CN1728409A - 具有黏结层的发光元件阵列 - Google Patents
具有黏结层的发光元件阵列 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1728409A CN1728409A CNA2004100589900A CN200410058990A CN1728409A CN 1728409 A CN1728409 A CN 1728409A CN A2004100589900 A CNA2004100589900 A CN A2004100589900A CN 200410058990 A CN200410058990 A CN 200410058990A CN 1728409 A CN1728409 A CN 1728409A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gluing layer
- light
- emitting device
- device array
- lamination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims abstract description 133
- 238000003491 array Methods 0.000 claims abstract 6
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 127
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 74
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 12
- 230000002262 irrigation Effects 0.000 claims description 9
- 238000003973 irrigation Methods 0.000 claims description 9
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- ANVRDUDUNKHRMI-UHFFFAOYSA-N C1CCC1.[F] Chemical compound C1CCC1.[F] ANVRDUDUNKHRMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910020658 PbSn Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 101150071746 Pbsn gene Proteins 0.000 claims description 4
- CSBHIHQQSASAFO-UHFFFAOYSA-N [Cd].[Sn] Chemical compound [Cd].[Sn] CSBHIHQQSASAFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N antimony tin Chemical compound [Sn].[Sb] GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims 7
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
一种具有黏结层的发光元件阵列，其藉由芯片接合技术，将一发光叠层以一黏结层接合于一基板上，再以蚀刻或其它分割方式，将发光叠层分割成多个发光阵列，再经由串联电性接合，使得该串联阵列可在较高的电压下操作，如此将可简化电源供应系统。该发光元件阵列至少包括：基板；形成于基板之上的黏结层；以及多个具有P、N电极共平面的磊晶发光叠层，分布形成于该黏结层之上，其中该多个具有P、N电极共平面的磊晶发光叠层之间电极电性相连。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光元件阵列，尤其关于一种具有黏结层的发光元件阵列。
发光元件的应用颇为广泛，例如，可应用于光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置。如何提高发光二极管的亮度，是发光二极管制造上的重要课题。
背景技术
美国专利第6,547,249号公开一种发光二极管结构，其在一绝缘基板上成长III-V族氮化物发光叠层后，再经由蚀刻部分叠层形成沟渠，分割成发光二极管阵列，由于其基板不导电，因此p、n电极皆形成于发光二极管的同一面，该阵列可依不同的需求串联或并联使用。但是对于四元的AlInGaP发光二极管所用的基板为导电基板来说并不适用，由于四元的发光二极管阵列的p、n电极分别位于不同侧，因此无法运用串联或同时串并联使用。另外由于上述专利的发光二极管基板仅适用于绝缘基板，因此当发光二极管阵列越大，工作电压也更大，发光二极管所产生的热便不易排除，因此散热也是一项严重的问题。
发明内容
本案发明人于思考如何解决前述的缺点时，获得一发明灵感，认为若藉使用一绝缘黏结层黏结前述的基板层与发光叠层，由于该绝缘黏结层具有高电阻，因此基板及发光叠层之间并不导通，如此发光叠层材料便不限于氮化物材料，四元材料亦可适用；另外由于基板及发光叠层之间不导通，因此基板便不仅限于绝缘或高电阻基板，导电基板亦可适用，另外使用具有高热传系数的基板即可解决发光二极管阵列传热不佳的问题。
依本发明一优选实施例一种具有黏结层的发光元件阵列，包含一基板、形成于该基板上的一反射层、形成于该反射层上的一绝缘透明黏结层、形成于该绝缘透明黏结层上的一透明导电层、形成于该透明导电层上的一第一导电性半导体叠层、形成于该第一导电性半导体叠层上的一发光层、形成于该发光层上的一第二导电性半导体叠层；将该透明导电层、第一导电性半导体叠层、发光层、第二导电性半导体叠层、绝缘透明黏结层部分蚀刻而形成一沟渠，形成共享一基板的第一及第二发光二极管；最后再分别将第一及第二发光二极管适当地蚀刻至该透明导电层，形成一透明导电层暴露表面区；分别于该第一及第二发光二极管周围形成一绝缘层，以达到电性隔离；形成于该第二导电性半导体叠层上的一第一电极；形成于该透明导电层暴露表面区上的一第二电极；以及将该第一发光二极管的第一电极与第二发光二极管的第二电极电性相连的导线。
前述基板，包含选自于GaP、GaAs、Ge、Si、SiC、Al2O3、玻璃、石英、GaAsP、AlN、金属及AlGaAs所构成材料组群中的至少一种材料；前述绝缘透明黏结层包含选自于聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烷(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)及旋涂玻璃所构成材料组群中的至少一种材料；前述反射层包含选自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn、AuZn及氧化铟锡所构成材料组群中的至少一种材料；前述第一半导体叠层，包含选自AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所构成材料组群中的至少一种材料；前述发光层，包含选自AlGaInP、GaN、InGaN及AlInGaN所构成材料组群中的至少一种材料；前述第二半导体叠层，包含选自AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所构成材料组群中的至少一种材料；前述透明导电层包含选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌及氧化锌锡所构成材料组群中的至少一种材料；前述绝缘层包含选自于SiO2及SiNx所构成材料组群中的至少一种材料。
依本发明一优选实施例一种具有黏结层的发光元件阵列，至少包含：一基板；一黏结层，形成于该基板之上，其中该黏结层的上表面包含多个黏结区域；一第一个发光叠层，形成于该黏结层上表面的第一黏结区域，其中该第一个发光叠层的上表面包含一第一个第一导电性电极区域，及一第一个第二导电性电极区域；形成于该第一个第一导电性电极区域上的一第一个第一导电性电极；形成于该第一个第二导电性电极区域上的一第一个第二导电性电极；一第二个发光叠层，形成于该黏结层上表面的第二黏结区域，其中该第二个发光叠层的上表面包含一第二个第一导电性电极区域，及一第二个第二导电性电极区域；形成于该第二个第一导电性电极区域上的一第二个第一导电性电极；形成于该第二个第二导电性电极区域上的一第二个第二导电性电极；一第一连接导线将该第一个发光叠层的一电极及该第二个发光叠层的一电极电性相连。
在一实施例中，该第一导电性的电性为n型，该第二导电性的电性为p型。
在一实施例中，该第一个发光叠层包括：一第一个第一导电性半导体叠层；形成于该第一个第一导电性半导体叠层上的一第一个发光层；形成于该第一个发光层上的一第一个第二导电性半导体叠层。该第二个发光叠层包括：一第二个第一导电性半导体叠层；形成于该第二个第一导电性半导体叠层上的一第二个发光层；形成于该第二个发光层上的一第二个第二导电性半导体叠层。于该第一个发光叠层与该第二个发光叠层之间还包括一绝缘区域以区隔该第一个发光叠层与该第二个发光叠层。还包括于该基板及该黏结层之间形成一反射层。还包括于该黏结层及该第一个发光叠层之间形成一反射层。还包括于该黏结层及该第二个发光叠层之间形成一反射层。
在一实施例中，该黏结层是一金属黏结层。还包括于该金属黏结层及该第一个发光叠层之间、金属黏结层及该第二个发光叠层之间形成一绝缘层。在一实施例中，还包括于该金属黏结层及该基板之间形成一绝缘层。
还包括在该第一个第一导电性半导体叠层之下、黏结层之上形成一透明导电层。在一实施例中，还包括在该第二个第一导电性半导体叠层之下、黏结层之上形成一透明导电层。
该绝缘区域以一沟渠所构成。在一实施例中，该绝缘区域以一离子注入区域所构成。
发光元件阵列还包括：一第三个发光叠层，形成于该黏结层上表面的第三黏结区域，其中该第三个发光叠层的上表面包含一第三个第一导电性电极区域，及一第三个第二导电性电极区域；形成于该第三个第一导电性电极区域上的一第三个第一导电性电极；形成于该第三个第二导电性电极区域上的一第三个第二导电性电极；一第四个发光叠层，形成于该黏结层上表面的第四黏结区域，其中该第四个发光叠层的上表面包含一第四个第一导电性电极区域，及一第四个第二导电性电极区域；形成于该第四个第一导电性电极区域上的一第四个第一导电性电极；形成于该第四个第二导电性电极区域上的一第四个第二导电性电极；一第二连接导线将该第一个第一导电性电极及该第三个第二导电性电极电性相连；一第三连接导线将该第二个第一导电性电极及该第四个第二导电性电极电性相连；以及一第四连接导线将该第三个第一导电性电极及该第四个第一导电性电极电性相连，其中该第一连接导线将该第一个第二导电性电极及该第二个第二导电性电极电性相连。
于该第二个发光叠层与该第三个发光叠层之间还包括一绝缘区域以区隔该第二个发光叠层与该第三个发光叠层。在一实施例中，于该第三个发光叠层与该第四个发光叠层之间还包括一绝缘区域以区隔该第三个发光叠层与该第四个发光叠层。该绝缘区域以一沟渠所构成。在一实施例中，该绝缘区域以一离子注入区域所构成。
该第三个发光叠层包括：一第三个第一导电性半导体叠层；形成于该第三个第一导电性半导体叠层上的一第三个发光层；形成于该第三个发光层上的一第三个第二导电性半导体叠层。该第四个发光叠层包括：一第四个第一导电性半导体叠层；形成于该第四个第一导电性半导体叠层上的一第四个发光层；形成于该第四个发光层上的一第四个第二导电性半导体叠层。
还包括于该基板及该黏结层之间形成一反射层。在一实施例中，还包括于该黏结层及该第三个发光叠层之间形成一反射层。在一实施例中，还包括于该黏结层及该第四个发光叠层之间形成一反射层。
还包括在该第三个第二导电性半导体叠层之下、黏结层之上形成一透明导电层。在一实施例中，还包括在该第四个第二导电性半导体叠层之下、黏结层之上形成一透明导电层。
附图说明
图1为一示意图，显示依本发明一优选实施例的一种具有黏结层的发光元件阵列；
图2为一示意图，显示本发明发光元件阵列串联状态的上视图；
图3为一示意图，显示本发明串联状态的等效电路图；
图4为一示意图，显示本发明发光元件阵列串、并联状态的上视图；
图5为一示意图，显示本发明串、并联状态的等效电路图。
附图标记说明
1a 第一发光二极管 1b 第二发光二极管
10 基板 11 反射层
12 黏结层 13 透明导电层
14 第一导电性半导体叠层 15 发光层
16 第二导电性半导体叠层 17 绝缘层
18 第一电极 19 第二电极
20 导线
具体实施方式
请参阅图1，依本发明一优选实施例一种具有黏结层的发光元件阵列，包含一基板10、形成于该基板10上的一反射层11、形成于该反射层11上的一绝缘透明黏结层12、形成于该绝缘透明黏结层12上的一透明导电层13、形成于该透明导电层13上的一第一导电性半导体叠层14、形成于该第一导电性半导体叠层14上的一发光层15、形成于该发光层15上的一第二导电性半导体叠层16；将该透明导电层13、第一导电性半导体叠层14、发光层15、第二导电性半导体叠层16、绝缘透明黏结层12部分蚀刻而形成一沟渠，形成共享一基板的第一发光二极管1a及第二发光二极管1b；最后再分别将第一及第二发光二极管适当地蚀刻至该透明导电层13，形成一透明导电层暴露表面区；分别于该第一及第二发光二极管周围形成一绝缘层17，以达到电性隔离；形成于该第二导电性半导体叠层上的一第一电极18；形成于该透明导电层暴露表面区上的一第二电极19；以及将该第一发光二极管的第二电极与第二发光二极管的第一电极电性相连的导线20。
图2为本发明发光元件阵列串联状态的上视图，图3为图2的等效电路图。图4为本发明发光元件阵列串、并联状态的上视图，图5为图4的等效电路图。
前述的反射层亦可形成于透明导电层与黏结层之间，其目的在于反射射向基板的光线，以提高亮度，亦可移除，并不影响实施。
另外前述的绝缘透明黏结层的目的在于电性隔绝发光二极管及该基板，为了达到此目的，亦可以如金属或焊料等导电黏结层取代之，仅需于基板与导电黏结层之间或者导电黏结层与透明导电层之间加上一绝缘层来作为电流隔绝的功能，使得该发光二极管及该基板之间达到电性隔绝。
前述的第一发光二极管及第二发光二极管绝缘层电性绝缘的方法在于两发光二极管之间形成一沟渠，再覆盖上一绝缘层，除上述的绝缘方法之外，亦可于两发光二极管之间利用离子注入的方式，形成一离子注入区域，来达到电性绝缘的目的。
前述基板，包含选自于GaP、GaAs、Ge、Si、SiC、Al2O3、玻璃、石英、GaAsP、AlN、金属及AlGaAs所构成材料组群中的至少一种材料；前述绝缘透明黏结层包含选自于聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烷(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)及旋涂玻璃所构成材料组群中的至少一种材料；前述反射层包含选自于In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn、AuZn及氧化铟锡所构成材料组群中的至少一种材料；前述第一半导体叠层，包含选自AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所构成材料组群中的至少一种材料；前述发光层，包含选自AlGaInP、GaN、InGaN及AlInGaN所构成材料组群中的至少一种材料；前述第二半导体叠层，包含选自AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所构成材料组群中的至少一种材料；前述透明导电层包含选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌及氧化锌锡所构成材料组群中的至少一种材料；前述绝缘层包含选自于SiO2及SiNx所构成材料组群中的至少一种材料。
虽然本发明的发光二极管已结合优选实施例披露于上，然而本发明的范围并不限于上述优选实施例，例如以直接键合或金属键合等技术取代上述黏结层的软质黏结技术，因此应以所附权利要求所界定的为准。因此任何本领域内的技术人员，在不脱离本发明的权利要求及精神下，当可做任何改变。
Claims (52)
1.一种具有黏结层的发光元件阵列，至少包括：
一基板；
一黏结层，形成于该基板之上；以及
多个具有P、N电极共平面的磊晶发光叠层，分布形成于该黏结层之上，其中该多个具有P、N电极共平面的磊晶发光叠层之间电极电性相连。
2.如权利要求1所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该磊晶发光叠层包括：
一第一导电性半导体叠层；
形成于该第一导电性半导体叠层上的一发光层；
形成于该发光层上的一第二导电性半导体叠层。
3.如权利要求1所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，于该多个具有P、N电极共平面的磊晶发光叠层之间还分别包含一绝缘区域以区隔该多个具有P、N电极共平面的磊晶发光叠层。
4.如权利要求1所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，还包括于该基板及该黏结层之间形成一反射层。
5.如权利要求2所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，还包括于该黏结层及该多个具有P、N电极共平面的磊晶发光叠层之间形成一反射层。
6.如权利要求4或5所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该反射层包含选自Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn、AuZn及氧化铟锡所构成材料组群中的至少一种材料或其它可代替的材料。
7.如权利要求1所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该基板包含选自Si、GaAs、SiC、Al2O3、玻璃、石英、GaP、GaAsP、AlGaAs、AlN及金属所构成材料组群中的至少一种材料或其它可代替的材料。
8.如权利要求1所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该黏结层包含选自于聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烷(BCB)及过氟环丁烷(PFCB)所构成材料组群中的至少一种材料或其它可代替的材料。
9.如权利要求1所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该黏结层是一金属黏结层。
10.如权利要求9所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，还包括于该金属黏结层及该多个具有P、N电极共平面的磊晶发光叠层之间形成一绝缘层。
11.如权利要求9所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，还包括于该金属黏结层及该基板之间形成一绝缘层。
12.一种具有黏结层的发光元件阵列，至少包含：
一基板；
一黏结层，形成于该基板之上，其中该黏结层的上表面包含多个黏结区域；
一第一个发光叠层，形成于该黏结层上表面的第一黏结区域，其中该第一个发光叠层的上表面包含一第一个第一导电性电极区域，及一第一个第二导电性电极区域；
形成于该第一个第一导电性电极区域上的一第一个第一导电性电极；
形成于该第一个第二导电性电极区域上的一第一个第二导电性电极；
一第二个发光叠层，形成于该黏结层上表面的第二黏结区域，其中该第二个发光叠层的上表面包含一第二个第一导电性电极区域，及一第二个第二导电性电极区域；
形成于该第二个第一导电性电极区域上的一第二个第一导电性电极；
形成于该第二个第二导电性电极区域上的一第二个第二导电性电极；
一第一连接导线将该第一个发光叠层的一电极及该第二个发光叠层的一电极电性相连。
13.如权利要求12所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该第一导电性的电性为n型，该第二导电性的电性为p型。
14.如权利要求12所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该第一个发光叠层包括：
一第一个第一导电性半导体叠层；
形成于该第一个第一导电性半导体叠层上的一第一个发光层；
形成于该第一个发光层上的一第一个第二导电性半导体叠层。
15.如权利要求12所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该第二个发光叠层包括：
一第二个第一导电性半导体叠层；
形成于该第二个第一导电性半导体叠层上的一第二个发光层；
形成于该第二个发光层上的一第二个第二导电性半导体叠层。
16.如权利要求12所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，于该第一个发光叠层与该第二个发光叠层之间还包括一绝缘区域以区隔该第一个发光叠层与该第二个发光叠层。
17.如权利要求12所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，还包括于该基板及该黏结层之间形成一反射层。
18.如权利要求12所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，还包括于该黏结层及该第一个发光叠层之间形成一反射层。
19.如权利要求12所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，还包括于该黏结层及该第二个发光叠层之间形成一反射层。
20.如权利要求17、18或19所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该反射层包含选自Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn、AuZn及氧化铟锡所构成材料组群中的至少一种材料或其它可代替的材料。
21.如权利要求12所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该基板包含选自Si、GaAs、SiC、Al2O3、玻璃、石英、GaP、GaAsP、AlGaAs、AlN及金属所构成材料组群中的至少一种材料或其它可代替的材料。
22.如权利要求12所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该黏结层包含选自于聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烷(BCB)及过氟环丁烷(PFCB)所构成材料组群中的至少一种材料或其它可代替的材料。
23.如权利要求12所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该黏结层是一金属黏结层。
24.如权利要求23所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，还包括于该金属黏结层及该第一个发光叠层之间、金属黏结层及该第二个发光叠层之间形成一绝缘层。
25.如权利要求23所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，还包括于该金属黏结层及该基板之间形成一绝缘层。
26.如权利要求14所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中该第一个第一导电性半导体叠层包含选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN、AlGaN及ZnSe所构成材料组群中的至少一种材料或其它可替代的材料。
27.如权利要求14所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中该第一个第二导电性半导体叠层包含选自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN、AlGaN及ZnSe所构成材料组群中的至少一种材料或其它可替代的材料。
28.如权利要求14所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中该第一个发光层包含选自于AlGaInP、GaN、InGaN、AlInGaN及ZnSe所构成材料组群中的至少一种材料或其它可替代的材料。
29.如权利要求15所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中该第二个发光层包含选自于AlGaInP、GaN、InGaN、AlInGaN及ZnSe所构成材料组群中的至少一种材料或其它可替代的材料。
30.如权利要求15所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中该第二个第一导电性半导体叠层包含选自于AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN及ZnSe所构成材料组群中的至少一种材料或其它可替代的材料。
31.如权利要求14或15所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中该第二个第二导电性半导体叠层包含选自于AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN及ZnSe所构成材料组群中的至少一种材料或其它可替代的材料。
32.如权利要求14所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中还包括在该第一个第一导电性半导体叠层之下、黏结层之上形成一透明导电层。
33.如权利要求15所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中还包括在该第二个第一导电性半导体叠层之下、黏结层之上形成一透明导电层。
34.如权利要求32所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该透明导电层包含选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌及氧化锌锡所构成材料组群中的至少一种材料。
35.如权利要求33所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该透明导电层包含选自于氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌及氧化锌锡所构成材料组群中的至少一种材料。
36.如权利要求16所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该绝缘区域以一沟渠所构成。
37.如权利要求16所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该绝缘区域以一离子注入区域所构成。
38.如权利要求12所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中还包括：
一第三个发光叠层，形成于该黏结层上表面的第三黏结区域，其中该第三个发光叠层的上表面包含一第三个第一导电性电极区域，及一第三个第二导电性电极区域；
形成于该第三个第一导电性电极区域上的一第三个第一导电性电极；
形成于该第三个第二导电性电极区域上的一第三个第二导电性电极；
一第四个发光叠层，形成于该黏结层上表面的第四黏结区域，其中该第四个发光叠层的上表面包含一第四个第一导电性电极区域，及一第四个第二导电性电极区域；
形成于该第四个第一导电性电极区域上的一第四个第一导电性电极；
形成于该第四个第二导电性电极区域上的一第四个第二导电性电极；
一第二连接导线将该第一个第一导电性电极及该第三个第二导电性电极电性相连；
一第三连接导线将该第二个第一导电性电极及该第四个第二导电性电极电性相连；以及
一第四连接导线将该第三个第一导电性电极及该第四个第一导电性电极电性相连，其中该第一连接导线将该第一个第二导电性电极及该第二个第二导电性电极电性相连。
39.如权利要求38所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，于该第二个发光叠层与该第三个发光叠层之间还包括一绝缘区域以区隔该第二个发光叠层与该第三个发光叠层。
40.如权利要求38所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，于该第三个发光叠层与该第四个发光叠层之间还包括一绝缘区域以区隔该第三个发光叠层与该第四个发光叠层。
41.如权利要求39所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该绝缘区域以一沟渠所构成。
42.如权利要求39所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该绝缘区域以一离子注入区域所构成。
43.如权利要求40所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该绝缘区域以一沟渠所构成。
44.如权利要求40所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该绝缘区域以一离子注入区域所构成。
45.如权利要求38所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该第一导电性的电性为n型，该第二导电性的电性为p型。
46.如权利要求38所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该第三个发光叠层包括：
一第三个第一导电性半导体叠层；
形成于该第三个第一导电性半导体叠层上的一第三个发光层；
形成于该第三个发光层上的一第三个第二导电性半导体叠层。
47.如权利要求38所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，该第四个发光叠层包括：
一第四个第一导电性半导体叠层；
形成于该第四个第一导电性半导体叠层上的一第四个发光层；
形成于该第四个发光层上的一第四个第二导电性半导体叠层。
48.如权利要求38所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，还包括于该基板及该黏结层之间形成一反射层。
49.如权利要求38所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，还包括于该黏结层及该第三个发光叠层之间形成一反射层。
50.如权利要求38所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中，还包括于该黏结层及该第四个发光叠层之间形成一反射层。
51.如权利要求46所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中还包括在该第三个第二导电性半导体叠层之下、黏结层之上形成一透明导电层。
52.如权利要求47所述的一种具有黏结层的发光元件阵列，其中还包括在该第四个第二导电性半导体叠层之下、黏结层之上形成一透明导电层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2004100589900A CN100364120C (zh) | 2004-07-29 | 2004-07-29 | 具有黏结层的发光元件阵列 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2004100589900A CN100364120C (zh) | 2004-07-29 | 2004-07-29 | 具有黏结层的发光元件阵列 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1728409A true CN1728409A (zh) | 2006-02-01 |
| CN100364120C CN100364120C (zh) | 2008-01-23 |
Family
ID=35927534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2004100589900A Expired - Lifetime CN100364120C (zh) | 2004-07-29 | 2004-07-29 | 具有黏结层的发光元件阵列 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100364120C (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008052459A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-08 | Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Co. Ltd | Light emitting diode matrix |
| CN102201399A (zh) * | 2010-03-22 | 2011-09-28 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
| CN102569330A (zh) * | 2010-12-27 | 2012-07-11 | 同方光电科技有限公司 | 一种带静电保护的发光二极管及其制备方法 |
| CN103474446A (zh) * | 2010-01-15 | 2013-12-25 | 晶元光电股份有限公司 | 发光二极管阵列结构及其制造方法 |
| CN104134724A (zh) * | 2014-08-21 | 2014-11-05 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 高压led芯片及其制备方法 |
| US8987017B2 (en) | 2009-07-07 | 2015-03-24 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
| CN109817780A (zh) * | 2019-02-02 | 2019-05-28 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种高压led芯片结构及其制作方法 |
| CN110491895A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-11-22 | 北京工业大学 | NP电极共平面倒装Micro-LED微显示阵列及制作方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6547249B2 (en) * | 2001-03-29 | 2003-04-15 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates |
| TW543211B (en) * | 2002-07-08 | 2003-07-21 | Epistar Corp | Manufacturing method of LED having transparent conduction adhesion layer |
| TW567618B (en) * | 2002-07-15 | 2003-12-21 | Epistar Corp | Light emitting diode with adhesive reflection layer and manufacturing method thereof |
-
2004
- 2004-07-29 CN CNB2004100589900A patent/CN100364120C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008052459A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-08 | Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Co. Ltd | Light emitting diode matrix |
| US8987017B2 (en) | 2009-07-07 | 2015-03-24 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
| CN103474446A (zh) * | 2010-01-15 | 2013-12-25 | 晶元光电股份有限公司 | 发光二极管阵列结构及其制造方法 |
| CN103474446B (zh) * | 2010-01-15 | 2017-03-01 | 晶元光电股份有限公司 | 发光二极管阵列结构及其制造方法 |
| CN102201399A (zh) * | 2010-03-22 | 2011-09-28 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
| CN102201399B (zh) * | 2010-03-22 | 2016-04-13 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
| CN102569330A (zh) * | 2010-12-27 | 2012-07-11 | 同方光电科技有限公司 | 一种带静电保护的发光二极管及其制备方法 |
| CN104134724A (zh) * | 2014-08-21 | 2014-11-05 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 高压led芯片及其制备方法 |
| CN109817780A (zh) * | 2019-02-02 | 2019-05-28 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种高压led芯片结构及其制作方法 |
| CN110491895A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-11-22 | 北京工业大学 | NP电极共平面倒装Micro-LED微显示阵列及制作方法 |
| CN110491895B (zh) * | 2019-07-23 | 2022-05-17 | 北京工业大学 | NP电极共平面倒装Micro-LED微显示阵列及制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100364120C (zh) | 2008-01-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8643054B2 (en) | Light-emitting device | |
| CN100362671C (zh) | 固态元件和固态元件装置 | |
| TWI324400B (en) | High-brightness light emitting diode having reflective layer | |
| TWI249148B (en) | Light-emitting device array having binding layer | |
| US8785958B2 (en) | Light emitting element | |
| US8188505B2 (en) | Light-emitting device | |
| CN101515595A (zh) | 安装发光装置的封装 | |
| JPH11191641A (ja) | 半導体発光素子とこれを用いた半導体発光装置及びその製造方法 | |
| US20060006524A1 (en) | Light emitting diode having an adhesive layer formed with heat paths | |
| CN1159774C (zh) | 具有反向隧穿层的发光二极管 | |
| CN1788357A (zh) | 具有一个有源区域以及耦合到其相对表面的电接触件的发光装置及其制作方法 | |
| CN104300055A (zh) | 发光元件 | |
| CN1134849C (zh) | 发光二极管 | |
| CN1728409A (zh) | 具有黏结层的发光元件阵列 | |
| CN1734797A (zh) | 具有热通道黏结层的发光二极管 | |
| CN102244173B (zh) | 发光元件及其制造方法 | |
| CN100544046C (zh) | 固态元件装置 | |
| CN100472819C (zh) | 具有复合导电层的发光元件 | |
| CN1134848C (zh) | 发光二极管 | |
| CN104576870A (zh) | 发光元件 | |
| CN102354722B (zh) | 高功率发光装置 | |
| CN102201427B (zh) | 发光元件 | |
| CN1674306A (zh) | 高发光效率的氮化物发光元件 | |
| CN100350643C (zh) | 具有欧姆金属凸块的有机粘结发光元件 | |
| CN117913197A (zh) | 一种发光二极管阵列、阵列基板以及制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20060201 Assignee: FOSHAN ELECTRICAL AND LIGHTING Co.,Ltd. Assignor: EPISTAR Corp. Contract record no.: 2016990000174 Denomination of invention: Array of luminous element with stick layer Granted publication date: 20080123 License type: Common License Record date: 20160503 |
|
| LICC | Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20080123 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |