JP5890212B2

JP5890212B2 - 照明装置

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Publication number: JP5890212B2
Application number: JP2012064723A
Authority: JP
Inventors: 智之島谷; 三宅　徹; 徹三宅
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2012-03-22
Filing date: 2012-03-22
Publication date: 2016-03-22
Anticipated expiration: 2032-03-22
Also published as: JP2013196987A

Description

本発明は、半導体発光素子を含む照明装置に関するものである。

近年、発光ダイオード(ＬＥＤ：Light Emitting Diode)等の半導体発光素子を光源とする照明装置の開発が進められている（例えば、特許文献１を参照）。半導体発光素子を有する照明装置は、消費電力または製品寿命に関して注目されている。この半導体発光素子は、発光時に発生する熱を如何に外部に放熱するかが研究開発されている。

特開２０１２−１４９５０号公報

本発明は、半導体発光素子が発する熱を外部に効率よく放熱することが可能な照明装置を提供することを目的とする。

本発明の一実施形態に係る照明装置は、上面に長尺状の凹部を有するとともに、前記凹部の内面に長手方向に直線状の溝を有する固定部材と、前記溝の両側で前記凹部の内面のそれぞれに当接する一対のカバー、前記一対のカバーの間に前記カバーの上面および前記溝から離して前記一対のカバーに接続された支持板、ならびに前記支持板の下面に設けられた、前記溝の内面に当接する下部の幅が上部の幅よりも小さい突出部を有する筐体と、前記筐体内の前記支持板上に設けられた半導体発光素子と、を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、半導体発光素子が発する熱を外部に効率よく放熱することが可能な照明装置を提供することができる。

本実施形態に係る照明装置の概観斜視図であって、複数の半導体発光素子の表側を示している。本実施形態に係る照明装置の平面図であって、筐体の表側を示している。本実施形態に係る照明装置の底面図であって、筐体の裏面側を示している。図１に示す照明装置のＸ−Ｘに沿った断面図である。図４に示す照明装置のＡ部分の拡大断面図である。照明装置の一部である半導体発光素子の内部を示した斜視図である。図６に示す半導体発光素子のＹ−Ｙに沿った断面図である。

以下に添付図面を参照して、本発明にかかる照明装置の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものとする。

図１は、照明装置の概観斜視図であって、固定部材に嵌まった筐体と、筐体内の複数の半導体発光素子を拡大して示している。図２は、照明装置の平面図であって、筐体内の複数の半導体発光素子を拡大して示している。図３は、照明装置の底面図であって、筐体の
裏面を拡大して示している。図４は、図１の照明装置のＸ−Ｘに沿った断面図であって、固定部材に嵌まった筐体と、筐体内に設けられた半導体発光素子を示している。図５は、図４のＡ部分を拡大した拡大断面図である。図６は、半導体発光素子の内部を示した概観斜視図である。図７は、図６のＹ−Ｙに沿った断面図であって、半導体発光素子の断面を示している。

＜照明装置の構成＞
照明装置１は、天井または壁等の室内に直接取り付けるか、あるいは、屋外にて使用するものである。そして、照明装置１から発せられる光は、室内または屋外を照らすことができる。照明装置１は、上面に長尺状の凹部Ｃが形成された固定部材２と、固定部材２の凹部Ｃに嵌まった筐体３と、筐体３内に設けられた複数の半導体発光素子４と、を備えている。

固定部材２は、筐体３を固定するものであって、筐体３の外形に合わせた凹部Ｃが設けられている。固定部材２は、平面視して矩形状であって、一辺の長さが例えば５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下に設定されている。また、凹部Ｃは、半円柱状であって、固定部材２の一端から他端にかけて連続して形成されている。凹部Ｃは、固定部材２の上面からの深さが、例えば１０ｍｍ以上３０ｍｍ以下であって、固定部材２の一端から他端までの長さが、例えば１００ｍｍ以上６００ｍｍ以下である。なお、固定部材２は、筐体３から伝わる熱を外部に効率よく放熱することが出来る材料からなり、例えば、アルミニウム、銅またはステンレス等の金属、プラスチック、樹脂、あるいはプラスチックや樹脂に金属部材が組み込まれた組立部材等から構成されている。

また、固定部材２は、凹部Ｃの内面に直線状の溝Ｄが形成されている。直線状の溝Ｄは、筐体３の一部が位置合わせして挿入され、筐体３の一部と当接するものである。溝Ｄは、固定部材２の一端から他端にかけて連続して形成されている。溝Ｄは、凹部Ｃの底面からの深さが、例えば０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下に設定されている。

筐体３は、上部に矩形状の開口部Ｈが形成されている。そして、筐体３の開口部Ｈ内に、複数の半導体発光素子４が実装される。そして、筐体３は、複数の半導体発光素子４の発する熱を固定部材２に伝える機能を有している。筐体３は、例えば、アルミニウム、銅またはステンレス等の金属、プラスチック、樹脂、あるいはプラスチックや樹脂に金属部材が組み込まれた組立部材等から構成されている。筐体３は、平面視して直方体形状であって、固定部材２の凹部Ｃの内面に当接する一対のカバー３ａと、一対のカバー３ａの間に一対のカバー３ａに接続された支持板３ｂと、支持板３ｂの下面に設けられ溝Ｄの内面に当接する突出部３ｃとを備えている。

筐体３は、半導体発光素子４の発する熱を効率よく外部に放散することによって筐体３の熱による変形が抑制され、半導体発光素子４の傾斜角度や半導体発光素子４から放射される光の方向が変化するのを低減することによって、外部に取り出される光の指向性や配光分布を良好に維持することができる。筐体３の熱伝導率は、例えば、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上５００Ｗ／ｍ・Ｋ以下で設定されている。なお、筐体３は、固定部材２に対して、螺子またはボルト等の固定部材を介して接続されている。

筐体３には、筐体３の開口部Ｈを覆うように、筐体３内の半導体発光素子４を保護する透光性基板５が設けられている。また、筐体３は、開口部Ｈの開口縁に、透光性基板５を支持する支持部３ａｘを有している。支持部３ａｘは、一対のカバー３ａの開口縁に対向して設けられている。また、支持部３ａｘは、開口縁の長手方向に沿って設けられている。そして、透光性基板５は、支持部３ａｘに対して、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、あるいは螺子等の固定部材を介して接続されている。なお、透光性基板５は、半導体
発光素子４から発せられる光が透過する材料からなり、例えばアクリル樹脂またはガラス等の光透光性の材料から構成される板体である。

一対のカバー３ａは、支持板３ｂより下方に位置する箇所が凹部Ｃの内面に当接している。そのため、半導体発光素子４から支持板３ｂに伝わった熱は、支持板３ｂから凹部Ｃ内面に当接する個所に伝わり、さらに固定部材２に伝わる。その結果、半導体発光素子４から生じる熱は周囲の部材に伝達され、半導体発光素子４の温度が上昇し続けるのを抑制することができ、半導体発光素子４が必要以上に高温になるのを抑えることができる。

支持板３ｂは、矩形状であって、長手方向に沿った両端部のそれぞれが、一対のカバー３ａの内面のそれぞれと接続されている。支持板３ｂ上には、複数の半導体発光素子４を実装する配線基板６が設けられる。

配線基板６は、直方体形状であって、その長手方向寸法が筐体３の開口部Ｈと略同じ長さを有した長尺の板体である。配線基板６は、例えば、樹脂からなるプリント配線基板等の樹脂基板、あるいはガラス基板、あるいは上面に配線パターンが形成されたアルミ基板等の金属板が用いられる。配線基板６は、平面視して一辺の長さが例えば１０ｍｍ以上１９９８ｍｍ以下であって、上下方向の厚みが例えば０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下である。なお、配線基板６は、螺子、あるいは熱伝導性の接着材によって筐体３に固定されている。

配線基板６上には、半導体発光素子４が実装されている。半導体発光素子４は、実装基板４１と、実装基板４１上に設けられる光半導体素子４２と、光半導体素子４２を取り囲む枠体４３と、枠体４３で囲まれる領域に設けられる封止樹脂４４によって支持され、接着樹脂４５を介して枠体４３に接続される波長変換部材４６と、を備えている。なお、半導体発光素子４は、光半導体素子４２内のｐｎ接合中の電子と正孔が再結合することによって、光半導体素子４２から外部に向かって光を発する。

実装基板４１は、配線基板６上に設けられる。配線基板６と実装基板４１とは、半田または導電性接着材を介して電気的に導通されるように接合される。実装基板４１は、例えば、アルミナ、ムライトまたはガラスセラミックス等のセラミック材料、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から構成することができる。また、実装基板４１は、金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂を用いることができる。

実装基板４１の表面が拡散面である場合、光半導体素子４２から発せられる光が、実装基板４１の表面にて照射されて拡散反射する。そして、光半導体素子４２が発する光を拡散反射によって多方向に放射し、光半導体素子４２から発せられる光が波長変換部材４６の特定箇所に集中するのを抑制することができる。

ここで、実装基板４１には、配線導体が設けられており、配線導体を介して配線基板６と電気的に接続されている。配線導体は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガンまたは銅等の導電材料からなる。配線導体は、例えば、タングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを、実装基板４１に所定パターンで印刷することにより得られる。なお、配線導体の表面には、酸化防止のために、例えば、ニッケルまたは金等の鍍金層が形成されている。また、実装基板４１が樹脂材料からなる場合は、シート状に加工した有機基板に対して鍍金処理等を施したり、リードフレームを金型に配置してトランスファ成形プロセスでモールド樹脂を金型に流し込むとともに加熱加圧し硬化したりすることで作製することができる。

光半導体素子４２は、実装基板４１上に、例えば、半田または導電性接着剤等の接着材料、あるいはボンディングワイヤ等を介して電気的に接続される。光半導体素子４２は、
サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、シリコンカーバイド、シリコンまたは二ホウ化ジルコニウム等の基体に有機金属気相成長法または分子線エピタキシャル成長法等の化学気相成長法を用いて、半導体層を成長させることによって作製される。

光半導体素子４２は、第１半導体層と、第１半導体層上に形成される発光層と、発光層上に形成される第２半導体層と、から構成されている。第１半導体層、発光層および第２半導体層は、例えば、III族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ素等のIII−Ｖ族半導体、あるいは、窒化ガリウム、窒化アルミニウムまたは窒化インジウム等のIII族窒
化物半導体などを用いることができる。なお、第１半導体層の厚みは、例えば、１μｍ以上５μｍ以下である。発光層の厚みは、例えば、２５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。第２半導体層の厚みは、例えば、５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下である。また、このように構成された光半導体素子４２では、例えば、３７０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下の波長範囲の励起光を発することができる。

実装基板４１上には、光半導体素子４２を取り囲むように枠状の枠体４３が設けられている。枠体４３は、実装基板４１上に例えば半田または接着剤を介して接続される。枠体４３は、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等のセラミック材料、あるいは多孔質材料、あるいは酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等の金属酸化物からなる粉末を混合させた樹脂材料からなる。枠体４３は、セラミック材料、多孔質材料、あるいは樹脂材料からなり、枠体４３の表面は焼結体が形成されたり、微細な孔が多数形成されたり、金属酸化物からなる粉末が配置されたりする。

枠体４３は、光半導体素子４２と間を空けて、光半導体素子４２の周りを取り囲むように形成されている。また、枠体４３は、傾斜する内壁面が下端から上端に従い外方に向かって広がるように形成されている。そして、枠体４３の内壁面が、光半導体素子４２から発せられる励起光の反射面として機能する。また、枠体４３の内壁面が拡散面である場合には、光半導体素子４２から発せられる光が、枠体４３の内壁面にて拡散反射する。そして、光半導体素子４２から発せられる光が波長変換部材４６の特定箇所に集中するのを抑制することができる。

また、枠体４３の傾斜する内壁面は、例えば、焼結材料からなる枠体４３の内周面にタングステン、モリブデン、銅または銀等から成る金属層と、金属層を被覆するニッケルまたは金等から成る鍍金金属層を形成してもよい。この鍍金金属層は、光半導体素子４２の発する光を反射させる機能を有する。なお、枠体４３の内壁面の傾斜角度は、実装基板４１の上面に対して例えば５５度以上７０度以下の角度に設定されている。

枠体４３で囲まれる領域には、封止樹脂４４が充填されている。封止樹脂４４は、光半導体素子４２を封止するとともに、光半導体素子４２から発せられる光が透過する機能を備えている。封止樹脂４４は、枠体４３の内方に光半導体素子４２を収容した状態で、枠体４３で囲まれる領域であって、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂が用いられる。

波長変換部材４６は、枠体４３に支持されるとともに、光半導体素子４２と間を空けて対向するように設けられる。つまり、波長変換部材４６は、光半導体素子４２を封止する封止樹脂４４と空隙を介して枠体４３に設けられる。

波長変換部材４６は、接着樹脂４５を介して枠体４３に接合されている。接着樹脂４５は、波長変換部材４６の下面の端部から波長変換部材４６の側面、さらに波長変換部材４６の上面の端部にかけて被着している。

接着樹脂４５は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコーン樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を使用することができる。また、接着樹脂４５は、例えば、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂またはポリフェニレンエーテル樹脂等の熱可塑性樹脂を使用することができる。

接着樹脂４５の材料は、枠体４３の熱膨張率と波長変換部材４６の熱膨張率との間の大きさの熱膨張率の材料を選択される。接着樹脂４５の材料として、このような材料を選択することで、枠体４３と波長変換部材４６とが熱膨張するときに、両者の熱膨張率の差に起因して、両者が剥離しようとするのを抑制することができ、両者を良好に繋ぎ止めることができる。

接着樹脂４５が、波長変換部材４６の下面の端部にまで被着することで、接着樹脂４５が被着する面積を大きくし、枠体４３と波長変換部材４６とを強固に接続することができる。その結果、枠体４３と波長変換部材４６の接続強度を向上させることができ、波長変換部材４６の撓みが抑制される。そして、光半導体素子４２と波長変換部材４６との間の光学距離が変動するのを効果的に抑制することができる。

波長変換部材４６は、光半導体素子４２から発せられる励起光が内部に入射して、内部に含有される蛍光体が励起されて、光を発するものである。ここで、波長変換部材４６には、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等から成り、その樹脂中に、例えば４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の蛍光を発する青色蛍光体、例えば５００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の蛍光を発する緑色蛍光体、例えば５４０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の蛍光を発する黄色蛍光体、例えば５９０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の蛍光を発する赤色蛍光体が含有されている。なお、蛍光体は、波長変換部材４６中に均一に分散するように含有されている。なお、波長変換部材４６の厚みは、例えば０．５以上３ｍｍ以下に設定されている。

また、波長変換部材４６の端部の厚みは一定に設定されている。波長変換部材４６の厚みは、例えば０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下に設定されている。ここで、厚みが一定とは、厚みの誤差が０．１ｍｍ以下のものを含む。波長変換部材４６の厚みを一定にすることにより、波長変換部材４６にて励起される光の量を一様になるように調整することができ、波長変換部材４６における輝度むらを抑制することができる。

筐体３内には、筐体３の長手方向に沿って、上述した複数の半導体発光素子４がライン上に配置されている。そして、複数の半導体発光素子４の発した光が、透光性基板５を介して外部に取り出される。このとき、半導体発光素子４は発光するとともに、熱が発生する。その熱が、半導体発光素子４から配線基板６を介して支持板３ｂに伝わる。

支持板３ｂの下面には、突出部３ｃが設けられている。突出部３ｃは、支持板３ｂに伝わった熱が伝わり、伝わった熱を固定部材２に伝えるものである。また、突出部３ｃは、筐体３と固定部材２とを位置決めするものである。突出部３ｃは、図５に示すように、凹部Ｃの長手方向に直交する断面において、上部３ｃｘよりも下部３ｃｙの幅が狭くなるように形成されている。突出部３ｃは、上下方向の長さが例えば１１ｍｍ以上３３ｍｍ以下に設定されており、上部３ｃｘの上下方向の長さが３ｍｍ以上２５ｍｍ以下であって、下部３ｃｙの上下方向の長さが５ｍｍ以上３０ｍｍ以下である。突出部３ｃは、断面において、支持板３ｂの下面に沿った平面方向の幅が、例えば３ｍｍ以上１５ｍｍ以下に設定されている。

突出部３ｃは、半導体発光素子４の直下に設けられている。さらに、突出部３ｃは、図５に示すように、断面において上部３ｃｘの幅が、半導体発光素子４の幅よりも大きくなるように設定されている。半導体発光素子４の発した熱は、配線基板６を介して支持板３ｂの直下に伝わりやすい。そして、突出部３ｃは、半導体発光素子４と重なるように半導体発光素子４の直下に配置されていることで、半導体発光素子４から配線基板６を介して支持板３ｂに伝わった熱を効率よく突出部３ｃに伝わりやすくすることができる。その結果、半導体発光素子４から発生する熱は周囲の部材に伝達され、半導体発光素子４の温度が上昇し続けるのを抑えることができ、半導体発光素子４が高温になることで、半導体発光素子４に発生する波長スペクトルの変動、発光効率の低下または寿命の低下等の不具合を低減することができる。

突出部３ｃは、図５に示すように、断面において下部３ｃｙの幅が、上部３ｃｘの幅よりも小さくなるように設定されている。上部３ｃｘにまで伝わった熱を下部３ｃｙに集中して伝わるように設定されている。下部３ｃｙが熱膨張を起こしたとしても、下部３ｃｙの先端部分が、溝Ｄに嵌まっていることで、溝Ｄから突出部３ｃが位置ずれするのが抑制されている。さらに、下部３ｃｙが熱膨張を起こすことで、溝Ｄと下部３ｃｙの先端部分とが強固に嵌まるようになる。また、半導体発光素子３から配線基板６および支持板３ｂを介して上部３ｃｘから下部３ｃｙへ伝達される熱の経路を段階的に小さくすることで、半導体発光素子３からの熱は突出部３を介して固定部材２に伝達されるとともに、放熱経路が小さくされた下部３ｃｙを介して固定部材２に伝達される熱が抑制されることにより、半導体発光素子３からの熱は支持板３ｂを介してカバー３ａに迂回されて伝達される。その結果、半導体発光素子３からの熱は、カバー３ａと支持板２ｂおよび突出部３からなる筐体３全体を活用して固定部材２に伝達されるとともに外部に放散され、半導体発光素子４に発生する波長スペクトルの変動や発光効率の低下、寿命の低下等の不具合を低減することができる。

また、突出部３ｃは、図５に示すように、縦断面において半導体発光素子３の中心に対して左右対称の形状に形成される。その結果、半導体発光素子４から筐体３内に伝達される熱の分布は、縦断面において半導体発光素子３を中心として左右対称となることから、筐体３の内部で熱の分布が偏ることによって生じる熱応力の偏りが抑制され、筐体３の歪や捻じれが抑制されることにより、半導体発光素子４の傾斜角度や半導体発光素子４から放射される光の方向が変化することが低減され、外部に取り出される光の指向性や配光分布が良好に維持される。

半導体発光素子４は、図５に示すように、縦断面において溝Ｄと重なるように配置されている。そして、半導体発光素子４の発した熱は、筐体３の突出部３ｃを介して固定部材２の溝Ｄに効率よく伝えることができる。

本実施形態に係る照明装置１は、固定部材２の凹部Ｃに嵌まるように筐体３を設け、さらに、筐体３内の支持板３ｂ上に半導体発光素子４を設け、支持板３ｂの下部に固定部材２の溝Ｄに嵌まる突出部３ｃを設けることで、半導体発光素子４の発する熱を効率よく固定部材２に放熱することができる。その結果、半導体発光素子４の波長変換部材４６が、温度が上昇することで蛍光体が励起することで波長変換する光の波長が変動しやすくなる現象や、筐体３の熱変形によって筐体３が固定部材２の所望の位置から移動することを抑えることができ、外部に取り出される光の色が変化してしまうのを抑制することができる。

なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。

＜照明装置の製造方法＞
ここで、図１に示す照明装置の製造方法を説明する。まず、半導体発光素子４を準備する。実装基板４１および枠体４３が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウムの原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。

実装基板４１は、混合物がシート状のセラミックグリーンシートに成形されたものを用いる。また、枠体４３は、枠体４３の型枠内に混合物が充填されて乾燥され、焼結前の枠体４３が取り出される。

また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、準備した実装基板４１となるセラミックグリーンシートに所定パターンで印刷し、複数のセラミックグリーンシートを積層するとともに焼成され、所定の形状に切断される。また、枠体４３は、所望の温度で焼結されることにより形成される。

次に、実装基板４１上の配線パターンに光半導体素子４２を半田を介して電気的に実装した後、光半導体素子４２を取囲むように枠体４３を基板上にアクリル樹脂等の接着剤を介して接着する。そして、枠体４３で囲まれた領域に、例えばシリコーン樹脂を充填して、シリコーン樹脂を硬化させることで、封止樹脂４４を形成する。

次に、波長変換部材４６を準備する。波長変換部材４６は、未硬化の樹脂に蛍光体を混合して、例えば、ドクターブレード法、ダイコーター法、押し出し法、スピンコート法またはディップ法等のシート成形技術を用いて、作製することができる。例えば、波長変換部材４６は、未硬化の波長変換部材４６を型枠に充填し、硬化して取り出すことによって、得ることが出来る。そして、準備した波長変換部材４６を枠体４３上に、例えば樹脂からなる接着樹脂４５を介して接着することで、半導体発光素子４を作製することができる。

次に、固定部材２および筐体３を準備する。固定部材２または筐体３は、例えば、押出成形法によりそれぞれ一体成形されている。しかしながら、必ずしも一体成形で形成する必要はなく、各部材を別個に製造して、これらをネジ等の締結手段で締結してもよく、また、各部材を接着剤で接着して一体化させてもよい。

さらに、配線基板６を準備する。配線基板６は、例えばプリント配線基板を用いることができる。そして、半導体発光素子４を配線基板６上に実装する。半導体発光素子４を実装した配線基板６を筐体３内に設ける。さらに、筐体３の開口部Ｈを透光性基板５で覆うように、透光性基板５を筐体３の支持部３ａに樹脂を介して固定する。

さらに、筐体３を固定部材２の凹部Ｃに嵌めるとともに、筐体３の突出部３ｃを凹部Ｃの溝Ｄに位置決めする。そして、筐体３を固定部材２に螺子止めして両者を固定することで、照明装置１を作製することができる。

１照明装置
２固定部材
３筐体
３ａカバー
３ａｘ支持部
３ｂ支持板
３ｃ突出部
４半導体発光素子
４１実装基板
４２光半導体素子
４３枠体
４４封止樹脂
４５接着樹脂
４６波長変換部材
５透光性基板
６配線基板
Ｃ凹部
Ｄ溝

Claims

上面に長尺状の凹部を有するとともに、前記凹部の内面に長手方向に直線状の溝を有する固定部材と、
前記溝の両側で前記凹部の内面のそれぞれに当接する一対のカバー、前記一対のカバーの間に前記カバーの上面および前記溝から離して前記一対のカバーに接続された支持板、ならびに前記支持板の下面に設けられた、前記溝の内面に当接する下部の幅が上部の幅よりも小さい突出部を有する筐体と、前記筐体内の前記支持板上に設けられた半導体発光素子と、を備えたことを特徴とする照明装置。
請求項１に記載の照明装置であって、
前記溝は、前記凹部の長手方向に沿って連続していることを特徴とする照明装置。
請求項１または請求項２に記載の照明装置であって、
前記突出部は、前記半導体発光素子の直下に位置していることを特徴とする照明装置。