JP2950192B2 - 窒化物半導体の電極 - Google Patents
窒化物半導体の電極Info
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Landscapes
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）、レーザダイオード（ＬＤ）等に使用される窒化物
半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y
≦１）よりなる発光素子の細部の構造に係り、詳しくは
窒化物半導体に絶縁膜を介して形成された電極に関す
る。
Ｄ）、レーザダイオード（ＬＤ）等に使用される窒化物
半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y
≦１）よりなる発光素子の細部の構造に係り、詳しくは
窒化物半導体に絶縁膜を介して形成された電極に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ
1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）は紫外〜赤色に発
光するＬＥＤ、ＬＤ等の発光素子の材料として従来より
知られている。ＬＥＤに関して、我々はこの半導体材料
を用いてｐ−ｎ接合を有するダブルへテロ構造の窒化物
半導体発光素子を実現し、１９９３年１１月に光度１ｃ
ｄの青色ＬＥＤを発表し、１９９４年４月に光度２ｃｄ
の青緑色ＬＥＤを発表し、１９９４年１０月には光度２
ｃｄの青色ＬＥＤを発表した。これらのＬＥＤは全て製
品化されて、現在ディスプレイ、信号等の実用に供され
ている。一方、ＬＤについては、窒化物半導体で従来よ
り数々の構造が提案されているが、未だ実現には至って
いない。
1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）は紫外〜赤色に発
光するＬＥＤ、ＬＤ等の発光素子の材料として従来より
知られている。ＬＥＤに関して、我々はこの半導体材料
を用いてｐ−ｎ接合を有するダブルへテロ構造の窒化物
半導体発光素子を実現し、１９９３年１１月に光度１ｃ
ｄの青色ＬＥＤを発表し、１９９４年４月に光度２ｃｄ
の青緑色ＬＥＤを発表し、１９９４年１０月には光度２
ｃｄの青色ＬＥＤを発表した。これらのＬＥＤは全て製
品化されて、現在ディスプレイ、信号等の実用に供され
ている。一方、ＬＤについては、窒化物半導体で従来よ
り数々の構造が提案されているが、未だ実現には至って
いない。
【０００３】窒化物半導体を用いたＬＤ素子は、例えば
特開平６−２８３８２５号、特開平６−１５２０７２
号、特開平６−６１５２７号等に記載されている。これ
らの公報に開示されるＬＤはいずれも活性層に電流を集
中させるため、ｐ型層の表面にＳｉＯ2よりなる電流狭
窄層が形成され、その電流狭窄層を介してｐ層と電気的
に接続された正電極が形成されている。このように化合
物半導体を用いてＬＤ素子を実現するには、通常最上層
のｐ層にＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4のような絶縁体
よりなる薄膜を形成して電流狭窄が行われる。
特開平６−２８３８２５号、特開平６−１５２０７２
号、特開平６−６１５２７号等に記載されている。これ
らの公報に開示されるＬＤはいずれも活性層に電流を集
中させるため、ｐ型層の表面にＳｉＯ2よりなる電流狭
窄層が形成され、その電流狭窄層を介してｐ層と電気的
に接続された正電極が形成されている。このように化合
物半導体を用いてＬＤ素子を実現するには、通常最上層
のｐ層にＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4のような絶縁体
よりなる薄膜を形成して電流狭窄が行われる。
【０００４】図４は窒化物半導体を用いた従来の代表的
なＬＤ素子の構造を示す模式的な断面図である。基本的
な構造としては基板４１の上にｎ型窒化物半導体よりな
るｎクラッド層４２と、発光する活性層４３と、ｐ型窒
化物半導体よりなるｐクラッド層４４とが順に積層され
たダブルへテロ構造を有している。最上層であるｐクラ
ッド層４４には電流狭窄層としてＳｉＯ2よりなる絶縁
膜４５が形成され、この絶縁膜４５を介してｐ型クラッ
ド層４４とオーミック接触した正電極５０が形成されて
いる。なお、ｎ型クラッド層４２にはそのｎ型クラッド
層４２とオーミック接触した負電極が形成されており、
それぞれの電極は金ワイヤーでワイヤーボンディングさ
れている。５５はワイヤーボンディング時にできるボー
ルを示している。
なＬＤ素子の構造を示す模式的な断面図である。基本的
な構造としては基板４１の上にｎ型窒化物半導体よりな
るｎクラッド層４２と、発光する活性層４３と、ｐ型窒
化物半導体よりなるｐクラッド層４４とが順に積層され
たダブルへテロ構造を有している。最上層であるｐクラ
ッド層４４には電流狭窄層としてＳｉＯ2よりなる絶縁
膜４５が形成され、この絶縁膜４５を介してｐ型クラッ
ド層４４とオーミック接触した正電極５０が形成されて
いる。なお、ｎ型クラッド層４２にはそのｎ型クラッド
層４２とオーミック接触した負電極が形成されており、
それぞれの電極は金ワイヤーでワイヤーボンディングさ
れている。５５はワイヤーボンディング時にできるボー
ルを示している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】窒化物半導体層の表面
に絶縁膜を形成し、その絶縁膜を介して窒化物半導体層
と電気的に接続された電極が形成された構造の素子で
は、一般に電極の窒化物半導体層に対する接触面積より
も、絶縁膜に接触する面積の方が大きい。従って電極を
ワイヤーボンディングしたり、あるいは電極と半田を介
して、発光素子をリードフレームやヒートシンク等に載
置する際、電極が絶縁膜から剥がれてしまうという問題
がある。例えば図４では、ワイヤーを引っ張ると電極５
０が絶縁膜４５から剥がれてしまったり、またワイヤー
ボンディングする前でも少しの外力が加わることにより
電極が絶縁膜から剥がれてしまうのである。
に絶縁膜を形成し、その絶縁膜を介して窒化物半導体層
と電気的に接続された電極が形成された構造の素子で
は、一般に電極の窒化物半導体層に対する接触面積より
も、絶縁膜に接触する面積の方が大きい。従って電極を
ワイヤーボンディングしたり、あるいは電極と半田を介
して、発光素子をリードフレームやヒートシンク等に載
置する際、電極が絶縁膜から剥がれてしまうという問題
がある。例えば図４では、ワイヤーを引っ張ると電極５
０が絶縁膜４５から剥がれてしまったり、またワイヤー
ボンディングする前でも少しの外力が加わることにより
電極が絶縁膜から剥がれてしまうのである。
【０００６】窒化物半導体はその物性自体が良く解明さ
れておらず、ｐ型層と強固に接続できる電極材料、絶縁
材料とも未知の部分が多いのが実状である。従って本発
明の目的は窒化物半導体と接着力が強い電極を提供する
ものであり、詳しくは窒化物半導体層に絶縁膜を介して
形成された電極の接着力を向上させることにより、窒化
物半導体を用いたＬＥＤ、ＬＤ、受光素子等、各種デバ
イスの信頼性を向上させることにある。
れておらず、ｐ型層と強固に接続できる電極材料、絶縁
材料とも未知の部分が多いのが実状である。従って本発
明の目的は窒化物半導体と接着力が強い電極を提供する
ものであり、詳しくは窒化物半導体層に絶縁膜を介して
形成された電極の接着力を向上させることにより、窒化
物半導体を用いたＬＥＤ、ＬＤ、受光素子等、各種デバ
イスの信頼性を向上させることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化物半導体の
電極は、窒化物半導体と電気的に接続された電極が絶縁
膜を介して形成されており、さらに前記絶縁膜と前記電
極との間に電極と絶縁膜との接着力よりも大きな接着力
を有する金属薄膜が形成されていることを特徴とする。
金属薄膜の膜厚は特に限定するものではないが、例えば
１０オングストローム〜１０μｍぐらいの膜厚で形成す
ることができる。
電極は、窒化物半導体と電気的に接続された電極が絶縁
膜を介して形成されており、さらに前記絶縁膜と前記電
極との間に電極と絶縁膜との接着力よりも大きな接着力
を有する金属薄膜が形成されていることを特徴とする。
金属薄膜の膜厚は特に限定するものではないが、例えば
１０オングストローム〜１０μｍぐらいの膜厚で形成す
ることができる。
【０００８】前記電極が金を含み、さらに絶縁膜が二酸
化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン
の内の少なくとも一種よりなる場合、電極と絶縁膜との
間に形成する金属薄膜はＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉよりな
る群から選択された少なくとも一種の金属を含む材料を
使用することが望ましい。Ａｕを含む電極と前記絶縁膜
との組み合わせにおいて、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉより
なる金属薄膜は絶縁膜と電極との接着性が非常に良い。
化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン
の内の少なくとも一種よりなる場合、電極と絶縁膜との
間に形成する金属薄膜はＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉよりな
る群から選択された少なくとも一種の金属を含む材料を
使用することが望ましい。Ａｕを含む電極と前記絶縁膜
との組み合わせにおいて、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉより
なる金属薄膜は絶縁膜と電極との接着性が非常に良い。
【０００９】
【作用】前記のように窒化物半導体の物性は未だ良く知
られていない。例えばｐ型窒化物半導体層と良好なオー
ミックが得られて、密着性の良い電極材料は数少ない。
この電極材料と異なる金属材料（通常Ａｕが用いられ
る。）でワイヤーボンディング等を行うと、ワイヤーと
電極とが剥がれやすくなる。さらに窒化物半導体と電極
との間にＳｉＯ2のような絶縁材料を介していれば、ワ
イヤー、電極、絶縁膜、窒化物半導体層いずれかの界面
において、最も接着力の弱い箇所で剥離してしまう。接
着力の弱い箇所は絶縁膜と電極とが接触する界面が多
い。そこで、本発明では絶縁膜と電極との間に、新たに
絶縁膜と特に接着力の強い金属薄膜を形成することによ
り、電極と絶縁性材料との接着力を強くすることが可能
となる。この場合、金属薄膜は窒化物半導体にオーミッ
ク接触する必要はなく、電極の方が窒化物半導体とオー
ミック接触するか、あるいはオーミック用の電極と接続
されているので、電極と金属薄膜とは適当な熱処理を行
うことにより金属薄膜と電極とが合金化してさらに強く
電気的に接続される。
られていない。例えばｐ型窒化物半導体層と良好なオー
ミックが得られて、密着性の良い電極材料は数少ない。
この電極材料と異なる金属材料（通常Ａｕが用いられ
る。）でワイヤーボンディング等を行うと、ワイヤーと
電極とが剥がれやすくなる。さらに窒化物半導体と電極
との間にＳｉＯ2のような絶縁材料を介していれば、ワ
イヤー、電極、絶縁膜、窒化物半導体層いずれかの界面
において、最も接着力の弱い箇所で剥離してしまう。接
着力の弱い箇所は絶縁膜と電極とが接触する界面が多
い。そこで、本発明では絶縁膜と電極との間に、新たに
絶縁膜と特に接着力の強い金属薄膜を形成することによ
り、電極と絶縁性材料との接着力を強くすることが可能
となる。この場合、金属薄膜は窒化物半導体にオーミッ
ク接触する必要はなく、電極の方が窒化物半導体とオー
ミック接触するか、あるいはオーミック用の電極と接続
されているので、電極と金属薄膜とは適当な熱処理を行
うことにより金属薄膜と電極とが合金化してさらに強く
電気的に接続される。
【００１０】
【実施例】図１は窒化物半導体よりなるＬＤ素子の一構
造を示す模式断面図であり、図２は図１のＬＤ素子の斜
視図である。いずれも本発明の一実施例に係る電極の構
造を示している。このＬＤ素子は、サファイアよりなる
基板１の上に、ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層
２と、ＩｎＧａＮよりなる活性層３、ｐ型ＡｌＧａＮよ
りなるｐ型クラッド層４とを積層した基本構造を有し、
さらにこのｐ型クラッド層４の上に電流狭窄層としてＳ
ｉＯ2よりなる絶縁膜５が形成され、その絶縁膜５の上
に絶縁膜と正電極との接着層としてＣｒよりなる金属薄
膜６が形成され、金属薄膜６の上にｐ型クラッド層４と
オーミック接触したＮｉとＡｕを含む正電極１０が形成
されている。この正電極１０はオーミック電極とワイヤ
ーボンディングのためのボンディング電極とを兼ねてい
る。
造を示す模式断面図であり、図２は図１のＬＤ素子の斜
視図である。いずれも本発明の一実施例に係る電極の構
造を示している。このＬＤ素子は、サファイアよりなる
基板１の上に、ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層
２と、ＩｎＧａＮよりなる活性層３、ｐ型ＡｌＧａＮよ
りなるｐ型クラッド層４とを積層した基本構造を有し、
さらにこのｐ型クラッド層４の上に電流狭窄層としてＳ
ｉＯ2よりなる絶縁膜５が形成され、その絶縁膜５の上
に絶縁膜と正電極との接着層としてＣｒよりなる金属薄
膜６が形成され、金属薄膜６の上にｐ型クラッド層４と
オーミック接触したＮｉとＡｕを含む正電極１０が形成
されている。この正電極１０はオーミック電極とワイヤ
ーボンディングのためのボンディング電極とを兼ねてい
る。
【００１１】例えば絶縁膜５と、金属薄膜６と、正電極
１０との組み合わせにおいて、絶縁膜５がＳｉＯ2であ
り、正電極１０がＮｉおよびＡｕを含む場合、金属薄膜
６は絶縁膜５（ＳｉＯ2）と正電極１０（Ｎｉ−Ａｕ）
よりも接着力の大きい金属材料を選択でき、例えばその
材料としてはＣｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｉを使用することが
望ましい。また絶縁膜５が例えばＳｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3、
ＴｉＯ2である場合、同様に金属薄膜６の材料はＣｒ、
Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等を使用することが好ましい。
１０との組み合わせにおいて、絶縁膜５がＳｉＯ2であ
り、正電極１０がＮｉおよびＡｕを含む場合、金属薄膜
６は絶縁膜５（ＳｉＯ2）と正電極１０（Ｎｉ−Ａｕ）
よりも接着力の大きい金属材料を選択でき、例えばその
材料としてはＣｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｉを使用することが
望ましい。また絶縁膜５が例えばＳｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3、
ＴｉＯ2である場合、同様に金属薄膜６の材料はＣｒ、
Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等を使用することが好ましい。
【００１２】表１は、図１および図２に示すＬＤ素子の
正電極１０に対し、図面の矢印に示す横方向から力を加
えた時に、電極１０が金属薄膜６と絶縁膜５との界面か
ら剥がれた力を相対値でもって示す表である。この表で
は金属薄膜を形成していない時を１として、金属薄膜を
形成したものは、形成していないものの倍数でもって示
している。表１を見てもわかるように、電極１０がＡｕ
とＮｉよりなる電極と、３種類の絶縁膜との組み合わせ
において、その間に形成する金属薄膜はＣｒ、またはＮ
ｉが強い接着力を示している。
正電極１０に対し、図面の矢印に示す横方向から力を加
えた時に、電極１０が金属薄膜６と絶縁膜５との界面か
ら剥がれた力を相対値でもって示す表である。この表で
は金属薄膜を形成していない時を１として、金属薄膜を
形成したものは、形成していないものの倍数でもって示
している。表１を見てもわかるように、電極１０がＡｕ
とＮｉよりなる電極と、３種類の絶縁膜との組み合わせ
において、その間に形成する金属薄膜はＣｒ、またはＮ
ｉが強い接着力を示している。
【００１３】
【表１】
【００１４】また図３は本発明の他の実施例に係る電極
を有するＬＤ素子の構造を示す模式的な断面図である。
このＬＤ素子も基本的な構造は、基板１１の上に、ｎ型
クラッド層１２と、活性層１３と、ｐ型クラッド層１４
とを積層したダブルへテロ構造である。
を有するＬＤ素子の構造を示す模式的な断面図である。
このＬＤ素子も基本的な構造は、基板１１の上に、ｎ型
クラッド層１２と、活性層１３と、ｐ型クラッド層１４
とを積層したダブルへテロ構造である。
【００１５】このＬＤ素子も図１の素子と同様に電極ス
トライプ型のＬＤ素子であるが、図１と異なるところ
は、最上層のｐ型クラッド層１４のストライプ幅を５０
μｍ以下として、そのｐ層１４とほぼ同一の幅で接する
ストライプ状のオーミック電極１８が形成されているこ
とである。このように５０μｍ以下のストライプ幅でエ
ッチングされたｐ型クラッド層１４とほぼ同一の幅を有
するオーミック電極１８をｐ型クラッド層１４に直接接
して形成することにより、電流の広がりをなくして活性
層に直接電流が集中するようにしている。好ましいスト
ライプ幅は５０μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以
下、最も好ましくは１０μｍ以下である。５０μｍより
も広いと、レーザ発振のしきい値電流が高くなりレーザ
発振しなくなる傾向にある。なおほぼ同一の幅とは、−
１０％以内の幅で電極幅がｐ型クラッド層１４の幅に近
似していることを示す。
トライプ型のＬＤ素子であるが、図１と異なるところ
は、最上層のｐ型クラッド層１４のストライプ幅を５０
μｍ以下として、そのｐ層１４とほぼ同一の幅で接する
ストライプ状のオーミック電極１８が形成されているこ
とである。このように５０μｍ以下のストライプ幅でエ
ッチングされたｐ型クラッド層１４とほぼ同一の幅を有
するオーミック電極１８をｐ型クラッド層１４に直接接
して形成することにより、電流の広がりをなくして活性
層に直接電流が集中するようにしている。好ましいスト
ライプ幅は５０μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以
下、最も好ましくは１０μｍ以下である。５０μｍより
も広いと、レーザ発振のしきい値電流が高くなりレーザ
発振しなくなる傾向にある。なおほぼ同一の幅とは、−
１０％以内の幅で電極幅がｐ型クラッド層１４の幅に近
似していることを示す。
【００１６】さらに、図３の素子はオーミック電極１８
と、ｐ型クラッド層１４と、活性層１３と、ｎ型クラッ
ド層１２との側面に亙ってＳｉＯ2よりなる絶縁膜１５
が形成され、絶縁膜１５の表面に金属薄膜１６が形成さ
れて、金属薄膜１６の上にボンディング用の正電極２０
が形成されている。絶縁膜１５は積層窒化物半導体層の
側面およびｎ型クラッド層１２の表面にまで形成され
て、電極間の短絡を防止している。このようにｐ型クラ
ッド層１４の幅が狭い時、または面積が小さい時は、オ
ーミック電極１８からワイヤーボンディングすることが
できないので、絶縁膜１５を介してオーミック電極１８
と電気的に接続した新たな電極２０を形成することによ
り、電極形成面の面積を広げてワイヤーボンディングの
面積を確保している。
と、ｐ型クラッド層１４と、活性層１３と、ｎ型クラッ
ド層１２との側面に亙ってＳｉＯ2よりなる絶縁膜１５
が形成され、絶縁膜１５の表面に金属薄膜１６が形成さ
れて、金属薄膜１６の上にボンディング用の正電極２０
が形成されている。絶縁膜１５は積層窒化物半導体層の
側面およびｎ型クラッド層１２の表面にまで形成され
て、電極間の短絡を防止している。このようにｐ型クラ
ッド層１４の幅が狭い時、または面積が小さい時は、オ
ーミック電極１８からワイヤーボンディングすることが
できないので、絶縁膜１５を介してオーミック電極１８
と電気的に接続した新たな電極２０を形成することによ
り、電極形成面の面積を広げてワイヤーボンディングの
面積を確保している。
【００１７】図３に示すように、本発明の発光素子では
ｐ型クラッド層１４と電気的に接続された電極２０がＳ
ｉＯ2よりなる絶縁膜１５を介して形成されており、さ
らにこの絶縁膜１５と電極２０との間に、正電極２０と
絶縁膜１５との接着力よりも大きな接着力を有する金属
薄膜１６が形成されていることにより、正電極２０の接
着力が強くなるので剥がれにくくなる。絶縁膜がＳｉＯ
2で、ボンディング用の正電極２０がＡｕである場合、
金属薄膜の材料にはＮｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒを用いるこ
とが望ましい。特にＮｉを用いることによりオーミック
電極１８にＮｉが含まれているので、熱処理によりオー
ミック電極１８のＮｉと合金化して、金属薄膜１６とオ
ーミック電極１８とがさらに強く接続される。また、絶
縁膜がＳｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2である場合も同様
にＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉを用いることが望ましい。
ｐ型クラッド層１４と電気的に接続された電極２０がＳ
ｉＯ2よりなる絶縁膜１５を介して形成されており、さ
らにこの絶縁膜１５と電極２０との間に、正電極２０と
絶縁膜１５との接着力よりも大きな接着力を有する金属
薄膜１６が形成されていることにより、正電極２０の接
着力が強くなるので剥がれにくくなる。絶縁膜がＳｉＯ
2で、ボンディング用の正電極２０がＡｕである場合、
金属薄膜の材料にはＮｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒを用いるこ
とが望ましい。特にＮｉを用いることによりオーミック
電極１８にＮｉが含まれているので、熱処理によりオー
ミック電極１８のＮｉと合金化して、金属薄膜１６とオ
ーミック電極１８とがさらに強く接続される。また、絶
縁膜がＳｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2である場合も同様
にＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉを用いることが望ましい。
【００１８】表２は、図３に示すＬＤ素子の正電極２０
に対し、図面の矢印に示す横方向から力を加えた時に、
電極２０が金属薄膜１６と絶縁膜１５との界面から剥が
れた力を相対値でもって示す表である。この表を見ても
わかるように、Ａｕよりなる電極２０と、３種類の絶縁
膜との組み合わせにおいて、その間に形成する金属薄膜
はＣｒが強い接着力を示している。
に対し、図面の矢印に示す横方向から力を加えた時に、
電極２０が金属薄膜１６と絶縁膜１５との界面から剥が
れた力を相対値でもって示す表である。この表を見ても
わかるように、Ａｕよりなる電極２０と、３種類の絶縁
膜との組み合わせにおいて、その間に形成する金属薄膜
はＣｒが強い接着力を示している。
【００１９】
【表２】
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると電
極と絶縁膜との接着力を強化した電極が提供できるの
で、例えば目的とする箇所のみを発光させる目的で窒化
物半導体層の表面に電流狭窄層のような絶縁膜を形成し
たＬＤ素子を実現した際には信頼線が格段に向上する。
またＬＤ素子に限らず、窒化物半導体層に絶縁膜を形成
し、その絶縁膜を介して電極を形成したＬＥＤ素子、受
光素子についても適用可能であることは言うまでもな
い。
極と絶縁膜との接着力を強化した電極が提供できるの
で、例えば目的とする箇所のみを発光させる目的で窒化
物半導体層の表面に電流狭窄層のような絶縁膜を形成し
たＬＤ素子を実現した際には信頼線が格段に向上する。
またＬＤ素子に限らず、窒化物半導体層に絶縁膜を形成
し、その絶縁膜を介して電極を形成したＬＥＤ素子、受
光素子についても適用可能であることは言うまでもな
い。
【図１】 本発明の一実施例に係る電極を有するＬＤ素
子の構造を示す模式断面図。
子の構造を示す模式断面図。
【図２】 図１のＬＤ素子の斜視図。
【図３】 本発明の他の実施例に係る電極を有するＬＤ
素子の構造を示す模式断面図。
素子の構造を示す模式断面図。
【図４】 従来のＬＤ素子の構造を示す模式断面図。
１、１１・・基板 ２、１２・・ｎ型クラッド層 ３、１３・・活性層 ４、１４・・ｐ型クラッド層 ５、１５・・絶縁膜 ６、１６・・金属薄膜 １０、２０・・正電極 １８・・オーミック電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18 H01L 33/00
Claims (2)
- 【請求項１】 窒化ガリウム系半導体からなる発光素子
のｐ型窒化ガリウム系化合物層表面上に、絶縁層および
金属薄層をこの順に介して、ｐ型窒化ガリウム系化合物
層表面に電気的に接続されて形成されてなるオーミック
電極であって、該オーミック電極は金属薄層を構成する
金属とは異なる金属から構成され、かつ金属薄膜と絶縁
膜との接着力がオーミック電極と絶縁層との間の接着力
よりも大きな接着力を有することを特徴とする窒化物半
導体発光素子におけるｐ型窒化ガリウム系化合物層のた
めの電極。 - 【請求項２】 前記電極が少なくとも金を含み、前記金
属薄膜がＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉよりなる群から選択さ
れた少なくとも一種の金属を含み、さらに前記絶縁膜が
二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チ
タンの内の少なくとも一種よりなることを特徴とする請
求項１に記載の窒化物半導体発光素子におけるｐ型窒化
ガリウム系化合物層のための電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8242895A JP2950192B2 (ja) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | 窒化物半導体の電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8242895A JP2950192B2 (ja) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | 窒化物半導体の電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08279643A JPH08279643A (ja) | 1996-10-22 |
| JP2950192B2 true JP2950192B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=13774316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8242895A Expired - Lifetime JP2950192B2 (ja) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | 窒化物半導体の電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2950192B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10294531A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | 窒化物化合物半導体発光素子 |
| JP3693142B2 (ja) * | 1997-12-11 | 2005-09-07 | 株式会社リコー | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| EP1276186B1 (en) | 2000-02-16 | 2016-12-07 | Nichia Corporation | Method of manufacturing a nitride semiconductor laser device |
-
1995
- 1995-04-07 JP JP8242895A patent/JP2950192B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08279643A (ja) | 1996-10-22 |
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