CN1602124A

CN1602124A - 具有复合导电层的发光元件

Info

Publication number: CN1602124A
Application number: CN 03160316
Authority: CN
Inventors: 谢明勋; 曾子峰; 刘文煌; 王伯平
Original assignee: Epistar Corp
Current assignee: Epistar Corp
Priority date: 2003-09-26
Filing date: 2003-09-26
Publication date: 2005-03-30
Anticipated expiration: 2023-09-26
Also published as: CN100472819C

Abstract

本发明提供一种具有复合导电层的发光元件，其包括一发光叠层、一第二透明氧化导电层以及一复合导电层，其中，该复合导电层包括一第一透明氧化导电层以及一金属层，在该复合导电层的金属层与发光叠层之间具有一第二透明氧化导电层，通过该第二透明氧化导电层分别与发光元件及金属层形成良好的欧姆接触，并使得金属层不受融合的影响而能够维持较好的光透射率，并提高发光元件的发光效率。

Description

具有复合导电层的发光元件

技术领域

本发明涉及一种发光元件，特别地涉及一种具有复合导电层的发光元件。

背景技术

发光二极管的应用颇为广泛，例如，可应用于光学显示装置、交通信号灯、信息储存装置、通讯装置、照明装置以及医疗装置。如何提高发光二极管的亮度，是发光二极管制造的重要课题。

在美国专利第5,789,768号(其申请人与本案相同)中，公开了如图1所示的发光二极管结构，此现有技术发光二极管的特征在于接触层15上形成一透明氧化导电层16，自前电极18流出的电流，在透明氧化导电层16中能够均匀分布，另外该透明氧化导电层的透射率可达85％以上，使得由发光层射向该透明氧化导电层的光能够轻易射出；由于透明氧化导电层的电阻值约在20～100Ω/□，在此电阻值操作下，应用于小尺寸发发光元件尚且可行，但是应用于大尺寸的发光元件时就不适用了。

在美国专利第5,563,422号中公开了一种发光二极管结构，其中在一P型接触层上以低温形成一极薄的Ni/Au透明导电层，利用金属的低电阻值，以达到电流分布的效果，从而改善发光二极管的发光特性。然而实际上，以此类材料制成的透明导电层，在经过融合处理后，其透射率仅约50％～70％，因此影响发光二极管的发光效率。

在台湾专利第134,587号中，公开了一种发光元件结构，该元件的表面存在一复合式抗反射层，其中该复合抗反射层是由一导电层，例如Ag，与AlInGaP元件接触，导电层之上有一导电氧化物层，以此来增加电扩散效率；另外该复合式抗反射层也可置于所述发光元件的衬底与发光叠层之间以形成一复合式反射层，该复合式反射层可将射向衬底的光反射出去，以提高发光效率。然而实际上，金属导电层不易与发光元件的各型半导体层形成良好的欧姆接触，由参考资料“现代GaAs加工方法(Modern GaAs ProcessingMethod)”，Williams，Ralph.1990，p219所述可知，Ag、Au或者Ag/Au合金无法与半导体形成良好的欧姆接触，而其它金属导体在经过加热融合后可形成欧姆接触，但其透射率及反射率都大幅度降低，无法达到所述的提高发光效率的目的。另外该专利中提到其导电层Ag是利用蒸镀法直接形成于半导体层上，然而实际上，Ag与半导体的接合力非常差，在蒸镀后很容易剥离，不利于后续工艺进行。

本发明人在思考如何解决所述的缺点时，获得一发明灵感，认为如果通过使用一第二透明氧化导电层，其位于该金属层与发光元件的半导体层之间，该第二透明氧化导电层与发光元件及金属层形成良好的欧姆接触，而金属层不受融合的影响，仍能维持较佳的光透射效率及反射效率，如此可提高发光元件的发光效率。另外，凭借该第二透明氧化导电层来强化发光叠层或衬底与复合导电层之间的接合力，使得发光元件的结构强化，以利于后续工艺的进行。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一具有复合导电层的发光元件，该发光元件包括：一发光叠层；一第二透明氧化导电层；一复合导电层，其中该复合导电层至少包括一第一透明氧化导电层以及一金属层；以及一衬底，由于该第二透明氧化导电层位于该金属层及该发光叠层之间，使得金属层不受融合的影响，仍能维持较好的光透射效率或反射效率。

本发明的另一目的在于利用该第二透明氧化导电层存在于该金属层以及该发光叠层之间，使得该第二透明氧化导电层分别与发光元件及金属层形成良好的欧姆接触。

本发明的又一目的在于利用该第二透明氧化导电层来强化发光叠层或衬底与复合导电层之间的接合力，使得发光元件的结构强化，以利于后续工艺的进行。

本发明提供一种具有复合导电层的发光元件，包括：一衬底；一发光叠层，形成于该衬底之上；一复合导电层，形成于该发光叠层之上，其中该复合导电层至少包括一形成于该发光叠层上的第一透明氧化导电层及一形成于该第一透明氧化导电层上的金属层；一第二透明氧化导电层，形成于该复合导电层之上；以及电极。

本发明还提供一种具有复合导电层的发光元件，包括：一衬底；一复合导电层，形成于该衬底之上，其中该复合导电层至少包括一形成于该衬底上的第一透明氧化导电层及一形成于该第一透明氧化导电层上的金属层；一第二透明氧化导电层，形成于该复合导电层之上；一发光叠层，形成于该第二透明氧化导电层之上；以及电极。

本发明又提供一种具有复合导电层的发光元件，包括：一复合导电层，其中该复合导电层至少包括一第一透明氧化导电层及一形成于该第一透明氧化导电层上的金属层；一第二透明氧化导电层，形成于该复合导电层之上；一衬底，形成于该第二透明氧化导电层之上；一发光叠层，形成于该衬底之上；以及电极。

本发明再提供一种具有复合导电层的发光元件，包括：一第一接线电极；一衬底，形成于该第二接线电极之上；一第一束缚层，形成于该衬底之上；一发光层，形成于该第一束缚层之上；一第二束缚层，形成于该发光层之上；一第一接触层，形成于该第二束缚层之上；一复合导电层，形成于该第一接触层之上，其中该复合导电层至少包括一形成于该第一接触层上的第一透明氧化导电层及一形成于该第一透明氧化导电层上的金属层；一第二透明氧化导电层，形成于该复合导电层之上；以及一第二接线电极，形成于该第二透明氧化导电层之上。

本发明另提供一种具有复合导电层的发光元件，包括：一第一接线电极；一衬底，形成于该第二接线电极之上；一复合导电层，形成于该衬底之上，其中该复合导电层至少包括一形成于该衬底上的第一透明氧化导电层及一形成于该第一透明氧化导电层上的金属层；一第二透明氧化导电层，形成于该复合导电层之上；一第二接触层，形成于该第二透明氧化导电层之上；一第一束缚层，形成于该第二接触层之上；一发光层，形成于该第一束缚层之上；一第二束缚层，形成于该发光层之上；一第一接触层，形成于该第二束缚层之上；以及一第一接线电极，形成于该第二接触层之上。

本发明另提供一种具有复合导电层的发光元件，包括：一金属衬底；一复合导电层，形成于该金属衬底之上，其中该复合导电层至少包括一形成于该金属衬底上的第一透明氧化导电层及一形成于该第一透明氧化导电层上的金属层；一第二透明氧化导电层，形成于该复合导电层之上；一第一束缚层，形成于该第二透明氧化导电层之上；一发光层，形成于该第一束缚层之上；一第二束缚层，形成于该发光层之上；一第一接触层，形成于该第二束缚层之上；一第一接线电极，形成于该第一接触层之上。

本发明另一种具有复合导电层的发光元件，包括：一复合导电层，其中该复合导电层至少包括一第一透明氧化导电层及一形成于该第一透明氧化导电层上的金属层；一第二透明氧化导电层，形成于该复合导电层之上；一绝缘衬底，形成于该第二透明氧化导电层之上；一第二接触层，形成于该绝缘衬底之上，其中，该第二接触层的上表面包括一第一表面区域与一第二表面区域；一第一束缚层，形成于该第一表面区域之上；一发光层，形成于该第一束缚层之上；一第二束缚层，形成于该发光层之上；一第一接触层，形成于该第二束缚层之上；一第二接线电极，形成于该第二表面区域之上；以及一第一接线电极，形成于该第一接触层之上。

根据本发明一优选实施例，具有复合导电层的发光元件包括：一第一电极；形成于该第一接线电极上的一衬底；形成于该衬底上的一第一束缚层；形成于该第一束缚层上的一发光层；形成于该发光层上的一第二束缚层；形成于该第二束缚层上的一第一接触层；形成于该第一接触层上的一复合导电层，其中该复合导电层包括形成于该第一接触层上的一第一透明氧化导电层以及形成于该第一透明氧化导电层上的一金属层；形成于该复合导电层上的一第二透明氧化导电层；以及形成于该第二透明氧化导电层上的一第二接线电极。

所述衬底包括选自于GaP、GaAs、GaAsP、AlGaAs、SiC或Ge所构成的材料族群中的至少一种材料；所述绝缘衬底包括选自于Al₂O₃或玻璃所构成的材料族群中的至少一种材料或其它可替代的材料；所述金属层包括选自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、PbSn或AuZn所构成的材料族群中的至少一种材料；所述第一、第二束缚层包括选自于AlGaInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN或AlInGaN所构成的材料族群中的至少一种材料；所述发光层包括选自于AlGaInP、GaN、InGaN或AlInGaN所构成的材料族群中的至少一种材料；所述第一或第二接触层包括选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN或AlGaN所构成的材料族群中的至少一种材料；所述第一、第二、或第三透明氧化导电层包括选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌及氧化锌锡所构成的材料族群中的至少一种材料。

所述衬底包括选自于GaP、GaAs及Ge所构成的材料组群中的至少一种材料；所述第一束缚层、发光层与第二束缚层包括AlGaInP；所述第一接触层包括选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP及AlGaAs所构成的材料族群中的至少一种材料；所述第一或第二透明导电层包括选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌及氧化锌锡所构成的材料族群中的至少一种材料；所述金属层包括选自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe或AuGe所构成的材料族群中的至少一种材料。

附图说明

图1为一示意图，显示了一基于现有技术的发光二极管的结构；

图2为一示意图，显示了根据本发明一优选实施例的一种具有复合导电层的发光元件；

图3为一示意图，显示了根据本发明另一优选实施例的一种具有复合导电层的发光元件；

图4A～4B显示了在波长400～670nm范围下，改变复合导电层金属层及透明导电氧化层的层数对复合导电层的透射率及反射率的影响；

图5A～5B显示了在波长400～670nm范围下，改变复合导电层金属层及透明导电氧化层的组合厚度对复合导电层的透射率及反射率的影响；以及

图6为一示意图，显示了根据本发明再一优选实施例的一种具有复合导电层的发光元件。

附图标记说明

10 衬底

11 第一束缚层

12 发光层

13 第二束缚层

14 窗户层

15 接触层

16 透明氧化导电层

17 后电极

18 前电极

2 发光元件

20 衬底

22 第一束缚层

23 发光层

24 第二束缚层

25 第一接触层

26 复合导电层

261 第一透明氧化导电层

262 第一金属层

27 第二透明氧化导电层

28 第二接线电极

29 第一接线电极

3 发光元件

30 衬底

301 连接层

31 第二接触层

32 第一束缚层

33 发光层

34 第二束缚层

35 第一接触层

36 复合导电层

361 第一透明氧化导电层

362 第一金属层

363 第二透明氧化导电层

364 第二金属层

37 第三透明氧化导电层

38 第二接线电极

39 第一接线电极

6 发光元件

60 绝缘衬底

61 第二接触层

62 第一束缚层

63 发光层

64 第二束缚层

65 第一接触层

66 复合导电层

661 第一透明氧化导电层

662 第一金属层

663 第二透明氧化导电层

664 第二金属层

665 第三透明氧化导电层

666 第三金属层

67 第四透明氧化导电层

68 第一接线电极

69 第二接线电极

具体实施方式

请参阅图2，根据本发明一优选实施例，具有复合导电层的发光元件2包括：一第一接线电极29；形成于该第一接线电极29上的一衬底20；形成于该衬底20上的一第一束缚层22；形成于该第一束缚层22上的一发光层23；形成于该发光层23上的一第二束缚层24；形成于该第二束缚层24上的一第一接触层25；形成于该第一接触层25上的一复合导电层26，其中该复合导电层26包括形成于该第一接触层25上的一第一透明氧化导电层261以及形成于该第一透明氧化导电层261上的一第一金属层262；形成于该复合导电层上的一第二透明氧化导电层27；以及形成于该第二透明氧化导电层27上的一第二接线电极28。根据本优选实施例的发光元件2，其利用一复合导电层来达到电流分散的目的，其中该复合导电层的透射率可达80％以上，而电阻值仅约3Ω/□，可兼顾透射性良好、低电阻值及调整亮度的目的。

请参阅图3，根据本发明另一优选实施例，具有复合导电层的发光元件3包括：一第一接线电极39；形成于该第一接线电极39上的一衬底30；形成于该衬底30上的一连接层301；形成于该连接层301上的一复合导电层36，其中该复合导电层36包括形成于该连接层301上的一第一透明氧化导电层361，形成于该第一透明氧化导电层361上的一第一金属层362，形成于该第一金属层362上的一第二透明氧化导电层363，形成于该第二透明氧化导电层363上的一第二金属层364；形成于该复合导电层上的一第三透明氧化导电层37；形成于该第三透明氧化导电层37上的一第二接触层31；形成于该第二接触层31上的一第一束缚层32；形成于该第一束缚层32上的一发光层33；形成于该发光层33上的一第二束缚层34；形成于该第二束缚层34上的一第一接触层35；以及形成于该第一接触层35上的一第二接线电极38。本实施例的目的在于利用该复合导电层的多重反射效果，能够将由发光层射向该复合导电层的光，经由反射射出，该复合导电层的电阻值仅约1Ω/□。

所述的第二优选实施例中，该衬底也可以用金属衬底代替，如此便可省略发光元件中的第一接线电极，使得元件结构更简化。

所述的第二优选实施例中，也可于发光元件3的第一接触层及第二接线电极之间形成一第二复合导电层及一第四透明氧化导电层，此结构的电流分散更好，另外分别利用该两组复合导电层的高透射及高反射作用，可适用于大尺寸的发光元件。

请参阅图4A及图4B，显示了在波长400～670nm范围下，改变复合导电层的金属层及透明导电氧化层的层数时，复合导电层的透射率及反射率的变化情形；请参阅图5A及图5B，显示了调整复合导电层的组成厚度时，复合导电层的透射率及反射率的变化情形。由图4A、图4B、图5A及图5B可知，改变复合导电层的层数或组成厚度，即可改变其反射率或透射率，因此可利用此特性来提高发光元件的亮度或者改变其亮度。

请参阅图6，根据本发明再一优选实施例具，有复合导电层的发光元件6包括：一复合导电层66，其中该复合导电层66包括一第一透明氧化导电层661，形成于该第一透明氧化导电层661上的一第一金属层662，形成于该第一金属层662上的一第二透明氧化导电层663，形成于该第二透明氧化导电层663上的一第二金属层664，形成于该第二金属层664上的一第三透明氧化导电层665，形成于该第三透明氧化导电层665上的一第三金属层666；形成于该复合导电层上的一第四透明氧化导电层67；形成于该第四透明氧化导电层67上的一绝缘衬底60；形成于该绝缘衬底60上的一第二接触层61，其中，该第二接触层61的上表面包括一第一表面区域与一第二表面区域；形成于该第一表面区域上的一第一束缚层62；形成于该第一束缚层62上的一发光层63；形成于该发光层63上的一第二束缚层64；形成于该第二束缚层64上的一第一接触层65；形成于该第一接触层上的一第一接线电极68；以及形成于该第二表面区域上的一第二接线电极69。

所述衬底包括选自于GaP、GaAs、GaAsP、AlGaAs、SiC或Ge所构成的材料族群中的至少一种材料；所述绝缘衬底包括选自于Al₂O₃或玻璃所构成的材料族群中的至少一种材料或其它可替代的材料；所述第一、第二或第三金属层包括选自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、PbSn或AuZn所构成的材料族群中的至少一种材料；所述第一束缚层包括选自于AlGaInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN或AlInGaN所构成的材料族群中的至少一种材料；所述发光层包括选自于AlGaInP、GaN、InGaN或AlInGaN所构成的材料族群中的至少一种材料；所述第二束缚层系包括选自于AlGaInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所构成的材料族群中的至少一种材料；所述第一或第二接触层包括选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN或AlGaN所构成的材料族群中的至少一种材料；所述第一、第二、第三或第四透明氧化导电层包括选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌及氧化锌锡所构成的材料族群中的至少一种材料。

虽然本发明的发光二极管已以优选实施例披露如上，然而本发明的保护范围并非限于上述优选实施例，而应当以权利要求书所界定的为准。因此任何本领域技术人员，在不脱离本发明的权利要求范围及精神下，应当可以做出各种改动。

Claims

1.一种具有复合导电层的发光元件，包括：

一衬底；

一发光叠层，形成于该衬底之上；

一复合导电层，形成于该发光叠层之上，其中该复合导电层至少包括一形成于该发光叠层上的第一透明氧化导电层及一形成于该第一透明氧化导电层上的金属层；

一第二透明氧化导电层，形成于该复合导电层之上；以及

电极。

2.一种具有复合导电层的发光元件，包括：

一衬底；

一复合导电层，形成于该衬底之上，其中该复合导电层至少包括一形成于该衬底上的第一透明氧化导电层及一形成于该第一透明氧化导电层上的金属层；

一第二透明氧化导电层，形成于该复合导电层之上；

一发光叠层，形成于该第二透明氧化导电层之上；以及

电极。

3.一种具有复合导电层的发光元件，包括：

一复合导电层，其中该复合导电层至少包括一第一透明氧化导电层及一形成于该第一透明氧化导电层上的金属层；

一第二透明氧化导电层，形成于该复合导电层之上；

一衬底，形成于该第二透明氧化导电层之上；

一发光叠层，形成于该衬底之上；以及

电极。

4.一种具有复合导电层的发光元件，包括：

一第一接线电极；

一衬底，形成于该第二接线电极之上；

一第一束缚层，形成于该衬底之上；

一发光层，形成于该第一束缚层之上；

一第二束缚层，形成于该发光层之上；

一第一接触层，形成于该第二束缚层之上；

一复合导电层，形成于该第一接触层之上，其中该复合导电层至少包括一形成于该第一接触层上的第一透明氧化导电层及一形成于该第一透明氧化导电层上的金属层；

一第二透明氧化导电层，形成于该复合导电层之上；以及

一第二接线电极，形成于该第二透明氧化导电层之上。

5.一种具有复合导电层的发光元件，包括：

一第一接线电极；

一衬底，形成于该第二接线电极之上；

一第二透明氧化导电层，形成于该复合导电层之上；

一第二接触层，形成于该第二透明氧化导电层之上；

一第一束缚层，形成于该第二接触层之上；

一发光层，形成于该第一束缚层之上；

一第二束缚层，形成于该发光层之上；

一第一接触层，形成于该第二束缚层之上；以及

一第二接线电极，形成于该第一接触层之上。

6.一种具有复合导电层的发光元件，包括：

一金属衬底；

一复合导电层，形成于该金属衬底之上，其中该复合导电层至少包括一形成于该金属衬底上的第一透明氧化导电层及一形成于该第一透明氧化导电层上的金属层；

一第二透明氧化导电层，形成于该复合导电层之上；

一第一束缚层，形成于该第二透明氧化导电层之上；

一发光层，形成于该第一束缚层之上；

一第二束缚层，形成于该发光层之上；

一第一接触层，形成于该第二束缚层之上；

一第一接线电极，形成于该第一接触层之上。

7.一种具有复合导电层的发光元件，包括：

一第二透明氧化导电层，形成于该复合导电层之上；

一绝缘衬底，形成于该第二透明氧化导电层之上；

一第二接触层，形成于该绝缘衬底之上，其中，该第二接触层的上表面包括一第一表面区域与一第二表面区域；

一第一束缚层，形成于该第一表面区域之上；

一发光层，形成于该第一束缚层之上；

一第二束缚层，形成于该发光层之上；

一第一接触层，形成于该第二束缚层之上；

一第二接线电极，形成于该第二表面区域之上；以及

一第一接线电极，形成于该第一接触层之上。

8.如权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的具有复合导电层的发光元件，其中，该复合导电层中的金属层可具有透光性或不透光性。

9.如权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的具有复合导电层的发光元件，其中，于该复合导电层之上可形成多组复合导电层。

10.如权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的具有复合导电层的发光元件，其中，该复合导电层的组合厚度可调整。

11.如权利要求1所述的具有复合导电层的发光元件，其中，于该衬底之上，在形成该发光叠层之前分别依序形成一复合导电层以及一第三透明氧化导电层。

12.如权利要求4所述的具有复合导电层的发光元件，其中，于该衬底之上，在形成该第一束缚层之前分别依序形成一复合导电层以及一第三透明氧化导电层。

13.如权利要求2或3所述的具有复合导电层的发光元件，其中，于该发光叠层之上分别依序形成一复合导电层以及一第三透明氧化导电层。

14.如权利要求5、6或7所述的具有复合导电层的发光元件，其中，于该第一接触层之上，在形成该第一接线电极之前分别依序形成一复合导电层以及一第三透明氧化导电层。

15.如权利要求2所述的具有复合导电层的发光元件，其中，于该衬底之上，在形成该复合导电层之前形成一连接层。

16.如权利要求6所述的具有复合导电层的发光元件，其中，于该金属衬底之上，在形成该复合导电层之前形成一连接层。

17.如权利要求15所述的具有复合导电层的发光元件，其中，于该发光叠层之上分别依序形成一复合导电层以及一第三透明氧化导电层。

18.如权利要求16所述的具有复合导电层的发光元件，其中，于该第一接触层之上，在形成该第一接线电极之前分别依序形成一复合导电层以及一第三透明氧化导电层。

19.如权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的具有复合导电层的发光元件，其中，该第一透明氧化导电层包括选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌及氧化锌锡所构成的材料族群中的至少一种材料。

20.如权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的具有复合导电层的发光元件，其中，该第二透明氧化导电层包括选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌及氧化锌锡所构成的材料族群中的至少一种材料。

21.如权利要求11、12、13、14、17或18所述的具有复合导电层的发光元件，其中，该第三透明氧化导电层包括选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌及氧化锌锡所构成的材料族群中的至少一种材料。

22.如权利要求1、4或5所述的具有复合导电层的发光元件，其中，该衬底包括选自于GaP、GaAs、GaAsP、AlGaAs、SiC或Ge所构成的材料族群中的至少一种材料或其它可替代的材料。

23.如权利要求2项所述的具有复合导电层的发光元件，其中，该衬底包括选自于Si、GaAs、SiC、Al₂O₃、玻璃、石英、GaP、GaAsP、AlGaAs或金属所构成的材料族群中的至少一种材料或其它可替代的材料。

24.如权利要求3或7所述的具有复合导电层的发光元件，其中，该衬底包括选自于Al₂O₃、玻璃或石英所构成的材料族群中的至少一种材料或其它可替代的材料。

25.如权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的具有复合导电层的发光元件，其中，该金属层包括选自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、PbSn或AuZn所构成的材料族群中的至少一种材料或其它可替代的材料。

26.如权利要求4、5、6或7所述的具有复合导电层的发光元件，其中，该第一束缚层包括选自于AlGaInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN或AlInGaN所构成的材料族群中的至少一种材料或其它可替代的材料。

27.如权利要求4、5、6或7所述的具有复合导电层的发光元件，其中，该发光层包括选自于AlGaInP、GaN、InGaN或AlInGaN所构成的材料族群中的至少一种材料或其它可替代的材料。

28.如权利要求4、5、6或7所述的具有复合导电层的发光元件，其中，该第二束缚层包括选自于AlGaInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所构成的材料族群中的至少一种材料或其它可替代的材料。

29.如权利要求4、5、6或7所述的具有复合导电层的发光元件，其中，该第一接触层包括选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN或AlGaN所构成的材料族群中的至少一种材料。

30.如权利要求5或7所述的具有复合导电层的发光元件，其中，该第二接触层包括选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN或AlGaN所构成的材料族群中的至少一种材料。