JPH11191641A - 半導体発光素子とこれを用いた半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体発光素子とこれを用いた半導体発光装置及びその製造方法

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JPH11191641A JP28762398A JP28762398A JPH11191641A JP H11191641 A JPH11191641 A JP H11191641A JP 28762398 A JP28762398 A JP 28762398A JP 28762398 A JP28762398 A JP 28762398A JP H11191641 A JPH11191641 A JP H11191641A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光層からｐ側電極に向かう光を高い反射効
率で光取り出し面側に反射させて高い発光効率が得られ
るフリップチップ型の半導体発光素子の提供。 【解決手段】 透明のサファイア基板１ａの上にｎ型層
及びｐ型層の半導体積層膜を形成し、基板１ａと対向す
る同一側の面にｎ側電極２及びｐ側電極３を備え、ｐ側
電極３を、ｐ側半導体積層膜にオーミック接続可能な金
属材料によるオーミック層３ａと、これに積層された銀
白色系の反射率の高いたとえばＡｌやＡｇ及びＺｎ等の
金属材料による反射層３ｂの積層体とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば青色発光
ダイオード等の光デバイスに利用される窒化ガリウム系
化合物を利用したフリップチップ型の半導体発光装置に
係り、特にＰ側電極からの反射光を効率よく回収して光
取り出し面から発光させるようにした半導体発光素子と
半導体発光装置及びその装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ，ＧａＡｌＮ，ＩｎＧａＮ及びＩ
ｎＡｌＧａＮ等のＧａＮ系化合物半導体は、可視光発光
デバイスや高温動作電子デバイス用の半導体材料として
多用されるようになり、青色及び緑色の発光ダイオード
の分野での展開が進んでいる。
【０００３】このＧａＮ系化合物の半導体の製造では、
その表面において半導体膜を成長させるための結晶基板
として、一般的には絶縁性のサファイアが利用される。
このサファイアのような絶縁性の結晶基板を用いる場合
では、結晶基板側から電極を出すことができないので、
半導体層に設けるｐ，ｎの電極は結晶基板と対向する側
の一面に形成されることになる。
【０００４】図８に従来のＧａＮ系半導体発光素子の概
略斜視図を示す。ＧａＮ系半導体発光素子５０は、絶縁
性の基板としてサファイア基板５０ａを用いてその上に
ｎ型層５１とｐ型層５２を形成し、ｐ型層５２の一部を
エッチングしてｎ型層５１を露出したものである。そし
て、ｎ型層５１にはボンディングのためのｎ側電極５１
ａを形成し、ｐ型層５２は発光域となるためその上面の
ほぼ全体に透明電極５２ａを形成すると共にその一部に
ボンディングのためのｐ側電極５２ｂを設けるというの
が基本的な構成である。
【０００５】ここで、透明電極５２ａはＮｉとＡｕの積
層膜またはＣｏとＡｕの積層膜としたものであり、ｐ側
電極５２ｂも同様の組み合わせの積層膜によって形成さ
れたものが殆どである。また、ｎ側電極５１ａはＴｉと
Ａｕの積層膜またはＶとＡｌとの積層膜としたものが一
般に利用されている。
【０００６】透明電極５２ａ，ｐ側電極５２ｂ及びｎ側
電極５１ａのそれぞれの材料は、ＧａＮ系にオーミック
接続できる条件を満たすことを大前提として選択された
ものである。すなわち、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｔｉ及びＶが素子
側に対してオーミック接続するのに好適な電極材料であ
り、Ａｕは酸化され難いのでボンディング性の向上が図
れるという理由で利用されている。
【０００７】このような半導体発光素子５０では、ｎ型
層５１とｐ型層５２との間のｐ−ｎ接合域またはその間
に積層されるＩｎＧａＮを活性層とし、ｐ型層５２の表
面を主光取出し面としてリードフレーム等にマウントさ
れる。そして、ｎ側電極５１ａ及びｐ側電極５２ｂのそ
れぞれにＡｕワイヤ（図示せず）をボンディングしてリ
ードフレーム側と導通させることにより、主光取出し面
からの発光が得られる。
【０００８】また、基板５０ａとして用いるサファイア
は光学的に透明であることとｎ側及びｐ側の電極５１
ａ，５２ｂが同じ側の面に含まれていることから、フリ
ップチップ型のアセンブリが可能である。これは、ｎ側
及びｐ側の電極５１ａ，５２ｂのそれぞれにバンプ電極
を形成しておき、これらをマウント側の電極に超音波圧
着法等によって接合し、ワイヤレスボンディングのアセ
ンブリとしたものである。このフリップチップ型として
アセンブリするときは、図８に示す発光素子を上下反転
させた姿勢のときの基板５０ａの上面が主光取出し面と
なる。
【０００９】一方、このような絶縁性のサファイアの基
板５０ａにＧａＮ系化合物半導体層を積層する発光素子
５０では、素子材料のたとえば誘電率ε等の物理定数や
素子構造に起因して、静電気に対して非常に弱いことが
知られている。たとえば、発光素子５０をリードフレー
ムのマウント部に搭載してエポキシ樹脂等によって封止
したＬＥＤランプの場合では、ＬＥＤランプと静電気が
チャージされたコンデンサとを対向させて両者間に放電
を生じさせたとき、順方向でおよそ１００Ｖの静電圧
で、逆方向ではおよそ３０Ｖの静電圧で破壊されてしま
う。
【００１０】これに対し、静電気等の過電流による発光
素子５０の破壊を防止するためには、静電気保護素子と
してＳｉダイオードを備えることが有効である。この静
電気保護素子は、本願出願人が先に提案して、特願平９
−１８７８２号として既に出願した明細書及び図面に記
載のものが適用でき、ｎ型のシリコン基板を基材とした
Ｓｉダイオードを発光素子と逆極性の関係になるように
導通をとりながら接続した構成としたものである。
【００１１】図９は図８の発光素子５０を静電気保護用
のＳｉダイオード５３に搭載して複合素子化した例であ
って、同図の（ａ）は平面図、同図の（ｂ）は同図
（ａ）のＣ−Ｃ線矢視による縦断面図である。
【００１２】Ｓｉダイオード５３はｎ型シリコン基板５
３ａを素材としたもので、図９の（ａ）において右端側
に偏った位置の上面側から不純物イオンを注入して拡散
させて、ｐ型半導体領域５３ｂを部分的に形成したもの
である。そして、ｎ型半導体領域に相当する部分にｎ側
電極５４及びｐ型半導体領域５３ｂに相当する部分にｐ
側電極５５をそれぞれ形成し、更に下面にはリードフレ
ーム等と電気的に導通させるためのｎ電極５６を設けて
いる。ここで、Ｓｉダイオード５３のｎ側電極５４とｎ
電極５６との間の抵抗は保護抵抗として働く。
【００１３】Ｓｉダイオード５３のｎ側電極５４は発光
素子５０のｐ側電極５２ｂにマイクロバンプ５７を介し
て接続され、ｐ側電極５５はｎ側電極５１ａにマイクロ
バンプ５８を介して接続され、発光素子５０とＳｉダイ
オード５３とは逆極性によって接続されている。そし
て、ｐ側電極５５の一部はリードフレーム等との間に接
続するワイヤのボンディングエリアである。
【００１４】このような逆極性の接続によって、高電圧
による過電流が印加されたときには、発光素子５０に印
加される逆方向電圧はＳｉダイオード５３の順方向電圧
付近すなわち０．９Ｖでバイパスが開くことによって、
発光素子５０に印加される順方向電圧はＳｉダイオード
５３の抵抗成分による電圧降下分とツェナー電圧Ｖｚ付
近（例えば１０Ｖ）でバイパスが開くことにより、それ
ぞれ過電流が流される。したがって、静電気による発光
素子５０の破壊を確実に防ぐことができる。
【００１５】ここで、フリップチップ型の半導体発光素
子では、透明電極５２ａの上側に発光層が形成されるの
で、この発光層からの光はサファイア基板５０ａを抜け
てその上面を光取り出し面として発光するものと、透明
電極５２ａ側に向かうものとがある。このため、この透
明電極５２ａへ向かう光を透明電極に代わる反射率の高
い厚膜電極で反射させるようにすれば、光取り出し面か
らの発光効率を上げることができる。この場合、厚膜電
極がボンディングパッド部も含めてｐ側電極となる。こ
の場合も、電極材料の選定の条件としてＧａＮ系の半導
体積層膜へのオーミック接続が可能であることに変わり
はなく、電極材料の選択にはこのオーミック接続の条件
に加えて、発光層からの光を効率よく反射させる材料と
することも条件に含めば、最適化が図られることにな
る。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】透明電極５２ａの代わ
りに厚膜電極とし、ボンディングパッドも含めてｐ側電
極とした場合、このｐ側電極を図８で示したものと同じ
材料すなわちＮｉとＡｕの積層膜またはＣｏとＡｕの積
層膜とすれば、ｐ型の半導体積層膜とのオーミック接続
が可能でしかもマイクロバンプ５７の接合性もよいもの
が得られる。
【００１７】ところが、ＮｉとＡｕとの積層膜では、一
般にオーミックコンタクトをとるＮｉの層はきわめて薄
く、Ａｕはこれに比べると厚く形成される。ＣｏとＡｕ
との組み合わせでも同様にＣｏは薄くてＡｕは厚い。こ
のような厚さの関係は、最適なオーミック性すなわち電
極と半導体（ｐ型ＧａＮ層）との接触抵抗を最も小さく
するための条件からくるものである。
【００１８】このようにＡｕのほうがＮｉやＣｏよりも
厚いと、熱処理された後には合金化されて、ｐ側電極は
金色または黄色を帯びた金色となってしまい、ｐ型の半
導体積層膜とｐ側電極の界面がこのような金色または黄
色を帯びた金色の層が形成されることになる。
【００１９】ここで、金属を真空蒸着して形成した新鮮
な表面に種々の波長の光を垂直に投射したときの反射率
は波長によって変化することが知られている。これは、
たとえば平成８年版の「理科年表」の第５１９頁所載の
金属面の分光反射率の表として示されている。この表に
よれば、Ａｕの蒸着面に光を照射した場合では、波長が
０．５５０μｍ（緑色に相当）以上であれば反射率は８
０％以上であるのに対し、波長が０．５００μｍになる
と反射率は５０％以下に急激に低下している。そして、
波長が０．４５０μｍ（青色に相当）であれば、４０％
以下にまで下がり、波長が短くなるにつれて反射率は大
きく減衰していることが判る。
【００２０】したがって、ｐ型の半導体積層膜とｐ側電
極の界面に金色または黄色を帯びた金色の層があると、
発光層からの光は吸収される量のほうが大きく、光取出
し面側への反射回収の効率は大幅に低下してしまう。
【００２１】このように、電極材料としてＡｕを使用す
る場合、フリップチップ型のようにｐ側電極からの反射
光も光取出し面側に回収して発光効率を上げようとして
も、その効果は十分ではない。
【００２２】本発明において解決すべき課題は、発光層
からｐ側電極に向かう光を高い反射効率で光取出し面側
に反射させて高い発光効率が得られるフリップチップ型
の半導体発光素子を提供することが第１の課題である。
【００２３】さらに前記した平成８年版の「理科年表」
の第５１９頁所載の金属面の分光反射率の表によれば、
可視光領域において、最も反射率の高い金属材料は、Ａ
ｇである。しかし、半導体デバイスの分野において、電
極材料としてＡｇを使用する場合にはそのマイグレーシ
ョンの発生を防止することが必要である。このマイグレ
ーションは水分や電場等について或る特定の条件のとき
にＡｇがイオン化することによって発生するもので、回
路の短絡等を引き起こす原因となる。
【００２４】この発光素子の場合もＡｇをｐ側電極に使
用すれば、エポキシ樹脂で封止したＬＥＤランプにおい
て、発光素子に印加される電場とエポキシ樹脂内を浸透
してきた水分によって、Ａｇマイグレーションを起こ
し、発光素子のｐ側電極とｎ側電極間のリーク不良が短
時間の通電で発生するといった問題が生じる。
【００２５】本発明において解決すべき第２の課題は、
反射率が最も高いＡｇをマイグレーションを発生させる
ことなくｐ側電極に使用することができるフリップチッ
プ型の半導体発光素子と半導体発光装置及びその製造方
法を提供することである。
【００２６】
【課題を解決するための手段】本発明は、透明の結晶基
板の上にｎ型層及びｐ型層を成長させた半導体積層膜構
造を持ち、結晶基板と反対側の面上にｎ型層及びｐ型層
とそれぞれオーミック接続するｎ側電極及びｐ側電極を
備え、ｎ側及びｐ側電極形成面と反対側の面を光取出し
面としたフリップチップ型の半導体発光素子であって、
ｐ側電極をｐ側半導体積層膜にオーミック接続可能な金
属材料によるコンタクト層と、このコンタクト層の上に
反射率の高い銀白色系金属材料による反射層の積層体と
してなることを特徴とする。
【００２７】このような構成であれば、半導体積層膜の
発光層からｐ側電極に向かう光は、銀白色系であって反
射率の高い金属材料が積層された面から効率よく結晶基
板の光取出し面側に反射させて発光させることができ
る。
【００２８】また、本発明は、前記反射層がＡｇの場
合、前記反射層の表面をＰｔ，ＰｄまたはＮｉからなる
保護膜で覆うことを特徴とする。
【００２９】ＰｔまたはＰｄは、Ａｇと合金化すること
により、Ａｇのマイグレーションを抑制する働きがあ
り、またＡｇの表面を電解メッキ等による保護膜で完全
に覆うことにより水分を遮断し、Ａｇのイオン化による
マイグレーションを抑制することができる。
【００３０】さらに本発明は、フリップチップ型半導体
発光素子をリードフレームや基板などに導通搭載した半
導体発光装置、またはフリップチップ型半導体発光素子
をサブマウント素子に導通搭載した半導体発光装置にお
いて、フリップチップ型半導体発光素子とリードフレー
ムや基板などとの接合隙間またはフリップチップ型半導
体発光素子とサブマウント素子の接合隙間にシリコーン
樹脂を充填していることを特徴とする。
【００３１】シリコーン樹脂を前記接合隙間に充填する
ことにより、Ａｇのイオン化によるマイグレーションを
抑制する働きがあり、リークモード不良を抑制すること
ができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、透明の
結晶基板の上にｎ型層及びｐ型層を成長させた半導体積
層膜構造を持ち、結晶基板と反対側の面上にｎ型層及び
ｐ型層とそれぞれオーミック接続するｎ側電極及びｐ側
電極を備え、ｎ側及びｐ側電極形成面と反対側の面を光
取出し面としたフリップチップ型の半導体発光素子であ
って、ｐ側電極をｐ側半導体積層膜にオーミック接続可
能な金属材料によるコンタクト層と、このコンタクト層
の上に反射率の高い銀白色系金属材料による反射層の積
層体としてなるものであり、半導体積層膜の発光層から
ｐ側電極に向かう光を、銀白色系であって反射率の高い
金属材料が積層された面から効率よく結晶基板の光取出
し面側に反射させるという作用を有する。また、コンタ
クト層としてｐ側半導体積層膜にオーミック接合可能な
金属材料を用いることで、接続性を安定させるという作
用も有する。
【００３３】請求項２に記載の発明は、前記コンタクト
層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｍｇ，Ｓｂのいずれかの金属元素を
含み、その膜厚は５００ｎｍ以下である請求項１記載の
半導体発光素子であり、上記の金属元素は、ｐ型のＧａ
Ｎ層と良好なオーミック接続が可能である。しかし、こ
の金属元素の青色から緑色の光に対する反射率は必ずし
も良好なものではないため、膜厚は光が透過可能な５０
０ｎｍ以下、もっと好ましくは、１００ｎｍ以下にし、
反射層の効果を妨げないようにするという作用を有す
る。
【００３４】請求項３に記載の発明は、前記反射層は、
Ａｌ，Ａｇ，Ｚｎのいずれかの金属元素からなり、その
膜厚は５００ｎｍ以上である請求項１または２に記載の
半導体発光素子であり、上記元素は、青色から緑色の光
に対する反射率が特に高く、電極側に進む光を効率よく
光取り出し面側に反射させることができる。また、その
膜厚は反射面としての機能を果たすだけの膜厚、すなわ
ち５００ｎｍ以上、好ましくは１μｍ以上にし、反射効
率をあげるという作用を有する。
【００３５】請求項２，３により、オーミック接続を安
定化させ反射効率も向上させるという作用を有する。
【００３６】請求項４に記載の発明は、前記反射層がＡ
ｇの場合、前記反射層をＡｇとＰｔの合金またはＡｇと
Ｐｄの合金とする請求項３記載のフリップチップ型半導
体発光素子であり、ｐ側電極にＡｇを用いる場合には、
ＡｇとＰｔまたはＡｇとＰｄの合金とすることにより、
Ａｇマイグレーションは抑制できるという作用を有す
る。ＰｔまたはＰｄの割合は、それぞれ１０ｗｔ％また
は３０ｗｔ％程度でＡｇの反射率をあまり落とさない程
度が好ましい。
【００３７】請求項５に記載の発明は、請求項１から４
のいずれかに記載のフリップチップ型半導体発光素子
と、前記フリップチップ型半導体発光素子のｐ側及びｎ
側電極に対応する位置に２つの電極が形成された第１の
主面と全面電極が形成された第２の主面を持つサブマウ
ント素子からなり、前記サブマウント素子の第１の主面
の２つの電極上にマイクロバンプを介して前記フリップ
チップ型半導体発光素子のｐ側及びｎ側電極を対峙させ
て導通搭載してなる半導体発光装置であり、光取り出し
面とは反対に進む光を上記反射層で効率よく反射させる
複合素子を用いることにより、外部量子効率に優れた半
導体発光装置が得られるという作用を有する。
【００３８】請求項６に記載の発明は、前記フリップチ
ップ型半導体発光素子がＧａＮ系化合物半導体発光素子
であり、前記サブマウント素子がＳｉダイオード素子で
あり、前記第１主面上の２つの電極が前記Ｓｉダイオー
ド素子のｐ側及びｎ側電極であり、マイクロバンプを介
して前記発光素子のｐ側電極とｎ側電極が前記Ｓｉダイ
オード素子のｎ側電極とｐ側電極に対峙して導通接続し
てなる請求項５記載の半導体発光装置であり、静電気に
弱いＧａＮ系化合物半導体素子にサブマウント素子とし
てＳｉダイオードを用いることにより静電気保護が可能
となり、静電気耐圧及び外部量子効率に優れた半導体発
光装置が得られるという作用を有する。
【００３９】請求項７に記載の発明は、前記反射層がＡ
ｇの場合、前記反射層の表面をＰｔ，ＰｄまたはＮｉか
らなる保護膜で覆うことを特徴とする請求項５または６
記載の半導体発光装置であり、ＰｔまたはＰｄは、Ａｇ
と合金化することにより、Ａｇのマイグレーションを抑
制する働きがあり、またＡｇの表面を電解メッキ等によ
る保護膜で完全に覆うことにより水分を遮断し、Ａｇの
イオン化によるマイグレーションを抑制することができ
るという作用を有する。
【００４０】請求項８に記載の発明は、請求項１から４
記載のフリップチップ型半導体発光素子をリードフレー
ムや基板などに導通搭載した半導体発光装置、または請
求項５から７記載の半導体発光装置において、前記フリ
ップチップ型半導体発光素子と前記リードフレームや基
板などとの接合隙間または前記フリップチップ型半導体
発光素子と前記サブマウント素子の接合隙間にシリコー
ン樹脂を充填していることを特徴とする半導体発光装置
であり、シリコーン樹脂を前記接合隙間に充填すること
により、Ａｇイオンをシリコーン樹脂がトラップするた
め、Ａｇのイオン化によるマイグレーションを抑制する
ことができるという作用を有する。
【００４１】請求項７と８を併用することにより、反射
層にＡｇを用いた場合のＡｇマイグレーション対策の効
果はより確実なものとなる。
【００４２】請求項９に記載の発明は、請求項８記載の
半導体発光装置において、前記シリコーン樹脂が前記フ
リップチップ型半導体発光素子の光取り出し面上に被覆
していないことを特徴とする半導体発光装置であり、た
とえば硬化触媒にＰｔ化合物を含有する液状シリコーン
樹脂を充填樹脂、エポキシ樹脂をモールド樹脂とする組
み合わせにおいて、前記フリップチップ型半導体発光素
子の光取り出し面上に前記シリコーン樹脂が被覆してい
ないことにより、光取り出しロスが軽減でき輝度が向上
するという作用を有する。また、パラボラ部を有するリ
ードフレームなどに前記発光装置を導通搭載し、たとえ
ば硬化触媒にＰｔ化合物を含有する液状シリコーン樹脂
を充填樹脂、エポキシ樹脂をモールド樹脂とするような
場合において、充填樹脂の塗布面がパラボラ上部付近に
あると前記Ａｕワイヤへのストレスが大きく、Ａｕ線が
切れたり、ボールが電極から剥がれる確率が従来のＬＥ
Ｄに比べて格段に大きくなるが、前記充填樹脂の上面を
前記Ａｕワイヤのネック付近とすることにより、Ａｕワ
イヤへのストレスを格段に軽減することができるという
作用を有する。
【００４３】請求項１０に記載の発明は、請求項５，６
または７記載の半導体発光装置において、フリップチッ
プ型半導体発光素子として絶縁性であって光透過型の基
板の上にＧａＮ系化合物半導体のｎ型層及びｐ型層を積
層し、前記ｎ型層の表面にｎ側電極を形成し、前記ｐ型
層の表面のほぼ全面に薄膜の透明電極を形成するととも
にこの透明電極の上であって前記ｐ型層の表面の一部を
占める領域にｐ側電極を形成した半導体発光素子を用い
た場合の前記反射層の製造方法であって、前記ＧａＮ系
半導体発光素子を前記サブマウント素子が行列状に形成
されたウエハーの上に両素子の電極を対峙させマイクロ
バンプを介して導通接合させた後に、前記ウエハーを前
記発光素子とともに前記反射層の金属材料を溶解した電
解メッキ液に浸漬し、前記ウエハーの電極を電解用電源
の負電極に接続し、電解メッキ法により前記金属材料を
前記透明電極の表面に付着形成する半導体発光装置の製
造方法であり、ｐ側電極が透明電極のままの発光素子で
あってもサブマウント素子が行列状に形成されたウエハ
ーに搭載後、電解メッキ法を用いることによって、透明
電極に反射層を簡単に付着形成することができ、外部量
子効率に優れた複合素子として、また、サブマウント素
子をＳｉダイオードとすることにより、静電耐圧にも優
れた複合素子として提供できるという作用を有する。
【００４４】請求項１１に記載の発明は、請求項７記載
の発光装置の製造方法であって、前記フリップチップ型
半導体発光素子を前記サブマウント素子が行列状に形成
されたウエハーの上に両素子の電極を対峙させマイクロ
バンプを介して導通接合させた後に、前記ウエハーを前
記発光素子とともに前記保護膜の金属材料を溶解した電
解メッキ液に浸漬し、前記ウエハーの電極を電解用電源
の負電極に接続し、電解メッキ法により前記金属材料を
前記発光素子のｐ側電極表面に付着形成する半導体発光
装置の製造方法であり、電解メッキ法を用いることによ
り、容易に反射層であるＡｇの露出面に保護膜を覆うこ
とができる。また、発光素子をサブマウント素子が行列
状に形成されたウエハー上に搭載後、反射層であるＡｇ
の露出面に保護膜を形成するので、形成後、保護膜を傷
つける心配がなく、保護膜の効果を確実にすることがで
きるという作用を有する。
【００４５】以下に、本発明の実施の形態の具体例を図
面を参照しながら説明する。図１は本発明の第１の実施
の形態によるＧａＮ系化合物半導体発光素子の概要であ
って、同図の（ａ）は平面図、同図の（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ線矢視による縦断面図である。
【００４６】図１の（ａ）及び（ｂ）において、発光素
子１は、絶縁性の透明なサファイア基板１ａの表面に複
数の半導体薄膜層を従来周知の有機金属気相成長法によ
って成膜したものである。この薄膜の積層体は、たとえ
ば下から順にＧａＮバッファ層１ｂ，ｎ型ＧａＮ層１
ｃ，ＩｎＧａＮ活性層１ｄ，ｐ型ＡｌＧａＮ層１ｅ及び
ｐ型ＧａＮ層１ｆとしたものであり、ダブルヘテロ構造
または量子井戸構造となっている。
【００４７】ｎ型ＧａＮ層１ｃの一つのコーナー部の上
面はエッチングによって段差状に除去され、この除去さ
れた部分にｎ側電極２を蒸着法によって形成している。
また、エッチングによる切除部分を除いた最上層のｐ型
ＧａＮ層１ｆの上面には、ｐ側電極３が同様に蒸着法に
よって形成されている。そして、これらのｎ側電極２及
びｐ側電極３の上にはそれぞれマイクロバンプ４，５を
形成している。ただし、マイクロバンプ４，５は、サブ
マウント素子側の電極上に形成される場合もある。
【００４８】図２は発光素子１を備えた半導体発光装置
の概略図である。リードフレーム６の上端に形成された
マウント部６ａには、静電気保護用のＳｉダイオード素
子７をサブマウント素子として搭載して、これを適切な
Ａｇペーストによって接着固定している。そして、この
Ｓｉダイオード素子７の上面に、図１の（ｂ）に示した
発光素子１を上下反転した姿勢として配置している。
【００４９】発光素子１のマイクロバンプ４，５は、そ
れぞれＳｉダイオード素子７のｐ側電極７ｂ及びｎ側電
極７ａに電気的に導通させてエポキシ樹脂８によって封
止され、図示の姿勢においてサファイア基板１ａの上面
を光取出し面としている。
【００５０】発光素子１への通電があるときには、半導
体積層膜中のＩｎＧａＮ活性層１ｄが発光層となり、従
来例でも示したようにこの発光層からの光がサファイア
基板１ａの光取り出し面側及びｐ側電極３に向かう。そ
して、このｐ側電極３に向かう光を効率よく反射させる
ようにすればよいが、このｐ側電極３の電極材料として
Ａｕを含むものでは青色の光の反射率が小さくなるとい
うものであった。
【００５１】これに対し、本発明では、ｐ側電極３から
の反射効率を上げるためにその材料をｐ型ＧａＮ層１ｆ
に接触するコンタクト層３ａとしてＮｉやＣｏまたはＳ
ｂを５０ｎｍの膜厚で形成し、その上に反射層３ｂとし
て青色及び緑色の光に対して反射率の高い銀白色系金属
のＡｌまたはＺｎを１．５μｍの膜厚で積層している。
ここで、コンタクト層３ａを薄くする理由は、ｐ型Ｇａ
Ｎ層に対して良好なオーミックコンタクトをとるため
と、それに用いられる金属は、青色や緑色の光に対して
反射率が必ずしも良好ではないために、光の大部分が透
過できる薄さにするためで、その上に積層された反射率
の高い反射層３ｂで光を反射する構成にしている。ま
た、この反射層３ｂは、光が透過できないように十分な
膜厚にする必要がある。これにより、ｐ側電極３に向か
う光を効率よく反射させることができる。また、反射層
３ｂがＺｎの場合は、マイクロバンプ４，５との接合性
を良くするために反射層３ｂの上にＡｕの層を形成す
る。
【００５２】また、反射層３ｂに青色や緑色の光に対し
て反射率が最も高いＡｇを用いる場合は、マイグレーシ
ョン現象が付随する。しかも、このフリップチップ型の
半導体発光素子の場合では、ｐ側電極３とｎ側電極２が
同一面に隣接しているので、マイグレーション現象が起
こりやすい状況となり、短時間の通電により電極間のリ
ークモード不良が発生するという不利な面がある。
【００５３】これに対し、本発明では、反射層３ｂにＡ
ｇを用いる場合は、Ｐｄ又はＰｔの合金として反射層３
ｂを形成する。ＡｇにＰｄまたはＰｔを混ぜることによ
り反射率は少し低下するがＡｇのマイグレーションは抑
制される。その混合の適正値はＰｄの場合３０ｗｔ％程
度、Ｐｔの場合は１０ｗｔ％程度で、この反射層３ｂの
膜厚を１．５μｍで形成する。
【００５４】図３は本発明の第２の実施の形態による半
導体発光装置の発光素子とサブマウント素子からなる複
合素子の部分の概要であって、同図の（ａ）はその概略
平面図、同図の（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線矢視によ
る縦断面図である。
【００５５】ここで用いるＧａＮ系化合物半導体発光素
子は、従来の透明電極５２ａを持つ発光素子５０であ
り、サブマウント素子（Ｓｉダイオード）７上にマイク
ロバンプを介して接合され、複合素子とした後に、反射
層１０を透明電極上に青色及び緑色の光に対して反射率
の高い銀白色系金属材料のＡｇまたはＺｎを１．５μｍ
の膜厚で電解メッキ法により形成したものである。この
場合、複合素子とした後に反射層１０を形成するので、
その断面形状は図２と異なっている。つまり、図２の場
合は、発光素子１のｐ側電極３の部分にのみ反射層３ｂ
が形成されているが、図３の場合は、発光素子５０の透
明電極５２ａ、ｐ側電極５２ｂ、マイクロバンプ５及び
Ｓｉダイオードのｎ側電極７ａの表面全体に反射層１０
が形成されるが、反射層としての機能を果たすのは透明
電極５２ａ上に形成された部分である。この反射層１０
と発光素子５０のｐ側電極部分以外は図２と同じ構成で
ある。
【００５６】また、この形態においても反射層１０とし
てＡｇを用いる場合は、マイグレーション対策が必要で
ある。この場合、図４（ａ）に示すように反射層１０で
あるＡｇメッキ層の表面にＰｔ，ＰｄまたはＮｉのメッ
キ層からなる保護膜１１を形成する。これにより、樹脂
内に浸透してくる水分とＡｇとの接触を断ちマイグレー
ションが抑制できる。また、ＰｔやＰｄにする理由は、
その金属元素自体がＡｇマイグレーションを抑制する効
果を持つためである。また、Ｎｉにする理由は、均一な
メッキ層形成が容易に行えるためである。上記保護膜の
形成により、Ａｇマイグレーションによる電極間のリー
クモード不良は飛躍的に減少する。
【００５７】この保護膜１１の効果は、図４（ｂ）に示
す厚膜のｐ側電極の反射層３ｂをＡｇを用いて形成した
発光素子の場合も同様である。
【００５８】このように、透明電極５２ａの表面にＡｇ
等の金属をメッキ法によって付着させた反射層１０を設
けることによって、活性層からの光は反射層１０によっ
て主光取り出し面側に反射される。したがって、光が発
光素子５０の外に出たものを再度通過させて回収する従
来構造に比べると、発光エネルギーの減衰を小さく抑え
ることができ、発光輝度の向上が図られる。
【００５９】また、発光域となる透明電極５２ａは他の
部分よりも高温となる傾向にあり、透明電極５２ａは極
めて薄くその熱伝導率も小さいので、発光輝度の熱に対
する影響は無視できない。これに対し、透明電極５２ａ
にはＡｇメッキによる反射層１０が積層されて肉厚化さ
れているので、Ａｇの高い熱伝導率によって放熱量も増
える。したがって、Ａｇによる発光輝度の向上だけでな
く、過熱を防いで耐性の向上も図れる。そして、反射層
１０は透明電極５２ａの表面だけでなく、バンプ電極５
やＳｉダイオード７のｎ側電極７ａの表面にも形成され
るので、表面積の拡大とＡｇによる熱伝導を利用して放
熱性を更に向上させることができる。
【００６０】また、保護膜１１を更に被せることによっ
て、透明電極５２ａの表面を更に厚膜化できるので、そ
の熱容量の増加と放熱性が更に向上し、発光素子５０の
耐性が改善される。
【００６１】図５は本発明の半導体発光装置の反射層１
０及び保護膜１１の製造方法の工程を示す概略図であ
る。
【００６２】図において、ｎ型のシリコンを材料とした
ウエハー１２にＳｉダイオード７のパターンを形成した
ものを材料として準備する。このウエハー１２は、図３
に示すＳｉダイオード素子のｐ型半導体領域７ｅを形成
するとともに、ｎ側及びｐ側の電極７ａ，７ｂのパター
ンを一面側に形成し、他面側にはｎ電極７ｃを形成した
ものである。
【００６３】一方、ｎ側及びｐ側の電極５１ａ，５２ｂ
にマイクロバンプ４，５をメッキ方式またはスタッド方
式によって形成したウエハーからダイシングした発光素
子５０の単体をエキスパンドシート上に並べておく。そ
して、発光素子５０をコレットにより吸着ピックアップ
し、ウエハー１２のｎ側及びｐ側の電極７ａ，７ｂのパ
ターンに合わせて、マイクロバンプ５，４を接触させ加
重，熱，超音波により溶融接合させウエハー１２上に固
定する。この場合、マイクロバンプはウエハー１２のｎ
側及びｐ側の電極７ａ，７ｂ側に形成しておいても良
い。
【００６４】次いで、発光素子５０を搭載したウエハー
１２を電解メッキ槽１３の中の電解メッキ液１４の中に
浸漬する。この電解メッキ槽１３にはメッキのための陽
電極１３ａをウエハー１２と対峙する位置に配置し、ウ
エハー１２の裏面のｎ電極７ｃをメッキの陰電極として
備え、これらの陽電極１３ａとｎ電極７ｃとの間に電源
を接続することによって、電解メッキ槽１３の中のメッ
キ液を電気分解する。これによりまず反射層のＡｇメッ
キの場合は、メッキ液中のＡｇイオンがウエハー１２の
ｎ電極７ｃに導通するｎ側電極７ａ，マイクロバンプ
５，発光素子５０のｐ側電極５２ｂ及び透明電極５２ａ
の表面に析出付着され、図３に示したようにＡｇの反射
層１０が形成される。
【００６５】その後、ウエハー１２を取り出して十分洗
浄した後、ダイサーによりダイシングし、これによって
発光素子５０の透明電極５２ａを含む部分にＡｇの反射
層１０を形成した発光素子５０とＳｉダイオード７とに
よる複合素子が得られる。
【００６６】なお、図４（ａ）に示した保護膜１１を設
ける例の場合では、Ａｇの反射層１０を形成した後に、
別の電解メッキ槽の中の保護膜１１用の金属メッキ液中
に浸漬し、同様の操作によって保護膜１１を電解メッキ
法によって形成すればよい。また、図４（ｂ）に示すよ
うに厚膜のｐ側電極３をもつ発光素子１においても、ｐ
側電極３にＡｇを用いる場合は、ウエハー１２に接合後
電解メッキ槽の中の保護膜１１用の金属メッキ液中に浸
漬し、同様の操作によって保護膜１１を電解メッキ法に
よって形成することができる。
【００６７】図６はＳｉダイオード７を製造するための
ウエハー１２に形成されたｎ側電極７ａとｐ側電極７ｂ
のパターン及びｎ電極７ｃとの導通構造を示す図であ
る。
【００６８】図６（ａ）に示すように、メッキ形成面は
ｎ側電極７ａと同電位のバンプ５と発光素子５０のｐ側
電極５２ｂと透明電極５２ａであるので、陰電極として
は裏面のｎ電極７ｃではなく、ｎ側電極７ａが好まし
い。というのは、裏面のｎ電極７ｃと表面のｎ側電極７
ａとの間には単位面積当たり数オームの抵抗Ｒが存在す
るので、透明電極５２ａにメッキをつきやすくするため
にはｎ側電極７ａにメッキの陰電極を取るのが好ましい
のである。さらに図６（ｂ）に示すように隣接するｎ側
電極７ａは同電位にするために接続電極９によって全て
導通させるのが好ましいのである。
【００６９】しかし、メッキ電極間に流す電流は、０．
０３ｍＡ／ｍｍ2程度と小電流であるため、裏面電極７
ｃをメッキの陰電極としても不都合は生じない。
【００７０】以上により、透明電極５２ａの全面にＡｇ
メッキによる反射層１０が形成されるので、先に説明し
たように、活性層から透明電極５２ａを抜ける光は反射
層１０によって反射されるので、発光輝度が向上する。
また、Ａｇメッキはｐ側電極５２ｂ，マイクロバンプ５
及びＳｉダイオード７のｎ側電極７ａにも付着するの
で、各部の放熱が促され、発光への熱の影響を抑えるこ
とができる。
【００７１】なお、図示の例では静電気保護用のＳｉダ
イオード７との組み合わせとしたが、発光素子５０のｎ
側及びｐ側の電極５１ａ，５２ｂに導通する電極を備え
ていて、電解メッキのための導通構造が得られる基板等
を対象としてもよい。
【００７２】図７は本発明の第３の実施の形態による半
導体発光装置であり、反射層１０の表面に保護膜１１を
形成した複合素子をリードフレームに搭載接合し、シリ
コーン樹脂とエポキシ樹脂でモールドしたＬＥＤランプ
の縦断面図である。
【００７３】この構造を詳しく説明すると、リードフレ
ームのマウント部６ａに図４の（ａ）に示す反射層１０
の表面に保護膜１１を形成した複合素子を導通接続した
後に、フリップチップ型半導体発光素子５０とＳｉダイ
オード素子７の接合隙間にシリコーン樹脂１５を充填す
る。そして、このマウント部を含めてリードフレーム６
の先端をエポキシ樹脂８でモールドする。ただし、フリ
ップチップ型半導体発光素子５０の光取り出し面上には
シリコーン樹脂は被覆しないようにする。その理由は、
シリコーン樹脂の光透過率がモールド用のエポキシ樹脂
より悪く、また屈折率がエポキシ樹脂より小さいため光
取り出し効率が悪くなるためである。
【００７４】この実施の形態は、反射層にＡｇを用いた
場合に生じるＡｇマイグレーションをさらに確実に防止
できる方法を示すものである。すなわち、第２の実施の
形態において、Ａｇの反射層１０の表面をＮｉの保護膜
１１で覆った場合、樹脂を浸透してくる水分を遮断する
のでＡｇマイグレーションは抑制可能であるが、保護膜
１１の形成工程でピンホールなどＡｇ表面を被覆できな
い部分が生じる場合がある。その場合、ピンホールから
水分が侵入し、熱と電場が加わってＡｇがイオン化して
とけだしＡｇマイグレーションによるリークモード不良
が発生する。このようなピンホールが万一存在する場合
でも、シリコーン樹脂を図７に示す複合素子の接合隙間
に充填していれば、Ａｇのマイグレーションは確実に抑
制されリークモード不良は発生しない。
【００７５】Ａｇマイグレーションの加速信頼性試験の
結果を次の３通りの場合でまとめたものを表１に示す。
【００７６】
【表１】
【００７７】は、反射層１０がＡｇ、保護膜なし、シ
リコーン樹脂なし、は、反射層１０がＡｇ、保護膜が
Ｎｉ、シリコーン樹脂なし、は、反射層がＡｇ、保護
膜がＮｉ、シリコーン樹脂を充填したものである。加速
試験の条件は、温度が８５℃、湿度が８５％、通電は、
Ｖｆ＝３．３Ｖ、Ｉｆ＝１２ｍＡである。
【００７８】表１に示すように、は２４時間でリーク
モード不良が１００％発生するのに対し、は、１／３
のサンプルが２４０時間以上でリークモード不良は発生
しておらず、また、は、５００時間以上たってもリー
クモード不良は全く発生していないことが分かる。
【００７９】
【発明の効果】本発明の発光素子では、半導体積層膜の
発光層からｐ側電極に向かう光は、銀白色系であって、
特に青色から緑色の光に対して反射率の高い金属材料す
なわちＡｇ，ＡｌやＺｎが積層された面（反射層）から
効率よく結晶基板の光取り出し面側に反射させるので、
発光効率の向上が可能となる。また、コンタクト層とし
てｐ側半導体積層膜にオーミック接合可能な金属材料す
なわちＮｉ，ＣｏやＳｂを用いるので、接続性も安定し
たアセンブリが得られる。
【００８０】また、コンタクト層は薄く光が透過可能な
薄膜とし、反射層は厚膜とすることにより、従来構造に
比べると格段に発光強度を上げることができる。
【００８１】また、緑色から青色の光に対して最も反射
率の高いＡｇを反射層として用いる場合は、Ａｇマイグ
レーションによる電極間短絡によるリークモード不良が
発生するが、反射層をＡｇとＰｔやＡｇとＰｄの合金と
することにより抑制できる。
【００８２】また、本発明の発光素子をマイクロバンプ
を介してＳｉダイオード等のサブマウント素子に搭載接
合して複合素子化した場合、サブマウント素子が行列状
に形成されたウエハー上に発光素子を搭載接合した後
に、電解メッキ工法によりＡｇ反射層の表面を保護膜で
覆うことができるので、水分を遮断しＡｇマイグレーシ
ョンを抑制でき高輝度・高信頼性の発光装置が得られ
る。
【００８３】また、本発明では、従来の透明電極を持つ
ＧａＮ系化合物半導体発光素子をサブマウント素子が行
列状に形成されたウエハー上に搭載接合した後に、電解
メッキ法によって発光素子の透明電極上に簡単に反射率
の高い反射層が形成できるので、従来のチップを用いて
輝度の向上が可能である。また、反射層にＡｇを用いた
場合でも、その上に保護膜を簡単に形成できるのでＡｇ
マイグレーションの抑制も可能であり、高輝度の発光装
置が得られる。また、透明電極及びその付近に肉厚状に
メッキ層が形成されるので、発光面の放熱も促進され、
耐性の向上も可能となる。
【００８４】また、フリップチップ型半導体発光素子を
リードフレームや基板などに導通搭載した半導体発光装
置、またはフリップチップ型半導体発光素子をサブマウ
ント素子に導通搭載した半導体発光装置において、フリ
ップチップ型半導体発光素子とリードフレームや基板な
どとの接合隙間またはフリップチップ型半導体発光素子
とサブマウント素子の接合隙間にシリコーン樹脂を充填
することにより、さらに確実にＡｇマイグレーションを
抑制することができ高信頼性の発光装置が得られる。
【００８５】また、フリップチップ型半導体発光素子と
サブマウント素子をＡｕワイヤなどを利用して導通搭載
するような場合において、シリコーン樹脂をフリップチ
ップ型半導体発光素子の光取り出し面に被覆しないよう
に塗布することでＡｕワイヤへのストレスの低減が図
れ、高信頼性の発光装置が得られる。
【００８６】また、シリコーン樹脂は扱いやすく、振
動、ストレス緩和、耐久接着、耐熱、耐オゾンなどの環
境の変化に対しても安定であるため、信頼性を格段に向
上させることができる。また、サブマウント素子とし
て、静電気保護素子を備えるものでは静電耐圧も向上す
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態によるフリップチップ型
の半導体発光素子であって、 （ａ）は平面図 （ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線矢視による概略縦断面図
【図２】図１の発光素子を備えたＬＥＤランプの概略図
【図３】本発明の一実施の形態による半導体発光装置の
複合素子部の概略であって、 （ａ）は平面図 （ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線矢視による縦断面図
【図４】反射層の表面に保護層を形成した例を示す縦断
面図であって、 （ａ）は電解メッキ法で形成された反射層の場合を示す
縦断面図 （ｂ）は厚膜ｐ側電極の反射層の場合を示す縦断面図
【図５】本発明の製造方法における工程の概略図
【図６】本発明のメッキ工程を説明する図であって、 （ａ）は、電解メッキの導通構造を示す図 （ｂ）はＳｉダイオードウエハーに形成されたｎ側電極
とｐ側電極のパターンの平面図
【図７】複合素子をリードフレームに搭載接合してモー
ルドした例を示す縦断面図
【図８】ＧａＮ系化合物半導体の発光素子の例を示す斜
視図
【図９】図８の発光素子をＳｉダイオードに搭載して複
合素子化した例であって、 （ａ）は平面図 （ｂ）は同図（ａ）Ｃ−Ｃ線矢視による縦断面図
【符号の説明】
１ 発光素子 １ａ 結晶基板 １ｂ ＧａＮバッファ層 １ｃ ｎ型ＧａＮ層 １ｄ ＩｎＧａＮ活性層 １ｅ ｐ型ＡｌＧａＮ層 １ｆ ｐ型ＧａＮ層 ２ ｎ側電極 ３ ｐ側電極 ３ａ オーミック接合層 ３ｂ 反射層 ４，５ マイクロバンプ ６ リードフレーム ６ａ マウント部 ７ Ｓｉダイオード素子 ７ａ ｎ側電極 ７ｂ ｐ側電極 ７ｃ ｎ電極 ７ｄ ｎ型シリコン基板 ７ｅ ｐ型半導体領域 ８ エポキシ樹脂 ９ 接続電極 １０ 反射層 １１ 保護膜 １２ ウエハー １３ 電解槽 １３ａ 陽電極 １４ 電解メッキ液 １５ シリコーン樹脂

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明の結晶基板の上にｎ型層及びｐ型層
    を成長させた半導体積層膜構造を持ち、結晶基板と反対
    側の面上にｎ型層及びｐ型層とそれぞれオーミック接続
    するｎ側電極及びｐ側電極を備え、ｎ側及びｐ側電極形
    成面と反対側の面を光取り出し面としたフリップチップ
    型の半導体発光素子であって、ｐ側電極をｐ側半導体積
    層膜にオーミック接続可能な金属材料によるコンタクト
    層と、このコンタクト層の上に反射率の高い銀白色系金
    属材料による反射層の積層体としてなるフリップチップ
    型半導体発光素子。
  2. 【請求項２】 前記コンタクト層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｍ
    ｇ，Ｓｂのいずれかの金属元素を含み、その膜厚は５０
    ０ｎｍ以下である請求項１記載のフリップチップ型半導
    体発光素子。
  3. 【請求項３】 前記反射層は、Ａｌ，Ａｇ，Ｚｎのいず
    れかの金属元素からなり、その膜厚は５００ｎｍ以上で
    ある請求項１または２記載のフリップチップ型半導体発
    光素子。
  4. 【請求項４】 前記反射層がＡｇの場合、前記反射層を
    ＡｇとＰｔの合金またはＡｇとＰｄの合金とする請求項
    ３記載のフリップチップ型半導体発光素子。
  5. 【請求項５】 請求項１から４のいずれかに記載のフリ
    ップチップ型半導体発光素子と、前記フリップチップ型
    半導体発光素子のｐ側及びｎ側電極に対応する位置に２
    つの電極が形成された第１の主面と全面電極が形成され
    た第２の主面を持つサブマウント素子からなり、前記サ
    ブマウント素子の第１の主面の２つの電極上にマイクロ
    バンプを介して前記フリップチップ型半導体発光素子の
    ｐ側及びｎ側電極を対峙させて導通搭載してなる半導体
    発光装置。
  6. 【請求項６】 前記フリップチップ型半導体発光素子が
    ＧａＮ系化合物半導体発光素子であり、前記サブマウン
    ト素子がＳｉダイオード素子であり、前記第１の主面上
    の２つの電極が前記Ｓｉダイオード素子のｐ側及びｎ側
    電極であり、マイクロバンプを介して前記発光素子のｐ
    側電極とｎ側電極が前記Ｓｉダイオード素子のｎ側電極
    とｐ側電極に対峙して導通接続してなる請求項５記載の
    半導体発光装置。
  7. 【請求項７】 前記反射層がＡｇの場合、前記反射層の
    表面をＰｔ，ＰｄまたはＮｉからなる保護膜で覆うこと
    を特徴とする請求項５または６記載の半導体発光装置。
  8. 【請求項８】 請求項１から４記載のフリップチップ型
    半導体発光素子をリードフレームや基板などに導通搭載
    した半導体発光装置、または請求項５から７記載の半導
    体発光装置において、前記フリップチップ型半導体発光
    素子と前記リードフレームや基板などとの接合隙間また
    は前記フリップチップ型半導体発光素子と前記サブマウ
    ント素子の接合隙間にシリコーン樹脂を充填しているこ
    とを特徴とする半導体発光装置。
  9. 【請求項９】 請求項８記載の半導体発光装置におい
    て、前記シリコーン樹脂が前記フリップチップ型半導体
    発光素子の光取り出し面上に被覆していないことを特徴
    とする半導体発光装置。
  10. 【請求項１０】 請求項５，６または７記載の半導体発
    光装置において、フリップチップ型半導体発光素子とし
    て絶縁性であって光透過型の基板の上にＧａＮ系化合物
    半導体のｎ型層及びｐ型層を積層し、前記ｎ型層の表面
    にｎ側電極を形成し、前記ｐ型層の表面のほぼ全面に薄
    膜の透明電極を形成するとともにこの透明電極の上であ
    って前記ｐ型層の表面の一部を占める領域にｐ側電極を
    形成した半導体発光素子を用いた場合の前記反射層の製
    造方法であって、前記ＧａＮ系半導体発光素子を前記サ
    ブマウント素子が行列状に形成されたウエハーの上に両
    素子の電極を対峙させマイクロバンプを介して導通接合
    させた後に、前記ウエハーを前記発光素子とともに前記
    反射層の金属材料を溶解した電解メッキ液に浸漬し、前
    記ウエハーの電極を電解用電源の負電極に接続し、電解
    メッキ法により前記金属材料を前記透明電極の表面に付
    着形成する半導体発光装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 請求項７記載の発光装置の製造方法で
    あって、前記フリップチップ型半導体発光素子を前記サ
    ブマウント素子が行列状に形成されたウエハーの上に両
    素子の電極を対峙させマイクロバンプを介して導通接合
    させた後に、前記ウエハーを前記発光素子とともに前記
    保護膜の金属材料を溶解した電解メッキ液に浸漬し、前
    記ウエハーの電極を電解用電源の負電極に接続し、電解
    メッキ法により前記金属材料を前記発光素子のｐ側電極
    表面に付着形成する半導体発光装置の製造方法。
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