CN1516296A

CN1516296A - 具有粘结反射层的发光二极管及其制造方法

Info

Publication number: CN1516296A
Application number: CNA031015077A
Authority: CN
Inventors: 刘文煌; 曾子峰; 谢明勋; 叶丁玮; 王仁水
Original assignee: Epistar Corp
Current assignee: Epistar Corp
Priority date: 2003-01-10
Filing date: 2003-01-10
Publication date: 2004-07-28
Anticipated expiration: 2023-01-10
Also published as: CN1266779C

Abstract

本发明公开了一种具有粘结反射层的发光二极管及其制造方法，其利用一透明粘结层将一发光二极管叠层及一具有金属反射层的基板粘结在一起，使得射向金属反射层的光线能够通过反射而被导出，以提高发光二极管的亮度。

Description

具有粘结反射层的发光二极管及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种发光二极管及其制造方法，特别涉及一种具有粘结反射层的发光二极管及其制造方法。

背景技术

发光二极管的应用颇为广泛，例如，可应用于光学显示装置、交通标志、资料储存装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置。如何提高发光二极管的亮度，是发光二极管的制造上的重要课题。

传统上，增加发光亮度的一种方法为利用范德瓦尔斯力将两半导体材料键结在一起，然而其缺点为范德瓦尔斯力太弱，键结后，结构的机械强度不够，容易产生分离的情况。

美国专利第5,376,580号公开一种方法，用以将一发光二极管叠层与一透明基板键结在一起，并产生欧姆介面，其中该透明基板可以是GaP，则光可同时由发光二极管叠层及透明基板射出。然而这种方法的前工艺须在1000℃左右的高温下，施加同轴压力于该发光二极管叠层与透明基板上，而形成一欧姆介面。其主要缺点为在实际制造程序中，如此高的键结温度将破坏发光二极管的特性，使发光效率降低；另外透明基板GaP本身仍带有颜色，其光射出率仅约60-70％，并非百分之百透光，将造成亮度的降低。

传统上，另一增加发光亮度的方法为利用金属作为键结材料，将一发光二极管叠层与另一基板键结在一起，这是利用金属材料形成的键结层，可利用其金属的特性形成一镜面效应，将由发光二极管叠层射向基板的光线反射回发光二极管叠层，而不会穿透键结层射入基板，减少光线被基板的吸收率。在制造程序中，以金属作为键结层的键结温度仅约300-450℃，可以避免发光二极管特性被破坏。然而在此键结技术中，存在几项缺点，当金属键结的温度较低时，金属层与待键结的两半导体层之间并不会受高温影响产生反应，因此对光线的反射率良好，反射面可以达到90％以上的反射率，发光二极管的发光效率将提高，但是由于金属层与待键结的两半导体层无高温作用产生键结反应，则金属键结的效果降低，金属层与待键结的半导体层将分离无法形成欧姆介面，这是一个主要缺点。当金属键结的温度提高时，则金属层与两待键结的半导体层之间键结良好，但因金属层与两待键结的半导体层之间产生反应，则反射面金属层的反射率将大大降低，无法达到镜面的功能这是其另一个缺点。

本发明人在思考如何解决前述的缺点时，获得一个发明灵感，认为若通过使用一透明粘结层粘结前述的金属层与发光二极管叠层，光在经由发光二极管叠层产生后，穿过透明粘结层，直接由该金属层产生全反射，由发光二极管叠层出光；但是若单藉由粘结层粘结发光二极管叠层及金属层，则其粘结的作用力仅为范德瓦尔斯力，则粘结面之间易产生剥离。因此，本发明于该发光二极管叠层以及金属层与透明粘结层相接的表面分别形成一反应层，该反应层与该透明粘结层经过加压加温形成反应，产生氢键或离子键，以增强粘结面的作用力，提高机械强度，将可避免前述中产生分离的缺点。另外利用透明粘结层粘结，可避免前述的金属层与发光二极管叠层键结产生的缺点；另外在透明粘结层与发光二极管叠层间形成一透明导电层，可改善电流分散效率，将进一步可提高发光二极管的亮度。

发明内容

本发明的主要目的在于提供具有粘结反射层的发光二极管及其制造方法，在其制造过程中，通过使用一透明粘结层，连结一发光二极管叠层与一具有反射层的基板，使得光穿透该透明粘结层，射向反射层，其中，在该透明粘结层的上下表面分别存在一反应层，该反应层分别与发光二极管叠层以及反射层相接，该反应层与该透明粘结层经过加压加温形成反应，以增强粘结面的作用力，提高机械强度。该射向反射层的光线能够通过反射而被导出，以提高发光二极管的亮度。另外前述的反射层也可形成于发光二极管叠层与反应层之间，这样该粘结层便不须限定为透明粘结层，不透明粘结层也可使用，光直接射向反射层通过反射而被导出。上述的制造方法无前述前工艺的反射率降低及键结的效果降低的问题，因而能够达到光全反射的效果，达到提高发光二极管亮度的目的。

根据本发明一优选实施例具有粘结反射层的发光二极管及其制造方法，包含一第二基板、形成于该第二基板上的一金属反射层、形成于该金属反射层上的一第一反应层、形成于该第一反应层上的一透明粘结层、形成于该透明粘结层上的一第二反应层、形成于该第二反应层上的一透明导电层，其中，该透明导电层的上表面包含一第一表面区域和一第二表面区域、形成于该第一表面区域上的一第一接触层、形成于该第一接触层上的一第一束缚层、形成于该第一束缚层上的一发光层、形成于该发光层上的一第二束缚层、形成于该第二束缚层上的一第二接触层、形成于该第二接触层上的一第一接线电极、以及形成于该第二表面区域上的一第二接线电极。

该发光二极管的制造方法包含下列步骤：在一第一基板上依次形成一第二接触层、一第二束缚层、一发光层、一第一束缚层、一第一接触层、一透明导电层、一第二反应层，构成一第一叠层；在一第二基板上形成一金属反射层、一第一反应层，构成一第二叠层；设置一透明粘结层，利用该透明粘结层将该第一叠层的第二反应层表面以及该第二叠层的一第一反应层表面结合在一起；移除该第一基板，构成一第三叠层；将该第三叠层适当地蚀刻至该透明导电层，形成一透明导电层暴露表面区域；以及在该第二接触层与该透明导电层暴露表面区域上分别形成第一接线电极与第二接线电极。

前述第一基板，包含选自于GaP、GaAs及Ge所构成的一组材料中的至少一种材料；前述第二基板，包含选自Si、GaAs、SiC、Al₂O₃、玻璃、石英、GaP、GaAsP及AlGaAs所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料；前述透明粘结层包含选自于聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烷(BCB)或过氟环丁烷(PFCB)所构成的一组材料中的至少一种材料；前述第一反应层包含选自于SiN_x、Ti或Cr所构成的一组材料中的至少一种材料；前述第二反应层包含选自于SiN_x、Ti或Cr所构成的一组材料中的至少一种材料；前述金属反射层包含选自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所构成的一组材料中的至少一种材料；前述第一接触层包含选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP AlGaInP及AlGaAs所构成的一组材料中的至少一种材料；前述第一束缚层、发光层与第二束缚层，包含AlGaInP；前述第二接触层，包含选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP及AlGaAs所构成的一组材料中的至少一种材料；前述透明导电层包含选自于氧化铟锡、氧化隔锡、氧化锑锡、氧化锌及氧化锌锡所构成的一组材料中的至少一种材料。

附图说明

图1为一示意图，显示根据本发明一优选实施例的一种具有反射层的发光二极管；

图2为一示意图，显示根据本发明制造方法制造图1所示发光二极管的过程中，在粘结二叠层前的第一叠层；

图3为一示意图，显示根据本发明制造方法制造图1所示发光二极管的过程中，在粘结二叠层前的第二叠层；

图4为一示意图，显示根据本发明制造方法制造图1所示发光二极管的过程中，在粘结第一叠层及第二叠层后，但尚未移除第一基板前的第三叠层构造；

图5为一示意图，显示根据本发明制造方法制造图1所示发光二极管的过程中，在移除第一基板后的第四叠层构造；

图6为一示意图，显示根据本发明另一优选实施例的一种具有反射层的发光二极管；

图7为一示意图，显示根据本发明又一优选实施例的一种具有反射层的发光二极管；

图8为一示意图，显示根据本发明制造方法制造图7所示发光二极管的过程中，在粘结二叠层前的第五叠层；

图9为一示意图，显示根据本发明制造方法制造图7所示发光二极管的过程中，在粘结二叠层前的第六叠层；

图10为一示意图，显示根据本发明制造方法制造图7所示发光二极管的过程中，在粘结二叠层后，移除第一基板后的第七叠层构造；

图11为一示意图，显示根据本发明再一优选实施例的一种具有反射层的发光二极管；

图12为一示意图，显示根据本发明制造方法制造图11所示发光二极管的过程中，在粘结二叠层前的第八叠层；

图13为一示意图，显示根据本发明制造方法制造图11所示发光二极管的过程中，在粘结二叠层前的第九叠层；以及

图14为一示意图，显示根据本发明制造方法制造图11所示发光二极管的过程中，在粘结二叠层后，移除第一基板后的第十叠层构造。

附图标记说明

1发光二极管

10第二基板

11金属反射层

12透明粘结层

13第一接触层

14第一束缚层

15发光层

16第二束缚层

17第二接触层

18第一基板

19第一接线电极

20第二接线电极

21透明导电层

22第一反应层

23第二反应层

6发光二极管

611氧化物反射层

7发光二极管

710金属反射基板

712透明粘结层

713第一接触层

714第一束缚层

715发光层

716第二束缚层

717第二接触层

718第一基板

719第一接线电极

720第二接线电极

721透明导电层

722第一反应层

723第二反应层

110发光二极管

1110第二基板

1111金属反射层

1112透明粘结层

1113第一接触层

1114第一束缚层

1115发光层

1116第二束缚层

1117第二接触层

1118第一基板

1119第一接线电极

1120第二接线电极

1121透明导电层

1122第一反应层

1123第二反应层

具体实施方式

请参阅图1，根据本发明一优选实施例具有粘结反射层的发光二极管1，包含一第二基板10、形成于该基板上的一金属反射层11、形成于该金属反射层上的一第一反应层22、形成于该第一反应层上的一透明粘结层12、形成于该透明粘结层上的一第二反应层23、形成于该第二反应层上的一透明导电层21，其中，该透明导电层的上表面包含一第一表面区域和一第二表面区域、形成于该第一表面区域上的一第一接触层13、形成于该第一接触层上的一第一束缚层14、形成于该第一束缚层上的一发光层15、形成于该发光层上的一第二束缚层16、形成于该第二束缚层上的一第二接触层17、形成于该第二接触层上的一第一接线电极19、以及形成于该第二表面区域上的一第二接线电极20。

请参阅图1与图2，发光二极管1的制造方法包含下列步骤：在一第一基板18上依次形成一第二接触层17、一第二束缚层16、一发光层15、一第一束缚层14、一第一接触层13、一透明导电层21、一第二反应层23，构成一第一叠层2；在一第二基板10上形成一金属反射层11，在该金属反射层上形成一第一反应层22，构成一第二叠层3，如图3所示；设置一透明粘结层12，利用该透明粘结层将该第一叠层的第二反应层表面以及该第二叠层的第一反应层表面结合在一起，构成一第三叠层4，如图4所示；移除该第一基板18，构成一第四叠层5，如图5所示；将该第四叠层5适当地蚀刻至该透明导电层21，形成一透明导电层暴露表面区域；以及在该第二接触层17与该透明导电层暴露表面区域上分别形成第一接线电极19与第二接线电极20。

请参阅图6，根据本发明另一优选实施例具有粘结反射层的发光二极管6，其结构与制造方法与前一优选实施例的发光二极管1相似，其不同处在于将前一优选实施例的金属反射层11用一氧化物反射层611替代，通过该氧化物反射层将射向反射层的光线利用反射将光线导出。

请参阅图7，根据本发明又一优选实施例具有粘结反射层的发光二极管7，包含一金属反射基板710、形成于该金属反射基板上的一第一反应层722、形成于该第一反应层上的一透明粘结层712、形成于该透明粘结层上的一第二反应层723、形成于该第二反应层上的一透明导电层721，其中，该透明导电层的上表面包含一第一表面区域和一第二表面区域、形成于该第一表面区域上的一第一接触层713、形成于该第一接触层上的一第一束缚层714、形成于该第一束缚层上的一发光层715、形成于该发光层上的一第二束缚层716、形成于该第二束缚层上的一第二接触层717、形成于该第二接触层上的一第一接线电极719、以及形成于该第二表面区域上的一第二接线电极720。

请参阅图7与图8，发光二极管7的制造方法包含下列步骤：在一第一基板718上依次形成一第二接触层717、一第二束缚层716、一发光层715、一第一束缚层714、一第一接触层713、一透明导电层721、一第二反应层723，构成一第五叠层8；设置一金属反射基板710，形成于该金属反射基板上的一第一反应层722，构成一第六叠层9，如图9所示；设置一透明粘结层712，利用该透明粘结层将该第一叠层的第二反应层表面以及该第六叠层的第一反应层表面结合在一起；移除该第一基板718，构成一第七叠层100，如图10所示；将该第七叠层100适当地蚀刻至该透明导电层721，形成一透明导电层暴露表面区域；以及在该第二接触层717与该透明导电层暴露表面区域上分别形成第一接线电极719与第二接线电极720。

请参阅图11，根据本发明再一优选实施例具有粘结反射层的发光二极管110，包含一第二基板1110、形成于该基板上的一第一反应层1122、形成于该第一反应层上的一粘结层1112、形成于该粘结层上的一第二反应层1123、形成于该第二反应层上的一金属反射层1111、形成于该金属反射层上的一透明导电层1121，其中，该透明导电层的上表面包含一第一表面区域和一第二表面区域、形成于该第一表面区域上的一第一接触层1113、形成于该第一接触层上的一第一束缚层1114、形成于该第一束缚层上的一发光层1115、形成于该发光层上的一第二束缚层1116、形成于该第二束缚层上的一第二接触层1117、形成于该第二接触层上的一第一接线电极1119、以及形成于该第二表面区域上的一第二接线电极1120。

请参阅图11与图12，发光二极管110的制造方法包含下列步骤：在一第一基板1118上依次形成一第二接触层1117、一第二束缚层1116、一发光层1115、一第一束缚层1114、一第一接触层1113、一透明导电层1121、一金属反射层1111、一第二反应层1123，构成一第八叠层120；设置一第二基板1110，形成于该第二基板上的一第一反应层1122，构成一第九叠层130，如图13所示；设置一粘结层1112，利用该粘结层将该第八叠层的第二反应层表面以及该第九叠层的第一反应层结合在一起；移除该第一基板1118，构成一第十叠层140，如图14所示；将该第十叠层适当地蚀刻至该透明导电层1121，形成一第一接触层暴露表面区域；以及在该第二接触层1117与该第一接触层暴露表面区域上分别形成第一接线电极1119与第二接线电极1120。

前述第一基板，包含选自于GaP、GaAs或Ge所构成的一组材料中的至少一种材料；前述第二基板，包含选自Si、GaAs、SiC、Al₂O₃、玻璃、GaP、GaAsP或AlGaAs所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料；前述透明粘结层包含选自于聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烷(BCB)或过氟环丁烷(PFCB)所构成的一组材料中的至少一种材料；前述第一反应层包含选自于SiN_x、Ti或Cr所构成的一组材料中的至少一种材料；前述第二反应层包含选自于SiN_x、Ti或Cr所构成的一组材料中的至少一种材料；前述金属反射基板，包含选自Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料；前述第一接触层包含选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP或AlGaAs所构成的一组材料中的至少一种材料；前述氧化物反射层，包含选自于SiN_x、SiO₂、Al₂O₃、TiO₂或MgO所构成的一组材料中的至少一种材料；前述金属反射层，包含选自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所构成的一组材料中的至少一种材料；前述第一束缚层、发光层与第二束缚层，包含AlGaInP；前述第二接触层，包含选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP或AlGaAs所构成的一组材料中的至少一种材料；前述透明导电层包含选自于氧化铟锡、氧化隔锡、氧化锑锡、氧化锌及氧化锌锡所构成的一组材料中的至少一种材料。

虽然本发明的发光二极管已通过优选实施例公开于上，然而本发明的范围并不限于上述优选实施例，应以权利要求所界定的范围为准。因此本领域技术人员在不脱离本发明的权利要求书范围及精神下，因该能够对本发明做任何改进与调整。

Claims

1.一种具有粘结反射层的发光二极管的制造方法，至少包含下列步骤：

设置一第一基板；

形成一LED叠层于该第一基板上；

形成一第一反应层于该LED叠层上；

设置一第二基板；

形成一反射层于该第二基板上；

形成一第二反应层于该反射层上；

利用一透明粘结层将该第一反应层与该第二反应层结合在一起。

2.一种具有粘结反射层的发光二极管的制造方法，至少包含下列步骤：

设置一第一基板；

形成一LED叠层于该第一基板上；

形成一第一反应层于该LED叠层上；

设置一金属反射基板；

形成一第二反应层于该金属反射基板上；

3.一种具有粘结反射层的发光二极管的制造方法，至少包含下列步骤：

设置一第一基板；

在该第一基板上形成一LED叠层；

形成一反射层于该LED叠层上；

形成一第一反应层于该反射层上；

设置一第二基板；

形成一第二反应层于该第二基板上；

利用一粘结层将该第一反应层与该第二反应层结合在一起。

4.如权利要求1、2或3所述的具有粘结反射层的发光二极管的制造方法，其中，该第一基板包含选自GaP、GaAs或Ge所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料。

5.如权利要求1或3所述的具有粘结反射层的发光二极管的制造方法，其中，该第二基板包含选自Si、GaAs、SiC、Al₂O₃、玻璃、石英、GaP、GaAsP、AlGaAs或金属所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料。

6.如权利要求1或3所述的具有粘结反射层的发光二极管的制造方法，其中，该反射层为一金属反射层。

7.如权利要求1或3所述的具有粘结反射层的发光二极管的制造方法，其中，该反射层为一氧化物反射层。

8.如权利要求6所述的具有粘结反射层的发光二极管的制造方法，其中，该反射层包含选自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料。

9.如权利要求7所述的具有粘结反射层的发光二极管的制造方法，其中，该反射层包含选自SiN_x、SiO₂、Al₂O₃、TiO₂或MgO所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料。

10.如权利要求2所述的具有粘结反射层的发光二设管的制造方法，其中，该金属反射基板的金属包含选自Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料。

11.如权利要求1或2所述的具有粘结反射层的发光二极管的制造方法，其中，该透明粘结层包含选自于聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烷(BCB)或过氟环丁烷(PFCB)所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料。

12.如权利要求1、2或3所述的具有粘结反射层的发光二极管的制造方法，其中，该第一反应层包含选自于SiN_x、Ti或Cr所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料。

13.如权利要求1、2或3所述的具有粘结反射层的发光二极管的制造方法，其中，该第二反应层包含选自于SiN_x、Ti或Cr所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料。

14.如权利要求3所述的具有粘结反射层的发光二极管的制造方法，其中，该粘结层具有透明或不透明的特征。

15.如权利要求1所述的具有粘结反射层的发光二极管的制造方法，其中，更包含在该第二基板上形成反射层前，形成一半导体叠层。

16.如权利要求2所述的具有粘结反射层的发光二极管的制造方法，其中，更包含在该金属反射基板上，形成一反射层。

17.如权利要求1、2或3所述的具有粘结反射层的发光二极管的制造方法，其中，更包含形成LED叠层之后，在LED叠层上形成一透明导电层。

18.如权利要求1、2或3所述的具有粘结反射层的发光二极管的制造方法，其中，更包含移除该第一基板。

19.如权利要求17所述的具有粘结反射层的发光二极管的制造方法，其中，该透明导电层包含选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌或氧化锌锡所构成的一组材料中的至少一种材料。

20.一种具有粘结反射层的发光二极管，至少包含：

一基板；

一反射层，形成于该基板之上；

一第一反射层，形成于该反射层之上；

一透明粘结层，形成于该第一反应层之上；

一第二反应层，形成于该透明粘结层之上；

一LED叠层，形成于该第二反应层之上；以及

电极。

21.一种具有粘结反射层的发光二极管，至少包含：

一金属反射基板；

一第一反应层，形成于该金属反射基板之上；

一透明粘结层，形成于该第一反应层之上；

一第二反应层，形成于该透明粘结层之上；

一LED叠层，形成于该第二反应层之上；以及

电极。

22.一种具有粘结反射层的发光二极管，至少包含：

一基板；

一第一反应层，形成于该基板之上；

一粘结层，形成于该第一反射层之上；

一第二反应层，形成于该粘结层之上；

一反射层，形成于该第二反应层之上；

一LED叠层，形成于该反射层之上；以及

电极。

23.如权利要求20或21所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，更包含在第二反应层及LED叠层之间形成一透明导电层。

24.如权利要求22所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，更包含在反射层及LED叠层之间形成一透明导电层。

25.如权利要求23或24所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该透明导电层包含选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌及氧化锌锡所构成的一组材料中的至少一种材料。

26.如权利要求20或22所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该基板包含选自Si、GaAs、SiC、Al₂O₃、玻璃、石英、GaP、GaAsP、AlGaAs或金属所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料。

27.如权利要求20或22所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该反射层为一金属反射层。

28.如权利要求20或22所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该反射层为一氧化物反射层。

29.如权利要求27所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该反射层包含选自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料。

30.如权利要求28所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该反射层包含选自SiN_x、SiO₂、Al₂O₃、TiO₂或MgO所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料。

31.如权利要求21所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该金属反射基板的金属包含选自Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料。

32.一种具有粘结反射层的发光二极管，至少包含：

一基板；

形成于该基板上的一反射层；

形成于该反射层上的一第一反应层；

形成于该第一反应层上的一透明粘结层；

形成于该透明粘结层上的一第二反应层；

形成于该第二反应层上的一透明导电层，其中，该透明导电层的上表面包含一第一表面区域和一第二表面区域；

形成于该第一表面区域上的一第一接触层；

形成于该第一接触层上的一第一束缚层；

形成于该第一束缚层上的一发光层；

形成于该发光层上的一第二束缚层；

形成于该第二束缚层上的一第二接触层；

形成于该第二接触层上的一第一接线电极；以及

形成于该第二表面区域上的一第二接线电极。

33.一种具有粘结反射层的发光二极管，至少包含：

一金属反射基板；

形成于该金属反射基板上的一第一反应层；

形成于该第一反应层上的一透明粘结层；

形成于该透明粘结层上的一第二反应层；

形成于该第一表面区域上的一第一接触层；

形成于该第一接触层上的一第一束缚层；

形成于该第一束缚层上的一发光层；

形成于该发光层上的一第二束缚层；

形成于该第二束缚层上的一第二接触层；

形成于该第二接触层上的一第一接线电极；以及

形成于该第二表面区域上的一第二接线电极。

34.一种具有粘结反射层的发光二极管，至少包含：

一基板；

形成于该基板上的一第一反应层；

形成于该第一反应层上的一粘结层；

形成于该粘结层上的一第二反应层；

形成于该第二反应层上的一反射层；

形成于该反射层上的一透明导电层，其中，该透明导电层的上表面包含一第一表面区域和一第二表面区域；

形成于该第一表面区域上的一第一接触层；

形成于该第一接触层上的一第一束缚层；

形成于该第一束缚层上的一发光层；

形成于该发光层上的一第二束缚层；

形成于该第二束缚层上的一第二接触层；

形成于该第二接触层上的一第一接线电极；以及

形成于该第二表面区域上的一第二接线电极。

35.一种具有粘结反射层的发光二极管，至少包含：

一基板，其中，该基板具有上下表面；

形成于该基板下表面的一第一接线电极；

形成于该基板上表面上的一反射层；

形成于该反射层上的一第一反应层；

形成于该第一反应层上的一透明导电粘结层；

形成于该透明导电粘结层上的一第二反应层；

形成于该第二反应层上的一透明导电层；

形成于该透明导电层上的一第一接触层；

形成于该第一接触层上的一第一束缚层；

形成于该第一束缚层上的一发光层；

形成于该发光层上的一第二束缚层；

形成于该第二束缚层上的一第二接触层；以及

形成于该第二接触层上的一第二接线电极。

36.如权利要求32或34所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该基板包含选自Si、GaAs、SiC、Al₂O₃、玻璃、GaP、GaAsP、AlGaAs或金属所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料。

37.如权利要求33所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该金属反射基板包含选自于Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所构成的一组材料中的至少一种材料。

38.如权利要求35所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该基板包含选自Si、GaAs、SiC、GaP、GaAsP、AlGaAs或金属所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料。

39.如权利要求32、34或35所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该反射层为一金属反射层。

40.如权利要求32或34所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该反射层为一氧化物反射层。

41.如权利要求39所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该反射层包含选自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn或AuZn所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料。

42.如权利要求40所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该反射层包含选自SiN_x、SiO₂、Al₂O₃、TiO₂或MgO所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料。

43.如权利要求20、21、32或33所述的具有粘结反射层的发光二极管的制造方法，其中，该透明粘结层包含选自于聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烷(BCB)或过氟环丁烷(PFCB)所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料。

44.如权利要求20、21、22、32、33、34或35所述的具有粘结反射层的发光二极管的制造方法，其中，该第一反应层包含选自于SiN_x、Ti或Cr所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料。

45.如权利要求20、21、22、32、33、34或35所述的具有粘结反射层的发光二极管的制造方法，其中，该第二反应层包含选自于SiN_x、Ti或Cr所构成的一组材料中的至少一种材料或其它可代替的材料。

46.如权利要求22或34所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该粘结层具有透明或不透明的特征。

47.如权利要求35所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该透明导电粘结层包含选自于本征导电聚合物或聚合物中掺杂导电材质所构成的一组材料中的至少一种材料。

48.如权利要求45所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该导电材质包含选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌、氧化锌锡、Au及Ni/Au所构成的一组材料中的至少一种材料。

49.如权利要求32、33、34或35所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该第一接触层包含选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP及AlGaAs所构成的一组材料中的至少一种材料。

50.如权利要求32、33、34或35所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该第一束缚层包含AlGaInP。

51.如权利要求32、33、34或35所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该发光层包含AlGaInP。

52.如权利要求32、33、34或35所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该第二束缚层包含AlGaInP。

53.如权利要求32、33、34或35所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该第二接触层包含选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP及AlGaAs所构成的一组材料中的至少一种材料。

54.如权利要求32、33、34或35所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中可包含，在该第二接触层之上，第二接线电极之下，形成一透明导电层。

55.如权利要求52所述的具有粘结反射层的发光二极管，其中，该透明导电层包含选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌及氧化锌锡所构成的一组材料中的至少一种材料。