或多个开口，例如通过第二半导体层102c及活性层103的孔洞100c，以暴露出第一半导体层101c的一或多个第二表面1012c。在一实施例中，多个半导体结构1000c被一或多个开口，例如：沟槽互相分离，且多个半导体结构1000c通过第一半导体层101c互相连接。在一实施例(图未示)，多个半导体结构1000c未通过第一半导体层101c彼此连接，且通过一或多个开口彼此物理性分离。在一实施例中，发光元件1c还包含一第一绝缘结构20c、一透明导电层30c、一反射结构包含一反射层40c及一阻障层41c、一第二绝缘结构50c、一接触层60c、一第三绝缘结构70c、一第一电极垫80c及一第二电极垫90c位于一或多个半导体结构1000c上。
在本发明的一实施例中，基板11c包含一图案化表面。图案化表面包括多个凸起。凸起的形状包括锥形(taper)或圆锥形(cone)，凸起可提高发光元件的光取出效率。在本发明的一实施例中，基板11c为一成长基板，例如包括用以成长磷化铝镓铟(AlGaInP)的砷化镓(GaAs)晶片，或用以成长氮化镓(GaN)或氮化铟镓(InGaN)的蓝宝石(Al2O3)晶片、氮化镓(GaN)晶片或碳化硅(SiC)晶片。半导体叠层10可以为III族氮化物化合物半导体，且通过有机金属化学气相沉积法(MOCVD)、分子束外延(MBE)、氢化物气相沉积法(HVPE)、物理气相沉积法(PVD)或离子电镀方法，例如：溅镀(Sputtering)法或蒸镀(Evaporation)法形成于基板11c上。此外，在形成半导体叠层10c之前，可于基板11c上先形成一缓冲结构(图未示)，以改善基板11c与半导体叠层10c之间的晶格不匹配。缓冲结构可由氮化镓(GaN)系列的材料例如氮化镓和氮化铝镓，或氮化铝(AlN)系列的材料例如氮化铝构成。缓冲结构可以是单层或多层。缓冲结构可以通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)或物理气相沉积(PVD)来形成。物理气相沉积(PVD)包括溅镀(sputter)法，例如反应性溅镀法，或蒸镀法，例如电子束蒸镀法或热蒸镀法。于一实施例中，缓冲结构包括氮化铝(AlN)缓冲层，并由溅镀(sputter)法形成。氮化铝(AlN)缓冲层形成在具有图案化表面的一成长基板上。溅镀(sputter)法可形成具有高均匀性的致密缓冲层，因此氮化铝(AlN)缓冲层可共形地沉积在基板11c的图案化表面上。
在本发明的一实施例中，半导体叠层10c包括光学特性，例如发光角度或波长分布，以及电学特性，例如正向电压或向电流。在本发明的一实施例中，第一半导体层101c和第二半导体层102c可为包覆层(cladding layer)或局限层(confinement layer)，两者具有不同的导电型态、电性、极性或依掺杂的元素以提供电子或空穴。例如，第一半导体层101c为n型电性的半导体层，第二半导体层102c为p型电性的半导体层。活性层103c形成在第一半导体层101c和第二半导体层102c之间，电子与空穴于一电流驱动下在活性层103c内复合，并将电能转换成光能以发出一光线。通过改变半导体叠层10c的一层或多层的物理及化学组成以调整发光元件1c所发出光线的波长。半导体叠层10c的材料包含Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，例如AlxInyGa(1-x-y)N或AlxInyGa(1-x-y)P，其中0≤x，y≤1；(x+y)≤1。依据活性层103c的材料，当半导体叠层10c的材料为AlInGaP系列时，活性层103c可发出波长介于610nm及650nm之间的红光，或是波长介于530nm及570nm之间的黄光。当半导体叠层10c的材料为InGaN系列时，活性层103c可发出波长介于400nm及490nm之间的蓝光、深蓝光，或是波长介于490nm及550nm之间的绿光。当半导体叠层10c的材料为AlGaN系列时，活性层103c可发出波长介于250nm及400nm之间的紫外光。活性层103c可为单异质结构(singleheterostructure,SH)，双异质结构(double heterostructure,DH)，双侧双异质结构(double-side double heterostructure,DDH)，或多层量子阱结构(multi-quantum well,MQW)。活性层103c的材料可为中性、p型或n型电性的半导体。
请参考图2，在一实施例中，半导体结构1000c包含一第一外侧壁1003c和第二外侧壁1001c，其中第一半导体层101c的第一表面1011c的一端连接至第一外侧壁1003c，第一表面1011c的另一端连接至第二外侧壁1001c。第二外侧壁1001c包含第一半导体层101c、活性层103c及第二半导体层102c的侧壁。在本实施例中，第二外侧壁1001c由第一半导体层101c、活性层103c及第二半导体层102c的侧壁组成。第一外侧壁1003c位于第一表面1011c及基板11c间。在一实施例中，第一外侧壁1003c及第二外侧壁1001c倾斜于第一半导体层101c的第一表面1011c。在一实施例中，第一外侧壁1003c倾斜于基板11c的裸露面11s。第一外侧壁1003c与裸露面11s之间包含一锐角。在一实施例中，第一外侧壁1003c与裸露面11s之间包含一钝角。
半导体叠层10c另包含一内侧壁1002c。相似于第二外侧壁1001c，通孔100c中的内侧壁1002c由第一半导体层101c、活性层103c及第二半导体层102c的侧壁组成。在本发明的实施例中，通孔100c是由内侧壁1002c及第一半导体层101c的第二表面1012c定义。内侧壁1002c的一端连接到第一半导体层101c的第二表面1012c，且内侧壁1002c的另一端连接到第二半导体层102c的一表面102s。第二半导体层102c的表面102s大致垂直于该堆叠方向。内侧壁1002c及第二外侧壁1001c倾斜于第二半导体层102c的表面102s。内侧壁1002c也倾斜于第一半导体层101c的第二表面1012c。内侧壁1002c与第二表面1012c之间包含一角度为锐角或钝角，且第二外侧壁1001c及第一表面1011c之间包含一角度为锐角或钝角。第二外侧壁1001c及表面102之间的角度为100度～140度，相似于内侧壁1002c与表面102s之间的角度。此外，半导体结构1000c还包含一第一边缘E1及一第二边缘E2，其中，第一边缘E1为第二外侧壁1001c与第二半导体层102c的表面102s的交界，第二边缘E2为内侧壁1002c及第二半导体层102c的表面102s的交界。由上视观之，第二半导体层102包含第一边缘E1。详言之，由发光元件1c的上视观之，第一边缘E1为第二半导体层102的表面102s的轮廓(contour)，且第二边缘E2为通孔100c的轮廓。在一实施例中，第一边缘E1或第二边缘E2为封闭的。在一实施例中，第二边缘E2被第一边缘E1环绕。
图6B为第一绝缘结构20c的上视图。在本发明的一实施例中，第一绝缘结构20c通过溅镀法或沉积法形成于发光元件1c的半导体结构1000c上。如图2及图6B所示，由上视观之，第一绝缘结构20c包含一环绕绝缘部分201c和多个环形覆盖区202c。在本实施例中，环绕绝缘部分201c位于半导体结构1000c靠近第一边缘E1的一区域上，且多个环形覆盖区202c位于半导体结构1000c靠近第二边缘E2的一区域上。在一实施例中，环绕绝缘部分201c及多环形覆盖区202c都覆盖在的第二半导体层102c的表面102s的一部分、半导体结构1000c的第二外侧壁1001c及内侧壁1002c上。此外，环绕绝缘部分201c覆盖于一部分的第一表面1011c，且环形覆盖区202c覆盖于一部分的第二表面1012c。如图2所示，第一绝缘结构20c包含一顶部f20c于第二半导体层102c的表面102s、一侧部s20c位于第二外侧壁1001c及内侧壁1002c上及一底部t20c位于第一半导体层101c的第一表面1011c及第二表面1012c，底部t20c暴露出一部分的第二表面1012c及第一表面1011c。详言之，第一绝缘结构20c形成于第一表面1011c、第二表面1012c、第二外侧壁1001c、内侧壁1002c及表面102s上。第一绝缘结构20c还包含一开孔203c于第二半导体层102c的表面102s，开孔203c由顶部f20c的侧表面定义。第一绝缘结构20c另包含另一开孔204c于第二表面1012c上，且开孔204c是由底部t20c的侧表面定义。第一绝缘结构20c的材料包含非导电材料。非导电材料包含有机材料、无机材料或是介电材料。有机材料包含Su8、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)、环氧树脂(Epoxy)、丙烯酸树脂(Acrylic Resin)、环烯烃聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide)或氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)。无机材料包含硅胶(Silicone)或玻璃(Glass)。介电材料包含氧化铝(Al2O3)、氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化钛(TiOx)、或氟化镁(MgFx)。在一实施例中，第一绝缘结构20c包含一层或多层。第一绝缘结构20c可以保护半导体结构1000c的侧壁，防止活性层103c为后续制作工艺所破坏。当第一绝缘结构20c包含多层时，第一绝缘结构20c可为布拉格反射镜(DBR)结构，以保护半导体结构1000c的侧壁，并且选择性地反射活性层103c所发出的特定波长的光至发光元件1c的外部以提高亮度。具体而言，第一绝缘结构20c可以通过交替堆叠两层副层来形成，例如SiOx副层和TiOx副层。更详言之，布拉格反射镜结构可以包含多对副层，且每一副层与邻近的副层的折射率不同。通过调整每对膜层的具有高折射率的副层和具有低折射率的副层之间的折射率差异，以使布拉格反射镜结构对特定波长或在特定波长范围内具有高反射率。每对膜层的两副层具有不同的厚度。此外，在布拉格反射镜结构之中，具有相同材料的副层的厚度可以相同或不同。
图6C为透明导电层30c的上视图。如图1、图2及图6C所示，在本实施例中，发光元件1c的透明导电层30c形成于第二半导体层102c的表面102s上。在一实施例中，透明导电层30c可以覆盖于第一绝缘结构20c的顶部f20c的一部分。具体而言，透明导电层30c包含一第一外侧边301c及一第一内侧边302c位于第二半导体层102c的表面102s上。透明导电层30c并未延伸至超过第一边缘E1及第二边缘E2。换言之，如图1的发光元件1c的上视图所示，第一外侧边301c较第一边缘E1靠近半导体结构1000c的中心，且第一内侧边302c较第二边缘E2靠近半导体结构1000c的中心。发光元件1c的上视图观之，第一外侧边301c被第一边缘E1环绕，且第一内侧边302c环绕第二边缘E2。在一实施例中，透明导电层30c可以覆盖第一绝缘结构20c的侧部s20c。
第一绝缘结构20c的品质可能被制作工艺能力及应力影响，第一绝缘结构20c中可能产生一些裂痕。在一实施例中，透明导电层30c位于表面102s上且未延伸至覆盖第二外侧壁1001c及内侧壁1002c，由此减少因第一绝缘结构20c的裂痕产生的漏电而导致透明导电层30c及半导体叠层10c之间的短路风险。因此，发光元件1c可以具有稳定的可靠度。由于透明导电层30c大致形成于第二半导体层102c的整个表面102s上且与第二半导体层102c接触，电流可以通过透明导电层30c均匀地分散于整个第二半导体层102c。
透明导电层30c包含对从活性层103c发出的光为透明的一材料，例如金属氧化物。金属氧化物可以包含铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)、锌铟氧化物(indium zincoxide，IZO)、氧化铟(indium oxide，InO)、氧化锡(tin oxide，SnO)、镉锡氧化物(cadmiumtin oxide，CTO)、锡锑氧化物(antimony tin oxide，ATO)、铝锌氧化物(aluminum zincoxide，AZO)、锌锡氧化物(zinc tin oxide，ZTO)、氧化锌掺杂镓(gallium doped zincoxide，GZO)、氧化铟掺杂钨(tungsten doped indium oxide，IWO)或者氧化锌(zincoxide，ZnO)。透明导电层30c可以与第二半导体层102c之间似有低接触电阻，例如两者间形成欧姆接触。透明导电层30c可以是单层或多层。例如：当透明导电层30c包含多层副层时，透明导电层30c可为布拉格反射镜(DBR)结构。在本实施例中，透明导电层30c的布拉格反射镜结构的材料具有导电性。在一实施例中，由上视观之，透明导电层30c的形状大致对应于第二半导体层102c的形状。请见图6A及图6C所示，图6C的透明导电层30c的形状大致对应于图6A的第二半导体层102c的形状。
在本发明的一实施例中，发光元件1c的反射结构形成于透明导电层30c上。反射结构包含反射层40c、阻障层41c或两者的组合。在一实施例中，由上视观之，反射层40c的形状大致对应于第二半导体层102c。图6D为反射层40c的上视图。如图1、图2及图6D所示，反射层40c包含一第二外侧边401c及一第二内侧边402c，在一实施例中，反射层40c未向外延伸至超过透明导电层30c的第一外侧边301c及/或第一内侧边302c，也未向外延伸至超过半导体结构1000c的第一边E1及/或第二边E2。透明导电层30c的第一外侧边301c位于反射层40c的第二外侧边401c及第一边缘E1之间，及/或第一内侧边302c位于第二内侧边402c及第二边缘E2之间。换言之，第一外侧边301c较第二外侧边401c靠近第一边缘E1，且第一内侧边302c较第二内侧边402c靠近第二边缘E2。在一实施例中，反射层40c覆盖第一绝缘结构20c的部分顶部f20c，例如位于表面102s的顶部f20c，且反射层40c未覆盖侧部s20c及底部t20c。此外，靠近第一边缘E1及/或第二边缘E2的一部分透明导电层30c位于反射层40c及顶部f20c之间。具体而言，第二外侧边401c及/或第二内侧边402c分别未延伸至超过第一外侧边301c及/或第一内侧边302c。在一实施例中，透明导电层30c可以防止反射层40c及第一绝缘结构20c之间的脱落问题，更详言之，反射层40c通过透明导电层30c连接于第一绝缘结构20c，且位于两者间的透明导电层30c可以增加反射层40c及第一绝缘结构20c间的粘着力。
在一实施例中，第二外侧边401c对齐于透明导电层30c的第一外侧边301c，及/或第二内侧边402c对齐于透明导电层30c的第一内侧边302c。在一实施例中，第二外侧边401c与第一边缘E1不对齐，及/或第二内侧边402c与第二边缘E2不对齐。
在一实施例中，反射层40c及透明导电层30c都未延伸至覆盖半导体结构1000c的侧壁，例如：第二外侧壁1001c及内侧壁1002c，由此降低因反射层40c、透明导电层30c及第一绝缘结构20c的裂痕产生的漏电进到半导体结构1000c，对发光元件1c的电性短路风险。详言之，由于第二外侧壁1001c及内侧壁1002c由第一半导体层101c、活性层103c及第二半导体层102c的侧表面组成，若反射层40c延伸至第二外侧壁1001c及内侧壁1002c，当第一绝缘结构20c有缺陷或裂痕时，将会引发漏电。具体而言，反射层40c的一些材料(例如：银、铝)可能会通过第一绝缘结构20c的缺陷或裂痕扩散至第一半导体层101c及第二半导体层102c，由于反射层40c的材料扩散造成第一半导体层101c及第二半导体层102c电性连通，因而产生短路。因此，发光元件1c的可靠度可能会因为反射层40c超过第一边缘E1及/或第二边缘E2且覆盖于侧部s20c而降低。然而，本申请并不受限于该实施例。其他制作工艺方法或第一绝缘结构20c的材料或结构例如：多层绝缘层，可以被用以提升第一绝缘结构20c的品质及机械强度，并且防止电流短路的问题。
在一实施例中，由发光元件1c的上视观之，第二半导体层102c包含一第一面积且反射层40c包含一第二面积。在本实施例中，由发光元件1c的上视观之，第一面积由第二半导体层102c的第一边缘E1及第二边缘E2界定，第二面积由反射层40c的第二外侧边401c及第二内侧边402c界定。第二半导体层102c的第一边缘E1环绕反射层40c的第二外侧边401c，且第二内侧边402c环绕第二半导体层102c的第二边缘E2。为了增加发光元件1c的亮度，使更多发射自活性层103c的光能够被反射层40c反射，反射层40c的第二面积应该尽可能地被设计的越大越好，然而，发光元件1c的亮度及可靠度之间的权衡取舍也需被考虑。在一实施例中，反射层40c的第二面积不小于第二半导体层102c的第一面积的80％。在一实施例，第二面积为第一面积的82％～96％。在一实施例中，第二面积为第一面积的85％～95％。
在其他实施例中，反射层40c的第二外侧边401c及半导体结构1000c的第一边缘E1之间具有一距离D，第二内侧边402c与第二边缘E2具有一距离D’。在一实施例中，距离D、D’大于零。在一实施例中，距离D、D’不大于10μm。在一实施例中，距离D、D’不大于8μm。在一实施例中，距离D、D’大于0μm且小于10μm。在一实施例中，距离D、D’介于2μm及8μm之间。此外，在另一实施例中，距离D及距离D’可以相同或相异。
在一实施例中，阻障层41c形成在反射层40c上且覆盖反射层40c。阻障层41c的一外边缘(图未示)环绕反射层40c的第二外侧边401c，及/或阻障层41c的一内边缘(图未示)环绕反射层40c的第二内侧边402c。在一实施例中，反射层40c形成在阻障层41c上且覆盖阻障层41c，阻障层41c的外边缘可以被反射层40c的第二外侧边401c环绕，及/或阻障层41c的内边缘可以被反射层40c的第二内侧边402c环绕。在一实施例中，阻障层41的外边缘及内边缘分别覆盖或对齐反射层40c的第二外侧边401c及第二内侧边402c。
图3A～图3C分别呈现本发明的一实施例的发光元件中，靠近第一边缘E1或第二边缘E2的透明导电层30c及反射层40c的部分剖面示意图。反射层40c形成在透明导电层30c上。在一实施例中，如图3A所示，反射层40c及透明导电层30c形成于第一绝缘结构20c上，且未延伸至半导体结构1000c的侧壁上或孔洞100c中。在一实施例中，如图3B～图3C所示，形成于第一绝缘结构20c上的反射层40c及透明导电层30c延伸至半导体结构1000c的侧壁上或孔洞100c中。
在一实施例中，如图3A所示，反射层40c为不连续结构，且包含互相分离的一第一反射部403c及一第二反射部404c。一间隙G位于第一反射部403c及第二反射部404c之间。在一实施例中，如图3A所示，透明导电层30c为一不连续结构，且包含互相分离的一第一导电部31c及一第二导电部32c。第二导电部32c与第二反射部404c完全位于第一绝缘结构20c及第二半导体层102c上。在一实施例中，第一导电部31c及第二导电部32c分别位于第一反射部403c及第二反射部404c下，由于第一反射部403c未连接于第二反射部404c、第一导电部31c未连接于第二导电部32c且第二导电部32c及第二反射部404c完全位于第一绝缘结构20c上，电流无法流通于第一反射部403c及第二反射部404c之间。换言之，第二反射部404c与第一反射部403c之间的电性不连接。
在如图3B所示的一实施例与图3A所示的实施例的差异在于：图3B所示的实施例中，透明导电层30c包含互相分离的一第一导电部31c及一第三导电部33c，且反射层40c包含互相分离的一第一反射部403c及一第三反射部405c，第一反射部403c与第三反射部405c之间具有一间隙G。此外，第三反射部405c及第一反射部403c彼此电性绝缘。具体而言，第三导电部33c形成于第一绝缘结构20c及第二半导体层102c上，且延伸至第二外侧壁1001c以覆盖第一绝缘结构20c的侧部s20c及底部t20c。在一实施例中，第三导电部33c形成于第一绝缘结构20c及第二半导体层102c上，且延伸至内侧壁1002c以覆盖第一绝缘结构20的侧部s20c。第一反射部403c及第三反射部405c分别形成于第一导电部31c及第三导电部33c上方。
在一实施例中，如图3C所示，反射层40c包含互相分离的一第一反射部403c’、一第二反射部404c’及一第三反射部405c’。此外，透明导电层30c包含互相分离的一第一导电部31c’、一第二导电部32c’及一第三导电部33c’。因此，第三反射部405c’、第二反射部404c’及第一反射部403c’彼此电性绝缘。在如图3A～图3C的不同实施例所示的个别的发光元件中，任一反射层40c为不连续结构且彼此电性不连接，使得当反射层40c延伸至半导体结构1000c的侧壁以增加反射层40c的第二面积时，可以避免漏电问题。如此，在各发光元件的设计中，已同时考虑与亮度有关的反射面积及可靠度。在一实施例中，如图3A～图3C所示的发光元件，反射层40c的第二面积不小于第二半导体层102c的第一面积的80％，且第一边缘E1及第二外侧边401c之间的距离D为0μm及10μm之间。在一实施例中，图3A所示的发光元件中，第一外侧边301c与第二外侧边401c较第一边缘E1靠近半导体结构1000c的中心。在图3B～图3C中，第一边缘E1较第一外侧边301c及第二外侧边401c靠近半导体结构1000c的中心。如图3B～图3C所示，由于反射层40c覆盖半导体结构1000c的侧壁，图3B～图3C所示的发光元件的反射层40c的第二面积大于如图3A所示发光元件的反射层40c的第二面积。此外，图3C所示的反射层40c的第二面积可以大于如图3A或图3B所示的第二面积，使得图3C所示的发光元件的亮度高于图3A及图3B所示的发光元件。
本发明的一实施例中，反射层40c包含多个副层，例如：布拉格反射镜(DBR)结构。在本实施例中，布拉格反射镜结构的材料可以为电性绝缘或电导通。
本发明的一实施例中，反射层40c包含单层或多层结构，且反射层40c包含对活性层103c具有高反射率的金属材料，例如：银(Ag)、金(Au)、铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)或上述的合金。上述所指的「高反射率」为对由活性层103c发射光的波长具有80％以上的反射率。
在本发明的一实施例中，反射结构另包含一布拉格反射镜(DBR)结构于反射层40c下。在一实施例中，布拉格反射镜结构形成在半导体结构1000c及反射层40c之间。一连接层可以选择性的插入于布拉格反射镜结构及反射层40c之间，由此增加两者间的粘着力。举例而言，布拉格反射镜结构以一第一层连接于反射层40c，其中第一层包含氧化硅(SiO2)，且反射层40c包含银(Ag)，此时介于其中的连接层包含铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)、锌铟氧化物(indium zinc oxide，IZO)或是其它对反射层40c的粘着力高于布拉格反射镜结构的第一层对反射层40c的粘着力的材料。
在本发明的一实施例中，反射结构另包含阻障层41c覆盖于反射层40c上，以避免反射层40c的表面氧化而降低反射层40c的反射率。阻障层41c的材料包含金属材料，例如：钛(Ti)、钨(W)、铝(Al)、铟(In)、锡(Sn)、镍(Ni)、铂(Pt)、锌(Zn)、铬(Cr)或上述材料的合金。阻障层41c可以包含单层结构或多层结构。当阻障层41c为多层结构时，阻障层41c为一第一阻障层(图未示)及一第二阻障层(图未示)交替堆叠形成，例如：Cr/Pt,Cr/Ti,Cr/TiW,Cr/W,Cr/Zn,Ti/Pt,Ti/W,Ti/TiW,Ti/W,Ti/Zn,Pt/TiW,Pt/W,Pt/Zn,TiW/W,TiW/Zn,or W/Zn。在一实施例中，阻障层41c的材料包含非金(Au)或铜(Cu)的一金属。
在本发明的一实施例中，发光元件1c的第二绝缘结构50c通过溅镀法或蒸镀法形成于半导体结构1000c上。第二绝缘结构50c形成于半导体结构1000c、第一绝缘结构20c、透明导电层30c及反射层40c上。图6E为第二绝缘结构50c的上视图。如图1、图2及图6E所示，第二绝缘结构50c包含一或多个第一绝缘开口501c以暴露第一半导体层101c的第二表面1012c，以及一或多个第二绝缘开口502c以暴露反射层40c或阻障层41c。在一实施例中，第一绝缘开口501c及第二绝缘开口502c具有不同的宽度及数量。由发光元件1c的上视观之，第一绝缘开口501c及第二绝缘开口502c的形状包含圆形、椭圆形、矩形、多边形或不规则形。在一实施例中，第一绝缘开口501c的位置对应于孔洞100c的位置。在一实施例中，其一的第二绝缘开口502c位于发光元件1c的一侧，且相对于第一绝缘开口501c。
第二绝缘结构50c的材料包含非导电材料。非导电材料包含有机材料、无机材料或是介电材料。有机材料包含Su8、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)、环氧树脂(Epoxy)、丙烯酸树脂(Acrylic Resin)、环烯烃聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide)或氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)。无机材料包含硅胶(Silicone)或玻璃(Glass)。介电材料包含氧化铝(Al2O3)、氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化钛(TiOx)、或氟化镁(MgFx)。在一实施例中，第二绝缘结构50c包含单层或多层。在一实施例中，第二绝缘结构50c可以为布拉格反射镜(DBR)结构。具体而言，第二绝缘结构50c可以由一SiOx副层及一TiOx副层互相交叠形成。第二绝缘结构50c及第一绝缘结构20c可以相同或不同。
图6G为接触层60c的上视图。如图1、图2及图6G所示，在一实施例中，接触层60c形成在第二绝缘结构50c及反射层40c或阻障层41c上。接触层60c包含彼此电性绝缘的一第一接触部601c、一第二接触部602c及一顶针区域600c。在此，第一接触部601c电连接于第一半导体层101c，第二接触部602c电连接于第二半导体层102c，且顶针区域600c电性绝缘于第一接触部601c及第二接触部602c。第一接触部601c形成在第一半导体层101c的第一表面1011c，以环绕半导体结构1000c的周围并接触于第一半导体层101c，由此形成电连接。在一实施例中，第一接触部601c包含一周长大于活性层103c的周长。在一实施例中，第一接触部601c也形成在第一半导体层101c的第二表面上1012c，通过第二绝缘结构50c的多个第一绝缘开口501c覆盖一或多个孔洞100c，且与第一半导体层101c接触以形成电连接。顶针区域600c位于第二半导体层102c上，且通过第二绝缘结构50c与第一半导体层101c及第二半导体层102c电性绝缘。在本实施例中，由上视观之，顶针区域600c大致位于发光元件1c的中心。此外，第二接触部602c通过反射层40c及透明导电层30c电连接于第二半导体层102c的表面102s，使得第二接触部602c及第二半导体层102c之间形成一电连接。在本实施例中，由发光元件1c的上视观之，顶针区域600c位于第一接触部601c及第二接触部602c之间。如图6G所示，第一接触部601c环绕顶针区域600c及第二接触部602c。在一实施例中，顶针区域600c电连接于第一接触部601c或第二接触部602c。由上视观之，顶针区域600c具有一形状包含几何形状，例如：矩形或圆形。接触层60c可以为单层结构或多层结构。接触层60c的材料包含金属，例如：铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钨(W)或锌(Zn)。
在形成接触层60c后，一第三绝缘结构70c位于接触层60c上且覆盖接触层60c。图6H为第三绝缘结构70c的上视图。如图1、图2及图6H所示，第三绝缘结构70c包含一第一开口701c及一第二开口702c。第一开口701c暴露接触层60c的第一接触部601c，且第二开口702c暴露接触层60c的第二接触部602c。第三绝缘结构70c包含单层或多层。当第三绝缘结构70c包含多层，第三绝缘结构70c可以形成布拉格反射镜(DBR)结构。第三绝缘结构70c的材料包含非导电材料。非导电材料包含有机材料、无机材料或是介电材料。有机材料包含Su8、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)、环氧树脂(Epoxy)、丙烯酸树脂(Acrylic Resin)、环烯烃聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide)或氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)。无机材料包含硅胶(Silicone)或玻璃(Glass)。介电材料包含氧化铝(Al2O3)、氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化钛(TiOx)、或氟化镁(MgFx)。第一绝缘结构20c、第二绝缘结构50c及第三绝缘结构70c的材料可以为相同或不同，且选自由上述材料。第一绝缘结构20c、第二绝缘结构50c及第三绝缘结构70c可以通过打印、蒸镀或溅镀形成。
形成第三绝缘结构70c后，第一电极垫80c及第二电极垫90c形成于半导体叠层10c上。图6I为第一电极垫80c及第二电极垫90c的上视图。如图1、图2及图6I所示，第一电极垫80c及第二电极垫90c的位置及/或形状大致对应于第三绝缘结构70c的第一开口701c及第二开口702c的位置及/或形状。第一电极垫80c通过第三绝缘结构70c的第一开口701c及接触层60c的第一接触部601c电连接第一半导体层101c，且第二电极垫90c通过第三绝缘结构70c的第二开口702c、接触层60c的第二接触部602c、反射层40c及透明导电层30c电连接第二半导体层102c。由发光元件1c的上视观之，第一电极垫80c与第二电极垫90c具有相同的形状，例如：第一电极垫80c及第二电极垫90c包含矩形，然而，本发明内容并不限于此。在另一实施例中，第一电极垫80c的形状与尺寸可以与第二电极垫90c不同，由此分辨第一电极垫80c与第二电极垫90c、或者使发光元件1c产生良好的电流分布。例如：第一电极垫80c的形状可以为矩形，第二电极垫90c的形状可以为梳状，且第一电极垫80c的面积大于第二电极垫90c的面积。在本实施例中，第一电极垫80c及第二电极垫90c包含单层或多层结构。第一电极垫80c及第二电极垫90c的材料包含金属材料，例如：铬(Cr)、钛(Ti)、钨(W)、铝(Al)、铟(In)、锡(Sn)、镍(Ni)、铂(Pt)或上述材料的合金。当第一电极垫80c及第二电极垫90c包含多层结构时，第一电极垫80c及第二电极垫90c分别包含一上电极及一下电极(图未示)。上电极及下电极具有不同功能，上电极用以作为焊接或打线。发光元件1c可被翻转，并通过焊料接合或金锡共融接合且通过上电极连接于一封装基板(图未示)。上电极的金属材料包含具有高延展性的一金属材料，例如镍(Ni)、钴(Co)、铁(Fe)、钛(Ti)、铜(Cu)、金(Au)、钨(W)、锆(Zr)、钼(Mo)、钽(Ta)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)、铑(Rh)、铱(Ir)、钌(Ru)或锇(Os)。上电极可以是上述材料的单层、多层或合金。在本发明的一实施例中，上电极的材料较佳的包含镍(Ni)及/或金(Au)。下电极的功能是与接触层60c、反射层40c或阻障层41c形成稳定介面，例如改善下电极和接触层60c之间的界面接合强度，或改善下电极与反射层40c或阻障层41c之间的界面接合强度。下电极的另一个功能是防止焊料(例如：锡)或金锡合金(AuSn)扩散至反射结构中，破坏反射结构的反射率。因此，下电极的材料不同于上电极，下电极的材料较佳的包含金(Au)和铜(Cu)以外的金属元素，例如镍(Ni)、钴(Co)、铁(Fe)、钛(Ti)、钨(W)、锆(Zr)、钼(Mo)、钽(Ta)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)、铑(Rh)、铱(Ir)、钌(Ru)或锇(Os)。下电极可以是上述材料的单层、多层或合金。在本发明的一实施例中，下电极较佳的包括钛(Ti)和铝(Al)的多层膜或铬(Cr)和铝(Al)的多层膜。
图6A、图6B’、图6C～图6D、图6E’、图6G～图6I为本发明另一实施例的发光元件的制造流程图。本实施例的发光元件与发光元件1c的主要不同处在于第一绝缘结构20c及第二绝缘结构50c的结构。请参照图6B所示，第一绝缘结构20c1包含一环绕绝缘部分201c及多个环形覆盖区202c。在此，环绕绝缘部分201c包含多个凸出部2011c及多个凹陷部2012c。在一实施例中，环绕绝缘部分201c的多个凸出部2011c及多个凹陷部2012c交替配置。图3D为本实施例的发光元件的其中之一凸出部2011c的部分剖面示意图，如图3D及图6B’所示，环绕绝缘部分201c位于第一表面1011c上且环绕半导体结构1000c。在一实施例中，环绕绝缘部分201c的多个凸出部2011c及多个凹陷部2012c交替配置于第一表面1011c上。具体而言，多个凸出部2011c延伸自第二半导体层102c的表面102s且覆盖半导体结构1000c部分的第一表面1011c，且多个凹陷部2012c暴露出第一表面1011c的其他部分。换言之，第一表面1011c包含一第一裸露区域被环绕绝缘部分201c暴露出来，且第一裸露区域为不连续。
请参照图6E’所示，第二绝缘结构50c包含一外围503c，在本实施例中，外围503c包含多个凸出部5031c及多个凹陷部5032c。如图3D所示，第二绝缘结构50c覆盖第一绝缘结构20c，因此被第一绝缘结构20c覆盖的第二外侧壁1001c及一部分的第一表面1011c，也被第二绝缘结构50c所覆盖。此外，第二绝缘结构50c的多个凸出部5031c及多个凹陷部5032c是沿着半导体结构1000c的第一表面1011c交替配置。此外，在一实施例中，第二绝缘结构50c的外围503c的形状对应于第一绝缘结构20c的外围形状，且不连续地暴露半导体结构1000c的第一表面1011c。详言之，多个凸出部5031c及多个凹陷部5032c的形状及位置分别对应于环绕绝缘部分201c的多个凸出部2011c及多个凹陷部2012c。依此规则，被第一绝缘结构20c的多个凹陷部2012c暴露的第一表面1011c，也会被第二绝缘结构50c的多个凹陷部5032c所暴露。被多个凸出部2011c覆盖的第一表面1011c，也会被多个凸出部5031c所覆盖。换言之，第一表面1011c包含一第二裸露区域由多个凹陷部5032c所暴露出来，且第二裸露区域为不连续。第一表面1011c的第二裸露区域大致与由第一绝缘结构20c所暴露的第一裸露区域相对应。请参照图6G所示，在此实施例中，第一接触部601c通过第二绝缘结构50c的多个凹陷部5032c及第一绝缘结构20c的多个凹陷部2012c接触于第一表面1011c。换言之，第一接触部601c包含一不连续接触区域(图未示)与第一表面1011c接触。在本实施例中，第一接触部601c及半导体结构1000c的第一表面1011c之间的不连续接触区域有益于发光元件的电流散布，并且防止发光元件电性失效。请参照图4A所示，为样品A～B的特性图表。具体而言，图表展现出传统发光元件(样品A)及本发明的一实施例的发光元件1c(样品B)的特性。样品A及样品B包含相同形状(矩形)及相同芯片尺寸(35×35mil2)，不同之处在于传统发光元件的反射层的面积小于发光元件1c的反射层40c的面积。另一方面，发光元件1c的距离D小于传统发光元件的距离，在传统的发光元件中，第二半导体层的第一边缘与反射层的第二外侧边的距离为15μm，发光元件1c的距离D为6μm。换言之，发光元件1c的反射层40c的面积大于传统发光元件的反射层的面积。发光元件1c的反射层40c的面积与第二半导体层102c的面积比值大于传统发光元件的反射层的面积与第二半导体层的面积比值。图表显示发光元件1c的功率(IV2)相较于传统发光元件的功率增加1.8％(ΔIV2)，并且两者的顺向电压(Vf2)及波长(Wd2)维持在相同水准。因此，较大面积的反射层40c可以提升发光元件1c的表现。
请参照图4B所示，图4B为样品C～F的特性图。具体而言，图表为样品C～F的表现。样品C为传统的发光元件。样品D为具有如图6B’、图6E’及图3D所示的不连续接触区域的接触层60c的发光元件，且不具有如图1～图2所示的较大第二面积的反射层。样品E为具有如图1～图2所示较大第二面积的反射层40c的发光元件1c。样品F为具有如图6B’、图6E’及图3D所示的不连续接触区域的接触层60c，以及具有如图1～图2所示较大第二面积的反射层的发光元件，换言之，样品F即结合样品D及样品E特性的发光元件。样品D及样品E在亮度上的表现都优于样品C，此外，样品F的发光元件具有最高的功率(IV2)。
图5为本发明一实施例的发光元件2c的上视图。图7为沿着图5的线E-E’所揭示的一发光元件2c的剖面示意图。图6A～图6B、图6C’、图6D、图6E～图6I分别呈现发光元件2c中暴露第一半导体层101c的第一表面1011c及第二表面1012c的半导体结构1000c、第一绝缘结构20c、透明导电层30c、反射层40c、第二绝缘结构50c、粘结层51c、接触层60c、第三绝缘结构70c及电极垫80c、90c的布局(layout)。本实施例的发光元件2c相似于图1～图2所示的发光元件1c，差异在于发光元件2c另包含粘结层51c位于第二绝缘结构50c及接触层60c之间。此外，发光元件2c的透明导电层30c另包含互相分离的一第一透明导电部分f30c、一第二透明导电部分s30c及一第三透明导电部分t30c，不同于发光元件1c的透明导电层30c。在一实施例中，第二绝缘结构50c的材料包含氧化硅(SiO2)，接触层60c的材料包含银(Ag)，在第二绝缘结构50c及接触层60c之间的粘结层51c可以增加第二绝缘结构50c与接触层60c之间的粘着力。粘结层51c可防止接触层60c自第二绝缘结构50c脱落。插入粘结层51c在两者之间有益于增加发光元件2c的可靠度。粘结层51c的材料对于第二绝缘结构50c的粘着力，较接触层60c对第二绝缘结构50c之间的粘着力强。粘结层51c的材料可以为透明导电材料或金属，透明导电材料包含金属氧化物，金属氧化物可以包含氧化铟锡(indium tinoxide，ITO)、锌铟氧化物(indium zinc oxide，IZO)、氧化铟(indium oxide，InO)、氧化锡(tin oxide，SnO)、镉锡氧化物(cadmium tin oxide，CTO)、锡锑氧化物(antimony tinoxide，ATO)、铝锌氧化物(aluminum zinc oxide，AZO)、锌锡氧化物(zinc tin oxide，ZTO)、氧化锌掺杂镓(gallium doped zinc oxide，GZO)、氧化铟掺杂钨(tungsten dopedindium oxide，IWO)或者氧化锌(zinc oxide，ZnO)，金属包含铂(Pt)。然而，粘结层51c的材料并不受限于上述材料。在一实施例中，如图6F所示的粘结层51c的形状和面积相似于如图6E所示的第二绝缘结构50c的形状和面积。具体而言，粘结层51c具有一个或多个第一粘结开口511c对应于第一绝缘开口501c，以及一个或多个第二粘结开口512c对应于第二绝缘开口502c。在一实施例中，粘结层51c的外围513c环绕第二绝缘结构50c的外围503c，以电连接于第一半导体层101c的第一表面1011c。在一实施例中，粘结层51c延伸至半导体结构1000c的暴露部。具体而言，如图7所示，粘结层51c延伸至第一表面1011c及/或第二表面1012c。
请参照图6C'及图7所示，在一实施例中，第一透明导电部分f30c位于第二半导体层102c的表面102s上，第二透明导电部分s30c位于暴露部的第一表面1011c上，且第三透明导电部分t30c位于孔洞100c中的暴露部的第二表面1012c上。透明导电层30c连接位于暴露部的粘结层51c。如图6C’所示的透明导电层30c的上视图，第三透明导电部分t30c被第一透明导电部分f30c环绕，且第一透明导电部分f30c被第二透明导电部分s30c环绕。第一透明导电部分f30c的面积大于第二透明导电部分s30c的面积及第三透明导电部分t30c的面积。具体而言，由上视观之，第一透明导电部分f30c包含一第一外围f30c1，第二透明导电部分s30c包含一第二外围s30c1环绕第一外围f30c1，且第三透明导电部分t30c包含一第三外围t30c1被第一外围f30c1所环绕。
如图6D及图7所示，反射层40c形成于第一透明导电部分f30c上，反射层40c包含一第二外侧边401c及一第二内侧边402c被第二外侧边401c环绕。反射层40c既未延伸至超过透明导电层30c的第一外侧边301c及/或第一内侧边302c，也未延伸至超过半导体结构1000c的第一边缘E1及/或第二边缘E2。在本实施例中，第二外侧边401c大致对齐于第一外侧边301c，且第二内侧边402c大致对齐于第一内侧边302c。如图6E及图7所示，第二绝缘结构50c形成于反射层40c上且覆盖第一绝缘结构20c。在一实施中，如图6E’所示的第二绝缘结构50c包含多个凸出部5031c及多个凹陷部5032c形成在半导体结构1000c的暴露部上，且覆盖第一表面1011c或如图6C及图6C’所示的透明导电层30c上。具体而言，多个凸出部5031c及多个凹陷部5032c交替配置于第一表面1011c上，且不连续地覆盖于第一表面1011c上，更详言之，多个凸出部5031c覆盖于被多个凸出部2011c覆盖的部分的第一表面1011c，且多个凹陷部5032c暴露出被多个凹陷部2012c暴露的部分的第一表面1011c。在一实施例中，多个凸出部5031c覆盖部分的第二透明导电部分s30c，且多个凹陷部5032c暴露出部分的第二透明导电部分s30c。
请参照图6G所示，相似于发光元件1c，发光元件2c包含接触层60c具有第一接触部601c、第二接触部602c及顶针区域600c。第一接触部601c通过第一粘结开口511c、第一绝缘开口501c、位于第一表面1011c上的第二透明导电部分s30c及位于孔洞100c中且于第二表面1012c上的第三透明导电部分t30c电连接于第一半导体层101c。另一方面，第二接触部602c通过第二粘结开口512c、第二绝缘开口502c、反射层40c及位于第二半导体层102c的表面102s上的第一透明导电部分f30c电连接于第二半导体层102c。在一实施例中，第一接触部601c及第二接触部602c的材料相同且为多层结构。
在一实施例中，第一接触部601c包含一第一部分及一第二部分包覆第一部分，第一部分的材料包含Ag/NiTi/TiW/Pt且第二部分的材料包含Ti/Al/Ti/Al/Cr/Pt，上述材料依序由半导体叠层10c至第二电极垫90c的方向形成于半导体结构1000c上。在本实施例中，第二接触部602c也包含与第一接触部601c相似的第一部分及第二部分。第二接触部602c的第一部分及第二部分的材料与第一接触部601c的第一部分及第二部分的材料相同。在一实施例中，反射结构及第一接触部601c包含具有高反射率的相同材料，反射结构及第二接触部602c包含具有高反射率的相同材料。在一实施例中，反射结构、第一接触部601c及第二接触部602c包含银(Ag)。
在一实施例中，发光元件2c包含第二透明导电部分s30c及第三透明导电部分t30c在接触层60c与第一半导体层101c之间，第一接触部601c及第二接触部602c都包含银，且粘结层51c位于接触层60c及第二绝缘结构50c之间。相较于发光元件2c，传统的发光元件包含不含银的第一接触部且类似于上述的样品C，例如：传统发光元件的第一接触部的材料包含Cr/Al/Cr/Al/Cr/Pt，且依序形成于半导体结构1000c上。本实施例的发光元件2c通过含银的第一接触部601c增加发光元件2c中的反射面积，因此，发光元件2c的亮度可以增加。传统发光元件的亮度(IV2)为923.75mW，本实施例中的发光元件2c的亮度(IV2)为965.83mW，本实施例的发光元件2c的亮度相较于传统发光元件增加4.56％。
图8为依本发明一实施例的发光装置3的示意图。将前述实施例中的发光元件以倒装芯片的形式安装于封装基板51的第一垫片511及第二垫片512上。第一垫片511、第二垫片512之间通过一包含绝缘材料的绝缘部53做电性绝缘。倒装芯片的安装是将与电极垫形成面相对的成长基板侧朝上设置，使成长基板侧为主要的光取出面。为了增加发光装置3的光取出效率，可于发光元件的周围设置一反射结构54。
图9为依本发明一实施例的发光装置4的示意图。发光装置4为一球泡灯包括一灯罩602、一反射镜604、一发光模块610、一灯座612、一散热片614、一连接部616以及一电连接元件618。发光模块610包含一承载部606，以及多个发光单元608位于承载部606上，其中多个发光单元608可为前述实施例中的发光元件或发光装置3。
本发明所列举的各实施例仅用以说明本发明，并非用以限制本发明的范围。任何人对本发明所作的任何显而易知的修饰或变更都不脱离本发明的精神与范围。

Claims (10)

1.一种发光元件，其特征在于，包含：
半导体结构，包含一表面及一侧壁倾斜于该表面，该半导体结构包含第一半导体层、第二半导体层位于该第一半导体层上、及活性层位于该第一半导体层和该第二半导体层之间，且该第二半导体层包含第一边缘及第一面积；
反射层，位于该半导体结构上且包含外侧边及第二面积；
其中，该第一边缘与该外侧边之间具有一距离，该距离为0μm至10μm之间，且该反射层的该第二面积不小于该第二半导体层的第一面积的80％。
2.如权利要求1所述的发光元件，还包含透明导电层，位于该半导体结构及该反射层之间。
3.如权利要求2所述的发光元件，其中该透明导电层包含第一外侧边，较该外侧边靠近该第一边缘。
4.如权利要求2所述的发光元件，还包含第一绝缘结构，位于该半导体结构的该表面及该侧壁上。
5.如权利要求4所述的发光元件，其中该反射层覆盖于该第一绝缘结构的一部分。
6.如权利要求5所述的发光元件，其中该第一绝缘结构的该部分位于该半导体结构的该表面上。
7.如权利要求4所述的发光元件，其中该透明导电层覆盖该第一绝缘结构。
8.如权利要求1所述的发光元件，其中该反射层位于该表面上且未延伸至覆盖该侧壁。
9.如权利要求2所述的发光元件，其中该透明导电位于该表面上且未延伸至覆盖该侧壁。
10.如权利要求1所述的发光元件，其中该第二半导体层的该第一边缘环绕该反射层的外侧边。
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